JP5477547B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
(A1)基板上にゲート電極およびゲート絶縁膜をこの順に形成する工程
(B1)ゲート絶縁膜上に撥液層を形成した後、撥液層に第1開口を形成すると共に、ゲート絶縁膜に第1開口と同じ大きさの窪みを形成する工程
(C1)撥液層の第1開口を拡幅して第2開口を形成する工程
(D1)ゲート絶縁膜の窪みおよび撥液層の第2開口内に有機半導体からなる半導体層を形成する工程
(E1)半導体層を乾燥させた後、撥液層を除去する工程
(F1)撥液層を除去した後、半導体層に接するように一対のソース・ ドレイン電極を形成する工程
(A2)基板上に絶縁材料からなるバッファ層を形成する工程
(B2)バッファ層上に撥液層を形成した後、撥液層に第1開口を形成すると共に、バッファ層に第1開口と同じ大きさの窪みを形成する工程
(C2)撥液層の第1開口を拡幅して第2開口を形成する工程
(D2)バッファ層の窪みおよび撥液層の第2開口内に有機半導体からなる半導体層を形成する工程
(E2)半導体層を乾燥させた後、撥液層を除去する工程
(F2)撥液層を除去した後、バッファ層および半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程
(G2)ゲート絶縁膜に半導体層に達する一対の貫通孔を形成した後、貫通孔を介して半導体層に接するように一対のソース・ ドレイン電極を形成する工程
1.第1の実施の形態
(1−1)ボトムゲート型薄膜トランジスタ
(1−2)ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法
2.第2の実施の形態
(2−1)トップゲート型薄膜トランジスタ
(2−2)トップゲート型薄膜トランジスタの製造方法
(1−1)ボトムゲート型薄膜トランジスタ
図1は本発明の第1の実施の形態に係るボトムゲート型薄膜トランジスタ(TFT)1の断面構成を表したものである。このTFT1は、基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、チャネル層14Aを含む半導体層14、ソース・ ドレイン電極15(15A,15B)および保護膜16を備えたものである。
以下、図5〜図7を参照してTFT1の製造方法を具体的に説明する。
(2−1)トップゲート型薄膜トランジスタ
本実施の形態のトップゲート型のTFT2は、図8に示したように基板11上にバッファ層(絶縁膜)20、半導体層14、ゲート絶縁膜13、一対のソース・ドレイン電極15(15A,15B)およびゲート電極12をこの順に備えたものである。ここで、ソース・ドレイン電極15A,15Bはゲート絶縁膜13を貫通し半導体層14のコンタクト層14Bに接している。バッファ層20は例えば第1の実施の形態におけるゲート絶縁膜13と同じ材料により形成されている。
まず、図9(A)に示したように、ガラスよりなる基板11上に例えばスパッタ法により、例えば上記ゲート絶縁膜13と同様の材料からなる膜厚500nmのバッファ層20を形成する。次に、バッファ層20上に、例えばCYTOPなどのフッ素樹脂からなる厚さ300nmの撥液層17を形成した後、酸素プラズマによる反応性イオンエッチングによって撥液層17の表面を粗化する。
続いて表示装置の適用例について説明する。上記表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
例えば、図16に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板51および接着層(図示せず)から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図17は上記表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図18は上記表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図19は上記表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図20は上記表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は上記表示装置により構成されている。
図21は上記表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記表示装置により構成されている。
Claims (4)
- 基板上にゲート電極およびゲート絶縁膜をこの順に形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に撥液層を形成した後、前記撥液層に第1開口を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜に第1開口と同じ大きさの窪みを形成する工程と、
前記撥液層の第1開口を拡幅して第2開口を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の窪みおよび前記撥液層の第2開口内に液体状の有機半導体からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を乾燥させた後、前記撥液層を除去する工程と、
前記撥液層を除去した後、前記半導体層に接するように一対のソース・ ドレイン電極
を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に絶縁材料からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に撥液層を形成した後、前記撥液層に第1開口を形成すると共に、前記バッファ層に第1開口と同じ大きさの窪みを形成する工程と、
前記撥液層の第1開口を拡幅して第2開口を形成する工程と、
前記バッファ層の窪みおよび前記撥液層の第2開口内に液体状の有機半導体からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を乾燥させた後、前記撥液層を除去する工程と、
前記撥液層を除去した後、前記バッファ層および半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記半導体層に達する一対の貫通孔を形成した後、前記貫通孔を介して前記半導体層に接するように一対のソース・ ドレイン電極を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記撥液層に形成する第2開口の第1開口からの拡幅量を1μm以上とする、請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記撥液層を塗布可能なフッ素樹脂により形成する、請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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