KR20180063416A - 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

유기발광 표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180063416A
KR20180063416A KR1020160162811A KR20160162811A KR20180063416A KR 20180063416 A KR20180063416 A KR 20180063416A KR 1020160162811 A KR1020160162811 A KR 1020160162811A KR 20160162811 A KR20160162811 A KR 20160162811A KR 20180063416 A KR20180063416 A KR 20180063416A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
disposed
conductive line
light emitting
layer
Prior art date
Application number
KR1020160162811A
Other languages
English (en)
Inventor
김무종
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160162811A priority Critical patent/KR20180063416A/ko
Priority to US15/825,359 priority patent/US10454058B2/en
Priority to EP17204548.6A priority patent/EP3331021A1/en
Priority to CN202311000123.0A priority patent/CN117042494A/zh
Priority to CN202310996130.4A priority patent/CN117042537A/zh
Priority to CN201711251073.8A priority patent/CN108133952B/zh
Publication of KR20180063416A publication Critical patent/KR20180063416A/ko
Priority to US16/576,381 priority patent/US10879485B2/en
Priority to US17/113,531 priority patent/US11575101B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H01L27/3276—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/3246—
    • H01L27/3248—
    • H01L27/3258—
    • H01L27/3262—
    • H01L51/5206—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H01L2227/323—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판상에 배치된 제1 보호막, 상기 제1 보호막 상에 배치된 도전성 라인, 상기 도전성 라인 상에 배치된 제2 보호막, 상기 제1 보호막 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은, 평면상으로, 상기 도전성 라인을 기준으로 대칭인 유기발광 표시장치를 제공한다.

Description

유기발광 표시장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 우수한 표시 특성을 갖는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 대한 것이다.
유기발광 표시장치(organic light emitting display device)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 이용하여 화상을 표시하는 자발광형 표시장치이다. 유기발광 표시장치는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 특성을 가지므로 현재 표시장치로 주목받고 있다.
유기발광 표시장치는 유기 발광 소자를 포함하는 다층구조를 갖는다. 이러한 구조로 인해, 유기 발광 소자에서 발생된 빛이 외부로 방출되는 과정에서, 시야각에 따른 색변이(color shift)가 발생할 수 있다. 특히, 화소 전극의 하부가 균일하지 않거나 비대칭인 경우, 관찰 방향에 따라 시인되는 색상이 달라질 수 있다. 따라서, 유기발광 표시장치가 우수한 표시 품질을 가지도록 하기 위해, 시야각에 따른 색상의 편차를 방지하는 것이 필요하다.
본 발명의 일 실시예는 우수한 표시 특성을 갖는 유기발광 표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 일 실시예는 우수한 표시 특성을 갖는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판상에 배치된 제1 보호막; 상기 제1 보호막 상에 배치된 도전성 라인; 상기 도전성 라인 상에 배치된 제2 보호막; 상기 제1 보호막 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하며, 상기 제1 전극은, 평면상으로, 상기 도전성 라인을 기준으로 대칭인 유기발광 표시장치를 제공한다.
상기 도전성 라인은 구동 전압 라인이다.
상기 도전성 라인은 직선 형상을 갖는다.
상기 도전성 라인은, 평면상으로, 상기 제1 전극의 중심을 기준으로 방사상으로 연장된다.
상기 도전성 라인은 격자 형상을 갖는다.
상기 유기발광 표시장치는 상기 기판과 상기 제1 보호막 사이에 배치된 박막 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극과 연결된다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 도전성 라인과 연결된다.
상기 유기발광 표시장치는 상기 제2 보호막 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 정의하는 화소 정의막을 더 포함한다.
상기 개구부는, 평면상으로, 상기 도전성 라인을 기준으로 대칭이다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 기판; 상기 기판상에 배치되며 오목부를 갖는 제1 보호막; 상기 오목부에 배치된 도전성 라인; 상기 도전성 라인 상에 배치된 제2 보호막; 상기 제1 보호막 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하며, 상기 오목부는 상기 제1 전극과 중첩하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
상기 도전성 라인은 구동 전압 라인이다.
상기 오목부의 깊이는 상기 도전성 라인의 두께와 실질적으로 동일하다.
상기 오목부의 깊이는 상기 도전성 라인의 두께와 다르다.
상기 도전성 라인은 직선 형상을 갖는다.
상기 도전성 라인은, 평면상으로, 상기 제1 전극의 중심을 기준으로 방사상으로 연장된다.
상기 도전성 라인은 격자 형상을 갖는다.
상기 유기발광 표시장치는 상기 기판과 상기 제1 보호막 사이에 배치된 박막 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극과 연결된다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 도전성 라인과 연결된다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 기판상에 감광성 물질을 도포하여 감광성 물질층을 형성하는 단계; 상기 감광성 물질층을 패터닝하여 오목부 및 콘택홀을 갖는 제1 보호막을 형성하는 단계; 상기 오목부에 도전성 라인을 형성하는 단계; 상기 도전성 라인 상에 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2 보호막 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 오목부는 상기 제1 전극과 중첩하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 보호막을 형성하는 단계는, 패턴 마스크를 사용하여 상기 감광성 물질층을 노광하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극이 하부의 도전성 라인을 기준으로 대칭 배치되어, 방위각에 따른 유기발광 표시장치의 색편차가 감소된다. 또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 제1 전극이 평탄면에 배치되기 때문에 방위각에 따른 유기발광 표시장치의 색편차가 방지된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소에 대한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 어느 한 화소의 회로도이다.
