KR102093737B1 - 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
금속산화물 나노입자를 포함하는 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 유기 전계효과 트랜지스터는 i) 게이트 전극, ii) 게이트 전극 위에 위치하는 절연층, iii) 절연층 위에 위치하는 채널층, iv) 채널층 위에 위치하는 소스 전극, 및 v) 소스 전극과 이격되어 채널층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함한다. 채널층은, i) 고분자 매트릭스, 및 ii) 고분자 매트릭스내에 혼입된 금속산화물 나노입자들을 포함한다.
Description
본 발명은 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 좀더 상세하게는, 본 발명은 금속산화물 나노입자를 포함하는 유기 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전계효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)는 반도체 중의 전자의 흐름을 다른 전극으로 제어하는 전압 제어형 트랜지스터이다. 전계효과 트랜지스터는 소스, 드레인 및 게이트를 포함한다. 소스에는 캐리어가 주입되고, 드레인에서는 캐리어가 유출되며, 게이트를 통해 외부 전계를 인가한다. 전계효과 트랜지스터의 전류 통로인 채널은 외부 전계에 의해 제어된다.
한편, 전술한 채널에 유기 반도체 기술을 사용한 유기 전계효과 트랜지스터가 연구개발되고 있다. 유기 전계효과 트랜지스터는 작은 분자의 진공 증착법 또는 중합체의 용액 주형법 등으로 제조할 수 있다. 유기 전계효과 트랜지스터를 사용하는 경우, 대면적의 전자 제품을 저가로 제조할 수 있다. 특히, 플렉서블 디스플레이를 제조하기 위해 유기 전계효과 트랜지스터를 사용할 필요가 있다.
공정을 단순화하여 제조 비용을 절감할 수 있는 유기 전계효과 트랜지스터를 제공하고자 한다. 또한, 전술한 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터는 i) 게이트 전극, ii) 게이트 전극 위에 위치하는 절연층, iii) 절연층 위에 위치하는 채널층, iv) 채널층 위에 위치하는 소스 전극, 및 v) 소스 전극과 이격되어 채널층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함한다. 채널층은, i) 고분자 매트릭스, 및 ii) 고분자 매트릭스내에 혼입된 금속산화물 나노입자들을 포함한다.
고분자 매트릭스는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)일 수 있다. 금속산화물 나노입자들의 양은 상기 채널층의 10wt% 내지 60wt%일 수 있다. 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm일 수 있다. 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2, MoO3, 및 WO2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물일 수 있다. 고분자 매트릭스와 금속산화물 나노입자들은 모두 p형일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 제조 방법은, i) 게이트 전극을 제공하는 단계, ii) 게이트 전극 위에 절연층을 스핀 코팅하는 단계, iii) 절연층 위에 채널층을 스핀 코팅하는 단계, 및 iv) 채널층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 열증착하는 단계를 포함한다. 채널층을 스핀 코팅하는 단계는, i) 고분자 용액을 제공하는 단계, 및 ii) 고분자 용액에 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계를 포함한다.
금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계에서, 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm일 수 있다. 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계에서, 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm일 수 있다. 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2, MoO3, 및 WO2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물이고, 고분자 매트릭스는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)일 수 있다.
금속산화물 나노입자들을 사용하여 유기 전계효과 트랜지스터의 전자 이동도를 향상시킬 수 있다. 한편, 스핀 코팅을 이용하여 채널층을 간단하게 제조할 수 있으므로, 유기 전계효과 트랜지스터를 저가로 제조할 수 있다. 그리고 유기 전계효과 트랜지스터를 사용하여 디스플레이를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계효과 트랜지스터의 개략적인 부분 절개 사시도이다.
도 2는 P3HT와 산화니켈(II) 나노입자의 에너지 밴드갭을 상호 비교하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법의 개략적인 순서도이다.
도 3은 본 발명의 실험예 및 비교예에 따른 UV 가시성 흡수 그래프이다.
