CN101894919A - 有机发光装置和制造该有机发光装置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法，所述装置包括：基底；阻碍层；第一电极；第二电极；有机层，设置在第一电极和第二电极之间，其中，阻碍层包括SiO层和SiO_xN_y层。

Description

有机发光装置和制造该有机发光装置的方法

本申请要求于2009年5月21日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0044497号韩国专利申请的权益，通过引用该中请的公开内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法。

背景技术

高柔性基底由于其特性而用于薄膜包封和柔性显示装置。有机发光显示(OLED)装置包括有机材料，有机材料由于暴露于氧或湿气而劣化。已经对聚碳酸酯、聚酰亚胺或聚(芳醚砜)作为用于形成塑料基底的材料进行了积极研究。通常，塑料基底的水蒸气传递速率(WVTR)在10～1,000g/m²/天的范围内。然而，为了制造长寿命的OLED，WVTR应当为1×10^-6g/m²/天或更小。为了满足该需要，通常在基底上形成防湿层。

当前，电子装置使用粘合剂来包封，以防止湿气渗入。然而，在这种情况下，少量的湿气仍能够通过粘合剂和电子装置的基底渗入到电子装置中。因此，使用吸水剂来从电子装置有效地去除湿气。然而，因为吸水剂是不透明的，所以已经尝试使用十个或更多个透明薄膜的堆叠来代替吸水剂。然而，堆叠的多个膜导致透明度、单件工时和膜应力下降。

发明内容

本发明提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：基底；阻碍层；第一电极；第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的有机层。阻碍层包括SiO无机层和SiON无机层。

本发明还提供了一种制造有机发光装置的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种阻碍层，所述阻碍层包括SiO无机层和SiO_xN_y无机层的双层结构，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

根据本发明的一方面，SiO_xN_y无机层的密度可大于SiO无机层的密度。

根据本发明的一方面，SiO无机层的厚度可以在450nm至600nm的范围内。

根据本发明的一方面，SiO_xN_y无机层的厚度可以在0.5nm至5nm的范围内。

根据本发明的一方面，阻碍层的厚度可以在1nm至1000nm的范围内。

根据本发明的一方面，阻碍层的厚度可以在300nm至500nm的范围内。

根据本发明的一方面，阻碍层可以具有SiO无机层/SiO_xN_y无机层/SiO无机层/SiO_xN_y无机层结构。

根据本发明的一方面，提供了一种制造有机发光装置的另一方法，所述方法包括：在基底上形成有机发光单元；在基底上形成SiO无机层；在SiO层上形成SiO_xN_y无机层，以形成覆盖有机发光单元的阻碍层，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。有机发光单元包括以如下次序顺序地形成的第一电极、有机层和第二电极。

根据本发明的一方面，SiO无机层通过热沉积形成。

根据本发明的一方面，SiO_xN_y无机层使用N₂等离子体处理来形成。

根据本发明的一方面，在形成SiO_xN_y无机层之后，所述方法还可包括：通过在SiO_xN_y无机层上热沉积SiO来形成另一SiO无机层，在该另一SiO无机层上形成又一SiO_xN_y无机层，由此形成SiO无机层/SiO_xN_y无机层/SiO无机层/SiO_xN_y无机层结构。

本发明的附加方面和/或优点将部分地在下面的说明中进行说明，并部分地根据说明书将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。

附图说明

通过结合附图对示例性实施例进行的以下描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得更加明显和更易于理解，其中：

图1是示出根据本发明示例性实施例的有机发光单元的结构的示图；

图2是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的一部分的放大剖视图；

图3A是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的放大剖视拍摄图像(17,000倍放大率)；

图3B是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的表面的放大拍摄图像(20,000倍放大率)；

图4A是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的放大剖视拍摄图像(30,000倍)；

图4B是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的表面的放大拍摄图像(20,000倍)。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的示例性实施例，在附图中示出了本发明的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图描述示例性实施例，以解释本发明的各个方面。

