KR20180028850A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180028850A KR20180028850A KR1020160116775A KR20160116775A KR20180028850A KR 20180028850 A KR20180028850 A KR 20180028850A KR 1020160116775 A KR1020160116775 A KR 1020160116775A KR 20160116775 A KR20160116775 A KR 20160116775A KR 20180028850 A KR20180028850 A KR 20180028850A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- encapsulation layer
- encapsulation
- Prior art date
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 382
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 silicon oxide nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H01L51/5256—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H01L51/0005—
-
- H01L51/5246—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H01L2227/32—
-
- H01L2251/301—
-
- H01L2251/558—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 유기 발광 소자, 기판 및 유기 발광 소자 상에 형성되어 유기 발광 소자를 밀봉하는 제1 봉지층, 제1 봉지층 상의 제2 봉지층, 적어도 유기 발광 소자 영역에 대응된 제2 봉지층 상의 이물보상층, 제2 봉지층 및 이물보상층 상의 제3 봉지층을 포함하고, 제1 봉지층과 제2 봉지층은 표면 에너지가 서로 다르게 구성되며, 이물보상층의 도포 시 제2 봉지층에 대한 퍼짐성을 높일 수 있으므로, 스캔 얼룩 불량을 개선할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device; OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 색시야각, 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드, 유기 발광층, 및 캐소드를 갖는 복수의 유기 발광 소자들을 포함한다. 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광이 이루어지며, 이를 이용하여 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시한다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
하지만 이러한 장점에도 불구하고, 유기 발광 표시 장치는 수분 및 산소에 매우 취약한 단점이 존재한다. 따라서, 유기 발광 표시 장치 제조 공정에서 유기 발광 소자를 밀봉하여 유기 발광 표시 장치 외부로부터의 수분 및 침투를 차단하는 것은 매우 중요하다.
이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 효율적으로 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 유기 발광 소자 상부에 무기막과 유기막을 교번하여 적층한 봉지부(encapsulation unit)을 배치한다.
[관련기술문헌]
1. 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법(특허출원번호 제 10-2012-0155275호)
봉지층은 유기 발광 소자 상에서 무기막으로 이루어진 제1 봉지층, 제1 봉지층 상에서 유기막으로 이루어진 이물보상층 및 이물보상층 상에서 무기막으로 이루어진 제2 봉지층을 포함한다.
최근, 유기 발광 표시 장치가 박형화되면서, 봉지층도 박막화되고 있다. 특히, 봉지층 중 이물보상층의 박막화가 진행되면서 하부 박막트랜지스터 패턴에 대한 커버리지(coverage)로 인해 이물보상층이 미도포되는 영역이 발생하는 문제점이 있다. 이렇게 이물보상층이 미도포된 영역은 육안상 얼룩으로 인지되며, 유기 발광 표시 장치의 외관 불량을 야기하고, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 저하시킨다.
이에, 본 발명의 발명자들은, 이물보상층이 잉크젯(inkjet) 방식을 이용하여 도포되는 점에 착안하여, 하부막의 표면 에너지에 따라 이물보상층을 구성하는 유기물의 퍼짐성이 달라지고, 유기물의 퍼짐성에 의존하여 스캔 얼룩 불량이 발생한다는 점을 인식하였다.
구체적으로, 이물보상층을 구성하는 유기물이 도포되는 막의 표면 에너지가 높을수록 유기물의 퍼짐성이 높아지고, 유기물의 퍼짐성이 높아지면 이물보상층의 커버리지가 향상될 수 있다.
