CN107394061A - 透明显示装置和制造透明显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了透明显示装置和制造透明显示装置的方法。在制造透明显示装置的方法中，可以提供包括像素区域和透射区域的基底。可以在基底上在像素区域中形成第一电极，可以在第一电极上形成显示层。可以在显示层上形成面对第一电极的第二电极，可以在第二电极上形成包括第一覆盖层和第二覆盖层的覆盖结构。可以通过使用具有开口的掩模在第二电极上在像素区域和透射区域的第一区域中形成第一覆盖层，可以移动掩模，可以通过使用移动后的掩模在第二电极上在像素区域和透射区域的第二区域中形成第二覆盖层。

Description

透明显示装置和制造透明显示装置的方法
技术领域
示例实施例总体涉及显示装置。更具体地讲，示例实施例涉及透明显示装置和制造透明显示装置的方法。
背景技术
近来，已经开发了具有透明或透光性质的显示装置(例如，有机发光显示(OLED)装置)。
为了制造透明显示装置，会处理透明显示装置的组件(例如，基底、电极、绝缘层等)的各种变量(例如，组成、布置、厚度等)以及其各种优点和缺点。例如，OLED装置可以包括包含不同材料的绝缘层的堆叠件。在这种情况下，绝缘层会导致OLED装置的光学特性(例如，透射率)不令人满意。
发明内容
示例实施例提供了具有减少的制造时间和成本的制造透明显示装置的方法。
示例实施例提供了具有改善的透光率和发光效率的透明显示装置。
根据示例实施例的一方面，在一种制造透明显示装置的方法中，可以提供基底，所述基底包括像素区域和透射区域。可以在基底上在像素区域中形成第一电极，可以在第一电极上形成显示层。可以在显示层上形成第二电极以面对第一电极。可以在第二电极上形成覆盖结构，覆盖结构包括第一覆盖层和第二覆盖层。可以通过使用具有开口的掩模在第二电极上在像素区域和透射区域的第一区域中形成第一覆盖层。然后可以移动掩模。可以通过使用移动后的掩模在第二电极上在像素区域和透射区域的第二区域中形成第二覆盖层。
在示例实施例中，开口的宽度可以与像素区域的宽度和透射区域的宽度的一半之和基本相等。在透射区域中，第一区域的一个端部可以与第二区域的一个端部相邻。覆盖结构可以在像素区域中具有第一厚度，并且可以在透射区域中具有基本小于第一厚度的第二厚度。
在一些示例实施例中，开口的宽度可以基本比像素区域的宽度与透射区域的宽度的一半之和大，并且基本比像素区域的宽度与透射区域的宽度之和小。透射区域还可以包括第一区域与第二区域重叠所处的第三区域。覆盖结构可以在像素区域和透射区域的第三区域中具有第一厚度，并且可以在透射区域的剩余区域中具有基本小于第一厚度的第二厚度，所述剩余区域在第三区域之外。
在一些示例实施例中，开口的宽度可以基本比像素区域的宽度大，并且可以基本比像素区域的宽度与透射区域的宽度的一半之和小。透射区域还可以包括位于第一区域和第二区域之间的第三区域。覆盖结构可以在像素区域中具有第一厚度，并且可以在第一区域和第二区域中具有第二厚度，其中，第二厚度小于第一厚度。
在示例实施例中，可以在第二电极中形成开口部。开口部可以与透射区域的至少一部分叠置。
根据示例实施例的一个方面，在一种制造透明显示装置的方法中，可以提供基底，所述基底包括第一像素区域、第一透射区域、第二像素区域和第二透射区域。可以在基底上在第一像素区域和第二像素区域中的每个像素区域中形成第一电极，可以在第一电极上形成显示层。可以在显示层上形成第二电极以面对第一电极。可以在第二电极上形成覆盖结构，所述覆盖结构包括第一覆盖层和第二覆盖层。可以通过使用具有开口的掩模在第二电极上在第一像素区域、第一透射区域和第二像素区域中形成第一覆盖层。然后可以移动掩模。可以通过使用移动后的掩模在第二电极上在第一像素区域、第二像素区域和第二透射区域中形成第二覆盖层。
在示例实施例中，开口的宽度可以与第一像素区域的宽度、第一透射区域的宽度和第二像素区域的宽度之和基本相等。覆盖结构可以在第一像素区域和第二像素区域中具有第一厚度，并且可以在第一透射区域和第二透射区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
根据示例实施例的另一方面，一种透明显示装置可以包括：基底，包括沿着第一方向布置的像素区域和透射区域；第一电极，在基底上设置在像素区域中；显示层，设置在第一电极上；第二电极，面对第一电极并设置在显示层上；覆盖结构，设置在第二电极上。覆盖结构可以包括：第一覆盖层，在第二电极上设置在像素区域和透射区域的第一区域中；第二覆盖层，在第二电极上设置在像素区域和透射区域的第二区域中。
在示例实施例中，在透射区域中，第一区域的一个端部可以与第二区域的一个端部相邻。覆盖结构可以在像素区域中具有第一厚度，并且可以在透射区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
在一些示例实施例中，透射区域还可以包括第一区域与第二区域重叠所处的第三区域。覆盖结构可以在像素区域和透射区域的第三区域中具有第一厚度，并且可以在透射区域的剩余区域中具有小于第一厚度的第二厚度，所述剩余区域在第三区域之外。
在一些示例实施例中，透射区域还可以包括位于第一区域与第二区域之间的第三区域。覆盖结构可以在像素区域中具有第一厚度，并且可以在第一区域和第二区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
在示例实施例中，第一覆盖层的厚度可以与第二覆盖层的厚度基本相等。
在示例实施例中，透明显示装置还可以包括多个单位像素，每个单位像素包括一个像素区域和一个透射区域，所述多个单位像素沿垂直于第一方向的第二方向布置。覆盖结构可以设置在所述多个单位像素中的至少一个单位像素中。
在示例实施例中，覆盖结构可以横跨所述多个单位像素中的不止一个单位像素延伸。在一些示例实施例中，可以设置多个覆盖结构，这些覆盖结构可以分别设置在所述多个单位像素中的相应单位像素中。
在示例实施例中，像素区域可以包括沿着垂直于第一方向的第二方向布置的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。
在示例实施例中，第二电极可以包括与透射区域的至少一部分叠置的开口部。
根据示例实施例的另一方面，一种透明显示装置可以包括：基底，包括第一像素区域、第一透射区域、第二像素区域和第二透射区域；第一电极，在基底上设置在第一像素区域和第二像素区域中的每个像素区域中；显示层，设置在第一电极上；第二电极，面对第一电极并设置在显示层上；覆盖结构，设置在第二电极上。覆盖结构可以包括：第一覆盖层，在第二电极上设置在第一像素区域、第一透射区域和第二像素区域中；第二覆盖层，在第二电极上设置在第一像素区域、第二像素区域和第二透射区域中。
在示例实施例中，覆盖结构可以在第一像素区域和第二像素区域中具有第一厚度，并且可以在第一透射区域和第二透射区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
根据示例实施例，在制造透明显示装置的方法中，可以通过移动一个掩模来形成具有基本上相同面积的第一覆盖层和第二覆盖层从而可以形成在像素区域和透射区域中具有基本不同厚度的所得覆盖结构。根据示例实施例，透明显示装置可以包括在像素区域和透射区域中具有基本不同厚度的覆盖结构，从而可以改善透明显示装置的透光率和发光效率。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性的示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。
图2是示出图1中的透明显示装置的区域I的进一步细节的平面图。
图3是示出根据示例实施例的透明显示装置的剖视图。
图4是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
图5是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
图6至图8是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
图9至图15是示出根据示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
图16和图17是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
图18和图19是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
图20是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
图21是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。
图22是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的平面图。
图23是示出图1中的透明显示装置的区域II的进一步细节的平面图。
图24是示出根据示例实施例的透明显示装置的剖视图。
图25至图31是示出根据示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
图32是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。
图33是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来详细说明根据示例实施例的透明显示装置和制造透明显示装置的方法。各种附图不一定按比例绘制。所有数值是近似的，并且可以变化。所有具体材料和组成的示例仅被认为非限制性的和示例性的。可以使用其它合适的材料和组成来替代。
图1是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。图2是示出图1中的透明显示装置的区域I的进一步细节的平面图。图3是示出根据示例实施例的透明显示装置的剖视图。例如，图3可以是沿图2中的线III-III'截取的剖视图。
参照图1和图2，透明显示装置可以包括多个单位像素PX。单位像素PX可以沿着与基底(图3中的100)的顶表面基本平行并且彼此基本垂直的第一方向和第二方向布置。
每个单位像素PX可以包括像素区域10和透射区域20。多个子像素区域可以设置在像素区域10中。在示例实施例中，像素区域10可以包括红色子像素区域11、绿色子像素区域12和蓝色子像素区域13。例如，子像素区域11至13可以沿着第二方向布置。
图1和图2示出了子像素区域11至13具有基本相同的面积。然而，红色子像素区域11、绿色子像素区域12和蓝色子像素区域13可以具有不同的相对尺寸或面积，以改善发光效率。
透射区域20可以延伸为与红色子像素区域11、绿色子像素区域12和蓝色子像素区域13相邻。在示例实施例中，透射区域20可以针对每个单位像素PX而单独地设置。在一些示例实施例中，例如，透射区域20可以沿着第二方向延伸，并且可以针对多个单位像素PX而公共地设置。也就是说，可以为每个子像素区域设置单独的透射区域20，或者可以为多于一个的或全部的子像素区域设置公共的透射区域20。
在示例实施例中，用于实现图像的像素电路可以设置在像素区域10中。外部光可以穿过透射区域20，使得可以观察到外部图像。
晶体管(例如，薄膜晶体管(TFT))可以设置在像素区域10的每个子像素区域中。晶体管可以电连接到数据线151和扫描线136。如图2中所示，数据线151和扫描线136可以彼此交叉。在示例实施例中，像素电路可以包括数据线151、扫描线136、晶体管等。
例如，像素电路还可以包括与数据线151基本平行的电源线(图2中未示出)。像素电路还可以包括电连接在电源线与晶体管之间的电容器。
图2示出了在每个子像素区域中设置有一个晶体管。然而，在每个子像素区域中可以设置有两个或更多个晶体管。例如，在每个子像素区域中可以设置有开关晶体管和驱动晶体管。电容器可以电连接在开关晶体管与驱动晶体管之间。
参照图3，晶体管可以在像素区域10中设置在基底100上。晶体管可以包括有源图案120、栅极绝缘层130、栅电极135、绝缘中间层140、源电极150和漏电极155。晶体管可以被通路绝缘层160覆盖，电连接到晶体管的漏电极155的第一电极170可以设置在通路绝缘层160上。
可以使用透明绝缘基底作为基底100。例如，基底100可以包括透明且柔性的玻璃或聚合物。当基底100包括聚合物时，透明显示装置可以设置为透明柔性显示装置。例如，基底100可以包括诸如聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯等的高分子材料。
如上所述，基底100可以被划分为像素区域10和透射区域20。图2示出了包括在第一单位像素PXa中的第一像素区域10a和第一透射区域20a以及包括在第二单位像素PXb中的第二像素区域10b和第二透射区域20b。然而，由于第一单位像素PXa和第二单位像素PXb基本相同，所以除非另有说明，否则第一像素区域10a和第二像素区域10b将被称为像素区域10，并且第一透射区域20a和第二透射区域20b将被称为透射区域20。
缓冲层110可以形成在基底100的顶表面上。在一些示例实施例中，缓冲层110可以在基底100上公共地设置在像素区域10和透射区域20中。在一些示例实施例中，缓冲层110可以在基底100上基本上仅设置在像素区域10中。缓冲层110可以阻挡蒸气通过基底100的渗透，并且可以阻挡杂质在基底100与设置在基底100上的结构之间的扩散。例如，缓冲层110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。这些材料可以单独使用或以其任何组合使用。在一些示例实施例中，缓冲层110可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
有源图案120可以在缓冲层110上设置在像素区域10中。有源图案120可以包括诸如多晶硅的硅化合物。在一些示例实施例中，均包括p型或n型杂质的源区和漏区可以设置在有源图案120的相对端上。
在一些示例实施例中，有源图案120可以包括氧化物半导体，例如，氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)或氧化铟锡锌(ITZO)等。
栅极绝缘层130可以设置在缓冲层110上，并且可以覆盖有源图案120。在示例实施例中，栅极绝缘层130可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在一些示例实施例中，栅极绝缘层130可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
如图3中所示，类似于缓冲层110，栅极绝缘层130可以横跨像素区域10和透射区域20两者延伸。在一些示例实施例中，栅极绝缘层130可以基本上选择性地仅设置在像素区域10中。
栅电极135可以设置在栅极绝缘层130上。栅电极135可以相对于栅极绝缘层130与有源图案120基本叠置。
栅电极135可以电连接到扫描线136。例如，如图2中所示，栅电极135可以形成为从扫描线136延伸。
栅电极135可以包括诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属，它们的合金或它们的氮化物。这些材料可以单独使用或以其任何组合使用。栅电极135可以包括具有不同的物理和/或化学性质的至少两个金属层。例如，栅电极135可以具有诸如Al/Mo结构或Ti/Cu结构的多层结构。
绝缘中间层140可以设置在栅极绝缘层130上，并且可以覆盖栅电极135。在示例实施例中，绝缘中间层140可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一些示例实施例中，绝缘中间层140可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
如图3中所示，与缓冲层110类似，绝缘中间层140可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地延伸。在一些示例实施例中，绝缘中间层140可以基本上选择性地仅设置在像素区域10中。
源电极150和漏电极155可以穿过绝缘中间层140和栅极绝缘层130与有源图案120接触。源电极150和漏电极155中的每个可以包括诸如Ag、Mg、Al、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属，它们的合金或它们的氮化物。这些材料可以单独使用或以其某种组合使用。例如，源电极150和漏电极155中的每个可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理和/或化学性质的至少两个金属层，诸如Al层和Mo层。
源电极150和漏电极155可以分别与有源图案120的源区和漏区接触。有源图案120的位于源区与漏区之间的部分可以用作沟道，电荷可以通过该沟道移动或转移。
如图2中所示，源电极150可以电连接到数据线151。例如，源电极150可以从数据线151延伸。
图3示出晶体管具有栅电极135设置在有源图案120上面的顶栅结构。然而，晶体管可以具有栅电极135设置在有源图案120下面的底栅结构。
通路绝缘层160可以设置在绝缘中间层140上，并且可以覆盖源电极150和漏电极155。将第一电极170和漏电极155彼此电连接的通孔结构可以被容纳在通路绝缘层160中。通路绝缘层160可以具有基本平坦或水平的顶表面，并且可以用作用于位于通路绝缘层160上的结构的平坦化层。
通路绝缘层160可以包括有机材料，例如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酸类树脂或聚酯等。在示例实施例中，通路绝缘层160可以公共地设置在像素区域10和透射区域20中。在一些示例实施例中，通路绝缘层160可以基本上选择性地仅设置在像素区域10中。
第一电极170可以设置在通路绝缘层160上，并且可以包括延伸通过通路绝缘层160的通孔结构以与漏电极155接触或电连接到漏电极155。在示例实施例中，对于每个子像素区域可以单独设置第一电极170。第一电极170可以用作像素电极或阳极。
在实施例中，第一电极170可以包括具有相对高的功函数的透明导电材料。例如，第一电极170可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌或氧化铟。在这种情况下，可以进一步改善透明显示装置的透光率。
在实施例中，第一电极170可以用作反射电极。在这种情况下，第一电极170可以包括例如Al、Mg、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属或其合金。
在实施例中，第一电极170可以具有包括所述透明导电材料和所述金属的多层结构。
像素限定层180可以设置在通路绝缘层160上，并且可以覆盖第一电极170的外围部分。像素限定层180可以包括诸如聚酰亚胺或丙烯酸类树脂的透明有机材料。
包括在像素区域10中的每个子像素区域可以被像素限定层180暴露。第一电极170的未被像素限定层180覆盖的区域可以基本上等于每个子像素区域的发光区域。在示例实施例中，像素限定层180可以延伸到透射区域20。在一些示例实施例中，像素限定层180可以不延伸到透射区域20，并且可以基本上选择性地仅设置在像素区域10中。
显示层200可以设置在像素限定层180和第一电极170上。例如，显示层200可以设置在像素限定层180的侧壁以及第一电极170的被像素限定层180暴露的顶表面上。
显示层200可以包括针对红色子像素区域11、绿色子像素区域12和蓝色子像素区域13单独图案化的有机发光层，以在每个像素区域处产生不同的颜色。有机发光层可以包括通过空穴和电子激发的主体材料以及通过吸收和释放能量来促进发射效率的掺杂剂材料。
在一些实施例中，显示层200还可以包括位于第一电极170与有机发光层之间的空穴传输层(HTL)。显示层200还可以包括位于有机发光层上的电子传输层(ETL)。
HTL可以包括空穴传输材料，例如，4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPD)、N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它们的组合。
ETL可以包括电子传输材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)、浴铜灵(BCP)、三唑(TAZ)、苯基喹唑啉或它们的组合。
在示例实施例中，不同于有机发光层，HTL和ETL中的每个可以不针对红色子像素区域11、绿色子像素区域12和蓝色子像素区域13单独图案化，而是可以针对子像素区域11、12和13公共地设置。
在一些实施例中，有机发光层、HTL和ETL中的至少一个可以不针对每个子像素区域单独地图案化，而是可以针对多个子像素区域公共地设置。在实施例中，有机发光层可以针对多个子像素区域公共地设置，每个子像素区域的颜色可以通过滤色器实现。在这种情况下，透明显示装置可以用作白-OLED(W-OLED)装置。
在一些实施例中，显示层200可以包括液晶层，而不是有机发光层。在这种情况下，透明显示装置可以设置为液晶显示(LCD)装置。
第二电极210可以设置在像素限定层180和显示层200上。第二电极210可以相对于显示层200面对第一电极170。
在示例实施例中，第二电极210可以用作针对多个子像素区域公共地设置的共电极。第二电极210可以用作透明显示装置的阴极。
在示例实施例中，第二电极210可以包括诸如Ag、Mg、Al、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc的具有低功函数的金属或其合金。在一些示例实施例中，第二电极210可以包括Ag和Mg的合金(例如，AgxMg1-x)。
第二电极210可以横跨像素区域10和透射区域20两者连续地延伸。可以考虑像素区域10中的发光效率和透射区域20中期望的透光率来确定第二电极210的厚度。在一些实施例中，可以在透射区域20中基本上去除第二电极210。
覆盖结构220可以设置在第二电极210上。在示例实施例中，覆盖结构220可以基本上覆盖第二电极210的顶表面，并且可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地设置。
覆盖结构220可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224。第一覆盖层222可以在第二电极210上设置在像素区域10中和透射区域20的第一区域21中。在示例实施例中，第一覆盖层222可以覆盖第二电极210的顶表面，并且可以公共地设置在像素区域10和透射区域20的第一区域21两者中。例如，第一区域21可以是在第一透射区域20a中与第一像素区域10a相邻的区域。
第二覆盖层224可以在第二电极210上设置在像素区域10中和透射区域20的第二区域22中。在示例实施例中，第二覆盖层224可以覆盖第二电极210的顶表面以及第一覆盖层222的顶表面，并且可以横跨像素区域10和透射区域20的第二区域22公共地设置。例如，第二区域22可以是在第一透射区域20a中与第一像素区域10a分隔开的区域。换句话讲，第二区域22可以与第二像素区域10b相邻。
在示例实施例中，第一区域21的一个端部和第二区域22的一个端部可以在透射区域20中彼此基本相邻。换句话讲，第一区域21和第二区域22可以不叠置，并且可以不彼此分隔开。在示例实施例中，第一区域21的面积和第二区域22的面积可以基本相同。例如，第一区域21的面积和第二区域22的面积中的每个可以基本上等于透射区域20的面积的一半。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在透射区域20中具有比第一厚度小的第二厚度。例如，第一厚度可以与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和对应。
在示例实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。在这种情况下，覆盖结构220可以在整个透射区域20中具有基本均匀的厚度。
第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以包括具有改善的透射性质的有机材料。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以包括与空穴传输材料基本相同或相似的材料。因此，像素区域10中的发光性质不会被用作阴极的第二电极210所干扰。
在示例实施例中，可以考虑改善或最大化像素区域10中的发光效率以及改善或最大化透射区域20中的透光率来确定第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度。
如上所述，当覆盖结构220在像素区域10中具有与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和基本相等的第一厚度，并且在透射区域20中具有与第一覆盖层222的厚度或第二覆盖层224的厚度基本相等的第二厚度时，可以改善像素区域10中的发光效率以及透射区域20中的透光率。
在常规透明显示装置中，具有基本均匀厚度并横跨像素区域和透射区域二者公共地设置的覆盖层可以设置在第二电极上。然而，当覆盖层具有相对小的厚度时，会降低像素区域中的发光效率，当覆盖层具有相对大的厚度时，会降低透射区域中的透光率。
根据示例实施例，于是，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在透射区域20中具有小于第一厚度的第二厚度，使得像素区域10中的发光效率以及透射区域20中的透光率均可以得以改善。
在一些示例实施例中，如图3中所示，包封基底250可以设置在覆盖结构220上，填充层240可以置于覆盖结构220与包封基底250之间。接合构件可以设置在基底100的外围部分与包封基底250的外围部分之间，以存储填充层240并使基底100与包封基底250结合。
包封基底250可以包括玻璃基底或聚合物基底。填充层240可以包括例如基本透明性或透射性的有机材料。在一些实施例中，有机/无机复合层可以用作密封膜来替代包封基底250和填充层240。在这种情况下，可以不需要接合构件。
图4是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
除了透射区域20中的第一覆盖层222和第二覆盖层224的构造之外，图4中示出的透明显示装置可以具有与图3中示出的透明显示装置基本相同或相似的元件和/或构造。因此，省略重复的元件和/或构造的详细描述，同样的附图标记用于指示同样的元件。
参照图4，透射区域20还可以包括第一区域21的至少一部分与第二区域22的至少一部分重叠的第三区域23。换句话讲，设置有第一覆盖层222的第一区域21和设置有第二覆盖层224的第二区域22可以至少部分地重叠，重叠的区域可以被定义为第三区域23。例如，与像素区域10类似，在第三区域23中，第一覆盖层222可以设置在第二电极210上，第二覆盖层224可以设置在第一覆盖层222上。
在示例实施例中，第一区域21的面积和第二区域22的面积可以基本相同。例如，第一区域21的面积和第二区域22的面积中的每个可以基本上大于透射区域20的面积的一半。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中和透射区域20的第三区域23中具有第一厚度，并且可以在第三区域23外部的剩余的透射区域20中具有小于第一厚度的第二厚度。例如，第一厚度可以与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和基本相等，第二厚度可以与第一覆盖层222的厚度或第二覆盖层224的厚度基本相等。
在示例实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。在这种情况下，覆盖结构220可以在除了第三区域23之外的剩余的透射区域20中具有基本均匀的厚度。
图5是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
除了在透射区域20中的第一覆盖层222和第二覆盖层224的构造之外，图5中示出的透明显示装置可以具有与图3和图4中示出的透明显示装置基本相同或相似的元件和/或构造。因此，省略重复的元件和/或构造的详细描述，同样的附图标记用于指示同样的元件。
参照图5，透射区域20还可以包括位于第一区域21与第二区域22之间的第三区域23。换句话讲，设置有第一覆盖层222的第一区域21和设置有第二覆盖层224的第二区域22可以彼此分隔开。第一区域21与第二区域22之间的中间空间可以被定义为第三区域23。例如，由第一覆盖层222的侧壁、第二覆盖层224的侧壁和第二电极210的暴露的顶表面限定的开口可以形成在第三区域23中。
在示例实施例中，第一区域21的面积和第二区域22的面积可以基本相同。例如，第一区域21的面积和第二区域22的面积中的每个可以基本上小于透射区域20的面积的一半。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在第一区域21和第二区域22中具有小于第一厚度的第二厚度。例如，第一厚度可以与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和基本相等，第二厚度可以与第一覆盖层222的单个厚度或者第二覆盖层224的单个厚度基本相等。
在示例实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本上相同的厚度。在这种情况下，覆盖结构220可以在除了第三区域23之外的剩余的透射区域20中具有基本均匀的厚度。
图6至图8是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的剖视图。
除了第二电极210、像素限定层180、通路绝缘层160、绝缘中间层140、栅极绝缘层130和/或缓冲层110在透射区域20中的构造之外，图6至图8中示出的透明显示装置可以具有与图3中示出的透明显示装置基本相同或相似的元件和/或构造。因此，省略任何重复的元件和/或构造的详细描述，同样的附图标记用于指示同样的元件。
参照图6，第二电极210可以包括与透射区域20的至少一部分叠置的开口部215。在一些示例实施例中，开口部215可以与透射区域20的基本上全部叠置。例如，覆盖结构220可以设置在像素限定层180的被第二电极210的开口部215暴露的顶表面上。由于第二电极210包括开口部215，因此可以改善透射区域20的透光率。
参照图7，可以基本上去除像素限定层180的至少一部分和通路绝缘层160的至少一部分。在示例实施例中，在透射区域20中，透明窗260可以由绝缘中间层140的顶表面、通路绝缘层160的侧壁和像素限定层180的侧壁限定。由于形成了透明窗260，可以改善透射区域20的透光率。在这种情况下，覆盖结构220可以沿着第二电极210的表面和透明窗260的表面共形地形成。
参照图8，可以基本上去除绝缘中间层140的至少一部分、栅极绝缘层130的至少一部分和缓冲层110的至少一部分。在示例实施例中，在透射区域20中，透明窗260可以由基底100的顶表面、缓冲层110的侧壁、栅极绝缘层130的侧壁、绝缘中间层140的侧壁、通路绝缘层160的侧壁和像素限定层180的侧壁限定。由于形成了透明窗260，所以可以改善透射区域20的透光率。在这种情况下，覆盖结构220可以沿着第二电极210的表面和透明窗260的表面共形地形成。
图6至图8示出了第一覆盖层222和第二覆盖层224如图3中所示彼此相邻，但发明不限于此。图6至图8中示出的第二电极210在透射区域20中的开口部215和透射区域20中的透明窗260可以应用于第一覆盖层222和第二覆盖层224如图4中所示叠置的透明显示装置或者第一覆盖层222和第二覆盖层224如图5中所示分隔开的透明显示装置。
图9至图15是示出根据示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。例如，图9至图15示出了制造图3中的透明显示装置的方法。
参照图9，可以在载体基底50上设置基底100，然后可以在基底100上形成缓冲层110。
在透明显示装置的制造过程中，载体基底50可以用作基底100的支撑件。例如，可以将玻璃基底或金属基底用作载体基底50。
可以使用玻璃或诸如聚酰亚胺类树脂的透明聚合物来形成基底100。例如，可以通过例如旋涂工艺在载体基底50上涂覆包含聚酰亚胺前体的前体组合物以形成涂覆层。可以对涂覆层进行热固化以形成基底100。聚酰亚胺前体可以包括二胺和二酐。可以通过将聚酰亚胺前体溶解在有机溶剂中来制备前体组合物。有机溶剂可以包括例如N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氢呋喃(THF)、三乙胺(TEA)、乙酸乙酯、二甲基亚砜(DMSO)或乙二醇类醚溶剂。这些溶剂可以单独使用或以其任何组合使用。
可以通过热固化工艺来使二胺和二酐聚合，从而可以制得聚酰胺酸，可以对聚酰胺酸另外进行固化和缩合以形成聚酰亚胺类树脂。在一个实施例中，当将玻璃基底用作基底100时，可以省略使用载体基底50的工艺。
可以将基底100划分为像素区域10和透射区域20。图9示出第一像素区域10a、第一透射区域20a、第二像素区域10b和第二透射区域20b。然而，因为第一像素区域10a和第一透射区域20a分别与第二像素区域10b和第二透射区域20b基本相同，所以除非另有说明，否则第一像素区域10a和第二像素区域10b将被称为像素区域10，并且第一透射区域20a和第二透射区域20b将被称为透射区域20。
缓冲层110可以基本上覆盖基底100的顶表面，并且可以使用氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅来形成。如图9中所示，可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地形成缓冲层110。在一些实施例中，可以选择性地仅在像素区域10中形成缓冲层110。
参照图10，可以在缓冲层110上形成有源图案120、栅电极135、源电极150、漏电极155和附加绝缘层。
可以在缓冲层110上在像素区域10中形成有源图案120。例如，可以在缓冲层110上形成包括非晶硅或多晶硅的半导体层，然后可以将半导体层图案化以形成有源图案120。在一些实施例中，可以在形成半导体层之后进一步执行结晶工艺，例如低温多晶硅(LTPS)工艺或激光结晶工艺。在一些实施例中，半导体层可以由诸如IGZO、ZTO或ITZO的氧化物半导体形成。
可以在缓冲层110上形成覆盖有源图案120的栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。
如图10中所示，栅极绝缘层130可以横跨像素区域10和透射区域20两者连续地延伸。在一些实施例中，可以将栅极绝缘层130图案化为选择性地存在于像素区域10中。
栅电极135可以形成在栅极绝缘层130上，并且可以与有源图案120基本叠置。例如，可以在栅极绝缘层130上形成第一导电层。可以通过例如光刻工艺来使第一导电层图案化，以形成栅电极135。可以使用金属、合金或金属氮化物来形成第一导电层。也可以通过沉积多个金属层来形成第一导电层。
可以与图2中示出的扫描线136一起形成栅电极135。例如，可以通过基本上相同的蚀刻工艺从第一导电层形成栅电极135和扫描线136，扫描线136可以与栅电极135成一体。
在一些实施例中，可以使用栅电极135作为离子注入掩模，将杂质注入到有源图案120中，使得可以在有源图案120的两端处形成源区和漏区。
可以在栅极绝缘层130上形成覆盖栅电极135的绝缘中间层140。绝缘中间层140可以包括根据有源图案120和栅电极135的轮廓的台阶部分。绝缘中间层140可以由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。
如图10中所示，绝缘中间层140可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地延伸。在一些实施例中，可以去除绝缘中间层140的形成在透射区域20中的至少一部分。
可以通过例如光刻工艺来部分地去除绝缘中间层140和栅极绝缘层130，以形成接触孔。接触孔可以穿过绝缘中间层140和栅极绝缘层130形成，使得有源图案120的顶表面可以部分地暴露。例如，有源图案120的源区和漏区可以通过接触孔暴露。
可以在接触孔中形成源电极150和漏电极155。源电极150和漏电极155可以分别与源区和漏区接触。例如，可以在绝缘中间层140上形成充分地填充接触孔的第二导电层。可以通过光刻工艺对第二导电层进行图案化，以形成源电极150和漏电极155。可以使用金属、金属氮化物或合金来形成第二导电层。
因此，可以在像素区域10中在基底100上形成晶体管，例如包括有源图案120、栅极绝缘层130、栅电极135、源电极150和漏电极155的薄膜晶体管。例如，如图1和图2中所示，可以在像素区域10中包括多个子像素区域，并且可以在每个子像素区域中形成至少一个晶体管。
此外，可以在基底100上形成包括晶体管、数据线151和扫描线136的像素电路。如图2中所示，可以将源电极150电连接到数据线151。例如，可以基本上通过同一蚀刻工艺从第二导电层形成源电极150、漏电极155和数据线151。
可以形成通路绝缘层160来覆盖绝缘中间层140、源电极150和漏电极155。通路绝缘层160可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地延伸，并且可以具有基本平坦或水平的上表面。实际上，通路绝缘层160可以用作用于透明显示装置的平坦化层。
可以通过旋涂工艺或狭缝涂覆工艺，使用诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酸类树脂或聚酯的有机材料来形成通路绝缘层160。例如，可以通过例如光刻工艺来部分地去除通路绝缘层160，以形成通孔。在示例实施例中，漏电极155的顶表面可以通过通孔被至少部分地暴露。
如图10中所示，通路绝缘层160可以横跨像素区域10和透射区域20中的每个区域公共地延伸。在一些实施例中，可以将通路绝缘层160图案化为选择性地存在于像素区域10中。
参照图11，可以在通路绝缘层160上形成第一电极170和像素限定层180。
例如，可以在通路绝缘层160和暴露的漏电极155上形成填充通孔的第三导电层，并且可以将第三导电层图案化以形成第一电极170。第一电极170可以用作透明显示装置的像素电极和/或阳极。第三导电层可以由诸如Ag、Mg、Al、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd、Sc等的金属或其合金形成。
可以通过化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子体-化学气相沉积(HDP-CVD)工艺、热蒸发工艺、真空沉积工艺、旋涂工艺、溅射工艺、原子层沉积(ALD)工艺和印刷工艺中的至少一种来形成缓冲层110、半导体层、栅极绝缘层130、绝缘中间层140以及第一导电层至第三导电层。
可以在通路绝缘层160上形成像素限定层180以覆盖第一电极170的外围部分。例如，可以涂覆诸如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的光敏有机材料，然后可以执行曝光工艺和显影工艺以形成像素限定层180。在一些实施例中，可以通过印刷工艺(例如，喷墨印刷工艺)由聚合材料或无机材料来形成像素限定层180。
如图11中所示，像素限定层180可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地延伸。在一些实施例中，可以将像素限定层180图案化为选择性地存在于像素区域10中。
在示例实施例中，可以选择性地去除形成在透射区域20中的像素限定层180和通路绝缘层160，使得像素限定层180和通路绝缘层160可以仅保留在像素区域10中。因此，可以改善透射区域20的透光率。在一些示例实施例中，与形成在透射区域20中的像素限定层180和通路绝缘层160一样，可以选择性地去除形成在透射区域20中的绝缘中间层140、栅极绝缘层130和缓冲层110，使得绝缘中间层140、栅极绝缘层130和缓冲层110可以仅选择性地保留在像素区域10中。因此，可以进一步改善透射区域20的透光率。
参照图12，可以在像素限定层180和第一电极170上顺序地形成显示层200和第二电极210。
可以在由像素限定层180暴露的第一电极170使用用于在每个子像素区域产生红色光、绿色光或蓝色光的有机发光材料来形成显示层200。例如，可以使用精细金属掩模(FMM)通过旋涂工艺、辊印刷工艺、喷嘴印刷工艺、喷墨工艺等来形成显示层200，精细金属掩模可以包括通过其暴露与红色子像素区域、绿色子像素区域或蓝色子像素区域对应的区域的开口。因此，可以在每个子像素区域中单独形成包括有机发光材料的有机发光层。
可以在形成有机发光层之前使用上面提到的空穴传输材料来形成空穴传输层。也可以使用上面提到的电子传输材料来在有机发光层上形成电子传输层。在一些示例实施例中，与有机发光层不同，空穴传输层和电子传输层可以在每个子像素区域上公共地延伸，而不是针对每个子像素区域单独地图案化。在一些示例实施例中，空穴传输层和电子传输层可以被包括在显示层200中，并且可以针对每个子像素区域进行图案化或印刷。例如，如图12中所示，每个子像素区域的显示层200可以由像素限定层180的侧壁限制。
在一些实施例中，有机发光层、空穴传输层和电子传输层中的至少一个可以不是针对每个子像素区域被单独地图案化，而是可以横跨多个子像素区域公共地形成。在实施例中，可以针对多个子像素区域形成有机发光层，并且可以通过滤色器实现每个子像素区域的颜色。在这种情况下，透明显示装置可以用作白-OLED(W-OLED)装置。
可以在显示层200上沉积诸如Al、Mg、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的具有低功函数的金属或者这些金属的合金以形成第二电极210。第二电极210可以用作透明显示装置的共电极和/或阴极。例如，可以使用包括通过其公共地暴露像素区域10和透射区域20的开口的开口掩模，通过例如溅射工艺来沉积金属，用于形成第二电极210。可以将第二电极210形成为对像素区域10和透射区域20共用，而不需要额外的图案化工艺，从而可以简化整个制造工艺，并且可以减小第二电极210的电阻。
在一些示例实施例中，第二电极210可以由Ag、Mg或它们的合金形成。此外，可以根据像素区域10中的期望发光效率和透射区域20中的期望透光率来确定第二电极210的厚度。
参照图13和图14，可以在第二电极210上形成覆盖结构220。
可以在像素区域10和透射区域20的第一区域21两者中在第二电极210上形成第一覆盖层222。然后可以在第一覆盖层222上在像素区域10中以及在透射区域20的第二区域22中形成第二覆盖层224。例如，第一区域21可以是第一透射区域20a中的与第一像素区域10a相邻的区域，第二区域22可以是第一透射区域20a中的与第一像素区域10a分隔开的区域。换句话讲，第一区域21可以与第一像素区域10a相邻，第二区域22可以与第二像素区域10b相邻。
如图13中所示，可以通过使用包括开口315的掩模310来在像素区域10和第一区域21中形成第一覆盖层222。具体地，在设置掩模310使得开口315与第一像素区域10a和第一区域21对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第一覆盖层222。掩模310可以是例如精细金属掩模(FMM)。
然后，如图14中所示，通过移动掩模310，可以在像素区域10和第二区域22中形成第二覆盖层224。具体地，在移动掩模310使得开口315与第二像素区域10b和第二区域22对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第二覆盖层224。例如，第二覆盖层224可以由与第一覆盖层222的材料基本相同的材料形成。图14示出了掩模310沿着第一方向移动，但是发明不需局限于此。例如，掩模310可以沿着与第一方向基本相反的方向移动。
可以在形成第一覆盖层222和第二覆盖层224两者时使用同一掩模310，使得第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的尺寸面积。以这种方式，可以形成包括第一覆盖层222和第二覆盖层224的覆盖结构220。
在示例实施例中，开口315的宽度可以基本上等于像素区域10的宽度和透射区域20的一半宽度之和。因此，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以横跨整个像素区域10彼此叠置。形成有第一覆盖层222的第一区域21的一个端部和形成有第二覆盖层224的第二区域22的一个端部可以在透射区域20中彼此基本相邻。换句话讲，在透射区域20中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以不叠置，并且也可以不彼此分隔开。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在透射区域20中具有小于第一厚度的第二厚度。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。因此，覆盖结构220可以在透射区域20中具有第二厚度，并且可以在像素区域10中具有第一厚度，第一厚度为第二厚度的大约两倍。
如上所述，可以通过移动一个掩模310来形成在像素区域10和透射区域20中具有不同厚度的覆盖结构220，从而可以减少覆盖结构220的制造时间和成本，并且可以制造出具有改善的发光效率和透光率的透明显示装置。
参照图15，可以在覆盖结构220上层叠填充层240和包封基底250。也可以将载体基底50从基底100分离。例如，当基底100是塑料基底时，可以通过激光剥离工艺或通过施加机械张力来将载体基底50从基底100分离。
图16和图17是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
例如，图16和图17示出了制造图4中示出的透明显示装置的方法。将省略已经参照图9至图15描述的工艺和/或元件的详细描述。
参照图16和图17，可以在第二电极210上形成覆盖结构220。
如图16中所示，可以通过使用包括开口325的掩模320来在像素区域10和第一区域21中形成第一覆盖层222。具体地，在设置掩模320使得开口325与第一像素区域10a和第一区域21对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第一覆盖层222。掩模320可以是例如精细金属掩模(FMM)。
然后，如图17中所示，通过移动掩模320，可以在像素区域10和第二区域22中形成第二覆盖层224。具体地，在移动掩模320使得开口325与第二像素区域10b和第二区域22对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第二覆盖层224。例如，第二覆盖层224可以由与第一覆盖层222的材料基本相同的材料形成。图17示出了掩模320沿着第一方向移动，但是发明不需局限于此。例如，掩模320可以沿着与第一方向基本上相反的方向移动。
可以用同一掩模320来形成第一覆盖层222和第二覆盖层224，使得第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的尺寸面积。以这种方式，可以形成包括第一覆盖层222和第二覆盖层224的覆盖结构220。
在示例实施例中，开口325的宽度可以基本上比像素区域10的宽度和透射区域20的宽度的一半之和大。因此，第一覆盖层222和第二覆盖层244可以在整个像素区域10上彼此叠置。此外，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以在透射区域20的至少一部分中叠置。换句话讲，透射区域20还可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224彼此叠置的第三区域23。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，可以在第三区域23中具有第一厚度，并且可以在第三区域23外部的其余的透射区域20中具有比第一厚度小的第二厚度。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本上相同的厚度。因此，覆盖结构220可以在透射区域20的除第三区域23之外的部分中具有第二厚度，并且可以在像素区域10和第三区域23中具有第一厚度，第一厚度为第二厚度的大约两倍。这里，当第三区域23具有第一厚度时，会降低第三区域23中的透光率。然而，可以使透射区域20中的第三区域23的面积最小化，从而可以防止或最小化透射区域20中的透光率的降低。
图18和图19是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
例如，图18和图19示出了制造图5中示出的透明显示装置的方法。将省略已经参照图9至图15以及图16和图17描述的工艺和/或元件的详细描述。
参照图18和图19，可以在第二电极210上形成覆盖结构220。
如图18中所示，可以通过使用包括开口335的掩模330来在像素区域10和第一区域21中形成第一覆盖层222。具体地，在设置掩模330使得开口335与第一像素区域10a和第一区域21对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第一覆盖层222。掩模330可以是例如精细金属掩模(FMM)。
然后，如图19中所示，可以通过移动掩模330来在像素区域10和第二区域22中形成第二覆盖层224。具体地，在移动掩模330使得开口335与第二像素区域10b和第二区域22对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第二覆盖层224。例如，第二覆盖层224可以由与第一覆盖层222的材料基本相同的材料形成。图19示出了掩模330沿着第一方向移动，但是发明不需局限于此。例如，掩模330可以替换地沿着与第一方向基本相反的方向移动。
可以用同一掩模330来形成第一覆盖层222和第二覆盖层224，使得第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的尺寸面积。以这种方式，可以形成包括第一覆盖层222和第二覆盖层224的覆盖结构220。
在示例实施例中，开口335的宽度可以基本上大于像素区域10的宽度，并且可以基本上比像素区域10的宽度和透射区域20的一半宽度之和小。因此，第一覆盖层222和第二覆盖层244可以横跨整个像素区域10叠置。另外，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以不形成在透射区域20的至少一部分中或者不存在于透射区域20的至少一部分中。换句话讲，透射区域20还可以包括位于第一区域21与第二区域22之间的第三区域23，其中，第一覆盖层222和第二覆盖层224均不存在于第三区域23中。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在第一区域21和第二区域22中具有小于第一厚度的第二厚度。另外，可以形成由第一覆盖层222的侧壁、第二覆盖层224的侧壁和第二电极210的暴露的顶表面限定的开口。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。因此，覆盖结构220可以在第一区域21和第二区域22中具有第二厚度，并且可以在像素区域10中具有第一厚度，第一厚度为第二厚度的大约两倍。这里，第三区域23中的透光率会在第三区域23中形成开口时降低。然而，可以使透射区域20中的第三区域23的面积最小化，从而可以防止或最小化透射区域20中的透光率的降低。
图20是示出根据一些示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
具体地，图20示出了制造图6中示出的透明显示装置的方法。将省略已经参照图9至图15描述的工艺和/或元件的详细描述。
参照图20，可以在第二电极210中形成与透射区域20的至少一部分叠置的开口部215。如图12中所示，从透射区域20中去除第二电极210的一部分以形成开口部215。因为第二电极210中形成开口部215，所以可以改善透射区域20中的透光率。
在一些示例实施例中，开口部215可以基本覆盖整个透射区域20。在这种情况下，随着开口部215的面积增加，可以进一步改善透射区域20中的透光率。
图21是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。图22是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的平面图。
例如，图21和图22示出了如图3中所描述的透明显示装置。然而，本发明可以不限于此，图21和图22可以应用于其它透明显示装置，诸如图4至图8中示出的装置。
参照图21和图22，透明显示装置可以包括多个单位像素PX。单位像素PX可以沿着示出为彼此基本垂直的第一方向和第二方向布置。例如，在透明显示装置中，N个像素行可以沿着第一方向布置，M个像素列可以沿着第二方向布置。这里，N和M中的每个可以是正整数。每个单位像素PX可以包括像素区域10和透射区域20。
覆盖结构220可以覆盖像素区域10和透射区域20。覆盖结构220可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224。在示例实施例中，第一覆盖层222可以覆盖第k像素行的像素区域10以及与第k像素行的像素区域10相邻的透射区域20。第二覆盖层224可以覆盖第(k+1)像素行的像素区域10和第k像素行的透射区域20的一部分。这里，k可以是1到N-1之间的正整数。
在一些示例实施例中，如图21中所示，覆盖结构220可以公共地设置在沿着第二方向布置的多个单位像素PX上。在这种情况下，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以具有条纹形状。
在一些示例实施例中，如图22中所示，覆盖结构220可以单独地设置在每个沿着第二方向布置的单位像素PX上。在这种情况下，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以具有岛形状。
图23是示出图1中的透明显示装置的区域II的平面图。图24是示出根据示例实施例的透明显示装置的剖视图。例如，图24是沿图23中的线IV-IV'截取的剖视图。
除了第一覆盖层222和第二覆盖层224的构造之外，图24中示出的透明显示装置可以具有与图3至图5中示出的透明显示装置基本相同或相似的元件和/或构造。因此，省略重复的元件和/或构造的详细描述，并且同样的附图标记用于指示同样的元件。
参照图1、图23和图24，透明显示装置可以包括像素区域10和透射区域20。图24示出包括在第一单位像素PXa中的第一像素区域10a和第一透射区域20a、包括在第二单位像素PXb中的第二像素区域10b和第二透射区域20b以及包括在第三单位像素PXc中的第三像素区域10c。然而，因为第一单位像素PXa、第二单位像素PXb和第三单位像素PXc基本相同，所以除非另有说明，否则第一像素区域10a、第二像素区域10b和第三像素区域10c将被称为像素区域10，并且第一透射区域20a和第二透射区域20b将被称为透射区域20。
覆盖结构220可以设置在第二电极210上。在示例实施例中，覆盖结构220可以基本上覆盖第二电极210的顶表面，并且可以横跨像素区域10和透射区域20两者公共地设置。
覆盖结构220可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224。第一覆盖层222可以设置在第一像素区域10a、第一透射区域20a和第二像素区域10b中的第二电极210上。在示例实施例中，第一覆盖层222可以覆盖第二电极210的顶表面，并且可以横跨第一像素区域10a、第一透射区域20a和第二像素区域10b中的每个公共地设置。例如，第一透射区域20a可以设置在第一像素区域10a与第二像素区域10b之间。
第二覆盖层224可以设置在第一像素区域10a、第二像素区域10b和第二透射区域20b中的第二电极210上。在示例实施例中，第二覆盖层224可以覆盖第二电极210的顶表面，并且可以横跨第一像素区域10a、第二像素区域10b和第二透射区域20b中的每个公共地设置。例如，第二透射区域20b可以设置在第二像素区域10b与第三像素区域10c之间。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在透射区域20中具有小于第一厚度的第二厚度。例如，第一厚度可以与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和基本相等，第二厚度可以仅与第一覆盖层222的厚度或第二覆盖层224的厚度基本相等。
在示例实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。在这种情况下，覆盖结构220可以在第一透射区域20a和第二透射区域20b中始终具有基本均匀的厚度。
第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以包括具有改善的透射性质的有机材料。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以包括与空穴传输材料基本相同或相似的材料。因此，像素区域10中的发光性质不会受到用作阴极的第二电极210干扰。
在示例实施例中，可以考虑改善或最大化像素区域10中的发光效率以及改善或最大化透射区域20中的透光率来确定第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度。
如上所述，当覆盖结构220在像素区域10中具有与第一覆盖层222的厚度和第二覆盖层224的厚度之和基本相等的第一厚度，并且在透射区域20中具有与第一覆盖层222的厚度或第二覆盖层224的厚度基本相等的第二厚度时，可以改善像素区域10中的发光效率以及透射区域20中的透光率。
图25至图31是示出根据示例实施例的制造透明显示装置的方法的剖视图。
作为示例，图25至图31示出了制造图24中示出的透明显示装置的方法。将省略先前参照图9至图15、图16和图17以及图18和图19描述的工艺和/或元件的详细描述。
参照图25至图28，可以执行与参照图9至图12说明的工艺基本相同或相似的工艺。因此，可以在载体基底50上形成基底100和缓冲层110，并且可以形成包括有源图案120、栅极绝缘层130、栅电极135、绝缘中间层140、源电极150、漏电极155的晶体管以及覆盖晶体管的通路绝缘层160。可以形成第一电极170和像素限定层180，并且可以形成显示层200和第二电极210。
参照图29和图30，可以在第二电极210上形成覆盖结构220。覆盖结构220可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224。
可以在第一像素区域10a、第一透射区域20a和第二像素区域10b中的第二电极210上形成第一覆盖层222。可以在第一像素区域10a、第二像素区域10b和第二透射区域20b中的第二电极210上形成第二覆盖层224。第一透射区域20a可以设置在第一像素区域10a与第二像素区域10b之间，第二透射区域20b可以设置在第二像素区域10b与第三像素区域10c之间。
如图29中所示，可以通过使用包括开口345的掩模340在第一像素区域10a、第一透射区域20a和第二像素区域10b中形成第一覆盖层222。具体地，在设置掩模340使得开口345与第一像素区域10a、第一透射区域20a和第二像素区域10b对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线来形成第一覆盖层222。作为一个示例，掩模340可以是精细金属掩模(FMM)。
然后，如图30中所示，可以通过移动掩模340在第二像素区域10b、第二透射区域20b和第三像素区域10c中形成第二覆盖层224。具体地，在移动掩模340使得开口345与第二像素区域10b、第二透射区域20b和第三像素区域10c对应之后，可以使用有机材料的空穴传输材料线形成第二覆盖层224。例如，可以由与第一覆盖层222的材料基本相同的材料形成第二覆盖层224。图30示出了掩模340沿着第一方向移动，但是发明不限于此。例如，掩模340可以沿着与第一方向基本相反的方向移动。
可以用同一掩模330来形成第一覆盖层222和第二覆盖层224，使得第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的面积尺寸。以这种方式，可以形成包括第一覆盖层222和第二覆盖层224的覆盖结构220。
在示例实施例中，开口345的宽度可以与第一像素区域10a的宽度、第一透射区域20a的宽度和第二像素区域10b的宽度之和基本相等。换句话讲，开口345的宽度可以与像素区域10的宽度的两倍和透射区域20的宽度之和基本相同。因此，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以横跨整个像素区域10叠置。另外，可以在透射区域20中形成第一覆盖层222或第二覆盖层224。例如，可以在第一透射区域20a中仅形成第一覆盖层222，可以在第二透射区域20b中仅形成第二覆盖层224。
在示例实施例中，覆盖结构220可以在第一像素区域10a、第二像素区域10b和第三像素区域10c中具有第一厚度，并且可以在第一透射区域20a和第二透射区域20b中具有小于第一厚度的第二厚度。换句话讲，覆盖结构220可以在像素区域10中具有第一厚度，并且可以在透射区域20中具有第二厚度。在一些实施例中，第一覆盖层222和第二覆盖层224可以具有基本相同的厚度。因此，覆盖结构220可以在透射区域20中具有第二厚度，并且可以在像素区域10中具有第一厚度，第一厚度是第二厚度的大约两倍。
如上所述，可以通过移动一个掩模340来形成在像素区域10和透射区域20中具有不同厚度的覆盖结构220，从而可以减少覆盖结构220的制造时间和成本，并且可以制造出具有改善的发光效率和透光率的透明显示装置。另外，可以形成在透射区域20中具有均匀厚度的覆盖结构220。
参照图31，可以执行与参照图15说明的工艺基本相同或相似的工艺。更具体地，可以在覆盖结构220上形成填充层240和包封基底250，可以从基底100分离载体基底50。
图32是示出根据示例实施例的透明显示装置的平面图。图33是示出根据一些示例实施例的透明显示装置的平面图。图32和图33可以示出其中的图24中示出的透明显示装置。
除了第一覆盖层222和第二覆盖层224的构造之外，图32和图33中示出的透明显示装置可以具有与图21和图22中示出的透明显示装置基本相同或相似的元件和/或构造。因此，省略重复的元件和/或构造的详细描述，同样的附图标记用于指示同样的元件。
参照图32和图33，覆盖结构220可以覆盖像素区域10和透射区域20。覆盖结构220可以包括第一覆盖层222和第二覆盖层224。在示例实施例中，第一覆盖层222可以覆盖第(2k-1)像素行的像素区域10、第(2k-1)像素行的透射区域20和第(2k)像素行的像素区域10。第二覆盖层224可以覆盖第(2k)像素行的像素区域10、第(2k)像素行的透射区域20和第(2k+1)像素行的像素区域10。这里，k可以是1到(N-1)/2之间的正整数。
在一些示例实施例中，如图32中所示，覆盖结构220可以公共地设置在沿第二方向布置的单位像素PX上。在这种情况下，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以具有条纹形状。
在一些示例实施例中，如图33中所示，可以对沿着第二方向布置的每个单位像素PX单独设置覆盖结构220。在这种情况下，第一覆盖层222和第二覆盖层224中的每个可以具有岛形状。
根据示例实施例的透明显示装置可以应用于诸如计算机、笔记本电脑、蜂窝电话、智能电话、智能平板、个人媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)或MP3播放器等的各种电子装置，以及诸如用于汽车的导航系统或平视显示器(head-up display)等的具有改善的透光率的显示装置。
尽管已经描述了若干示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，可以在示例实施例中作出许多修改。因此，上述和其它实施例的各种特征可以以任何方式混合和匹配，以产生与发明一致的另外的实施例。

Claims (26)

1.一种制造透明显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
提供包括像素区域和透射区域的基底；
在所述基底上在所述像素区域中形成第一电极；
在所述第一电极上形成显示层；
在所述显示层上形成第二电极以面对所述第一电极；以及
在所述第二电极上形成覆盖结构，所述覆盖结构包括第一覆盖层和第二覆盖层，
其中，所述形成覆盖结构的步骤进一步包括：通过使用具有开口的掩模在所述第二电极上在所述透射区域的第一区域和所述像素区域中形成所述第一覆盖层；移动所述掩模；通过使用移动后的所述掩模在所述第二电极上在所述透射区域的第二区域和所述像素区域中形成所述第二覆盖层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的宽度与所述像素区域的宽度和所述透射区域的宽度的一半之和基本相等。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述透射区域中，所述第一区域的一个端部与所述第二区域的一个端部相邻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述覆盖结构在所述像素区域中具有第一厚度，并且在所述透射区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的宽度比所述像素区域的宽度与所述透射区域的宽度的一半之和大，并且比所述像素区域的宽度与所述透射区域的宽度之和小。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述透射区域还包括所述第一区域与所述第二区域重叠所处的第三区域。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述覆盖结构在所述像素区域和所述透射区域的所述第三区域中具有第一厚度，并且在所述透射区域的剩余区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述剩余区域在所述第三区域之外。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的宽度比所述像素区域的宽度大，并且比所述像素区域的宽度与所述透射区域的宽度的一半之和小。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述透射区域还包括位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述覆盖结构在所述像素区域中具有第一厚度，并且在所述第一区域和所述第二区域中具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述第二电极中形成开口部，所述开口部与所述透射区域的至少一部分叠置。
12.一种制造透明显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
提供包括第一像素区域、第一透射区域、第二像素区域和第二透射区域的基底；
在所述基底上在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每个像素区域中形成第一电极；
在所述第一电极上形成显示层；
在所述显示层上形成第二电极以面对所述第一电极；以及
在所述第二电极上形成覆盖结构，所述覆盖结构包括第一覆盖层和第二覆盖层，
其中，所述形成覆盖结构的步骤进一步包括：通过使用具有开口的掩模在所述第二电极上在所述第一像素区域、所述第一透射区域和所述第二像素区域中形成所述第一覆盖层；移动所述掩模；通过使用移动后的所述掩模在所述第二电极上在所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第二透射区域中形成所述第二覆盖层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述开口的宽度与所述第一像素区域的宽度、所述第一透射区域的宽度和所述第二像素区域的宽度之和基本相等。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述覆盖结构在所述第一像素区域和所述第二像素区域中具有第一厚度，并且在所述第一透射区域和所述第二透射区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
15.一种透明显示装置，所述透明显示装置包括：
基底，包括沿着第一方向布置的像素区域和透射区域；
第一电极，在所述基底上设置在所述像素区域中；
显示层，设置在所述第一电极上；
第二电极，面对所述第一电极并设置在所述显示层上；以及
覆盖结构，设置在所述第二电极上，
其中，所述覆盖结构包括：第一覆盖层，在所述第二电极上设置在所述透射区域的第一区域和所述像素区域中；第二覆盖层，在所述第二电极上设置在所述透射区域的第二区域和所述像素区域中。
16.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，在所述透射区域中，所述第一区域的一个端部与所述第二区域的一个端部相邻；
其中，所述覆盖结构在所述像素区域中具有第一厚度，并且在所述透射区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
17.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，所述透射区域还包括所述第一区域与所述第二区域重叠所处的第三区域；
其中，所述覆盖结构在所述像素区域和所述透射区域的所述第三区域中具有第一厚度，并且在所述透射区域的剩余区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述剩余区域在所述第三区域之外。
18.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，所述透射区域还包括位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；
其中，所述覆盖结构在所述像素区域中具有第一厚度，并且在所述第一区域和所述第二区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
19.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，所述第一覆盖层的厚度与所述第二覆盖层的厚度基本相等。
20.根据权利要求15所述的透明显示装置，所述透明显示装置还包括多个单位像素，每个单位像素包括一个像素区域和一个透射区域，所述多个单位像素沿垂直于所述第一方向的第二方向布置，
其中，所述覆盖结构设置在所述多个单位像素中的至少一个单位像素中。
21.根据权利要求20所述的透明显示装置，其中，所述覆盖结构横跨所述多个单位像素中的多于一个的单位像素延伸。
22.根据权利要求20所述的透明显示装置，所述透明显示装置还包括多个所述覆盖结构，这些覆盖结构分别设置在所述多个单位像素中的相应单位像素中。
23.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，所述像素区域包括沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。
24.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中，所述第二电极包括与所述透射区域的至少一部分叠置的开口部。
25.一种透明显示装置，所述透明显示装置包括：
基底，包括第一像素区域、第一透射区域、第二像素区域和第二透射区域；
第一电极，在所述基底上设置在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每个像素区域中；
显示层，设置在所述第一电极上；
第二电极，面对所述第一电极并设置在所述显示层上；以及
覆盖结构，设置在所述第二电极上，
其中，所述覆盖结构包括：第一覆盖层，在所述第二电极上设置在所述第一像素区域、所述第一透射区域和所述第二像素区域中；第二覆盖层，在所述第二电极上设置在所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第二透射区域中。
26.根据权利要求25所述的透明显示装置，其中，所述覆盖结构在所述第一像素区域和所述第二像素区域中具有第一厚度，并且在所述第一透射区域和所述第二透射区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
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