JP2018081855A - 有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機ＥＬ表示装置を製造過程における材料の消費量を抑えることにより、消費コストが低減された有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれ波長の異なる第１乃至第３の光を発する発光層が形成される複数の副画素を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、光を反射する反射膜を形成する工程と、導電性及び光の透過特性を有する下部電極を形成する工程と、前記第１及び第２の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して、同時に光路長調整層の一部を形成する第１工程と、前記第１及び第３の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して同時に、かつ、前記第１工程で形成される厚さと異なる厚さで前記光路長調整層の他の一部を形成する第２工程と、導電性、光の透過特性及び反射特性を有する上部電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化され、製造技術に関する技術開発が進められている。
例えば、特許文献１及び２は、隣接する画素に含まれる副画素のうち、同じ色を発光する副画素を隣り合うように配置する製造技術によって、蒸着回数を増やすことなく、かつ、マスクの強度も低下させずに発光層を形成する点を開示している。
特開２０１３−５８３２３号公報 特開２０１０−１６５５８７号公報
上記特許文献１及び２のように、１画素に含まれる各副画素の発光層がそれぞれ異なる色の光を発する有機ＥＬ表示装置では、輝度を向上させるため、各副画素の光路長を最適化する必要がある。特に、発光層と反射膜との距離が重要である。当該距離を最適化するために形成される、発光層と反射膜の間の各層は、ファインマスクを用いて形成されることが一般的である。
しかし、ファインマスクを用いた蒸着法は、開口していない部分に蒸着された材料は廃棄されるため、無駄が生じる。当該無駄によって、必要な原材料が増加し、製造コストが上昇する。
例えば、図６は、従来技術において、１画素において、反射膜３０８と上部電極３１６の間に形成される各層を模式的に示す図である。図６に示すように、反射膜３０８から上部電極３１６に向かって順に、反射膜３０８、下部電極３１０、ホール注入層４００、ホール輸送層４０２，４０４，４０６、発光層４０８，４１０，４１２、ホールブロック層４１４、電子輸送層４１６、上部電極３１６が積層されている。
発光層は、赤色の光を発する赤色発光層４０８、緑色の光を発する緑色発光層４１０及び青色の光を発する青色発光層４１２を含んで形成される。また、ホール輸送層は、赤色発光層４０８、緑色発光層４１０及び青色発光層４１２全ての下層側に形成された第１ホール輸送層４０２と、赤色発光層４０８のみの下層側に形成された第２ホール輸送層４０４と、緑色発光層４１０のみの下層側に形成された第３ホール輸送層４０６と、を含んで形成される。
各発光層４０８，４１０，４１２が発した光の光路長を最適化するため、第１ホール輸送層４０２、第２ホール輸送層４０４、及び、第３ホール輸送層４０６は、厚さが最適化される。具体的には、例えば、赤色発光層４０８の下層側に形成された第１ホール輸送層４０２と第２ホール輸送層４０４を合わせた厚さは、赤色の光の波長に応じて形成される。同様に、緑色発光層４１０の下層側に形成された第１ホール輸送層４０２と第３ホール輸送層４０６を合わせた厚さは、緑色の光の波長に応じて形成される。また、青色発光層４１２の下層側に形成された第１ホール輸送層４０２の厚さは、青色の光の波長に応じて形成される。
例えば、図６の従来技術においては、第１ホール輸送層４０２は、１００ｎｍの厚さで形成される。また、第２ホール輸送層４０４は、７０ｎｍの厚さで形成される。また、第３ホール輸送層４０６は、３５ｎｍの厚さで形成される。
ここで、第１ホール輸送層４０２、第２ホール輸送層４０４、及び、第３ホール輸送層４０６は、それぞれ異なる工程で形成する必要がある。そのため、第１ホール輸送層４０２、第２ホール輸送層４０４、及び、第３ホール輸送層４０６を形成する工程において、ホール輸送層の材料は、合計で２０５ｎｍのホール輸送層を形成するための量が消費される。当該消費量は、形成されたホール輸送層の厚さに対して多く、無駄が生じている。
