TWI725829B

TWI725829B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI725829B
Application number: TW109114093A
Authority: TW
Inventors: 謝宗錞
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-04-28
Filing date: 2020-04-28
Publication date: 2021-04-21
Also published as: CN112531126A; CN112531126B; TW202141826A

Abstract

一種發光裝置，包括基板以及第一子畫素。第一子畫素具有第一透明區以及第一非透明區，且包括開關元件、介電層、有機發光二極體以及封裝層。開關元件位於基板上，且位於第一非透明區中。介電層位於開關元件上。有機發光二極體位於介電層上，且電性連接至開關元件。封裝層包括依序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層。第一絕緣層相較於第三絕緣層更靠近有機發光二極體。第三絕緣層的折射率小於第二絕緣層的折射率。第二絕緣層的折射率小於第一絕緣層的折射率。

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種包括發光二極體的發光裝置。

有機發光顯示裝置具有自發光、廣視角、省電、程序簡易、低成本、操作溫度廣泛、高應答速度以及全彩化等等的優點，使其具有極大的潛力，因此可望成為下一代平面顯示裝置之主流。

隨著科技的進展，許多廠商致力於發展透明的有機發光顯示裝置的相關技術。利用畫素中之穿透區與發光區的組合，使透明的有機發光顯示裝置看起來是透明的，因此，使用者能夠透過有機發光顯示裝置而看到顯示裝置後方的背景。以手機為例，全屏螢幕是目前發展的趨勢，然而，在附加有前置鏡頭的手機中，相機鏡頭必須埋藏於螢幕下方，此時鏡頭上方的顯示裝置需要是透明的。

本發明提供一種發光裝置，能增加子畫素的發光效率。

本發明的一種發光裝置，包括基板以及第一子畫素。第一子畫素具有第一透明區以及第一非透明區，且包括開關元件、介電層、有機發光二極體以及封裝層。開關元件位於基板上，且位於第一非透明區中。介電層位於開關元件上。有機發光二極體位於介電層上，且電性連接至開關元件。封裝層位於有機發光二極體上，且位於第一透明區中以及第一非透明區中。封裝層包括依序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層。第一絕緣層相較於第三絕緣層更靠近有機發光二極體。第三絕緣層的折射率小於第二絕緣層的折射率。第二絕緣層的折射率小於第一絕緣層的折射率。

以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解的是，這些實務上的細節不應用被以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知的結構與元件在圖式中將省略或以簡單示意的方式為之。

在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同或類似的元件。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為「在另一元件上」或「連接另一元件」時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者所述元件與所述另一元件中間可以也存在其他元件。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接另一元件」時，所述元件與所述另一元件中間不存在其他元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，二元件互相「電性連接」或「耦合」可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」與「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖1B是圖1A的第一子畫素的上視示意圖。

請參考圖1A與圖1B，第一子畫素10具有第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1。在一些實施例中，第一透明區TA1中未設置金屬導線等不透光的元件，且金屬導線等不透光的元件設置於第一非透明區NTA1。

第一子畫素10包括開關元件100、介電層110、有機發光二極體120以及封裝層130。在本實施例中，第一子畫素10還包括畫素定義層140以及間隙物（Spacer）150。

開關元件100位於基板SB上，且位於第一非透明區NTA1中。在一些實施例中，開關元件100為薄膜電晶體，且包括閘極、源極、汲極以及半導體通道層。閘極電性連接至掃描線，且源極電性連接至資料線。在一些實施例中，基板SB可以是硬質基板。基板SB例如是但不限於玻璃基板或藍寶石基板或其它合適的基板材料（例如：石英、不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料）、上述至少二種之組合或是其它可適用的材料）。在一些實施例中，基板SB可以是可撓性基板，舉例而言，基板SB的材料包括聚醯胺（Polyamide，PA）聚亞醯胺（Polyimide，PI）、聚甲基丙烯酸甲酯（Poly（methyl methacrylate），PMMA）、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate，PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、玻璃纖維強化塑膠（fiber reinforced plastics，FRP）、聚醚醚酮（polyetheretherketone，PEEK）、環氧樹脂或其它合適的材料或前述至少二種之組合，但不限於此。