이에, 본 발명의 발명자들은 유기 발광 소자에 인접한 제1 봉지층과 이물보상층 사이에, 유기물의 퍼짐성을 높일 수 있는 별도의 제2 봉지층을 적용하여, 이물보상층의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량이 개선된 유기 발광 표시 장치를 발명하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이물보상층의 하부에 표면 에너지가 서로 다른 제1 봉지층 및 제2 봉지층을 구성함으로써, 이물보상층의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량을 개선할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 유기 발광 소자, 기판 및 유기 발광 소자 상에 형성되어 유기 발광 소자를 밀봉하는 제1 봉지층, 제1 봉지층 상의 제2 봉지층, 적어도 유기 발광 소자 영역에 대응된 제2 봉지층 상의 이물보상층, 제2 봉지층 및 이물보상층 상의 제3 봉지층을 포함하고, 제1 봉지층과 제2 봉지층의 표면 에너지는 서로 다르게 구성된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이물보상층의 도포 시 제1 봉지층에 비해 제2 봉지층이 표면 에너지가 높은 물질로 이루어지도록 구성함으로써 스캔 얼룩 불량이 개선될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 상의 제1 무기층, 제1 무기층 상의 제2 무기층, 제2 무기층 상의 유기층, 유기층 상의 제3 무기층을 포함하고, 제2 무기층은 제1 무기층보다 유기층을 이루는 유기조성물에 대한 퍼짐성이 높다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기층과 맞닿는 제2 무기층이 유기층을 이루는 유기물의 퍼짐성이 높도록 구성함으로써 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따르면 이물보상층의 하부에 서로 다른 표면 에너지를 가지는 제1 봉지층 및 제2 봉지층을 구성함으로써, 이물보상층의 도포 시 이물보상층의 하부막에 대한 퍼짐성을 높여 이물보상층의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량을 개선할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 외관 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면 이물보상층의 하부막인 제2 봉지층은 제1 봉지층보다 표면에너지가 크고, 접촉각이 작은 물질로 형성함으로써, 이물보상층의 도포를 균일하게 하여 스캔 얼룩 불량을 개선할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 외관 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면 제2 봉지층을 실리콘산화물 또는 실리콘산화질화물로 형성함으로써, 이물보상층의 도포를 균일하게 하여 스캔 얼룩 불량을 개선할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 외관 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면 잉크젯 방식을 사용하여 이물보상층을 형성함으로써, 공정시간을 단축할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 배치된 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 배치된 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 2는 도 1의 표시 영역에 배치된 구성을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 유기 발광 소자(140) 및 봉지부(150) 를 포함한다.
기판(110)은 제조 과정에서 유기 발광 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지하기 위한 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 플렉서블(flexible)한 특성을 가질 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 유기 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT, 120) 및 유기 발광 소자(140)가 배치된다. 표시 영역(DA)은 기판(110)의 중앙 부분에 배치되고, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)을 일부만 둘러쌀 수도 있다. 비표시 영역(NA)에는 박막트랜지스터(120) 및 유기 발광 소자(140)를 구동시키기 위한 다양한 배선, 회로 및 구동칩 등이 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 박막트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다.
구체적으로, 기판(110) 상의 일 영역에 액티브층(121)이 배치되고, 액티브층(121)과 게이트 전극(122) 사이에는 게이트 절연층(131)이 배치된다. 게이트 절연층(131) 상에는 액티브층(121)과 중첩되도록 게이트 전극(122)이 배치되고, 게이트 전극(122) 상에는 층간 절연층(132)이 배치된다. 층간 절연층(132) 상에는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치되고, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 층간 절연층(132)의 콘택홀을 통해 액티브층(121)과 전기적으로 연결된다. 게이트 절연층(131)과 층간 절연층(132)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 표시 영역(DA)과 인접한 비표시 영역(NA) 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 박막트랜지스터(120)가 코플래너(coplanar) 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)에 채용될 수 있는 여러 구조의 박막트랜지스터가 사용될 수 있다. 또한, 도 2에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광 표시 장치(100)에 채용될 수 있는 박막트랜지스터 중 구동 박막트랜지스터(120)만을 도시하였으나, 표시 영역에는 스위칭 박막트랜지스터나 다른 기능을 수행하기 위한 박막트랜지스터가 더 배치될 수 있다.
박막트랜지스터(120) 상에 오버 코팅층(over coating layer, 133)이 배치된다. 오버 코팅층(133)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 평탄화층으로서 기능한다. 또한, 오버 코팅층(133)은 박막트랜지스터(120)와 유기 발광 소자(140)의 애노드(141)를 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀을 포함한다. 오버 코팅층(133)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 표시 영역(DA)과 인접한 비표시 영역(NA) 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다.
오버 코팅층(133) 상에는 유기 발광 소자(140)가 배치된다. 유기 발광 소자(140)는 박막트랜지스터(120)에 의해 구동되며, 애노드(Anode, 141), 유기 발광층(Organic Emitting Layer, 142) 및 캐소드(Cathode, 143)를 포함한다. 유기 발광층(142)의 발광 영역은 뱅크(134)에 의해 정의될 수 있다.
애노드(141)는 오버 코팅층(133)에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(120), 예를 들어, 박막트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결될 수 있다.
애노드(141)는 유기 발광층(142)에 정공을 공급하기 위한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 애노드(141)는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 구조인 경우, 애노드(141)는 유기 발광층(142)에서 발광된 광을 상부측으로 반사시키기 위해 투명 도전성 산화물 하부에 반사층을 더 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 반사층은 애노드와 별도의 구성일 수도 있다.
