CN108172596B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管显示装置包括钝化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极。该钝化层包括沟槽和凹陷部分。第一电极位于钝化层上。像素限定层位于钝化层上并且限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上。凹陷部分与开口重叠并且与开口的边缘间隔开。沟槽与第一电极间隔开。

Description

有机发光二极管显示装置
相关申请的交叉引用
2016年12月7日提交的名称为“有机发光二极管显示装置及其制造方法”的韩国专利申请第10-2016-0165785号通过引用整体合并于此。
技术领域
本文描述的一个或多个实施例涉及有机发光二极管显示装置和用于制造这种显示装置的方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置具有低功耗、高亮度和高反应速度。这种显示装置具有带有多层结构的像素，该多层结构包括有机发光二极管。但是，这种结构可能产生可能降低显示质量的色偏。
发明内容
根据一个或多个实施例，一种有机发光二极管显示装置包括基板；位于基板上并且包括沟槽和凹陷部分的钝化层；位于钝化层上的第一电极；位于钝化层上的像素限定层，该像素限定层限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口；位于第一电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的第二电极，其中凹陷部分与开口重叠且与开口的边缘间隔开，并且其中沟槽与第一电极间隔开。
沟槽可以围绕第一电极的至少一部分。沟槽可以包括相互间隔开并且部分地围绕第一电极的多个凹陷图案。沟槽可以与第一电极间隔开范围从约1μm至约5μm的距离。沟槽可以具有范围从约1.0μm至约3.0μm的宽度。沟槽可以具有范围从约0.2μm至约1.0μm的深度。
在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。开口的边缘相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。开口的边缘相对于基板的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。
凹陷部分可以与开口的边缘间隔开范围从约0.5μm至约5.0μm的距离。凹陷部分的边缘的至少一部分可以平行于开口的边缘。凹陷部分可以具有范围从约1.0μm至约2.0μm的宽度。凹陷部分可以具有范围从约0.3μm至约0.7μm的深度。
钝化层可以包括多个凹陷部分。多个凹陷部分中的每个可以具有线形平面形状。多个凹陷部分可以相互平行。凹陷部分可以以径向方式来布置。多个凹陷部分可以具有不同的深度。
显示装置可以包括位于基板与钝化层之间的薄膜晶体管；以及连接至薄膜晶体管的一条或多条布线，其中多个凹陷部分中的至少一个与一条或多条布线重叠，并且其中与一条或多条布线重叠的凹陷部分具有比不与一条或多条布线重的凹陷部分的深度小的深度。一条或多条布线可以包括数据线、驱动电压线以及电容器。显示装置可以包括位于像素限定层上的间隔件。
根据一个或多个其他实施例，一种用于制造有机发光二极管显示装置的方法包括：通过在基板上涂敷感光材料层来形成感光材料层；对感光材料层进行图案化以形成包括沟槽和凹陷部分的钝化层；在钝化层上形成第一电极；在钝化层上形成像素限定层，该像素限定层限定用于暴露第一电极的至少一部分的开口；在第一电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极，其中凹陷部分与开口重叠且与开口的边缘间隔开，并且其中沟槽与第一电极间隔开。
形成钝化层可以包括在对感光材料层进行图案化之后热固化图案化的感光材料层。凹陷部分和沟槽可以以相同的工艺来限定。第一电极可以与沟槽间隔开范围从约1μm至约5μm的距离。在钝化层与像素限定层重叠的边界处，钝化层相对于基板的表面可以具有基本上相同的高度。
附图说明
通过参考附图详细地描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：
图1示出像素的布局实施例；
图2示出像素的电路实施例；
图3示出沿图1中的线I-I'截取的剖视图；
图4A和图4B示出像素的第一电极、凹陷部分和沟槽的实施例；
图5A和图5B示出像素的第一电极、凹陷部分和沟槽的附加实施例；
图6A和图6B示出像素的第一电极、凹陷部分和沟槽的附加实施例；
图7示出像素的第一电极、凹陷部分和沟槽的另一实施例；
图8A和图8B示出像素的第一电极、凹陷部分和沟槽的附加实施例；
图9A示出白光角度依赖性(WAD)的示例，并且图9B示出根据观察角度的波长偏移的示例；
图10示出在凹陷部分处的共振的示例；
图11示出有机发光二极管显示装置的实施例；
图12示出有机发光二极管显示装置的另一实施例；
图13A至图13J示出用于制造有机发光二极管显示装置的实施例的方法的实施例的各阶段；
图14A和图14B示出用于制造有机发光二极管显示装置的方法的另一实施例的各阶段；
图15示出像素的另一实施例；
图16示出沿图15中的线II-II'截取的剖视图；
图17示出像素的另一实施例；
图18示出沿图17中的线III-III'截取的剖视图；以及
图19示出像素的另一实施例。
具体实施方式
参考附图描述了示例性实施例，然而，它们可以以不同的形式来体现，而不应被解释为局限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开是充分且完整的，并且将向本领域技术人员传达示例性实施方式。实施例(或其部分)可以组合以形成另外的实施例。
在图中，为了图示的清楚起见，层和区域的尺寸可能会被放大。还应理解，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，其可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解，当层被称为在另一层“下方”时，它可以直接位于下方，并且也可以存在一个或多个中间层。另外，还应理解，当层被称为在两层“之间”时，它可以是这两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。
当元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可以直接地连接或耦接至另一元件，或者间接地连接或耦接至另一元件而其间插入有一个或多个中间元件。此外，当元件被称为“包括”组件时，这表示该元件可以进一步包括另一组件而不是排除另一组件，除非有不同的公开内容。
考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量关联的误差(即测量系统的限制)，本文中使用的“大约”、“近似”或“基本上”包括所列举的值，并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所列举的值的±30％、20％、10％、5％内。
图1示出有机发光二极管(OLED)显示装置101的像素PX的布局实施例。图2示出像素PX的电路实施例。图3示出沿着图1中的线I-I'截取的剖视图。OLED显示装置101包括多个像素PX。(像素PX可以例如指代用于显示图像的最小单元)。
参考图1、图2和图3，像素PX包括开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2、OLED170以及电容器Cst。像素PX可以产生具有例如红色、绿色或蓝色、青色、品红色、黄色、白色或者另一颜色等预定颜色的光。
像素PX连接至栅极线GL、数据线DL以及驱动电压线DVL。栅极线GL在一个方向上延伸。数据线DL在与栅极线GL相交的另一方向上延伸。参考图1，驱动电压线DVL在与数据线DL延伸的方向基本上相同的方向上延伸。栅极线GL传输扫描信号，数据线DL传输数据信号，并且驱动电压线DVL传输驱动电压。
薄膜晶体管TFT1和TFT2可以包括用于控制OLED 170的驱动薄膜晶体管TFT2和用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。虽然该实施例中的每个像素PX具有两个薄膜晶体管TFT1和TFT2，然而在另一实施例中，每个像素PX可以具有不同数量的薄膜晶体管和/或电容器，例如，一个薄膜晶体管和一个电容器，或者三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。
薄膜晶体管TFT1和TFT2、栅极线GL、数据线DL、驱动电压线DVL和电容器Cst被布置的部分可以被称为布线部分。栅极线GL、数据线DL、驱动电压线DVL和电容器Cst中的每一个可以被称为布线。此外，薄膜晶体管TFT1和TFT2可以是布线中的一个或者是布线的一部分。
开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1以及第一半导体层SM1。第一栅电极GE1连接至栅极线GL，并且第一源电极SE1连接至数据线DL。
第一漏电极DE1通过第五接触孔CH5和第六接触孔CH6连接至第一电容器极板CS1。开关薄膜晶体管TFT1根据被施加到栅极线GL的扫描信号将被施加到数据线DL的数据信号传输到驱动薄膜晶体管TFT2。
驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2以及第二半导体层SM2。第二栅电极GE2连接至第一电容器极板CS1。第二源电极SE2连接至驱动电压线DVL。第二漏电极DE2通过第三接触孔CH3连接至第一电极171。
有机发光层172位于第一电极171上，并且第二电极173位于有机发光层172上。公共电压被施加到第二电极173。有机发光层172根据驱动薄膜晶体管TFT2的输出信号产生光。
电容器Cst可以例如连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2与第二源电极SE2之间。在另一实施例中，电容器Cst可以以不同的方式来连接。电容器Cst充入并保持输入到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的信号。电容器Cst包括通过第六接触孔CH6连接至第一漏电极DE1的第一电容器极板CS1和连接至驱动电压线DVL的第二电容器极板CS2。
参考图3，薄膜晶体管TFT1和TFT2以及OLED 170位于基板111上。基板111可以包括例如诸如玻璃、塑料、石英等的绝缘材料。基板111的材料可以例如从在机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、便于处理和防水性方面优异的材料中选择。
缓冲层可以位于基板111上，以基本上防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2中。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2位于基板111上。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2包括半导体材料并且分别充当开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的有源层。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每一个包括位于源区SA与漏区DA之间的沟道区CA。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2可以包括例如非晶硅或多晶硅，并且可以包括氧化物半导体。例如，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每一个可以包括无机半导体材料或有机半导体材料。源区SA和漏区DA可以被掺杂有n型杂质或者p型杂质。
栅极绝缘层121位于第一半导体层SM1和第二半导体层SM2上并且可以保护第一半导体层SM1和第二半导体层SM2。栅极绝缘层121可以包括有机绝缘材料或者无机绝缘材料。
第一栅电极GE1和第二栅电极GE2位于栅极绝缘层121上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2可以分别与第一半导体层SM1的沟道区CA和第二半导体层SM2的沟道区CA重叠。第一电容器极板CS1位于栅极绝缘层121上。在一个实施例中，第二栅电极GE2和第一电容器极板CS1可以具有一体化构造。
绝缘夹层122位于第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第一电容器极板CS1上。绝缘夹层122可以包括有机绝缘材料或者无机绝缘材料。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2以及第二漏电极DE2位于绝缘夹层122上。第二漏电极DE2通过限定在栅极绝缘层121和绝缘夹层122处的第一接触孔CH1接触第二半导体层SM2的漏区DA。第二源电极SE2通过限定在栅极绝缘层121和绝缘夹层122处的第二接触孔CH2接触第二半导体层SM2的源区SA。第一源电极SE1通过限定在栅极绝缘层121和绝缘夹层122处的第四接触孔CH4接触第一半导体层SM1。第一漏电极DE1通过限定在栅极绝缘层121和绝缘夹层122处的第五接触孔CH5接触第一半导体层SM1。
数据线DL、驱动电压线DVL以及第二电容器极板CS2位于绝缘夹层122上。第二电容器极板CS2和驱动电压线DVL可以具有一体化构造。
钝化层130位于第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2以及第二漏电极DE2上。钝化层130用来保护开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2，并且也用来使开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的上表面平整。
根据示例性实施例，钝化层130包括聚合树脂。例如，钝化层130可以包括聚酰亚胺(PI)。参考图1和图3，钝化层130包括凹陷部分211、212、213和214以及沟槽711。
第一电极171位于钝化层130上并且可以例如是阳极。根据示例性实施例，第一电极171是像素电极。第一电极171通过钝化层130处的第三接触孔CH3连接至驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。
像素限定层190划分发光区并且位于钝化层130上。像素限定层190可以包括例如聚合物有机材料。像素限定层190可以包括例如聚酰亚胺(PI)树脂、聚丙烯酸物树脂、PET树脂和PEN树脂中的至少一种。根据示例性实施例，像素限定层190包括聚酰亚胺(PI)树脂。
像素限定层190限定开口195。第一电极171通过开口195从像素限定层190暴露。OLED 170的发光区由开口195限定并且可以被称为像素区。
参考图1和图3，像素限定层190暴露第一电极171的上表面，并且沿着像素PX中的每个的周边从第一电极171突出。第一电极171与像素限定层190的至少一部分重叠并且在开口195处不与像素限定层190重叠。开口195可以被限定为第一电极171上方的不与像素限定层190重叠的区域。在开口195处像素限定层190与第一电极171接触的边界可以被称为开口195的边缘191。
第一电极171具有导电性并且可以是透射电极、半透电极或者反射电极。当第一电极171是透射电极时，第一电极171包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以包括例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。当第一电极171是半透电极或者反射电极时，第一电极171可以包括例如银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬和铜中的至少一种。
有机发光层172位于第一电极171上。例如，有机发光层172被设置在开口195处的第一电极171上。有机发光层172可以位于由像素限定层190限定的开口195的侧壁上并且位于像素限定层190上。
有机发光层172包括发光材料。此外，有机发光层172可以包括主体和发光掺杂剂。有机发光层172可以例如使用各种方法来形成，诸如真空沉积法、旋涂法、铸造法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光打印法、激光感应热成像(LITI)法等。空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个可以位于第一电极171与有机发光层172之间。
第二电极173位于有机发光层172上并且可以是公共电极或者阴极。第二电极173可以是透射电极、半透电极或者反射电极。当第二电极173是透射电极时，第二电极173可以包括例如锂、钙、氟化锂/钙、氟化锂/铝、铝、镁、氟化钡、钡、银和铜中的至少一种。在一个实施例中，第二电极173可以包括银和镁的混合物。
当第二电极173是半透电极或者反射电极时，第二电极173可以包括例如银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、氟化锂/钙、氟化锂/铝、钼、钛和铜中的至少一种。此外，除了半透电极或者反射电极之外，第二电极173还可以包括例如透明导电层，该透明导电层包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)和铟锡锌氧化物(ITZO)等中的至少一种。
电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个可以位于有机发光层172与第二电极173之间。
当OLED 170是顶部发射型时，第一电极171可以是反射电极，并且第二电极173可以是透射电极或者半透电极。当OLED 170是底部发射型时，第一电极171可以是透射电极或者半透电极，并且第二电极173可以是反射电极。根据示例性实施例，OLED170是顶部发射型，第一电极171是反射电极，并且第二电极173是半透电极。
根据示例性实施例，钝化层130包括形成在第一电极171之外的沟槽711以及位于第一电极171下方并且与开口195重叠的凹陷部分211、212、213和214。沟槽711在平面上与第一电极171间隔开。参考图3，沟槽711可以具有凹形剖面，但是在另一实施例中可以具有不同的剖面。
当在用于形成钝化层130的聚合树脂的热硬化过程中该聚合树脂具有流动性时，沟槽711用来基本上防止聚合树脂流到凹陷部分211、212、213和214并且防止破坏凹陷部分211、212、213和214的图案稳定性。例如，用于形成钝化层130的聚合树脂的热硬化进行并且聚合树脂在热硬化过程中具有流动性。当具有这种流动性的聚合树脂流到凹陷部分211、212、213和214时，凹陷部分211、212、213和214可能被掩埋。而且，凹陷部分211、212、213和214的深度可减小，或者凹陷部分211、212、213和214可能消失。当凹陷部分211、212、213和214以这种方式被掩埋时，可能无法实现借助于凹陷部分211、212、213和214基本上防止色偏和WAD的效果。
为了基本上防止这种情况，根据示例性实施例，在第一电极171周围形成沟槽711。当在第一电极171周围形成沟槽711时，已获得流动性的聚合树脂可以在热硬化过程中流到沟槽711。因此，可以基本上防止聚合树脂流到凹陷部分211、212、213和214。因此，可以确保凹陷部分211、212、213和214的图案稳定性。而且，可以借助于凹陷部分211、212、213和214实现基本上防止色偏和WAD的作用。
根据示例性实施例，沟槽711在平面上可以完全围绕第一电极171。在一个实施例中，沟槽711可以部分地围绕第一电极171(例如，见图4A、图4B、图5A、图5B、图17和图19)。此外，沟槽711也可以包括部分地围绕第一电极171的多个凹陷图案(例如，见图4A、图4B、图5A、图5B、图17和图19)。
根据示例性实施例，沟槽711具有预定的宽度b1和预定的深度d3，并且与第一电极171间隔开。
第一电极171与沟槽711之间的空间s1可以取决于OLED 170的尺寸、第一电极171的尺寸、相邻的第一电极171之间的距离和/或其他因素。根据示例性实施例，沟槽711可以与第一电极171间隔开范围从约1μm至约5μm的距离。例如，沟槽711可以与第一电极171间隔开范围从约1.5μm至约2.5μm的距离。
沟槽711可以具有范围从约1.0μm至约3.0μm的宽度b1。沟槽711的宽度b1可以例如根据相邻的第一电极171之间的距离而变化。
沟槽711可以具有范围从约0.2μm至约1.0μm的深度d3。例如，沟槽711可以具有范围从约0.3μm至约0.7μm的深度d3。沟槽711的深度d3可以例如根据钝化层130的厚度而变化。当钝化层130具有约1μm或更大的厚度时，沟槽711可以具有约1μm或者更大的深度。当钝化层130具有约0.3μm或者更小的厚度时，沟槽711可以具有约0.3μm或者更小的深度。
钝化层130在与像素限定层190所限定的开口195重叠的区域处包括凹陷部分211、212、213和214。由于第一电极171也在凹陷部分211、212、213和214上方，因此第一电极171包括凹陷部分。
凹陷部分211、212、213和214在平面上与开口195的边缘191间隔开。例如，凹陷部分211、212、213和214的边缘BR在平面上与开口195的边缘191间隔开。
开口195的边缘191可以指开口195的边界，并且可以被定义为例如像素限定层190与第一电极171接触的边界。在一个实施例中，开口195的边缘191可以被定义为钝化层130在平面上与像素限定层190相互重叠的边界。
参考图1和图3，凹陷部分211、212、213和214不存在于开口195的边缘191的下方。例如，凹陷部分211、212、213和214不与开口195的边缘191重叠。
因此，在钝化层130与像素限定层190重叠的边界处，钝化层130相对于基板111的表面具有基本上相同的高度h1。例如，钝化层130沿着开口195的边缘191具有基本上相同的高度h1。在一个实施例中，在钝化层130与像素限定层190重叠的边界处，钝化层130相对于基板111的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。
此外，根据示例性实施例，开口195的边缘191相对于基板111的表面具有基本上相同的高度。例如，开口195的边缘191相对于基板111的表面可以具有约0.1μm或者更少的高度差。
像素限定层190可以通过诸如光刻法等图案化工艺来形成。在这种示例性实施例中，开口195的边缘191对应于图案的边界。然而，如果图案边界的下表面是不均匀的(例如，不平坦的)，则可能难以形成均匀的图案。根据示例性实施例，开口195的边缘191具有均匀高度，因此是平坦的。因此，可以基本上防止在形成像素限定层190的过程中出现图案缺陷。
凹陷部分211、212、213和214与开口195的边缘191间隔开，使得开口195的边缘191是平坦的。
根据示例性实施例，凹陷部分211、212、213和214在平面上可以与开口195的边缘191间隔开例如范围从约0.5μm至约5.0μm的距离。在这种示例性实施例中，凹陷部分211、212、213和214与开口195的边缘191之间的距离V1由开口195的边缘191与凹陷部分211、212、213和214的边缘BR之间的距离确定。
凹陷部分211、212、213和214与开口195的边缘191之间的距离V1可以例如根据OLED 170的尺寸而变化。例如，凹陷部分211、212、213和214在平面上可以与开口195的边缘191间隔开例如范围从约0.5μm至约2.0μm的距离，或者例如在平面上可以与开口195的边缘191间隔开约5.0μm或者更多的距离。
凹陷部分211、212、213和214的边缘BR的至少一部分可以平行于开口195的边缘191。参考图1，凹陷部分211、212、213和214的边缘BR的至少一侧平行于开口195的边缘191。当凹陷部分211、212、213和214的边缘BR与开口195的边缘191相互平行时，凹陷部分211、212、213和214与开口195的边缘191之间的距离V1可以被容易地维持。因此，可以在形成像素限定层190的过程中均匀地形成图案。
凹陷部分211、212、213和214的宽度W1可以例如根据OLED 170的尺寸、第一电极171的尺寸、凹陷部分的数量和/或其他因素而变化。根据示例性实施例，凹陷部分211、212、213和214可以具有例如范围从约1.0μm至约2.0μm的宽度W1。
凹陷部分211、212、213和214的深度d1可以例如根据钝化层130的厚度而变化。根据示例性实施例，凹陷部分211、212、213和214可以具有例如范围从约0.2μm至约1.0μm的深度d1。在一个实施例中，凹陷部分211、212、213和214可以具有范围从约0.3μm至约0.7μm的深度d1。当钝化层130具有约1μm或者更大的厚度时，凹陷部分211、212、213和214可以具有约1μm或者更大的深度。当钝化层130具有约0.3μm或者更小的厚度时，凹陷部分211、212、213和214可以具有例如约0.3μm或者更小的深度。
当凹陷部分211、212、213和214具有这种宽度W1和深度d1时，在有机发光层172中产生的光可以在横向上共振。因此，可以基本上防止或者抑制取决于观察角度的色偏和WAD。
凹陷部分211、212、213和214中相邻的凹陷部分可以以例如范围从约1μm至约6μm的间距来布置。凹陷部分211、212、213和214之间的间距可以例如根据第一电极171的平面区域和OLED 170的尺寸而变化。
第一电极171通过限定在钝化层130处的第三接触孔CH3接触驱动薄膜晶体管TFT2。参考图1和图3，凹陷部分211、212、213和214具有小于第三接触孔CH3的深度d2的深度。在一个实施例中，凹陷部分211、212、213和214可以具有与第三接触孔CH3的深度基本上相等的深度，或者可以具有比第三接触孔CH3的深度大的深度。
参考图3，钝化层130可以包括与一个开口195重叠的两个或更多个凹陷部分211、212、213和214。第一电极171位于凹陷部分211、212、213和214上方并且与其重叠。因此，第一电极171可以包括与凹陷部分211、212、213和214相对应的凹陷部分。
图4A和图4B分别以平面图示出了根据示例性实施例的像素的第一电极171、凹陷部分221和沟槽721、722和723的布置。在图4A和图4B中，R对应于红色像素，G对应于绿色像素，并且B对应于蓝色像素。在图4A和图4B中示出的开口195的边缘191是第一电极171的区域。
在图4A和图4B中示出的第一电极171具有八边形平面形状。然而，在另一实施例中，第一电极171可以具有不同的形状。钝化层130包括多个点状凹陷部分221，凹陷部分中的每个具有矩形平面形状。凹陷部分221位于开口195的边缘191内并且可以相对于开口195的中心被对称地或者非对称地布置。
参考图4A，第一沟槽721完全围绕绿色像素G的第一电极171和蓝色像素B的第一电极171，并且部分地围绕红色像素R的第一电极171。第一沟槽721围绕这些第一电极171。第二沟槽722围绕绿色像素G的第一电极171，并且第三沟槽723围绕蓝色像素B的第一电极171。例如，第二沟槽722和第三沟槽723中围绕第一电极171之一的一个沟槽可以不连接至第二沟槽722和第三沟槽723中围绕第一电极171中的另一个的另一个沟槽。
参考图4B，沟槽721、722和723被分开。参考图4A，存在其中沟槽的两条线形成锐角的区域。参考图4B，在与图4A中所示的锐角形成区域相对应的区域处未形成沟槽。
根据示例性实施例，包括凹陷部分221以及沟槽721、722和723的钝化层130可以通过感光材料的曝光和显影来形成。当两个沟槽汇合以形成锐角时，可由于在沟槽形成过程期间曝光量的增加而形成深沟槽，并且钝化层130下方的结构可能被暴露。为了基本上防止这种情况，参考图4B，在两个沟槽汇合以形成锐角的区域中未形成沟槽。
图5A和图5B分别示出根据其他示例性实施例的像素的第一电极171、凹陷部分231以及沟槽731、732和733的布置。
参考图5A和图5B，凹陷部分231具有圆形平面形状。然而，在另一实施例中，凹陷部分231可以具有不同的形状(例如，多边形、椭圆形、线形平面形状等)。参考图5A，第一沟槽731围绕多个第一电极171。第二沟槽732和第三沟槽733中的每一个围绕一个第一电极171。参考图5A，存在其中沟槽的两条线形成锐角的区域。参考图5B，在与图5A中所示的锐角形成区域相对应的区域处未形成沟槽。
图6A和图6B分别示出根据其他示例性实施例的像素的第一电极171、凹陷部分241、242、243和244以及沟槽741和742的布置。
参考图6A，一个第一电极171位于两个线状的凹陷部分241和242上方。例如，钝化层130包括限定在一个开口195处的两个凹陷部分241和242。参考图6A，两个凹陷部分241和242具有在相对于这些附图的竖直方向上延伸的线形形状。例如，两个凹陷部分241和242在基本上相同的方向上相互平行地延伸并且可以具有对称的形状或者基本上相同的形状。
凹陷部分241和242中的每一个以预定的距离V2与开口195的边缘191间隔开。此外，凹陷部分241和242中的每一个具有宽度W2和长度Ln2，并且两个凹陷部分241和242以预定的间距P2来布置。参考图6A，沟槽741完全围绕第一电极171且具有预定宽度，并且以预定的距离与第一电极171间隔开。
参考图6B，多个非对称凹陷部分243和244位于第一电极171下方。例如，钝化层130包括与一个开口195重叠的第一凹陷部分243和第二凹陷部分244。第一凹陷部分243的平面区域大于第二凹陷部分244的平面区域。在这种示例性实施例中，第一凹陷部分243可以不与钝化层130下方的布线重叠，并且第二凹陷部分244可以与钝化层130下方的布线重叠。为了基本上防止第一电极171在第二凹陷部分244处接触第一电极171下方的布线，第二凹陷部分244的平面区域被制作得较小(例如，预定的相对较小的尺寸)，使得第二凹陷部分244的深度小于第一凹陷部分243的深度。
例如，第一凹陷部分243的长度Ln21大于第二凹陷部分244的长度Ln22，并且第一凹陷部分243的宽度W21大于第二凹陷部分244的宽度W22。此外，沟槽742完全围绕第一电极171，具有预定宽度，并且与第一电极171间隔开预定的距离。
图7示出根据另一示例性实施例的第一电极171、凹陷部分251、252、253和254以及沟槽751的布置。
参考图7，钝化层130包括与一个开口195重叠的多个线状凹陷部分251、252、253和254。线状凹陷部分251、252、253和254被径向地布置。
例如，与一个开口195重叠的四个线状凹陷部分251、252、253和254被限定在钝化层130处。在这种示例性实施例中，凹陷部分251、252、253和254的延伸方向之间的角度θc的范围从约60度至约120度。例如，四个凹陷部分251、252、253和254可以被布置为使得延伸方向之间的角度θc变成约90度。这样，凹陷部分251、252、253和254可以相对于开口195的中心被对称地布置。
在示例性实施例中，当凹陷部分241和242如图6A所示被布置为在一个方向上延伸时，可以改善在垂直于凹陷部分241和242的延伸方向的方向上的色偏和WAD。在与凹陷部分241和242的延伸方向基本上相同的方向上的色偏和WAD的改善程度可能是微不足道的。例如，当凹陷部分241和242如图6A所示地布置时，可以改善在相对于这些附图的水平方向上的WAD和色偏，而在相对于这些附图的竖直方向上的WAD和色偏改善可能是微不足道的。
另一方面，当凹陷部分251、252、253和254如图7所示地被径向布置时，可以在相对于这些附图的水平方向和竖直方向两者上改善色偏和WAD。参考图7，沟槽751完全围绕第一电极171。
图8A和图8B分别示出根据其他示例性实施例的第一电极171、凹陷部分261、262、263和264以及沟槽761和762的布置。
参考图8A，钝化层130包括采用围绕开口195的中心C的闭环形式的凹陷部分261。沟槽761完全围绕第一电极171，并且凹陷部分261位于开口195的边缘191内部。
参考图8B，钝化层130包括采用围绕开口195的中心C的多个闭环形式的凹陷部分262和263以及位于中心C处的点状凹陷部分264。沟槽762完全围绕第一电极171，并且凹陷部分262、263和264位于开口195的边缘191内部。
当凹陷部分261、262、263和264如图8A和图8B所示地相对于中心C以水平和竖直对称形状来布置时，色偏和WAD可以在所有方向上被改善。
图9A示出WAD的示例的剖视图，而图9B示出根据观察角度的波长偏移的示例。
参考图9A，OLED显示装置101具有多层堆叠结构(例如见图3)。光从有机发光层172向外发射，并且穿过该多层结构。根据示例性实施例，在有机发光层172中产生的光穿过第二电极173并且向外发射。
当光在两个反射表面之间反复反射的过程中发生光共振时，光的能量增加。具有增加的能量的光可以相对容易地穿过多层堆叠结构以向外发射。允许光在两个反射层之间共振的这种结构可以被称为共振结构。发生共振所在的这两个反射层之间的距离可以被称为共振距离。共振距离取决于光的波长。
根据示例性实施例，在OLED显示装置101中，第一电极171是反射电极，而第二电极173是半透电极。因此，光可以在第一电极171与第二电极173之间反射，并且可以发生光共振。当从有机发光层172发射的光的波长被表示为λ1，并且第一电极171与第二电极173之间的距离被表示为t1时，在满足公式1时可以发生光共振。
2·n1·t1＝m1·λ1 (1)
在公式1中，n1表示第一电极171与第二电极173之间的平均折射率，并且m1是自然数。第一电极171与第二电极173之间的距离t1是彼此相对的第一电极171的上表面与第二电极173的下表面之间的距离。
在示例性实施例中，根据观察者的观察角度，相同颜色的光可能在视觉上被识别为不同的颜色。例如，当从正面观察发射白光的显示装置的显示表面时，可以识别出白光。然而，当从侧面观察该光时，可识别出淡蓝色或者淡黄色的光。这种现象被称为WAD，其可能是由于根据观察角度的光路径差而造成的。
参考图9A，从正面观察的光L1可以根据公式1进行共振。朝向侧面发射的光L2在具有厚度t1和折射率nc的介质中以角度θi入射到界面Sb并且以角度θo发射。在这种示例性实施例中，当朝向侧面发射的光L2的波长被表示为λ时，为了使具有不同光路径的光进行共振，可以满足公式2的关系。
2·nc·t1·cos(θi)＝m·λ (2)
其中m是整数。
当界面Sb处的入射角θi增加时，cos(θi)的值减小。因此，共振条件和共振波长可改变。因此，射向侧面的光L2的波长可以不同于射向正面的光L1的波长。例如，当入射角θi增加时，cos(θi)的值减小。因此，满足共振条件的波长λ变得更小。由此，具有比射向正面的光L1的波长短的波长的光L2射向侧面。
图9B示出从正面观察到的光A1的光谱和以约45度的角度从侧面观察到的光A2的光谱的示例。与从正面观察到的光A1的峰值波长相比，以约45度的角度从侧面观察到的光A2的峰值波长向较短的波长偏移。
图10示出根据一个实施例的在凹陷部分211处的共振的剖视图。如上所描述的，根据示例性实施例，OLED显示装置101的第一电极171是反射电极，并且第二电极173是半透电极。因此，光在第一电极171与第二电极173之间反射，并且发生光共振。在这种示例性实施例中，共振也发生在凹陷部分211处的第一电极171与第二电极173之间。在凹陷部分211处，光L31、L32和L33在垂直于第一电极171的表面和第二电极173的表面的方向上共振，并且具有基本上相同或者相似的波长，但是在不同的方向上发射。
例如，参考图10，在凹陷部分211的不同点R1、R2和R3处沿垂直于第一电极171的表面和第二电极173的表面的方向共振的光L31、L32和L33不仅沿正面方向发射而且也沿侧面方向发射。因此，从侧面观察的光L31和L33与从正面观察的光L32具有基本上相同的波长。由此，可以基本上防止在侧面方向上的色偏和WAD。
如果不包括本实施例的凹陷部分211，则在两个反射层之间全反射的光可能不发射到外部，并且可能被消除。例如，当光在第一电极171与第二电极173之间全反射时，光可能仅被水平地引导，并且因此可能无法向外发射。由此，光被耗散。然而，根据本实施例，当限定凹陷部分211时，被水平引导的光的路径发生变化并且全反射的光可以向外发射。因此，可以提高OLED显示装置101的发光效率。
图11示出另一实施例的OLED显示装置102的剖视图。图11中示出的OLED显示装置102包括位于第二电极173上的薄膜封装层140，用于保护OLED 170。薄膜封装层140基本上阻止湿气或者氧气渗透到OLED 170中。
薄膜封装层140包括交替设置的至少一个无机层141和143以及至少一个有机层142。图11中示出的薄膜封装层140包括两个无机层141和143以及一个有机层142。在另一实施例中，薄膜封装层140的结构可以不同。
无机层141和143可以包括金属氧化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。无机层141和143可以通过化学气相沉积(CVD)法、原子层沉积(ALD)法或者另一方法来形成。
有机层142可以包括例如聚合物材料。有机层142可以例如通过可以在不损害OLED170的温度范围内被执行的热沉积工艺来形成。在另一实施例中，有机层142可以用不同的方法来形成。
无机层141和143具有高密度的薄膜并且因此可以抑制湿气或氧气的渗透。无机层141和143阻挡大部分氧气和湿气渗透到OLED 170中。穿过无机层141和143的湿气和氧气可以被有机层142再次阻挡。有机层142也可以充当缓冲层，用来减少无机层141和143中相应的无机层之间的压力。由于有机层142具有平坦化特性，因此薄膜封装层140的最上部表面可以被有机层142平坦化。
薄膜封装层140可以具有预定薄的厚度，这允许OLED显示装置102具有相当薄的厚度。这种OLED显示装置102可以具有优异的柔性特性。
图12示出另一实施例的OLED显示装置103的剖视图。OLED显示装置103包括位于第二电极173上的密封构件150，用来保护OLED 170。
密封构件150可以包括透光绝缘材料，诸如玻璃、石英、陶瓷和塑料。密封构件150具有平板形状并且被附连到基板111，以保护OLED 170。
填充物160可以位于OLED 170与密封构件150之间。填充物160可以包括有机材料，例如聚合物。此外，钝化层可以位于OLED 170上以保护OLED 170。钝化层可以包括例如金属或者无机材料。
参考图12，OLED显示装置103包括位于像素限定层190上的间隔件197。间隔件197用于维持基板111与密封构件150之间的距离。间隔件197朝向像素限定层190的上部突出，即与钝化层130相对。与像素限定层190类似，间隔件197可以包括聚丙烯酸树脂或者聚酰亚胺(PI)树脂。
间隔件197和像素限定层190可以具有一体化构造。例如，像素限定层190和间隔件197可以通过光刻工艺利用感光材料被形成为具有一体化构造。在示例性实施例中，像素限定层190和间隔件197可以分别被相继或者单独地形成和/或可以包括不同的材料。
间隔件197可以具有截棱锥、棱柱、截头锥、圆柱、半球、半球体的形状或者另一形状。
图13A至图13J示出用于制造OLED显示装置的方法的实施例的各个阶段，该OLED显示装置例如可以是OLED显示装置101。
参考图13A，在基板111上形成驱动薄膜晶体管TFT2和电容器Cst。在基板111上还形成开关薄膜晶体管TFT1、栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL以及其他布线。
参考图13B，在包括驱动薄膜晶体管TFT2的基板111的整个表面上方涂敷感光材料，以形成感光材料层131。感光材料可以使用例如可光降解的聚合树脂。可光降解的聚合树脂可以使用例如聚酰亚胺(PI)树脂。
参考图13C，第一图案掩模301被沉积在感光材料层131上方并且与感光材料层131间隔开。第一图案掩模301包括位于掩模基板310上的挡光图案320。挡光图案320包括至少三个区，每个区具有不同的透光率。这种第一图案掩模301也可以被称为半色调掩模。掩模基板310可以使用透明的玻璃或者塑料基板。在一个实施例中，掩模基板310可以包括具有透光率和机械强度的不同材料。
挡光图案320可以通过在掩模基板310处选择性地涂敷挡光材料来形成。挡光图案320包括透光部分321、挡光部分322以及半透部分323和324。透光部分321是透射光并且位于被限定有第三接触孔CH3的区域上方的区域。挡光部分322是阻挡光透射并且可以通过向掩模基板310涂敷挡光材料来形成的部分。
半透部分323和324是部分地透射入射光并且位于被限定有凹陷部分211和212的区域上方以及被形成有沟槽711的区域上方的部分。例如，半透部分323和324可以具有这种结构，其中透光区域323a和324a与挡光狭缝323b和324b被交替地设置。在这种示例性实施例中，半透部分323和324的透光率可以通过分别调整透光区域323a和324a与挡光狭缝323b和324b之间的间距来调整。
半透部分323可以位于被限定有凹陷部分211和212的区域上方。半透部分324可以位于被限定有沟槽711的区域的上方。半透部分323和324可以具有基本上相同的透光率或者不同的透光率。凹陷部分211和212的深度以及沟槽711的深度可以通过调整透光率来分别调整。
为了限定具有小的平面区域的凹陷部分211和212，半透部分323可以仅包括一个透光区域323a。在这种示例性实施例中，凹陷部分211和212的平面区域和深度可以通过调整透光区域323a的平面区域来调整。在示例性实施例中，半透部分323和324的透光率可以通过调整挡光材料的浓度来调整。
利用图13C中示出的第一图案掩模301通过曝光来对感光材料层131进行图案化，并且形成包括凹陷部分211和212以及沟槽711的钝化层130(见图13D)。
例如，感光材料层131被曝光并且随后被显影，以形成诸如凹陷部分211和212、沟槽711以及第三接触孔CH3的图案。参考图13D，在曝光和显影之后，感光材料层131被热固化以形成钝化层130。形成感光材料层131的聚合树脂在热固化过程中部分地流动，以形成缓缓地弯曲的凹陷部分211和212。
在示例性实施例中，当形成感光材料层131的聚合树脂在感光材料层131的热硬化过程中具有流动性并且聚合树脂流到凹陷部分211和212时，凹陷部分211和212可以填充有聚合树脂以被掩埋。当凹陷部分211和212被填充时，凹陷部分211和212的深度可变浅或者凹陷部分211和212可能消失。当凹陷部分211和212的深度变浅或者凹陷部分211和212消失时，借助于凹陷部分211和212基本上防止色偏和WAD的效果也可能被减小或者消失。
然而，根据示例性实施例，通过在第一电极171周围形成沟槽711，基本上防止凹陷部分211和212被填充。例如，在感光材料层131的热硬化过程中具有流动性的聚合树脂流向沟槽711，从而基本上防止凹陷部分211和212被填充。因此，确保了凹陷部分211和212的图案稳定性，并且凹陷部分211和212可以具有预定的深度和预定的宽度。
如上所述，沟槽711用来在形成钝化层130的热硬化过程中维持凹陷部分211和212的图案稳定性。
参考图13E，在钝化层130上形成第一电极171。第一电极171通过第三接触孔CH3电连接至第二漏电极DE2。第一电极171也被设置在凹陷部分211和212处。然而，第一电极171没有被设置在沟槽711处。
参考图13F，在包括第一电极171和钝化层130的基板111上设置用于形成像素限定层的感光材料层199。感光材料层199可以包括例如可光降解的聚合树脂。这种可光降解的聚合树脂可以包括例如聚酰亚胺(PI)基树脂、聚丙烯酸树脂、PET树脂和PEN树脂中的至少一种。根据示例性实施例，感光材料层199包括聚酰亚胺(PI)树脂。
参考图13G，在感光材料层199上方设置第二图案掩模401。第二图案掩模401包括掩模基板410和位于掩模基板410上的挡光图案420。掩模基板410可以使用透明玻璃或者塑料基板。挡光图案420包括透光部分421和挡光部分422。
透光部分421是透射光并且位于被限定有开口195的区域上方的部分。挡光部分422是阻挡光透射并且位于除被限定有开口195的区域之外的区域上方的部分。
感光材料层199例如利用如图13G中示出的第二图案掩模401通过光刻法被图案化。例如，感光材料层199被曝光并且随后被显影，使得开口195被限定。
参考图13H，图案化的感光材料层199被热固化，使得像素限定层190被形成。形成感光材料层199的聚合树脂在热固化过程期间可以部分地流动。
开口195和开口195的边缘191由像素限定层190限定。第一电极171通过开口195从像素限定层190暴露。像素限定层190暴露第一电极171的上表面并且沿着第一电极171的周边突出。像素限定层190与第一电极171的末端部分重叠，并且开口195位于第一电极171上方。此外，像素限定层190被设置在沟槽711上方，使得沟槽711的上部分变得平坦。
在示例性实施例中，开口195的边缘191不与凹陷部分211和212重叠。开口195的边缘191与凹陷部分211和212间隔开，例如，凹陷部分211和212的边缘BR与开口195的边缘191相互间隔开。
当通过光刻法形成图案时，并且当图案的边界区域的底面不平坦时，可能难以形成均匀的图案。根据示例性实施例，不在开口195的边缘191处形成凹陷部分或者不平坦部分，并且开口195的边缘191位于平坦表面上。因此，当形成像素限定层190时，可以基本上防止图案缺陷的出现。
参考图13I，在被像素限定层190的开口195暴露的第一电极171上形成有机发光层172。有机发光层172可以通过沉积来形成。
参考图13J，在有机发光层172上形成第二电极173。第二电极173也被形成在像素限定层190上。第二电极173可以例如通过沉积来形成。
图14A和图14B示出用于制造OLED显示装置的方法的另一实施例的各个阶段的剖视图，该OLED显示装置例如可以是OLED显示装置103。图14A和图14B示出形成像素限定层190和间隔件197的过程。OLED显示装置103包括位于像素限定层190上的间隔件197。像素限定层190和间隔件197使用基本上相同的材料通过基本上相同的过程来一体地形成。
参考图14A，用于形成像素限定层的感光材料层199被设置在包括第一电极171和钝化层130的基板111上。第三图案掩模501被设置在感光材料层199上方。
第三图案掩模501包括位于掩模基板510上的挡光图案520。挡光图案520包括透光部分521、挡光部分522和半透部分523。透光部分521是透射光并且位于被限定有开口195的区域上方的部分。挡光部分522是阻挡光透射并且位于被形成有间隔件197的区域上方的部分。
半透部分523是部分透射入射光并且位于除被限定有开口195的区域和被形成有间隔件197的区域之外的区域上方的部分。参考图14A，半透部分523具有其中透光区域523a和挡光狭缝523b被交替地布置的结构。
在感光材料层199利用第三图案掩模501通过曝光过程被曝光并且随后被显影之后，诸如开口195和间隔件197的图案被形成。
参考图14B，图案化的感光材料层199被热固化，使得像素限定层190和间隔件197被形成。
随后，有机发光层172被设置在第一电极171上，并且第二电极173被设置在有机发光层172和像素限定层190上，以形成OLED 170(例如，见图12)。此外，密封构件150被设置在OLED 170上，并且填充物160被设置在OLED 170与密封构件150之间，以形成OLED显示装置103。
图15示出OLED显示装置104的像素PX的另一实施例的平面图。图16示出沿着图15中的线II-II'截取的剖视图。
参考图15和图16，钝化层130包括沟槽771以及多个凹陷部分271、272和273。沟槽771位于第一电极171周围并且在平面上围绕第一电极171。在一个像素PX中，钝化层130包括第一凹陷部分271、第二凹陷部分272和第三凹陷部分273。第一凹陷部分271和第二凹陷部分272不与其下的被设置在绝缘夹层122上的布线重叠，并且第三凹陷部分273与电容器Cst重叠。
钝化层130在第一凹陷部分271和第二凹陷部分272下方接触绝缘夹层122，而钝化层130在第三凹陷部分273下方接触第二电容器极板CS2。因此，即便第一凹陷部分271和第二凹陷部分272足够深以暴露绝缘夹层122，第一电极171也没有在第一凹陷部分271和第二凹陷部分272处电连接至布线。
当第三凹陷部分273深的使电容器Cst从钝化层130暴露时，第一电极171可以在第三凹陷部分273处接触第二电容器极板CS2。当第一电极171连接至除驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2之外的布线时，可能在OLED 170中出现缺陷。
因此，根据一个示例性实施例，凹陷部分271、272和273可以根据相应的凹陷部分271、272和273是否与其下的布线重叠而具有不同的深度。例如，两个或更多个凹陷部分中的至少一个可以具有与这些凹陷部分中的另一个的深度不同的深度。例如，与其下的布线重叠的第三凹陷部分273具有比不与其下的布线重叠的第一凹陷部分271和第二凹陷部分272的深度小的深度(d22<d21)。在一个实施例中，与其下的布线重叠的第三凹陷部分273的深度d22小于不与其下的布线重叠的第一凹陷部分271和第二凹陷部分272的深度d21。
当凹陷部分271、272和273具有窄的平面区域时，凹陷部分271、272和273的深度与凹陷部分271、272和273的宽度有关。具有窄的平面区域的凹陷部分的深度可以通过调整用于形成该凹陷部分的图案掩模的暴露区域来调整。例如，当图案掩模的暴露区域相对大时，可以限定深凹陷部分。
根据一个示例性实施例，凹陷部分中的一个可以具有与凹陷部分中的其他凹陷部分的宽度不同的宽度。
图17示出OLED显示装置105的像素的另一实施例的平面图。图18示出沿着图17的线III-III'截取的剖视图。
参考图17和图18，钝化层130包括沟槽781、782、783和784以及多个凹陷部分281、282和283。
参考图17，凹陷部分281、282和283不对称地布置在第一电极171下方。例如，钝化层130包括位于一个第一电极171下方的第一凹陷部分281、第二凹陷部分282和第三凹陷部分283。第一凹陷部分281的平面区域大于第二凹陷部分282和第三凹陷部分283的平面区域。在这种示例性实施例中，第一凹陷部分281不与绝缘夹层122上的布线重叠，第二凹陷部分282与驱动电压线DVL重叠，并且第三凹陷部分283与数据线DL重叠。
为了基本上防止第一电极171在第二凹陷部分282处接触驱动电压线DVL，第二凹陷部分282具有相对小的深度。例如，与驱动电压线DVL重叠的第二凹陷部分282的深度d32小于不与驱动电压线DVL重叠的第一凹陷部分281的深度d31。
为了基本上防止第一电极171在第三凹陷部分283处接触数据线DL，第三凹陷部分283的深度d33小于不与数据线DL重叠的第一凹陷部分281的深度d31。
参考图17，沟槽781、782、783和784位于第一电极171周围。例如，沟槽781、782、783和784可以部分地围绕第一电极171而不是完全地围绕第一电极171。在一个实施例中，沟槽781、782、783和784在平面上围绕第一电极171的外部的至少一部分。
沟槽781、782、783和784在平面上可以位于例如第一电极171周围的区域的约50％或者更多的区域中。例如，假设存在围绕第一电极171的一个闭环，则沟槽781、782、783和784可以位于该闭环的约50％或者更多的区域中。在一个实施例中，第一电极171的被沟槽781、782、783和784围绕的部分与第一电极171的圆周的比率大于第一电极171的不被沟槽781、782、783和784围绕的部分与第一电极171的圆周的比率。
参考图17，沟槽781、782、783和784包括位于第一电极171周围并且相互间隔开的第一凹陷图案781、第二凹陷图案782、第三凹陷图案783和第四凹陷图案784。第一凹陷图案781、第二凹陷图案782、第三凹陷图案783和第四凹陷图案784不相互连接，并且每一个凹陷图案部分地围绕第一电极171。一个凹陷图案782、783或784可以位于相邻的第一电极171之间，并且一个凹陷图案782、783或784可以用作相邻的两个第一电极171的公共沟槽。
图19示出OLED显示装置106的像素的另一实施例的平面图。参考图19，多个凹陷部分291、292和293与一个第一电极171重叠，并且被限定在钝化层130处。凹陷部分291、292和293中的至少一个具有与凹陷部分291、292和293中的另一个的尺寸不同的尺寸。例如，不与驱动电压线DVL或者数据线DL重叠的第一凹陷部分291具有比与驱动电压线DVL或者数据线DL重叠的第二凹陷部分292和第三凹陷部分293的平面区域大的平面区域。
具有相对大的平面区域的第一凹陷部分291可以具有比具有相对小的平面区域的第二凹陷部分292和第三凹陷部分293的深度大的深度。
凹陷部分291、292和293可以例如通过使用图案掩膜进行曝光来限定。此外，凹陷部分291、292和293的深度可以例如通过调整用于形成凹陷部分291、292和293的图案掩模的暴露区域的尺寸来调整。
参考图19，沟槽791、792、793和794包括位于第一电极171周围的第一凹陷图案791、第二凹陷图案792、第三凹陷图案793和第四凹陷图案794。第一凹陷图案791、第二凹陷图案792、第三凹陷图案793和第四凹陷图案794没有相互连接，并且每个凹陷图案部分地围绕第一电极171。
根据一个或多个前述实施例，OLED显示装置包括形成在钝化层处的凹陷部分和沟槽。凹陷部分用来基本上防止取决于观察角度的色偏。沟槽提高凹陷部分的图案稳定性。这种OLED显示装置具有优异的显示特性。
本文中已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定的术语，但是它们仅以通用和描述性的意义来使用和解读，并且不用于限制的目的。在一些情况下，如自提交本申请起对本领域的技术人员来说明显的是，结合具体的实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件相结合地使用，除非另有说明。因此，在不脱离权利要求书中阐述的实施例的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种变化。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管显示装置，包含：
基板；
钝化层，位于所述基板上并且包括沟槽和凹陷部分；
第一电极，位于所述钝化层上，所述沟槽围绕所述第一电极的至少一部分；
位于所述钝化层上的像素限定层，所述像素限定层限定用于暴露所述第一电极的至少一部分的开口；
位于所述第一电极上的有机发光层；以及
位于所述有机发光层上的第二电极，其中所述凹陷部分与所述开口重叠并且与所述开口的边缘间隔开，并且其中所述沟槽与所述第一电极间隔开，并且
其中所述像素限定层设置在所述沟槽上方并且与所述沟槽重叠。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沟槽包括多个凹陷图案，所述多个凹陷图案相互间隔开并且部分地围绕所述第一电极。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沟槽与所述第一电极间隔开范围从1μm至5μm的距离。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沟槽具有范围从1.0μm至3.0μm的宽度。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沟槽具有范围从0.2μm至1.0μm的深度。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中在所述钝化层与所述像素限定层重叠的边界处，所述钝化层相对于所述基板的表面具有相同的高度。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中在所述钝化层与所述像素限定层重叠的边界处，所述钝化层相对于所述基板的表面具有0.1μm或者更小的高度差。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述开口的所述边缘相对于所述基板的表面具有相同的高度。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述开口的所述边缘相对于所述基板的表面具有0.1μm或者更小的高度差。
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