这里，当第一元件被称作形成或设置在第二元件上时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或可以在第一元件和第二元件之间设置一个或多个其它元件。当第一元件被称作直接形成或设置在第二元件上时，在第一元件和第二元件之间没有其它元件。

图1是示出根据本发明示例性实施例的有机发光单元的结构的示图。图1的有机发光单元包括基底、第一电极(阳极)、空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层和第二电极(阴极)。

图2是根据本发明示例性实施例的有机发光装置的一部分的放大剖视图。参照图2，装置包括基底、有机发光单元和阻碍层。阻碍层包括第一SiO无机层、第一SiO_xN_y无机层、第二SiO无机层和第二SiO_xN_y无机层，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

因为用作阻挡层(阻碍层)的传统无机层使用O₂等离子体方法或通过加热形成，所以，有机发光单元(有机电致发光(EL)装置)劣化，并且有机发光单元的可靠性降低。常用的溅射方法或化学气相沉积(CVD)适合于在低温下形成无机层，但是仍未解决由O₂引起的有机EL装置的劣化。

另外，当在低温下形成传统的无机层时，增大无机层的厚度，从而防止湿气渗入，增大的厚度导致无机层中的裂纹。因此，用于薄膜包封的阻挡层可以具有包括有机层的多层结构，例如，包括无机层和有机层的多层结构或包括第一无机层和第二无机层的双层结构，其中，第二无机层的密度小于第一无机层的密度。

当用于薄膜包封的阻挡层具有包括无机层和有机层的多层结构时，有效地防止了湿气和氧通过有机层的主表面的渗入，但难以防止湿气和氧通过有机层的边缘的渗入。另外，这种多层结构的工艺时间长。当用于薄膜包封的阻挡层具有包括第一无机层和第二无机层的双层结构(其中，第二无机层的密度小于第一无机层的密度)时，通常使用等离子体化学气相沉积(PECVD)来形成阻挡层。即使使用各种层沉积速度和各种材料来形成这样的阻挡层，密度更大的第一无机层的特性仍未控制在30nm或更小的厚度。另外，因为在层自身中存在缺陷和颗粒，所以随后形成的密度更小的第二无机层被形成为具有更大的厚度，以覆盖缺陷和颗粒。此外，在第一无机层和第二无机层之间会出现分层(delamination)，并且在阻挡层中会形成裂纹。

因为热蒸镀和N₂等离子体处理在室温执行且不产生等离子体损坏，所以，不会出现有机EL层的劣化引起的装置可靠性下降。

SiO材料具有优异的防湿能力，当用N₂等离子体处理时，SiO层的表面粗糙度和SiO层中的缺陷减少。另外，与SiO₂相比，SiO对N具有更高的结合力，因此，即使用N₂等离子体处理达短时间段，仍可以在SiO层(第二无机层)上形成由SiON形成的薄且致密的无机层(第一无机层)。

如上所述，与使用其它方法时相比，当阻挡层通过热沉积和N₂等离子体处理而形成时，即便在阻挡层很薄时，出现的缺陷也更少。另外，可以获得高的阻挡能力。当以堆叠结构形成时，在其它层之间形成中间层，因为可以使用低温工艺，所以这样的阻挡层可以用于薄膜包封。

根据传统技术，SiH₄与O₂反应，从而形成SiO₂层，通过使SiH₄与氨(NH₃)反应来形成SiON层。根据本发明的示例性实施例，阻碍层具有包括SiO_xN_y无机层和SiO无机层的双层结构，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内，代替了包括SiON无机层和SiO₂无机层的传统双层结构。下面将详细描述形成SiO_xN_y无机层和SiO无机层的方法。

根据本发明的示例性实施例，SiO_xN_y无机层的密度可高于SiO无机层的密度。SiO无机层的厚度可以在450nm至600nm的范围内，SiO_xN_y无机层的厚度可以在0.5nm至5nm的范围内。当这些厚度在这些范围内时，阻碍层的性能提高。阻碍层的厚度可以在1nm至1000nm的范围内，或例如，在300nm至500nm的范围内。