도 3은 도 1의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 4는 백색 파장 변이(WAD)를 설명하는 단면도이다.
도 5a는 경사부에서의 공진을 설명하는 단면도이다.
도 5b는 구면 좌표계를 도시한다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소에 대한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조 공정도이다.
이하, 도면 및 실시예들을 중심으로 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 설명하는 도면이나 실시예들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
첨부된 도면들은 본 발명을 설명하기 위하여 예시적으로 선택된 것이다. 발명의 이해를 돕기 위하여 도면에서 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 한편, 도면에서 동일한 역할을 하는 요소들은 동일한 부호로 표시된다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 "상"에 있다라고 기재되는 경우, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성요소들과 다른 소자 또는 구성요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성요소가 제 2 또는 제 3 구성요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)의 화소에 대한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 어느 한 화소(PX)의 회로도이고, 도 3은 도 1의 I-I'선에 따른 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)는 복수의 화소를 포함한다. 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말한다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1), 구동 박막 트랜지스터(TFT2), 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(170) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
화소(PX)는 특정 색상의 빛, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 중 하나의 색을 갖는 빛을 생성할 수 있다. 그러나, 화소(PX)에서 생성되는 빛의 색상이 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 시안, 마젠타, 옐로우 등의 색상을 갖는 빛이 화소(PX)에서 생성될 수도 있다.
화소(PX)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 구동 전압 라인(DVL)과 연결된다. 게이트 라인(GL)은 일 방향으로 연장된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차하는 다른 방향으로 연장된다. 도 1을 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)은 데이터 라인(DL)과 실질적으로 동일한 방향으로 연장된다. 게이트 라인(GL)은 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인(DL)은 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인(DVL)은 구동 전압을 제공한다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(170)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 하나의 화소(PX)가 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 화소(PX)는 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 포함할 수도 있다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 구동 전압 라인(DVL) 및 커패시터(Cst)가 배치된 부분을 배선부라고 하며, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 구동 전압 라인(DVL) 및 커패시터(Cst)를 각각 배선이라고 한다. 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2) 역시 배선 중 하나 또는 배선의 일부라고 할 수 있다. 또한, 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 구동 전압 라인(DVL)은 도전성을 가지기 때문에, 이들을 각각 "도전성 라인"이라고도 한다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1) 및 제1 반도체층(SM1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 라인(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 라인(DL)에 연결된다.
제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)과 제6 콘택홀(CH6)을 통해 제1 축전판(CS1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2) 및 제2 반도체층(SM2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 축전판(CS1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 제10 콘택홀(CH10)을 통해 구동 전압 라인(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)을 통해 연결 전극(CN)과 연결되고, 연결 전극(CN)은 제7 콘택홀(CH7)을 통해 제1 전극(171)과 연결된다.
제1 전극(171) 상에 유기 발광층(172)이 배치되고, 유기 발광층(172) 상에 제2 전극(173)이 배치된다. 제2 전극(173)에는 공통 전압이 인가되며, 유기 발광층(172)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 빛을 생성한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제6 콘택홀(CH6)을 통해 제1 드레인 전극(DE1)과 연결되는 제1 축전판(CS1) 및 제8 콘택홀(CH8)과 제9 콘택홀(CH9)을 통해 구동 전압 라인(DVL)과 연결되는 제2 축전판(CS2)을 포함한다.
도 3을 참조하면, 기판(111) 상에 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)와 유기 발광 소자(170)가 배치된다.
기판(111)의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(111)은 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 기판(111)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등이 우수한 재료들 중에서 선택될 수 있다.
기판(111) 상에 버퍼층(미도시)이 배치될 수 있다. 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)로 불순물이 확산되는 것을 막는다.
기판(111) 상에 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)이 배치된다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 반도체 물질로 이루어지며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 소스 영역(SA), 드레인 영역(DA) 및 소스 영역(SA)과 드레인 영역(DA) 사이에 배치된 채널 영역(CA)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있으며, 산화물 반도체로 만들어질 수도 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 무기 반도체 물질 또는 유기 반도체 물질로 형성될 수 있다. 소스 영역(SA) 및 드레인 영역(DA)에 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2) 상에 게이트 절연막(121)이 배치된다. 게이트 절연막(121)은 제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2)을 보호한다. 게이트 절연막(121)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(121) 상에 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 배치된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)의 채널 영역(CA)과 중첩하여 배치된다. 또한, 게이트 절연막(121) 상에 제1 축전판(CS1)이 배치된다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 축전판(CS1)과 일체로 형성될 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1), 제2 게이트 전극(GE2) 및 제1 축전판(CS1) 상에 층간 절연막(122)이 배치된다. 층간 절연막(122)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
층간 절연막(122) 상에 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 배치된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연막(121) 및 층간 절연막(122)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)을 통해 제2 반도체층(SM2)의 드레인 영역(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연막(121) 및 층간 절연막(122)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)을 통해 제2 반도체층(SM2)의 소스 영역(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연막(121) 및 층간 절연막(122)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)을 통해 제1 반도체층(SM1)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연막(121) 및 층간 절연막(122)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)을 통해 제1 반도체층(SM1)과 접촉한다.
또한, 층간 절연막(122) 상에 데이터 라인(DL) 및 제2 축전판(CS2)이 배치된다.
