CN111180608A - 显示装置 - Google Patents

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CN111180608A CN201911104763.XA CN201911104763A CN111180608A CN 111180608 A CN111180608 A CN 111180608A CN 201911104763 A CN201911104763 A CN 201911104763A CN 111180608 A CN111180608 A CN 111180608A
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display device
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film
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孙祯炫
金嗂翰
金容铎
李炳德
赵尹衡
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一基底；发光元件，设置在第一基底上；封装膜，覆盖发光元件；第二基底，面对第一基底；第一最外膜，设置在第二基底上以面对封装膜，并且包括AOXNY(其中，A是金属元素或非金属元素，并且X>Y)；以及填充材料，设置在封装膜和第一最外膜之间，并且放置为与第一最外膜直接接触。

Description

显示装置
本申请要求于2018年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0138699号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置已经变得越来越重要。因此，已经开发了各种合适的显示装置，诸如液晶显示装置(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)显示装置等。
OLED显示装置包括作为自发光元件的OLED。OLED包括彼此面对的两个电极以及置于两个电极之间的有机发光层。来自两个电极的电子和空穴可以在有机发光层中复合以产生激子，并且响应于激子从激发态到基态的跃迁，可以发光。
因为OLED显示装置不需要单独的光源，所以OLED显示装置由于其众多的改进(诸如低功耗、薄(例如，低厚度)、轻质(例如，重量轻)、宽视角、高亮度和对比度以及快响应速度)已经成为下一代显示装置的焦点。
OLED显示装置可以包括其上设置有OLED的显示基底和其上设置有光转换构件的光转换基底。OLED显示装置还可以包括：密封构件，用于结合显示基底和光转换基底；以及填充材料，设置在显示基底和光转换基底之间以填充由密封构件、显示基底和光转换基底形成的空间。
当填充材料相对于分别设置在其顶表面和底表面上的光转换基底和显示基底的润湿性弱(例如，润湿性差)时，因为光转换基底和/或显示基底未被填充材料适当地填充，所以会发生显示缺陷。
发明内容
根据本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种显示装置，在该显示装置中，具有高表面张力的亲液无机层放置为与填充材料接触，以改善分散特性和润湿特性。
根据本公开的一个或更多个实施例的另一方面涉及一种制造显示装置的方法，在该显示装置中，具有高表面张力的亲液无机层放置为与填充材料接触，以改善分散特性和润湿特性。
然而，本公开的方面不限于这里阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的实施例，显示装置包括：第一基底；多个发光元件，位于第一基底上；封装膜，覆盖多个发光元件；第二基底，面对第一基底；第一最外膜，位于第二基底上，面对封装膜，并且包括AOXNY，其中，A是金属元素或非金属元素，并且X>Y；以及填充材料，位于封装膜和第一最外膜之间，并且与第一最外膜直接接触。
在示例性实施例中，第一最外膜的第一表面张力可以大于填充材料的第二表面张力。
在示例性实施例中，第一最外膜的第一表面张力可以为约60mN/m或更大。
在示例性实施例中，第一表面张力的极性分量可以为约35mN/m或更大。
在示例性实施例中，第一最外膜和填充材料之间的折射率的差可以小于或等于约0.2。
在示例性实施例中，第一最外膜可以具有约
Figure BDA0002270948660000021
至约
Figure BDA0002270948660000022
的厚度和约80％或更高的透射率。
在示例性实施例中，金属元素或非金属元素A可以包括硅(Si)或铝(Al)。
在示例性实施例中，填充材料可以包括从硅基有机材料、环氧类有机材料和丙烯酸有机材料中选择的一种。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括：密封剂，在平面图中观看时位于第一基底和第二基底之间，并且围绕填充材料，其中，填充材料位于由封装膜、第一最外膜和密封剂围绕的空间中。
在示例性实施例中，密封剂可以与填充材料接触，并且可以与第一基底的表面和第二基底的表面直接接触以将第一基底的表面和第二基底的表面结合在一起。
在示例性实施例中，多个发光元件中的每个发光元件可以包括：阳极电极；阴极电极，面对阳极电极；以及有机层，位于阳极电极和阴极电极之间，并且被构造为发射蓝光。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括：多个光转换图案，位于第二基底和第一最外膜之间。
在示例性实施例中，多个发光元件可以被构造为发射蓝光，并且多个光转换图案可以包括：第一波长转换图案，被构造为将蓝光转换为红光；第二波长转换图案，被构造为将蓝光转换为绿光；以及透光图案，被构造为使蓝光穿过其透射。
在示例性实施例中，第一最外膜可以在其中设置有多个光转换图案的区域中形成凸部，并且在其中未设置有多个光转换图案的区域中形成凹部。
在示例性实施例中，填充材料可以填充第一最外膜的凹部。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括遮光罩，其中，遮光罩设置为在厚度方向上与第一最外膜的凹部叠置。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括：第二最外膜，位于第一基底上，与填充材料直接接触，并且包括BOPNQ，其中，B是金属元素或非金属元素，并且P>Q，其中，金属元素或非金属元素B包括硅或铝。
在示例性实施例中，第二最外膜的第三表面张力可以大于填充材料的第二表面张力，第三表面张力可以为约60mN/m或更大，并且第三表面张力的极性分量可以为约35mN/m或更大。
根据本公开的实施例，显示装置包括：第一基底；多个发光元件，位于第一基底上；封装膜，覆盖多个发光元件；最外膜，位于封装膜上，并且包括AOXNY，其中，A是金属元素或非金属元素，并且X>Y；第二基底，面对第一基底；以及填充材料，位于最外膜和第二基底之间，并且与最外膜直接接触。
在示例性实施例中，最外膜的第一表面张力可以大于填充材料的第二表面张力，并且第一表面张力可以为约60mN/m或更大。
在示例性实施例中，第一表面张力的极性分量可以为约35mN/m或更大。
在示例性实施例中，最外膜和填充材料之间的折射率的差可以小于或等于约0.2。
在示例性实施例中，最外膜可以具有约
Figure BDA0002270948660000041
至约
Figure BDA0002270948660000042
的厚度和约80％或更高的透射率。
在示例性实施例中，金属元素或非金属元素A可以包括硅或铝。
根据本公开的前述和其他实施例，因为具有高表面张力的亲液无机层放置为与填充材料接触，所以可以提供具有改善的分散特性和润湿特性的显示装置。
通过详细描述、附图、权利要求及其等同物，其他特征和实施例可以是明显的。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面及特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图；
图2是沿着图1的线II-II'截取的剖视图；
图3是图1和图2的显示装置的平面图；
图4是沿着图3的线IV-IV'截取的剖视图；
图5是沿着图3的线V-V'截取的剖视图；
图6A是示出图4的部分Q1的放大剖视图；
图6B和图6C是示出图4的部分Q1的修改示例的放大剖视图；
图7是根据图1的实施例的显示装置的修改示例的剖视图；
图8是示出图4的区域A的放大剖视图；
图9是示出图8的第六覆盖层和填充材料的放大剖视图；
图10是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图；
图11至图19是根据本公开的其他实施例的显示装置的剖视图；
图20是示出图19的区域B的剖视图；
图21至图24是根据本公开的其他实施例的显示装置的剖视图；
图25是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图；
图26是示出根据图25的实施例的密封构件的形成的透视图；
图27是示出根据图25的实施例的通过形成密封构件而获得的第一目标基底的平面图；
图28A和图28B是沿着图27的线XXVIII-XXVIII'截取的剖视图；
图29是示出根据图25的实施例的通过形成填充材料而获得的目标基底的平面图；
图30是用于解释根据本公开的另一实施例的制造显示装置的方法的平面图；
图31是示出根据图30的实施例的如何通过第一母基底和第二母基底获得第一基底和第二基底的透视图；以及
图32A和图32B是沿着图31的线XXXII-XXXII'截取的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
通过参考将参照附图更详细描述的实施例，发明构思的改进和特征以及用于实现该改进和特征的方法将是明显的。然而，发明构思不限于在下文中公开的实施例，而是可以以多种形式来实施。描述中限定的事项(诸如详细的构造和元件)只是为了帮助本领域普通技术人员全面理解发明构思而提供的特定细节，发明构思仅在所附权利要求及其等同物的范围内限定。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图，图2是沿着图1的线II-II'截取的剖视图，图3是图1和图2的显示装置的平面图。
参照图1至图3，显示装置1可以适用于各种合适的电子装置，诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、汽车导航单元、相机、设置在汽车中的中央信息显示器(CID)、手表型(例如，手表式)电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、中小型电子装置(诸如游戏装置)、电视(TV)、外部广告牌、监视器、PC和/或笔记本计算机，但是本公开不限于此。也就是说，显示装置1还可以适用于除了在此阐述的那些之外的各种合适的电子装置。
显示装置1可以在平面图中具有矩形形状。显示装置1可以包括在一个(例如，第一)方向上延伸的一对长边和在与长边延伸所沿的(例如，第一)方向交叉或相交的另一(例如，第二)方向上延伸的一对短边。例如，在平面图中，显示装置1的长边可以在第一方向DR1上延伸，并且显示装置1的短边可以在与第一方向DR1交叉或相交的第二方向DR2上延伸。显示装置1的长边和短边交汇处的角可以在平面图中成直角，但是本公开不限于此。可选地，显示装置1的长边和短边交汇处的角可以是倒圆的。显示装置1的平面形状不受特别限制，显示装置1可以具有除了矩形形状之外的各种合适的形状，诸如圆形、正方形或椭圆形。
显示装置1可以包括其中显示有图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NA。