根据本发明的示例性实施例，为了进一步提高阻碍层的性能，阻碍层可以包括按如下次序顺序地形成在彼此上的第一SiO无机层、第一SiO_xN_y无机层、第二SiO无机层和第二SiO_xN_y无机层。在这种情况下，根据本发明的示例性实施例，有机发光装置可以包括：基底；阻碍层；第一电极；第二电极；有机层，设置在第一电极和第二电极之间。具体地讲，阻碍层具有SiO无机层/SiO_xN_y无机层/SiO无机层/SiO_xN_y无机层结构，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

根据本发明的示例性实施例，一种制造有机发光装置的方法包括：在基底上形成有机发光单元；通过在基底上形成SiO无机层而在基底形成阻碍层；在SiO无机层上形成SiO_xN_y无机层，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。SiO无机层可以通过热沉积形成。有机发光单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层。

通常，SiO是褐色/黑色非晶玻璃状固体。SiO可以通过例如将SiO₂和Si加热以形成气态SiO来获得。然后，气态SiO通过冷却来固化。根据另一示例，SiO₂和H₂或CO可以以大约1500℃至大约2000℃的温度加热，以形成气态SiO。然后，气态SiO通过冷却来固化。以上方法通过以下反应式来举例说明。

SiO₂+Si→2SiO

SiO₂+H₂→SiO+H₂O

然后，获得的SiO通过在大约1500℃至大约2000℃的温度向获得的SiO施加电流而分解，由此在基底上产生包括SiO₂和Si的基质，如以下反应式所示。

2SiO→SiO₂+Si

根据本发明的示例性实施例，SiO_xN_y无机层可以通过使用N₂等离子体的处理来形成。

在如上所述形成SiO无机层之后，执行N₂等离子体处理，从而在SiO(密度：2.13g/cm³)无机层上形成SiO_xN_y(密度：2.2～3.0g/cm³)无机层。SiO_xN_y无机层具有比传统的Si₃N₄(密度：3.4g/cm³)无机层的密度低的密度，但具有比SiO₂无机层或SiO无机层的密度高的密度。另外，与SiO₂相比，SiO的结构不稳定，因此，当使用N₂等离子体处理时，可更容易地形成SiO_xN_y。

根据本发明的示例性实施例，SiO热沉积在SiO_xN_y无机层上，以形成第二SiO无机层，然后在第二SiO无机层上沉积SiO_xN_y，以形成第二SiO_xN_y无机层，由此顺序地形成两个SiO无机层和两个SiO_xN_y无机层，如图2所示。

根据本发明的多个方面，有机发光装置可以具有各种结构。有机发光装置可以包括有机发光单元，有机发光单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层。有机层可以包括从由空穴注入层、空穴传输层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一个层。

例如，本发明的有机发光单元可以具有第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发射层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构或第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发射层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。

再参照图1和图2，根据本发明的多个方面，有机发光装置可以如下制造。首先，第一电极可以通过在基底上沉积或溅射具有高逸出功的第一电极形成材料来形成。第一电极可以是阳极或阴极。基底可以是在传统的有机电致发光装置中使用的任何基底。例如，基底可以是玻璃或具有良好机械强度、热稳定性和平坦表面的透明塑料，基底便于处理和/或是透明的，并具有防水性。第一电极形成材料可以是导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、Al、Ag或Mg。第一电极可以是透明电极或反射电极。

可以使用真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法或Langmuir-Blodgett(LB)沉积方法在第一电极上形成空穴注入层(HIL)。如果使用真空沉积方法形成HIL，则沉积条件可根据HIL形成材料和目标HIL的层结构及热特性而改变。在这点上，沉积温度通常可以在大约100℃至大约500℃的范围内，真空度可以在10^-8托至10^-3托的范围内，沉积速率可以在0.01～100

/秒的范围内。

如果使用旋涂方法形成HIL，则涂覆条件可根据HIL形成材料和目标HIL的层结构及热特性而改变。在这点上，涂覆速率通常可以在大约2000rpm至5000rpm的范围内，在涂覆之后去除溶剂的热处理温度可以在大约80℃至大约200℃的范围内。

HIL形成材料可以是任何合适的空穴注入材料，例如酞菁化合物(如铜酞菁)、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。然而，HIL形成材料不限于这些材料。

HIL的厚度可以在大约100至10000

的范围内，或在大约100至大约1000

的范围内。如果HIL的厚度在这些范围内，则可以获得优异的空穴注入特性而无需增大驱动电压。

可以使用诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法或LB沉积方法的各种形成方法在HIL上空穴传输层(HTL)。当使用真空沉积方法或旋涂方法形成HTL时，沉积条件和涂覆条件可根据HTL形成材料而改变。在这点上，沉积条件和涂覆条件可以与参照HIL描述的沉积条件和涂覆条件相同或类似。

HTL形成材料可以是任何合适的HTL形成材料，例如咔唑衍生物(如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑)或具有芳香缩合环的胺衍生物(例如NPB、N，N′-二(3-甲苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-二苯基]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD))。例如，在这些材料中，TPD可以传输空穴，并且还防止激子从发射层扩散出去。

HIL的厚度可以在大约500

至大约1000

的范围内，更具体地讲，可以在大约100

至大约600

的范围内。如果HIL的厚度在这些范围内，则能够获得优异的空穴注入特性而无需显著增大驱动电压。

可以使用诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法或LB沉积方法的任何合适方法在HTL上形成发射层(EML)。当使用真空沉积方法或旋涂方法形成EML时，沉积条件和涂覆条件可根据EML形成材料而改变。在这点上，沉积条件和涂覆条件可以与参照HIL描述的沉积条件和涂覆条件相同或类似。

EML可以使用各种合适的发射材料(例如主体(host)和掺杂剂(dopant))来形成。掺杂剂可以是任何合适的荧光掺杂剂或任何合适的磷光掺杂剂。例如，主体可以是Alq₃、CPB(4，4′-N，N′-二咔唑-联苯)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和DSA(二苯乙烯基亚芳基化合物(distyrylarylene))，但不限于此。合适的红色掺杂剂可以是PtOEP、Ir(piq)₃、Btp₂Ir(acac)或DCJTB，但不限于此。

合适的绿色掺杂剂可以是Ir(ppy)₃(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(mpyp)₃或C545T，但不限于此。

同时，合适的蓝色掺杂剂可以是F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三-芴、4，4′-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基苝(TBP)，但不限于此。

基于100重量份的EML形成材料(即，将主体和掺杂剂的总重量设为100重量份)，掺杂剂的含量范围可以在0.1重量份到20重量份的范围内，或更具体地讲，在大约0.5重量份到大约12重量份的范围内。如果掺杂剂的含量在这些范围内，可以基本上防止浓度猝灭现象。

EML的厚度可以在大约100

至大约1000

的范围内，更具体地讲，在大约200

至大约600

的范围内。如果EML的厚度在这些范围内，则能够获得优异的发射特性而无需显著增大驱动电压。

如果EML包括磷光掺杂剂，则可以在EML上形成空穴阻挡层(HBL)(在图1中未示出)，从而防止三线态激子或空穴扩散到电子传输层中。在这种情况下，可用的HBL形成材料可以从任何合适的HBL形成材料中选择。HBL形成材料的示例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、Balq和BCP。

HBL的厚度可以在大约50

至大约1000

的范围内，具体地讲，在大约100

至大约300的范围内。如果HBL的厚度小于大约50则空穴阻挡特性会劣化。另一方面，如果HBL的厚度大于大约1000

则驱动电压会增大。

然后，可以使用诸如真空沉积方法、旋涂方法或浇铸方法的任何合适方法在EML上形成电子传输层(ETL)。当使用真空沉积方法或旋涂方法来形成ETL时，沉积条件和涂覆条件可根据ETL形成材料而改变。在这点上，沉积条件和涂覆条件可以与参照HIL描述的沉积条件和涂覆条件相同或类似。

ETL形成材料不具体受到限制，并可以选自任何合适的ETL形成材料。ETL形成材料的示例包括喹啉衍生物(例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃))、TAZ和Balq，但不限于此。

ETL的厚度可以在大约100至大约1000的范围内，更具体地讲，可以在大约100

至大约500

的范围内。如果ETL的厚度在这些范围内，则可以获得优异的电子传输特性而无需显著增大驱动电压。

另外，可以在ETL上形成使得电子容易地从阳极进行注入的电子注入层(EIL)。EIL可以使用任何合适的EIL形成材料(例如，LiF、NaCl、CsF、Li₂O或BaO)来形成。EIL的沉积条件和涂覆条件可根据EIL形成材料而改变。然而，沉积条件和涂覆条件通常可以与参照HIL描述的沉积条件和涂覆条件相同或类似。

EIL的厚度范围可以在大约1

至大约100

的范围内，具体地讲，可以在大约5

至大约90

的范围内。如果EIL的厚度在以上范围内，则能够获得优异的电子注入特性而无需显著增大驱动电压。

然后，使用真空沉积方法或溅射方法在EIL上形成第二电极。第二电极可以用作阴极或阳极。第二电极可以由具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何混合物来形成。这样的材料的示例包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。为了提供顶部发射型显示装置，第二电极可以由诸如ITO或IZO之类的透明材料形成。

然后，在阴极和基底上形成阻碍层，由此完成有机发光装置的制造。

在下文中，将详细描述根据本发明的有机发光装置的示例，但本发明不限于此。

示例1

m-MTDATA(750

)/α-NPD(150

)/DSA(300

)：TBPe(3％)/Alq₃(200

)/LiF(80)/Al(3000

)

为了形成阳极，将15Ω/cm²(1200

)ITO玻璃基底(由Corning Co.生产)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，然后分别使用异丙醇和纯水进行超声处理达5分钟，然后通过暴露于臭氧达30分钟来洗涤。然后，将m-MTDATA真空沉积在得到的基底上，以形成厚度为750

的HIL。然后，将α-NPD真空沉积在HIL上，以形成厚度为150

的HTL。将作为主体的DSA和作为掺杂剂的TBPe真空沉积在HTL上，以形成厚度为300

的EML在这种情况下，掺杂剂的量为3％。然后，将Alq₃真空沉积在EML上，以形成厚度为200

的ETL。然后，将LiF真空沉积在ETL上，以形成厚度为80

的EIL。然后，将Al真空沉积在EIL上，以形成厚度为3000

的阴极，由此形成LiF/Al电极并完成有机发光装置的制造。

然后，在热蒸镀器中以10^-5托至10^-6托的压强将SiO沉积在基底和阴极上，由此形成厚度为508nm的SiO无机层。然后，使SiO无机层在10^-5托至10^-6托的压强暴露于N₂等离子体达180秒，由此形成厚度为大约4nm的SiO_xN_y无机层。SiO无机层和SiOxNy无机层一起构成阻碍层。阻碍层的总厚度为大约500nm。

图3A是根据示例1的有机发光装置的放大剖视拍摄图像(17,000倍放大率)。参照图3A，在基底上形成SiO层，在SiO层上形成薄的SiO_xN_y层。图3B是根据示例1的有机发光装置的表面的放大拍摄图像(20,000倍放大率)。

示例2

除了在基底和阴极上形成SiO以形成厚度为553.2nm的SiO无机层之外，以与示例1的方式相同的方式制造有机发光装置。然后，在SiO无机层上形成厚度为4nm的SiO_xN_y无机层，然后，在SiO_xN_y无机层上沉积SiO，以形成厚度为528.2nm的另一SiO无机层。在该SiO无机层上形成厚度为大约4nm的另一SiO_xN_y无机层，由此形成具有SiO无机层/SiO_xN_y无机层/SiO无机层/SiO_xN_y无机层结构的阻碍层。阻碍层的厚度为大约1100nm。

图4A是在示例2中制造的有机发光装置的放大剖视拍摄图像(30,000倍)。参照图4A，示出了阻碍层的结构。图4B示出了在示例2中制造的有机发光装置的表面的放大图像。

对比示例

除了在基底和阴极上形成SiO以沉积厚度为500nm的SiO无机层之外，以与示例1的方式相同的方式制造有机发光装置。

湿气和外部气体渗入试验

对根据示例1和2以及对比示例制造的有机发光装置进行湿气和外部气体渗入试验。在下表1中示出了结果。

表1

	对比示例	示例1	示例2
				阻碍层形成材料	SiO(热沉积)	SiOxNy(N2等离子体)SiO(热沉积)	SiOxNy/SiO(2层)
阻碍层结构	SiO/基底	SiOxNy/SiO/基底	SiOxNy/SiO/SiOxNy/SiO/基底
				工艺(基底)温度	室温	室温	室温
厚度(总)	大约500nm	大约500nm	大约1100nm
				水蒸气传递速率(WVTR)(g/m2/天)	1～0.8	0.3～0.07	＜0.01

参照表1，可以看出，根据示例1和示例2以及对比示例制造的有机发光装置的WVTR的范围分别为0.3～0.07g/m²/天、小于0.01g/m²/天和1～0.8g/m²/天。因此，可以看出，示例1和示例2的WVTR小于对比示例的WVTR。

根据本发明的示例性实施例制造的无机复合层可以以室温形成，并具有优异的防水特性。与单个层的简单堆叠结构相比，无机复合层更适合用于形成在层间具有强相互作用力的层。另外，因为无机复合层可以以室温形成，所以材料选择范围更广，并根据各种材料和用途，可以形成各种中间层。此外，当形成具有多层结构的层时，可以控制工艺的数量。

虽然已经示出并描述了本发明的一些示例性实施例，但本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的原理和精神的基础上，可以在这些示例性实施例中做出改变，本发明的范围在权利要求书及其等同物中限定。

Claims (15)

1.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：

基底；

有机发光单元，设置在基底上，有机发光单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层；

阻碍层，设置在基底上，用于覆盖有机发光单元，阻碍层包括第一SiO层和设置在第一SiO层上的第一SiO_xN_y层，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，第一SiO_xN_y层的密度大于第一SiO层的密度。

3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，第一SiO层的厚度在450nm至600nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，第一SiO_xN_y层的厚度在0.5nm至5nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，阻碍层的厚度在1nm至1000nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，阻碍层的厚度在300nm至500nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，阻碍层还包括：

第二SiO层，设置在第一SiO_xN_y层上；

第二SiO_xN_y层，设置在第二SiO层上。

8.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括如下步骤：

在基底上形成有机发光单元，有机发光单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层；

在基底上形成第一SiO层；

在第一SiO层上形成第一SiO_xN_y层，以形成阻碍层，其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，SiO层通过热沉积形成。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，SiO_xN_y层使用N₂等离子体处理来形成。

11.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

在第一SiO_xN_y层上形成第二SiO层；

在第二SiO层上形成第二SiO_xN_y层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

在有机发光单元上直接设置第一SiO层；

在第一SiO层上直接设置第一SiO_xN_y层；

在第一SiO_xN_y层上直接设置第二SiO层；

在第二SiO层上直接设置第二SiO_xN_y层。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，阻碍层完全覆盖有机发光单元，有机发光单元直接设置在基底上。

14.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：

基底；

有机发光单元，设置在基底上；

阻碍层，设置在基底上，以防止湿气接触有机发光单元，阻碍层包括设置在有机发光单元上的第一SiO层和设置在第一SiO层上的第一SiO_xN_y层，

其中，x在0.1至1的范围内，y在0.1至1的范围内。

15.根据权利要求14所述的有机发光装置，其中，阻碍层还包括：

第二SiO层，设置在第一SiO_xN_y层上；

第二SiO_xN_y层，设置在第二SiO层上。

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