CN105575997A - 透明显示基板和透明显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种透明显示基板和透明显示设备。该基板包括：包括像素区域和透射区域的基底基板；位于基底基板的像素区域上的像素电路；位于基底基板上覆盖像素电路的绝缘层；被选择性地设置在基底基板的像素区域上的像素电极，像素电极至少部分地穿过绝缘层电连接至像素电路；以及被选择性地设置在基底基板的透射区域上的透射层结构，透射层结构至少包括无机材料，无机材料基本上由氮氧化硅组成。

Description

透明显示基板和透明显示设备
技术领域
实施例涉及透明显示基板和透明显示设备。
背景技术
最近，已经考虑例如具有透明或透射特性的有机发光显示器(OLED)设备的显示设备。
发明内容
各实施例涉及透明显示基板、透明显示设备和制造透明显示设备的方法。
实施例可以通过提供一种透明显示基板来实现，该透明显示基板包括：包括像素区域和透射区域的基底基板；位于基底基板的像素区域上的像素电路；位于基底基板上覆盖像素电路的绝缘层；被选择性地设置在基底基板的像素区域上的像素电极，像素电极至少部分地穿过绝缘层电连接至像素电路；以及被选择性地设置在基底基板的透射区域上的透射层结构，透射层结构至少包括无机材料，无机材料基本上由氮氧化硅组成。
透明显示基板可以进一步包括位于基底基板与像素电路之间的阻挡层。
透明显示基板可以进一步包括位于阻挡层与像素电路之间的缓冲层。
阻挡层和缓冲层可以基本上由氮氧化硅组成。
透射层结构可以包括阻挡层和缓冲层的形成在透射区域上的部分。
阻挡层和缓冲层的包括在透射层结构中的部分可以彼此合并，使得透射层结构具有单层结构。
绝缘层可以被选择性地设置在像素区域上，并且不在透射区域上延伸。
像素电路可以包括被堆叠在阻挡层上的有源图案、栅电极、源电极和漏电极，绝缘层可以包括：位于阻挡层上覆盖有源图案的栅绝缘层；位于栅绝缘层上覆盖栅电极的绝缘夹层；以及位于绝缘夹层上覆盖源电极和漏电极的过孔绝缘层，源电极和漏电极可以延伸穿过绝缘夹层和栅绝缘层，以与有源图案接触，并且像素电极可以位于过孔绝缘层上，且可以延伸穿过过孔绝缘层，以与漏电极接触。
过孔绝缘层可以包括有机材料，并且被选择性地设置在像素区域上。
栅绝缘层和绝缘夹层可以基本上由氮氧化硅组成。
栅绝缘层和绝缘夹层可以共同地且连续地在像素区域和透射区域上延伸。透射层结构可以包括阻挡层、栅绝缘层和绝缘夹层的形成在透射区域上的部分。
包括在透射层结构中的各层可以彼此合并，以具有单层结构。
透明显示基板可以进一步包括位于阻挡层与栅绝缘层之间的缓冲层，其中阻挡层和缓冲层基本上由氮氧化硅组成。
阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和绝缘夹层中的至少一个可以包括氮氧化硅，并可以包括氧和氮的相对垂直的浓度梯度。
缓冲层在与阻挡层的界面处可以更富含氮，并且在与栅绝缘层的界面处可以更富含氧。
栅绝缘层在与缓冲层的界面处可以更富含氧，并且在与绝缘夹层的界面处可以更富含氮。
透明显示基板可以进一步包括位于基底基板与像素电路之间的缓冲层。缓冲层可以基本上由氮氧化硅组成。透射层结构可以包括缓冲层的形成在透射区域上的部分。
实施例可以通过提供一种透明显示设备来实现，该透明显示设备包括：包括像素区域和透射区域的基底基板；位于基底基板的像素区域上的像素电路；被选择性地设置在基底基板的像素区域上的像素电极，像素电极电连接至像素电路；位于像素电极上的显示层；位于显示层上面对像素电极的对电极；被选择性地设置在基底基板的透射区域上的透射层结构，透射层结构至少包括无机材料，无机材料基本上由氮氧化硅组成；以及被限定在基底基板的透射区域上的透射窗，透射层结构的顶表面通过透射窗被暴露。
透明显示设备可以进一步包括：位于基底基板与像素电路之间的阻挡层；顺序形成在阻挡层上并部分地覆盖像素电路的栅绝缘层和绝缘夹层；被选择性地设置在像素区域的绝缘夹层的一部分上并覆盖像素电路的过孔绝缘层；以及位于过孔绝缘层上并部分地覆盖像素电极的像素限定层。
阻挡层、栅绝缘层和绝缘夹层可以被共同地提供在像素区域和透射区域上，并且透射层结构可以包括阻挡层、栅绝缘层和绝缘夹层的形成在透射区域上的部分。
透射窗可以由像素限定层的侧壁和过孔绝缘层的侧壁以及绝缘夹层的顶表面限定。
栅绝缘层和绝缘夹层可以被选择性地设置在像素区域上，并且透射窗可以由像素限定层的侧壁、过孔绝缘层的侧壁、绝缘夹层的侧壁和栅绝缘层的侧壁以及阻挡层的顶表面限定。
对电极可以沿像素限定层和显示层的表面、以及透射窗的底部和侧壁形成，并且对电极在透射窗的底部和侧壁上的部分的厚度可以小于对电极在像素限定层和显示层的表面上的部分的厚度。
对电极可以被选择性地设置在像素区域上，并且可以不在透射区域上延伸。
透明显示设备可以进一步包括位于透射层结构上的沉积控制层。
对电极可以被共同地设置在像素区域和透射区域上。
对电极在透射区域上的厚度可以小于对电极在像素区域上的厚度。
透明显示设备可以进一步包括位于基底基板与像素电路之间的缓冲层。缓冲层可以基本上由氮氧化硅组成。透射层结构可以包括缓冲层的形成在透射区域上的部分。
显示层可以包括多个层，并且多个层的至少一个可以被共同地提供在像素区域和透射区域上。
透明显示设备可以进一步包括位于对电极上的封装层。封装层可以贯穿像素区域和透射区域延伸。
实施例可通过提供一种制造透明显示设备的方法来实现，该方法包括将基底基板装载到工艺室中，基底基板包括像素区域和透射区域；在工艺室中引入氧化硅前体和可变流速的氮源，以在基底基板上形成阻挡层，使得阻挡层基本上由氮氧化硅组成；在阻挡层上形成像素电路；在阻挡层上形成绝缘层，使得绝缘层覆盖像素电路；在绝缘层上形成像素电极，使得像素电极电连接至像素电路；至少部分地除去绝缘层在透射区域上的一部分；在像素电极上形成显示层；以及在显示层上形成对电极。
形成阻挡层可以包括通过调节氮源的流速创建氧和氮的相对的浓度梯度。
基底基板可以包括聚酰亚胺类树脂，氮源可以包括多种不同的含氮气体，并且形成阻挡层可以包括调节含氮气体的相对流速，使得阻挡层的折射率与基底基板的折射率一致。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员来说将显而易见，附图中：
图1示出了根据示例性实施例的透明显示基板的示意性俯视图；
图2和图3示出了根据示例性实施例的透明显示基板的剖视图；
图4和图5示出了根据示例性实施例的透明显示基板的剖视图；
图6和图7示出了根据示例性实施例的透明显示设备的剖视图；
图8和图9示出了根据示例性实施例的透明显示设备的剖视图；
图10示出了根据一些示例性实施例的透明显示设备的剖视图；
图11至图17B示出了根据示例性实施例的用于制造透明显示设备的方法中各阶段的剖视图；和
图18至图20示出了根据示例性实施例的用于制造透明显示设备的方法中各阶段的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更充分地描述示例性实施例；然而，示例性实施例可以以不同的形式体现，而不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大了。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件与另一个元件。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本发明构思的教导。如本文所用，术语“和/或”包括所列的相关联项目中的一个或多个的任意和所有组合。
将理解的是，当一元件被称为“连接”或“联接”到另一元件时，它可以直接连接或联接到另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当一元件被称为“直接连接”或“直接联接”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述各元件之间的关系的其它词语应该以类似方式来解释(例如“上”对“直接上”、“之间”对“直接之间”、“相邻”对“直接相邻”等)。
