CN108133952B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括基底。第一保护层设置在基底上。导电线设置在第一保护层上。第二保护层设置在导电线上。第一电极设置在第二保护层上。有机发光层设置在第一电极上。第二电极设置在有机发光层上。第一电极关于导电线的中心对称。

Description

有机发光二极管显示装置
本申请要求于2016年12月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2016-0162811号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种有机发光二极管(“OLED”)显示装置和一种制造该OLED显示装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(“OLED”)显示装置是一类使用发光的OLED来显示图像的自发光显示装置。OLED显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的特性。OLED显示装置通常具有包括OLED的多层结构。由于此多层结构，当OLED显示装置从OLED发光时，会发生依赖于视角的色偏。具体地，当像素电极的下部不对称或不均匀时，识别的颜色会根据观看方向而改变。
发明内容
一种有机发光二极管显示装置包括基底。第一保护层设置在基底上。导电线设置在第一保护层上。第二保护层设置在导电线上。第一电极设置在第二保护层上。有机发光层设置在第一电极上。第二电极设置在有机发光层上。第一电极在平面上关于导电线的中心对称。
有机发光二极管显示装置包括基底。第一保护层设置在基底上。第一保护层具有设置在其中的凹部。导电线设置在第一保护层的凹部内。第二保护层设置在导电线上。第一电极设置在第二保护层上。有机发光层设置在第一电极上。第二电极设置在有机发光层上。第一电极与第一保护层的凹部叠置。
一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括：通过将光敏材料施用到基底上以在基底上形成光敏材料层。通过将光敏材料层图案化以在基底上形成第一保护层。第一保护层具有位于其中的凹部和接触孔。在第一保护层的凹部内形成导电线。在导电线上形成第二保护层。在第二保护层上形成第一电极。在第一电极上形成发光层。在发光层上形成第二电极。第一电极与第一保护层的凹部叠置。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的更加完全的理解及其许多伴随的方面将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管(“OLED”)显示装置的像素的平面图；
图2是示出图1中示出的一个像素的电路图；
图3是沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图4是示出白色角度依赖性(WAD)的剖视图；
图5A是示出在斜面处的共振的剖视图；
图5B是示出根据本公开的示例性实施例的用距离r、倾斜角θ和方位角φ来确定坐标的球面坐标系的图解；
图6是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置的像素的平面图；
图7是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置的剖视图；
图8是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置的剖视图；
图9是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置的剖视图；以及
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F、图10G、图10H和图10I是示出根据本公开的示例性实施例的制造OLED显示装置的工艺的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开的示例性实施例。虽然发明可以以各种方式进行修改并具有若干个示例性实施例，但是在附图中示出并且将在说明书中主要描述本公开的示例性实施例。然而，发明的范围不限于示例性实施例，并且应理解为包括包含在发明的精神和范围内的所有的变化、等同物和替代物。
在附图中，为了清楚和易于描述，多个层和区域的厚度可以以夸大的方式示出。当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“上”时，所述层、区域或板可直接在所述另一层、区域或板上，或者可在它们之间存在中间层、区域或板。此外，当层、区域或板被称作“在”另一层、区域或板“下”时，所述层、区域或板可直接在所述另一层、区域或板下，或者可在它们之间存在中间层、区域或板。
