JP2012204812A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。
【選択図】図1
Description
2…ゲート電極
3…キャパシタ電極
4…ゲート絶縁体層
5…半導体層
6…保護膜
7…ソース電極
8…ドレイン電極
9…層間絶縁膜
10…画素電極
11…ゲート電極の直上に位置するゲート絶縁体層に形成された凹部
12…表示要素
13…隔壁
20…従来の作製方法による薄膜トランジスタ
30…従来の作製方法による薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
40…ゲート電極の直上に位置するゲート絶縁膜に形成された凹部を有する薄膜トランジスタ
50…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ
60…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
70…本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの配列図の一部。
Claims (11)
- 基板と、
前期基板上のゲート電極と、
前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、
前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、
前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、
前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、
を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁体層の凹部の一部が、前記ゲート電極と平行かつソース電極上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁体層の凹部の一部が、前記ドレイン電極上に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁体層の凹部の厚さが10nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、
を有する画像表示装置。 - 前記画素表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする請求項7の画素表示装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層にストライプ状に凹部を形成する工程と、
前記絶縁体層の凹部内に塗布法により半導体層を成膜し、乾燥することにより半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜を形成する工程と、
前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極を形成する工程と、
を有する薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜上の凹部は、ドライエッチング法で形成することを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140093526A (ko) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | 경북대학교 산학협력단 | 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP2014175502A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法 |
JP2016063059A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 有機半導体トランジスタ及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003098548A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2007005757A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、および、それの製造方法、並びに、液晶表示装置、および、それの製造方法 |
WO2008075625A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Panasonic Corporation | 半導体デバイス |
JP2010080896A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
JP2010087063A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011003842A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003098548A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2007005757A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、および、それの製造方法、並びに、液晶表示装置、および、それの製造方法 |
WO2008075625A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Panasonic Corporation | 半導体デバイス |
JP2010080896A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
JP2010087063A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011003842A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140093526A (ko) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | 경북대학교 산학협력단 | 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR102093737B1 (ko) * | 2013-01-18 | 2020-03-26 | 경북대학교 산학협력단 | 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP2014175502A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法 |
JP2016063059A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 有機半導体トランジスタ及びその製造方法 |
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