JP5126168B2 - 有機el装置および電子機器 - Google Patents
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Description
また、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色を呈するドット(セル)を4ドット(セル)略マトリクス状に組み合わせ、これら4ドット(セル)で一画素を構成させる配置も知られている(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、人間の色を識別する能力は目の黄班部の中にある光感覚器官にあり、光センサーとなる網膜錐体にはS・L・M、それぞれ青・赤・緑の三つの種類がある。この黄班部の顕微鏡写真を見ると、網膜錐体はそれぞれ識別できるような染みになっている。そして、赤・緑の網膜錐体がそれぞれ10あるとすると、青の網膜錐体は平均して1しかなく、したがって網膜錐体の比率は赤:緑:青=10:10:1となっている。
よって、詳細情報(解像度)はもっぱら赤と緑とで検出(視認)され、青の網膜錐体は色の識別要素ではあるものの、詳細情報を読み取る要素ではないことが分かる。
また、前記各論理画素における前記青のサブピクセルの数は、当該各論理画素の中心に配置されている前記サブピクセルの数と同じであることを特徴としている。
また、前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記サブピクセルの配置パターンが、前記青のサブピクセルの二つを中心パターンとし、前記中心パターンの中心点を中心として点対称になるように、前記中心パターンの両側にそれぞれ前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルとを配置してなることを特徴としている。
本発明の有機EL装置は、赤、緑を含むサブピクセルを有する有機EL装置において、第1の方向に配列されている複数の前記サブピクセル及び前記第1の方向と交差する第2の方向に配列されている複数の前記サブピクセルによって論理画素を構成し、前記第1の方向に配列されている複数の前記サブピクセルと前記第2の方向に配列されている複数の前記サブピクセルとが交差する位置を前記論理画素の中心とし、第1の論理画素における前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルのうち、数の少ない第1色のサブピクセルが前記第1の論理画素の中心に配置されており、前記第1の論理画素に配置されている前記第1色のサブピクセルは、第2の論理画素に共有されるように配置され、前記第2の論理画素の中心には、前記第1の論理画素における前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルのうち、数の多い第2色のサブピクセルが配置されていることを特徴としている。
また、前記有機EL装置は、さらに青のサブピクセルを有し、前記各論理画素における前記青のサブピクセルの数は、当該各論理画素の中心に配置されている前記サブピクセルの数と同じであることを特徴としている。
また、前記有機EL装置は、前記サブピクセルの配置パターンが、前記青のサブピクセルの一つあるいは複数を中心パターンとし、前記中心パターンの中心点を中心として点対称になるように、前記中心パターンの両側にそれぞれ前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルとを配置してなることを特徴としている。
また、前記有機EL装置は、前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記中心パターンが、二つの前記青のサブピクセルによって形成されてなることを特徴としている。
また、電極間に発光層を有してなる有機EL装置において、前記発光層のドットを構成するサブピクセルが赤、緑、青の3色からなり、前記サブピクセルの配置パターンが、前記青色のサブピクセルの一つあるいは複数を中心パターンとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを配置し、かつ、これら両側にそれぞれ配置する赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを、前記中心パターンの中心点を中心として点対称の位置に配置してなることを特徴としている。
このようにすれば、従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して各色のサブピクセルを容易に形成することができる。
このようにしても、従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して各色のサブピクセルを容易に形成することができ、また、青色のサブピクセルについては他の色のサブピクセルより粗いピッチで形成することができる。
このようにすれば、例えば青色のサブピクセルを一つ備えかつ三つより多い(例えば六つの)サブピクセルで一画素を構成することにより、画素ピッチ等を従来に比べ比べ格段に狭くすることなく、見掛けの解像度をより良好に上げることが可能となる。
この電子機器によれば、良好な表示を行うことができる有機EL装置を備えているので、電子機器自体も良好な表示をなすものとなる。
図1は、本発明の有機EL装置の一実施形態を示す図であり、発光層のサブピクセルの配置を示す図である。図1中符号Sは発光層のドットを構成するサブピクセルを示し、これらサブピクセルSは赤色のサブピクセル(図1中にRで示す。以下、サブピクセルRと記す。)、緑色のサブピクセル(図1中にGで示す。以下、サブピクセルGと記す。)、青色のサブピクセル(図1中にBで示す。以下、サブピクセルBと記す。)の3色からなっている。
なお、本発明において配置パターンPは、単に製造する際に各色のサブピクセルをどのように配置するかを規定しただけのものであり、表示を行う際の単位となるピクセル、すなわち単位画素を構成するものではない。
したがって、本実施形態における論理画素は、従来の画素に比べ同等のサブピクセル(TFT)密度により、実際に知覚される輝度、すなわち見掛け上の解像度を高くすることができ、これにより高解像度なものとなる。
図5に示す有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下ではTFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置である。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続されている。
本実施形態の有機EL装置1は、図6に示すように電気絶縁性を備えた基板20と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図6中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する矩形状のサブピクセルR、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置されている。
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。これら走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。
基体200を構成する基板20としては、いわゆるトップエミッション型の有機EL装置の場合、この基板20の対向側である封止部(図示せず)側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより、発光光を生じるようになっている。
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)[商品名;バイトロン−p(Bytron-p):バイエル社製]の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、前記の高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。
以上に説明した基板20上の第2層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成するものとなっている。
その後、基板20の全面を覆うように画素電極23となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図12(k)に示すように、第2層間絶縁層284のコンタクトホール23aを介してドレイン電極244と導通する画素電極23を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン26も形成する、なお、図7では、これら画素電極23、ダミーパターン26を総称して画素電極23としている。
次いで、有機バンク層221の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、該プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層221の上面および開口部221aの壁面ならびに画素電極23の電極面、親液性制御層25の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層70および発光層60の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
また、必要に応じて、前述したようにこのような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。
次いで、図13(n)に示すように、陰極層形成工程によって陰極50の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりITOを成膜し、陰極50とする。
また、バックエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体200に形成するスイッチング用TFT112や駆動用TFT123については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層25および有機バンク層221の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
図15は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図15において符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は前記の有機EL装置を用いた表示部を示している。
この携帯電話(電子機器)は、前記有機EL装置1を有した表示部を備えているので、良好な表示をなすものとなる。
なお、本発明の電子機器としては、携帯電話に限ることなく、腕時計型電子機器やワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置などにも適用可能なのはもちろんである。
S…サブピクセル、R…赤色のサブピクセル、G…緑色のサブピクセル、
B…青色のサブピクセル、C…中心パターン、L…画素(論理画素)、O…中心点
Claims (4)
- 赤、緑、青のサブピクセルを縦横に配置してなる有機EL装置において、
前記縦横のうちの一方となる第1の方向に配列されている4つのサブピクセル及び前記4つのサブピクセルのうちの1つのサブピクセルに対して第1の方向と交差する第2方向の両側に配置された2つのサブピクセルによって論理画素を構成し、
前記第1の方向に配列されている4つの前記サブピクセルと前記第2の方向に配列されている3つの前記サブピクセルとが交差する位置を前記論理画素の中心とし、
第1の論理画素における前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルのうち、数の少ない第1色のサブピクセルが前記第1の論理画素の中心に配置されており、
前記第1の論理画素に配置されている前記第1色のサブピクセルは、前記第1の論理画素の、前記第1の方向における両隣の二つの第2の論理画素と、前記第2の方向における両隣の二つの第2の論理画素の、合計四つの第2の論理画素に共有されるように配置され、
前記第2の論理画素の中心には、前記第1の論理画素における前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルのうち、数の多い第2色のサブピクセルが配置されていることを特徴とする有機EL装置。 - 前記各論理画素における前記青のサブピクセルの数は、当該各論理画素の中心に配置されている前記サブピクセルの数と同じであることを特徴とする請求項1記載の有機EL装置。
- 前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、
前記サブピクセルの配置パターンが、前記青のサブピクセルの二つを中心パターンとし、前記中心パターンの中心点を中心として点対称になるように、前記中心パターンの両側にそれぞれ前記赤のサブピクセルと前記緑のサブピクセルとを配置してなることを特徴とする請求項2記載の有機EL装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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