为了易于描述，可在此使用空间相对术语“在……下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等来描述如在附图中示出的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中不同的方位。例如，在附图中示出的装置翻转的情况下，定位“在”另一装置“下”或“下方”的装置可被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可包括在下方或在上方两种方位。装置也可在其它方向上定位，因此可根据方位来不同地解释空间相对术语。
贯穿说明书，当元件被称作“连接”到另一元件时，所述元件“直接连接”到所述另一元件，或者在一个或更多个中间元件置于它们之间的情况下“间接连接”到所述另一元件。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”及其变型时，指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”可被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可被同样地命名。
在下文中，将参照图1、图2和图3来描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管(“OLED”)显示装置101的像素的平面图，图2是示出图1中示出的一个像素PX的电路图，图3是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置101包括多个像素。术语“像素”指用于显示图像的最小单元。参照图1、图2和图3，像素PX包括开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2、OLED 170和电容器Cst。
像素PX可产生具有预定的颜色(例如，红色、绿色和蓝色中的一种)的光。然而，在像素PX中产生的光的颜色不限于此，可在像素PX中产生具有诸如青色、品红色或黄色的颜色的光。
像素PX连接到栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL。栅极线GL在一个方向上延伸。数据线DL在与栅极线GL交叉的另一方向上延伸。参照图1，驱动电压线DVL在与数据线DL延伸的方向基本上相同的方向上延伸。栅极线GL传输扫描信号，数据线DL传输数据信号，驱动电压线DVL提供驱动电压。
薄膜晶体管TFT1和TFT2可包括用于控制OLED 170的驱动薄膜晶体管TFT2以及用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。虽然每个像素PX被描述为包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2，但是发明可在每个像素中具有更少的或更多的薄膜晶体管。例如，每个像素PX可包括电容器和一个薄膜晶体管，或者可包括三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。
设置有薄膜晶体管TFT1和TFT2、栅极线GL、数据线DL、驱动电压线DVL和电容器Cst的部分被称为布线单元，并且栅极线GL、数据线DL、驱动电压线DVL和电容器Cst中的每个被称为布线。薄膜晶体管TFT1和TFT2也可以为布线中的一个，或者可以为布线的一部分。另外，由于栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL导电，因此它们还可被称为“导电线”。
开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1。第一栅电极GE1连接到栅极线GL，第一源电极SE1连接到数据线DL。
第一漏电极DE1通过第六接触孔CH6连接到第一电容器板CS1。开关薄膜晶体管TFT1根据施加到栅极线GL的扫描信号将施加到数据线DL的数据信号传输到驱动薄膜晶体管TFT2。
驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和第二半导体层SM2。第二栅电极GE2连接到第一电容器板CS1。第二源电极SE2通过第十接触孔CH10连接到驱动电压线DVL。第二漏电极DE2通过第三接触孔CH3连接到连接电极CN，连接电极CN通过第七接触孔CH7连接到第一电极171。
有机发光层172设置在第一电极171上，第二电极173设置在有机发光层172上。将共电压施加到第二电极173，有机发光层172根据驱动薄膜晶体管TFT2的输出信号产生光。
电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2与第二源电极SE2之间。电容器Cst充入并保持输入到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的信号。电容器Cst包括通过第六接触孔CH6连接到第一漏电极DE1的第一电容器板CS1。电容器Cst还包括通过第八接触孔CH8和第九接触孔CH9连接到驱动电压线DVL的第二电容器板CS2。
参照图3，薄膜晶体管TFT1和TFT2以及OLED 170设置在基底111上。
不具体地限制基底111的类型。例如，基底111可包括绝缘材料，诸如玻璃、塑料、石英等。用于基底111的材料可具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易操作性和防水性。