유기 발광층(142)은 특정 색의 광을 발광할 수 있는 유기 물질로 구성된 층이다. 유기 발광층(142)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 청색 유기 발광층 및 백색 유기 발광층 중 하나일 수 있다. 유기 발광층(142)이 백색 유기 발광층으로 구성된 경우, 즉, 유기 발광층(142)이 백색광을 발광하는 경우, 유기 발광층(142)은 각각이 발광하는 광의 색이 혼색되어 백색이 될 수 있는 복수의 유기 발광층을 포함할 수 있다. 유기 발광층(142)이 백색광을 발광하는 경우, 유기 발광 소자(140) 상부에 컬러 필터를 더 배치시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 유기 발광층(142)이 적색, 청색, 녹색 및 백색 중 어느 하나의 색을 발광하는 발광 물질로 구성된다고 하였으나, 이에 제한되지 않고 다른 색의 광을 발광할 수 있는 발광 물질을 포함할 수도 있다.
그리고, 애노드(141)와 캐소드(143) 사이에는 정공 및 전자의 이동을 원활하게 하기 위한 추가 유기층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 애노드(141)와 유기 발광층(142) 사이에는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 등과 같은 유기층이 배치될 수 있고, 유기 발광층(142)과 캐소드(143) 사이에는 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 저지층 등과 같은 유기층이 배치될 수 있다.
캐소드(143)는 유기 발광층(142)에 전자를 공급하기 위한 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(143)는 금속 물질로 이루어질 수도 있고, 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캐소드(143)는 은(Ag), 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag-Mg) 합금 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수도 있고, IZO, ITO 등과 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수도 있다.
뱅크(134)는 오버 코팅층(133) 상에서 애노드(141)의 일부를 덮도록 배치된다. 뱅크(134)는 표시 영역(DA)에서의 발광 영역을 정의한다. 뱅크(134)는 표시 영역(DA)뿐만 아니라 표시 영역(DA)과 인접한 비표시 영역(NA) 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)을 포함하는 기판(110) 전면 상에는 봉지부(150)가 배치된다. 봉지부(150)는 외부에서 침투할 수 있는 수분(H2O) 및 산소(O2)로부터 유기 발광 소자(140)를 보호하도록 구성된다. 봉지부(150)는 제1 봉지층(151), 제2 봉지층(152), 이물보상층(Particle Cover Layer; PCL, 153) 및 제3 봉지층(154)을 포함한다.
도 1을 참조하면, 제1 봉지층(151)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)에 배치되며, 유기 발광 소자(140) 상에 배치된다.
제1 봉지층(151)은 유기 발광 소자(140)로의 수분 침투 차단 효과가 우수하고, 저온 증착이 가능하면서 투명한 무기물로 형성된다. 예를 들어 제1 봉지층(151)은 실리콘질화물(SiNx)로 이루어질 수 있다. 제1 봉지층(151)은 무기물로 이루어질 수 있으므로, 제1 무기층으로 지칭될 수도 있다. 제1 봉지층(151)은 화학 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD) 등에 의해 형성될 수 있다.
제1 봉지층(151) 상에는 제2 봉지층(152)이 배치된다. 제2 봉지층(152)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)에서 제1 봉지층(151)의 상면에 형성된다. 제2 봉지층(152)에 대해서는 이물보상층(153) 및 제3 봉지층(154)에 대한 설명 이후에 상세히 설명하도록 한다.
제2 봉지층(152) 상에는 이물보상층(153)이 배치된다. 이물보상층(153)은 제조 공정 중에 이물보상층(153)에 배치될 수 있는 이물을 보상할 수 있는 유기층이다. 이물보상층(153)은 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)과 근접한 비표시 영역(NA)의 일부 영역 상에 배치된다. 구체적으로, 이물보상층(153)이 수분 또는 산소의 투습 경로가 될 수 있으므로, 이물보상층(153)의 끝단부는 제1 봉지층(151) 및 제2 봉지층(152)의 끝단부보다 내측에 위치하도록 구성된다. 이물보상층(153)은 유기 발광 소자(140)가 배치된 영역에서는 거의 평탄하게 형성되지만, 유기 발광 소자(140)가 배치되지 않은 기판(110)의 비표시 영역(NA)과 근접한 영역으로 갈수록 점진적으로 얇아지는 형상을 가질 수 있다. 이때, 이물보상층(153)이 점진적으로 얇아지는 부분을 슬로프(slope)라고 지칭할 수 있고, 슬로프가 형성된 부분은 빛의 굴절을 발생시켜 영상의 품질이 저하될 수 있으므로, 유기 발광 소자(140)가 배치되지 않은 비표시 영역(NA)에 형성되어야 한다.