显示区域DA可以设置在显示装置1的中心处。显示区域DA可以包括多个像素。像素可以包括发射第一颜色的光(例如，具有约610nm至约650nm的峰值波长的红光)的第一像素PX1、发射第二颜色的光(例如，具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿光)的第二像素PX2以及发射第三颜色的光(例如，具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝光)的第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在行方向和列方向上交替地布置。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以以各种合适的方式(诸如条纹方式或PenTile方式)布置。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括相应的第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2或第三光输出区域PA3以及非光输出区域PB。第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3被限定为通过显示表面从其输出光的区域，非光输出区域PB被限定为不通过显示表面从其输出光的区域。非光输出区域PB可以设置为围绕第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3。第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3可以通过遮光构件(例如，遮光罩)与非光输出区域PB区别开，随后将对此更详细地描述。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括相应的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3可以在厚度方向上与相应的第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2或第三光输出区域PA3叠置。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3可以在厚度方向上对应于相应的第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2或第三光输出区域PA3。在平面图中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3的尺寸可以比相应的第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2或第三光输出区域PA3的尺寸小，但是本公开不限于此。可选地，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3的尺寸可以与相应的第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2或第三光输出区域PA3的尺寸基本相同。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以被限定为经由有机层发光的区域。非发光区域可以设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3附近。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以通过坝层与非发光区域区别开，随后将对此更详细地描述。
从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个发射的光的波长不仅可以通过从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3发射的光来控制，而且通过设置为与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2或第三发光区域LA3叠置的波长转换层或滤色器来控制。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以全部发射相同波长的光(例如，蓝光)，并且发射的光的颜色可以通过设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的波长转换层和/或滤色器而被转换为第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的输出颜色。
非显示区域NA可以设置在显示区域DA的外部上并且可以围绕显示区域DA。非显示区域NA可以包括虚设发光区域，虚设发光区域具有与像素的发光区域的结构基本相同的结构，但是被控制为不发光。可选地，非显示区域NA可以包括像素的发光区域，但是从非显示区域NA发射的光可以被遮光构件(例如，遮光罩)阻挡。
非显示区域NA还可以包括密封区域SA。密封区域SA可以是其中设置有将在后面更详细地描述的密封构件(例如，密封剂)50的区域。密封区域SA可以沿着显示装置1的包括显示装置1的两条长边和两条短边的边缘部分连续地设置。
图1和图2示出了密封区域SA沿着显示装置1的所有边缘(例如，四个边缘)设置并且与显示装置1的侧面对齐，但是本公开不限于此。也就是说，可选地，密封区域SA可以设置在显示装置1的侧面中的一个侧面的内侧上。因此，密封区域SA可以提供其中设置有外部装置和/或连接到外部装置的信号垫(pad，或称为“焊盘”)的空间，并且可以防止或实质上防止密封构件50在尚未固化时从显示装置1流出。
参照图2，显示装置1可以包括光提供器100、面对光提供器100的光转换器300、置于光提供器100和光转换器300之间的填充材料70以及沿着光提供器100和光转换器300中的每个的边缘将光提供器100和光转换器300结合在一起的密封构件(例如，密封剂)50。
光提供器100可以包括用于显示图像的元件和电路(即，诸如开关元件的像素电路、在显示区域DA中限定第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3以及非光输出区域PB的坝层以及有机发光二极管(OLED))。光提供器100可以是显示基底。
光转换器300设置在光提供器100上方并且面对光提供器100。光转换器300可以是面对显示基底的相对基底。光转换器300可以是颜色转换基底，该颜色转换基底包括使由光提供器100提供的光(或入射光)的颜色改变的颜色转换图案，但是本公开不限于此。
在非显示区域NA中，密封构件50可以设置在光提供器100和光转换器300之间。密封构件50可以沿着光提供器100和光转换器300中的每个的边缘设置，并且可以在平面图中围绕显示区域DA。此外，密封构件50可以在厚度方向上设置在光提供器100和光转换器300之间。密封构件50可以将光提供器100和光转换器300结合在一起。也就是说，光提供器100和光转换器300可以通过密封构件50彼此结合。在平面图中，密封构件50可以呈沿着密封区域SA设置的连续矩形框架的形状。
密封构件50可以包括诸如环氧树脂的有机材料，但是本公开不限于此。随后将更详细地描述密封构件50的剖面结构以及密封构件50如何与填充材料70接触。
填充材料70可以设置在由光提供器100、光转换器300和密封构件50围绕的空间中。填充材料70可以由能够穿过其透射光的材料形成，并且可以具有缓冲功能。在一个实施例中，填充材料70可以由有机材料形成。例如，填充材料70可以由硅基有机材料、环氧类有机材料和/或丙烯酸有机材料形成，但是本公开不限于此。
在下文中，将参照图4至图7描述显示装置1的结构。
图4是沿着图3的线IV-IV'截取的剖视图，图5是沿着图3的线V-V'截取的剖视图，图6A是示出图4的部分Q1的放大剖视图，图6B和图6C是示出图4的部分Q1的修改示例的放大剖视图，图7是根据图1的实施例的显示装置的修改示例的剖视图。
参照图4和图5，显示装置1可以包括光提供器100、光转换器300、设置在光提供器100和光转换器300之间以将它们结合在一起的密封构件50以及设置在由光提供器100、光转换器300和密封构件50围绕的空间中的填充材料70。
在下文中，将描述光提供器100。
光提供器100可以包括第一基体基底110、第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3、绝缘膜130、坝层150、第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3以及薄膜封装层170。
第一基体基底110可以由透光材料形成。第一基体基底110可以是玻璃基底和/或塑料基底。
在第一基体基底110上，可以在每个像素中设置至少一个开关元件。例如，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3可以分别设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中。尽管未具体示出，但是还可以在第一基体基底110上设置多条信号线(例如，栅极线、数据线和/或电源线等)，以将信号传输到第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3。
绝缘膜130可以设置在第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3上。绝缘膜130可以形成为有机膜。例如，绝缘膜130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂和/或酯树脂。
在绝缘膜130上，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以分别设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中，并且可以至少部分地扩展到非发光区域中。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以经由穿透绝缘膜130的通孔分别连接到第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3。
在一个实施例中，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以是第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3的阳极电极。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以包括有助于空穴注入的高逸出功材料，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)为例。当显示装置1是顶部发射显示装置时，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3还可以包括反射金属层。反射金属层可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物。在一些实施例中，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以具有双层结构(诸如ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2)或者多层(例如，三层或更多层)结构(诸如ITO/Ag/ITO)。
坝层150可以设置在第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上。坝层150可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的边界设置。坝层150可以形成为栅格形状，并且可以包括至少部分地暴露第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的开口。如上所述，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以通过坝层150与非发光区域区分开。也就是说，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的未被坝层150覆盖而被坝层150暴露的部分可以形成第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的被坝层150覆盖的部分可以变为非发光区域。