제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 데이터 라인(DL) 및 제2 축전판(CS2) 상에 제1 보호막(131)이 배치된다. 제1 보호막(131)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 역할을 하며, 그 상면을 평탄화시키는 역할도 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 보호막(131)은 감광성 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제1 보호막(131)은 감광성 고분자 수지로 만들어질 수 있다.
제1 보호막(131) 상에 구동 전압 라인(DVL)과 연결 전극(CN)이 배치된다.
구동 전압 라인(DVL)과 연결 전극(CN)은 동일한 재료에 의해 동일 공정으로 만들어질 수 있다.
구체적으로, 구동 전압 라인(DVL)은 도전성 재료로 만들어진다. 예를 들어, 구동 전압 라인(DVL)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 구동 전압 라인(DVL)은 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이와 같이, 구동 전압 라인(DVL)은 도전성 재료로 만들어지는 도전성 라인이다.
구동 전압 라인(DVL)은 제1 보호막(131)에 형성된 제8 콘택홀(CH8) 및 제9 콘택홀(CH9)을 통해 제2 축전판(CS2)과 연결된다. 또한 구동 전압 라인(DVL)은 제1 보호막(131)에 형성된 제10 콘택홀(CH10)을 통해 제2 소스 전극(SE2)과 연결된다.
연결 전극(CN)은 제1 보호막(131)에 형성된 제3 콘택홀(CH3)을 통해 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다.
구동 전압 라인(DVL) 및 연결 전극(CN) 상에 제2 보호막(132)이 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 보호막(132)은 감광성 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제2 보호막(132)은 감광성 고분자 수지로 만들어질 수 있다.
제2 보호막(132)은 구동 전압 라인(DVL) 및 연결 전극(CN)을 보호하는 역할을 하며, 그 상면을 평탄화시키는 역할도 한다. 그러나, 구동 전압 라인(DVL) 및 연결 전극(CN)이 두꺼운 경우, 제2 보호막(132)에 의해 구동 전압 라인(DVL)과 연결 전극(CN)의 상부가 완전히 평탄화되는 것은 아니다. 최근, 배선의 집적화로 인하여, 적은 면적의 배선으로 많은 량의 전류나 데이터를 전송하여야 한다. 그에 따라, 배선의 두께가 두꺼워지고 있다. 이와 같이, 두꺼운 배선들이 배치되는 경우, 이러한 배선들, 예를 들어, 구동 전압 라인(DVL)과 연결 전극(CN)의 상부에 제2 보호막(132)이 배치되더라도, 그 상부가 완전히 평탄화되는 것은 아니다. 도 3을 참조하면, 제2 보호막(132)은 구동 전압 라인(DVL)의 상부에서 경사부(SL1, SL2)를 갖는다.
제2 보호막(132) 상에 제1 전극(171)이 배치된다. 제1 전극(171)은 제2 보호막(132)에 형성된 경사부(SL1, SL2)에도 배치된다. 제1 전극(171)은, 예를 들어, 양극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극(171)은 화소 전극이다.
제1 전극(171)은 제2 보호막(132)에 형성된 제7 콘택홀(CH7)을 통해 연결 전극(CN)과 연결된다. 연결 전극(CN)이 제1 보호막(131)에 형성된 제3 콘택홀(CH3)을 통해 제2 드레인 전극(DE2)과 연결됨으로써, 제1 전극(171)이 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1 전극(171) 하부에 구동 전압 라인(DVL)이 배치된다. 제1 전극(171)은 구동 전압 라인(DVL)과 중첩한다.
구동 전압 라인(DVL)은 도전성 라인의 하나이며, 제1 전극(171)은 도전성 라인의 하나인 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 대칭이다. 즉, 평면상으로, 제1 전극(171)은 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 대칭 배치된다.
도 1을 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)은 직선 형상을 가지며, 제1 전극(171)은 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 좌우 대칭이다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 구동 전압 라인(DVL)이 곡선 또는 꺾은선 형상을 가질 수도 있으며, 제1 전극(171)이 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 상하 대칭으로 배치될 수도 있다.
제2 보호막(132) 상에, 발광 영역을 구획하는 화소 정의막(190)이 배치된다.
화소 정의막(190)은 고분자 유기물로 만들어질 수 있다. 화소 정의막(190)은, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide, PI)계 수지, 폴리아크릴계 수지, PET 수지 및 PEN 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 정의막(190)은 폴리이미드(PI) 수지를 포함한다.
화소 정의막(190)은 개구부(195)를 정의하며, 개구부(195)를 통해 제1 전극(171)이 화소 정의막(190)으로부터 노출된다. 또한, 개구부(195)에 의해 유기 발광 소자(170)의 발광 영역이 정의된다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 제1 전극(171)은 화소 정의막(190)과 적어도 일부 중첩하며, 개구부(195)에서 화소 정의막(190)과 중첩하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 평면상으로, 개구부(195)는 도전성 라인의 하나인 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 대칭이다.
제1 전극(171)은 도전성을 가지며, 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(171)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(171)은 투명 도전성 산화물을 포함한다. 투명 도전성 산화물로, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나가 사용될 수 있다. 제1 전극(171)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(171)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
유기 발광층(172)은 제1 전극(171) 상에 배치된다. 구체적으로, 유기 발광층(172)은 제1 전극(171) 상의 개구부(195)에 배치된다. 화소 정의막(190)에 의하여 정의되는 개구부(195)의 측벽 및 화소 정의막(190)의 상부에도 유기 발광층(172)이 배치될 수 있다.