이물보상층(153)은 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클(particle)을 커버하는 역할을 한다. 또한, 제1 봉지층(151) 또는 제2 봉지층(152)에는 이물 또는 파티클에 의해서 발생된 크랙(crack)에 의한 불량이 존재할 수 있다. 이때, 이물보상층(153)은 이물 또는 파티클에 의해 발생한 크랙을 커버하는 역할을 할 수도 있다. 이물보상층(153)이 이물을 효과적으로 보상하기 위해서는 이물보상층(153)의 점도는 예를 들어 30cp 이하의 범위일 수 있다.
이물보상층(153)은 유기물로 형성된다. 이에 따라, 이물보상층(153)은 유기층으로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 이물보상층(153)은 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이물보상층(153)의 두께는 유기 발광 표시 장치(100)의 박막화를 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 이물보상층(153)의 두께는 5㎛ 내지 15㎛의 범위일 수 있으며, 구체적으로는 8㎛일 수 있다.
이물보상층(153)은 제2 봉지층(152) 상에 잉크젯(inkjet) 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 즉, 이물보상층(153)은 제2 봉지층(152) 상에 잉크젯을 사용하여 이물보상층(153)을 구성하는 유기물을 잉크젯 헤드에 부착된 노즐을 통해 액체 상태로 떨어뜨리는 방식으로 형성될 수 있다. 노즐을 통해 기판(110)에 떨어진 유기물은 노즐이 위치하지 않은 영역으로 퍼짐으로써 표시영역(DA)에 배치된 제2 봉지층(152)을 커버할 수 있다. 이물보상층(153)의 두께 및 면적에 따라 노즐의 개수, 노즐을 통해 분사되는 유기물의 양, 잉크젯 헤드가 지나가는 속도 등이 결정될 수 있다. 또한, 잉크젯 방식은 마스크가 필요 없고, 이물보상층(153)을 형성하기 위한 공정 시간이 단축되어, 유기 발광 표시 장치(100)의 생산성이 향상될 수 있다.
제3 봉지층(154)은 제2 봉지층(152) 및 이물보상층(153) 상에 배치된다. 제3 봉지층(154)은 기판(110)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)에 배치된다. 보다 구체적으로, 제3 봉지층(154)의 끝단부는 이물보상층(153)의 끝단부보다는 이물보상층(153)의 외측에 배치된다. 이에 따라, 제2 봉지층(152)과 제3 봉지층(154)은 기판(110)의 가장자리, 보다 구체적으로, 기판(110)의 비표시 영역(NA)의 외측 영역에서 직접적으로 접촉되도록 구성될 수 있다. 즉, 서로 인접하는 제2 봉지층(152)과 제3 봉지층(154)은 이물보상층(153)을 밀봉하도록 구성될 수 있다.
제3 봉지층(154)은 유기 발광 소자(140)로의 수분 침투 차단 효과가 우수하고, 저온 증착이 가능하면서 투명한 무기물로 형성된다. 제3 봉지층(154)은 제1 봉지층(151)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3 봉지층(154)은 실리콘질화물(SiNx)로 이루어질 수 있다. 제3 봉지층(154)은 무기물로 이루어질 수 있으므로, 제3 무기층으로 지칭될 수 있다. 제3 봉지층(154)은 제1 봉지층(151)과 동일하게 화학 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD) 등으로 형성될 수 있다.
제3 봉지층(154)의 두께는 투과율 및 봉지 특성을 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 제3 봉지층(154)의 두께는 0.5㎛ 내지 1.5㎛의 범위일 수 있으며, 구체적으로는 1㎛일 수 있다.
그리고, 제1 내지 제3 봉지층(151, 152, 154)의 끝단은 기판(110)의 끝단과 일치되거나 근접하도록 구성될 수 있다. 이를 통해, 후속 공정에서 봉지부(150)의 들뜸 현상에 의해 유기 발광 표시 장치(100)의 층간계면을 따라 수분 또는 산소가 침투하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 그러나, 제1 내지 제3 봉지층(151, 152, 154)의 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 설계에 따라 다양하게 변경이 가능하다.
다시 제2 봉지층(152)에 대해 살펴보면, 제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)과 표면 에너지(surface energy)가 서로 다른 물질로 형성된다. 구체적으로, 제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)보다 표면 에너지가 높은 무기물로 형성된다. 예를 들어, 제2 봉지층(152)은 실리콘산화질화물(SiOxNy) 또는 실리콘산화물(SiOx)로 이루어질 수 있다. 실리콘산화질화물은 예를 들어 SiON일 수 있다. 그리고, 제2 봉지층(152)은 무기물로 이루어질 수 있으므로, 제2 무기층으로 지칭될 수도 있다.