도 2는 P3HT와 산화니켈(II) 나노입자의 에너지 밴드갭을 상호 비교하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법의 개략적인 순서도이다.
도 3은 본 발명의 실험예 및 비교예에 따른 UV 가시성 흡수 그래프이다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 수반되지 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
"아래", "위" 등의 상대적인 공간을 나타내는 용어는 도면에서 도시된 한 부분의 다른 부분에 대한 관계를 보다 쉽게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에서 의도한 의미와 함께 사용중인 장치의 다른 의미나 동작을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 도면중의 장치를 뒤집으면, 다른 부분들의 "아래"에 있는 것으로 설명된 어느 부분들은 다른 부분들의 "위"에 있는 것으로 설명된다. 따라서 "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래 방향을 전부 포함한다. 장치는 90˚ 회전 또는 다른 각도로 회전할 수 있고, 상대적인 공간을 나타내는 용어도 이에 따라서 해석된다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계효과 트랜지스터(100)를 부분 절개하여 개략적으로 나타낸다. 도 1의 확대원에는 유기 전계효과 트랜지스터(100)에 포함된 채널층(40)의 내부 구조를 부분 확대하여 나타낸다. 도 1의 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 구조는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 구조를 다른 형태로도 변형할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기 전계효과 트랜지스터(100)는 기판(10), 게이트 전극(20), 절연층(30), 채널층(40), 소스 전극(50) 및 드레인 전극(60)을 포함한다. 이외에, 유기 전계효과 트랜지스터(100)는 다른 구성요소들을 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 유리, 규소 또는 플라스틱 등을 사용하여 제공할 수 있다. 한편, 기판(10) 위에는 게이트 전극(20)이 제공된다. 채널층(40)을 통과하여 흐르는 전자의 흐름을 게이트 전극(20)에 전압을 인가하여 제어할 수 있다. 즉, 게이트 전극(20)을 통하여 가해지는 제어 전압의 크기에 따라 절연층(30)의 두께가 변화하고 이에 따라 채널층(40)의 폭을 변화시킴으로써 전자의 흐름을 제어할 수 있다.
절연층(30)은 게이트 전극(20)과 채널층(40)의 사이에 위치한다. 절연층(30)에 의해 유기 전계효과 트랜지스터(100)는 축전기 구조를 형성한다. 그 결과, 게이트 전극(20)의 전류를 거의 0으로 만들 수 있어서 유기 전계효과 트랜지스터(100)를 고밀도 집적 회로 등에 사용하기에 적합하다. 채널층(40)은 절연층(30) 위에 위치한다. 채널층(40)은 스핀 코팅하여 절연층(30) 위에 형성할 수 있다.
도 1의 확대원에 도시한 바와 같이, 채널층(40)은 고분자 매트릭스(401) 및 금속산화물 나노입자들(403)을 포함한다. 금속산화물 나노입자들(403)은 고분자 매트릭스(401)내에 혼입되며, 고분자 매트릭스(401)에 도핑된 상태로 존재한다. 고분자 매트릭스(401) 및 금속산화물 나노입자들(403)은 모두 p형이다. 따라서 채널층(40)은 정공을 이용하여 전하 이동도를 높일 수 있다. 좀더 구체적으로, 금속산화물 나노입자들(403)로 인하여 더 많은 정공을 이동시킬 수 있으므로, 채널층(40)의 전하 이동도를 향상시킬 수 있다.
금속산화물 나노입자들(403)의 양은 채널층(40)의 10wt% 내지 60wt%일 수 있다. 금속산화물 나노입자들(403)의 양이 너무 적은 경우, 정공에 의한 전도도가 저하된다. 또한, 금속산화물 나노입자들(403)의 양이 너무 많은 경우, 금속산화물 나노입자들(403)이 고분자 매트릭스(401) 내에 잘 분산되지 않는다. 따라서 금속산화물 나노입자들(403)의 양을 전술한 범위로 조절한다.
