CN110611037A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法。在所公开的显示装置中，发射侧电极由透射电极结构构成，该透射电极结构具有用于发射部和透射部的不同配置，使得在整个透射电极结构处保持均匀电位，并且透射电极结构使发射部能够以高亮度发光，同时使透射部能够以高透射率进行透明显示。

Description

显示装置及其制造方法

本申请要求2018年6月14日提交的韩国专利申请No.10-2018-0068116的权益，该申请通过引用结合于此，如同在此完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种使得能够同时实现透明显示和顶部发光显示、同时在每个显示中实现高亮度发光和低功率驱动的显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，随着信息时代的到来，可视地呈现电信息信号的显示领域迅速发展。因此，作为现有阴极射线管(CRT)的替代品，已经迅速开发出具有诸如纤薄、轻便和低功耗的优越性能的各种平板显示装置。

这种平板显示装置的代表性示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光显示(OLED)装置、量子点显示装置等。

在这些显示器中，诸如OLED装置或量子点显示装置的自发光显示装置被认为是具有竞争力的应用，因为它们不需要单独的光源，同时实现紧凑和清晰的颜色显示。

近来，对透明显示装置的需求增加，该透明显示装置能够在其前侧和后侧二者实现光的透射并且在不遮挡用户视线的情况下显示图像。

另外，正在进行研究以通过改变发光二极管的布置来同时实现上述自发光显示和透明显示。

然而，用于自发光显示的区域(即，自发光区域)和用于透明显示的区域(即，透明区域)优选分别考虑发光效率的提高和透射率的增强，因此，具有不同的目的。因此，自发光区域和透明区域分别所需的结构彼此不同，因此，可能难以通过共同的形成方法来实现这些结构。

发明内容

因此，本发明涉及一种显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题，并且更具体地涉及如下显示装置及其制造方法：同时实现透明显示和顶部发光显示，同时在每个显示中实现高亮度发射和低功率驱动。

本发明的一个目的是提供一种显示装置，其中发射侧电极由透射电极结构构成，该透射电极结构具有用于发射部和透射部的不同配置，使得在整个透射电极结构处保持均匀电位，并且透射电极结构使发射部能够以高亮度发光，同时使透射部能够以高透射率进行透明显示。

本发明的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究以下内容时将变得明显，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些实施例和其他优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广泛描述的，显示装置包括：基板，其具有多个发射部和多个透射部；有机发光层，其位于所述多个发射部中的每个处；反射电极结构，其位于所述多个发射部中的每个处的所述有机发光层与所述基板之间；以及透射电极结构，其具有第一层和第二层，所述第一层设置在所述有机发光层上以叠加所述多个发射部和所述多个透射部，所述第二层设置在除了所述多个透射部之外的区域中，并且接触所述第一层。

第二层可以仅设置在发射部中的每个处。替选地，第二层可以包括与各个发射部对应的芯部，以及用于连接发射部中相邻的发射部的连接部。

第二层可以包括具有半透明性的金属。第一层可以包括具有透明性或半透明性的金属。

第一层和第二层可以包括共同的Ag。第一层和第二层中的每个还可以包括Mg和Yb中的至少一种。第二层可以具有6nm至15nm的厚度，第一层可以具有4nm至12nm的厚度。

替选地，第一层可以包括具有至少一种选自铟、钛、锌和锡的金属的透明氧化物。第二层可以包括两种或更多种金属，两种或更多种金属中的至少一种可以是Ag，并且两种或更多种金属中的其余金属可以是用于防止Ag聚集同时具有等于或低于Ag的功函数的功函数的金属。在这种情况下，第二层可以设置成相比于第一层更靠近有机发光层。

第一层可以具有30nm至120nm的厚度，第二层可以具有10nm至27nm的厚度。

发射部中的每个可以包括用于发射不同颜色的第一发射像素至第三发射像素。各个发射部的第一发射像素至第三发射像素中的每个可以设置有堤部，所述堤部分别设置在第一发射像素至第三发射像素中的相邻发射像素之间的边界中的对应的一个边界处以及发射部与透射部之间的边界中的对应的一个边界处。

第一有机公共层中的至少一个还可以包括在有机发光层与反射电极结构之间以及有机发光层与透射电极结构之间的显示装置中。第一有机公共层中的至少一个可以延伸至透射部。

透射电极结构的第二层可以设置在发射部处，并且透射电极结构的第一层可以设置在透射部处。

在本发明的另一个方面，一种用于制造显示装置的方法，包括：制备具有多个像素的基板以及设置在像素中的每个处的发射部和透射部；在发射部中的每个处设置反射电极结构；在反射电极结构上形成有机发光层；以及层压包括半透明金属或透明电极材料的第一层和包括半透明金属的第二层，从而形成透射电极结构，第一层在各自包括发射部和透射部的多个像素上方延伸，并且第二层在像素中的每个中的除了透射部之外的区域上方延伸使得第二层接触第一层。

应理解，本发明的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

本发明包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示意性地示出根据本发明第一实施方式的显示装置的原理的截面图；

图2是示意性地示出根据本发明第二实施方式的显示装置的原理的截面图；

图3A和图3B分别是示出根据本发明的第一实施方式或第二实施方式的显示装置中的透射电极结构的示例的平面图；

图4是示意性地示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的原理的截面图；

图5是示出根据本发明第三实施方式的显示装置中的透射电极结构的示例的平面图；

图6是示出根据本发明第三实施方式的显示装置中用于形成第一层的掩模的平面图；

图7A至图7C是示出根据本发明的显示装置中的发射部和透射部的各种平面布置的平面图；

图8是沿图7A至图7C中的线I-I'截取的截面图；

图9A至图9G是示出用于制造根据本发明的第二实施方式的显示装置的方法的截面图；

图10A和图10B是示出在用于形成透射电极结构的第二层的过程中使用的掩模的示例的平面图；以及

图11是示出在图9F的过程中使用的掩模的示例的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施方式。在整个公开中，相同的附图标记表示基本相同的组成元件。此外，在描述本发明时，当判断本发明所属的公知技术的具体描述模糊了本发明的主旨时，将省略详细描述。另外，为了易于理解本发明，选择在以下描述中使用的构成元件的名称，并且该名称可以与实际产品的名称不同。

附图中示出的用于说明本发明的实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅用于说明而不限于附图中所示的内容。只要有可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。在以下描述中，可以省略与本发明相关的技术或配置的详细描述，以免不必要地模糊本发明的主题。当在整个说明书中使用诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语时，可以存在另外的部件，除非使用“仅”。除非另外特别说明，否则以单数形式描述的部件包括复数形式的部件。

应该解释的是，尽管没有其他特定描述，但包括在本发明的实施方式中的部件包括误差范围。

在描述本发明的各种实施方式时，当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的位置关系的术语时，在两个元件之间可以存在至少一个中间元件，除非使用“紧接”或“直接”。

在描述本发明的各种实施方式时，当使用诸如“之后”、“随后”、“下一个”和“之前”的时间关系的术语时，可以存在不连续的情况，除非使用“紧接”或“直接”。

在描述本发明的各种实施方式时，诸如“第一”和“第二”的术语可用于描述各种部件，但是这些术语仅旨在将相同或相似的部件彼此区分开。因此，在整个说明书中，除非另外特别提及，否则“第一”部件可以与本发明的技术构思内的“第二”部件相同。

根据本发明的各种实施方式的各个特征可以部分或全部地接合或组合，并且技术上可变地相关或操作，并且实施方式可以独立地或组合地实现。

图1和图2分别是示意性地示出了根据本发明第一实施方式和第二实施方式的显示装置的原理的截面图。

如图1和图2所示，根据本发明的每个显示装置包括：基板100，其具有多个像素；发射部E和透射部T，其设置在像素中的每个处；有机发光层131、132和133，其可以设置在发射部E处；反射电极结构110，其设置在有机发光层131、132和133中的每个与基板100之间；以及透射电极结构1400，其包括设置在有机发光层131、132和133上方以在基板100上叠加多个像素的第一层140和设置在除了透射部T之外的区域中同时接触第一层140的第二层145。为了高透明性，如图1和图2所示，有机发光层131、132和133可以仅设置在发射部E处。

本发明的第一实施方式和第二实施方式之间的区别在于第一层140和第二层145的哪一层设置在上侧。在本发明的第一实施方式中，如图1所示，第一层140设置在下侧靠近有机发光层131、132和133，并且第二层145设置在上侧。另一方面，在本发明的第二实施方式中，如图2所示，第二层145设置在下侧靠近有机发光层131、132和133，并且第一层140设置在上侧。在第一实施方式和第二实施方式中共同的是，第一层140形成为具有集成结构而没有在其中基板100的发射部E和透射部T被限定的有源区AA中被图案化，并且第二层145通过图案化被设置成对应于至少发射部E。

作为参考，在显示装置中，有源区AA是在基板100内设置有多个像素以实现显示的区域。在有源区AA的外侧，焊盘部设置在基板100上。在焊盘部处设置有多条连接线等。基板100在有源区AA外部的区域可以由边框或壳体遮挡。

共同地，在本发明的第一实施方式和第二实施方式中，透射电极结构1400中的第一层140和第二层145彼此接触。当透射电极结构1400中的第一层140和第二层145彼此接触时，透射电极结构1400可以用作在基板100的所有像素中具有均匀电位的阴极，并且因此，有机发光元件OLED的单侧发射电极具有相同的电位。

在本发明的显示装置中，有机发光元件OLED形成在发射部E处。每个有机发光元件OLED通过层压反射电极结构110、有机发光层131、132和133以及透射电极结构1400形成。反射电极结构110和有机发光层131、132和133被图案化，并且因此，分别发射不同颜色的有机发光层131、132和133彼此分开。因此，垂直发射不同颜色的光的有机发光元件OLED分别形成在有机发光层131、132和133的区域中。有机发光元件OLED连接至不同的薄膜晶体管(未示出)，以接收不同的驱动电流，并且因此可以以独立的方式操作。

反射电极结构110包括构成反射电极的至少一个层。反射电极结构110还可以包括设置在反射电极的上表面、反射电极的下表面或反射电极的上表面或下表面处的透明电极层。每个有机发光元件OLED的反射电极结构110电连接至与有机发光元件OLED连接的薄膜晶体管(TFT)，并且因此从TFT接收电信号。因此，每个像素中的有机发光元件OLED的操作被控制。反射电极结构110用作一种阳极。

尽管图1和图2示意性地示出了每个有机发光层131、132或133作为单层设置在每个有机发光元件OLED中的反射电极结构110和透射电极结构1400之间，但本发明不限于此。与电子传输相关联的传输层或缓冲层可以设置在每个有机发光层131、132或133与反射电极结构110之间或每个有机发光层131、132或133与透射电极结构1400之间。传输层的示例可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。传输层或缓冲层是有机层，并且可以在不使用掩模的情况下被沉积，并且因此，不仅可以形成在发射部E上，而且可以形成在透射部T上。传输层或缓冲层是透明层。

同时，在本发明的显示装置中，第二层145由具有半透明性的金属制成。第一层140由具有透明性或半透明性的金属制成。当第一层140由具有半透明性的金属制成时，第二层145可以使用与第一层140相同的材料形成。当然，本发明不限于上述条件，第二层145可以由与第一层140的材料不同同时具有半透明性的材料制成。在任一情况下，设置在发射部E处的第二层145应当根据在发射部E中彼此面对的反射电极结构110和透射电极结构1400之间发生的反射干涉来增强提取通过透射电极结构1400发射的光的效果，并且第一层140对透射部T处的光透射应该没有影响。为此，第一层140和第二层145的厚度和材料受到限制。

同时，在本发明的显示装置中将第一层140和第二层145统称为透射电极结构的原因是因为第一层140和第二层145被设置成靠近光穿过其被发射的侧，并且基本上发射从发光层131、132和133出射的光。

发射部E处的有机发光层131、132和133沿向上方向和向下方向二者发光。向上指向的光可以通过由层压的第一层140和第二层145构成的透射电极结构1400直接发射，而向下指向的光可以在被反射电极结构110反射之后通过透射电极结构1400发射。

在这种情况下，当第一层140或第二层145或第一层140和第二层145中的至少一个(例如，第二层145)具有半透明性时，透射电极结构1400可以根据在发射部E处的反射电极结构110和透射电极结构1400之间发生的选择性法布里-珀罗(Fabry-Perot)反射干涉呈现出增强的光提取效率。

通常，在透明显示装置中，具有均匀厚度的发射侧电极由多个像素共享，并且因此甚至设置在透射部处。在这种情况下，如果发射侧电极较厚，则可能存在透射部的透明度降低的问题。当发射侧电极具有减小的厚度以增加透射部的透明度时，可能存在由于发射侧电极的电阻增加而出现亮度不均匀的问题。此外，尽管透射部的透明度可以增加，但是发射部具有减小的腔，因此，通过发射部朝向发射侧发射的光的提取量减少。结果，可能存在整个显示装置呈现出降低的效率的问题。

本发明的显示装置消除了上述问题。从发射部E处的有机发光层131、132和133发射的光在反射电极结构110和由层压的第一层140和第二层145构成的透射电极结构1400之间受到干涉，并且因此，可以被高效率地提取。

在这种情况下，根据反射电极结构110和透射电极结构1400之间的光的干涉和谐振而呈现的光提取效率可以根据反射电极结构110的实际反射电极层与接触透射电极结构1400的半透明金属之间的距离以及有机发光层131、132和133的位置而变化。

在本发明的显示装置中，透射电极结构1400具有至少双重结构，使得第一层140和第二层145沉积在发射部E处，以实现光提取效率的增强，而第一层140可以存在于透射部T处同时具有小的厚度，并且因此，在透射部T处没有被透射电极结构1400的第一层140遮挡的光，从而实现了透光率的增强。在一些情况下，仅第一层140可以存在于透射部T处同时具有小的厚度，并且因此，在透射部T处没有被透射电极结构1400的第一层140遮挡的光，从而实现了透光率的增强。还可以在透射电极结构1400中不存在开放的电极区域的情况下确保透射电极结构1400中均匀电位，从而避免亮度的不均匀性。

在下文中，将描述第一层140和第二层145由相同的半透明材料制成的情况和不是由相同的半透明材料制成的情况。

(1)第一层140和第二层145由半透明金属制成的情况：

根据作为光提取侧的透射电极结构1440中的第一层140和第二层145的材料，可以使每个有机发光元件中的谐振距离变化。例如，在图1的情况下或图2的情况下，当第一层140和第二层145由相同或相似的半透明金属制成时，由于反射电极结构110的上表面和透射电极结构1400的最低表面(图1中的第一层140的下表面或图2中的第二层145的下表面)之间的干涉而发生谐振。在这种情况下，形成第一层140和第二层145中的每个的半透明金属可以包括具有高导电率的第一金属和防止第一金属聚集的第二金属的合金。当第一金属是Ag时，第二金属可以是Yb或Mg。尽管提出Ag、Yb和Mg作为第一金属和第二金属的示例，但是也可以使用其他金属，只要这些金属在其与有机发光元件的有机发光层或有机发光元件的有机共用层接触的界面处不会引起很大的电子注入势垒，同时在整个透射电极结构1400中保持半透明性和均匀电位即可。例如，考虑到均匀电位，当第一层140和第二层145由作为反射透明金属(合金)的AgMg制成时，第一层140和第二层145中的每个可以具有减小到约5nm的厚度。然而，第一层140和第二层145的厚度应该考虑R、G和B颜色的所有纯度、平衡和效率来确定。

当第一层140和第二层145分别由例如Ag和Mg、Ag和Yb、或Ag、Mg和Yb的合金制成时，由第一层140和第二层145的层压构成的透射电极结构1400的总厚度应该是10nm或更大而不超过27nm，以保持半透明度(反射透明度)。在这种情况下，优选的是，在发射部E和透射部T处共同形成的第一层140具有4nm至12nm的厚度，以避免透射部T处的透明度降低。在发射部E处形成的第二层145具有6nm至15nm的厚度，以通过发射部E处的反射电极结构110和透射电极结构1400之间的最佳腔获得足够的发射效率。还优选的是，仅在发射部E处形成的第二层145具有6nm至15nm的厚度，以通过发射部E处的反射电极结构110和透射电极结构1400之间的最佳腔获得足够的发射效率。当第一层140的厚度小于4nm时，即使透射部A的光透射率增强，也可能无法确保可加工性，因为第一层140过薄。结果，在整个有源区AA上方形成的第一层140可能是不均匀的，因此，在整个透射电极结构1400处可能不能保持均匀的电位。另一方面，当由半透明金属制成的第一层140的厚度超过12nm时，在透射部T处遮挡的光的量很大，因此，透明显示装置可能无法确保所需的完美透明度。

同时，第二层145与第一层140一起层压在发射部E处，以用作阴极。因此，当透射电极结构1400的总厚度(第一层140和第二层145的厚度之和)为10nm至27nm时，可以获得与所有红色、绿色和蓝色相关的最佳腔。例如，当通过层压反射透明电极的第一层140和第二层145构成的透射电极结构1400的总厚度小于10nm时，向上发射的光的发射效率可能降低。特别地，与其他波长的光相比，诸如红色的长波长光的发射效率可能降低，因此，颜色平衡可能降低。另外，当总厚度超过27nm时，向上发射的光的发射效率可能降低。在这种情况下，与其他波长的光相比，诸如蓝色的短波长光的发射效率可能降低，并且因此，颜色平衡可能降低。也就是说，作为通过在发射部E处层压第一层140和第二层145而构成的透射电极结构1400的总厚度的10nm至27nm的范围是考虑到从发射部E发射的光的白平衡而确定的。

第一层140和第二层145可以由相同的反射透明金属或不同的反射透明合金制成。例如，当第一层140和第二层145中的每个由第一金属和第二金属的合金制成时，第一层140和第二层145可以使用相同的第一金属(例如，Ag)，同时使用分别要由不同的合金构成的不同的第二金属。这里，当第一层140和第二层145由包括共同的Ag作为其第一金属的合金制成时，第二金属具有比第一金属小的原子比。因此，第一层140和第二层145可以在其整个区域中确保均匀的高导电率，并且因此，透射电极结构1400可以在其整个区域中确保均匀的电位。另外，当第一层140和第二层145二者由半透明合金制成时，优选地，在发射部E和透射部T二者处形成的第一层140具有比第二层145小的厚度。在这种情况下，透射电极结构1400可以整体上保持均匀电位，并且可以增强透射部T处的透射率。

在下文中，将参考下面的表1和表2描述第一层140和第二层145层压在透射电极结构中的发射部处以增加反射金属(合金)的厚度的原因。

表1的实验例表示当透射电极结构1400由AgMg制成同时厚度为 时并且在设置在发光层下面的空穴传输层的厚度变化的条件下确定的蓝色发射区B_E中的效率和色坐标。表2的实验例表示当透射电极结构1400与表1在由AgMg制成方面相同除了厚度为时并且在设置在发光层下面的空穴传输层的厚度变化的条件下确定的蓝色发射区B_E中的效率和色坐标。

当将表示CIEy值为0.072的实验例4和9相互比较时，考虑到发射的蓝光的纯度，可以发现，尽管实验例4和9呈现相同的色坐标值CIEy，但是具有小AgMg厚度的实验例9呈现出效率降低28％或更多。也就是说，考虑到根据色纯度的色坐标值和发射部的效率，由反射透明金属(合金)制成的透射电极结构1400的总厚度需要为约10nm至27nm因此，在根据本发明第一实施方式和第二实施方式中的每个的显示装置中，当第一层140和第二层145由相同或相似的反射透明金属(合金)制成时，第一层140和第二层145的总厚度需要为大约10nm至27nm

表1

表2

(2)第一层140由透明电极材料制成，第二层145由半透明金属制成的情况：

当第一层140和第二层145由不同材料制成时，形成在整个有源区AA上方的第一层140可以使用透明电极材料形成，该透明电极材料包括含有选自铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)和锡(Sn)的至少一种金属。例如，当第一层140由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明电极材料制成时，与第一层140由具有透光性的Ag合金制成的情况相比，透射部T呈现出高透射率，因此，与第一层140由Ag合金制成的情况相比，可以增加第一层140的厚度。另一方面，当第一层140由透光的透明电极材料制成时，优选第一层140具有30nm至120nm的厚度。也就是说，当共同设置在发射部E和透射部T处的第一层140由与金属相比具有低导电性的透明金属氧化物制成时，第一层140形成为具有30nm或更大的足够的厚度，并且因此具有大面积的透射电极结构1400可以在不形成电阻增加区域的情况下确保均匀的电位。另外，第一层140的厚度确定为120nm或更小，以避免光被吸收到透明电极材料中。在这种情况下，可以选择具有高导电率的金属作为第二层145的第一金属(具有大的原子比)，并且可以选择第一金属和包含能够防止第一金属聚集的Mg或Yb的第二金属的合金作为第二层145的第二金属。在这种情况下，第二金属可以包括一种或更多种金属。

即使当第一层140由透光的透明电极材料制成，并且第二层145由半透明的电极材料制成时，如上所述，也可以获得与上述情况(1)在透射部T的透射率、发射部E的高效特性和透射电极结构1400的电位均匀性方面相同的效果，而不管第一层140是设置在上侧还是在下侧，只要第一层140和第二层145彼此接触即可。

同时，在这种情况下(第一层140由透光的透明电极材料制成，第二层145由半透明的金属合金制成的情况)，优选的是具有反射透明度的第二层145设置在比第一层140低的侧，以允许从有机发光元件OLED发射的光在由半透明金属合金制成的第二层145的下表面与反射电极结构110的上表面之间反射和谐振，并且最终以高的光提取效率通过透射电极结构1400被发射。这是因为具有半透明性的第二层145与反射电极结构110一起以比透明的第一层140的效率更高的效率产生微谐振。在这种情况下，具有反射透明度的第二层145可以接触有机发光元件OLED的有机发光层或有机发光元件OLED的有机公共层，并且第一层140可以接触盖层160(图8)。

另外，选择性地形成在发射部E处的第二层145对从设置在发射部E处的有机发光元件OLED中的每个发射的光的量具有直接影响，并且因此，考虑到光提取，第二层145的厚度确定为10nm至27nm。在这种情况下，透明的并且设置在第二层145上方的第一层140允许从第二层145露出的光没有任何干扰地发射。在这方面，期望第二层145的厚度为30nm至120nm。在这种情况下，第二层145可以由Ag和Mg的合金、Ag和Yb的合金、或Ag、Mg和Yb的合金制成。

在下文中，将参照下面的表3和表4描述当透射电极结构中的第一层140由透明电极材料制成并且第二层145由反射透明电极材料制成时选择上述厚度范围的原因。

表3的实验例是比较例，并且表示当透射电极结构(即阴极)由铟锌氧化物(IZO)制成同时厚度为时并且设置在发光层下面的空穴传输层的厚度是变化的条件下确定的蓝色发射区B_E中的效率和色坐标。表4的实验例是应用本发明的第一实施方式和第二实施方式中的每个中的情况(2)的示例，并且表示当透射电极结构1400中的第二层145由AgMg制成同时具有的厚度并且透射电极结构1400中的第一层140由IZO制成同时具有的厚度时并且在设置在发光层下方的空穴传输层的厚度是变化的条件下确定的蓝色发射区B_E中的效率和色坐标。

表3

表4

参考表3的结果，可以看出，当显示装置中的阴极由IZO制成时，色坐标CIEy的值大于CIEy值0.072。这意味着，当实施蓝光的发射时，难以发射纯蓝色，并且蓝色变为具有更长波长的颜色，并且因此，显示改变的颜色。也就是说，这意味着，当单独使用IZO作为阴极以确保透明显示装置的透明度时，可能难以实现纯色的显示，并且显示装置中的表达颜色的色域减少。此外，可以预期，当仅使用单个IZO层形成阴极时，通过将相同的掺杂剂施加至相关的发光区，可能难以实现均匀色纯度的颜色表达，甚至尽管调整了空穴传输层的厚度亦如此。为了消除这种问题，在本发明的显示装置中，AgMg用于具有反射透明度的第二层145，IZO用于作为透明电极的第一层140，并且由AgMg制成的反射透明的第二层145设置在至少发射部处，并且因此，可以如在实验例24中那样导出对应于表示纯蓝色的0.072的值的CIEy值。

另外，当将表4的实验例24与表1的实验例4进行比较时，可以看出，没有或几乎没有表现出效率降低，即实验例24和实验例4之间的效率差异为2.8％。即，实验例是如下示例：应用本发明的第一实施方式和第二实施方式中的每个中的情况(2)，并且其中透射电极结构1400中的第二层145由AgMg制成同时具有的厚度并且第一层140由IZO制成同时具有的厚度。如上所述，当透射电极结构1400形成为具有双层结构时，第二层145被图案化以从透射部T移除，因此，如与表1的实验例相比较，可以具有保持透明度的优点。

尽管已经参考蓝色描述了实验例，但是当具有单个反射透明电极结构或单个透明电极结构的阴极用透射部和发射部两者时，也可能发生与其他颜色相关联的上述相同的问题。另一方面，本发明的显示装置的重要性在于透明度在透射部处增强，并且通过透射部和发射部处的不同阴极结构(透射电极结构)确保效率和色纯度二者，因此，消除了在一般透明显示装置中出现的问题。

同时，根据本发明的第一实施方式和第二实施方式的显示装置在透射电极结构1400中的第二层145对发射部E和透射部T的不同应用方面彼此不同。可以通过如下方式来形成第二层145：使用打开对应于至少发射部E的区域的掩模在基板100上选择性地沉积半透明金属或半透明金属合金，使得半透明金属或半透明金属合金沉积在打开的区域中，并且因此，除了透射部T之外，第二层145可以选择性地形成在发射部E处。第二层145可以具有与从发射部E直接发射光的区域(例如，形成有机发光层131、132和133的区域)对应的最小区域。另外，除了透射部T之外，第二层145可以具有与整个有源区的区域相对应的最大区域。在这种情况下，当第二层145具有最大区域时，第二层145被设置的区域对应于形成不同的有机发光层131和132和133的区域以及形成作为发射部E和透射部之间的边界T的堤部130(图3)的区域的总和。

同时，本发明的显示装置中的有源区AA是基板100的设置有像素P的区域，并且分别包括发射部E、透射部T和在发射部E与透射部T的相邻的区域之间形成堤部120的区域。焊盘部可以设置在基板100的有源区外部。焊盘部可以设置成对应于基板100的一侧或基板100的多个侧。焊盘部包括焊盘电极和连接至焊盘电极的连接线。焊盘部可以被由遮光材料制成的带或膜或壳体遮挡。

在下文中，将描述透射部T的配置。与包括第一电极110和层压在第一电极110上方同时包括第一层140和第二层145的透射电极结构1400的发射部E的垂直层压结构相比，透射部T可以包括第一层140而不包括第二层145。在一些情况下，透射部T可以仅包括第一层140而不包括第二层145。在这种情况下，尽管作为透射部T的配置存在的单个第一层140根据其材料是透明或半透明的，但是单个第一层140非常薄，因此允许光通过其自由透射。根据如上所述的透射部T的设置，本发明的显示装置可以实现透明显示。为了增强透明显示器中的透射率，可以消除设置在透射电极结构1400上方以参与封装有机发光元件OLED的封装层或设置在对向基板处的偏振板。

同时，当除了通过掩模被选择性图案化的配置(例如，有机发光层131、132和133)之外在有机发光元件OLED中还包括有机公共层时，有机公共层可以形成为延伸至透射T。

尽管在示意性地示出配置的图1和图2中示出了第一层140和基板100之间的垂直区域是空的，但是在有机发光元件形成过程中形成透射部T，同时形成有机发光元件OLED。透射部T可以具有与发射部E的上表面相比设置在较低水平处的上表面，因为与发射部E相比，透射部T不具有有机发光层131、132和133以及第二层145。稍后将参考图8的截面图描述这种情况。在实施根据图1和2的每个实施方式的实际装置时，有机公共层填充透射部T处的第一层140与基板100之间的空间，因此，第一层140可以基本上接触有机公共层。此外，尽管图1示出了第一层140和盖层160之间的空间，但是为了示出第一层140在发射部E和透射部T两者上方延伸，盖层160可以直接接触透射部T处的第一层140。如果需要，除了有机发光层或者有机公共层之外，第一层140可以在其下表面处接触由LiF等制成并且形成用于电子注入的无机公共层。

此外，由透明有机材料制成的盖层160形成在透射电极结构1400的上方，以保护透射电极结构1400，以增强光提取，并且确保抵抗外部光的可靠性。这里，抵抗外部光的可靠性意味着防止由于紫外(UV)光以及可见光而在有机发光元件中随时间可能发生的变化。

在下文中，将描述根据本发明的第一实施方式和第二实施方式的显示装置中的透射电极结构的示例。

图3A和图3B分别是示出根据本发明的第一实施方式或第二实施方式的显示装置中的透射电极结构的示例的平面图。以下示例是在第一实施方式或第二实施方式中可以包括的透射电极结构的示例。

在图3A中的透射电极结构1400的第一示例中，层压第一层140和第二层145两者的区域对应于基板中有源区的除了透射部T(T1、T2和T3)之外的区域部分。在该示例中，第一层140和第二层145的层压结构不限于发射部E(R_E、G_E和B_E)，而是进一步扩展为包括在发射部E(R_E、G_E和B_E)与透射部T(T1、T2和T3)之间的区域中的连接部分。因此，第一层140和第二层145的双层结构形成为在平面中具有矩阵形式的连续性。在这种情况下，第一层140形成在整个有源区上方，并且第二层145形成在有源区除了透射部T(T1、T2和T3)之外的上方。也就是说，第二层145包括形成有堤部120(图7A)以遮挡设置在透射部T(T1、T2和T3)与发射部E(R_E、G_E和B_E)之间的线等的区域，使得第二层145不仅设置在发射部E(R_E、G_E和B_E)处而且设置在堤部区域处。可以通过使用具有对应于图3A的第二层形成区域(各自具有菱形形状的发射部和用于连接发射部的连接部分)的开口部分的沉积掩模沉积用于形成第二层的电极材料来形成第二层145。

在图3A中的透射电极结构1400的第二示例中，第一层140和第二层145两者层压的区域对应于发射部E(R_E、G_E和B_E)。在这种情况下，在有源区的除了发射部E(R_E、G_E和B_E)之外的其余区域部分处，第一层140可以设置为单层。在一些情况下，仅第一层140可以设置为单层。在这种情况下，可以通过使用具有对应于图3B的第二层形成区域(各自具有菱形形状的发射部)的开口部分的沉积掩模沉积用于形成第二层的电极材料来形成第二层145。

在如上所述的任一示例中，透射电极结构1400的第一层140形成在整个像素上方，并且因此确保了均匀的电位。在这种情况下，即使在第一层140具有小厚度或者由呈现出高电阻的半透明电极材料或透明氧化物电极材料制成时，由至少对于发射部E(R_E、G_E和B_E)呈现出高导电性的半透明电极材料制成的第二层145也形成为具有预定厚度。因此，可以消除可能在大面积阴极中发生的亮度的不均匀性。

此外，根据由用于至少发射部E(R_E、G_E和B_E)的半透明电极材料制成的第二层145的设置，通过在对应于第二层145的区域处发生的法布里-珀罗反射干涉，可以提高透射电极结构1400的光提取效率。另外，透射部T设置有半透明电极或透明电极，其由单层构成同时具有小厚度，并且因此，可以增强透明显示器中的透射率。

如果需要，第一实施方式和第二实施方式中的第二层145可以不分别限于图3A和图3B的布置。每个第二层145可以设置成与发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)之间的区域的一部分以及发射部E(R_E、G_E和B_E)交叠。可替选地，每个第二层145可以在不同颜色的发射部E(R_E、G_E和B_E)周围具有不同的交叠区域。

图4是示意性地示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的原理的截面图。图5是示出根据本发明的第三实施方式的显示装置中的透射电极结构的示例的平面图。

如图4和图5所示，在根据本发明的第三实施方式的显示装置中的透射电极结构1400中，由半透明金属或半透明合金制成的第二层145设置在发射部E处，并且由透明电极材料制成的第一层140设置在透射部T处。在一些情况下，如图4和图5所示，由半透明金属或半透明合金制成的第二层145仅设置在发射部E处，并且由透明电极材料制成的第一层140仅设置在透射部T处。第三实施方式与第一实施方式和第二实施方式的不同之处在于第一层140和第二层145两者都在基板100的有源区AA中被图案化。

如图5所示，基板100包括设置在有源区AA中的多个像素。每个像素包括发射不同颜色的多个发射部E(R_E、G_E和B_E)，以及与发射部E(R_E、G_E和B_E)间隔开的透射部T(T1、T2和T3)。堤部120设置在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)之间的区域中以及发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)之间的区域中。这样，可以划分分别对应于发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)的区域。

此外，显示装置包括：设置在基板100上的在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的有机发光层131、132和133；设置在有机发光层131、132和133中的每个与基板100之间的在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的相应的发射部E(R_E、G_E和B_E)中的反射电极结构110；以及包括设置在基板100上对应于透射部T(T1、T2和T3)的第一层140和设置在基板100上对应于发射部E(R_E、G_E和B_E)的第二层145的透射电极结构1400。

在这种情况下，第一层140由透明电极材料制成，并且第二层145由半透明金属或半透明合金制成。如图5所示，第一层140和第二层145可以仅在设置有堤部120的区域即在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)之间以及发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)之间的区域中彼此交叠。如图5所示，第一层140和第二层145的交叠区域可以与堤部120的整个部分或堤部120的一部分交叠。在这种情况下，发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)分别设置有第二层145和第一层140作为单层，如图4所示。

在如上所述的根据本发明的第三实施方式的显示装置中，透射电极结构1400通过使用透明金属在透射部T(T1、T2和T3)处形成第一层140以便增强透射率并且使用半透明金属或半透明合金在发射部E(R_E、G_E和B_E)处形成第二层145使得考虑到基于腔的最佳共振效率使第二层145具有预定厚度而构成。使用含有选自铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)和锡(Sn)中的至少一种金属的透明氧化物，第一层140可以形成为具有30nm至120nm的厚度。使用选自Ag、Mg和Yb的金属或选自以下的合金：Ag和Mg的合金、Ag和Yb的合金以及Ag、Mg和Yb的合金，第二层145可以形成为具有10nm至27nm的厚度。

第二层145在发射部E处具有单层结构。当第二层145具有10nm至27nm的厚度时，可以获得用于所有红色、绿色和蓝色的最佳腔。例如，当在发射部E中单独形成的第二层145作为反射透明电极具有小于10nm的厚度时，膜形成稳定性可能降低，因此，它可能由于发射部E处的表面不均匀性而不能稳定地获得所需的光提取效率。另一方面，当第二层145的厚度超过27nm时，腔的长波效率可能相对增加，因此，白平衡的不均匀性可能变得严重。因此，将第二层145的厚度确定为10nm至27nm。

同时，根据本发明的第三实施方式的显示装置与第一实施方式和第二实施方式的显示装置的不同之处在于第一层140是否被图案化，并且没有与根据第三实施方式的显示装置相关联地描述的其余事项与第一实施方式和第二实施方式的那些相同。

图6是示出用于形成根据本发明的第三实施方式的显示装置中的第一层的掩模的平面图。

在图6中用附图标记“250”表示的掩模用于对第一层140进行图案化。如图6所示，掩模250具有包括分别对应于图5的透射部T1、T2和T3的开口部分252的结构，并且遮挡部分251分别对应于其余区域。每个开口部分252可以具有精确地对应于透射部T1、T2和T3中的相应的透射部的尺寸的尺寸，或者可以围绕相应的透射部延伸到堤部，使得开口部分252与堤部交叠。在任一情况下，开口部分252适于在透射部T1、T2和T3上选择性地沉积透射透明电极材料，并且不与发射部R_E、G_E和B_E交叠。

可以使用具有与第一实施方式和第二实施方式的掩模相同结构的掩模来对根据第三实施方式的显示装置中的第二层145进行图案化，所述掩模具有分别对应于发射部R_E、G_E和B_E的开口部分。这将在后面参照图9E进行描述。

同时，在根据第三实施方式的显示装置中，优点在于，在其处形成具有透光性的第一层140的透射部T可以确保透明度，并且在其处具有半透明性的第二层145形成至在考虑到最佳微谐振和最佳光提取的情况下所确定的厚度的发射部E可以确保与表1中的实验例相对应的足够的发光效率和色纯度。

同时，在每个上述实施方式中包括多个像素P的基板100由允许光透过如在玻璃基板或塑料基板中的透明材料制成。当显示装置用于柔性装置中时，通过调节其厚度，基板可以形成为柔性的。

在下文中，将要描述根据本发明的显示装置的各种平面布局。

图7A至图7C是示出根据本发明的显示装置中的发射部和透射部的各种平面布置的平面图。

图7A示出了本发明的显示装置的示例，其中每个像素P包括用于发射不同颜色的第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E，以及被设置成与第一射部分至第三发射部R_E、G_E和B_E相邻的透射部T1、T2和T3。第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E以及透射部T1、T2和T3通过形成为具有预定高度的堤部120彼此分开。堤部120形成为具有1μm至5μm的厚度，使得堤部120比有机发光元件OLED中的有机层厚。第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E以及透射部T1、T2和T3限定在由堤部120围绕的区域中。

如上所述的反射电极结构110分别设置在与第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E对应的区域处。详细地，反射电极结构110分别设置在第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E处，同时彼此间隔开。反射电极结构110不仅可以在第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E上方延伸，而且可以在被设置成围绕第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E的堤部120上方延伸。

尽管在图7A中像素P被示出为即使包括透射部T1、T2和T3，透射部T1、T2和T3也是允许光从中通过的区域，而不是能够表达图像的区域。在这方面，透射部T1、T2和T3是不进行电流驱动的区域，并且根据透射电极结构1400的第一层140的设置保持均匀的电位。在透射部T1、T2和T3处，不存在反射电极结构110的配置。透射部T1、T2和T3对应于没有形成围绕第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E的堤部120的区域。

从第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E发射的光可以是红色、绿色和蓝色。当然，其他颜色组合也是可能的，只要组合的颜色可以产生白色。例如，青色、品红色和黄色的组合是可能的。可替选地，除了红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件之外，还可以提供白色发光元件。还可以提供3种颜色或4种颜色或更多种颜色的多色发光元件。当然，本发明不限于上述配置。例如，还可以配置用于发射两种不同颜色以进行彩色显示的第一发光元件和第二发光元件。

如图7B所示，在根据本发明的显示装置的第一修改示例中，透射部T1、T2和T3连接成长度地延伸而在水平方向上没有彼此间隔开。在该配置中，设置在透射部中的相邻的透射部之间的堤部120(其形成为具有图7A的配置中的岛状)被消除，使得从中消除堤部的区域也用作透射部。在这种情况下，与图7A的配置相比，存在透射率增强的效果。

如图7C所示，在根据本发明的显示装置的第二修改示例中，透射部T1、T2和T3连接成长度地延伸而在垂直方向上没有彼此间隔开。在这种配置中，在图7A的配置中在垂直方向上彼此间隔开的透射部T1、T2和T3连接。可以通过从连接透射部T1、T2和T3的区域中去除堤部来实现该配置。在这种情况下，与具有大宽度的透射部T1、T2和T3相比，在发射部R_E、G_E和B_E中的相邻的发射部R_E、G_E和B_E之间延伸的每个透射部连接区域或部分可以具有更小的宽度。透射部T1、T2和T3中的每一个可以与设置成与透射部T1、T2和T3中的每一个相邻的发射部R_E、G_E和B_E中的那些平行。

如果需要，在根据本发明的显示装置的第三修改示例中，显示装置可以包括第一修改示例中的透射部连接部分和第二修改示例中的透射部连接部分，并且因此，透射部可以在水平方向和垂直方向上连接。可以通过消除对应于连接部分的堤部来实现该配置。

在本发明的显示装置中从对应于透射部T的区域中去除堤部120的原因是为了避免由使用有机材料形成的堤部120引起的透射部中的透射率的损失。另外，反射电极结构110和有机发光层不设置在与透射部T对应的区域中。结果，透射部T可以用作一种透明膜，其使得当从顶侧和底侧中之一观察时使顶侧和底侧中的另一侧能够被没有障碍物的观察到而不需要电压导通/截止控制。

在下文中，将参照截面图描述在本发明的显示装置中包括薄膜晶体管TFT的发射部E和被设置成与发射部E相邻的透射部T的配置。

图8是沿图7A至图7C中的线I-I'截取的截面图。

图8具体示出了本发明的显示装置在图2中的构造。具体地，图8示出了第一发射部R_E和被设置成与第一发射部R_E相邻的透射部T。

图8的构造与图2的构造的不同之处在于图8的构造的基板100设置有在发射部E(图7A中的R_E、G_E和B_E)处分别连接至反射电极结构110的薄膜晶体管TFT，以及设置在发射部E和透射部T(T1、T2和T3)中的相邻的发射部E和透射部T(T1、T2和T3)之间的堤部120同时还设置有用于机发光元件OLED的有机公共层CML。

详细地，每个薄膜晶体管TFT包括：形成在包括缓冲层102的基板100上的由半导体层构成的有源层104，使得半导体层设置在发射部E(R_E、G_E和B_E)中相应的发射部E的预定部分处；形成在有源层104上方的栅电极106以在栅极绝缘膜105插入在有源层104与栅电极106之间的情况下与有源层104的沟道区交叠；以及源电极108和漏电极109，其分别连接至有源层104的相对侧。除了源电极108和漏电极109连接至有源层104的区域之外，薄膜晶体管TFT还可以包括形成在构成源电极108和漏电极109的层与构成栅电极106的层之间的层间绝缘膜107。

另外，源电极108可以连接至对应的有机发光元件OLED的反射电极结构110。反射电极结构110经由形成在用于使薄膜晶体管TFT平坦化的平坦化膜115处的接触孔连接至源电极108。反射电极结构110在与相应的发射部E((R_E、G_E或B_E)对应的区域中设置在平坦化膜115上。

例如，反射电极结构110可以具有包括反射电极层110b的多层结构。当反射电极层110b被设置为多层结构的中间层时，通过在反射电极层110b下方和上方设置第一透明电极层110a和第二透明电极层110c，可以将反射电极结构110形成为具有三层结构。当然，反射电极结构110不限于上述结构。反射电极结构110基本上可以包括由一层或多层构成的反射电极层110b作为芯，以及形成在反射电极层110b的上表面或下表面上的透明电极层，并且因此，反射电极结构110可以具有包括两层或更多层的结构。实际上，反射电极结构110可以具有多层结构，其中反射电极层和透明电极层交替。

所示的示例示出了反射电极结构110和薄膜晶体管TFT不仅与发射部E(R_E、G_E和B_E)交叠而且与堤部的设置在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)之间的以及发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)和透射部T(T1、T2和T3)之间的部分交叠。因此，在本发明的显示装置中，设置在堤部120下方的构造可以是遮光的，因为设置在堤部120下方的反射电极结构110包括反射电极层110b，并且因此，薄膜晶体管TFT和反射电极结构110可以在除了透射部T之外的区域中具有布置自由度。

同时，图8的示例示出了在与第一发射部R_E对应的区域处设置有第一有机发光层131，并且在第一有机发光层131上方和下方分别形成有第一有机公共层122和第二有机公共层126。该示例还示出了第一有机公共层122和第二有机公共层126延伸直到透射部T1。当在不使用沉积掩模的情况下形成第一有机公共层122和第二有机公共层126时，第一有机公共层122和第二有机公共层126没有间隔地设置在有源区中。

如图8所示，可以使用掩模在第一发射部R_E处形成第一发光层131。类似地，可以选择性地在第二发射部G_E和第三发射部B_E处分别形成发射与第一发光层131不同的颜色的第二有机发光层132(图1和图2)和第三有机发光层133(图1和图2)。

如果需要，第一发光层至第三发光层131、132和133与反射电极结构110的表面的垂直距离可以不同，以便获得反射电极结构110和透射电极结构1400中用于发射不同颜色的波长所需的不同谐振距离。这可以通过将第一发光层至第三发光层131、132和133的厚度调节为不同或者另外在发光层下方提供辅助空穴传输层来实现，所述辅助空穴传输层具有比发光层131、132和133中其余发光层离相应的反射电极结构110的垂直距离大的垂直距离。例如，可以在发射部处设置辅助空穴传输层以发射具有长波长的颜色。可替选地，辅助空穴传输层可以分别设置在多个发射部处。在这种情况下，发射较长波长颜色的发射部的辅助空穴传输层具有大于其余发射部的辅助空穴传输层的厚度的厚度。这种辅助空穴传输层形成在发射部中选定的一个发射部上。因此，在形成所选择的发射部的有机发光层时，可以使用掩模形成辅助空穴传输层以形成有机发光层，随后使用掩模形成有机发光层。

如果需要，可以在反射电极结构110和透射电极结构1400之间与每个发射部E相关联地提供多个发光层，代替单个发光层。在这种情况下，多个发光层分别存在于多个子层压中。子层压通过电荷生成层彼此分开。每个子层压由有机层构成。如参照图4所述，有机公共层可以设置在发光层下方和上方。当将具有多个子层压的结构应用于每个发射部E时，除了发光层之外，每个透射部T可以设置有有机公共层和电荷生成层。

如图8所示，透射电极结构1400可以包括选择性地形成在发射部E处的第二层145以及形成在第二层145上的第一层140以叠加于包括发射部E和透射部T的基板100的所有像素。可替选地，第一层140和第二层145的形成顺序可以颠倒，使得第一层140和第二层145可以以该顺序形成，如参照图1所述。

在任一情况下，透射电极结构1400用作电极。第一层140和第二层145彼此接触。

另外，作为修改示例，透射电极结构1400可以包括设置有第一层140的区域，同时根据透射部T1、T2和T3的形状在一个方向(即，水平方向或垂直方向)上长度地延伸，如图7B或图7C中所示。

在下文中，将描述用于制造本发明的显示装置的方法。

图9A至图9G是示出用于制造根据本发明的第二实施方式的显示装置的方法的截面图。图10A和图10B是示出在用于形成透射电极结构的第二层的过程中使用的掩模的示例的平面图。图11是示出在图9F的过程中使用的掩模的示例的平面图。

图9A示出了与一个发射部E(R_E)和一个透射部T(T1)相关联地形成一个薄膜晶体管TFT和一个反射电极结构110的方法。

根据所示方法，首先在基板100上形成缓冲层102。此后，在缓冲层102上形成半导体层104以对应于发射部E，以及然后在所得结构的整个上表面上形成栅极绝缘膜105。随后在栅极绝缘膜105上形成栅电极106，以与半导体层104的沟道区交叠。然后形成层间绝缘膜107以叠加于栅电极106。然后选择性地去除层间绝缘膜107和栅极绝缘膜105，以部分地露出半导体层104的相对的上表面部分，从而形成接触孔。之后，在包括接触孔的层间绝缘膜107上方形成金属层。选择性地去除金属层，从而形成源电极108和漏电极109。

此处，半导体层104、栅电极106、源电极108和漏电极109统称为“薄膜晶体管”TFT。薄膜晶体管TFT可以形成为延伸到发射部E之外的区域，只要该区域不包括透射部T即可，因为薄膜晶体管TFT可以被形成在薄膜晶体管TFT上方的反射电极结构110或堤部120遮挡。另外，本发明不限于在每个发射部E处形成单个薄膜晶体管的情况。例如，可以在每个发射部E处形成多个薄膜晶体管。

此后，在包括薄膜晶体管TFT的所得结构的整个上表面上形成平坦化膜115。然后选择性地去除平坦化膜115以形成接触孔，通过该接触孔露出源电极108的上表面。

随后，在包括接触孔的平坦化膜115的上表面上顺序地层压第一透明电极层110a、反射电极层110b和第二透明电极层110c，然后选择性地去除第一透明电极层110a、反射电极层110b和第二透明电极层110c以在发射部E处选择性地形成反射电极结构110。反射电极结构110通过接触孔连接至源电极108。与薄膜晶体管TFT类似，反射电极结构110可以形成为延伸到发射部E之外的区域，而不限制地设置在发射部E内，只要该区域不包括透射部T即可。

尽管反射电极结构110被示出为具有三层结构，但是反射电极结构110不限于此。反射电极结构110可以包括反射电极层，作为其最小基本构造，并且还可以包括形成在反射电极层的上表面或下表面上的透明电极层。如果需要，反射电极结构110可以具有反射电极层和透明电极层交替的结构。

此后，如图9B所示，在包括反射电极结构110的平坦化膜115上方涂覆诸如光丙烯酸、聚酰亚胺或聚酰胺的有机材料，然后选择性地去除以形成用于分开发射部R_E、G_E和B_E以及透射部T1、T2和T3的堤部120。

如上所述，反射电极结构110形成为对应于发射部E，并且因此，平坦化膜115在发射部E处不开口。然而，在对应于由堤部120中相邻的堤部120作为透射部T的边界限定的透射部T的区域中，平坦化膜115在其设置在相邻的堤部120之间的部分处开口。

然后，如图9C所示，在发射部E、透射部T和堤部120上方形成第一有机公共层122。第一有机公共层122可以包括与空穴的传输相关的层。例如，这些层可以包括空穴注入层、空穴传输层和电极阻挡层。可以在不使用掩模的情况下形成这些层。

随后，使用沉积掩模(未示出)顺序地形成第一有机发光层131、第二有机发光层132(图1和图2)和第三有机发光层133(图1和图2)以用于第一发射部至第三发射部R_E、G_E和B_E发射不同的颜色，使得第一发光层至第三发光层131、132和133彼此间隔开。如果需要，除了第一有机公共层122之外，可以使用与发光层的掩模相同的掩模在发光层中至少之一下方进一步形成辅助空穴传输层，以便调节发光层的高度。

然后，如图9D所示，在第一有机发光层131、第二有机发光层132、第三有机发光层133和堤部120上形成第二有机公共层126。

此处，第一有机公共层122和第二有机公共层126是在像素上方形成的层而没有像素的划分，如从其名称推断的。这些层是公共层CML。这些层可以在不使用掩模的情况下形成。即使在需要掩模来形成第一有机公共层122和第二有机公共层126的情况下，掩模也可以具有能够遮挡有源区的周边部分的结构，使得所有像素都是开口的。公共掩模可以用于第一有机公共层122和第二有机公共层126。

然后，如图9E所示，使用用于发射部E(R_E、G_E和B_E)的具有开口部分212(图10A)或222(图10B)的掩模210(图10A)或220(图10B)，在第二有机公共层126上形成第二层145，以分别对应于发射部E(R_E、G_E和B_E)。

例如，图10A的掩模210具有允许沉积材料从中通过的通道并且在垂直方向上延伸的开口部分212和设置在除开口部分212之外的区域中的遮挡部分211。在这种情况下，遮挡部分211在与开口部分212的布置方向平行的垂直方向上延伸。在这种情况下，每个遮挡部分211包括具有较大宽度的第一遮挡部分211a和具有小宽度的第二遮挡部分211b，同时第二遮挡部分211b将第一遮挡部分211a连接至被设置成与第二遮挡部分211b相邻的另一个遮挡部分211的第一遮挡部分211a。当使用如上所述图10A的掩模210将半透明金属(合金)沉积在第二有机公共层126上时，根据开口部分212的形状选择性地形成第二层145。形成第二层145的区域可以叠加于至少发射部E(R_E、G_E和B_E)，其具有岛状。第二层145的材料也基本上形成在发射部E(R_E、G_E和B_E)中相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)之间。然而，发射部选择性地形成在岛状区域中，如图7A或图7C所示，因为没有通过显示装置中的堤部120发射光。

同时，图10B的掩模220具有允许沉积材料从中通过的通道并且在水平方向上延伸的开口部分222和设置在除开口部分222之外的区域中的遮挡部分221。在这种情况下，遮挡部分221在与开口部分222的布置方向平行的水平方向上延伸。在这种情况下，每个遮挡部分221包括具有大宽度的第一遮挡部分221a和具有小宽度的第二遮挡部分221b，同时第二遮挡部分221b将第一遮挡部分221a连接至被设置成与第二遮挡部分221b相邻的另一个遮挡部分221的第一遮挡部分221a。当使用如上所述图10B的掩模220将半透明金属(合金)沉积在第二有机公共层126上时，根据开口部分222的形状选择性地形成第二层145。形成第二层145的区域可以叠加于至少发射部E(R_E、G_E和B_E)，其具有岛状。尽管第二层145设置在发射部E(R_E、G_E和B_E)中的相邻的发射部E(R_E、G_E和B_E)之间的堤部120上，但是与图9A的使用掩模210的情况类似，发射部选择性地形成在岛状区域中，如图7A或图7B所示，因为没有通过显示装置中的堤部120发射光。

随后，如图9F和图11所示，使用具有开口部分232的掩模230在所有像素(有源区)上方形成第一层140。第一层140可以由半透明金属(合金)或透明金属制成。在这种情况下，掩模230在其对应于基板100的除有源区AA之外的区域的部分处具有遮挡部分231。具有上述结构的掩模230也被称为“开口掩模”，因为掩模230在其对应于有源区AA的部分处是开口的。

同时，如图9E和图9F所示的第一层140和第二层145的形成顺序可以颠倒。在任一情况下，第一层140和第二层145形成为彼此接触。形成在所有像素上方的第一层140和分别形成在发射部E(R_E、G_E和B_E)处的第二层145构成透射电极结构1400。

同时，如图9E和图9F所示，由于以下原因，在不使用需要曝光和显影的光学工艺或模压工艺的情况下形成透射电极结构1400。考虑到第一层140和第二层145的透射率以及发射部的高亮度，第一层140的厚度以及第一层140和第二层145的总厚度应该分别具有预定值同时是均匀的。此外，第一层140和第二层145直接沉积在以低密度以气相沉积方式沉积的有机层上。当使用光学工艺或模压工艺来形成透射电极结构1400时，在光刻工艺中去除光致抗蚀剂期间或在模压工艺中分离印模期间，可能损坏下有机层。出于此原因，在透射电极结构1400的形成中不使用光学工艺或模压工艺。

在本发明的显示装置的制造方法中，在形成有机发光元件OLED的有机层(第一有机公共层122、第一有机发光层至第三有机发光层131、132和133以及第二有机公共层126)之后立即形成第一层140和第二层145。连雪地进行沉积有机层的过程，即，连续地形成第二有机公共层126，第一层140和第二层145以该顺序或以相反的顺序顺序地形成，因此，沉积第一层140和第二层145在第一层140或第二层145直接接触第二有机公共层126的条件下进行，而不需要在其间置入其他材料。由于使用相同的沉积方法来沉积有机层以及第一层140和第二层145，所以可以稳定第二有机公共层126与第一层140或第二层145之间的界面特性，并且可以稳定地保持每个透射部T和每个发射部E分别需要的透射电极结构1400的厚度。另外，由于在沉积第一层140和第二层145之后不需要单独的光致抗蚀剂去除工艺或单独的模压分离工艺，因此可以避免由于使用上述工艺引起的对有机发光元件OLED的有机材料的损坏。此外，在沉积透射电极结构1400的过程中不需要高温，因此，不会使不耐热的有机发光元件OLED劣化。因此，可以确保显示装置的可靠性。

此后，如图9G所示，在透射电极结构1400上方形成有盖层160。盖层160可以形成为具有比透射电极结构1400更大的面积。

如上所述的本发明的显示装置及其制造方法可具有以下效果。

也就是说，在本发明的显示装置中，透射电极结构对于至少每个发射部和每个透射部具有不同的配置，使得发射部具有相对大的厚度同时提供高导电性金属以实现光提取效率的提高，而在透射部处留下具有小厚度的金属层作为单层用于透明显示，因此，在透射部处没有被金属层遮挡的光量。

另外，在本发明的显示装置中，透射电极结构中没有开口区域。此外，透射电极结构在其对应于至少每个发射部的部分处设置有高导电金属。因此，尽管透射电极结构形成为具有大的面积，但是透射电极结构可以确保均匀的电位，因此，可以避免透射电极结构表现出在其特定部分处亮度降低即亮度不均匀性的现象。

另外，通过修改顶部发射型有机发光显示装置中的构造，可以同时确保具有高亮度的发射部和具有高透射率的透射部。因此，可以实现每个发射部的低功率、长寿命和高效驱动。结果，可以实现高功能的透明显示装置。

此外，使用具有用于第一层和每个第二层的不同开口区域(开口部分)的掩模或选择性地具有仅用于第二层的开口部分的掩模以在分别对应于像素部分的区域中限制地形成层，透射电极结构可以形成为具有双阶梯而不损失材料。因此，可以实现对于每个发射部和每个透射部具有均匀双阶梯的透射电极结构，而无需使用单独的设备。

本发明的显示装置具有如下透射电极结构，该透射电极结构包括：具有高透射率的第一层，同时第一层在多个像素的发射部和透射部上方延伸；以及具有高导电性和半透明性的第二层，同时第二层在第二层与第一层接触的条件下设置在除透射部之外的区域中。

在本发明中，第一层保持阴极功能，并且设置在至少发射部的第二层与第一层一起增强阴极和微腔特性。因此，可以实现在每个透射部和每个发射部处都具有增强性能的显示装置。

此外，对于能够通过施加电压执行导通/截止操作的每个发射部，提供包括具有高导电性和增强腔特性的第一层和第二层的层压结构的反射电极结构，因此，可以解决以增加的电压驱动由于在透明显示器中提供透射部而具有小面积的发射部的问题。因此，可以实现发射部的低功率驱动，并且因此，可以增加显示装置的寿命。

另一实施例的显示装置可以包括具有发射区域和透射区域的基板、位于发射区域处的反射电极结构、位于反射电极结构上方的有机发光层以及位于所述有机发光层上方的具有多个层的透射电极结构，其中，所述透射电极结构的多个层中的至少一层位于所述发射区域和所述透射区域处，并且所述多个层中的至少另一层位于所述发射区域处。

所述透射电极结构的多个层中的另一层可以包括对应于各个发射区域的芯部，以及用于连接所述发射区域中的相邻的发射区域的连接部。

在透射电极结构中，多个层中的另一层可以具有具有半透明性的金属，所述多个层中的至少一层可以具有透明性或半透明性的金属。在这种情况下，所述至少一个层和另一层各自包含Ag，并且所述至少一层和另一层中的每一个还包含Mg或Yb中的至少一种。并且，所述至少一层的厚度为4nm至12nm，所述另一层的厚度为6nm至15nm。

所述至少一层可以包括具有选自铟、钛、锌和锡中的至少一种金属的透明氧化物，并且所述另一层包含两种或更多种金属，所述两种或更多种金属中的至少一种是Ag，并且所述两种或更多种金属中的其余金属是用于防止Ag的聚集并且具有功函数等于或小于Ag的功函数的金属。

此外，所述另一层可以设置为比所述至少一层更靠近所述有机发光层。

所述至少一层可以具有30nm至120nm的厚度，并且所述另一层可以具有10nm至27nm的厚度。

另一实施例的显示装置可以包括具有多个像素的基板，所述多个像素中的每一个包括：发射部分和透射部分、在所述发射部分中覆盖基板的反射电极结构、覆盖所述反射电极结构的有机发光层以及覆盖所述有机发光层的透射电极，所述透射电极具有覆盖所述透射部分的第一层和与所述第一层接触并覆盖所述发射部分的第二层。

所述第一层可以包括透明性金属，所述第二层包括半透明性金属或半透明性合金。

所述第一层还可以覆盖所述发射部分。

所述第一层可以覆盖所述发射部分中的第二层，或者所述第二层覆盖所述发射部分中的第一层。

此外，当使用本发明的显示装置制造方法时，可以通过选择性地调整用于形成第二层的沉积掩模的开口部分来实现在透射电极结构中形成第二层。因此，可以使用安装在当前生产线中的工艺设备尽早确保批量生产，而无需使用单独的工艺设备。也就是说，可能存在的优点在于，可以应用当前采用的器件结构和工艺条件。

如上所述的本发明的显示装置及其制造方法可具有以下效果。

首先，在本发明的显示装置中，透射电极结构对于至少每个发射部和每个透射部具有不同的配置，使得发射部具有相对大的厚度同时提供高导电性金属以实现光提取效率的提高，而在透射部处仅留下具有小厚度的金属层作为单层用于透明显示，因此，在透射部处没有被金属层遮挡的光量。

第二，在本发明的显示装置中，透射电极结构中没有开口区域。此外，透射电极结构在其对应于至少每个发射部的部分处设置有高导电金属。因此，尽管透射电极结构形成为具有大的面积，但是透射电极结构可以确保均匀的电位，因此，可以避免透射电极结构表现出在其特定部分处亮度降低即亮度不均匀性的现象。具体地，对于大面积阴极的亮度均匀性，可能不必使用利用单独的辅助线的连接工艺，因此，可以简化具有用于防止亮度不均匀性的结构的显示装置的构造，并简化显示装置的制造工艺。

第三，通过修改顶部发射型有机发光显示装置中的构造，可以同时确保具有高亮度的发射部和具有高透射率的透射部。因此，可以实现每个发射部的低功率、长寿命和高效驱动。结果，可以实现高功能的透明显示装置。

第四，使用具有用于第一层和每个第二层的不同开口区域(开口部分)的掩模或仅选择性地具有仅用于第二层的开口部分的掩模以在分别对应于像素部分的区域中限制地形成层，透射电极结构可以形成为具有双阶梯而不损失材料。因此，可以实现对于每个发射部和每个透射部具有均匀双阶梯的透射电极结构，而无需使用单独的设备。

第五，可以通过调整用于形成阴极电极的掩模的开口部分来形成根据本发明的显示装置的透射电极结构。因此，可能存在的优点在于，在后续工艺中可以使用当前在当前工艺中采用的沉积掩模，而无需添加设备。

对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

基板，其具有多个发射部和多个透射部；

有机发光层，其位于所述多个发射部中的每个处；

反射电极结构，其位于所述多个发射部中的每个处的所述有机发光层与所述基板之间；以及

透射电极结构，其具有第一层和第二层，所述第一层设置在所述有机发光层上以叠加所述多个发射部和所述多个透射部，所述第二层设置在除了所述多个透射部之外的区域中，并且接触所述第一层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层设置在所述发射部中的每个处。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透射电极结构的第二层设置在所述发射部处，所述透射电极结构的第一层设置在所述透射部处。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层包括与各个发射部对应的芯部，以及用于连接所述发射部中的相邻的发射部的连接部。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述第二层包括具有半透明性的金属；并且

所述第一层包括具有透明性或半透明性的金属。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中：

所述第一层和所述第二层共同包含Ag；并且

所述第一层和所述第二层中的每个还包含Mg和Yb中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：

所述第二层的厚度为6nm至15nm；并且

所述第一层的厚度为4nm至12nm。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中：

所述第一层包括具有选自铟、钛、锌和锡中的至少一种金属的透明氧化物；并且

所述第二层包含两种或更多种金属，所述两种或更多种金属中的至少一种是Ag，并且所述两种或更多种金属中的其余金属是用于防止Ag的聚集同时具有功函数等于或小于Ag的功函数的金属。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中：

所述第二层相比于所述第一层被设置成更靠近所述有机发光层；

所述第一层的厚度为30nm至120nm；并且

所述第二层的厚度为10nm至27nm。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述发射部中的每个包括用于发射不同颜色的第一发射像素至第三发射像素；

各个发射部的所述第一发射像素至第三发射像素中的每个设置有堤部，所述堤部分别设置在所述第一发射像素至第三发射像素中的相邻发射像素之间的边界中的对应的一个边界处和所述发射部与所述透射部之间的边界中的对应的一个边界处；

所述显示装置还包括在所述有机发光层与所述反射电极结构之间的第一有机公共层以及在所述有机发光层与所述透射电极结构之间的第一有机公共层中的至少一个；并且

所述第一有机公共层中的至少一个延伸至所述透射部。