介電層110位於開關元件100上。介電層110為單層或多層結構。在本實施例中，介電層110包括鈍化層112以及層間介電層114，其中層間介電層114位於鈍化層112與基板SB之間。在一些實施例中，鈍化層112與層間介電層114的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料或上述之組合）或其它合適的材料或上述之組合。

有機發光二極體120位於介電層110上，且電性連接至開關元件100。有機發光二極體120包括第一電極122、有機發光層124以及第二電極126。第一電極122位於介電層110上，且電性連接至開關元件100。在本實施例中，第一電極122透過通孔TH而電性連接至開關元件100的汲極。通孔TH例如貫穿鈍化層112以及層間介電層114。在本實施例中，第一電極122以及通孔TH位於第一非透明區NTA1中。

有機發光層124位於第一電極122上。在本實施例中，畫素定義層140位於介電層110上，並暴露出第一電極122。有機發光層124設置於畫素定義層140的開口O1中，並與第一電極122接觸。在本實施例中，有機發光層124自第一非透明區NTA1延伸至第一透明區TA1，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，形成有機發光層124的方法包括噴墨列印製程（Ink-jet printing，IJP）、蒸鍍或其他合適的方法。在本實施例中，有機發光層124同時設置於第一非透明區NTA1以及第一透明區TA1，相較於僅將有機發光層124設置於第一非透明區NTA1能有更高的製程裕度。

第二電極126位於有機發光層124上。在本實施例中，第二電極126設置於畫素定義層140的開口O1中，並與有機發光層124接觸。在本實施例中，第二電極126的材料包括透明導電材料。在本實施例中，第二電極126自第一非透明區NTA1延伸至第一透明區TA1，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，間隔件150設置於畫素定義層140上，且第二電極126以及有機發光層124設置於間隔件150的開口OP中。間隔件150的開口OP重疊於畫素定義層140的開口O1。在一些實施例中，間隔件150可以為黑色矩陣（Black matrix）。

平坦層PL覆蓋有機發光二極體120，且設置於畫素定義層140的開口O1中以及間隔件150的開口OP中。

封裝層130位於有機發光二極體120上。在本實施例中，封裝層130位於平坦層PL上，且封裝層130位於間隔件150的開口OP中。封裝層130位於第一透明區TA1中以及第一非透明區NTA1中。封裝層130的折射率隨著遠離有機發光二極體120而減小。在本實施例中，封裝層130為多層結構，且包括依序堆疊的第一絕緣層131、第二絕緣層132以及第三絕緣層133。第一絕緣層131相較於第三絕緣層133更靠近有機發光二極體120。第三絕緣層133的折射率N3小於第二絕緣層132的折射率N2。第二絕緣層132的折射率N2小於第一絕緣層131的折射率N1。在一些實施例中，平坦層PL的折射率小於第一絕緣層131的折射率N1。

在本實施例中，封裝層130包括三層，但本發明不以此為限。封裝層130的層數可以依照實際需求而進行調整，藉由調整封裝層130的層數可以改變子畫素的穿透率。在一些實施例中，封裝層130可以為三層以上的結構。

有機發光二極體120在第一電極122、有機發光層124以及第二電極126重疊的部分會發出光線L，由於封裝層130的折射率隨著遠離有機發光二極體120而減小，有機發光二極體120所發出之光線L可以從第一非透明區NTA1折射至第一透明區TA1。因此，可以增加第一子畫素10的發光效率。

覆蓋層CL位於封裝層130上，且覆蓋層CL位於第一透明區TA1中以及第一非透明區NTA1中。在一些實施例中，封裝層130的折射率小於覆蓋層CL的折射率N1。覆蓋層CL的表面設置有多個微結構M。微結構M位於第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1中的至少一者中。在本實施例中，第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1中皆設置有微結構M，但本發明不以此為限。在其他實施例中，微結構M僅位於第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1中的其中一者中。

在一些實施例中，有機發光二極體120所發出之光線L會從覆蓋層CL具有微結構M的位置離開覆蓋層CL。在一些實施例中，光線L較難從覆蓋層CL未設置微結構M的位置離開覆蓋層CL。舉例來說，在未設置覆蓋層CL未設置微結構M的位置，光線L於覆蓋層CL的表面全反射。藉由調整微結構M的密度（數量/單位面積），可以控制穿透覆蓋層CL的光線L的多寡。