缓冲层可设置在基底111上。缓冲层可基本上防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2中。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2均设置在基底111上。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2均包括半导体材料，并分别用作开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的有源层。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个包括源区SA、漏区DA以及设置在源区SA与漏区DA之间的沟道区CA。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2可以均包括非晶硅、多晶硅等，或者可包括氧化物半导体。例如，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个可包括无机半导体材料或有机半导体材料。源区SA和漏区DA可掺杂有n型杂质或p型杂质。
栅极绝缘层121设置在第一半导体层SM1和第二半导体层SM2两者上。栅极绝缘层121保护第一半导体层SM1和第二半导体层SM2。栅极绝缘层121可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一栅电极GE1和第二栅电极GE2设置在栅极绝缘层121上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2分别设置为与第一半导体层SM1的沟道区CA和第二半导体层SM2的沟道区CA叠置。另外，第一电容器板CS1设置在栅极绝缘层121上。第二栅电极GE2可与第一电容器板CS1一体地形成。
绝缘中间层122设置在第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第一电容器板CS1上。绝缘中间层122可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2均设置在绝缘中间层122上。第二漏电极DE2通过限定在栅极绝缘层121和绝缘中间层122中的第一接触孔CH1接触第二半导体层SM2的漏区DA。第二源电极SE2通过限定在栅极绝缘层121和绝缘中间层122中的第二接触孔CH2接触第二半导体层SM2的源区SA。第一源电极SE1通过限定在栅极绝缘层121和绝缘中间层122中的第四接触孔CH4接触第一半导体层SM1，第一漏电极DE1通过限定在栅极绝缘层121和绝缘中间层122中的第五接触孔CH5接触第一半导体层SM1。
另外，数据线DL和第二电容器板CS2设置在绝缘中间层122上。
第一保护层131设置在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、数据线DL和第二电容器板CS2上。第一保护层131用于保护开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2，并用于使它们的上表面平坦化。
根据本公开的示例性实施例，第一保护层131可包括光敏材料。例如，第一保护层131可包括光敏聚合物树脂。
驱动电压线DVL和连接电极CN设置在第一保护层131上。
驱动电压线DVL和连接电极CN可使用相同的材料在同一工艺中形成。
例如，驱动电压线DVL包括导电材料。例如，驱动电压线DVL可包括铝(Al)或它的合金、银(Ag)或它的合金、铜(Cu)或它的合金、钼(Mo)或它的合金、铬(Cr)、钽(Ta)和/或钛(Ti)，或者由上述材料形成。另外，驱动电压线DVL可具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。这样，驱动电压线DVL是包括导电材料的导电线。
驱动电压线DVL通过限定在第一保护层131中的第八接触孔CH8和第九接触孔CH9连接到第二电容器板CS2。另外，驱动电压线DVL通过限定在第一保护层131中的第十接触孔CH10连接到第二源电极SE2。
连接电极CN通过限定在第一保护层131中的第三接触孔CH3连接到第二漏电极DE2。
第二保护层132设置在驱动电压线DVL和连接电极CN上。根据本公开的示例性实施例，第二保护层132可包括光敏材料。例如，第二保护层132可包括光敏聚合物树脂。
第二保护层132用于保护驱动电压线DVL和连接电极CN，并还用于使它们的上表面平坦化。然而，在与第二保护层132相比驱动电压线DVL和连接电极CN相对厚的情况下，驱动电压线DVL和连接电极CN的上部可能不会被第二保护层132完全地平坦化。由于布线的高度的集成，因此会需要在相对小的面积的布线内传输大量的电流或数据。因此，布线会相对厚。在使用厚的布线的情况下，虽然第二保护层132设置在这些布线(例如，驱动电压线DVL和连接电极CN)上方，但是第二保护层132的上部可能不会被完全地平坦化。参照图3，第二保护层132包括位于驱动电压线DVL上方的斜面SL1和SL2。
