CN114447028A - 显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板、以及显示装置。所述显示面板包括：衬底基板，衬底基板上层叠设置有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二栅极层、第一金属层及第二金属层；设置于所述第一金属层远离衬底基板一侧的若干有机发光二极管器件；第一金属层包括第二电源信号线；第二金属层包括初始化电压信号线、第二电源信号线、数据信号线；第二电源信号线与第二电极层在周边区电连接；有机发光二极管器件包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、发光层和第二电极层；其中，第二电源信号线包括多条第一方向走线和多条第二方向走线，第一方向走线和第二方向走线在衬底基板上的正投影相交。本发明能够降低显示面板的功耗。

Description

显示面板、显示装置
技术领域
本公开一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、一种包括该显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器因其具有自发光、对比度高、厚度薄、视角广、响应速度快、可弯折以及使用温度范围广等优点成为研究的热点。
当有机发光二极管用于显示面板中时，有机发光二极管通常包括第一电极层、第二电极层和夹在两个电极之间的发光层，并且各个发光单元的第二电极层整面制作。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板以及一种显示装置。
第一方面，提供一种显示面板，具有显示区与周边区，包括：衬底基板，所述衬底基板上层叠设置有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二栅极层、第一金属层及第二金属层；
设置于所述第一金属层远离衬底基板一侧的若干有机发光二极管器件；
所述第一金属层包括第二电源信号线；
所述第二金属层包括初始化电压信号线、第一电源信号线、数据信号线；
所述第二电源信号线与所述第二电极层在所述周边区电连接；
所述有机发光二极管器件包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、发光层和第二电极层；
其中，所述第二电源信号线包括多条第一方向走线和多条第二方向走线，所述第一方向走线和所述第二方向走线在所述衬底基板上的正投影相交。
在一些实施例中，第一方向走线和第二方向走线同层设置。
在一些实施例中，显示区内，第一方向走线与第二金属层在所述衬底基板上的正投影相交叠。
在一些实施例中，显示区内，第一方向走线与初始化电压信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
在一些实施例中，显示区内，第一方向走线与第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
在一些实施例中，显示区内，第一方向走线与数据信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
在一些实施例中，显示区内，第二方向走线与第二栅极层在所述衬底基板上的正投影相交叠。
在一些实施例中，两相邻设置的第一方向走线间具有M个子像素单元；
两相邻设置的所述第二方向走线间具有N个子像素单元；
M，N为正整数。
在一些实施例中，第一方向走线和所述第二方向走线异层设置。。
第二方面、提供一种显示装置，包括本申请各实施例所提供的的显示面板。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了根据本申请实施例的显示面板的示例性结构图；
图2示出了图1的第一金属层的示例性俯视图；
图3示出了图1的第一电极的示例性俯视图；
图4示出了图1的像素开口的示例性俯视图；
图5示出了图1的第一金属层、第一电极及像素开口叠设置的示例性俯视图；
图6示出了图1的显示面板的像素驱动电路的示例性示意图；
图7示出了子像素的TFT和电容器布局的示例性示意图；
图8至图11示出了图7布局中的各个层的平面图；
图12示出了根据本申请实施例的显示面板制造方法的示例性流程图；
图13示出了根据本申请另一实施例的显示面板制造方法的示例性流程图；
图14至图18示出了根据图12和图13中显示面板制造方法的的具体示例性示意图；
图19示出了第二电源信号线与显示面板整体示例性示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
发明人发现现有的显示面板有如下问题：目前有机发光二极管通常包括第一电极层、第二电极层和夹在两个电极之间的发光层，发光层至少包括一个空穴传输层、一个发光层和一个电子传输层。第一电极层和第二电极层形成的半导体微腔是一种窄化光谱的光学结构，发光层内产生的光子被限制在由两个镜面形成的腔体内，因此，发光二极管的发光特性不仅依赖有机发光材料本身所固有的特性，第一电极层、第二电极层等的形貌有着一定相关性。不恰当的第一电极层、或者第二电极层的设计将产生色偏，或者产生色分离。例如，在一个子像素单元，如果发光层的各部分发射的光强不相同，或者相同视角处看到的光强不相同时，观看者看到的图像将有色偏问题。另外，外界光线入射到显示面板后，经部分金属层(例如，第一电极层、第二电极层)反射形成反射光，当该反射光在相同视角处看到的光强不相同时，观看者看到的图像将有色分离问题。因此，采用合理的显示面板结构，使得相同视角处显示面板出射的光强相同，以及相同视角处显示面板反射的光强相同。
为了解决上述技术问题，本申请提供如下显示面板。
请参考图1，给出一种显示面板的结构示意图。该显示面板包括多个子像素单元，各子像素单元分别包括依次层叠设置的第一金属层110、第一平坦层111、第一电极层112、像素定义层113、发光层114和第二电极层115。其中：
第一金属层110至少包括一根均匀并排分布的纵向走线110-1；第一金属层110、第一电极层112、像素定义层113和第二电极层115分别采用轴对称结构。其中，当纵向走线110-1的数量为奇数时，以中心位置的纵向走线为对称结构的对称轴11；当纵向走线110-1的数量为偶数时，以最边缘两根纵向走线之间的中心线作为对称结构的对称轴12。
如图1所示，第一金属层110上依次层叠设置有第一平坦层111、第一电极层112、像素定义层113、发光层114、第二电极层115，其中，第一电极层112形成有与第一金属层110随形的凸起112-1，使得第一电极层112与第二电极层115之间形成的发光层114的厚度不均，进而引起发光层114发射的光强的不均、第一电极层112所反射的外部光的光强也会不均。因此将第一金属层110、第一电极层112、像素定义层113和第二电极层115分别设置为轴对称结构，使得对称轴两侧发光层发射的光线的光强相等，如与对称轴11距离相同的位置发射的光线R1与光线R2的光强相等、与对称轴12距离相同的位置发射的光线B1与光线B2的光强相等，对称轴11距离相同的位置反射的反射光线R3与反射光线R4的光强相等、对称轴12距离相同的位置反射的反射光线B3与反射光线B4的光强相等。这里的随形是指两个堆叠的层中，其中一层跟着另一层的结构变化而变化。第一金属层可根据需要传输信号，例如可传输像素驱动电路中的电源信号，这里不做限定。
请参考图1至图5，其中，图2示出了图1的第一金属层的示例性俯视图；图3示出了图1的第一电极的示例性俯视图；图4示出了图1的像素开口的示例性俯视图；图5示出了图1的第一金属层、第一电极及像素开口层叠设置的示例性俯视图；
在一些实施例中，子像素单元21的第一金属层110设置有一根纵向走线110-1；子像素单元21的第一电极层112包括一凸起112-1，该凸起112-1采用以纵向走线110-1为对称轴的轴对称结构。
需要说明的是，严格意义上来讲，这里的对称轴11可以理解为纵向走线110-1的中心线。当忽略纵向走线110-1的宽度时，可以认为对称轴为纵向走线110-1。本申请为了说明的便利采用后一种说法。
此时，外部光线经第一电极层112形成的反射光线以纵向走线110-1为对称轴对称。如与纵向走线110-1距离相同的位置的反射光R3与反射光R4的出射角相同且光强相等。防止了色分离的出现。
在一些实施例中，子像素单元21的像素定义层113包括一像素开口113-1，该像素开口113-1采用以纵向走线110-1为对称轴的轴对称结构；
子像素单元21的第二电极层115包括一凹陷115-1，该凹陷115-1采用以纵向走线110-1为对称轴的轴对称结构。
该实施例给出在一个子像素单元包括一根纵向走线的情况，此时，凸起112-1、凹陷115-1、像素开口115-1分别以纵向走线110-1为对称轴对称，因此第一电极层112与第二电极层115之间的发光层114也以纵向走线110-1为对称轴对称。此时，子像素单元21中形成以纵向走线110-1为对称轴对称的发光层。因此，发光层发出的光线的光强也以纵向走线110-1为对称轴而对称，如与纵向走线110-1距离相同的位置的出射光R1与出射光R2的出射角相同且光强相等。防止了色偏的出现。
如图1和图5所示，在一些实施例中，像素开口115-1在子像素单元21的第一金属层的正投影覆盖纵向走线110-1。图2、图3和图4分别给出第一金属层110、第一电极层112和像素开口113-1的俯视图，图5给出前三者的层叠结构图。如图2所示，第一金属层设置有均匀并排设置的纵向走线110-1，如图3所示，第一电极层设置有第一电极块112-1，如图4所示，像素定义层设置有像素开口113-1，如图5所示，子像素单元21的像素开口113-1和第一电极块112-2分别采用以纵向走线110-1为对称轴的对称结构，且子像素单元21的像素开口115-1在第一金属层的正投影覆盖所示纵向走线110-1。
请参考图1至图5，在一些实施例中，子像素单元22的第一金属层110设置有两根纵向走线；子像素单元22的第一电极层112包括两个凸起112-1，该凸起112-1分别位于纵向走线110的正上方。
该实施例给出，在一个子像素单元包括两根纵向走线的情况，此时，外部光线经第一电极层形成的反射光线也以对称轴12为对称轴而对称。如与对称轴12距离相同的位置反射的反射光R3与反射光R4的出射角相同且光强相等。防止了色分离的出现。
在一些实施例中，子像素单元22的像素定义层113包括一像素开口113-1，该像素开口113-1采用以两根纵向走线的中心线为对称轴的轴对称结构；
子像素单元22的第二电极层115包括一凹陷115-1，该凹陷115-1采用两根纵向走线110-1的中心线为对称轴的轴对称结构。
此时，凸起112-1、凹陷115-1、像素开口113-1分别以对称轴12为对称轴对称，因此第一电极层112与第二电极层115之间的发光层114也以对称轴12为对称轴对称。此时，子像素单元22中形成的以对称轴12为对称轴对称的发光层。因此，发光层114发出的光线的光强也以对称轴12为对称轴而对称，如与对称轴12距离相同的位置出射的出射光B1与出射光B2的出射角相同且光强相等。防止了色偏的出现。
如图1和图5所示，在一些实施例中，像素开口113-1在子像素单元22的第一金属层的正投影覆盖两根纵向走线110-1。图2、图3和图4分别给出第一金属层110、第一电极层112和像素开口113-1的俯视图，图5给出前三者的层叠结构图。如图2所示，第一金属层设置有均匀并排设置的纵向走线110-1，如图3所示，第一电极层设置有第一电极块112-1，如图4所示，像素定义层设置有像素开口113-1，如图5所示，子像素单元22的像素开口113-1和第一电极块112-2分别以纵向走线110-1之间的对称轴12为对称轴的对称结构，且子像素单元22的像素开口115-1在第一金属层的正投影覆盖所示两根纵向走线110-1。
需要说明的是，显示面板的各子像素单元可以包括一个纵向走线，或者各子像素单元包括两个纵向走线，或者部分子像素单元包括一个纵向走线另一部分子像素单元包括一个纵向走线。这里对上述结构不做限定，根据应用场景设定。
此外，一个子像素单元还包括多个纵向走线，此时，对称轴可根据纵向走线的数量来确定。当所述纵向走线的数量为奇数时，以中心位置的纵向走线为所述对称结构的对称轴，例如纵向走线为3个时，以中间的总线走线作为对称轴；当所述纵向走线的数量为偶数时，以最边缘的两根纵向走线之间的中心线作为所述对称结构的对称轴，例如纵向走线为2个时，以两根总线走线之间的中心线作为对称轴。
下面结合图1至图5给出一种显示面板的具体例子。其中，子像素单元21包括一根纵向走线，子像素单元22包括两根纵向走线。显示面板包括依次层叠设置的衬底基板101、缓冲层102、背板、电致发光器件、封装层116、黑矩阵117以及彩膜118。其中，背板包括依次层叠设置的有源层103、第一绝缘层104、第一栅极层(未标出，位于第一绝缘层104与第二绝缘层106之间)、第二绝缘层106、第二栅极层(未标出，位于第二绝缘层106与介电层108之间)、介电层108、第二金属层119、第二平坦层109、第一金属层110、第一平坦层111。电致发光器件包括依次层叠设置的第一电极层112、像素定义层113、发光层114和第二电极层115。其中，第一电极层112为第一电极层，第二电极层115为第二电极层。第二金属层119通过过孔132与有源层103连接。
另外，子像素单元21的第一电极层112、像素定义层113、发光层114和第二电极层115设置成以纵向走线110-1为对称轴的对称结构。子像素单元22的第一电极层112、像素定义层113、发光层114和第二电极层115设置成以中心线12为对称轴的对称结构。使得显示面板不会出现色偏和色分离的问题。
图6示出了图1的显示面板的像素驱动电路的示例性示意图。本申请的像素驱动电路采用具有9T1C结构(即9个晶体管和1个电容)的有源矩阵(AM)型有机发光驱动方式。如图1所示，像素驱动电路包括多条信号线、连接至信号线的多个TFT、储能电容C1以及有机发光二极管D1。信号线可在多个子像素之间共享。
多个TFT包括：驱动晶体管T3、第一复位晶体管T1、第二复位晶体管T7、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二补偿晶体管T9、初始化晶体管T8以及第一补偿晶体管T2。
多条信号线包括：用于传输复位信号Reset的复位信号线201；用于传输栅极信号Gate的栅极信号线202；用于传输发数据信号Data的数据信号线208；用于传输发光控制信号EM的发光控制信号线203；用于传输初始化电压信号Vint的初始化电压信号线207，用于传输参考电压信号Vref的参考电压信号线204。电源线包括用于传输第一电源信号VDD的第一电源信号线205、用于传输第二电源信号VSS的第二电源信号线206。
驱动晶体管T3包括：栅极，连接至储能电容C1的第二极即第二节点N2；第一极，用于接收第一电源信号ELVDD；第二极，连接至第一补偿晶体管T2的第二极即第三节点N3。
第一复位晶体管T1包括：栅极，用于接收复位信号Reset；第一极，连接至储能电容C1的第二极即第二节点；第二极，用于接收初始化电源信号Vint。
第二复位晶体管T7包括：栅极，用于接收复位信号Reset；第一极，用于接收参考电压信号Vref；第二极，连接至储能电容的第一极即第一节点N1。
写入晶体管T4包括：栅极，用于接收栅极信号Gata；第一极，连接至第一节点N1；第二极，用于接收数据信号Data。
第一发光晶体管T5包括：栅极，用于接收发光控制信号EM；第一极，用于接收参考电压信号Vref；第二极，连接至第一节点N1。
第一发光晶体管T6包括：栅极，用于接收发光控制信号EM；第一极，连接至第三节点N3；第二极，连接至发光二极管D1的第一电极层。
第二补偿晶体管T9包括：栅极，用于接收发光控制信号EM；第一极与第二极相连，连接至第二节点N2。实际上第二补偿晶体管T9可看作补偿电容，补偿N2点的电压。
初始化晶体管T8包括：栅极，用于接收栅极信号Gate；第一极，连接至发光二极管D1的第一电极层，第二极，用于接收初始化信号Vint。
图7示出了子像素的TFT和电容器布局的示例性示意图；图8至图11示出了图7布局中的各个层的平面图。具体地，图8至图11示出了同层布线或半导体层布置的实施方式，其中，图8为有源层203的平面图，图9为第一栅极层的平面图，图10为第二栅极层的平面图，图11为第二金属层119的平面图。另外，图7中还包括图2的第一金属层110的平面图。其中，第一栅极层位于第一绝缘层104与第二绝缘层106之间；第二栅极层位于第二绝缘层106与介电层108之间。如图7所示，图1是图7沿着AA'线的截面图。
参考图7至图11，图中包括行方向布置的用于传输复位信号Reset的复位信号线201；用于传输栅极信号Gate的栅极信号线202；用于传输发光控制信号EM的发光控制信号线203；用于传输参考电压信号Vref的参考电压信号线204，用于传输高电平的第一电源信号线205。其中，复位信号线201、栅极信号线202和发光控制信号线203设置在第一栅极层，参考电压信号线204和第一电源信号线205设置在第二栅极层。
图中还包括列方向布置的用于传输初始化电压信号Vint的初始化电压信号线207，用于传输发数据信号Data的数据信号线208；用于传输第一电源信号VDD的第一电源信号线205；用于传输低电平的第二电源信号线206。其中，初始化电压信号线207、数据信号线208和第一电源信号线205设置在第二金属层119，第二电源信号线206设置在第一金属层110上。
图8所示，驱动晶体管T3、第一复位晶体管T1、第二复位晶体管T7、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二补偿晶体管T9、初始化晶体管T8以及第一补偿晶体管T2可沿着图8中的有源层形成。有源层具有弯曲或弯折形状，包括初始化晶体管T8的有源层AC-T8、第一复位晶体管T1的有源层AC-T1、第一补偿晶体管T2的有源层AC-T2、驱动晶体管T3的有源层AC-T3、第二发光控制晶体管T6的有源层AC-T6、第二复位晶体管T7的有源层AC-T7、数据写入晶体管T4的有源层AC-T4、第二补偿晶体管T9的有源层AC-T9，以及第一发光控制晶体管T5有源层AC-T5。
有源层可包括多晶硅材料，并且包括沟道区、源极区和漏极区。沟道区可不掺杂有杂质，因此具有半导体特性。源极区和漏极区在沟道区的分别侧，且参杂有杂质，因此具有导电性。杂质根据晶体管是P型或N型而变化。源极区和漏极区可以被理解为晶体管的第一极或第二极。
储能电容包括第一储能电容板211和第二储能电容板212，分别位于第一栅极层和第二栅极层。其中，第一储能电容板211可作为驱动晶体管T3的栅极，第二储能电容板212可作为第二补偿晶体管的第一极或第二极。
如图19所示，显示面板包括显示区AA区以及环绕显示区的周边区；在显示面板中，第二电极层115常采用电阻较大的Mg/Ag制作，从而会导致在第二电极层115上有较大的压降(IR Drop)，进而也会导致增大驱动功耗，为解决上述问题，在第一金属层制备第二电源信号线206，在周边区与第二电极层115相连，相当于将第二电源信号线206与第二电极层115并联，因此可以减少第二电极层115的电阻，从而减小第二电源信号的压降，进而减小显示面板的驱动功耗；第二电源信号线206包括多条第一方向走线和多条第二方向走线，第一方向走线和第二方向走线在衬底基板101上的正投影相交，即为网格状的形状，为更好的减小显示面板的驱动功耗，其中第一方向为数据信号线延伸的方向，即纵方向；第二方向为栅极信号线延伸方向，即为行方向。
在本发明的一些实施例中，为减少显示面板的厚度，达到显示面板的轻薄化，选择将第二电源信号线206的第一方向走线和第二电源信号线206的第二方向走线同层设置，同层设置为两个方向走线设置在相同的膜层，可以使用相同材质或不同材质制成。
在本发明的一些实施例中，为减少第二电源信号线206对显示区透光面积的影响，在显示区内，第二电源信号线206的第一方向走线与第二金属层在衬底基板101上的正投影相交叠，减少第一方向走线对显示区透光面积的影响。
在本发明的一些实施例中，在显示区内，第二电源信号线206的第一方向走线与初始化电压信号线207在衬底基板101上的正投影相交叠，减少第一方向走线对显示区透光面积的影响。
在本发明的一些实施例中，在显示区内，第二电源信号线206的第一方向走线与第一电源信号线205在衬底基板101上的正投影相交叠，减少第一方向走线对显示区透光面积的影响。
在本发明的一些实施例中，在显示区内，第二电源信号线206的第一方向走线与数据信号线208在衬底基板101上的正投影相交叠，减少第一方向走线对显示区透光面积的影响。
在本发明的一些实施例中，在显示区内，第二电源信号线206的第二方向走线与第二栅极层在衬底基板上的正投影相交叠，减少第一方向走线对显示区透光面积的影响；其中，可以选择在第二栅极层上的参考电压信号线204或者在第二栅极层上的第一电源信号线205在衬底基板上的正投影相交叠；为避免产生层间电容对信号线负载产生影响，最优选择与在第二栅极层上的第二储能电容板212在衬底基板101上的正投影相交叠。
在本发明的一些实施例中，两相邻设置的所述第一方向走线间具有M个子像素单元；两相邻设置的所述第二方向走线间具有N个子像素单元；M，N为正整数；根据实际工艺条件进行选择。
在本发明的一些实施例中，选择将第二电源信号线206的第一方向走线和第二电源信号线206的第二方向走线异层设置，减少工艺难度，可以节省工艺成本，其中异层设置为两个方向走线位于不同的膜层。
本申请还提供一种显示装置，包括本申请各实施例所提供的显示面板。
本申请还提供一种显示面板的制造方法。如图12所示，该制造方法包括如下步骤：
步骤S101：在衬底基板上形成背板，背板包括依次层叠设置的第一金属层和第一平坦层，一子像素单元的第一金属层包括一根纵向走线。
步骤S102：形成第一电极层，第一电极层包括一凸起，该凸起以纵向走线为对称轴；
步骤S103：形成像素定义层，像素定义层设置有像素开口，该像素开口以纵向走线为对称轴；
步骤S104：形成发光层；
步骤S105：形成第二电极层，第二电极层包括一凹陷，该凹陷以纵向走线为对称轴。
下面结合图14至图18说明上述制造过程。图中包括子像素单元21和子像素单元22，下面以子像素单元21为例进行说明。
如图14所示，在衬底基板101上形成背板，背板包括依次层叠设置的第一金属层110和第一平坦层111，子像素单元21的第一金属层110包括一根纵向走线110-1。其中，背板包括依次层叠设置的有源层103、第一绝缘层104、第一栅极层(未标出，位于第一绝缘层104与第二绝缘层106之间)、第二绝缘层106、第二栅极层(未标出，位于第二绝缘层106与介电层108之间)、介电层108、第二平坦层109、第一金属层110、第一平坦层111。
图15所示，在图14的第一平坦层111上形成第一电极层112，第一电极层包括一凸起112-1，该凸起112-1以纵向走线为对称轴。
如图16所示，在图15的第一电极层112上形成像素定义层113，像素定义层113设置有像素开口113-1，该像素开口以纵向走线为对称轴。
如图17所示，在图16的像素定义层113上形成发光层114，子像素单元21的发光层为对称结构，以纵向走线为对称轴。
如图18所示，在图17的发光层114上形成第二电极层115，第二电极层115包括一凹陷115-1，该凹陷以纵向走线为对称轴。
在所示第二电极层115上，依次形成封装层116、黑矩阵117、彩膜118后形成如图1所示的显示面板。
其中，各层的形成方法可采用现有工艺方法即可，这里不再赘述。
本申请还提供一种显示面板的制造方法。如图13所示，该制造方法包括如下步骤：
步骤S201：在衬底基板上形成背板，背板包括依次层叠设置的第一金属层和第一平坦层，一子像素单元的第一金属层包括两根纵向走线；
步骤S202：形成第一电极层，第一电极层包括两个凸起，该凸起分别位于纵向走线的正上方；
步骤S203：形成像素定义层，像素定义层设置有像素开口，该像素开口以两根纵向走线之间的中心线为对称轴；
步骤S204：形成发光层；
步骤S205：形成第二电极层，第二电极层包括一凹陷，该凹陷以两根纵向走线之间的中心线为对称轴。
下面结合图14至图18说明上述制造过程。图中包括子像素单元21和子像素单元22，下面以子像素单元22为例进行说明。
如图8所示，在衬底基板上形成背板，背板包括依次层叠设置的第一金属层110和第一平坦层111，一子像素单元22的第一金属层110包括两根纵向走线110-1。其中，背板包括依次层叠设置的有源层103、第一绝缘层104、第一栅极层(未标出，位于第一绝缘层104与第二绝缘层106之间)、第二绝缘层106、第二栅极层(未标出，位于第二绝缘层106与介电层108之间)、介电层108、第二平坦层109、第一金属层110、第一平坦层111。
图15所示，在图14的第一平坦层111上形成第一电极层112，第一电极层包括两个凸起112-1，该两个凸起112-1以中心线12为对称轴。
如图16所示，在图15的第一电极层112上形成像素定义层113，像素定义层113设置有像素开口113-1，该像素开口以中心线12为对称轴。
如图17所示，在图16的像素定义层113上形成发光层114，子像素单元21的发光层为对称结构，以中心线12为对称轴。
如图18所示，在图17的发光层114上形成第二电极层115，第二电极层115包括一凹陷115-1，该凹陷以中心线12为对称轴。
在所示第二电极层115上，依次形成封装层116、黑矩阵117、彩膜118后形成如图1所示的显示面板。
需要说明的是，一个显示面板的各子像素单元可以都采用包括一个纵向走线的结构，或者各子像素单元可以都采用包括两个纵向走线的结构，或者部分子像素单元采用包括一个纵向走线的结构另一部分子像素单元采用包括两个个纵向走线的结构。这里对上述结构不做限定，根据应用采用设定。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种显示面板，具有显示区与周边区，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上层叠设置有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二栅极层、第一金属层及第二金属层；
设置于所述第一金属层远离衬底基板一侧的若干有机发光二极管器件；
所述第一金属层包括第二电源信号线；
所述第二金属层包括初始化电压信号线、第一电源信号线、数据信号线；
所述第二电源信号线与所述第二电极层在所述周边区电连接；
所述有机发光二极管器件包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、发光层和第二电极层；
其中，所述第二电源信号线包括多条第一方向走线和多条第二方向走线，所述第一方向走线和所述第二方向走线在所述衬底基板上的正投影相交。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一方向走线和所述第二方向走线同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示区内，所述第一方向走线与所述第二金属层在所述衬底基板上的正投影相交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示区内，所述第一方向走线与所述初始化电压信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示区内，所述第一方向走线与所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示区内，所述第一方向走线与所述数据信号线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示区内，所述第二方向走线与所述第二栅极层在所述衬底基板上的正投影相交叠。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，两相邻设置的所述第一方向走线间具有M个子像素单元；
两相邻设置的所述第二方向走线间具有N个子像素单元；
M，N为正整数。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一方向走线和所述第二方向走线异层设置。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7，9任一项所述的显示面板。
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