유기 발광층(172)은 발광 물질을 포함한다. 또한, 유기 발광층(172)은 호스트 및 발광 도펀트를 포함할 수 있다. 유기 발광층(172)은 공지의 물질에 의해 공지의 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(172)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
제1 전극(171)과 유기 발광층(172) 사이에 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 중 적어도 하나가 배치될 수도 있다(미도시).
유기 발광층(172) 상에 제2 전극(173)이 배치된다.
제2 전극(173)은 공통 전극일 수 있으며, 음극일 수 있다. 제2 전극(173)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
제2 전극(173)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(173)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 및 Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(173)은 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다.
제2 전극(173)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(173)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 및 Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 전극(173)은 반사막이나 반투과막에 더하여, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어진 투명 도전막을 더 포함할 수 있다.
유기 발광층(172)과 제2 전극(173) 사이에, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나가 배치될 수도 있다(미도시).
유기 발광 소자(170)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(171)은 반사형 전극이고, 제2 전극(173)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(171)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(173)은 반사형 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 소자(170)는 전면 발광형이며, 제1 전극(171)은 반사형 전극이고, 제2 전극(173)은 반투과형 전극이다.
도 4는 백색 파장 변이(WAD)를 설명하는 단면도이다.
유기발광 표시장치(101)는 다층의 적층 구조를 가지며(도 3 참조), 유기 발광층(172)에서 발생된 빛은 다층의 적층 구조를 통과하여 방출된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광층(172)에서 발생된 빛은 제2 전극(173)을 통과하여 외부로 방출된다.
두 개의 반사층 사이에서 빛이 반사를 반복하는 과정에서 광학적 공진이 발생하게 되면, 빛의 에너지가 증가되고, 증가된 에너지를 갖는 빛은 다층의 적층 구조를 용이하게 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 이와 같이, 두 개의 반사층 사이에서 빛이 공진될 수 있도록 만들어진 구조를 공진 구조라 하고, 공진이 이루어지는 두 개의 반사층 사이의 거리를 공진 거리라 한다. 공진 거리는 빛의 파장에 따라 달라진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)에 있어서, 제1 전극(171)은 반사 전극이고 제2 전극(173)은 반투과 전극이기 때문에, 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이에서 빛의 반사가 이루어져 빛의 공진이 발생할 수 있다. 유기 발광층(172)에서 발생되는 빛의 파장이 λ1이고, 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이의 거리가 t1 일 때, 다음 식 1의 관계가 만족되는 경우 빛의 공진이 발생할 수 있다.
[식 1]
2ㆍn1ㆍt1 = m1 ㆍ λ1
여기서, n1은 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이의 평균 굴절률이고, m1은 정수이다. 또한, 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이의 거리(t1)는 서로 대향하는 제1 전극(171)의 상면과 제2 전극(173)의 하면 사이의 거리이다. 여기서, λ1은 정면으로 방출되는 빛(L1)의 파장이다.
한편, 유기발광 표시장치(101)에서 동일한 색이 표시되더라도, 관찰자의 시야각에 따라 다른 색상이 시인되는 경우가 있다. 예를 들어, 백색의 빛을 방출하는 표시장치의 표시면을 정면에서 바라볼 때는 백색이 시인되지만, 측면에서 바라볼 때는 백색이 아닌 청색 또는 황색에 가까운 색이 시인되는 현상이 발생할 수 있다. 이를 백색 파장 변이(WAD)라 하며, 백색 파장 변이는 시야각에 따른 빛의 경로차에 의해 발생되는 것으로 알려져 있다.
도 4를 참조하면, 정면에서 시인되는 빛(L1)은 식 1에 따라 공진될 수 있다.
반면, 측면으로 방출되는 빛(L2)은 두께 t1, 굴절률 n1을 갖는 매질에서, θi의 각도로 경계면(Sb)에 입사되어 θo의 각도로 출사된다. 이 때, 측면으로 방출되는 빛(L2)의 파장이 λ2라고 할 때, 빛이 공진하기 위해 다음 식 2의 관계를 만족하는 것이 필요하다.
[식 2]
2ㆍn1ㆍt1ㆍcos(θi) = m2ㆍλ2
여기서, m2은 정수이다.
이 때, 경계면(Sb)에서의 입사각(θi)이 커지면 cos(θi) 값이 작아지고, 그에 따라 공진 조건이 달라지며, 공진 파장이 달라질 수 있다. 그 결과, 측면으로 방출되는 빛(L2)의 파장(λ2)은 정면에서 방출되는 빛(L1)의 파장과 다르다.
예를 들어, 입사각(θi)이 커지면 cos(θi) 값이 작아지고, 그에 따라 공진 조건을 만족하는 파장(λ2)이 작아진다. 그에 따라, 정면에서 방출되는 빛(L1)보다 단파장의 빛(L2)이 측면으로 방출되어, 백색 파장 변이(WAD)가 발생된다.
도 5a는 경사부에서의 공진을 설명하는 단면도이고, 도 5b는 구면 좌표계를 도시한다.
이미 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)의 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이에서 빛의 반사가 이루어져 빛의 공진이 발생한다.