如本文所用，单数形式的“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在此说明书中使用时，术语“包括”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明构思所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1示出了根据示例性实施例的透明显示基板的示意性俯视图。图2和图3示出了根据示例性实施例的透明显示基板的剖视图。例如，图2和图3示出了沿图1的线I-I'截取的剖视图。
参考图1和图2，透明显示基板可以包括像素区域PA和透射区域TA。
像素区域PA可以包括可以彼此相邻的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。透射区域TA可以与像素区域PA相邻。如图1所示，透射区域TA可以连续地延伸，以与红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb相邻。在一个实施方式中，透射区域TA可以对于每个像素被单独地图案化。
晶体管(例如薄膜晶体管：TFT)可以被设置在每个像素中，并且晶体管可以电连接至数据线D和扫描线S。如图1所示，数据线D和扫描线S可彼此交叉，并且每个像素可被限定在数据线D和扫描线S的交叉区域。像素电路可以由数据线D、扫描线S和晶体管限定。
像素电路可以进一步包括可以与数据线D平行的电源线。此外，电连接至电源线和晶体管的电容器可以被设置在每个像素中。
图1和图2示出了一个晶体管被设置在每个像素中，但是，在一个实施方式中，至少两个晶体管可以被设置在每个像素中。例如，开关晶体管和驱动晶体管可被设置在每个像素中。电容器可以电连接在开关晶体管与驱动晶体管之间。
如图2所示，晶体管和电容器可被设置在缓冲层120的形成于基底基板100的像素区域PA上的一部分上。晶体管可以包括第一有源图案130、栅绝缘层140、第一栅电极150、绝缘夹层160、源电极170和漏电极175。过孔绝缘层180可以覆盖晶体管，并且像素电极190和像素限定层(PDL)195可以被设置在过孔绝缘层180上。
电容器可由形成在缓冲层120上的第二有源图案135、栅绝缘层140和第二栅电极155限定。
透明绝缘基板可以被用作基底基板100。例如，基底基板100可以包括具有透射和柔性特性的聚合物材料。在一个实施方式中，基底基板100可以包括例如聚酰亚胺类树脂。
如上所述，基底基板100可被划分为或包括像素区域PA和透射区域TA。
阻挡层110和缓冲层120可以顺序地形成在基底基板100上。阻挡层110和缓冲层120可以大致覆盖基底基板100的整个顶表面。
湿气和/或杂质在基底基板100与其上的结构之间的扩散或者从基底基板100到其上的结构的扩散可以被阻挡层110阻止。
湿气和/或杂质的扩散可以另外被缓冲层120阻止，并且来自基底基板100上的结构的应力可以被缓冲层120缓冲或吸收。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以包括例如氮氧化硅(SiOxNy)。在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可基本上由氮氧化硅组成。因此，阻挡层110和缓冲层120可以具有大致单一的氮氧化硅组成。在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以各自由氮氧化硅组成。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120中的一个可以被省略。在这种情况下，大致单层的阻挡层可以形成在基底基板100上。
有源图案可以被设置在缓冲层120的位于像素区域PA上的一部分上。有源图案可以包括第一有源图案130和第二有源图案135。
有源图案可以包括硅化合物，例如多晶硅。在一个实施方式中，源区和漏区(包含p型或n型杂质)可以形成在第一有源图案130的两端。第二有源图案135也可以包括杂质，并且杂质可以分布在整个第二有源图案135上。
在一个实施方式中，有源图案可包括氧化物半导体，诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)或氧化铟锡锌(ITZO)。
如图2所示，第一有源图案130和第二有源图案135可位于大致同一水平或同一平面上。
栅绝缘层140可形成在缓冲层120上，以覆盖有源图案。在一个实施方式中，栅绝缘层140可以具有包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的单层结构。
在一个实施方式中，栅绝缘层140可以具有基本上由氮氧化硅组成的单层结构，例如，与阻挡层110和缓冲层120的结构大致相似。在一个实施方式中，栅绝缘层140可以由氮氧化硅组成。
栅电极可被设置在栅绝缘层140上。在一个实施方式中，栅电极可以包括第一栅电极150和第二栅电极155。第一栅电极150和第二栅电极155可以分别与第一有源图案130和第二有源图案135大致重叠。
第一栅电极150可以电连接至扫描线S。例如，第一栅电极150可以从扫描线S分叉或突出。第一栅电极150和第二栅电极155可以被设置在大致同一水平或同一平面上。
栅电极可包括金属、合金或金属氮化物。例如，栅电极可包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)之类的金属、其合金或者其氮化物。这些可以单独使用或以其组合使用。在一个实施方式中，栅电极可包括至少两个具有不同的物理性质的金属层。例如，栅电极可以具有双层结构，诸如Al/Mo结构或Ti/Cu结构。
绝缘夹层160可以形成在栅绝缘层140上，以覆盖栅电极150和155。在一个实施方式中，绝缘夹层160可以具有包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的大致单一组成的单层结构。在一个实施方式中，绝缘夹层160可以具有基本上由氮氧化硅组成的单层结构，例如，与阻挡层110和缓冲层120的结构大致相似。在一个实施方式中，绝缘夹层160可以由氮氧化硅组成。
源电极170和漏电极175可被形成为穿过绝缘夹层160和栅绝缘层140，以与第一有源图案130接触。源电极170和漏电极175可以包括诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属、其合金或其氮化物。这些可以单独使用或以其组合使用。在一个实施方式中，源电极170和漏电极175可以包括至少两个不同的金属层，诸如Al层和Mo层。
源电极170和漏电极175可以分别与第一有源图案130的源区和漏区接触。在这种情况下，第一有源图案130中位于源区与漏区之间的一部分可以用作电荷可以经其传输的沟道。
源电极170可以电连接至数据线D。例如，源电极170可以从数据线D分叉或突出。
晶体管可由第一有源图案130、栅绝缘层140、第一栅电极150、源电极170和漏电极175限定。电容器可以由第二有源图案135、栅绝缘层140和第二栅电极155限定。
图2示出了晶体管具有其中第一栅电极150被设置在第一有源图案130上方的顶栅结构。然而，在一个实施方式中，晶体管可以具有其中第一栅电极150被设置在第一有源图案130下方的底栅结构。