第一电极171设置在第二保护层132上。第一电极171还设置在形成在第二保护层132处的斜面SL1和SL2上。第一电极171可以为例如阳极。根据本公开的示例性实施例，第一电极171是像素电极。
第一电极171通过限定在第二保护层132中的第七接触孔CH7连接到连接电极CN。由于连接电极CN通过限定在第一保护层131中的第三接触孔CH3连接到第二漏电极DE2，因此第一电极171可电连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。
参照图3，驱动电压线DVL设置在第一电极171下方。第一电极171与驱动电压线DVL叠置。
驱动电压线DVL是导电线中的一条，第一电极171关于作为导电线中的一条的驱动电压线DVL对称。例如，第一电极171在平面上关于驱动电压线DVL对称地布置。
参照图1，驱动电压线DVL可以是相对直的，第一电极171关于驱动电压线DVL双侧对称。然而，本公开的示例性实施例不限于此。驱动电压线DVL可具有弯曲的形状或折线形状，第一电极171可关于驱动电压线DVL竖直对称地布置。
划分出发光区的像素限定层190设置在第二保护层132上。
像素限定层190可包括聚合物有机材料。像素限定层190可包括聚酰亚胺(PI)树脂、聚丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂。根据本公开的示例性实施例，像素限定层190包括PI树脂。
像素限定层190限定开口195，通过开口195从像素限定层190暴露第一电极171。另外，OLED 170的发光区由开口195限定。
参照图1和图3，第一电极171与像素限定层190的至少一部分叠置，并在开口195处不与像素限定层190叠置。
根据本公开的示例性实施例，开口195在平面上关于作为导电线中的一条的驱动电压线DVL对称。
第一电极171导电，并可以是透射电极、透反射电极或反射电极。在第一电极171是透射电极情况下，第一电极171包括透明导电氧化物。例如，透明导电氧化物可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。在第一电极171是透反射电极或反射电极的情况下，第一电极171可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或Cu。
有机发光层172设置在第一电极171上。例如，有机发光层172在开口195处设置在第一电极171上。有机发光层172可设置在由像素限定层190限定的开口195的侧壁上并位于像素限定层190上。
有机发光层172包括发光材料。另外，有机发光层172可包括主体和发光掺杂剂。可使用已知的材料根据已知的方法来制造有机发光层172。例如，可使用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布吉特(Langmuir-Blodgett，LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI)法等的各种方法来形成有机发光层172。
空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)可设置在第一电极171与有机发光层172之间。
第二电极173设置在有机发光层172上。
第二电极173可以是共电极，并可以是阴极。第二电极173可以是透射电极、透反射电极或反射电极。
在第二电极173是透射电极的情况下，第二电极173可包括透明导电氧化物。例如，透明导电氧化物可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。
在第二电极173是透反射电极或反射电极的情况下，第二电极173可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti和/或Cu。另外，除了透反射电极或反射电极之外，第二电极173还可包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)等的透明导电层。
电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个可设置在有机发光层172与第二电极173之间。
在OLED 170是顶发射型的情况下，第一电极171可以是反射电极，第二电极173可以是透射电极或透反射电极。当OLED 170是底发射型时，第一电极171可以是透射电极或透反射电极，第二电极173可以是反射电极。
根据本公开的示例性实施例，OLED 170是顶发射型，第一电极171是反射电极，第二电极173是透反射电极。
图4是示出白色角度依赖性(WAD)的剖视图。
OLED显示装置101具有多层堆叠结构(见图3)，并且从有机发光层172发射的光穿过多层结构向外发射。根据本公开的示例性实施例，在有机发光层172中产生的光穿过第二电极173，以向外发射。
当在两个反射表面之间重复光的反射的过程中发生光学共振时，光的能量增大，并且具有增大的能量的光可穿过多层堆叠的结构，以向外发射。允许光在两个反射层之间共振的这样的结构被称为共振结构，两个反射层之间的发生共振的距离被称作共振距离。共振距离依赖于光的波长。