特に、第１ホール輸送層４０２及び第２ホール輸送層４０４を形成する工程において、対応する副画素以外の副画素はマスクに覆われることから、当該マスクに付着したホール輸送層の材料は破棄されるため、無駄である。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、有機ＥＬ表示装置を製造過程における材料の消費量を抑えることにより、消費コストが低減された有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、それぞれ波長の異なる第１乃至第３の光を発する発光層が形成される複数の副画素を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、光を反射する反射膜を形成する工程と、導電性及び光の透過特性を有する下部電極を形成する工程と、前記第１及び第２の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して、同時に光路長調整層の一部を形成する第１工程と、前記第１及び第３の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して同時に、かつ、前記第１工程で形成される厚さと異なる厚さで前記光路長調整層の他の一部を形成する第２工程と、導電性、光の透過特性及び反射特性を有する上部電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の他の一態様は、第１の色の発光層を備える第１副画素と、前記第１副画素に隣接し第２の色の発光層を備える第２副画素と、前記第１副画素の前記第２副画素とは反対の側で前記第１副画素に隣接し、且つ第３の色の発光層を備える第３副画素と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記第１副画素の第１下部電極と、前記第２副画素の第２下部電極と、前記第３副画素の第３下部電極と、を形成する下部電極形成工程と、前記第１下部電極と前記第２下部電極と前記第３下部電極の上層側に第１電荷輸送層を形成する第１電荷輸送層形成工程と、前記第１電荷輸送層の上に、前記第１の色の発光層と前記第２の色の発光層と前記第３の色の発光層とを形成する発光層形成工程と、前記前記第１の色の発光層と前記第２の色の発光層と前記第３の色の発光層とを覆う第２電荷輸送層を形成する第２電荷輸送層形成工程と、前記第２電荷輸送層の上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、を有し、前記第１電荷輸送層形成工程は、前記第１副画素と前記第２副画素とに跨る第３電荷輸送層を一括形成する第３電荷輸送層形成工程と、前記第１副画素と前記第３副画素に跨り、且つ前記第１副画素において前記第３電荷輸送層の上に位置する第４電荷輸送層を一括形成する第４電荷輸送層形成工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 表示パネルを概略的に示す図である。 表示パネルの断面の積層構造について概略的に示す一例である。 １画素あたりの反射膜と上部電極の間に形成される各層を模式的に示す図である。 製造工程を表すフローチャートである。 従来技術における１画素あたりの反射膜と上部電極の間に形成される各層を模式的に示す図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。
図２は、図１の表示パネル２００を概略的に示す図である。表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。
また、表示パネル２００は、表示領域２１０にマトリクス状に配置された画素２０８を有する。画素２０８は、複数の副画素によって構成される。具体的には、表示パネル２００は、それぞれ波長の異なる第１乃至第３の光を発する発光層４０８，４１０，４１２（図４参照）が形成される複数の副画素を有する。
アレイ基板２０２は、発光層４０８，４１０，４１２やホール輸送層等が形成される。
駆動ＩＣ２０６は、例えば、各副画素に配置された駆動トランジスタ３０４に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各データ信号線に対して副画素の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０６によって、表示パネル２００は、複数色からなる複数の画素２０８によって構成されるカラー画像を、表示領域２１０に表示する。
保護フィルム２０４は、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムであって、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。
図３は、表示パネル２００の断面について概略的に示す図である。図に示すように、表示パネル２００は、図面上の下から上に向かって順に、基板３００と、アレイ層３０２と、平坦化膜３０６と、反射膜３０８と、下部電極３１０と、リブ３１２と、有機ＥＬ層３１４と、上部電極３１６と、封止膜３１８と、上述の保護フィルム２０４と、を含んで構成される。
基板３００は、例えばガラス基板であるが、樹脂で形成された可撓性を有する基板であってもよい。
アレイ層３０２は、基板３００の上層に形成される。具体的には、アレイ層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層等を含んで構成される複数の駆動トランジスタ３０４を含むように基板３００の上層に形成される。
平坦化膜３０６は、アレイ層３０２の上層に絶縁材料により形成される。具体的には、平坦化膜３０６は、駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極の一方の上側でスルーホールを有するように、かつ、当該スルーホールが形成される領域以外の領域においてアレイ層３０２を覆うように絶縁材料で形成される。
反射膜３０８は、有機ＥＬ層３１４から出射された光を反射する材料で、平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、例えば、反射膜３０８は、Ａｇで形成される。
下部電極３１０は、反射膜３０８及び平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、下部電極３１０は、ＩＴＯ等の透明かつ導電性を有する材料で、反射膜３０８を覆うように、かつ、スルーホールを介して駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続するように形成される。下部電極３１０を金属で形成し、下部電極３１０が反射膜３０８を兼ねる構造、即ち反射膜３０８を省略する構造にしてもよい。
リブ３１２は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、リブ３１２は、下部電極３１０が形成されていない領域では平坦化膜３０６を覆うように、かつ、下部電極３１０が形成された領域では下部電極３１０の上層に形成される。また、リブ３１２は、反射膜３０８が形成された領域の上層側にリブ開口部を有するように形成される。リブ開口部は、表示パネル２００から光が取り出される領域となる。
有機ＥＬ層３１４は、光を発する発光層４０８，４１０，４１２やホール輸送層等を含んで構成される。有機ＥＬ層３１４の詳細については後述する。
上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４の上層に形成される。具体的には、上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４を覆うように、光の透過特性及び反射特性（半透過半反射性ともいう）と共に導電性を有する材料で形成される。上部電極３１６は、例えばＭｇとＡｇとの合金によって形成される。上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４に電子を供給することによって、下部電極３１０から有機ＥＬ層３１４に供給されるホールとともに、有機ＥＬ層３１４を発光させる。
封止膜３１８は、上部電極３１６の上層に形成される。具体的には、封止膜３１８は、上部電極３１６を覆うように、水分を透過しない無機材料で形成される。封止膜３１８は、有機ＥＬ層３１４に水分が侵入することで有機ＥＬ層３１４が劣化することを防止する。
続いて、有機ＥＬ層３１４の詳細について、図４を用いて説明する。図４は、１画素２０８における反射膜３０８と上部電極３１６の間に形成される各層を模式的に示す図である。図４に示すように、有機ＥＬ層３１４は、ホール注入層４００、ホール輸送層４０２，４０４，４０６、発光層４０８，４１０，４１２、ホールブロック層４１４、電子輸送層４１６が積層されて構成される。
なお、図４は模式的な図であって、下部電極３１０が青色副画素（ＢＰｘ）、赤色副画素（ＲＰｘ）、緑色副画素（ＧＰｘ）において繋がって記載されているが、下部電極３１０は、赤色副画素（ＲＰｘ）の第１下部電極と、緑色副画素（ＧＰｘ）の第２下部電極と、青色副画素（ＢＰｘ）の第３下部電極と、を含んで構成される。また、ホール輸送層と電子輸送層とは、電荷輸送層ともいう。特許請求の範囲の範囲における、第１電荷輸送層はホール輸送層に相当し、第２電荷輸送層は電子輸送層に相当する。
ホール注入層４００は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、ホール注入層４００は、第１乃至第３の光を発する発光層４０８，４１０，４１２が形成された副画素に渡って、下部電極３１０の上層に形成される。ここで、第１乃至第３の光は、１画素を構成する各副画素から発せられる光であって、第１の光の波長は最も長く、第３の光の波長は最も短い。
例えば、ホール注入層４００は、第１の光である赤色の光を発する赤色副画素（ＲＰｘ）、第２の光である緑色の光を発する緑色副画素（ＧＰｘ）、及び、第３の光である青色の光を発する青色副画素（ＢＰｘ）に渡って、下部電極３１０の上層に形成される。なお、図４は、左から順に青色副画素（ＢＰｘ）、赤色副画素（ＲＰｘ）、緑色副画素（ＧＰｘ）が配置される構造を模式的に示している。
また、ホール注入層４００は、下部電極３１０から注入されたホールを、ホール輸送層に供給する機能を有する材料を用いて形成される。例えば、ホール注入層４００は、ホール注入障壁を低減するために、下部電極３１０に用いられる材料のフェルミ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料を用いて形成される。
ホール輸送層は、第１ホール輸送層４０２と、第２ホール輸送層４０４と、第３ホール輸送層４０６と、を含んで形成される。具体的には、第１ホール輸送層４０２は、赤色副画素、緑色副画素及び青色副画素全ての領域において、ホール注入層４００の上層に６５ｎｍの厚さで形成される。第２ホール輸送層４０４は、赤色副画素及び緑色副画素において、第１ホール輸送層４０２の上層に７０ｎｍの厚さで形成される。第３ホール輸送層４０６は、赤色副画素において第２ホール輸送層４０４の上層に、青色副画素において第１ホール輸送層４０２の上層に３５ｎｍの厚さで形成される。
上記構成によれば、赤色副画素に１７０ｎｍのホール輸送層４０２，４０４，４０６が形成される。また、緑色副画素に１３５ｎｍのホール輸送層４０２，４０４が形成される。また、青色副画素に１００ｎｍのホール輸送層４０２，４０６が形成される。これにより、ホール輸送層の厚さを副画素毎に異ならせることによってマイクロキャビティ構造が形成される。
また、ホール輸送層は、ホール注入層４００から供給されたホールを、発光層４０８，４１０，４１２に供給する機能を有する材料を用いて形成される。例えば、ホール輸送層は、ホール注入層４００のＨＯＭＯ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料で形成されることが望ましい。
有機ＥＬ層は、第１乃至第３の光を発する発光層４０８，４１０，４１２を含んで形成される。具体的には、有機ＥＬ層は、赤色の光を発する赤色発光層４０８、緑色の光を発する緑色発光層４１０及び青色の光を発する青色発光層４１２を含んで形成される。
また、赤色発光層４０８は、赤色副画素において、第３ホール輸送層４０６の上層に形成される。緑色発光層４１０は、緑色副画素において、第２ホール輸送層４０４の上層に形成される。青色発光層４１２は、青色副画素において、第３ホール輸送層４０６の上層に形成される。
ホールブロック層４１４は、発光層４０８，４１０，４１２の上層に形成される。具体的には、ホールブロック層４１４は、各発光層４０８，４１０，４１２の上層に、ホール輸送層４０２，４０４，４０６から発光層４０８，４１０，４１２に供給されたホールが電子輸送層４１６に到達することを防止する機能を有する材料で形成される。
電子輸送層４１６は、ホールブロック層４１４の上層に形成される。具体的には、電子輸送層４１６は、ホールブロック層４１４の上層に、上部電極３１６から供給された電子を発光層４０８，４１０，４１２に供給する機能を有する材料で形成される。
上記構成によって、例えばＭｇとＡｇとの合金によって形成された上部電極３１６と、例えばＡｇによって形成された反射膜３０８との間を、発光層４０８，４１０，４１２で発光された光の一部は、複数回反射する。よって、上述した反射膜３０８と上部電極３１６との間に位置する各種層は、光路長を調整しているといえる。当該光路長に対応した波長の光が、反射膜３０８と上部電極３１６との間で共振するように、マイクロキャビティ構造が形成されることによって、表示パネル２００の輝度を向上させることができる。
尚、光路長に対応した波長の光とは、反射膜３０８と上部電極３１６との間を例えば複数回反射することで、強度が強められる大きさの波長を有する光のことである。ここで、ホール注入層４００とホール輸送層とが、後述する構造において、各色の副画素毎に光路長を各色の波長に合わせて調整する層であるので、ホール注入層４００とホール輸送層と、を光路長調整層と呼称する。
有機ＥＬ層３１４の構成は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、ホールブロック層４１４を省略してもよいし、電子輸送層４１６の上層に電子注入層を設ける構成としてもよい。
例えば、上述のホール輸送層及びホール注入層４００の特性を考慮すると、ホール輸送層はホール注入層４００よりも電気抵抗の小さい材料が用いられることが一般的である。そのため、上記実施形態のように、ホール輸送層によって、反射膜３０８と上部電極３１６との間の距離を、換言すれば光路長を制御することが望ましい。この場合、光路長調整層に含まれるホール輸送層の厚さを副画素毎に異ならせることによってマイクロキャビティ構造が形成される。しかしながら、副画素毎にホール注入層４００の厚さを異ならせることによって、上記と同様のマイクロキャビティ構造を形成してもよい。
続いて、本実施形態における表示パネル２００の製造方法について説明する。図５は、本実施形態における表示パネル２００の製造方法を示すフローチャートである。
まず、基板３００上に、下部電極３１０以下の層を形成する（Ｓ５０１）。具体的には、下部電極３１０形成工程の前に、第１反射電極と第２反射電極と第３反射電極とを含む反射膜３０８を形成する。ここで、第１下部電極は第１反射電極と直に接し、第２下部電極は第２反射電極と直に接し、第３下部電極は第３反射電極と直に接するように形成される。
次に、第１副画素の第１下部電極と、第２副画素の第２下部電極と、第３副画素の第３下部電極と、を形成する下部電極形成工程を行う。具体的には、それぞれ導電性及び光の透過特性を有する赤色副画素の第１下部電極と、緑色副画素の第２下部電極と、青色副画素の第３下部電極を形成する。
次に、下部電極形成工程と第１電荷輸送層形成工程との間に、第１下部電極と第２下部電極と第３下部電極とを覆う第１電荷注入層を形成する第１電荷注入層形成工程を行う。具体的には、第１副画素乃至第３副画素に形成された第１下部電極と第２下部電極と第３下部電極とを覆うホール注入層を形成する。
さらに、第１副画素（赤色副画素）と第２副画素（緑色副画素）とに跨る第３電荷輸送層を一括形成する第３電荷輸送層形成工程と、第１副画素と第３副画素（青色副画素）に跨り、且つ第１副画素において第３電荷輸送層の上に位置する第４電荷輸送層を一括形成する第４電荷輸送層形成工程と、を含む第１電荷輸送層形成工程が行われる。なお、第１電荷輸送層形成工程は、第３電荷輸送層形成工程及び第４電荷輸送層形成工程の前に、第１副画素と第２副画素と第３副画素とに跨る第５電荷輸送層を一括形成する第５電荷輸送層形成工程を含む。
具体的には、第１乃至第３の光を発する発光層４０８，４１０，４１２が形成される副画素に対して、同時に光路長調整層の一部を形成する（Ｓ５０２）。例えば、第１の光である赤色の光を発する赤色副画素、第２の光である緑色の光を発する緑色副画素、及び、第３の光である青色の光を発する青色副画素において、１０ｎｍのホール注入層４００及び６５ｎｍの第１ホール輸送層４０２を一括形成する。
次に、第１及び第２の光を発する発光層４０８，４１０が形成される副画素に対して、同時に光路長調整層の他の一部を形成する（Ｓ５０３）。具体的には、赤色副画素及び緑色副画素において、ファインマスクを用いて７０ｎｍの第２ホール輸送層４０４を一括形成する。
次に、第１及び第３の光を発する発光層４０８，４１０，４１２が形成される副画素に対して同時に、かつ、Ｓ５０３工程で形成される厚さと異なる厚さで光路長調整層のさらに他の一部を形成する（Ｓ５０４）。具体的には、赤色副画素及び青色副画素において、ファインマスクを用いて３５ｎｍの第３ホール輸送層４０６を一括形成する。
上記のように、青色副画素におけるホール輸送層４０２，４０６の厚さと、赤色副画素におけるホール輸送層４０２，４０４，４０６の厚さと、緑色副画素におけるホール輸送４０２，４０４層の厚さとは、互いに異なるように形成される。
続いて、封止膜３１８以下の層を形成する（Ｓ５０５）。具体的には、第１電荷輸送層の上に、第１の色の発光層と第２の色の発光層と第３の色の発光層とを形成する発光層形成工程が行われる。例えば、赤色発光層４０８は、赤色副画素において、第３ホール輸送層４０６の上層に形成される。緑色発光層４１０は、緑色副画素において、第２ホール輸送層４０４の上層に形成される。青色発光層４１２は、青色副画素において、第３ホール輸送層４０６の上層に形成される。
次に、第１の色の発光層と第２の色の発光層と第３の色の発光層とを覆う第２電荷輸送層を形成する第２電荷輸送層形成工程が行われる。ここで、第２電荷輸送層は、電子輸送層である。
次に、第２電荷輸送層形成工程と上部電極形成工程との間に、第２電荷輸送層の上に第２電荷注入層を形成する第２電荷注入層形成工程を行う。具体的には、発光層４０８，４１０，４１２の上層に、順に、ホールブロック層４１４、電子輸送層４１６が形成される。なお、ホールブロック層４１４は省略してもよい。
次に第２電荷輸送層の上に、上部電極を形成する上部電極形成工程が行われる。具体的には、電子輸送層４１６の上層には、導電性、光の透過特性及び反射特性を有する上部電極３１６が形成される。さらに、上部電極３１６の上には、封止膜３１８が形成される。
上記のように、Ｓ５０２乃至Ｓ５０４工程によって、副画素毎に、波長の長い光を発する副画素ほど厚い光路長調整層が形成される。これにより、光路長調整層の厚さに対応した波長の光が、反射膜３０８と上部電極３１６との間で共振するマイクロキャビティ構造が形成され、表示パネル２００の輝度が向上する。
また、上述したように、従来技術において本実施形態と同様の光路長調整層を形成した場合には、全ての副画素に共通の第１ホール輸送層４０２を形成した上で、波長の最も長い光を発する副画素にのみ第２ホール輸送層４０４を形成し、さらに、２番目に長い波長を発する副画素にのみ第３ホール輸送層４０６を形成する必要がある。この場合には、２０５ｎｍのホール輸送層を形成するためのホール輸送層の材料が必要となる。
一方、本実施形態によれば、Ｓ５０３及びＳ５０４工程において、同時に２つの副画素に対してホール輸送層の一部が形成される。そのため、Ｓ５０２乃至Ｓ５０４工程において消費されるホール輸送層の材料は、１７０ｎｍのホール輸送層を形成するための量に抑えることができる。従って、上記実施形態では、従来技術と比較して、３５ｎｍのホール輸送層を形成するためのホール輸送層の材料を削減することが出来る。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 有機ＥＬ表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 表示パネル、２０２ アレイ基板、２０４ 保護フィルム、２０６ 駆動ＩＣ、２０８ 画素、２１０ 表示領域、３００ 基板、３０２ アレイ層、３０４ 駆動トランジスタ、３０６ 平坦化膜、３０８ 反射膜、３１０ 下部電極、３１２ リブ、３１４ 有機ＥＬ層、３１６ 上部電極、３１８ 封止膜、４００ ホール注入層、４０２ 第１ホール輸送層、４０４ 第２ホール輸送層、４０６ 第３ホール輸送層、４０８ 赤色発光層、４１０ 緑色発光層、４１２ 青色発光層、４１４ ホールブロック層、４１６ 電子輸送層。

Claims (14)

  1. それぞれ波長の異なる第１乃至第３の光を発する発光層が形成される複数の副画素を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    光を反射する反射膜を形成する工程と、
    導電性及び光の透過特性を有する下部電極を形成する工程と、
    前記第１及び第２の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して、同時に光路長調整層の一部を形成する第１工程と、
    前記第１及び第３の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して同時に、かつ、前記第１工程で形成される厚さと異なる厚さで前記光路長調整層の他の一部を形成する第２工程と、
    導電性、光の透過特性及び反射特性を有する上部電極を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  2. さらに、前記第１乃至第３の光を発する発光層が形成される前記副画素に対して、同時に前記光路長調整層のさらに他の一部を形成する第３工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記第１乃至第３工程によって形成された前記光路長調整層の厚さに対応した波長の光が、前記反射膜と前記上部電極との間で共振するように、マイクロキャビティ構造が形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 前記光路長調整層は、ホール輸送層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法。
  5. 前記第１乃至第３の光のうち、第１の光の波長が最も長く、前記第３の光の波長が最も短いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の製造方法。
  6. 前記第１乃至第３工程において、前記光路長調整層はファインマスクを用いて形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法。
  7. 第１の色の発光層を備える第１副画素と、前記第１副画素に隣接し第２の色の発光層を備える第２副画素と、前記第１副画素の前記第２副画素とは反対の側で前記第１副画素に隣接し、且つ第３の色の発光層を備える第３副画素と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    前記第１副画素の第１下部電極と、前記第２副画素の第２下部電極と、前記第３副画素の第３下部電極と、を形成する下部電極形成工程と、
    前記第１下部電極と前記第２下部電極と前記第３下部電極の上層側に第１電荷輸送層を形成する第１電荷輸送層形成工程と、
    前記第１電荷輸送層の上に、前記第１の色の発光層と前記第２の色の発光層と前記第３の色の発光層とを形成する発光層形成工程と、
    前記第１の色の発光層と前記第２の色の発光層と前記第３の色の発光層とを覆う第２電荷輸送層を形成する第２電荷輸送層形成工程と、
    前記第２電荷輸送層の上に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、を有し、
    前記第１電荷輸送層形成工程は、前記第１副画素と前記第２副画素とに跨る第３電荷輸送層を一括形成する第３電荷輸送層形成工程と、前記第１副画素と前記第３副画素に跨り、且つ前記第１副画素において前記第３電荷輸送層の上に位置する第４電荷輸送層を一括形成する第４電荷輸送層形成工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  8. 前記第３電荷輸送層の厚さは、前記第４電荷輸送層の厚さと異なることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  9. 前記第１電荷輸送層と前記第３電荷輸送層と前記第４電荷輸送層とはホール輸送層であり、
    前記第２電荷輸送層は電子輸送層であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  10. 前記第１電荷輸送層形成工程は、前記第３電荷輸送層形成工程及び前記第４電荷輸送層形成工程の前に、前記第１副画素と前記第２副画素と前記第３副画素とに跨る第５電荷輸送層を一括形成する第５電荷輸送層形成工程を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  11. 前記第５電荷輸送層は、ホール輸送層であることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  12. 前記下部電極形成工程と前記第１電荷輸送層形成工程との間に、前記第１下部電極と前記第２下部電極と前記第３下部電極とを覆う第１電荷注入層を形成する第１電荷注入層形成工程を有し、
    前記第２電荷輸送層形成工程と前記上部電極形成工程との間に、前記第２電荷輸送層の上に第２電荷注入層を形成する第２電荷注入層形成工程を有することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  13. 前記第１副画素における前記第１電荷輸送層の厚さと、前記第２副画素における前記第１電荷輸送層の厚さと、前記第３副画素における前記第１電荷輸送層の厚さとは、互いに異なることを特徴とする請求項７乃至請求項１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  14. 前記下部電極形成工程の前に、第１反射電極と第２反射電極と第３反射電極とを形成する反射電極形成工程を有し、
    前記第１下部電極は前記第１反射電極と直に接し、
    前記第２下部電極は前記第２反射電極と直に接し、
    前記第３下部電極は前記第３反射電極と直に接することを特徴とする請求項７乃至請求項１３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
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