在一些实施例中，坝层150可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)。有机层OL可以设置在第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的被坝层150的开口暴露的部分(例如，局部)上。在下文中，将参照图6A至图6C以及图7描述有机层OL。
参照图6A，有机层OL可以包括设置在第一像素电极AE1上的第一空穴传输层HTL1、设置在第一空穴传输层HTL1上的第一发射层EL1以及设置在第一发射层EL1上的第一电子传输层ETL1。在图6A的实施例中，有机层OL可以仅包括一个发射层(即，第一发射层EL1)，并且第一发射层EL1可以发射蓝光L1。然而，有机层OL的堆叠结构不特别限于图6A中所示的堆叠结构，而是可以例如如图6B和图6C中所示变化。
例如，参照图6B，有机层OLa还可以包括设置在第一发射层EL1上的第一电荷产生层CGL1和设置在第一电荷产生层CGL1上的第二发射层EL2，并且第一电子传输层ETL1可以设置在第二发射层EL2上。
第一电荷产生层CGL1可以将电荷注入到第一发射层EL1和第二发射层EL2中的每个中。第一电荷产生层CGL1可以控制第一发射层EL1和第二发射层EL2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层和/或p型电荷产生层。p型电荷产生层可以设置在n型电荷产生层上。
第一发射层EL1和第二发射层EL2可以发射具有相同峰值波长的蓝光，或者可以发射具有不同峰值波长的蓝光。可选地，第一发射层EL1和第二发射层EL2可以发射不同颜色的光。也就是说，第一发射层EL1可以发射蓝光，第二发射层EL2可以发射绿光。
因为有机层OLa包括两个发射层，所以与图6A的有机层OL的发射效率和寿命(例如，时长)相比，可以提高有机层OLa的发射效率和寿命(例如，时长)。
参照图6C，有机层OLb可以包括三个发射层(即，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3)以及置于三个发射层之间的两个电荷产生层(即，第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2)。具体地，有机层OLb还可以包括：第一电荷产生层CGL1，设置在第一发射层EL1上；第二发射层EL2，设置在第一电荷产生层CGL1上；第二电荷产生层CGL2，设置在第二发射层EL2上；以及第三发射层EL3，设置在第二电荷产生层CGL2上。第一电子传输层ETL1可以设置在第三发射层EL3上。
与第一发射层EL1和第二发射层EL2一样(例如，类似于第一发射层EL1和第二发射层EL2)，第三发射层EL3可以发射蓝光。在一个实施例中，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3可以均发射蓝光，其中，由第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3发射的蓝光可以都具有相同的波长，或者由第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3发射的一些蓝光可以具有不同的波长。在另一实施例中，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3可以发射不同颜色的光。例如，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3可以发射蓝光和绿光，或者可以发射红光、绿光和蓝光，以整体上发射白光。
再次参照图4，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL的部分(例如，一些层)可以彼此连接。即使第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL的部分彼此连接，也仅有机层OL的与第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3接触的部分(例如，局部)可以发光。如果有机层OL(例如，有机层OL的一些层)公共形成，而不是针对每个像素划分，则可以同时形成有机层OL的部分(例如，那些层)，这就效率而言是理想的。
参照图7，可以针对第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3形成单独的有机层，即，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3。例如，设置在第一像素电极AE1上的第一有机层OL1、设置在第二像素电极AE2上的第二有机层OL2和设置在第三像素电极AE3上的第三有机层OL3彼此分开。第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3可以设置在第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的被坝层150的开口暴露的部分上，并且因此可以通过坝层150而彼此分开。因为第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3逐像素分开，所以可以防止或基本上防止第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3由于漏电流而意外发光。
在一些实施例中，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3中的每个的一些层可以如图7中所示逐像素分开，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3中的每个的其他层可以如图4中所示针对所有像素公共形成。例如，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3的发射层可以逐像素分开，但是第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3的空穴传输层和/或电子传输层可以针对所有像素形成为公共层。
再次参照图4，当第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3是第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3的阳极电极时，共电极CE可以是第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3的阴极电极，并且可以包括有助于电子注入的低逸出功材料，诸如以Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba或者它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。
当显示装置1是顶部发射显示装置时，共电极CE可以具有透明性或半透明性(即，可以是透明的或半透明的)。当通过将低逸出功材料沉积到几十
Figure BDA0002270948660000131
至几百
Figure BDA0002270948660000132
的薄厚度来形成共电极CE时，共电极CE可以具有透明性或半透明性。当利用低逸出功金属膜形成共电极CE时，共电极CE还可以包括沉积在低逸出功金属膜上并包括例如氧化钨(WxOx)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)的透明导电材料层，以确保(例如，增强)透明性并降低电阻(例如，电阻值)。
第一像素电极AE1、有机层OL和共电极CE可以形成第一OLED ED1；第二像素电极AE2、有机层OL和共电极CE可以形成第二OLED ED2；第三像素电极AE3、有机层OL和共电极CE可以形成第三OLED ED3。
薄膜封装层170可以设置在共电极CE上。为了防止或基本上防止外部杂质或湿气渗透到第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3中，薄膜封装层170可以设置在第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3上以密封光提供器100。
薄膜封装层170可以形成在显示装置1的整个表面上，而与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的区别无关。如图5中所示，薄膜封装层170可以被设置为延伸到甚至非显示区域NA的一部分。尽管未具体示出，但是还可以在薄膜封装层170和共电极CE之间设置一个或更多个覆盖层以覆盖共电极CE，在这种情况下，薄膜封装层170可以直接覆盖覆盖层。
薄膜封装层170可以覆盖包括共电极CE的第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3。第一OLED ED1、第二OLED ED2和第三OLED ED3可以被第一基体基底110和薄膜封装层170围绕并密封。
薄膜封装层170可以包括顺序堆叠在共电极CE上的第一封装无机膜171、封装有机膜172和第二封装无机膜173。
第一封装无机膜171和第二封装无机膜173可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氧化铈、氮氧化硅(SiON)和/或氟化锂形成。
封装有机膜172可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和/或苝树脂形成。
第一封装无机膜171可以设置在共电极CE上。共电极CE会反映(例如，共形地反映)下面的高度差，因此可能具有表面凹凸。第一封装无机膜171可以由无机材料形成，因此会共形地反映共电极CE的至少一些表面凹凸。因此，与共电极CE一样(例如，类似于共电极CE)，第一封装无机膜171可能具有表面凹凸。
封装有机膜172可以设置在第一封装无机膜171上。封装有机膜172可以通过填充第一封装无机膜171的表面凹凸来减轻下面的高度差或使下面的高度差平坦化。
第二封装无机膜173可以设置在封装有机膜172上。
第一封装无机膜171和第二封装无机膜173可以在其边缘处彼此直接接触。例如，如果在平面图中第一封装无机膜171和第二封装无机膜173的尺寸大于封装有机膜172的尺寸，则可以通过第一封装无机膜171和第二封装无机膜173完全密封封装有机膜172。图5示出了第二封装无机膜173向外延伸超过第一封装无机膜171，但是本公开不限于此。可选地，第一封装无机膜171可以向外延伸超过第二封装无机膜173。又可选地，第一封装无机膜171和第二封装无机膜173可以在平面图中具有相同的尺寸，因此可以在其侧面上彼此对齐。
在下文中，将描述光转换器300。光转换器300可以包括第二基体基底310、遮光构件(例如，遮光罩)320、第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333、光转换图案350以及一个在另一个上方堆叠的多个覆盖层341至346(即，340)。
第二基体基底310面对第一基体基底110。第二基体基底310可以包括第一基体基底110的前述的示例材料中的至少一种。
遮光构件320可以设置在第二基体基底310的面对(例如，指向)光提供器100(即，图4的向下方向)的表面上。遮光构件320可以沿着第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3之间的边界设置(即，设置在非光输出区域PB中)，并且可以通过其阻挡光的透射。遮光构件320可以防止或基本上防止来自第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的颜色的混合。
与非光输出区域PB一样(即，类似于非光输出区域PB)，遮光构件320可以在平面图中以栅格形式布置。遮光构件320可以在厚度方向上与光提供器100的坝层150至少部分地叠置。
遮光构件320可以包括有机材料、包含铬的金属材料和炭黑中的至少一种。
滤色器330可以设置在第二基体基底310上。滤色器330可以包括第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333。第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以是吸收设定波长或预定波长的光同时使另一设定波长或预定波长的光穿过其透射的吸收滤光器。