在本實施例中，微結構M約為半徑100nm至400nm的弧形結構，且微結構M的高度H1約為90nm至270nm。

在本實施例中，第一透明區TA1中的微結構M的密度（數量/單位面積）約等於位於第一非透明區NTA1中的微結構M的密度，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一透明區TA1中的微結構M的密度（數量/單位面積）小於位於第一非透明區NTA1中的微結構M的密度，使第一透明區TA1具有較佳的穿透效果。在其他實施例中，第一透明區TA1中的微結構M的密度（數量/單位面積）大於位於第一非透明區NTA1中的微結構M的密度，使子畫素10具有較佳的顯示效果。在一些實施例中，可以依照第一子畫素10在發光裝置中的位置而調整微結構M的密度。

在一些實施例中，平坦層PL、第二絕緣層132以及覆蓋層CL的材料包括無機材料，且形成平坦層PL、第二絕緣層132以及覆蓋層CL的方法例如為化學氣相沉積（Chemical vapor deposition，CVD）。在一些實施例中，第一絕緣層131以及第三絕緣層133的材料包括有機材料，且形成第一絕緣層131以及第三絕緣層133的方法例如為塗佈、塗佈、噴墨印刷或其他合適的製程。

圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖2，在本實施例中，發光裝置1包括基板SB、第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30。在本實施例中，發光裝置1的顯示區包括第一區A1、第二區A2以及第三區A3。第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30分別位於第一區A1、第二區A2以及第三區A3中。

第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30具有類似的結構，差異僅在於透明區與非透明區的大小。第一子畫素10的第一透明區TA1的面積大於第二子畫素20的第二透明區TA2的面積，第二子畫素20的第二透明區TA2的面積大於第三子畫素30的第三透明區TA3的面積。第一子畫素10的非第一透明區NTA1的面積小於第二子畫素20的第二非透明區NTA2的面積，第二子畫素20的第二非透明區NTA2的面積小於第三子畫素30的第三非透明區NTA3的面積。

基於上述，發光裝置1的第一區A1、第二區A2以及第三區A3可以分別有不同的穿透率。在本實施例中，第一區A1的穿透率大於第二區A2的穿透率，且第二區A2的穿透率大於第三區A3的穿透率。

圖3是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖3，畫素定義層140包括開口O1以及開口O2。開口O1重疊於第一非透明區NTA1，且開口O2重疊於第一透明區。間隔件150的開口OP重疊於開口O1以及開口O2。

有機發光二極體120的第一電極122以及有機發光層124位於開口O1中。有機發光二極體120的第二電極126從開口O1延伸至開口O2。

圖4是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖4，封裝層130包括依序堆疊的第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135以及第六絕緣層156。在本實施例中，平坦層PL的頂面並非平整表面（例如為向下凹陷的表面），依序共形地形成第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135以及第六絕緣層156可以減輕結構頂面的凹陷程度，藉此使覆蓋層CL能夠形成於相對平整的表面上。

圖5是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖5，介電層110包括鈍化層112以及層間介電層114，且鈍化層112以及層間介電層114具有位於第一透明區TA1中的開口TO。在本實施例中，開口TO貫穿鈍化層112以及層間介電層114。介電層110的開口TO重疊於畫素定義層140的開口O2。

在本實施例中，有機發光二極體120的第二電極126以及有機發光層124位設置於開口O1中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二電極126以及有機發光層124從開口O1延伸至開口O2以及開口TO中。

基於上述，藉由開口TO的設置，可以提升第一透明區TA1的穿透率。

圖6是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6，封裝層130包括依序堆疊的第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135以及第六絕緣層156。在本實施例中，平坦層PL的頂面並非平整表面（例如為向下凹陷的表面），依序共形地形成第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135以及第六絕緣層156可以減輕結構頂面的凹陷程度，藉此使覆蓋層CL能夠形成於相對平整的表面上。