도 3 및 도 5a를 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)의 두께로 인하여, 구동 전압 라인(DVL) 상부의 제2 보호막(132)에 경사부(SL1, SL2)가 형성된다. 또한, 경사부(SL1, SL2)에 배치된 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이에서도 공진이 발생한다. 경사부(SL1, SL2)에서 제1 전극(171)과 제2 전극(173)의 표면에 수직한 방향에서 공진된 빛들(L21, L22)은 동일 또는 유사한 파장을 가지지만 서로 다른 방향으로 방출될 것이다.
보다 구체적으로, 도 5a를 참조하면, 경사부(SL1, SL2)의 서로 다른 지점(R1, R2)에서 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 사이에서 공진된 빛들(L21, L22)은 측면 방향으로도 방출된다.
이 때, 도 5a에 도시된 좌측 경사부(SL1)와 우측 경사부(SL2)가 서로 대칭인 경우, 좌측과 우측에서 시인되는 빛(L21, L2)은 동일한 파장을 가질 것이다. 그러나, 좌측 경사부(SL1)와 우측 경사부(SL2)가 서로 대칭이 아닌 경우, 좌측 경사부(SL1)와 우측 경사부(SL2)에서의 공진 조건이 달라지며, 그에 따라 사용자의 시야각에 따라, 관찰되는 빛의 파장이 달라질 것이다.
도 5b는 거리(r), 경사각(θ) 및 방위각(φ)에 의하여 좌표를 결정하는 구면 좌표계를 도시한다. 만약, 좌측 경사부(SL1)와 우측 경사부(SL2)가 서로 비대칭인 경우, 구면 좌표계의 방위각(φ)에 따라 다른 파장의 빛이 시인될 것이다. 즉, 방위각(φ)에 따라 WAD에 편차가 발생한다. 이러한 WAD의 편차는 유기발광 표시장치(101)의 표시 특성을 저하시킨다.
본 발명의 일 실시예 따르면, 유기발광 표시장치(101)의 표시 특성 저하를 방지하기 위하여, 제1 전극(171) 하부에서 경사부(SL1, SL2)가 대칭으로 형성되도록 한다. 이를 위해, 제1 전극(171)은 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 대칭 배치된다. 그에 따라, 유기발광 표시장치(101)의 표시 특성이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(102)의 화소에 대한 평면도이다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 제1 보호막(131) 상에 배치된 도전성 라인인 구동 전압 라인(DVL)은, 평면상으로, 제1 전극(171)의 중심(C)을 기준으로 방사상으로 배치된다. 구체적으로, 도 6을 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)은 제1 전극(171)의 중심(C)을 기준으로 십자(+) 형태로 배치된다. 그 결과, 제1 전극(171)이 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 좌우 대칭 및 상하 대칭된다.
도 6을 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)은 가로 라인(HL)과 세로 라인(VL)을 포함한다. 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 구동 전압 라인(DVL)은 복수의 가로 라인(HL)과 복수의 세로 라인(VL)이 교차 배치된 메시 형태를 갖는다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 제1 보호막(131)은 오목부(135)를 가지며, 도전성 라인인 구동 전압 라인(DVL)이 오목부(135)에 배치된다. 여기서, 오목부(135)는 제1 전극(171)과 중첩한다. 즉, 제1 전극(171) 하부의 오목부(135)에 구동 전압 라인(DVL)이 배치된다.
오목부(135)의 깊이(d1)는 도전성 라인인 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1)와 실질적으로 동일하다. 예를 들어, 오목부(135)의 깊이(d1)와 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1)는 0.01㎛의 크기 차이를 가질 수 있다.
오목부(135)의 깊이(d1)와 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1)가 실질적으로 동일한 경우, 구동 전압 라인(DVL)의 상부에서 제2 보호막(132)이 평평하며, 제1 전극(171)이 평평한 표면에 형성될 수 있다. 그에 따라, 방위각(φ)에 따른 WAD의 편차가 방지된다.
그러나, 본 발명의 또 다른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 오목부(135)의 깊이(d1)는 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1)와 다를 수도 있다. 예를 들어, 오목부(135)의 깊이(d1)는 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1)보다 클 수도 있고 작을 수도 있다. 제2 보호막(132)이 유기물로 만들어지는 경우, 오목부(135)의 깊이(d1)와 구동 전압 라인(DVL)의 두께(h1) 차이가 크지 않으면, 유기물의 평탄화 작용에 의하여, 구동 전압 라인(DVL)의 상부에서 제2 보호막(132)이 평평한 표면을 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(104)의 단면도이다.
도 8에 도시된 유기발광 표시장치(104)는 유기 발광 소자(170)를 보호하기 위해 제2 전극(173) 상에 배치된 박막봉지층(140)을 포함한다. 박막봉지층(140)은 수분이나 산소가 유기 발광 소자(170)로 침투하는 것을 방지한다.
박막봉지층(140)은 교호적으로 배치된 적어도 하나의 무기막(141, 143) 및 적어도 하나의 유기막(142)을 포함한다. 도 8에 도시된 박막봉지층(140)은 2개의 무기막(141, 143)과 1개의 유기막(142)을 포함하고 있다. 그러나, 박막봉지층(140)의 구조가 도 8에 의해 한정되는 것은 아니다.