여기서, 표면 에너지는 최외층의 원자의 인력에 의하여 외부의 물질을 끌어당기는 에너지로 정의될 수 있다. 일반적으로, 막의 표면 에너지가 클수록 액체의 퍼짐을 촉진시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 봉지층(151)보다 제2 봉지층(152)의 표면 에너지가 클수록 이물보상층(153)을 형성하기 위해 제2 봉지층(152) 상에 배치되는 액체 상태의 유기물의 퍼짐을 촉진시킬 수 있다. 따라서, 제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)에 비해 유기물에 대한 퍼짐성이 높을 수 있다. 이때, 퍼짐성은 특정 막의 표면에 액체를 떨어뜨렸을 때 액체가 퍼지는 정도를 의미한다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에서는, 제1 봉지층(151)에 비해 표면 에너지가 큰 제2 봉지층(152)을 배치시킴으로써 제2 봉지층(152) 상에 이물보상층(153)을 배치할 때, 이물보상층(153)을 구성하는 유기물의 퍼짐이 촉진될 수 있다.
예를 들어, 제1 봉지층(151)을 구성하는 실리콘질화물(SiNx)의 표면 에너지가 대략 60mN/m이므로, 제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)보다 큰 표면 에너지를 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 제2 봉지층(152)을 구성하는 실리콘산화질화물(SiOxNy) 또는 실리콘산화물(SiOx)은 70mN/m 이상의 표면 에너지를 가질 수 있다. 그리고, 실리콘산화질화물은 예를 들어 SiON일 수 있다.
제2 봉지층(152)을 포함하지 않는 유기 발광 표시 장치에서는 이물보상층 형성 시 이물보상층을 구성하는 유기물이 제1 봉지층 상에서 고르게 퍼지지 않아 스캔 얼룩이 발생할 수 있다. 여기서, 스캔 얼룩 불량이란 이물보상층(153) 형성 시 이물보상층(153)을 구성하는 유기물이 고르게 퍼지지 않아 도포되지 않은 부분이 점이나 선과 같은 모양의 얼룩으로 나타나는 것을 의미한다. 즉, 이물보상층(153) 하부에 실리콘질화물(SiNx)로 이루어진 무기층이 배치되면, 이물보상층(153) 형성 시 액체 상태의 유기물이 고르게 퍼지지 않고 뭉치게 되어 얼룩이 시인될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 제2 봉지층(152)에 의해 스캔 얼룩이 발생하는 것이 최소화될 수 있다. 즉, 표면 에너지가 제1 봉지층(151)보다 높은 제2 봉지층(152)이 제1 봉지층(152)과 이물보상층(153) 사이에 배치되어, 이물보상층(153) 형성 시에 액체 상태의 유기물이 제1 봉지층(151) 상에서 골고루 퍼지게 될 수 있다.
제2 봉지층(152)은 접촉각(wetting angle 또는 contact angle)이 20° 이하인 무기층일 수 있다. 여기서, 접촉각은 제2 봉지층(152)의 표면과 물(water)의 접촉 경계면의 각으로 정의된다. 즉, 물이 제2 봉지층(152)의 표면에서 열역학적 평형을 이룰 때, 제2 봉지층(152) 표면과 물의 표면 사이의 각도를 접촉각으로 정의한다. 예를 들어, 제2 봉지층(152)의 접촉각은 제2 봉지층(152)이 실리콘산화질화물(SiON)로 이루어진 경우 14° 내지 19° 범위를 가질 수 있고, 제2 봉지층(152)이 실리콘산화물(SiOx)로 이루어진 경우 12° 내지 14° 범위의 접촉각을 가질 수 있다. 이때, 제2 봉지층(152)과 제2 봉지층(152) 상의 이물보상층의 접촉각이 작을수록 이물보상층의 퍼짐성이 좋다라고 할 수 있다.
제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)보다 봉지 특성에 미치는 영향이 낮고, 이물보상층(153) 도포 시 유기물의 퍼짐성을 향상시키기 위한 버퍼층으로 사용되므로, 제1 봉지층(151)에 비해 얇은 두께를 가질 수 있다.