介電層110包括鈍化層112以及層間介電層114，且鈍化層112以及層間介電層114具有位於第一透明區TA1中的開口TO。在本實施例中，開口TO貫穿鈍化層112以及層間介電層114。介電層110的開口TO重疊於畫素定義層140的開口O1。

在本實施例中，有機發光二極體120的有機發光層124從開口O1延伸至開口TO中。

圖7是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖7，覆蓋層CL的微結構M包括多邊形。舉例來說，微結構M包括矩形。藉由調整微結構M的密度（數量/單位面積），可以控制穿透覆蓋層CL的光線L的多寡。

圖8是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖8，覆蓋層CL的微結構M包括多邊形。舉例來說，微結構M包括三角形。藉由調整微結構M的密度（數量/單位面積），可以控制穿透覆蓋層CL的光線L的多寡。

圖9是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖9，在本實施例中，形成有機發光層124的方法包括噴墨列印製程。舉例來說，先於畫素定義層140的開口O1中以及介電層110的開口TO中形成墨滴，接著再乾燥墨滴以形成有機發光層124。在一些實施例中，重覆數次滴入墨滴以及乾燥墨滴的步驟，藉此增加有機發光層124的厚度。舉例來說，滴入墨滴後乾燥墨滴以形成第一層乾膜，接著於第一層乾膜上滴入墨滴後乾燥墨滴以形成第二層乾膜，以類似的方法形成多層乾膜以構成具有預定厚度的有機發光層124。

在本實施例中，畫素定義層140的開口O1重疊於第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1。第一透明區TA1以及第一非透明區NTA1之間未設置畫素定義層140。基於上述，可以增加開口O1的容納空間，藉此能增加墨滴的噴塗滴數，使有機發光層124的製程裕度得以提升。此外，由於墨滴的量增加，可以降低乾燥製程導致Mura的機率。

在本實施例中，墨滴除了會形成於開口O1中以外，還會形成於開口TO中。介電層110的開口TO可以進一步增加墨滴的噴塗滴數。在本實施例中，開口TO的底部的寬度小於開口TO的頂部的寬度。鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而減少，且層間介電層114中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而減少。

在本實施例中，有機發光層124會堆積於開口TO的角落，因此，在開口TO的底面上，有機發光層124的厚度隨著越靠近開口TO的側壁而增加。

在本實施例中，有機發光二極體120的第二電極126從第一非透明區NTA1延伸至第一透明區TA1，並填入開口TO，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二電極126不填入開口TO。

圖10是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖9的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖10，在本實施例中，介電層110的開口TO的底部的側壁具有凹槽C，且有機發光層124填入凹槽C中。在本實施例中，凹槽C位於層間介電層114中。在一些實施例中，開口TO以及凹槽C是藉由過蝕刻或多次蝕刻所形成。凹槽C可以用於容納墨滴，藉此能增加墨滴的噴塗滴數，使有機發光層124的製程裕度得以提升。在一些實施例中，凹槽C環繞開口TO的底部。

圖11是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11的實施例沿用圖9的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖11，在本實施例中，開口TO的底部的寬度大於開口TO的頂部的寬度。鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而增加，且層間介電層114中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而增加。相較於圖9之實施例，本實施例的有機發光層124比較不容易堆積於開口TO的角落，藉此能改善堆積的有機發光層124對穿透率造成的負面影響。

在本實施例中，在形成有機發光二極體120的第二電極126時，會同時於開口TO中沉積導電材料126a。由於開口TO的底部的寬度大於開口TO的頂部的寬度，前述製程中所形成之導電材料126a不容易沉積於開口TO的側壁上，使開口TO中的導電材料126a與第二電極126彼此分離。在其他實施例中，形成第二電極126時不會於開口TO中沉積導電材料126a。

圖12是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖12的實施例沿用圖11的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖12，在本實施例中，介電層110的開口TO的底部的側壁具有凹槽C，且有機發光層124填入凹槽C中。在本實施例中，凹槽C位於層間介電層114中。在一些實施例中，開口TO以及凹槽C是藉由過蝕刻或多次蝕刻所形成。凹槽C可以用於容納墨滴，藉此能增加墨滴的噴塗滴數，使有機發光層124的製程裕度得以提升。在一些實施例中，凹槽C環繞開口TO的底部。

圖13A是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖13B是圖13A的第一子畫素的上視示意圖。在此必須說明的是，圖13A的實施例沿用圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖13A與圖13B，介電層110包括鈍化層112以及層間介電層114。鈍化層112以及層間介電層114具有位於第一透明區TA1中的開口TO。鈍化層112的側壁上具有相連於開口TO的導流孔DH。在本實施例中，導流孔DH從第一透明區TA1延伸至第一非透明區NTA1，並重疊於第一非透明區NTA1。導流孔DH例如設置於鈍化層112中。

在本實施例中，至少部分有機發光層124位於開口TO以及導流孔DH中。導流孔DH可以用於容納墨滴，藉此能增加墨滴的噴塗滴數，使有機發光層124的製程裕度得以提升。

在一些實施例中，每個子畫素的導流孔DH不會與相鄰之其他子畫素的導流孔DH相連。

多個支撐結構ST設置於導流孔DH中，且有機發光二極體120的第一電極122透過貫穿支撐結構ST的通孔TH而電性連接至開關元件T。

在本實施例中，鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而減少，但本發明不以此為限。在其他實施例中，鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而增加。

圖14是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖14的實施例沿用圖13A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖14，鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而增加。導流孔DH例如設置於鈍化層112中。導流孔DH在靠近開口TO的部分具有斜率。舉例來說，導流孔DH在靠近開口TO的部分的底面具有傾角θ，傾角θ約為5度~60度。在一些實施例中，傾角θ對應的斜率可被定義為第一非透明區NTA1的長度除上導流孔DH最深處與導流孔DH最淺處之間的差值。

藉由傾角θ的設置，在形成有機發光層124時，墨滴可以更容易的流入導流孔DH中。

在本實施例中，鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而增加，但本發明不以此為限。在其他實施例中，鈍化層112中的開口TO的寬度隨著越靠近基板SB而減少。

圖15是依照本發明的一實施例的一種畫素的上視示意圖。

請參考圖15，在本實施例中，畫素PX中可以包括透明區大小不同的第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30。舉例來說，第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30分別為紅色子畫素、綠色子畫素以及藍色子畫素，其中紅色子畫素的第一透明區TA1的面積大於綠色子畫素的第二透明區TA2的面積，且綠色子畫素的第二透明區TA2的面積大於藍色子畫素的第三透明區TA3的面積，其中紅色子畫素的第一非透明區NTA1的面積小於綠色子畫素的第二非透明區NTA2的面積，且綠色子畫素的第二非透明區NTA2的面積小於藍色子畫素的第三非透明區NTA3的面積。

在本實施例中，第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30具有類似的結構，差異僅在於透明區與非透明區的大小。第一子畫素10、第二子畫素20以及第三子畫素30的結構可以類似於前述任一實施例中的子畫素的結構。

1:發光裝置 10:第一子畫素 20:第二子畫素 30:第三子畫素 100:開關元件 110:介電層 112:鈍化層 114:層間介電層 120:有機發光二極體 122:第一電極 124:有機發光層 126:第二電極 130:封裝層 131:第一絕緣層 132:第二絕緣層 133:第三絕緣層 134:第四絕緣層 135:第五絕緣層 136:第六絕緣層 140:畫素定義層 150:間隔件 C:凹槽 CL:覆蓋層 DH:導流孔 H1:高度 L:光線 M:微結構 NTA1:第一非透明區 NTA2:第二非透明區 NTA3:第三非透明區 O1、O2、OP、TO:開口 PL:平坦層 SB:基板 TA1:第一透明區 TA2:第二透明區 TA3:第三透明區 TH：通孔

圖1A是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖1B是圖1A的第一子畫素的上視示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖4是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖5是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖7是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖8是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖9是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖10是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖11是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖12是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖13A是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖13B是圖13A的第一子畫素的上視示意圖。圖14是依照本發明的一實施例的一種第一子畫素的剖面示意圖。圖15依照本發明的一實施例的一種畫素的上視示意圖。

10:第一子畫素

100:開關元件

110:介電層

112:鈍化層

114:層間介電層

120:有機發光二極體

122:第一電極

124:有機發光層

126:第二電極

130:封裝層

131:第一絕緣層

132:第二絕緣層

133:第三絕緣層

140:畫素定義層

150:間隔件

CL:覆蓋層

H1:高度

L:光線

M:微結構

NTA1:第一非透明區

O1、OP:開口

PL:平坦層

SB:基板

TA1:第一透明區

TH:通孔

Claims

一種發光裝置，包括：一基板；以及一第一子畫素，該第一子畫素具有一第一透明區以及一第一非透明區，且包括：一開關元件，位於該基板上，且位於該第一非透明區中；一介電層，位於該開關元件上；一有機發光二極體，位於該介電層上，且電性連接至該開關元件；一封裝層，位於該有機發光二極體上，且位於該第一透明區中以及該第一非透明區中，其中該封裝層包括依序堆疊的一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第三絕緣層，其中該第一絕緣層相較於該第三絕緣層更靠近該有機發光二極體，且該第三絕緣層的折射率小於該第二絕緣層的折射率，且該第二絕緣層的折射率小於該第一絕緣層的折射率；以及一覆蓋層，位於該封裝層上，且位於該第一透明區中以及該第一非透明區中，其中該覆蓋層的表面設置有多個微結構，該些微結構位於該第一透明區以及該第一非透明區中的至少一者中。
如請求項1所述的發光裝置，其中位於該第一透明區中的該些微結構的密度小於位於該第一非透明區中的該些微結構的密度。
如請求項1所述的發光裝置，其中位於該第一透明區中的該些微結構的密度大於位於該第一非透明區中的該些微結構的密度。
如請求項1所述的發光裝置，其中該介電層具有位於該第一透明區中的一開口，且該開口的底部的寬度大於該開口的頂部的寬度。
如請求項1所述的發光裝置，其中該介電層具有位於該第一透明區中的一開口，且該開口的底部的寬度小於該開口的頂部的寬度。
如請求項1所述的發光裝置，更包括一第二子畫素，該第二子畫素具有一第二透明區以及一第二非透明區，其中該第一透明區的面積大於該第二透明區的面積。
一種發光裝置，包括：一基板；以及一第一子畫素，該第一子畫素具有一第一透明區以及一第一非透明區，且包括：一開關元件，位於該基板上，且位於該第一非透明區中；一介電層，位於該開關元件上，其中該介電層包括一鈍化層以及一層間介電層，且該鈍化層以及該層間介電層具有位於該第一透明區中的一開口，其中該鈍化層的側壁上具有相連於該開口的一導流孔，該導流孔重疊於該第一非透明區；一有機發光二極體，位於該介電層上，且電性連接至該開關元件，其中，該有機發光二極體包括：一第一電極，電性連接至該開關元件；一有機發光層，位於該第一電極上，且至少部分該有機發光層位於該開口以及該導流孔中；以及一第二電極，位於該有機發光層上；以及一封裝層，位於該有機發光二極體上，且位於該第一透明區中以及該第一非透明區中，其中該封裝層包括依序堆疊的一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第三絕緣層，其中該第一絕緣層相較於該第三絕緣層更靠近該有機發光二極體，且該第三絕緣層的折射率小於該第二絕緣層的折射率，且該第二絕緣層的折射率小於該第一絕緣層的折射率。
如請求項7所述的發光裝置，更包括：多個支撐結構，設置於該導流孔中，且該第一電極透過貫穿該支撐結構的通孔而電性連接至該開關元件。
一種發光裝置，包括：一基板；以及一第一子畫素，該第一子畫素具有一第一透明區以及一第一非透明區，且包括：一開關元件，位於該基板上，且位於該第一非透明區中；一介電層，位於該開關元件上，其中該介電層具有位於該第一透明區中的一開口，且該開口的底部的側壁具有凹槽；一有機發光二極體，位於該介電層上，且電性連接至該開關元件；以及一封裝層，位於該有機發光二極體上，且位於該第一透明區中以及該第一非透明區中，其中該封裝層包括依序堆疊的一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第三絕緣層，其中該第一絕緣層相較於該第三絕緣層更靠近該有機發光二極體，且該第三絕緣層的折射率小於該第二絕緣層的折射率，且該第二絕緣層的折射率小於該第一絕緣層的折射率。