무기막(141, 143)은 금속 산화물, 금속 산질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기막(141, 143)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(141, 143)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(142)은, 예를 들어, 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어질 수 있다. 유기막(142)은 열증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 유기막(142)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(170)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(142)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(141, 143)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(141, 143)에 의해 유기 발광 소자(170)로의 침투가 차단된다.
무기막(141, 143)을 통과한 수분 및 산소는 유기막(142)에 의해 다시 차단된다. 유기막(142)은 투습 억제 외에 무기막(141, 143)과 무기막(141, 143) 사이에서, 각 층들 간의 응력을 줄여주는 완충층의 역할도 함께 수행한다. 또한, 유기막(142)은 평탄화 특성을 가지므로, 유기막(142)에 의해 박막봉지층(140)의 최상부면이 평탄해질 수 있다.
박막봉지층(140)은 얇은 두께를 가질 수 있기 때문에, 매우 얇은 두께를 갖는 유기발광 표시장치(104)가 만들어질 수 있다. 이러한 유기발광 표시장치(104)는 우수한 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(105)의 단면도이다.
도 9에 도시된 유기발광 표시장치(105)는 유기 발광 소자(170)를 보호하기 위해 제2 전극(173) 상에 배치된 밀봉 부재(150)를 포함한다.
밀봉 부재(150)는 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등의 광투과성 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 밀봉 부재(150)는 판(plate) 형상을 가지며, 기판(111)과 합착되어 유기 발광 소자(170)를 보호한다.
유기 발광 소자(170)와 밀봉 부재(150) 사이에 충진제(160)가 배치될 수 있다. 충진제(160)는 유기 물질, 예를 들어, 폴리머로 형성될 수 있다. 또한, 유기 발광 소자(170) 상에 금속 또는 무기물로 된 보호층(미도시)이 배치되어, 유기 발광 소자(170)를 보호할 수 있다.
이하, 도 10a 내지 도 10i를 참조하며, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)의 제조방법을 설명한다. 도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)의 제조 공정도이다.
도 10a를 참조하면, 기판(111) 상에 구동 박막 트랜지스터(TFT2), 커패시터(Cst) 및 데이터 라인(DL)이 형성된다. 도 10a에 도시되지 않았지만, 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 게이트 라인(GL)과 같은 배선들도 기판(111) 상에 형성된다.
도 10b를 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 포함하는 기판(111)의 전면에 감광성 물질이 도포되어 감광성 물질층(130)이 형성된다. 감광성 물질로, 예를 들어, 광분해성 고분자 수지가 사용될 수 있다. 광분해성 고분자 수지는 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다.
또한, 감광성 물질층(130)과 이격되어, 감광성 물질층(130) 상에 패턴 마스크(301)가 배치된다. 패턴 마스크(301)는 마스크 기판(310)과 마스크 기판(310) 상에 배치된 차광 패턴(320)을 포함한다. 차광 패턴(320)은 서로 다른 광투과율을 갖는 적어도 3개의 영역을 포함한다. 이러한 패턴 마스크(301)를 하프톤(half tone) 마스크 라고도 한다.
마스크 기판(310)으로 투명한 유리 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 마스크 기판(310)은 광투과성과 기계적 강도를 가지는 다른 재료로 만들어질 수도 있다.
차광 패턴(320)은 마스크 기판(310)에 차광 물질을 선택적으로 도포하는 것에 의하여 만들어질 수 있다. 차광 패턴(320)은 투광부(321), 차광부(322) 및 반투과부(323)를 포함한다.
투광부(321)는 빛이 투과하는 영역으로, 제3 콘택홀(CH3) 형성 영역 상부 및 제8 콘택홀(CH8) 형성 영역 상부에 위치한다.
차광부(322)는 빛의 투과가 차단되는 부분으로, 마스크 기판(310)에 차광물질을 도포하는 것에 의하여 만들어질 수 있다.
반투과부(323)는 입사된 빛의 일부가 투과되는 부분으로, 오목부(135) 형성 영역의 상부에 위치한다. 반투과부(323)는 투광영역(323a)과 차광슬릿(323b)이 교대로 배치된 구조를 가질 수 있다. 이때 투광영역(323a)과 차광슬릿(323b)의 간격 조절에 의해 반투과부(323)의 광투과도가 조정될 수 있다. 한편, 차광 물질의 농도 조절에 의해 반투과부(323)의 광투과도가 조정될 수도 있다.
도 10c를 참조하면, 패턴 마스크(301)를 사용하는 노광 및 현상에 의해 감광성 물질층(130)이 패터닝되어, 오목부(135), 제3 콘택홀(CH3) 및 제8 콘택홀(CH8)을 갖는 제1 보호막(131)이 형성된다. 구체적으로, 감광성 물질층(130)이 노광 및 현상된 후 열경화되어 제1 보호막(131)이 만들어질 수 있다.
도 10d를 참조하면, 제1 보호막(131) 상에 연결 전극(CN) 및 구동 전압 라인(DVL)이 형성된다.
연결 전극(CN)은 제3 콘택홀(CH3)을 통해 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다.
구동 전압 라인(DVL)은 제1 보호막(131)에 형성된 오목부(135)에 배치된다. 또한, 구동 전압 라인(DVL)은 제8 콘택홀(CH8)을 통해 제2 축전판(CS2)과 연결된다. 도시되지 않았지만, 제1 보호막(131)은 제9 콘택홀(CH9)을 가지며, 구동 전압 라인(DVL)은 제9 콘택홀(CH9)을 통해서도 제2 축전판(CS2)과 연결된다. 도시되지 않았지만, 구동 전압 라인(DVL)은 제10 콘택홀(CH10)을 통해 제2 소스 전극(SE2)과 연결된다.