제2 봉지층(152)의 두께는 제1 봉지층(151)의 두께에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지층(152)은 0.01㎛ 내지 1㎛의 두께를 가질 수 있다. 봉지부(150)의 두께를 최소화하기 위해서는 제2 봉지층(152)의 두께는 얇은 두께를 가지는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 투과율에 미치는 영향을 최소화하기 위해서는 제1 봉지층(151) 및 제2 봉지층(152)이 얇은 두께로 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 제1 봉지층(151)과 제2 봉지층(152)의 두께의 합이 0.8㎛ 내지 3㎛의 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)과 동일하게 화학 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성될 수 있다. 그러나, 제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151)에 비해 얇은 두께를 가지도록 형성되므로, 원자층 증착법에 의해 형성하는 것이 얇은 두께를 형성하는 데 용이할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 봉지부(150)는 이물보상층(153)의 하부에 제1 봉지층(151)보다 표면 에너지가 높아 유기물의 퍼짐성이 높고 접촉각이 작은 제2 봉지층(152)을 포함한다. 따라서, 이물보상층(153)을 잉크젯 방식으로 형성 시 이물보상층(153)을 구성하는 유기물의 퍼짐성이 개선되고, 이물보상층(153)의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량이 저감될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 외관 수율이 향상될 수 있다. 이때, 유기 발광 표시 장치의 외관 수율이란 유기 발광 표시 장치를 제품화하여 외부에서 유기 발광 표시 장치를 바라봤을 때의 문제를 검사하는 외관 검사 시에 발생하는 불량율을 말한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(110), 유기 발광 소자(140) 및 봉지부(250)를 포함한다.
도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 봉지층(251) 및 제2 봉지층(252)의 적층 구조 외에는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대해서 설명하기로 한다.
봉지부(250)는 제1 봉지층(251), 제2 봉지층(252), 이물보상층(153) 및 제3 봉지층(154)을 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 제1 봉지층(251)과 제2 봉지층(252)은 교대로 반복 적층되는 구조를 가진다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 유기 발광 소자(140) 상에 제1 봉지층(251)의 제1 서브 봉지층(251a), 제2 봉지층(252)의 제1 서브 봉지층(252a), 제1 봉지층(251)의 제2 서브 봉지층(251b), 제2 봉지층(252)의 제2 서브 봉지층(252b), 제1 봉지층(251)의 제3 서브 봉지층(251c) 및 제2 봉지층(252)의 제3 서브 봉지층(252c)가 순차적으로 배치된다. 도 3에서는 3회 반복 적층된 제1 봉지층(251)과 제2 봉지층(252)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 적어도 2회 이상 교대로 반복 적층되는 한, 그 층 수는 다양하게 변경 가능하다. 단, 이물보상층(153)과 접촉되는 층은 제2 봉지층(252)의 서브 봉지층이다.
그리고, 제1 봉지층(251) 및 제2 봉지층(252) 각각의 한 층의 두께는 반복 적층 횟수 및 봉지부(250)의 투과율 특성에 따라 적절히 조절될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)에서는 이물보상층(153)이 제1 봉지층(251)보다 표면 에너지가 높은 제2 봉지층(252)과 접촉되도록 배치됨으로써, 이물보상층(153) 형성 시 유기물 도포에 따른 스캔 얼룩 불량을 개선하여, 유기 발광 표시 장치(200)의 신뢰성이 개선될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 효과에 대해서 알아보기 위하여, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하였다.
실시예 1은 실리콘산화질화물(SiON)로 제2 봉지층이 형성된 유기 발광 표시 장치로서, 도 1에 도시된 구조를 갖는다. 실시예 2는 실리콘산화물(SiOx)로 제2 봉지층이 배치된 유기 발광 표시 장치로서, 도 1에 도시된 구조를 갖는다. 비교예는 도 1에 도시된 구조에서 제2 봉지층이 생략된 구조를 갖는다. 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1은 제1 봉지층 및 제2 봉지층이 하기 표 1의 조성을 가지며, 제2 봉지층 상에 잉크젯 방식을 이용하여 도포된 8㎛ 두께의 이물보상층과, 1.0㎛ 두께의 실리콘질화물(SiNx)로 형성된 제3 봉지층이 적층된 구조를 가진다. 이때, 제2 봉지층은 이물보상층과 접촉된다.
하기 표 1은 전술한 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 봉지층, 제2 봉지층, 이물보상층 및 제3 봉지층 각각의 조성 및 두께를 나타낸다.
하기 표 2는 전술한 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 접촉각, 표면 에너지 분석 결과 및 스캔 얼룩 불량율(%) 평가 결과를 나타낸다. 이때, DI는 물접촉각(water contact angle)을 나타내고, DM은 기름접촉각(oil contact angle)을 나타낸다.
표 1 및 표 2를 참조하면, 이물보상층과 접촉되는 제2 봉지층이 실리콘산화질화물(SiON) 또는 실리콘산화물(SiOx)로 형성된 실시예 1 및 실시예 2는, 물접촉각 20° 이하 및 표면 에너지 70mN/m 이상인 본 발명의 제2 봉지층의 조건을 만족하였으며, 스캔 얼룩 불량율이 0%임을 확인할 수 있다.
이에 반해, 이물보상층과 접촉되는 실리콘질화물(SiNx)로 형성된 제1 봉지층만이 배치된 비교예 1은, 물접촉각 41° 및 표면 에너지 61mN/m로 스캔 얼룩 발생으로 인한 유기 발광 표시 장치의 불량율이 2.46%로 상대적으로 높음을 확인할 수 있다.
따라서, 물접촉각이 20° 이하이고, 표면 에너지가 70mN/m 이상인 실리콘산화질화물(SiON) 또는 실리콘산화물(SiOx) 상에 잉크젯 방식으로 이물보상층을 형성함으로써, 이물보상층이 고르게 분포하여 스캔 얼룩 불량이 발생하지 않는 효과가 있다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이고, 도 5는 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면을 촬영한 사진이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면은 육안으로 하얀색 점 또는 선 모양의 스캔 얼룩 불량이 발생됨을 확인할 수 있었던 반면, 실시예 1 및 실시예 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 표면은 육안으로 스캔 얼룩 불량이 발생되지 않아 제품 외관이 양호하였다.
상술한 결과를 종합하여 보면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이물보상층과 접촉되는 봉지층을 표면 에너지가 높거나 물접촉각이 낮은 막으로 구성될 경우, 잉크젯 방식을 이용한 이물보상층의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량이 개선될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 유기 발광 소자, 기판 및 유기 발광 소자 상에 형성되어 유기 발광 소자를 밀봉하는 제1 봉지층, 제1 봉지층 상의 제2 봉지층, 적어도 유기 발광 소자 영역에 대응된 제2 봉지층 상의 이물보상층, 제2 봉지층 및 이물보상층 상의 제3 봉지층을 포함하고, 제1 봉지층과 제2 봉지층은 표면 에너지가 서로 다르게 구성된다. 따라서, 이물보상층의 도포에 따른 스캔 얼룩 불량이 개선될 수 있으므로, 제품의 외관 수율 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 봉지층의 표면 에너지는 상기 제1 봉지층의 표면 에너지보다 높을 수 있다.
제2 봉지층은 실리콘산화질화물(SiOxNy) 또는 실리콘산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
제2 봉지층의 표면 에너지는 70mN/m 이상일 수 있다.
제2 봉지층의 물접촉각은 20° 이하일 수 있다.
제1 봉지층 및 상기 제3 봉지층은 실리콘질화물(SiNx)로 형성될 수 있다.
제2 봉지층의 두께는 제1 봉지층의 두께보다 얇을 수 있다.
제1 봉지층과 제2 봉지층은 적어도 2회 이상 교대로 반복 적층될 수 있다.
제2 봉지층은 상기 이물보상층과 접촉되도록 구성될 수 있다.
기판의 가장자리 영역은 상기 제1 봉지층, 상기 제2 봉지층 및 제3 봉지층이 적층되어 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 상의 제1 무기층, 제1 무기층 상의 제2 무기층, 제2 무기층 상의 유기층, 유기층 상의 제3 무기층을 포함하고, 상기 제2 무기층은 상기 제1 무기층보다 상기 유기층을 이루는 유기조성물에 대한 퍼짐성이 높다.
유기층은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.
제1 무기층 및 상기 제3 무기층은 실리콘질화물(SiNx)로 이루어질 수 있고, 제2 무기층은 실리콘산화질화물(SiOxNy) 또는 실리콘산화물(SiOx)로 이루어질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치
110: 기판
120: 박막트랜지스터
140: 유기 발광 소자
150, 250: 봉지부
151, 251: 제1 봉지층
152, 252: 제2 봉지층
153: 이물보상층
154: 제3 봉지층
110: 기판
120: 박막트랜지스터
140: 유기 발광 소자
150, 250: 봉지부
151, 251: 제1 봉지층
152, 252: 제2 봉지층
153: 이물보상층
154: 제3 봉지층
Claims (13)
- 기판 상의 유기 발광 소자;
상기 기판 및 상기 유기 발광 소자 상에 배치되어 상기 유기 발광 소자를 밀봉하는 제1 봉지층;
상기 제1 봉지층 상의 제2 봉지층;
상기 제2 봉지층 상의 이물보상층;
상기 이물보상층 상의 제3 봉지층을 포함하고,
상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층은 표면 에너지가 서로 다른, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 봉지층의 표면 에너지는 상기 제1 봉지층의 표면 에너지보다 높은, 유기 발광 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2 봉지층은 실리콘산화질화물(SiOxNy) 또는 실리콘산화물(SiOx)을 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2 봉지층의 표면 에너지는 70mN/m 이상인, 유기 발광 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2 봉지층의 물접촉각은 20° 이하인, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 봉지층 및 상기 제3 봉지층은 실리콘질화물(SiNx)로 형성되는, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 봉지층의 두께는 상기 제1 봉지층의 두께보다 얇은, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층은 적어도 2회 이상 교대로 반복 적층되는, 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제2 봉지층은 상기 이물보상층과 접촉되도록 구성된, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판의 가장자리 영역은 상기 제1 봉지층, 상기 제2 봉지층 및 제3 봉지층이 적층되어 배치된, 유기 발광 표시 장치. - 기판 상의 유기 발광 소자;
상기 유기 발광 소자 상의 제1 무기층;
상기 제1 무기층 상의 제2 무기층;
상기 제2 무기층 상의 유기층;
상기 유기층 상의 제3 무기층을 포함하고,
상기 제2 무기층은 상기 제1 무기층보다 상기 유기층을 이루는 유기조성물에 대한 퍼짐성이 높은, 유기 발광 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 유기층은 잉크젯 방식으로 형성된, 유기 발광 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 제1 무기층 및 상기 제3 무기층은 실리콘질화물(SiNx)로 이루어지고, 상기 제2 무기층은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘산화질화물(SiOxNy)으로 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160116775A KR20180028850A (ko) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | 유기 발광 표시 장치 |
| US15/669,641 US10431773B2 (en) | 2016-09-09 | 2017-08-04 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160116775A KR20180028850A (ko) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180028850A true KR20180028850A (ko) | 2018-03-19 |
Family
ID=61560462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160116775A KR20180028850A (ko) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10431773B2 (ko) |
| KR (1) | KR20180028850A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180608A (zh) * | 2018-11-13 | 2020-05-19 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| WO2021025411A1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | 한양대학교 산학협력단 | 봉지 구조체 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102469745B1 (ko) * | 2017-10-23 | 2022-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN108878495B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-06-11 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、其制造方法及显示装置 |
| CN111211238A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 薄膜封装结构、薄膜封装方法及凹孔的设计方法 |