根据本公开的示例性实施例，由于在OLED显示装置101中第一电极171是反射电极并且第二电极173是透反射电极，因此，光可在第一电极171与第二电极173之间被反射，并且可发生光共振。当从有机发光层172发射的光的波长被表示为λ1且第一电极171与第二电极173之间的距离为t1时，当满足以下式1时，可以发生光共振：
[式1]2·n1·t1＝m1·λ1
在式1中，n1表示第一电极171与第二电极173之间的平均折射率，m1是整数。另外，第一电极171与第二电极173之间的距离t1是第一电极171的上表面与第二电极173的与第一电极171相对的下表面之间的距离。如在此使用的，λ1表示朝向前侧发射的光L1的波长。
在本公开的示例性实施例中，虽然在OLED显示装置101中显示相同的颜色，但是可根据观察者的视角而视觉地识别到不同的颜色。例如，当从前面观看发射白光的显示装置的显示表面时，识别到白色，但是当从侧面观看时，会识别到偏蓝色或偏黄色的颜色。这种现象被称作白色角度依赖性(WAD)，已知WAD是由根据视角的光的路程差造成的。
参照图4，从前面观看的光L1可根据式1而共振。
朝向侧面发射的光L2在厚度为t1且折射率为n1的介质中以角度θi入射到界面Sb并以角度θ0出射。在本公开的这样的示例性实施例中，当朝向侧面发射的光L2的波长以λ2表示时，为了使光共振，满足下面的式2的关系。
[式2]
2·n1·t1·cos(θi)＝m2·λ2
在式2中，m2是整数。
在本公开的这样的示例性实施例中，当界面Sb处的入射角θi增大时，cos(θi)的值变小，因此，共振条件会改变，并且共振波长会改变。因此，朝向侧面发射的光L2的波长λ2与朝向前侧发射的光L1的波长λ1不同。
例如，当入射角θi增大时，cos(θi)的值变小，因此，满足共振条件的波长λ2变得小。因此，具有比朝向前侧发射的光L1的波长λ1短的波长的光L2朝向侧面发射，并因此发生WAD。
图5A是示出在斜面处的共振的剖视图，图5B是示出根据本公开的示例性实施例的用距离r、倾斜角θ和方位角φ来确定坐标的球面坐标系的图解。
如上所述，根据本发明的示例性实施例，光在OLED显示装置101的第一电极171与第二电极173之间反射，并发生光共振。
参照图3和图5A，由于驱动电压线DVL的厚度，因此在驱动电压线DVL上方的第二保护层132处形成斜面SL1和SL2。另外，在设置在斜面SL1和SL2上的第一电极171与第二电极173之间也发生共振。光L21和光L22在斜面SL1和SL2处在与第一电极171和第二电极173的表面垂直的方向上共振。虽然光L21和光L22具有基本上相同或相似的波长，但是它们将在不同的方向上出射。
例如，参照图5A，在斜面SL1和SL2的不同的点R1和R2处在第一电极171与第二电极173之间共振的光L21和光L22也在侧方向上出射。
在这样的示例中，当图5A中示出的左斜面SL1和右斜面SL2彼此对称时，分别从左侧和右侧观看到的光L21和光L22将具有基本上相同的波长。然而，当左斜面SL1和右斜面SL2彼此不对称时，左斜面SL1和右斜面SL2中的共振条件变得不同，因此，观察到的光的波长将根据用户的视角而不同。
图5B示出用距离r、倾斜角θ和方位角φ来确定坐标的球面坐标系。在左斜面SL1和右斜面SL2彼此不对称的情况下，将根据球面坐标系的方位角φ视觉地识别到不同波长的光。例如，根据方位角φ发生WAD偏差。这样的WAD偏差使OLED显示装置101的显示特性劣化。
根据本公开的示例性实施例，为了基本上防止OLED显示装置101的显示特性的劣化，在第一电极171下方对称地形成斜面SL1和SL2。为此，关于驱动电压线DVL对称地设置第一电极171。因此，可增强OLED显示装置101的显示特性。
图6是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置102的像素的平面图。
根据本公开的示例性实施例，位于第一保护层131上作为导电线的驱动电压线DVL在平面上相对于第一电极171的中心C沿径向形成。例如，参照图6，驱动电压线DVL相对于第一电极171的中心C以十字形(+)形状设置。因此，第一电极171关于驱动电压线DVL水平对称且竖直对称。
参照图6，驱动电压线DVL包括水平线HL和竖直线VL。根据本公开的示例性实施例，驱动电压线DVL具有多条水平线HL和多条竖直线VL以交叉方式布置的网格形状。
图7是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置103的剖视图。
参照图7，第一保护层131包括凹部(recess)135，作为导电线的驱动电压线DVL设置在凹部135处。在这样的示例性实施例中，凹部135与第一电极171叠置。例如，驱动电压线DVL在第一电极171下方设置在凹部135处。
凹部135的深度d1与作为导电线的驱动电压线DVL的厚度h1基本上相等。例如，凹部135的深度d1和驱动电压线DVL的厚度h1可具有大约0.01μm的尺寸差。
在凹部135的深度d1和驱动电压线DVL的厚度h1彼此基本上相等的情况下，第二保护层132在驱动电压线DVL上方是平坦的，第一电极171可形成在平坦的表面上。因此，可基本上防止依赖于方位角的WAD偏差。