도 10e를 참조하면, 연결 전극(CN) 및 구동 전압 라인(DVL) 상에 제2 보호막(132)이 형성된다. 제2 보호막(132)은 연결 전극(CN)의 일부를 노출하는 제7 콘택홀(CH7)을 갖는다.
제2 보호막(132)은 감광성 물질의 노광, 현상 및 경화에 의하여 만들어질 수 있다.
도 10f를 참조하면, 제2 보호막(132) 상에 제1 전극(171)이 형성된다.
제1 전극(171)은 오목부(135) 및 구동 전압 라인(DVL)과 중첩한다. 또한, 제1 전극(171)은 제7 콘택홀(CH7)을 통해 연결 전극(CN)과 연결된다. 제1 전극(171)은 연결 전극(CN)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다.
도 10g를 참조하면, 제1 전극(171)과 제2 보호막(132)을 포함하는 기판(111)의 상부에 화소 정의막(190)이 형성된다.
화소 정의막(190)은 감광성 물질로 만들어질 수 있는데, 예를 들어, 광분해성 고분자 수지로 만들어질 수 있다. 이러한 광분해성 고분자 수지로, 폴리이미드(Polyimide, PI)계 수지, 폴리아크릴계 수지, PET 수지, PEN 수지 등이 있다.
화소 정의막(190)에 의해 개구부(195)가 정의된다. 개구부(195)에 의해 제1 전극(171)이 화소 정의막(190)으로부터 노출된다. 즉, 화소 정의막(190)은 제1 전극(171)의 상면을 노출하며, 제1 전극(171)의 둘레를 따라 돌출된다. 화소 정의막(190)은 제1 전극(171)의 단부와 중첩하며, 개구부(195)는 제1 전극(171) 상에 위치한다. 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 평면상으로, 개구부(195)는 도전성 라인인 구동 전압 라인(DVL)을 기준으로 대칭이다.
10h를 참조하면, 화소 정의막(190)의 개구부(195)에 의해 드러난 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(172)이 형성된다. 유기 발광층(172)은 증착에 의해 형성될 수 있다.
도 10i를 참조하면, 유기 발광층(172) 상에 제2 전극(173)이 형성된다. 제2 전극(173)은 화소 정의막(190) 상에도 형성된다. 제2 전극(173)은 증착에 의하여 형성될 수 있다. 이와 같이, 도 7에 도시된 유기발광 표시장치(103)가 만들어질 수 있다.
이상, 도면 및 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였다. 상기 설명된 도면과 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예를 생각해 내는 것이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
111: 기판 121: 게이트 절연막
122: 층간 절연막 131: 제1 보호막
132: 제2 보호막 135: 오목부
140: 박막 봉지층 150: 밀봉 부재
170: 유기 발광 소자 171: 제1 전극
172: 유기 발광층 173: 제2 전극
190: 화소 정의막 195: 개구부
GL: 게이트 라인 DL: 데이터 라인
DVL: 구동 전압 라인 CN: 연결 전극

Claims (22)

  1. 기판;
    상기 기판상에 배치된 제1 보호막;
    상기 제1 보호막 상에 배치된 도전성 라인;
    상기 도전성 라인 상에 배치된 제2 보호막;
    상기 제1 보호막 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하며,
    상기 제1 전극은, 평면상으로, 상기 도전성 라인을 기준으로 대칭인 유기발광 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 구동 전압 라인인 유기발광 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 직선 형상을 갖는 유기발광 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 라인은, 평면상으로, 상기 제1 전극의 중심을 기준으로 방사상으로 연장된 유기발광 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 격자 형상을 갖는 유기발광 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 보호막 사이에 배치된 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극과 연결된 유기발광 표시장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 도전성 라인과 연결된 유기발광 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 보호막 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 정의하는 화소 정의막을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 개구부는, 평면상으로, 상기 도전성 라인을 기준으로 대칭인 유기발광 표시장치.
  11. 기판;
    상기 기판상에 배치되며 오목부를 갖는 제1 보호막;
    상기 오목부에 배치된 도전성 라인;
    상기 도전성 라인 상에 배치된 제2 보호막;
    상기 제1 보호막 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하며,
    상기 오목부는 상기 제1 전극과 중첩하는 유기발광 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 구동 전압 라인인 유기발광 표시장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 오목부의 깊이는 상기 도전성 라인의 두께와 실질적으로 동일한 유기발광 표시장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 오목부의 깊이는 상기 도전성 라인의 두께와 다른 유기발광 표시장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 직선 형상을 갖는 유기발광 표시장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 도전성 라인은, 평면상으로, 상기 제1 전극의 중심을 기준으로 방사상으로 연장된 유기발광 표시장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 도전성 라인은 격자 형상을 갖는 유기발광 표시장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 보호막 사이에 배치된 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극과 연결된 유기발광 표시장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 도전성 라인과 연결된 유기발광 표시장치.