한편, 금속산화물 나노입자들(403)로서 NiO, MoO2, MoO3, 또는 WO2를 사용할 수 있다. 좀더 바람직하게는 금속산화물 나노입자들(403)로서 NiO를 사용할 수 있다. 한편, 고분자 매트릭스(401)로서 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)을 사용할 수 있다. 금속산화물 나노입자들(403)로서 NiO, 예를 들면 산화니켈(II)을 사용하고, 고분자 매트릭스(401)로서 P3HT를 사용하는 경우, 유기 전계효과 트랜지스터의 전자 이동도를 극대화할 수 있다. 이하에서는 도 2를 참조하여 이를 좀더 상세하게 설명한다.
도 2는 P3HT와 산화니켈(II) 나노입자의 에너지 밴드갭을 상호 비교하여 개략적으로 나타낸다. 도 2의 좌측에는 P3HT의 에너지 밴드갭을 나타내고, 도 2의 우측에는 산화니켈(II) 나노입자의 에너지 밴드갭을 나타낸다.
도 2에 도시한 바와 같이, P3HT의 가장 높은 분자궤도함수(HOMO)는 -4.9 ~ -5.1eV이고, 산화니켈(II) 나노입자의 가전대 끝(valence band edge)의 값은 -5.3eV이므로, 양자가 상호 유사하다. 따라서 P3HT와 산화니켈(II) 나노입자 간에는 큰 에너지 장벽이 없으므로, 전하가 빠르게 이동할 수 있다. 그 결과, 산화니켈(II) 나노입자를 도입함으로써 종래의 유기 전계효과 트랜지스터에 비해 더많은 양의 정공들을 이동시킬 수 있다.
다시 도 1로 되돌아가면, 채널층(40) 위에는 소스 전극(50)과 드레인 전극(60)이 위치한다. 드레인 전극(60)은 소스 전극(50)과 이격되어 있다. 소스 전극(50)으로 입력된 전류는 채널층(40)을 따라 드레인 전극(60)으로 흐르고, 게이트 전극(20)에 의해 조절된다. 즉, 복수의 전자들은 소스 전극(50)으로 유입되어 드레인 전극(60)을 통하여 외부로 빠져나간다. 복수의 전자들의 통과량을 게이트 전극(20)에 인가되는 전압으로 조절할 수 있다.
도 3은 도 1의 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 방법을 그 순서에 따라 개략적으로 나타낸다. 도 1의 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 방법은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 방법을 다른 형태로도 변형할 수 있다. 이하에서는 도 1 및 도 3을 참조하여 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 방법을 상세하게 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 방법은, 게이트 전극(20)(도 1에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계(S10), 게이트 전극(20) 위에 절연층(30)(도 1에 도시, 이하 동일)을 스핀 코팅하는 단계(S20), 절연층(30) 위에 채널층(40)(도 1에 도시, 이하 동일)을 스핀 코팅하는 단계(S30), 그리고 채널층(40) 위에 소스 전극(50)(도 1에 도시, 이하 동일) 및 드레인 전극(60)(도 1에 도시, 이하 동일)을 각각 열증착하는 단계(S40)를 포함한다.
먼저, 단계(S10)에서 게이트 전극(20)은 기판(10)(도 1에 도시, 이하 동일) 위에 제공될 수 있다. 게이트 전극(20)은 열증착에 의해 기판(10) 위에 형성한다.
그리고 단계(S20)에서는 절연층(30)을 스핀 코팅하여 게이트 전극(20) 위에 형성한다. 따라서 간단한 공정으로 절연층(30)을 게이트 전극(20) 위에 제공할 수 있다.
다음으로, 단계(S30)에서는 채널층(40)을 절연층(30) 위에 스핀 코팅하여 형성한다. 고분자 용액을 제공하고, 고분자 용액에 금속산화물 나노입자들을 혼합하여 채널층(40)을 박막으로 스핀 코팅할 수 있다. 금속산화물 나노입자들은 고분자 용액과 혼합되면서 고분자 사슬에 분포하므로, 도핑 효과를 낸다. 따라서 채널층(40)은 혼합반도체 고분자층으로서 기능한다.
일반적으로 고분자 용액만을 스핀 코팅하여 채널층을 제조할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에는 이와 유사하게 금속산화물 나노입자들을 고분자 용액에 혼입하여 스핀 코팅함으로써 채널층(40)을 제조한다. 따라서 금속산화물 나노입자들의 혼입에 따라서 추가적인 비용이나 시간이 더 들지 않는 이점이 있다.
한편, 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm일 수 있다. 금속산화물 나노입자들의 평균 입도가 너무 작은 경우, 금속산화물 나노입자들을 제조하기 어렵다. 또한, 금속산화물 나노입자들의 평균 입도가 너무 큰 경우, 금속산화물 나노입자들이 고분자 용액에 잘 분산되지 않는다. 따라서 금속산화물 나노입자들의 평균 입도를 전술한 범위로 조절하여 전하 이동도가 우수한 채널층(40)을 제조할 수 있다.
한편, 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2, MoO3, 또는 WO2 등의 금속산화물일 수 있고, 고분자 매트릭스는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)일 수 있다. 고분자 매트릭스의 분자궤도함수와 금속산화물 나노입자들의 가전자대 끝이 유사하므로, 에너지 장벽이 거의 없어서 채널층(40)을 통하여 전자 이동도를 향상시킬 수 있다.
단계(S40)에서는 채널층(40) 위에 소스 전극(50) 및 드레인 전극(60)을 각각 열증착한다. 소스 전극(50) 및 드레인 전극(60)의 열증착 과정은 본 발명이 속하는 기술분야에 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있으므로, 그 상세한 설명을 생략한다. 전술한 단계들을 통하여 간단한 공정으로 유기 전계효과 트랜지스터(100)를 제조할 수 있다. 그 결과, 유기 전계효과 트랜지스터(100)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
실험예
고분자 용액을 스핀 코팅하여 도 1의 구조와 동일한 구조의 유기 전계효과 트랜지스터를 제조하였다. 채널층 형성을 위해 고분자 용액으로서 사용하는 고분자로는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)을 사용하였고, 금속산화물 나노입자로는 산화니켈(II)을 사용하였다. 이외의 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 과정은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있으므로, 그 상세한 설명을 생략한다.
유기용매 클로로벤젠(chlorobenzene)에 20mg/1mL의 P3HT를 녹였다. 이 경우, 1wt%의 산화니켈(II) 나노입자를 P3HT에 함께 넣어서 30분 동안 초음파 처리한 후, 24시간 동안 교반하였다. 그 결과, 고분자 사슬에 나노 입자가 도핑되었다. 그리고 기판 위에 ITO(indium tin oxide, 인듐 틴 옥사이드) 또는 금속을 열증착하여 게이트 전극을 형성하고, 절연층을 300nm 이상의 두께로 스핀 코팅하였다. 그리고 산화니켈(II) 나노입자로 도핑된 P3HT 고분자반도체 용액을 스핀 코팅하여 75nm 두께의 채널층을 형성하였다. 마지막으로, 은을 진공 열증착하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하였다.
비교예
금속 산화물 나노입자를 사용하지 않고, 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)만을 사용하여 채널층을 형성해 유기 전계효과 트랜지스터를 제조하였다. 이 경우, 채널층의 두께는 65nm이었다. 나머지 제조 공정은 전술한 실험예와 동일하므로, 그 상세한 설명을 생략한다.
실험결과
전술한 실험예와 비교예에 따라 제조한 유기 전계효과 트랜지스터를 이용하여 광의 파장에 따른 흡수율을 측정하였다. 이러한 방법을 통하여 산화니켈(II)의 첨가에 따른 유기 전계효과 트랜지스터의 특성 변화를 알 수 있었다.
도 3은 본 발명의 실험예 및 비교예에 따른 UV 가시성 흡수 그래프를 나타낸다. 도 3에서 점선은 전술한 실험예에 따른 유기 전계효과 트랜지스터의 흡수율을 나타내고, 실선은 전술한 비교예에 따른 유기 전계효과 트랜지스터의 흡수율을 나타낸다.
도 3에 도시한 바와 같이, 실험예에 따른 흡수율 그래프는 비교예에 따른 흡수율 그래프보다 약간 우측으로 이동하였다. 이는 산화니켈(II)의 첨가에 따라 산화니켈(II)이 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)에 도핑되면서 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)의 결정성을 높였기 때문이다. 따라서 산화니켈(II)과 P3HT의 터널링 상태의 에너지 밴드값이 거의 일치하게 되므로, 산화니켈(II) 자체의 우수한 20~50cm2·V-1·sec-1 정도의 정공 이동도를 효율적으로 이용할 수 있다. 그 결과, 실험예에 따라 제조한 유기 전계효과 트랜지스터에서는 소스-드레인간의 전류가 비교예에 따라 제조한 유기 전계효과 트랜지스터에 비헤 약 10배 정도 증가하였다. 또한, 전하 이동도도 3배 정도 증가하였다. 따라서 전자 이동도가 우수한 유기 전계효과 트랜지스터를 저가에 제조할 수 있었다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
100. 유기 전계효과 트랜지스터
10. 기판
20 .게이트 전극
30. 절연층
40. 채널층
50. 소스 전극
60. 드레인 전극
401. 고분자 매트릭스
403. 금속산화물 나노입자들
10. 기판
20 .게이트 전극
30. 절연층
40. 채널층
50. 소스 전극
60. 드레인 전극
401. 고분자 매트릭스
403. 금속산화물 나노입자들
Claims (10)
- 게이트 전극,
상기 게이트 전극 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하는 채널층,
상기 채널층 위에 위치하는 소스 전극, 및
상기 소스 전극과 이격되어 상기 채널층 위에 위치하는 드레인 전극
을 포함하고,
상기 채널층은,
고분자 매트릭스, 및
상기 고분자 매트릭스 내에 혼입된 금속산화물 나노입자들
을 포함하며,
상기 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물이고,
상기 고분자 매트릭스 및 상기 금속산화물 나노입자의 에너지 밴드갭의 차이는 0.1 eV 내지 0.5 eV인 것인 유기 전계효과 트랜지스터. - 제1항에 있어서,
상기 고분자 매트릭스는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)인 유기 전계효과 트랜지스터. - 제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자들의 양은 상기 채널층의 10wt% 내지 60wt%인 유기 전계효과 트랜지스터. - 제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm인 유기 전계효과 트랜지스터. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 고분자 매트릭스와 상기 금속산화물 나노입자들은 모두 p형인 유기 전계효과 트랜지스터. - 게이트 전극을 제공하는 단계,
상기 게이트 전극 위에 절연층을 스핀 코팅하는 단계,
상기 절연층 위에 채널층을 스핀 코팅하는 단계, 및
상기 채널층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 열증착하는 단계
를 포함하고,
상기 채널층을 스핀 코팅하는 단계는,
고분자 용액을 제공하는 단계, 및
상기 고분자 용액에 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계
를 포함하며,
상기 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물이고,
상기 고분자 용액 및 상기 금속산화물 나노입자의 에너지 밴드갭의 차이는 0.1 eV 내지 0.5 eV인 것인 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계에서, 상기 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm인 유기 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법. - 삭제
- 제7항에 있어서,
상기 고분자 용액은 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)인 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법.
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| KR20140093526A KR20140093526A (ko) | 2014-07-28 |
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| CN108269917A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 深圳先进技术研究院 | 一种有机场效应器件及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012204812A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
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| KR100730148B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 |
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