然而，本发明不限于此，凹部135的深度d1可与驱动电压线DVL的厚度h1不同。例如，凹部135的深度d1可比驱动电压线DVL的厚度h1大或小。在第二保护层132包括有机材料的情况下，当凹部135的深度d1与驱动电压线DVL的厚度h1之间的差相对不大时，由于有机材料的平坦化效果，因此第二保护层132可在驱动电压线DVL上方具有平坦的表面。
图8是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置104的剖视图。
图8中示出的OLED显示装置104包括位于第二电极173上的薄膜封装层140，以保护OLED 170。薄膜封装层140基本上防止湿气或氧渗透到OLED170中。
薄膜封装层140包括交替设置的至少一个无机层141和143以及至少一个有机层142。图8中示出的薄膜封装层140包括两个无机层141和143以及一个有机层142。然而，薄膜封装层140的结构不限于图8中示出的结构。
无机层141和143可包括金属氧化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法来形成无机层141和143。然而，本发明不限于此，可通过本领域技术人员已知的各种方法来形成无机层141和143。
有机层142可包括例如聚合物材料。可通过热沉积工艺来形成有机层142。在不损害OLED 170的温度范围内执行用于形成有机层142的热沉积工艺。然而，本发明不限于此，可通过本领域技术人员已知的其它各种方法来形成有机层142。
具有高密度的薄膜的无机层141和143主要地抑制湿气或氧的渗透。湿气和氧中的大部分被无机层141和143阻挡而不能渗透到OLED 170中。
已经穿过无机层141和143的湿气和氧被有机层142再次阻挡。除了湿气渗透限制之外，有机层142也用作缓冲层，以减小无机层141和143与有机层142之间的应力。另外，由于有机层142具有平坦化的特性，因此薄膜封装层140的最上表面可被有机层142平坦化。
由于薄膜封装层140可相对薄，因此有机发光二极管显示装置104也可以是薄的。这样的OLED显示装置104可具有优异的柔性特性。
图9是示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置105的剖视图。
图9中示出的OLED显示装置105包括设置在第二电极173上的密封构件150，以保护OLED 170。
密封构件150可包括透光绝缘材料，诸如玻璃、石英、陶瓷和塑料。密封构件150具有板形状并附着到基底111，以保护OLED 170。
填充剂160可设置在OLED 170与密封构件150之间。填充剂160可包括有机材料，例如，聚合物。另外，包括金属或无机材料的保护层可设置在OLED 170上，以保护OLED 170。在下文中，将参照图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F、图10G、图10H和图10I来描述制造据本公开的示例性实施例的OLED显示装置103的方法。图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F、图10G、图10H和图10I是示出根据本公开的示例性实施例的制造OLED显示装置103的工艺的视图。
参照图10A，在基底111上形成驱动薄膜晶体管TFT2、电容器Cst和数据线DL。还可在基底111上形成诸如开关薄膜晶体管TFT1和栅极线GL的布线。
参照图10B，在基底111的整个表面(包括驱动薄膜晶体管TFT2)上方施用光敏材料，使得形成光敏材料层130。光敏材料可使用例如可光降解的聚合物树脂。可光降解的聚合物树脂可包括聚酰亚胺(PI)。
另外，在光敏材料层130的上方与光敏材料层130分隔开地设置图案掩模301。图案掩模301包括掩模基底310和设置在掩模基底310上的光阻挡图案320。光阻挡图案320包括各自具有不同的透光率的至少三个区域。这样的图案掩模301还可被称为半色调掩模。
掩模基底310可使用透明玻璃或塑料基底。然而，发明不限于此，掩模基底310可包括具有透光率和机械强度的另一材料。
可通过将光阻挡材料选择性地施用到掩模基底310来形成光阻挡图案320。光阻挡图案320包括透射部321、光阻挡部322和半透光部323。
透射部321是光通过其透射的区域，并位于将限定有第三接触孔CH3的区域的上方和将形成第八接触孔CH8的区域的上方。
光阻挡部322是阻挡光透射的部分，并且可通过将光阻挡材料施用到掩模基底310来形成光阻挡部322。
半透光部323是入射光的一部分通过其透射的部分，并且它位于将限定有凹部135的区域的上方。半透光部323可具有透光区323a和光阻挡狭缝323b交替设置的结构。在这样的示例性实施例中，可通过调整透光区323a与光阻挡狭缝323b之间的间隔来调整半透光部323的透光率。在本公开的示例性实施例中，可通过调整光阻挡材料的浓度来调整半透光部323的透光率。
参照图10C，通过使用图案掩模301进行曝光和显影来将光敏材料层130图案化，使得形成包括凹部135、第三接触孔CH3和第八接触孔CH8的第一保护层131。例如，对光敏材料层130进行曝光、显影，然后进行热固化，使得可形成第一保护层131。
参照图10D，在第一保护层131上形成连接电极CN和驱动电压线DVL。
连接电极CN通过第三接触孔CH3连接到第二漏电极DE2。
在限定在第一保护层131中的凹部135处设置驱动电压线DVL。另外，驱动电压线DVL通过第八接触孔CH8连接到第二电容器板CS2。虽然未示出，但是第一保护层131具有第九接触孔CH9，驱动电压线DVL还通过第九接触孔CH9连接到第二电容器板CS2。虽然未示出，但是驱动电压线DVL通过第十接触孔CH10连接到第二源电极SE2。
参照图10E，在连接电极CN和驱动电压线DVL上形成第二保护层132。第二保护层132具有暴露连接电极CN的一部分的第七接触孔CH7。
可通过光敏材料的曝光、显影和固化来形成第二保护层132。
参照图10F，在第二保护层132上形成第一电极171。
第一电极171与凹部135和驱动电压线DVL叠置。另外，第一电极171通过第七接触孔CH7连接到连接电极CN。第一电极171通过连接电极CN连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。
参照图10G，在包括第一电极171和第二保护层132的基底111上方形成像素限定层190。
像素限定层190可包括光敏材料，例如，可光降解的聚合物树脂。可光降解的聚合物树脂的示例可包括聚酰亚胺(PI)树脂、聚丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂等。
由像素限定层190来限定开口195。第一电极171通过开口195从像素限定层190暴露。例如，像素限定层190暴露第一电极171的上表面，并沿第一电极171的外围突出。像素限定层190与第一电极171的端部叠置，并且开口195位于第一电极171上方。根据本公开的示例性实施例，开口195在平面上关于作为导电线的驱动电压线DVL对称。
参照图10H，在被像素限定层190的开口195暴露的第一电极171上形成有机发光层172。可通过例如沉积来形成有机发光层172。
参照图10I，在有机发光层172上形成第二电极173。也在像素限定层190上形成第二电极173。可通过沉积来形成第二电极173。以这样的方式，可制造图7中示出的OLED显示装置103。
如在上文所阐述的，在本公开的一个或更多个示例性实施例中，由于第一电极关于其下面的导电线对称地设置，因此可减少OLED显示装置的依赖于方位角的颜色偏差。另外，在本公开的一个或更多个示例性实施例中，由于第一电极设置在平坦的表面上，因此可基本上防止OLED显示装置的依赖于方位角的颜色偏差。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对本领域普通技术人员明显的是，在不脱离如本发明的精神和范围的情况下，可以对其做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底；
第一保护层，设置在所述基底上；
导电线，设置在所述第一保护层上；
第二保护层，设置在所述导电线上；
第一电极，设置在所述第二保护层上；
像素限定层，设置在所述第二保护层上，所述像素限定层具有使所述第一电极的至少一部分暴露的开口；
有机发光层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述有机发光层上，
其中，所述开口在平面上关于所述导电线的中心线对称，并且斜面在所述导电线上方形成在所述第二保护层处。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述导电线是驱动电压线。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述导电线是直的。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述导电线在平面上相对于所述第一电极的中心沿径向延伸。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述导电线具有网格形状。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括设置在所述基底与所述第一保护层之间的薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述薄膜晶体管连接到所述第一电极。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述薄膜晶体管连接到所述导电线。
9.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括：
绝缘中间层，设置在所述基底上；以及
电容器的上电容器板，设置在所述绝缘中间层上和所述第一保护层下方。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极在平面上关于所述导电线的中心线对称。
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