  21. 기판상에 감광성 물질을 도포하여 감광성 물질층을 형성하는 단계;
    상기 감광성 물질층을 패터닝하여 오목부 및 콘택홀을 갖는 제1 보호막을 형성하는 단계;
    상기 오목부에 도전성 라인을 형성하는 단계;
    상기 도전성 라인 상에 제2 보호막을 형성하는 단계;
    상기 제2 보호막 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 오목부는 상기 제1 전극과 중첩하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1 보호막을 형성하는 단계는, 패턴 마스크를 사용하여 상기 감광성 물질층을 노광하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
KR1020160162811A 2016-12-01 2016-12-01 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 KR20180063416A (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160162811A KR20180063416A (ko) 2016-12-01 2016-12-01 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US15/825,359 US10454058B2 (en) 2016-12-01 2017-11-29 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
EP17204548.6A EP3331021A1 (en) 2016-12-01 2017-11-30 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
CN202311000123.0A CN117042494A (zh) 2016-12-01 2017-12-01 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN202310996130.4A CN117042537A (zh) 2016-12-01 2017-12-01 有机发光二极管显示装置
CN201711251073.8A CN108133952B (zh) 2016-12-01 2017-12-01 有机发光二极管显示装置
US16/576,381 US10879485B2 (en) 2016-12-01 2019-09-19 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US17/113,531 US11575101B2 (en) 2016-12-01 2020-12-07 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160162811A KR20180063416A (ko) 2016-12-01 2016-12-01 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180063416A true KR20180063416A (ko) 2018-06-12

Family

ID=60629429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160162811A KR20180063416A (ko) 2016-12-01 2016-12-01 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10454058B2 (ko)
EP (1) EP3331021A1 (ko)
KR (1) KR20180063416A (ko)
CN (3) CN117042537A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200092531A (ko) * 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180063416A (ko) 2016-12-01 2018-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102648132B1 (ko) * 2016-12-26 2024-03-15 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN109037304B (zh) * 2018-09-27 2020-03-27 武汉华星光电技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制作方法
CN109817670A (zh) * 2019-01-25 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示像素单元及有机发光显示面板结构
CN110289362B (zh) 2019-06-27 2023-05-23 京东方科技集团股份有限公司 量子点显示基板及其制作方法、显示装置
CN110610980B (zh) * 2019-10-23 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111341809A (zh) * 2020-03-06 2020-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210114595A (ko) * 2020-03-10 2021-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210116833A (ko) * 2020-03-17 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210147149A (ko) * 2020-05-27 2021-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20210148505A (ko) * 2020-05-28 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN114450799A (zh) * 2020-08-31 2022-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN115988929A (zh) * 2020-10-16 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置
CN115207253A (zh) * 2020-12-23 2022-10-18 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN113066838A (zh) * 2021-03-22 2021-07-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659757B1 (ko) * 2004-08-25 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR101162279B1 (ko) 2009-12-31 2012-07-04 로얄앤컴퍼니 주식회사 욕실 시스템 모듈
KR20110132816A (ko) * 2010-06-03 2011-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP6225902B2 (ja) 2012-06-15 2017-11-08 ソニー株式会社 表示装置および半導体装置
KR102072215B1 (ko) 2013-05-09 2020-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20150179580A1 (en) 2013-12-24 2015-06-25 United Microelectronics Corp. Hybrid interconnect structure and method for fabricating the same
KR102333739B1 (ko) 2014-10-06 2021-12-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 표시장치용 트랜지스터 구조
KR102300025B1 (ko) 2014-10-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9410453B2 (en) 2014-10-21 2016-08-09 Ford Global Technologies, Llc Method and system for variable cam timing device
KR102352282B1 (ko) 2014-12-29 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102382026B1 (ko) 2015-01-19 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102615687B1 (ko) 2016-11-15 2023-12-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180063416A (ko) 2016-12-01 2018-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101941890B1 (ko) 2017-01-11 2019-01-24 윤동열 개량된 압출 주입구조를 갖는 고무 사출 금형장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200092531A (ko) * 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN108133952A (zh) 2018-06-08
US10454058B2 (en) 2019-10-22
US11575101B2 (en) 2023-02-07
US20200013984A1 (en) 2020-01-09
CN108133952B (zh) 2023-08-25
EP3331021A1 (en) 2018-06-06
CN117042537A (zh) 2023-11-10
CN117042494A (zh) 2023-11-10
US20210091331A1 (en) 2021-03-25
US20180159065A1 (en) 2018-06-07
US10879485B2 (en) 2020-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108133952B (zh) 有机发光二极管显示装置
US11355563B2 (en) Display device with high refractive index and low refractive index layers
US11387290B2 (en) Photodetector, display substrate including photodetector, method of fabricating photodetector, and display panel
US10651265B2 (en) Organic light emitting display device
KR102518130B1 (ko) 유기발광 표시장치
US10446626B2 (en) Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US11482695B2 (en) Organic light emitting display device including a transparent region
US7772768B2 (en) Polarizer and flat panel display apparatus including the same
KR20180083469A (ko) 유기발광 표시장치
KR20100001597A (ko) 표시 장치와 그 제조 방법
CN108155213B (zh) 有机发光二极管显示装置
KR20150089435A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20150019325A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
US9865662B2 (en) Transparent organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR20160015433A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20150236303A1 (en) Pixel structure and manufacturing method thereof
KR20150057075A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102534082B1 (ko) 표시 기판, 표시장치 및 터치패널
KR101957145B1 (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법
KR20150005379A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180093188A (ko) 유기 발광 표시 장치
TW202428155A (zh) 雙側有機發光顯示裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal