JP5853390B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - Google Patents
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Description
2…ゲート電極
3…キャパシタ電極
4…ゲート絶縁体層
5…半導体層
6…保護膜
7…ソース電極
8…ドレイン電極
9…層間絶縁膜
10…画素電極
11…ゲート電極の直上に位置するゲート絶縁体層に形成された凹部
12…表示要素
13…隔壁
20…従来の作製方法による薄膜トランジスタ
30…従来の作製方法による薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
40…ゲート電極の直上に位置するゲート絶縁膜に形成された凹部を有する薄膜トランジスタ
50…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ
60…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
70…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの配列図の一部。
Claims (6)
- 基板と、
前期基板上のゲート電極と、
前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、
前記ゲート絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、
前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、
前記半導体層上の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、
を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されており、
前記半導体層が有機物を主成分とする材料からなる
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁体層の凹部の一部が、前記ソース電極と平行に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁体層の凹部の厚さが10nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、
を有する画像表示装置。 - 前記画像表示装置は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする請求項5の画像表示装置。
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