如图2所示，阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160可以在像素区域PA和透射区域TA上连续且共同地延伸。因此，包括阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160的一部分的透射层结构165可以形成在基底基板100的透射区域TA上(晶体管、电容器和布线可以不被形成在其上)。
根据如上所述的示例性实施例，阻挡层110和缓冲层120可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单层结构。在一个实施方式中，栅绝缘层140和绝缘夹层160也可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单层结构。在这种情况下，透射层结构165可以被提供为基本上由氮氧化硅组成的单组成层堆叠。例如，透射层结构165可以由氮氧化硅组成。
在一些其它设备中，阻挡层、缓冲层、栅绝缘层或绝缘夹层(包括在透明显示基板中)可以单独地具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。例如，阻挡层或缓冲层可以包括用于阻止湿气扩散的氮化硅层。然而，当多个氮化硅层被堆叠时，应力可能会增加，使例如透明显示基板上的TFT的结构劣化。因此，可另外包括氧化硅层来吸收或缓冲从氮化硅层产生的应力。
因此，在比较示例中，氧化硅层和氮化硅层可以被交替和重复地堆叠，因此可以形成多层之间的多个界面。例如，当外部光被注入到透射区域TA时，由于界面处的折射率差异，可能导致光的全反射或干扰。因此，透明显示基板的透光率可能整体下降。
然而，根据示例性实施例，阻挡层110和缓冲层120可以具有基本上由氮氧化硅组成的单一组成的大致单层结构。因此，可以减少不同层之间的界面的数目，并且可以降低和/或防止不同层的组成或材料导致的折射率变化。因此，透射区域TA上的透光率可以得到提高。
另外，阻挡层110和缓冲层120可以包括氮氧化硅层，因此可以具有氧化硅和氮化硅的两个优点。例如，阻挡层110和缓冲层120可提供对湿气和/或杂质的扩散的足够的抑制，同时防止过大的应力。
在一个实施方式中，栅绝缘层140和绝缘夹层160也可以具有基本上由氮氧化硅组成的单层结构。因此，透射区域TA上的透光率可以得到进一步提高。
在一个实施方式中，阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和/或绝缘夹层160可以包括氮氧化硅(SiOxNy)，并且每个可以包括垂直的浓度梯度。因此，这些层中的每一层中的“x”和“y”的值可以沿垂直方向(例如沿厚度方向或远离基底基板100的平面延伸的方向)改变。
例如，在缓冲层120中，与阻挡层110的顶表面相邻的一部分可以包括相对富氮的组成(例如y大于x或氮氧化硅中氮的量大于氮氧化硅中氧的量)。因此，湿气和/或杂质在与阻挡层110的界面处的扩散可以得到有效抑制。
缓冲层120的与栅绝缘层140相邻的一部分可包括相对富氧的组成(例如x大于y或氮氧化硅中氧的量大于氮氧化硅中氮的量)。因此，从有源图案130和135产生的应力可以被有效地吸收。
例如，在栅绝缘层140中，与缓冲层120或者有源图案130和135相邻的一部分可包括相对富氧的组成(例如x大于y)。因此，与缓冲层120的上部的一致性可以提高，并且应力可以被有效地吸收。
栅绝缘层140的与绝缘夹层160或栅电极150和155相邻的一部分可以包括相对富氮的组成(例如y大于x)。因此，杂质在栅电极150和155与有源图案130和135之间的扩散可以被抑制。
如果基底基板100包括聚酰亚胺类树脂，则基底基板100可以具有大约1.7的折射率。在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以包括具有从约1.6至约1.8的折射率的氮氧化硅。因此，可避免由于例如剧烈的或重大的折射率改变或差异而引起的光的全反射，使得透明显示基板的透光率可以得到提高。
在一个实施方式中，栅绝缘层140和绝缘夹层160也可以包括具有从约1.6至约1.8的折射率的氮氧化硅。因此，透射区域TA上的透射层结构165可被调整为具有上述范围的折射率的单一组成，使得透光率可以被最大化。
过孔绝缘层180可形成在绝缘夹层160上，以覆盖源电极170和漏电极175。使像素电极190和漏电极175彼此电连接的过孔结构可以被容纳在过孔绝缘层180中。在一个实施方式中，过孔绝缘层180可以大致用作平坦化层。
例如，过孔绝缘层180可包括有机材料，诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯等。
在一个实施方式中，过孔绝缘层180可以被选择性地设置在像素区域PA上，并可以不在透射区域TA上延伸。因此，与包括在透射层结构165中的材料不同的有机材料可大致上不存在于透射区域TA上。因此，可以减少和/或防止由过孔绝缘层180引起的透光率下降。
像素电极190可以被设置在过孔绝缘层180上，并且可以包括穿过过孔绝缘层180电连接至漏电极175的过孔结构。
在一个实施方式中，像素电极190可以被单独地设置在每个像素上。
在一个实施方式中，像素电极190可以用作反射电极。在这种情况下，像素电极190可以包括诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属或其合金。
在一个实施方式中，像素电极190可以包括具有高功函数的透明导电材料。例如，像素电极190可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌或氧化铟。
在一个实施方式中，像素电极190可以具有包括透明导电材料和金属的多层结构。
像素限定层(PDL)195可以形成在过孔绝缘层180上。PDL195可以覆盖像素电极190的周边部分。PDL195可以包括例如透明有机材料，诸如聚酰亚胺类树脂或丙烯酸类树脂。
在一个实施方式中，PDL195可被选择性地设置在像素区域PA上的过孔绝缘层180的一部分上，并且可以至少部分地暴露像素电极190。PDL195可大致上不在透射区域TA上延伸。在一个实施方式中，PDL195的侧壁和过孔绝缘层180的侧壁可以在大致同一平面上延伸。
在一个实施方式中，透射窗185可以由PDL195的侧壁和过孔绝缘层180的侧壁以及透射层结构165的顶表面限定。
在一个实施方式中，阻挡层110可以直接位于基底基板100与缓冲层120之间，并且可以基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成。在一个实施方式中，缓冲层120可以直接位于阻挡层110与栅绝缘层140之间，并且可以基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成。在一个实施方式中，栅绝缘层140可以直接位于缓冲层120与绝缘夹层160之间，并且可以基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成。在一个实施方式中，绝缘夹层160可以直接位于栅绝缘层140与过孔绝缘层180之间，并且可以基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成。在一个实施方式中，基底基板100的透射区域TA上的透射层结构可以包括分离且不连续的层，或可以包括整体连续的层(例如各层可以彼此合并)。透射层结构的分离且不连续的层可以全部基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成，并且可以在氮氧化硅中包括不同的氧氮浓度。例如，透射层结构的一层可以包括相对于透射层结构的也包括氮氧化硅或由氮氧化硅组成的另一层具有不同的氧氮比例的氮氧化硅，基本上由该氮氧化硅组成，或由该氮氧化硅组成。透射层结构的整体且连续的层可包括氮氧化硅，基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成，但可以包括其中在氮氧化硅中具有不同的相对氧氮浓度的不同区域或部分。例如，整体透射层结构的一部分可以在其氮氧化硅中具有第一氧氮比例，并且整体透射层结构的另一部分可以在其氮氧化硅中具有第二氧氮比例，第二比例可以与第一比例不同。例如，在整体的透射层结构中，氮氧化硅的整体结构中氧氮比例不同的区域可以不被不同的或不连续的界面分离。例如，因为透射区域TA上的透射层结构基本上由氮氧化硅组成，所以透射区域的折射率可以是相对恒定的，并且相对于包括不是基本上由氮氧化硅组成的透射层结构的设备，包括这样的结构的设备的整体透光率可以得到提高。例如，基本上由氮氧化硅组成的层可以包括不会不利地影响层中的均匀折射率和/或透光率的整体提高的另一种材料。在一个实施方式中，当层或元件被描述为具有单一组成(例如氮氧化硅)时，整个层或元件均匀地基本上由氮氧化硅组成，或由氮氧化硅组成，即使在其不同的区域中可能有氮氧化硅的一些组成变化(例如氧和氮的相对量)。
参考图3，透射区域TA上的透射层结构165a可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单一组成。因此，透射层结构165a可以具有大致单层结构。在一个实施方式中，透射层结构165a可以由氮氧化硅组成。在一个实施方式中，透射层结构165a可以由氮氧化硅的单个、一片或整体的层组成。
在像素区域PA上，阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160可以被堆叠，并且诸如有源图案130和135以及栅电极150和155的被包括在像素电路中的元件可以被形成。因此，为形成这些元件，可能对像素区域PA进行例如热处理和蚀刻工艺，使得阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和/或绝缘夹层160的界面可以被划分或限定。然而，在透射区域TA上，基本上由氮氧化硅组成的大致单一组成的阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160可以被堆叠，而没有其它结构或材料的介入，使得透射层结构165a可以被形成。
因此，透射区域TA上的阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160可以彼此合并，使得具有大致单层、一片或整体结构的透射层结构165a可以如图3所示那样形成。
图4和图5示出了根据示例性实施例的透明显示基板的剖视图。
除了透射区域TA的结构之外，图4和图5的透明显示基板可具有与参考图1至图3示出的元件和/或结构大致相同或相似的元件和/或结构。因此，对元件和结构的重复的详细描述可以被省略，并且相同的附图标记用于指代相同的元件。
参考图4，透明显示基板可以包括像素区域PA和透射区域TA。透明显示基板的像素区域PA可以具有与参考图2和图3所示的像素区域PA的结构大致相同或相似的结构。
透射窗187可以形成在透明显示基板的透射区域TA上。透射窗187可以由PDL195的侧壁、过孔绝缘层180的侧壁、绝缘夹层160的侧壁和栅绝缘层140的侧壁以及透射层结构166的顶表面限定。
透射层结构166可以包括被顺序堆叠在基底基板100上的阻挡层110和缓冲层120。在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120中的一个可以被省略。在这种情况下，可以形成具有大致单层结构的透射层结构166。如上所述，阻挡层110和缓冲层120可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单一组成。
阻挡层110和缓冲层120可以在像素区域PA和透射区域TA上连续且共同地延伸。
栅绝缘层140、绝缘夹层160和过孔绝缘层180可以在透射区域TA上被除去，并且可以被选择性地设置在像素区域PA上，例如，仅在像素区域PA上。
在一个实施方式中，PDL195的侧壁、过孔绝缘层180的侧壁、绝缘夹层160的侧壁和栅绝缘层140的侧壁可以在大致同一平面上延伸，并且可与透射层结构166的顶表面一起限定透射窗187。
参考图5，透射层结构166a可以具有大致单层结构。如参考图3所述，通过例如用于形成TFT的工艺，可以单独划分或限定像素区域PA上的绝缘层。然而，阻挡层110和缓冲层120可以大致合并或彼此连续(例如整体的)，使得可以形成大致单层结构的透射层结构166a。
根据如上所述的示例性实施例，绝缘夹层160和栅绝缘层140位于透射区域TA上的部分可以被除去，使得透射窗187可以比图2和图3的透射窗185扩展得更多。因此，透射区域TA上的透光率可以被进一步提高。此外，透射层结构166和166a可具有基本上由氮氧化硅组成的单一组成或单层结构。因此，由于光的全反射或干扰而造成的透射区域TA上的透光率下降可以被最小化。
图6和图7示出了根据示例性实施例的透明显示设备的剖视图。例如，图6和图7示出了包括参考图1至图3所示的透明显示基板的有机发光显示器(OLED)设备。
对与参考图1至图3所示的元件和/或结构大致相同或相似的元件和/或结构的重复的详细描述将被省略。
参考图6，透明显示设备可以包括被顺序堆叠在透明显示基板上的显示层210、对电极220和封装层230。
显示层210可以被设置在PDL195和像素电极190上。显示层210可以在每个像素上被单独地图案化。例如，显示层210可包括在用于产生例如红色的光、绿色的光或蓝色的光的不同颜色的光的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb上单独提供的有机发光层。有机发光层可以包括由空穴和电子激励的主体材料和用于促进能量的吸收和释放并提高发光效率的掺杂材料。
在一个实施方式中，显示层210可以进一步包括被插入在像素电极190与有机发光层之间的空穴传输层(HTL)。显示层210可以进一步包括被插入在对电极220与有机发光层之间的电子传输层(ETL)。
HTL可以包括空穴传输材料，例如，4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(NPB)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]联苯(TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-联苯-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(NPD)、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或其组合。
ETL可以包括电子传输材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-4叔丁基苯基-1,3,4-恶二唑(PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚根合-铝(BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、三唑(TAZ)、苯基喹唑啉或其组合。
在一个实施方式中，显示层210可包括液晶层，而不是有机发光层。在这种情况下，透明显示设备可以用作液晶显示器(LCD)设备。
显示层210可以形成在PDL195的侧壁上以及像素电极190的由PDL195暴露的顶表面上，并且可以在PDL195的顶表面上部分地延伸。在一个实施方式中，显示层210可由PDL195的侧壁限制，以被单独地设置在每个像素上。
在一个实施方式中，包括在显示层210中的HTL和/或ETL可以被连续且共同地提供在多个像素上。
对电极220可以被设置在PDL195和显示层210上。对电极220可以相对于显示层210面对像素电极190。
在一个实施方式中，对电极220可以用作被共同地提供在多个像素上的共用电极。像素电极190和对电极220可以分别用作透明显示设备的阳极和阴极。
对电极220可以包括诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低功函数的金属或其合金。
如图6所示，显示层210和对电极220可以被选择性地设置在像素区域PA上，并且可以大致上不在透射区域TA上延伸。因此，透射层结构165可以仅由透射窗185暴露，并且透射区域TA上的透光率下降可以被最小化。
如上所述，显示层210可包括多个层(例如有机发光层、HTL和ETL)。在一个实施方式中，多个层中的至少一个(例如HTL和ETL)可以被共同地提供在像素区域PA和透射区域TA上。
在一个实施方式中，透射层结构可以具有如图3所示的大致单层结构。
封装层230可以在像素区域PA和透射区域TA上连续地延伸，以覆盖对电极220和透射层结构165。
封装层230可包括无机材料，例如，氮化硅和/或金属氧化物。在一个实施方式中，封装层230可包括与透射层结构165的组成大致相同或相似的氮氧化硅。因此，透射区域TA上的层组成可被统一，因而由于光的全反射或干扰而造成的透光率下降可以被最小化。
在一个实施方式中，覆盖层可以被插入在对电极220与封装层230之间。覆盖层可以包括诸如聚酰亚胺树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂的有机材料，或诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料。
参考图7，对电极220可以在像素区域PA和透射区域TA上连续且共同地延伸。在这种情况下，对电极220可以被统一地形成在PDL195和显示层210的顶表面以及透射窗185的侧壁和底部上。
在一个实施方式中，透射区域TA上的对电极220a的厚度可以比像素区域PA上的对电极220的厚度小。例如，如图7所示，对电极220a可以被形成在透射窗185的侧壁和底部上，以具有比像素区域PA上的对电极220的厚度小的厚度。因此，可以防止对电极220a引起透光率下降。
封装层230可以形成在对电极220和220a上，以覆盖像素区域PA和透射区域TA两者。
图8和图9示出了根据示例性实施例的透明显示设备的剖视图。例如，图8和图9示出了包括图4和图5的透明显示基板的OLED设备。
对与参考图4和图5或图6和图7示出的结构和/或元件大致相同或相似的结构和/或元件的重复的详细描述可被省略。
参考图8，显示层210和对电极225可以被选择性地设置在透明显示设备的像素区域PA上。显示层210可以被单独地设置在每个像素的像素电极190上。对电极225可以覆盖多个像素的PDL195、像素电极190和显示层210，并且可以不在透射区域TA上延伸。
透射窗187可以形成在透射区域TA上。在一个实施方式中，过孔绝缘层180、绝缘夹层160和栅绝缘层140在透射区域TA上的部分可以被除去。因此，透射窗187可以由可以在大致同一平面上延伸的PDL195的侧壁、过孔绝缘层180的侧壁、绝缘夹层160的侧壁和栅绝缘层140的侧壁以及包括缓冲层120和阻挡层110的透射层结构166的顶表面限定。
封装层235可以覆盖像素区域PA上的对电极225，并且可以被共形地形成在透射窗187的侧壁和底部上。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以如图5所示彼此合并，使得透射层结构可以具有大致单层结构。
在一个实施方式中，封装层235可包括氮氧化硅。在这种情况下，与透射层结构166的一致性可以提高，并且透射区域TA上的透光率可进一步提高。
参考图9，对电极225可在像素区域PA和透射区域TA上连续并共同地延伸。在一个实施方式中，透射区域TA上的对电极225a可具有比像素区域PA上的对电极225的厚度小的厚度，使得可以防止透射区域TA上透光率的下降。封装层235可以覆盖对电极225，并且可以保护像素区域PA和透射区域TA两者。
根据如上所述的示例性实施例，透射层结构166可以被保留在透射区域TA上，以具有用于阻挡湿气和杂质的扩散的最小厚度。另外，对电极225的结构可以被适当地调整，使得透射区域TA上的透光率可以被最大化。
图10示出了根据一些示例性实施例的透明显示设备的剖视图。对与参考图6至图9所示的元件和/或结构大致相同或相似的元件和/或结构的重复的详细描述可以被省略。
参考图10，该透明显示设备可以进一步包括被形成在限定于透射区域TA上的透射层结构166上的沉积控制层215。沉积控制层215可以包括对诸如金属的导电材料的亲和力和/或粘附性比显示层210和透射层结构166对诸如金属的导电材料的亲和力和/或粘附性小的材料。在一个实施方式中，沉积控制层215可包括非发光有机材料。例如，沉积控制层215可以包括例如N,N'-联苯-N,N'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑等。
在这种情况下，对电极225可以覆盖像素区域PA上的PDL195和显示层210，并且可以仅形成在透射区域TA上的透射窗187的侧壁上。形成在透射窗187的侧壁上的对电极225的一部分的厚度可具有相对小的厚度。对电极225可以不形成在沉积控制层215的顶表面上。因此，通过省略透射区域TA上的对电极225，透射区域TA上的透光率可以得到提高。
图11至图17B示出了根据示例性实施例的制造透明显示设备的方法中各阶段的剖视图。
参考图11，基底基板100可以被形成在载体基板50上，并且阻挡层110和缓冲层120可以被顺序地形成在基底基板100上。基底基板100可被划分为像素区域PA和透射区域TA，并且阻挡层110和缓冲层120可以被连续地形成在像素区域PA和透射区域TA上。
载体基板50可用作基底基板100的支撑件，同时执行透明显示设备的制造工艺。例如，玻璃基板或金属基板可以被用作载体基板50。
基底基板100可以使用例如聚酰亚胺类树脂的透明聚合物树脂形成。例如，包含聚酰亚胺前体的前体组成可通过例如旋涂工艺被涂覆在载体基板50上，以形成涂层。涂层可以被热固化，以形成基底基板100。
聚酰亚胺前体可包括二胺和二酐。前体组成可通过在有机溶剂中溶解聚酰亚胺前体来制备。有机溶剂可包括，例如，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氢呋喃(THF)、三乙胺(TEA)、乙酸乙酯、二甲基亚砜(DMSO)或乙二醇类醚溶剂。这些可以单独使用或以其组合使用。
有机溶剂可以被蒸发，可通过热固化工艺启动聚合反应，以形成聚酰胺酸结构，并且聚酰胺酸结构可被进一步热固化，使得缩合反应可以发生，以形成聚酰亚胺类树脂。
阻挡层110和缓冲层120可以由氮氧化硅形成。在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以基本上由氮氧化硅组成。
例如，阻挡层110和缓冲层120可以通过化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)工艺等形成。
例如，可以被附着到载体基板50的基底基板100可以被装载到沉积工艺室中，并且氧化硅前体和氮源可以被引入到基底基板100上，以形成阻挡层110和缓冲层120。
氧化硅前体可包括例如原硅酸四乙酯(TEOS)或等离子增强氧化物(PEOX)。氮源可包括氨(NH3)、一氧化二氮(N2O)等。
在一个实施方式中，硅源和氧源可以被单独地引入到沉积工艺室中，而不是氧化硅前体。例如，硅源可以包括硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiH2Cl2)等。氧源可以包括例如氧(O2)或臭氧(O3)。
在一个实施方式中，氮源的流速可被控制，使得可以在阻挡层110和/或缓冲层120中创建氧和氮的相对垂直的浓度梯度。
例如，在形成缓冲层120时，氧化硅前体(或硅源和氧源)和氮源可以一起被引入到沉积工艺室中，然后可以逐渐降低氮源的流速。因此，氮的含量可以从缓冲层120与阻挡层110之间的界面到缓冲层120的顶表面逐渐减少。因此，缓冲层120的下部可以包括相对富氮的氮氧化硅，并且缓冲层120的上部可以包括相对富氧的氮氧化硅。
在一个实施方式中，氮源可以包括不同种类的含氮气体。在一个实施方式中，NH3和N2O可以被一起用作氮源。此外，NH3与N2O的流速比(NH3/N2O)可以被控制，使得阻挡层110和/或缓冲层120的折射率可被调整。
例如，如果基底基板100包括聚酰亚胺类树脂，则基底基板100的折射率可以为约1.7。流速比可以被控制，使得阻挡层110和/或缓冲层120可以具有从约1.6至约1.8的折射率，以提高与基底基板100的光学一致性。
在一个实施方式中，NH3与N2O的流速比可以被控制在约1至约5的范围内。在一个实施方式中，流速比可被控制在约1.5至约3的范围内。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120中的一个可以被省略。因此，具有氮氧化硅的大致单一组成的单层阻挡层可以被形成在基底基板100上。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以具有大致相同的组成，以大致彼此合并。因此，具有氮氧化硅的大致单一组成的单层阻挡层可以被形成在基底基板100上。
参考图12，附加的绝缘层和像素电路可以被形成在缓冲层120上。
第一有源图案130和第二有源图案135可以被形成在缓冲层120上。
在一个实施方式中，可以利用非晶硅或多晶硅在缓冲层120上形成半导体层，然后半导体层可被图案化，以形成第一有源图案130和第二有源图案135。
在一个实施方式中，在形成半导体层之后，可以进行诸如低温多晶硅(LTPS)或激光结晶工艺的结晶化工艺。
在一个实施方式中，半导体层可以由诸如IGZO、ZTO或ITZO的氧化物半导体形成。
覆盖有源图案130和135的栅绝缘层140可以被形成在缓冲层120上，并且栅电极150和155可以被形成在栅绝缘层140上。
例如，第一导电层可以被形成在栅绝缘层140上，并且可以通过例如光刻工艺被蚀刻，以形成第一栅电极150和第二栅电极155。第一栅电极150和第二栅电极155可以相对于栅绝缘层140分别与第一有源图案130和第二有源图案135大致重叠。
第一导电层可以使用金属、合金或金属氮化物形成。第一导电层可通过沉积多个金属层形成。
栅电极150和155可以与扫描线S(参见图1)同时形成。例如，栅电极150和155以及扫描线S可以通过大致相同的蚀刻工艺由第一导电层形成。扫描线S可被一体地连接至第一栅电极150。
在一个实施方式中，可以使用第一栅电极150作为离子注入掩模将杂质注入到第一有源图案130中，使得源区和漏区可以被形成在第一有源图案130的两端。
覆盖栅电极150和155的绝缘夹层160可以被形成在栅绝缘层140上。源电极170和漏电极175可以被形成为穿过绝缘夹层160和栅绝缘层140，以与第一有源图案130接触。
例如，绝缘夹层160和栅绝缘层140可以被部分地蚀刻，以形成接触孔，其中第一有源图案130可以通过接触孔被部分暴露。填充接触孔的第二导电层可以被形成在绝缘夹层160上，然后可以通过光刻工艺被图案化，以形成源电极170和漏电极175。
在一个实施方式中，源电极170和漏电极175可以分别与源区和漏区接触。源电极170可以被一体地连接至数据线D(参见图1)。在这种情况下，源电极170、漏电极175和数据线D可以通过大致相同的蚀刻工艺由第二导电层形成。
第二导电层可以使用金属、合金或金属氮化物来形成。第二导电层可通过沉积多个金属层形成。
栅绝缘层140和绝缘夹层160可以使用诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料来形成。
在一个实施方式中，栅绝缘层140和/或绝缘夹层160可以由和用于阻挡层110和/或缓冲层120的材料和工艺大致相同或相似的材料和工艺形成。因此，栅绝缘层140和/或绝缘夹层160可以由氮氧化硅形成。在一个实施方式中，栅绝缘层140和/或绝缘夹层160可以基本上由氮氧化硅组成。
如上所述，氮源的流速可被控制，以使在栅绝缘层140和/或绝缘夹层160中可以创建氧和氮的相对垂直的浓度梯度。
例如，在形成栅绝缘层140时，氧化硅前体(或硅源和氧源)和氮源可以被一起引入到沉积工艺室中，然后氮源的流速可逐渐增加。因此，氮的含量可以从缓冲层120和栅绝缘层140之间的界面到栅绝缘层140的顶表面逐渐增加。因而，栅绝缘层140的下部可以包括相对富氧的氮氧化硅，栅绝缘层140的上部可以包括相对富氮的氮氧化硅。
在一个实施方式中，NH3和N2O可以一起被用作氮源，NH3和N2O的流速比(NH3/N2O)可以被控制，使得栅绝缘层140和/或绝缘夹层160的折射率可以被调整。
例如，流速比可以被控制，使得栅绝缘层140和/或绝缘夹层160可以具有从约1.6至约1.8的范围内的折射率。在一个实施方式中，NH3和N2O的流速比可以被控制在约1至约5的范围内。在一个实施方式中，流速比可被控制在约1.5至约3的范围内。
栅绝缘层140和绝缘夹层160可以被共同且连续地形成在像素区域PA和透射区域TA上，并且可以被堆叠在缓冲层120上。
第一导电层和第二导电层可以通过CVD工艺、PECVD工艺、HDP-CVD工艺、热蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积(ALD)工艺和印刷工艺中的至少一种形成。
包括源电极170、漏电极175、第一栅电极150、栅绝缘层140和第一有源图案130的TFT可以被形成在像素区域PA上。包括第二有源图案135、栅绝缘层140和第二栅电极155的电容器也可以被形成。因此，包括数据线D、扫描线S、TFT和电容器的像素电路可以被形成。
参考图13，覆盖源电极170和漏电极175的过孔绝缘层180可以被形成在绝缘夹层160上。
例如，过孔绝缘层180可以使用诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酸类树脂或聚酯的透明有机材料形成。过孔绝缘层180可具有足够的厚度，以具有大致平整或平坦的顶表面。过孔绝缘层180可以通过旋涂工艺或印刷工艺形成。
像素电极190(电连接至TFT)可以被形成在过孔绝缘层180上。例如，过孔绝缘层180可以被部分蚀刻，以形成漏电极175可以被部分暴露的通孔。
第三导电层(充分填充通孔)可以被形成在过孔绝缘层180和被暴露的漏电极175上，然后可以被图案化，以形成像素电极190。
第三导电层可以使用诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属或金属的合金通过热蒸发工艺、真空沉积工艺、溅射工艺、ALD工艺、CVD工艺、印刷工艺等形成。在一个实施方式中，第三导电层可以使用诸如ITO、IZO、氧化锌或氧化铟的透明导电材料形成。
PDL195可以被形成在过孔绝缘层180上。PDL195可以覆盖像素电极190的周边部分并覆盖透射区域TA。像素电极190的顶表面可以通过PDL195被部分地暴露。使每个像素的像素电极190暴露的多个开口可以由PDL195限定。例如，诸如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的光敏有机材料可以被涂覆，然后可以进行曝光和显影工艺，以形成PDL195。
参考图14A和图14B，PDL195和绝缘层的形成在透射区域TA上的部分可以被部分地除去，以形成透射窗和透射层结构。
在一个实施方式中，如图14A所示，PDL195和过孔绝缘层180的在透射区域TA上的部分可以被除去，以形成透射窗185。绝缘夹层160的顶表面可以被透射窗185暴露。在这种情况下，透射窗185可以由PDL195的侧壁和过孔绝缘层180的侧壁以及绝缘夹层160的顶表面限定。
PDL195和过孔绝缘层180可以包括大致相同的有机材料。因此，PDL195和过孔绝缘层180可以通过大致相同的蚀刻工艺或相同的显影工艺被一起除去，并且透射窗185可以容易地形成。
透射区域TA上剩下的绝缘层可以被定义为透射层结构165。在一个实施方式中，透射层结构165可以包括被顺序堆叠在透射区域TA的基底基板100上的阻挡层110、缓冲层120、栅绝缘层140和绝缘夹层160。
在一个实施方式中，阻挡层110和缓冲层120可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单一组成。
在一个实施方式中，透射层结构165整个可以具有基本上由氮氧化硅组成的单一组成。在这种情况下，被包括在透射层结构165中的各层可以彼此合并，以被转换成如图3所示的单层结构。
在一个实施方式中，如图14B所示，绝缘夹层160和栅绝缘层140的在透射区域TA上的部分可以被部分地除去，以形成比图14A的透射窗185扩展得更多的透射窗187。因此，透射窗187可以由PDL195的侧壁、过孔绝缘层180的侧壁、绝缘夹层160的侧壁和栅绝缘层140的侧壁以及缓冲层120的顶表面限定。
阻挡层110和缓冲层120在透射区域TA上剩余的部分可以被定义为透射层结构166。透射层结构166可以具有基本上由氮氧化硅组成的大致单一组成。在一个实施方式中，透射层结构166可以具有如图5所示的大致单层结构。
参考图15A和图15B，显示层210与对电极220和225可以被选择性地形成在像素区域PA上，并且共同覆盖像素区域PA和透射区域TA的封装层230和235可以被形成。
显示层210可以使用用于产生红色的光、蓝色的光或绿色的光的有机发光材料形成。例如，显示层210可以使用可以包括开口的精细金属掩模(FMM)通过旋涂工艺、辊印刷工艺、喷嘴印刷工艺、喷墨工艺等形成，其中与红色像素、绿色像素或蓝色像素相对应的区域通过该开口被暴露。因此，包括有机发光材料的有机发光层可以被单独地形成在每个像素中。
在一个实施方式中，在形成有机发光层之前，可以使用上述空穴传输材料形成HTL。还可以使用上述电子传输材料在有机发光层上形成ETL。HTL和ETL可以被共形地形成在PDL195和像素电极190的表面上，以被共同地提供在多个像素上。在一个实施方式中，HTL或ETL可以通过与用于有机发光层的工艺大致相同或相似的工艺每个像素地图案化。
诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低功函数的金属或这些金属的合金可被沉积在显示层210上，以形成对电极220和225。例如，包括使多个像素被共同暴露的开口并覆盖透射区域TA的掩模可以被用来通过例如溅射工艺沉积金属，以形成对电极220和225。
封装层230和235可以被形成在对电极220和225上。封装层230和235可覆盖对电极220和225，并且可以沿透射窗185和187的侧壁和底部在透射区域TA上延伸。
封装层230和235可以由诸如氮化硅和/或金属氧化物的无机材料形成。在一个实施方式中，封装层230和235可以由与透射层结构165和166的氮氧化硅大致相同或相似的氮氧化硅形成。
在一个实施方式中，在形成封装层230和235之前，可以进一步使用诸如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂的有机材料或诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成覆盖层。
参考图16A和图16B，基底基板100可以与载体基板50分开。例如，可以进行激光剥离工艺，以使基底基板100与载体基板50分离。在一个实施方式中，可以施加机械张力而不进行激光剥离工艺来分离载体基板50。
在一个实施方式中，如图17A和图17B所示，对电极220和225可以被共同且连续地形成在像素区域PA和透射区域TA上。在这种情况下，通过借助于可以共同地暴露像素区域PA和透射区域TA的开口掩模来沉积金属，可以形成对电极220和225。
通过透射窗185和187，可以在像素区域PA与透射区域TA之间形成台阶部。因此，用于沉积金属的距离可以在透射区域TA上增加，使得对电极220和225可被形成为在透射区域TA上具有相对小的厚度。因此，透射区域TA上的对电极220a和225a可被形成为薄层，并且可以防止透射区域TA上透光率的下降。
随后，载体基板50可以如图16A和图16B所示与基底基板100分离，使得可以得到根据示例性实施例的透明显示设备。
图18至图20示出了根据示例性实施例的制造透明显示设备的方法中各阶段的剖视图。对与参考图11至图17B所示的工艺和/或材料大致相同或相似的工艺和/或材料的详细描述被省略。
参考图18，可以执行与参考图11至图14B所示的工艺大致相同或相似的工艺，来在像素区域PA上形成像素电路、绝缘层、像素电极190和PDL195，并在透射区域TA上形成透射窗187和透射层结构166。
参考图19，沉积控制层215可以被形成在透射层结构166的通过透射窗187暴露的顶表面上。沉积控制层215可以通过借助于例如选择性地暴露透射区域TA的精细金属掩模印刷或沉积沉积控制材料来形成。
如上所述，沉积控制材料可以具有不发光特性，并且对诸如金属的导电材料的亲和力和/或粘附力还可以小于显示层210对诸如金属的导电材料的亲和力和/或粘附力。
参考图20，可以执行与参考图17A与图17B所示的工艺大致相同或相似的工艺，来形成对电极225和封装层235。
在一个实施方式中，在通过例如溅射工艺沉积金属以形成对电极225时，因为沉积控制层215对于金属可能具有弱亲和力和/或粘附力，因此对电极225可以被大致且选择性地形成在像素区域PA上。在一个实施方式中，如图20所示，对电极225也可以被形成在透射窗187的侧壁上，以具有相对小的厚度。
随后，如参考图16A和图16B所示，可以进行步骤，使得载体基板50可以与基底基板100分离，以获得根据示例性实施例的透明显示设备。
在下文中，将参考实验示例更详细地描述根据示例性实施例的透明显示设备的性能。
为了突出一个或多个实施例的特性，提供了下面的示例和比较示例，但是将理解的是，示例和比较示例不应被解释为限制实施例的范围，并且也不能将比较示例解释为在实施例的范围以外。此外，将理解的是，实施例不限于在示例和比较示例中描述的特定细节。
实验示例：不同的绝缘层结构的透光率评估
各自包括堆叠的氧化硅层和氮化硅层的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和绝缘夹层被顺序形成在具有10微米厚度的聚酰亚胺基板上，以得到比较示例1至3的堆叠结构。
各自由氮氧化硅形成(例如具有氮氧化硅的单一组成)的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和绝缘夹层被顺序形成在聚酰亚胺基板上，以得到示例1的堆叠结构。
比较示例1至3和示例1的具体结构示于下表1。在表1中，氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层被分别简称为氧化物、氮化物和氮氧化物。
表1
光照射在比较示例1至3和示例1的每个堆叠结构上，并测量透光率。测量值示于下表2。
表2
比较示例1 比较示例2 比较示例3 示例1
透光率 63.1％ 60.3％ 63.3％ 89.7％
如表2所示，与具有重复堆叠的不同绝缘层的比较示例1至3中测量的透光率相比，当堆叠结构由氮氧化硅(例如氮氧化硅的单一组成)形成时，透光率急剧增加。
通过总结和回顾，为了实现充足的透光率，可以考虑对基板、电极、绝缘层等的组成、布置、厚度等进行优化。例如，OLED设备可以包括多个包括不同类型的材料的绝缘层，因此可能不容易得到所需的光学性能。
根据示例性实施例，堆叠在透明显示基板上的绝缘层可以由氮氧化硅(例如氮氧化硅的单一组成)形成。因此，由于例如折射率变化或差异而导致的透光率下降可以被最小化，同时保持介电性以及免于湿气和/或杂质扩散的防护特性。因此，可以实现一种具有提高的透光率的透明显示设备。
实施例可提供一种包括堆叠的绝缘层的透明显示基板或者透明显示设备。
实施例可提供一种具有提高的透光率的透明显示基板。
实施例可提供一种具有提高的透光率的透明显示设备。
实施例可提供一种制造具有提高的透光率的透明显示设备的方法。
在本文中已经公开了示例性实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请的领域内的普通技术人员来说将是显而易见的那样，关于特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以和关于其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可以在不脱离如以下权利要求中提出的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。

Claims (30)

1.一种透明显示基板，包括：
基底基板，包括像素区域和透射区域；
像素电路，位于所述基底基板的所述像素区域上；
绝缘层，位于所述基底基板上用于覆盖所述像素电路；
像素电极，被选择性地设置在所述基底基板的所述像素区域上，所述像素电极至少部分地穿过所述绝缘层电连接至所述像素电路；以及
透射层结构，被选择性地设置在所述基底基板的所述透射区域上，所述透射层结构至少包括无机材料，所述无机材料由氮氧化硅组成。
2.根据权利要求1所述的透明显示基板，进一步包括位于所述基底基板与所述像素电路之间的阻挡层。
3.根据权利要求2所述的透明显示基板，进一步包括位于所述阻挡层与所述像素电路之间的缓冲层。
4.根据权利要求3所述的透明显示基板，其中所述阻挡层和所述缓冲层由氮氧化硅组成。
5.根据权利要求4所述的透明显示基板，其中所述透射层结构包括所述阻挡层和所述缓冲层的形成在所述透射区域上的部分。
6.根据权利要求5所述的透明显示基板，其中所述阻挡层和所述缓冲层的包括在所述透射层结构中的所述部分彼此合并，使得所述透射层结构具有单层结构。
7.根据权利要求5所述的透明显示基板，其中所述绝缘层被选择性地设置在所述像素区域上，并且不在所述透射区域上延伸。
8.根据权利要求2所述的透明显示基板，其中：
所述像素电路包括被堆叠在所述阻挡层上的有源图案、栅电极、源电极和漏电极，
所述绝缘层包括：
位于所述阻挡层上用于覆盖所述有源图案的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上用于覆盖所述栅电极的绝缘夹层；以及
位于所述绝缘夹层上用于覆盖所述源电极和所述漏电极的过孔绝缘层，
所述源电极和所述漏电极延伸穿过所述绝缘夹层和所述栅绝缘层，以与所述有源图案接触，并且
所述像素电极位于所述过孔绝缘层上，并延伸穿过所述过孔绝缘层，以与所述漏电极接触。
9.根据权利要求8所述的透明显示基板，其中所述过孔绝缘层包括有机材料，并且被选择性地设置在所述像素区域上。
10.根据权利要求8所述的透明显示基板，其中所述栅绝缘层和所述绝缘夹层由氮氧化硅组成。
11.根据权利要求10所述的透明显示基板，其中所述栅绝缘层和所述绝缘夹层共同地且连续地在所述像素区域和所述透射区域上延伸，
其中所述透射层结构包括所述阻挡层、所述栅绝缘层和所述绝缘夹层的形成在所述透射区域上的部分。
12.根据权利要求11所述的透明显示基板，其中包括在所述透射层结构中的各层彼此合并，以具有单层结构。
13.根据权利要求8所述的透明显示基板，进一步包括位于所述阻挡层与所述栅绝缘层之间的缓冲层，其中所述阻挡层和所述缓冲层由氮氧化硅组成。
14.根据权利要求13所述的透明显示基板，其中所述阻挡层、所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述绝缘夹层中的至少一个包括氮氧化硅，并包括氧和氮的相对垂直的浓度梯度。
15.根据权利要求14所述的透明显示基板，其中所述缓冲层在与所述阻挡层的界面处更富含氮，并且在与所述栅绝缘层的界面处更富含氧。
16.根据权利要求14所述的透明显示基板，其中所述栅绝缘层在与所述缓冲层的界面处更富含氧，并且在与所述绝缘夹层的界面处更富含氮。
17.根据权利要求1所述的透明显示基板，进一步包括位于所述基底基板与所述像素电路之间的缓冲层，所述缓冲层由氮氧化硅组成，
其中所述透射层结构包括所述缓冲层的形成在所述透射区域上的部分。
18.一种透明显示设备，包括：
基底基板，包括像素区域和透射区域；
像素电路，位于所述基底基板的所述像素区域上；
像素电极，被选择性地设置在所述基底基板的所述像素区域上，所述像素电极电连接至所述像素电路；
显示层，位于所述像素电极上；
对电极，位于所述显示层上面对所述像素电极；
透射层结构，被选择性地设置在所述基底基板的所述透射区域上，所述透射层结构至少包括无机材料，所述无机材料由氮氧化硅组成；以及
透射窗，被限定在所述基底基板的所述透射区域上，所述透射层结构的顶表面通过所述透射窗被暴露。
19.根据权利要求18所述的透明显示设备，进一步包括：
阻挡层，位于所述基底基板与所述像素电路之间；
栅绝缘层和绝缘夹层，顺序形成在所述阻挡层上且部分地覆盖所述像素电路；
过孔绝缘层，被选择性地设置在所述像素区域中的所述绝缘夹层的一部分上并覆盖所述像素电路；以及
像素限定层，位于所述过孔绝缘层上部分地覆盖所述像素电极。
20.根据权利要求19所述的透明显示设备，其中：
所述阻挡层、所述栅绝缘层和所述绝缘夹层被共同地提供在所述像素区域和所述透射区域上，并且
所述透射层结构包括所述阻挡层、所述栅绝缘层和所述绝缘夹层的形成在所述透射区域上的部分。
21.根据权利要求20所述的透明显示设备，其中所述透射窗由所述像素限定层的侧壁和所述过孔绝缘层的侧壁以及所述绝缘夹层的顶表面限定。
22.根据权利要求19所述的透明显示设备，其中：
所述栅绝缘层和所述绝缘夹层被选择性地设置在所述像素区域上，并且
所述透射窗由所述像素限定层的侧壁、所述过孔绝缘层的侧壁、所述绝缘夹层的侧壁和所述栅绝缘层的侧壁以及所述阻挡层的顶表面限定。
23.根据权利要求19所述的透明显示设备，其中：
所述对电极沿所述像素限定层的表面和所述显示层的表面、以及所述透射窗的底部和侧壁形成，并且
所述对电极在所述透射窗的所述底部和所述侧壁上的部分的厚度小于所述对电极在所述像素限定层的表面和所述显示层的表面上的部分的厚度。
24.根据权利要求18所述的透明显示设备，其中所述对电极被选择性地设置在所述像素区域上，并且不在所述透射区域上延伸。
25.根据权利要求24所述的透明显示设备，进一步包括位于所述透射层结构上的沉积控制层。
26.根据权利要求18所述的透明显示设备，其中所述对电极被共同设置在所述像素区域和所述透射区域上。
27.根据权利要求26所述的透明显示设备，其中所述对电极在所述透射区域上的厚度小于所述对电极在所述像素区域上的厚度。
28.根据权利要求18所述的透明显示设备，进一步包括位于所述基底基板与所述像素电路之间的缓冲层，所述缓冲层由氮氧化硅组成，
其中所述透射层结构包括所述缓冲层的形成在所述透射区域上的部分。
29.根据权利要求18所述的透明显示设备，其中所述显示层包括多个层，并且所述多个层中的至少一个被共同地提供在所述像素区域和所述透射区域上。
30.根据权利要求18所述的透明显示设备，进一步包括位于所述对电极上的封装层，所述封装层贯穿所述像素区域和所述透射区域延伸。
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