| JP6844628B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
| CN110265571A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装体、显示面板及显示面板的封装方法 |
| CN110518143A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| JP2021034261A (ja) | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN110518146B (zh) | 2019-08-30 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜封装结构及显示面板 |
| CN111540843A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-08-14 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US20220029127A1 (en) * | 2021-05-03 | 2022-01-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7279239B2 (en) * | 2002-08-07 | 2007-10-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laminating product including adhesion layer and laminate product including protective film |
| JP4702009B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP4539547B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| US20080198457A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Pentax Corporation | Dust-proof, reflecting mirror and optical apparatus comprising same |
| JP2009037813A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP5024220B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
| KR101809659B1 (ko) | 2011-10-14 | 2017-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9853245B2 (en) * | 2011-10-14 | 2017-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| KR102071330B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR101772135B1 (ko) * | 2013-06-29 | 2017-09-12 | 아익스트론 에스이 | 고성능 코팅들을 증착하기 위한 방법 및 캡슐화된 전자 디바이스들 |
| CN107111970B (zh) * | 2014-10-28 | 2021-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 |
| KR102456654B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2022-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US9837634B2 (en) * | 2015-07-20 | 2017-12-05 | Apple Inc. | Electronic device display with multi-layer flexible encapsulation |
| CN105742525A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件的封装结构及显示装置 |
| KR102595919B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2023-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| WO2018017541A1 (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Kateeva, Inc. | Methods of forming a polymeric thin film layer on an organic light-emitting diode substrate |
-
2016
- 2016-09-09 KR KR1020160116775A patent/KR20180028850A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-08-04 US US15/669,641 patent/US10431773B2/en active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180608A (zh) * | 2018-11-13 | 2020-05-19 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| WO2021025411A1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | 한양대학교 산학협력단 | 봉지 구조체 및 그 제조 방법 |
| KR20210016735A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 한양대학교 산학협력단 | 봉지 구조체 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10431773B2 (en) | 2019-10-01 |
| US20180076417A1 (en) | 2018-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180028850A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102280423B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| KR102655695B1 (ko) | 색변환 표시판을 포함하는 유기 발광 표시장치 | |
| CN108155210B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| KR102093628B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| JP6514679B2 (ja) | 有機発光ダイオード表示装置 | |
| EP2330628B1 (en) | Organic light emitting diode device | |
| CN106935624B (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
| CN108258012B (zh) | 电致发光显示装置 | |
| TW201813084A (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
| US10622414B2 (en) | Electroluminescent display device | |
| KR20170001099A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100651936B1 (ko) | 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20140067264A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| KR20140139864A (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20120040853A (ko) | 유기 발광장치 및 그 제조방법 | |
| KR20210086170A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20160140080A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101957145B1 (ko) | 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR102505167B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| KR20160038182A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| US10720597B2 (en) | Electroluminescent display device | |
| KR102449478B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| KR102450192B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조방법 | |
| KR101901350B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |