JP5458669B2 - 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 - Google Patents
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 Download PDFInfo
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Description
1.第1実施形態(フッ素樹脂層と密着層とが同一パターンである構成例)
2.第2実施形態(フッ素樹脂層よりも密着層を一回り小さくした構成例)
3.第3実施形態(薄膜トランジスタを用いた表示装置への適用例)
4.第4実施形態(電子機器への適用例)
尚、第1実施形態および第2実施形態においては、薄膜トランジスタの製造方法を説明し、次いで得られた薄膜トランジスタの構成を説明する。
図1は、第1実施形態の薄膜トランジスタ1-1の断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1-1は、トップゲート・ボトムコンタクト型であり、基板11上のソース電極13sおよびドレイン電極13dに有機半導体層15が設けられ、この上部にゲート絶縁膜17を介してゲート電極19を設けてなる。そして特に、ゲート絶縁膜17が、フッ素樹脂層17a、密着層17b、および高誘電率樹脂層17cの3層構造で構成されているところが特徴的である。
図3は、第2実施形態の薄膜トランジスタ1-2の断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1-2が、第1実施形態の薄膜トランジスタと異なるところは、3層構造で構成されたゲート絶縁膜17’において、フッ素樹脂層17aよりも密着層17b’を一回り小さくした構成にある。このような構成は、特に密着層17b’が金属材料からなる場合に有効である。
次に、本発明の第3実施形態として、上述の実施形態で説明した薄膜トランジスタを備えた表示装置を説明する。ここでは第2実施形態で説明した薄膜トランジスタ1-2と共に、有機電界発光素子ELとを用いたアクティブマトリックス型の表示装置30を説明する。
図8〜12には、以上説明した本発明に係る表示装置を表示部として用いた電子機器の一例を示す。本発明の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、さらに電子機器内で生成した映像信号を表示するあらゆる分野の電子機器における表示部に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
Claims (15)
- 基板上のソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間にわたって設けられた有機半導体層と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記有機半導体層が形成された前記基板上に、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層、金属材料からなる密着層、および前記フッ素樹脂層を構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層をこの順に積層したゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えた
薄膜トランジスタ。 - 前記金属材料は遮光性であり、
前記高誘電率樹脂層は、紫外線硬化樹脂で構成されている
請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記有機半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された前記基板上に設けられている
請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記有機半導体層は、前記密着層および前記フッ素樹脂層と共に島状にパターニグされ、前記高誘電率樹脂層で覆われている
請求項3に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記密着層は、前記有機半導体層および前記フッ素樹脂層よりも一回り小さい島状にパターニングされている
請求項4に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板上に、ソース電極およびドレイン電極と、当該ソース電極とドレイン電極との間にわたる有機半導体層とを形成する工程と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記有機半導体層が形成された前記基板上に、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層、金属材料からなる密着層、および前記フッ素樹脂層を構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層をこの順に積層成膜したゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを行なう
薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記密着層の成膜は、真空プロセスを適用して行われる
請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、遮光性の前記金属材料を用いて前記密着層を成膜した後、紫外線硬化樹脂を用いて前記高誘電率樹脂層を成膜する
請求項6または7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記基板上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成した後に、当該基板上に前記有機半導体層を形成する
請求項6〜8の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記有機半導体層上に、前記フッ素樹脂層と前記密着層とをこの順に成膜した後、前記有機半導体層と共に当該密着層およびフッ素樹脂層とを島状にパターニングすることにより素子分離を行ない、次に前記高誘電率樹脂層を成膜する
請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記素子分離を行なう際には、前記有機半導体層および前記フッ素樹脂層よりも一回り小さい島状に前記密着層をパターニングする
請求項10に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上のソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間にわたって設けられた有機半導体層と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記有機半導体層が形成された前記基板上に、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層、金属材料からなる密着層、および前記フッ素樹脂層を構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層をこの順に積層したゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えた
表示装置。 - 前記金属材料は遮光性であり、
前記高誘電率樹脂層は、紫外線硬化樹脂で構成されている
請求項12に記載の表示装置。 - 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された導電性パターンとを有し、
前記薄膜トランジスタは、
基板上のソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間にわたって設けられた有機半導体層と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記有機半導体層が形成された前記基板上に、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層、金属材料からなる密着層、および前記フッ素樹脂層を構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層をこの順に積層したゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えた
電子機器。 - 前記金属材料は遮光性であり、
前記高誘電率樹脂層は、紫外線硬化樹脂で構成されている
請求項14に記載の電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009128436A JP5458669B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009128436A JP5458669B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010278173A JP2010278173A (ja) | 2010-12-09 |
JP5458669B2 true JP5458669B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=43424879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009128436A Expired - Fee Related JP5458669B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5458669B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312375B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-06-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin-film transistor, method for producing thin-film transistor and image display apparatus using thin-film transistor |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102779942B (zh) * | 2011-05-24 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
KR102036327B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광장치 및 그 제조방법 |
CN105706220B (zh) | 2013-11-21 | 2018-09-18 | 株式会社尼康 | 晶体管的制造方法和晶体管 |
WO2016035615A1 (ja) | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 株式会社ダイセル | 塗布型絶縁膜形成用組成物 |
WO2019065056A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
WO2019065055A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
KR102276514B1 (ko) | 2019-08-28 | 2021-07-14 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1459392B1 (en) * | 2001-12-19 | 2011-09-21 | Merck Patent GmbH | Organic field effect transistor with an organic dielectric |
KR100669752B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치 |
US20060231829A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Xerox Corporation | TFT gate dielectric with crosslinked polymer |
WO2007099690A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Pioneer Corporation | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
-
2009
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312375B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-06-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin-film transistor, method for producing thin-film transistor and image display apparatus using thin-film transistor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010278173A (ja) | 2010-12-09 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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