第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以分别设置在第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中。第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333的位置不受特别限制，第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以部分地延伸到甚至遮光构件320，因此可以设置在遮光构件320上。
在蓝光L1和由第一波长转换图案351发射的红光L2之间，第一滤色器331可以阻挡或吸收蓝光L1。也就是说，第一滤色器331可以用作阻挡蓝光L1的阻蓝光滤光器，并且还可以用作选择性地使红光L2穿过其透射的透红光滤光器。第一滤色器331可以包括红色着色剂。
在蓝光L1和由第二波长转换图案352发射的绿光L3之间，第二滤色器332可以阻挡或吸收蓝光L1。也就是说，第二滤色器332可以用作阻挡蓝光L1的阻蓝光滤光器，并且还可以用作选择性地使绿光L3穿过其透射的透绿光滤光器。第二滤色器332可以包括绿色着色剂。
第三滤色器333可以透射由透光图案353发射的蓝光L4，这将在下面更详细地描述。也就是说，第三滤色器333可以用作透蓝光滤光器。第三滤色器333可以包括蓝色着色剂。
第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以吸收至少一些从外部入射在其上的光。例如，因为第一滤色器331可以用作透红光滤光器，所以第一滤色器331可以阻挡除红光之外的至少一些外部光。此外，因为第二滤色器332可以用作透绿光滤光器，所以第二滤色器332可以阻挡除绿光之外的至少一些外部光。此外，因为第三滤色器333可以用作透蓝光滤光器，所以第三滤色器333可以阻挡除蓝光之外的至少一些外部光。以这种方式，第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以改善外部光的反射。
第一覆盖层341可以设置在第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333上。第一覆盖层341可以设置在第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333的整个表面上。
第一覆盖层341可以防止或基本上防止第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333被诸如外部湿气或空气的杂质损坏或污染。此外，第一覆盖层341可以防止或基本上防止第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333的着色剂扩散到和/或渗透到除了设置有第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333的区域之外的区域中。
第二覆盖层342可以设置在第一覆盖层341上。第二覆盖层342可以被设置为覆盖第一覆盖层341。第二覆盖层342可以防止或基本上防止第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333被诸如外部湿气或空气的杂质损坏或污染。此外，第二覆盖层342可以与随后将更详细描述的第三覆盖层343一起密封第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353，因此可以防止或基本上防止外部湿气或空气渗透到第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353中。
第一覆盖层341和第二覆盖层342可以由无机材料形成。例如，第一覆盖层341和第二覆盖层342可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氮氧化硅。
光转换图案350可以设置在第一覆盖层341和第二覆盖层342上。光转换图案350可以包括第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353。
第一波长转换图案351可以设置在第一光输出区域PA1中。第一波长转换图案351可以仅设置在第一光输出区域PA1中，而不设置在第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中。第一波长转换图案351可以将入射光的峰值波长转换或变换为设定或预定的峰值波长，并且可以发射所得的光。第一波长转换图案351可以将蓝光L1转换为红光L2，并且可以发射红光L2。
第一波长转换图案351可以包括第一基体树脂3511和分散在第一基体树脂3511中的第一波长变换器3512，并且还可以包括分散在第一基体树脂3511中的第一散射体3513。
第一基体树脂3511的材料没有特别限制，只要其具有高透光率并且对于第一波长变换器3512和第一散射体3513具有合适的(例如，优异的)分散特性即可。例如，第一基体树脂3511可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和/或酰亚胺树脂。
第一波长变换器3512可以将入射光的峰值波长转换或变换为设定或预定的峰值波长。第一波长变换器3512的示例包括量子点、量子棒和磷光体。例如，量子点是响应于电子从导带到价带的跃迁而发射特定的(例如，具体的)颜色的光的颗粒物质(例如，材料)。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据它们的组成和/或尺寸而具有特定的(例如，具体的)带隙。量子点可以吸收光，然后可以发射独特波长的光。半导体纳米晶体材料的示例包括IV族纳米晶体材料、II-VI族化合物纳米晶体材料、III-V族化合物纳米晶体材料、IV-VI族化合物纳米晶体材料以及它们的组合。
例如，IV族纳米晶体材料可以是硅(Si)、锗(Ge)或者诸如碳化硅(SiC)和/或硅锗(SiGe)的二元化合物，但是本公开不限于此。
此外，II-VI族化合物纳米晶体材料可以是二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS或它们的混合物；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS或它们的混合物；和/或四元化合物，诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或它们的混合物，但是本公开不限于此。
此外，III-V族化合物纳米晶体材料可以是二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb或它们的混合物；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb或它们的混合物；和/或四元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP或它们的混合物，但是本公开不限于此。
此外，IV-VI族化合物纳米晶体材料可以是二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe或它们的混合物；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe或它们的混合物；和/或四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或它们组合，但是本公开不限于此。
量子点可以具有核-壳结构，并且可以包括包含上述纳米晶体材料(例如，由上述纳米晶体材料组成)的核以及围绕核的壳。量子点的壳可以执行用于防止或基本上防止核的化学变性以维持半导体特性的保护层的功能和/或执行用于向量子点赋予电泳特性的充电层的功能。量子点的壳可以具有单层结构或多层结构。量子点的壳的示例包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物及其组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO，和/或三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4，但是本公开不限于此。
此外，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb，但是本公开不限于此。
由第一波长变换器3512发射的光可以具备具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的半带宽的发射波长光谱，结果，可以进一步改善由显示装置1显示的颜色的纯度和再现性。此外，第一波长变换器3512可以在各种方向上发光，而与光的入射方向无关。因此，可以改善在第一光输出区域PA1中显示的红光L2的横向可视性。
由第一发光区域LA1提供的一些蓝光L1会穿过第一波长转换图案351发射，而没有被第一波长变换器3512转换为红光L2。未被第一波长转换图案351转换而入射到第一滤色器331上的蓝光L1可以被第一滤色器331阻挡。另一方面，一些蓝光L1可以被第一波长转换图案351转换为红光L2，并且该红光L2可以穿过第一滤色器331发射到外部。
第一散射体3513可以具有与第一基体树脂3511的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂3511形成光学界面。例如，第一散射体3513可以是光散射颗粒。第一散射体3513的材料没有特别限制，只要其能够散射至少一些穿过其的光即可。例如，第一散射体3513可以是金属氧化物的颗粒和/或有机材料的颗粒。金属氧化物的示例包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)，有机材料的示例包括丙烯酸树脂和氨基甲酸酯树脂。
第一散射体3513可以在实质上不改变穿过第一波长转换图案351的光的波长的情况下在任意方向上散射入射光，而与入射光的入射方向无关。结果，可以延长穿过第一波长转换图案351的光的路径，并且可以提高第一波长变换器3512的颜色转换效率。
第一波长转换图案351可以具有3μm至15μm的厚度。当第一波长转换图案351形成为3μm或更大的厚度时，可以提高转换穿过第一波长转换图案351的光的颜色的效率。为了易于处理，第一波长转换图案351的厚度的上限可以例如优选为约15μm。
第一波长变换器3512在第一波长转换图案351中的含量(例如，基于第一波长转换图案351的总重量)可以为10％至60％。第一散射体3513在第一波长转换图案351中的含量(例如，基于第一波长转换图案351的总重量)可以为2％至10％。
第二波长转换图案352可以设置在第二光输出区域PA2中。第二波长转换图案352可以仅设置在第二光输出区域PA2中，而不设置在第一光输出区域PA1和第三光输出区域PA3中。第二波长转换图案352可以将入射光的峰值波长转换或变换为设定或预定的峰值波长，并且可以发射所得的光。第二波长转换图案352可以将蓝光L1转换为具有约510nm至约550nm的波长的绿光L3。
第二波长转换图案352可以包括第二基体树脂3521和分散在第二基体树脂3521中的第二波长变换器3522，并且还可以包括分散在第二基体树脂3521中的第二散射体3523。
第二基体树脂3521可以由与第一基体树脂3511的材料相同的材料形成，或者可以包括第一基体树脂3511的前述的示例材料中的至少一种。
第二波长变换器3522可以将入射光的峰值波长转换或变换为设定或预定的峰值波长。第二波长变换器3522可以将峰值波长为430nm至470nm的蓝光L1转换为峰值波长为510nm至550nm的绿光L2。一些蓝光L1会穿过第二波长转换图案352发射而不被第二波长变换器3522转换为绿光L3，该蓝光L1可以被第二滤色器332阻挡。一些蓝光L1可以被第二波长转换图案352转换为绿光L2，该绿光L2可以穿过第二滤色器332发射。
第二波长变换器3522的示例包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长变换器3522可以与第一波长变换器3512基本相同，因此，将不重复其详细描述。
第一波长变换器3512和第二波长变换器3522都可以包括量子点。在这种情况下，第一波长变换器3512的量子点的直径可以大于第二波长变换器3522的量子点的直径。
第二散射体3523可以具有与第二基体树脂3521的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂3521形成光学界面。例如，第二散射体3523可以是光散射颗粒。第二散射体3523与第一散射体3513基本相同，因此，将不重复其详细描述。
第二波长转换图案352的厚度可以与第一波长转换图案351的厚度基本相同。
第二波长变换器3522在第二波长转换图案352中的含量(例如，基于第二波长转换图案352的总重量)可以为10％至60％。第二散射体3523在第二波长转换图案352中的含量(例如，基于第二波长转换图案352的总重量)可以为2％至10％。
透光图案353可以设置在第三光输出区域PA3中。透光图案353可以仅设置在第三光输出区域PA3中，而不设置在第一光输出区域PA1和第二光输出区域PA2中。透光图案353可以使入射光穿过其透射。例如，透光图案353可以透射提供到其的蓝光L1或透射穿过其提供的蓝光L1。透光图案353可以包括第三散射体3533，因此可以在任意方向上随机散射蓝光L1。
透光图案353可以包括第三基体树脂3531和分散在第三基体树脂3531中的第三散射体3533。
第三基体树脂3531可以由与第一基体树脂3511的材料相同的材料形成，或者可以包括第一基体树脂3511的前述的示例材料中的至少一种。
第三散射体3533可以具有与第三基体树脂3531的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂3531形成光学界面。例如，第三散射体3533可以是光散射颗粒。第三散射体3533与第一散射体3513基本相同，因此，将不重复其详细描述。
由第三OLED ED3提供的蓝光L1可以穿过透光图案353，并且可以作为蓝光L4从第三像素PX3发射。
光转换图案350可以在厚度方向上突出。例如，光转换图案350可以在第三方向DR3(即，面对光提供器100的方向)上突出。第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353的相对于光转换图案350的与第二覆盖层342接触的底表面的高度可以基本相同，但是本公开不限于此。可选地，第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353的相对于光转换图案350的底表面的高度中的全部高度或一些高度可以不同。
光转换图案350可以包括朝向光提供器100突出的第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353，第一波长转换图案351、第二波长转换图案352和透光图案353可以彼此隔离。光转换图案350的表面可以包括高度差。例如，设置有光转换图案350的区域可以朝向光提供器100突出，而未设置有光转换图案350的区域可以远离光提供器100凹进。
第三覆盖层343可以设置在光转换图案350上。第三覆盖层343可以覆盖光转换图案350。
第三覆盖层343可以包括无机材料。第三覆盖层343可以由与第一覆盖层341的材料相同的材料形成，或者可以包括第一覆盖层341的前述的示例材料中的至少一种。在一个实施例中，第三覆盖层343可以包括氮化硅。第三覆盖层343会反映(例如，共形地反映)由光转换图案350的表面产生的高度差，结果，第三覆盖层343的面对光提供器100的表面可能是凹凸的。也就是说，第三覆盖层343的一个或两个表面可以包括在厚度方向上与光转换图案350叠置的区域中的凸部和在厚度方向上与光转换图案350不叠置的区域中的凹部。
第三覆盖层343与第二覆盖层342一起可以密封第一波长转换图案351和第二波长转换图案352，因此可以防止或基本上防止第一波长转换图案351和第二波长转换图案352被诸如湿气或空气的外部杂质损坏或污染。
层间有机层344可以进一步设置在第三覆盖层343上。层间有机层344可以是包括有机材料的平坦化层。层间有机层344可以设置在第三覆盖层343的面对光提供器100的表面上(即，设置在第三覆盖层343的凸部和凹部两者上)。层间有机层344可以填充第三覆盖层343的凹部中的至少一些凹部。层间有机层344的与第三覆盖层343的凸部叠置的部分(例如，局部)的表面和层间有机层344的与第三覆盖层343的凹部叠置的部分(例如，局部)的表面可能是不完全平坦的。例如，层间有机层344在与第三覆盖层343的凸部叠置的区域中可以比在与第三覆盖层343的凹部叠置的区域中平坦。此外，层间有机层344可以在与第三覆盖层343的凹部叠置的区域中比在与第三覆盖层343的凸部叠置的区域中更远离光提供器100凹进。
第五覆盖层345可以设置在层间有机层344上。第五覆盖层345可以由诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料形成。
第五覆盖层345可以设置在层间有机层344的平坦部分和非平坦部分上。在与层间有机层344的非平坦部分叠置的区域中，第五覆盖层345会反映(例如，共形地反映)层间有机层344上的凹进，因此可能包括表面凹凸。也就是说，第五覆盖层345可以在与层间有机层344的平坦部分叠置的区域中包括凸部，可以在与层间有机层344的非平坦部分叠置的区域中包括凹部。
第六覆盖层346可以设置在第五覆盖层345上。第六覆盖层346会反映(例如，共形地反映)第五覆盖层345的表面凹凸，因此可能包括表面凹凸。也就是说，第六覆盖层346可以在与第五覆盖层345的凸部叠置的区域中包括凸部，并且可以在与第五覆盖层345的凹部叠置的区域中包括凹部。
在一个实施例中，第六覆盖层346可以包括富氧化物金属或非金属氧化物。第六覆盖层346可以包括金属或非金属中心原子以及共价键合到中心原子的氧原子和氮原子。在一个实施例中，第六覆盖层346的氧含量比可以大于第六覆盖层346的氮含量比。
第六覆盖层346可以位于光转换器300的最外层中。第六覆盖层346可以设置在与填充材料70直接接触的区域中。例如，第六覆盖层346可以是包括无机材料(例如，元素)作为中心原子的最外无机层。
当第六覆盖层346设置在光转换器300的最外部处(与填充材料70相邻)并且设置为例如最外无机层时，可以改善填充材料70对光转换器300的表面的粘附性。随后将更详细地描述第六覆盖层346的结构和益处。
第六覆盖层346在上面已经被描述为包括在光转换器300中，但是本公开不限于此。也就是说，可选地，第六覆盖层346可以作为单独的元件设置在光转换器300下方，在这种情况下，第六覆盖层346可以设置在填充材料70和光转换器300之间，因此可以与光转换器300直接接触。
密封构件(例如，密封剂)50可以设置在光提供器100的第一基体基底110和光转换器300的第二基体基底310之间。密封构件50可以与第一基体基底110和第二基体基底310的两个相对的表面(例如，彼此面对的两个表面)接触。也就是说，第一基体基底110和第二基体基底310的所述两个相对的表面可以经由密封构件50彼此结合。
在一个实施例中，首先可以在第一基体基底110上形成密封构件50，然后可以将第二基体基底310附着到密封构件50。在另一实施例中，首先可以在第二基体基底310上形成密封构件50，然后可以将第一基体基底110附着到密封构件50。
在一个实施例中，如图2和图5中所示，密封构件50的外侧表面可以在厚度方向上与光提供器100的侧表面和光转换器300的侧表面对齐。在剖视图中，密封构件50的外侧表面可以在厚度方向上具有直线形状。密封构件50的与密封构件50的外侧表面相对的内侧表面可以设置在密封构件50的外侧表面的内侧上，并且可以与填充材料70部分接触。在剖视图中，与密封构件50的外侧表面一样(例如，类似于密封构件50的外侧表面)，密封构件50的内侧表面可以在厚度方向上具有直线形状。
填充材料70可以与光提供器100的薄膜封装层170和第一基体基底110部分接触，并且还可以与光转换器300的第六覆盖层346和光转换器300的设置在第一光输出区域PA1与密封区域SA之间的遮光构件320部分接触。填充材料70也可以与密封构件50的内侧表面部分接触。
如上所述，在非光输出区域PB中，光转换器300可以在向上方向上(即，在显示方向上)凹进，并且可以沿着显示方向突出超过填充材料70。也就是说，设置在光转换器300的面对填充材料70的最外层中的第六覆盖层346可以具有表面凹凸，该表面凹凸包括在非光输出区域PB中的凹部以及在第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中的凸部。与在第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中相比，光转换器300在非光输出区域PB中会通常具有相对不平坦的表面。
填充材料70可以使光转换器300的表面凹凸平坦化。也就是说，填充材料70可以在非光输出区域PB中填充光转换器300的在向上方向或显示方向上凹进的部分(例如，填充在凹部中)。填充材料70也可以在非发光区域(例如，非光输出区域PB)中填充第六覆盖层346的凹部。因此，填充材料70可以使光转换器300的面对光提供器100的表面上的凹凸平坦化(例如，填充光转换器300的面对光提供器100的表面上的凹凸)，因此可以防止或基本上防止光提供器100的元件因光转换器300的表面上的任何高度差物理地损坏。
此外，因为填充材料70由具有缓冲功能的材料形成，所以填充材料70可以用作能够吸收在光提供器100和光转换器300之间产生的冲击的缓冲构件(例如，缓冲件)。
填充材料70可以具有约1.4至1.6的折射率。如随后将更详细描述的，填充材料70的折射率和与填充材料70部分接触的第六覆盖层346的折射率之间的差可以小于或等于约0.2。
例如，填充材料70可以在第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中具有第一厚度TH1，并且在非光输出区域PB中具有第二厚度TH2。第二厚度TH2可以大于第一厚度TH1。第一厚度TH1可以为约2μm至约7μm(例如，第一厚度TH1可以为约2μm或约7μm)。第二厚度TH2可以为约3μm至约9μm(例如，第二厚度TH2可以为约3μm或约9μm)。
图8是示出图4的区域A的放大剖视图，图9是示出图8的第六覆盖层346和填充材料70的放大剖视图。
参照图8和图9，第六覆盖层346的材料可以包括富氧化物金属或非金属氧化物。第六覆盖层346的材料可以包括金属或非金属中心原子以及共价键合到中心原子的氧原子和氮原子。在一个实施例中，第六覆盖层346的氧含量比可以大于第六覆盖层346的氮含量比。
第六覆盖层346可以包括具有式AOXNY的多种材料。参照式AOXNY，A表示第六覆盖层346的材料的中心原子。中心原子A可以包括金属中心原子或非金属中心原子。当中心原子A包括金属中心原子时，中心原子A可以包括铝(Al)。当中心原子A包括非金属中心原子时，中心原子A可以包括硅(Si)。再次参照式AOXNY，X表示作为对应材料的一个分子中的氧含量的第一含量，Y表示作为对应材料的一个分子中的氮含量的第二含量。第一含量X和第二含量Y都可以大于0且小于1。第一含量X和第二含量Y之间的关系可以表示第六覆盖层346的一个分子中的氧和氮的含量之间的关系。在一个实施例中，第一含量X可以大于第二含量Y。也就是说，在第六覆盖层346的一个分子中，氧的含量可以大于氮的含量。在一个实施例中，第六覆盖层346可以包括作为中心原子A的硅。
可以经由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在光转换器300的第五覆盖层345上沉积第六覆盖层346。可以在约70℃至约300℃的温度下执行PECVD工艺。
可以考虑到效率和邻近目标物体设置的元件的热脆性来确定PECVD工艺的温度。例如，考虑效率，可以在约150℃或更高的温度下执行PECVD工艺。此外，考虑到设置在第六覆盖层346附近的元件(例如，第一波长转换图案351和第二波长转换图案352)的热脆性，可以在约250℃或更低的温度下执行PECVD工艺。因此，考虑到效率和热脆性两者，可以例如优选地在约150℃至250℃的温度下执行用于形成第六覆盖层346的沉积工艺，但是本公开不限于此。可选地，例如，主要考虑到效率，可以例如优选地在250℃或更高的温度下执行用于形成第六覆盖层346的沉积工艺，或者主要考虑到热脆性，可以例如优选地在150℃或更低的温度下执行用于形成第六覆盖层346的沉积工艺。
如上所述，在约550nm的波长处，第六覆盖层346可以具有约1.4至约1.7的折射率，并且填充材料70可以具有约1.4至约1.6的折射率。第六覆盖层346的折射率可以大于或小于填充材料70的折射率或者与填充材料70的折射率基本相同。即使第六覆盖层346的折射率不同于填充材料70的折射率，第六覆盖层346的折射率和填充材料70的折射率之间的差也可以小于或等于约0.2。在这种情况下，可以减少在填充材料70和第六覆盖层346之间的界面处的光路的任何改变。
第六覆盖层346的厚度可以为约
Figure BDA0002270948660000251
至约
Figure BDA0002270948660000252
第六覆盖层346的厚度与亲液性和透光率有关(例如，基于亲液性和透光率选择)。例如，当第六覆盖层346的厚度大于约
Figure BDA0002270948660000253
时，第六覆盖层346可以具有对填充材料70的稳定的亲液性(例如，对填充材料70的稳定的亲和性)。也就是说，可以确保与填充材料70的亲液性的第六覆盖层346的有效厚度可以为约
Figure BDA0002270948660000258
此外，当第六覆盖层346的厚度为约
Figure BDA0002270948660000254
或更小时，第六覆盖层346的透光率可以为约80％或更高。也就是说，可以确保至少约80％或更高的透光率的第六覆盖层346的厚度可以为约
Figure BDA0002270948660000255
或更小。就亲液性和透光率而言，第六覆盖层346的厚度可以例如优选为约
Figure BDA0002270948660000256
至约
Figure BDA0002270948660000257
参照图9，第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的AOXNY分子可以在其间具有第一材料结合力FS。第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的填充材料70的材料的分子可以在其间具有第二材料结合力FL。第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的AOXNY可以具有为第一材料结合力FS的和的第一界面(表面)张力F1，第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的填充材料70的材料可以具有为第二材料结合力FL的和的第二界面(表面)张力F2。
第一界面张力F1可以大于第二界面张力F2。也就是说，在第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处，第六覆盖层346的表面张力可以比填充材料70的表面张力大。例如，第六覆盖层346的第一界面张力F1可以为约60mN/m或更大。第一表面张力F1可以包括极性张力(例如，极性分量)和非极性张力(例如，非极性分量)。极性张力可以是由于因AOXNY的极性部分(即，一个或更多个氧原子)引起的极性而发生的张力。非极性张力可以是由具有比(一个或更多个)氧原子的电负性(具有约3.5的电负性)相对较低的(约3.0)电负性的(一个或更多个)氮原子引起的张力。在一个实施例中，极性张力可以为约35mN/m或更大，非极性张力可以为约30mN/m或更大。极性张力和非极性张力的和可以等于第一界面张力F1。随着第六覆盖层346的第一含量X(即，第六覆盖层346的氧含量)增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，结果，第一界面张力F1总体上可以增大。第一界面张力F1根据第六覆盖层346的第一含量X增大的程度可以大于第一界面张力F1根据第六覆盖层346的第二含量Y(即，第六覆盖层346的氮含量)增大的程度。
当第六覆盖层346的第一界面张力F1大于填充材料70的第二界面张力F2时，第六覆盖层346的界面能可以大于填充材料70的界面能。第六覆盖层346的界面能越大，第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的AOXNY越趋向于与填充材料70结合。具体地，因为第六覆盖层346的界面能大于填充材料70的界面能，所以第六覆盖层346和填充材料70之间的界面处的AOXNY具有与填充材料70的材料结合的趋势，以因此降低界面能。结果，第六覆盖层346的表面处的AOXNY可以容易地与填充材料70结合。
在这种情况下，第六覆盖层346和填充材料70之间的结合力可以是第一界面结合力FSL1。第一界面结合力FSL1与第一界面张力F1和第二界面张力F2之间的差具有相关性。例如，随着第一界面张力F1和第二界面张力F2之间的差增大，第一界面结合力FSL1可以增大。
如上所述，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以提高填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，并且填充材料70可以适当地附着到光转换器300。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300的表面上的凹进，因此可以使光转换器300的表面基本上平坦化。一旦使光转换器300的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置1的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300的表面平坦化功能和显示装置1的耐用性两者。
第六覆盖层346的AOXNY的第二含量Y大于0且小于1。因此，如果第六覆盖层346中包括至少一些氮原子，则可以增强保护显示装置1的内侧免受外部湿气或空气的影响的功能。
在下文中，将描述根据本公开的其他实施例的显示装置。在图1至图24中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不重复其详细描述。
图10是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图，图11是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图。
图10和图11示出了其中从光转换图案350和第六覆盖层346之间可以不包括(例如，重复)至少一个覆盖层的示例。参照图10，图10的显示装置2与显示装置1的不同之处在于不设置层间有机层344(或第四覆盖层)。也就是说，参照图10，第五覆盖层345可以设置在第三覆盖层343上。作为包括有机材料的平坦化层的第四覆盖层可以通过对光转换器300_1上的凹进进行填充来减轻光转换器300_1上的高度差。然而，当应用第六覆盖层346时，光转换器300_1上的凹进可以不需要被第四覆盖层填充。第六覆盖层346设置在光转换器300_1的最外部处。第六覆盖层346包括非金属化合物或金属化合物，该非金属化合物或金属化合物具有比其第二含量Y(即，氮含量)大的第一含量X(即，更大的氧含量)，因此可以具有相对于填充材料70的强的界面结合力。因此，在图10的实施例中，在不借助第四覆盖层的情况下，可以简单地利用填充材料70来减轻光转换器300_1上的高度差。此外，因为未设置包括有机材料的第四覆盖层，所以可以减小显示装置2的总体厚度(例如，总厚度)。
参照图11，显示装置3与图10的显示装置2的不同之处在于不设置第五覆盖层345。参照图11，第六覆盖层346可以保护光转换器300_2免受可能从光转换器300_2下方穿透光转换器300_2的外部空气或湿气的影响。第六覆盖层346可以包括氮原子。也就是说，当形成第六覆盖层346的AOXNY的第二含量Y至少大于0且小于1时，可以改善第六覆盖层346的保护膜功能，结果，第六覆盖层346可以在不借助于第五覆盖层345的情况下适当地保护光转换器300_2。
第三覆盖层343可以包括氮化硅。在图11的实施例中，第六覆盖层346可以直接形成在第三覆盖层343上。如上所述，第六覆盖层346可以包括氮原子。也就是说，第六覆盖层346的AOXNY的第二含量Y可以至少大于0且小于1。在这种情况下，即使第六覆盖层346直接形成在第三覆盖层343上，因为第六覆盖层346的材料包含氮，所以也可以最小化或减少会由在厚度方向上堆叠的膜或层的材料变化而引起的光学特性的任何变化。
图12至图18是根据本公开的其他实施例的显示装置的剖视图。图12至图18示出了遮光构件320的各种修改示例。
参照图12，光转换器300_3与图4的光转换器300的不同之处在于其还包括在第六覆盖层346上的第二遮光构件321。
具体地，第二遮光构件321可以设置在第五覆盖层345和第六覆盖层346之间。第二遮光构件321可以设置为与非光输出区域PB叠置。与遮光构件320一样(例如，类似于遮光构件320)，第二遮光构件321可以设置在第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3之间以防止或基本上防止从第一光输出区域PA1、第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3发射的光的混合。第二遮光构件321可以由与遮光构件320的材料基本相同的材料形成。第二遮光构件321可以与第六覆盖层346的一个表面直接接触。如上所述，在非光输出区域PB中，会在远离光提供器100的方向上形成凹进。当从光提供器100发射的蓝光L1穿过凹进时，凹进会变成光学界面，在这种情况下，蓝光L1的色纯度会由于光学界面处诸如折射的意外的光转换而降低。然而，在图12的实施例中，第二遮光构件321设置为与非光输出区域PB叠置。因此，即使在光学界面处发生诸如折射的意外的光转换，也可以阻止由光转换导致的光的传播，结果，可以防止或基本上防止蓝光L1的色纯度降低。
此外，第二遮光构件321可以设置为与第五覆盖层345的凹部叠置，以使形成在光转换器300_3的非光输出区域PB中的凹进平坦化。
在图12的实施例中，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光转换器300_3。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300_3的表面上的凹进，因此可以使光转换器300_3的表面基本上平坦化。一旦使光转换器300_3的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置4的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300_3的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300_3的表面平坦化功能和显示装置4的耐用性两者。
参照图13，第二遮光构件321_1与图12的第二遮光构件321的不同之处在于其设置在光提供器100_1中。
具体地，第二遮光构件321_1可以设置在第二封装无机膜173上。填充材料70可以设置在第二遮光构件321_1上。第二遮光构件321_1可以设置在第二封装无机膜173和填充材料70之间。
在图13的实施例中，在非光输出区域PB中，会在远离光提供器100_1的方向上形成凹进。当从光提供器100_1发射的蓝光L1穿过凹进时，凹进会变成光学界面，在这种情况下，蓝光L1的色纯度会由于光学界面处诸如折射的意外的光转换而降低。然而，在图13的实施例中，第二遮光构件321_1设置为与非光输出区域PB叠置。因此，即使在光学界面处发生诸如折射的意外的光转换，也可以阻止由光转换导致的光的传播，结果，可以防止或基本上防止蓝光L1的色纯度降低。
此外，第二遮光构件321_1可以设置为与第五覆盖层345的凹部叠置，以使形成在光转换器300的非光输出区域PB中的凹进平坦化。
在图13的实施例中，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光转换器300。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300的表面上的凹进，因此可以使光转换器300的表面基本上平坦化。一旦使光转换器300的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置5的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300的表面平坦化功能和显示装置5的耐用性两者。
参照图14，光转换器300_4与图11的光转换器300_2的不同之处在于在光转换器300_4的第三覆盖层343和第六覆盖层346之间设置第二遮光构件321_2。
第二遮光构件321_2可以包括与图13的第二遮光构件321_1的材料基本相同的材料。
第二遮光构件321_2可以与第三覆盖层343和第六覆盖层346直接接触。
在图14的实施例中，在非光输出区域PB中，可以在远离光提供器100的方向上形成凹进。当从光提供器100发射的蓝光L1穿过凹进时，凹进会变成光学界面，在这种情况下，蓝光L1的色纯度会由于光学界面处诸如折射的意外的光转换而降低。然而，在图14的实施例中，第二遮光构件321_2设置为与非光输出区域PB叠置。因此，即使在光学界面处发生诸如折射的意外的光转换，也可以阻止由光转换导致的光的传播，结果，可以防止或基本上防止蓝光L1的色纯度降低。
此外，第二遮光构件321_2可以设置为与第三覆盖层343的凹部叠置，以使形成在光转换器300_4的非光输出区域PB中的凹进平坦化。
在图14的实施例中，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光转换器300_4。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300_4的表面上的凹进，因此可以使光转换器300_4的表面基本上平坦化。一旦使光转换器300_4的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置6的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300_4的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300_4的表面平坦化功能和显示装置6的耐用性两者。
参照图15，光转换器300_5与图13的光转换器300的不同之处在于其还包括设置在第二基体基底310上的反射滤光器334。具体地，反射滤光器334可以设置在第二基体基底310上。反射滤光器334可以在厚度方向上与遮光构件320叠置。反射滤光器334可以设置在非光输出区域PB中。遮光构件320可以设置在反射滤光器334上。
反射滤光器334可以使蓝光穿过其透射并且可以反射其他光。
具体地，入射在显示装置7的非光输出区域PB中的外部光可以穿过设置在第二基体基底310和遮光构件320之间的反射滤光器334。也就是说，穿过反射滤光器334的外部光可以是蓝光，并且可以通过在遮光构件320和反射滤光器334之间的界面处反射而发射到显示装置7外。当第三滤色器333的开口率小于第一滤色器331和第二滤色器332的开口率时，可以采用图15的实施例。响应于外部光入射在显示装置7的显示表面上，外部光会由光转换器300_5或设置在光转换器300_5下方的层中的金属材料转换，然后会发射到显示装置7外。在这种情况下，穿过第三滤色器333的蓝光L4的量会小于穿过第一滤色器331和第二滤色器332发射的红光L2和绿光L3的量。因为由于外部光的反射而逐波长发射不同量的光，因此会使显示装置7的总体色纯度劣化。然而，在图15的实施例中，因为利用了反射滤光器334，因此可以解决这种色纯度劣化。
在一个实施例中，遮光构件320可以包括有机材料，并且可以由具有与反射滤光器334的折射率不同的折射率的材料形成。当遮光构件320和反射滤光器334具有不同的折射率时，一些光可以由于遮光构件320和反射滤光器334之间的折射率不同而在遮光构件320和反射滤光器334之间的界面处反射。
在一些实施例中，遮光构件320可以由金属材料形成。当遮光构件320包括金属材料时，外部光可以在遮光构件320和反射滤光器334之间的界面处被金属材料反射。
遮光构件320的材料没有特别限制，只要其能够从反射滤光器334上方反射穿过反射滤光器334的外部光即可。
在图15的实施例中，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光转换器300_5。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300_5的表面上的凹进，因此可以使光转换器300_5的表面基本上平坦化。一旦使光转换器300_5的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置7的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300_5的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300_5的表面平坦化功能和显示装置7的耐用性两者。
参照图16，光转换器300_6与图12的光转换器300_3的不同之处在于其还包括反射滤光器334。如上面已经描述了光转换器300_6的反射滤光器334和第二遮光构件321，因此将不重复其详细描述。
参照图17，光转换器300_7与图13的光转换器300的不同之处在于其还包括反射滤光器334。如上面已经描述了光转换器300_7的反射滤光器334和第二遮光构件321_1，因此将不重复其详细描述。
参照图18，光转换器300_8与图14的光转换器300_4的不同之处在于其还包括反射滤光器334。如上面已经描述了光转换器300_8的反射滤光器334和第二遮光构件321_2，因此将不重复其详细描述。
图19是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图，图20是示出图19的区域B的放大剖视图，图21是根据图19的实施例的显示装置的剖视图。图22是根据图19的实施例的显示装置的修改示例的剖视图。
参照图19至图22，显示装置11的光提供器100_2与显示装置1的光提供器100的不同之处在于其还包括第二最外层181或181_1。
具体地，光提供器100_2可以包括设置在薄膜封装层170和填充材料70之间的第二最外层181。第二最外层181可以设置在薄膜封装层170的第二封装无机膜173上，并且可以与填充材料70直接接触。第二最外层181可以由与上面参照图8和图9描述的第六覆盖层346的材料基本相同的材料形成。第二最外层181与上面关于第六覆盖层346所描述的基本相同，因此，将不重复其详细描述。参照图22，第二最外层181_1可以设置为延伸到甚至密封区域SA和非光输出区域PB之间的非显示区域NA中。具体地，第二最外层181_1可以覆盖第二封装无机膜173的顶表面和侧表面，并且还可以覆盖第一基体基底110的顶表面。第二最外层181_1可以与第二无机封装膜173的顶表面和侧表面以及与第一基体基底110的顶表面直接接触。
在图19至图21的实施例中，随着第六覆盖层346的第一含量X增加，形成第六覆盖层346的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第六覆盖层346和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第六覆盖层346的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光转换器300。因此，填充材料70可以适当地填充光转换器300的表面上的凹进，因此可以使光转换器300的表面基本上平坦化，从而改善显示装置11的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光转换器300的表面上的凹进进行填充，可以改善光转换器300的表面平坦化功能和显示装置11的耐用性两者。
此外，在图19至图21的实施例中，通过在薄膜封装层170上设置第二最外层181，可以增强填充材料70和光提供器100_2之间的结合力。薄膜封装层170可以包括封装有机膜172。作为平坦化层的封装有机膜172可以减轻由光提供器100_2的设置在封装有机膜172下方的元件产生的高度差或表面凹凸。然而，会在光提供器100_2的面对光转换器300的表面上产生表面凹凸或高度差。也就是说，光提供器100_2可能在其至少一部分上包括高度差或表面凹凸。然而，因为第二最外层181设置在薄膜封装层170上，所以可以减轻光提供器100_2上的高度差或表面凹凸。
图23是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图23，显示装置13的光提供器100_3与图19的光提供器100_2的不同之处在于未设置第二封装无机膜173，并且第二最外层181直接设置在封装有机膜172上。
如上所述，第二最外层181可以包括氮原子。也就是说，当形成第二最外层181的AOXNY的第二含量Y至少大于0且小于1时，可以改善第二最外层181的保护膜功能，结果，第二最外层181可以在不借助于第二封装无机膜173的情况下适当地保护光提供器100_3。
第二最外层181被示出为是与薄膜封装层170_1分开的元件，但是本公开不限于此。也就是说，第二最外层181可以被理解为包括在薄膜封装层170_1中。也就是说，薄膜封装层170_1可以包括第一封装无机膜171、封装有机膜172和第二最外层181。
在图23的实施例中，随着第二最外层181的第一含量X增加，形成第二最外层181的AOXNY的极性可以增大，并且第一界面张力F1也可以增大。结果，第二最外层181和填充材料70之间的第一界面结合力FSL1可以增大。因此，可以改善填充材料70对第二最外层181的表面的粘附性或填充材料70的润湿性，填充材料70可以适当地附着到光提供器100_3。因此，填充材料70可以适当地填充光提供器100_3的表面上的凹进，因此可以使光提供器100_3的表面基本上平坦化。一旦使光提供器100_3的表面平坦化，就可以降低形成划痕的风险，并且可以改善显示装置13的耐用性。也就是说，在不明显(例如，显著)增大填充材料70的厚度的情况下对光提供器100_3的表面上的凹进进行填充，可以改善光提供器100_3的表面平坦化功能和显示装置13的耐用性两者。
图24是根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图24，显示装置14的光转换器300_9与图19的光转换器300的不同之处在于其不包括第六覆盖层346，并且光提供器100_2的第二最外层181设置为与填充材料70接触。光提供器100_2与上面参照图19描述的相同，因此将不重复其详细描述。
光转换器300_9的第五覆盖层345可以与填充材料70部分地接触。第五覆盖层345可以是光转换器300_9的最外膜(例如，层)。
在图24的实施例中，通过在薄膜封装层170上设置第二最外层181，可以增强填充材料70和光提供器100_2之间的结合力。薄膜封装层170可以包括封装有机膜172。作为平坦化层的封装有机膜172可以减轻由光提供器100_2的设置在封装有机膜172下方的元件产生的高度差或表面凹凸。然而，可能在光提供器100_2的面对光转换器300_9的表面上产生表面凹凸或高度差。也就是说，光提供器100_2可能在其至少一部分上包括高度差或表面凹凸。然而，因为第二最外层181设置在薄膜封装层170上，所以可以减轻光提供器100_2上的高度差或表面凹凸。
在下文中，将描述根据本公开的实施例的制造显示装置的方法。
图25是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图，图26是示出根据图25的实施例的密封构件的形成的透视图，图27是示出根据图25的实施例的通过形成密封构件而获得的第一目标基底的平面图，图28A至图28B是沿着图27的线XXVIII-XXVIII'截取的剖视图，图29是示出根据图25的实施例的通过形成填充材料而获得的目标基底的平面图。将参照图25至图29描述制造显示装置的方法。参照图25和图26，准备包括OLED“ED”的第一目标基底100'以及包括光转换图案350和亲液无机膜(即，第六覆盖层，在下文中可互换使用)346(亲液无机膜346设置在光转换图案350上以覆盖光转换图案350)的第二目标基底(S10)。这里，第一目标基底100'与图4的光提供器100对应，第二目标基底与图4的光转换器300对应。如上面已经参照图4描述了光转换图案350和亲液无机膜346。准备第二目标基底的步骤可以包括在光转换图案350上形成亲液无机膜346。
此后，沿着第一目标基底100'的边缘涂覆密封构件50(S20)。例如，在第一目标基底100'上方放置用于涂覆密封构件50的密封装置400。然后，通过在一个方向上移动密封装置400来在第一目标基底100'的表面上涂覆密封构件50。密封装置400可以是用于涂覆密封构件50或者用于注射或转移密封构件50的装置。
如图26中所示，可以通过利用密封装置400来沿着第一目标基底100'的边缘涂覆密封构件50。
密封构件50即使在涂覆填充材料70之后也不会容易地塌陷，而是可以保持其形状，因此可以防止或基本上防止填充材料70溢出显示装置1。
如果密封构件50不容易塌陷而是保持其形状，则可以防止或基本上防止密封构件50从第一目标基底100'流出。在这种情况下，密封构件50可以具有足够的(例如，合适的)粘度以在一定程度上保持其形状而不容易地塌陷。
然而，本公开不限于此。可选地，密封构件50在被涂覆之后会容易地塌陷或会随时间的流逝而塌陷。因此，可以在涂覆密封构件50期间或之后进一步执行固化工艺。
此后，在密封构件50的内侧上(在平面图中)的第一目标基底100'上涂覆填充材料70(S30)。
如上所述，密封构件50会随时间的流逝而塌陷并且会流出密封区域SA。在这种情况下，如果已经涂覆了填充材料70，则填充材料70也会溢出密封构件50。
为了防止或基本上防止密封构件50流出密封区域SA，如图28A中所示，密封构件50可以形成在第一目标基底100'的至少一侧的内侧上。
密封构件50可以形成为与填充材料70相同的高度或更大的高度，以防止或基本上防止填充材料70溢出。
在形成密封构件50之后，还可以在密封构件50上设置隔离膜以与密封构件50叠置。隔离膜可以防止或基本上防止密封构件50被外部异物等损坏，直到附着第二目标基底为止。一些填充材料70会残留在隔离膜上。填充材料70的高度可以等于或小于密封构件50的高度，一些填充材料70会残留在密封构件50上和/或隔离膜的顶表面上。在涂覆填充材料70之后在附着第二目标基底之前可以剥离隔离膜。当剥离隔离膜时，可以将残留在隔离膜的顶表面上的一些填充材料70与隔离膜一起除去。在一个实施例中，可以不设置隔离膜。
在密封构件50和填充材料70上方放置第二目标基底，使得亲液无机膜346可以与填充材料70接触(S40)。
在下文中，将描述根据本公开的另一实施例的制造显示装置的方法。
图30是用于解释根据本公开的另一实施例的制造显示装置的方法的平面图。图31是示出根据图30的实施例的如何通过第一母基底和第二母基底获得第一基底和第二基底的透视图，图32A和图32B是沿着图31的线XXXII-XXXII'截取的剖视图。图30至图32B示出了以片材为基础形成第一母基底和第二母基底、通过第一母基底形成第一基底以及通过第二母基底形成第二基底的工艺。图30至图32B的实施例与图25至图29的实施例的不同之处在于利用第一母基底和第二母基底以片材为基础执行显示装置的制造。在下文中，将主要集中于与图25至图29的实施例的差异来描述图30至图32B的实施例。
参照图30至图32B，经由密封构件50彼此结合的第一母基底100”和第二母基底形成目标面板。
如图30中所示，还可以在填充材料70的相邻的部分之间设置密封区域SA。也就是说，密封构件50可以设置在填充材料70的相邻的部分之间，并且可以在将目标面板分开成显示面板的工艺中在显示面板之间进行划分。
将目标面板分开成单独的显示面板的步骤可以包括沿着单独的显示面板之间的边界SL执行划线工艺。可以利用加热刀或激光来执行划线工艺。边界SL可以被包括在密封区域SA中，在这种情况下，密封构件50的设置在相邻的单独的显示面板之间的部分可以彼此分开，因此可以被包括在不同的单独的显示面板中。图30和图31示出了其中目标面板被划分为四个显示面板的示例，但是本公开不限于此。可选地，目标面板可以被划分为两个、三个或五个显示面板。
参照图32A和图32B，密封构件50包括设置在左侧上的第一密封构件50_1和设置在右侧上的第二密封构件50_2。第二密封构件50_2可以是密封构件50的通过对目标面板执行划线工艺而与密封构件50的其余部分分开的部分。也就是说，第二密封构件50_2可以是密封构件50的设置在片材(即，目标面板)上以与边界SL中的一条叠置的部分。不同于第二密封构件50_2，第一密封构件50_1可以是密封构件50的设置在目标面板的外侧上而不与边界SL叠置的部分。
第一密封构件50_1可以在其外侧上包括向外凸出的形状并且在其内侧上包括向内凸出的形状，但是本公开不限于此。可选地，第一密封构件50_1可以在剖视图中在其外侧和/或内侧上具有直线轮廓。
第二密封构件50_2可以是密封构件50的在对目标面板执行划线工艺的工艺中沿着边界SL被划分为单独的显示面板的部分。因此，在剖视图中，第二密封构件50_2可以在其靠近相邻的单独的显示面板的外侧上具有直线轮廓，因此可以在厚度方向上与光提供器100和光转换器300对齐。因为光提供器100和光转换器300分别与第一目标基底100'和第二目标基底对应，所以第二密封构件50_2可以被理解为在厚度方向上与第一目标基底100'和第二目标基底对齐。与第一密封构件50_1一样(例如，类似于第一密封构件50_1)，第二密封构件50_2可以在其内侧上包括向内凸出的形状，但是本公开不限于此。可选地，第二密封构件50_2可以在剖视图中在其内侧上具有直线轮廓。
在图30至图32B的实施例中，与图25至图29的实施例相比，可以以片材为基础制造单独的显示面板，结果可以提高效率。
如这里使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。所有这些范围意图在本说明书中进行固有描述，使得用于明确陈述任何此类子范围的修改将符合要求。
尽管出于说明性目的已经公开了本发明的优选实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求及其等同物中所公开的发明的范围和精神的情况下，能够进行各种合适的修改、添加和替换。

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
多个发光元件，位于所述第一基底上；
封装膜，覆盖所述多个发光元件；
第二基底，面对所述第一基底；
第一最外膜，位于所述第二基底上，面对所述封装膜，并且包括AOXNY，其中，A是金属元素或非金属元素，并且X>Y；以及
填充材料，位于所述封装膜和所述第一最外膜之间，并且与所述第一最外膜直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一最外膜的第一表面张力大于所述填充材料的第二表面张力。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一最外膜的所述第一表面张力为60mN/m或更大。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一表面张力的极性分量为35mN/m或更大。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一最外膜和所述填充材料之间的折射率的差小于或等于0.2。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一最外膜具有
Figure FDA0002270948650000011
至
Figure FDA0002270948650000012
的厚度和80％或更高的透射率。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属元素或非金属元素A包括硅或铝。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充材料包括从硅基有机材料、环氧类有机材料和丙烯酸有机材料中选择的一种。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
密封剂，在平面图中观看时位于所述第一基底和所述第二基底之间，并且围绕所述填充材料，
其中，所述填充材料位于由所述封装膜、所述第一最外膜和所述密封剂围绕的空间中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述密封剂与所述填充材料接触，并且与所述第一基底的表面和所述第二基底的表面直接接触以将所述第一基底的所述表面和所述第二基底的所述表面结合在一起。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每个发光元件包括：阳极电极；阴极电极，面对所述阳极电极；以及有机层，位于所述阳极电极和所述阴极电极之间，并且被构造为发射蓝光。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个光转换图案，位于所述第二基底和所述第一最外膜之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中：
所述多个发光元件均被构造为发射蓝光，并且
所述多个光转换图案包括：第一波长转换图案，被构造为将所述蓝光转换为红光；第二波长转换图案，被构造为将所述蓝光转换为绿光；以及透光图案，被构造为使所述蓝光穿过其透射。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中：
所述第一最外膜在其中设置有所述多个光转换图案的区域中形成凸部，并且在其中未设置有所述多个光转换图案的区域中形成凹部。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述填充材料填充所述第一最外膜的所述凹部。
16.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括遮光罩，其中，所述遮光罩设置为在厚度方向上与所述第一最外膜的所述凹部叠置。
17.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二最外膜，位于所述第一基底上，与所述填充材料直接接触，并且包括BOPNQ，其中，B是金属元素或非金属元素，并且P>Q，
其中，所述金属元素或非金属元素B包括硅或铝。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：
所述第二最外膜的第三表面张力大于所述填充材料的第二表面张力，
所述第三表面张力为60mN/m或更大，并且
所述第三表面张力的极性分量为35mN/m或更大。
19.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
多个发光元件，位于所述第一基底上；
封装膜，覆盖所述多个发光元件；
最外膜，位于所述封装膜上，并且包括AOXNY，其中，A是金属元素或非金属元素，并且X>Y；
第二基底，面对所述第一基底；以及
填充材料，位于所述最外膜和所述第二基底之间，并且与所述最外膜直接接触。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述最外膜的第一表面张力大于所述填充材料的第二表面张力，并且所述第一表面张力为60mN/m或更大。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一表面张力的极性分量为35mN/m或更大。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述最外膜和所述填充材料之间的折射率的差小于或等于0.2。
23.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述最外膜具有
Figure FDA0002270948650000031
至
Figure FDA0002270948650000032
的厚度和80％或更高的透射率。
24.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述金属元素或非金属元素A包括硅或铝。
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