CN112542556A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

显示装置和制造该显示装置的方法。公开了一种显示装置，其可以减小子像素之间的间隔并且最大化发光区域。该显示装置包括：基板，其设置有第一子像素和被布置成邻接第一子像素的第二子像素；第一电极，其在基板上设置在第一子像素和第二子像素中的每一个中，并且包括第一材料；以及氧化物绝缘膜，其被设置成覆盖第一电极的侧部的至少一部分，并且由第二材料制成。第一材料是金属材料，并且第二材料是第一材料的氧化物。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
本公开涉及一种显示图像的显示装置。
背景技术
随着信息化社会的进步，各种类型的对显示图像的装置的显示要求都在增加。近来，诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置的各种显示装置已经得到广泛利用。
近来已经开发了包括这种OLED装置的头戴式显示器(head-mounted display，HMD)。头戴式显示器(HMD)装置是以眼镜或头盔的形式佩戴以用于虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的装置，其中焦点形成在靠近用户眼睛的位置处。在头戴式显示器中，重要的是减小像素间隔并且增大发光区域以提高性能。
发明内容
鉴于以上问题而提出了本公开，并且本公开的目的是提供一种可以减小像素间隔的显示装置。
除了如上所述的本公开的目的之外，本领域技术人员将会从本公开的以下描述中清楚地理解本公开的其它目的和特征。
根据本公开的一个方面，上述和其它目的能够通过提供一种显示装置来实现，该显示装置包括：基板，其设置有第一子像素和被布置成邻接第一子像素的第二子像素；第一电极，其在基板上设置在第一子像素和第二子像素中的每一个中，并且包括第一材料；以及氧化物绝缘膜，其被设置成覆盖第一电极的侧部的至少一部分，并且由第二材料制成。第一材料是金属材料，并且第二材料是第一材料的氧化物。
根据本公开的另一方面，上述和其它目的能够通过提供一种制造显示装置的方法来实现，该方法包括以下步骤：在基板上的第一子像素和被布置成邻接第一子像素的第二子像素中形成由反射金属材料制成的反射电极材料层；在反射电极材料层上形成第一叠层；在第一叠层上形成电荷产生层；以及对设置在第一子像素和第二子像素之间的反射电极材料层、第一叠层和电荷产生层进行等离子体处理。
根据本公开，反射电极材料层可以形成为氧化物绝缘膜，由此可以不在子像素之间形成另外的堤部。本公开可以最小化子像素之间的间隔。
此外，在本公开中，由于氧化物绝缘膜仅设置在反射电极的侧部，所以形成反射电极的区域可以是发光区域。因此，本公开可最大化发光区域。
此外，在本公开中，可以通过一次等离子体处理而去除设置在子像素之间的第一叠层和电荷产生层，并且可以同时形成氧化物绝缘膜。因此，本公开可以简化制造工艺并且降低制造成本。
此外，在本公开中，第一叠层和电荷产生层可以被形成为按子像素进行图案化。因此，在本公开中，即使子像素之间的间隔减小，在相邻子像素之间也不会出现漏电流。
除了如上所述的本公开的效果之外，根据本公开的以下描述，本领域技术人员将清楚地理解本公开的其它目的和特征。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述和其它目的、特征和其它优点，其中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图；
图2是示出根据本公开的一个实施方式的第一基板的平面图；
图3是示出根据本公开的一个实施方式的子像素的第一电极和氧化物绝缘膜的平面图；
图4是示出根据本公开的一个实施方式的沿图2的线I-I’截取的示例的截面图；
图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面图；
图6是示出根据本公开的一个实施方式的图4的区域A的放大图；
图7是示出根据本公开的一个实施方式的图4的变形例的截面图；
图8是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的截面图；
图9是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面图；
图10是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图；
图11A至图11J是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的截面图；
图12是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图；
图13A至图13H是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的制造方法的截面图；以及
图14A至图14C是示出采用根据本公开的另一个实施方式的显示装置的头戴式显示器(HMD)装置的图。
具体实施方式
通过以下参照附图描述的实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开不限于所示的细节。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开的要点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一个部件。除非另有相反说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释一个元件时，尽管没有明确的描述，也将该元件解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当将位置关系描述为“在～上”，“在～上方”，“在～下”和“在～旁边”时，一个或更多个部分可以布置在两个其它部分之间，除非使用“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当将时间顺序描述为“之后”，“随后”，“下一”和“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。
应当理解，尽管本文可能使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件，但是这些元件不应该受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，同样地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“至少一个”应该理解为包括一个或更多个相关列出项的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个中举出的所有项的组合以及第一项或第二项或第三项。
如本领域技术人员能够充分理解的那样，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以以各种方式相互操作并在技术上驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系共同执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示装置。在整个附图中将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图。
参照图1，根据本公开的一个实施方式的显示装置包括显示面板100、源极驱动集成电路210(以下称为“IC”)、柔性膜220、电路板230和定时控制器240。
显示面板100包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。
在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上，存在选通线、数据线和像素。在由选通线和数据线交叉而限定的各个区域中制备像素。
每一个像素可以包括薄膜晶体管以及包括阳极、发光层和阴极的发光器件。如果通过使用薄膜晶体管将选通信号从选通线提供给每个像素，则根据数据线的数据电压而将预定电流提供给发光器件。因此，当将高电势电压施加到阳极并且将低电势电压施加到阴极时，每一个像素的发光器件可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。
显示面板100可以包括设置有用于显示图像的子像素的显示区域以及不显示图像的非显示区域。在显示区域中可以设置选通线、数据线和像素，并且在非显示区域中可以设置选通驱动器和焊盘。
选通驱动器根据从定时控制器240提供的选通控制信号将选通信号提供给选通线。选通驱动器可以通过面板内选通驱动器(GIP)法设置在显示面板100的显示区域的一侧，或者设置在显示面板100的两个外围侧的非显示区域中。在另一种方式中，选通驱动器可以制造在驱动芯片中，可以安装在柔性膜上，并且可以通过带式自动接合(TAB)法附接到显示面板100的显示区域的一侧，或者附接到显示面板100的两个外围侧的非显示区域。
源极驱动IC 210从定时控制器240接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 210根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且将模拟数据电压提供给数据线。如果在驱动芯片中制造源极驱动IC 210，则可以通过膜上芯片(COF)法或塑料上芯片(chip on plastic，COP)法将源极驱动IC 210安装在柔性膜220上。
可以在显示面板100的非显示区域中设置诸如数据焊盘的焊盘。在柔性膜220中，存在用于连接焊盘与源极驱动IC 210的线路，以及用于连接焊盘与电路板230的线路的线路。通过使用各向异性导电膜将柔性膜220附接到焊盘，由此焊盘可以连接到柔性膜210的线路。
电路板230可以附接到柔性膜220。在多个驱动芯片中实现的多个电路可以安装在电路板230上。例如，定时控制器240可以安装在电路板230上。电路板230可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器240经由电路板230的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器240基于定时信号而产生用于控制选通驱动器的操作定时的选通控制信号以及用于控制源极驱动IC 210的源极控制信号。定时控制器240向选通驱动器提供选通控制信号，并且向源极驱动IC 210提供源极控制信号。
图2是示出根据本公开的一个实施方式的第一基板的平面图，图3是示出根据本公开的一个实施方式的子像素的第一电极和氧化物绝缘膜的平面图，图4是示出根据本公开的一个实施方式的沿图2的线I-I’截取的示例的截面图，图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面图，图6是示出根据本公开的一个实施方式的图4的区域A的放大图，并且图7是示出根据本公开的一个实施方式的图4的变型例的截面图。
参照图2至图7，第一基板111被划分为显示区域DA和非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，存在用于焊盘的焊盘区域PA。
可以在显示区域DA中设置数据线和与数据线交叉的选通线。可以在显示区域DA中设置在数据线和选通线的交叉区域中的显示图像的像素P。
像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一子像素P1被配置为发射红色光，第二子像素P2被配置为发射蓝色光，并且第三子像素P3被配置为发射绿色光，但不限于该结构。可以在第一基板111的显示区域DA中设置被配置为发射白色光的第四子像素。
如果从选通线向子像素P1、P2和P3中的每一个提供选通信号，则根据数据线的数据电压，预定电流被提供至发光器件。因此，用于子像素P1、P2和P3中的每一个的发光器件可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。此外，电源线向子像素P1、P2和P3中的每一个提供电源电压。
参照图3至图7，在第一基板111的面向第二基板112的一个表面上设置薄膜晶体管TFT、层间介电膜115、第一电极120、发光层130、第二电极140、封装膜160、滤色器170和氧化物绝缘膜150。
第一基板111可以由玻璃或塑料制成，但不限于此。第一基板111可以由诸如硅晶片的半导体材料制成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料制成。
根据本公开的一个实施方式的显示装置可以形成为发射光向上行进的顶部发光类型，但不限于该类型。如果显示装置形成为发射光向上行进的顶部发光类型，则第一基板111可以由不透明材料以及透明材料形成。
针对子像素P1、P2和P3中的每一个在第一基板111上设置包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路元件。信号线可以包括选通线、数据线、电源线和参考线。薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管TFT和感测薄膜晶体管。
开关薄膜晶体管由提供给选通线的选通信号开关，并且开关薄膜晶体管将从数据线提供的数据电压提供给驱动薄膜晶体管TFT。
驱动薄膜晶体管TFT由从开关薄膜晶体管提供的数据电压开关，并且驱动薄膜晶体管TFT从由电源线提供的电源产生数据电流并且将数据电流提供给第一电极120。
感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管TFT中的阈值电压的偏差(其导致图像质量的劣化)。感测薄膜晶体管响应于从选通线或附加感测线提供的感测控制信号而向参考线提供驱动薄膜晶体管TFT的电流。
电容器将提供给驱动薄膜晶体管TFT的数据电压保持一个帧周期，并且电容器连接到驱动薄膜晶体管TFT的栅极端子和源极端子中的每一个。
层间介电膜115设置在包括驱动薄膜晶体管TFT的电路元件上。层间介电膜115可以由无机层形成，并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。层间介电膜115可以由有机层形成，并且例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。另选地，层间介电膜115可以由包括至少一个无机层和至少一个有机层的多层形成。
第一电极120被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个在层间介电膜上进行图案化。在第一子像素P1中对一个第一电极进行图案化，在第二子像素P2中对另一个第一电极进行图案化，并且在第三子像素P3中对又一个第一电极进行图案化。
第一电极120连接到驱动薄膜晶体管TFT。具体地，第一电极120通过穿过层间介电膜115的接触孔CH连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子，从而将用于发光的电压施加到第一电极120。第一电极120可以是阳极。
根据本公开的一个实施方式的第一电极120可以包括由第一材料制成的至少一个层。此时，第一材料可以是高反射率(reflexibility)的金属材料。
显示装置可以设置成顶部发光类型，其中将从发光层130发射的光发射到顶部。在这种情况下，第一电极120可以包括由高反射率的金属材料制成的至少一个层。第一电极120可以将从发光层130发射的光朝向顶部反射。
具体地，第一电极120可以包括下电极121、反射电极122和上电极123。
下电极121针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置在层间绝缘膜115上。在第一子像素P1中设置一个下电极，在第二子像素P2中设置另一个下电极，并且在第三子像素P3中设置又一个下电极。
下电极121连接到驱动薄膜晶体管TFT。具体地，下电极121通过穿过层间介电膜115的接触孔CH连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子，从而将用于发光的电压施加到下电极121。
下电极121可以是由透明金属材料制成的透明电极。例如，下电极121可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。
反射电极122针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置在下电极121上。在第一子像素P1中设置一个反射电极，在第二子像素P2中设置另一个反射电极，并且在第三子像素P3中设置又一个反射电极。
反射电极122可以是将从发光层130发射的光朝向上部反射的反射电极。例如，反射电极122可以由诸如Al、Ag和Ag合金具有高反射率的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。
上电极123针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置在反射电极122上。在第一子像素P1中设置一个上电极，在第二子像素P2中设置另一个上电极，并且在第三子像素P3中设置又一个上电极。
上电极123电连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。具体地，如图4所示，上电极123可以通过下电极121和反射电极122电连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子，但不限于该示例。上电极123可以直接连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。
上电极123可以是由透明金属材料制成的透明电极。例如，上电极123可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。下电极121和上电极123可以由相同的材料形成，或者可以由其各自的彼此不同的材料形成。
尽管图4和图6示出了第一电极120具有三层结构，但第一电极120不限于图4和图6的示例。第一电极120仅需要包括由反射金属材料制成的反射电极122，并且可以省略上电极123和下电极121中的至少一个。
在另一个实施方式中，第一电极120可具有包括反射电极122的多层结构。在又一实施方式中，第一电极120可具有包括反射电极122和上电极123的两层结构。在再一实施方式中，第一电极120可以具有包括下电极121和反射电极122的两层结构。
氧化物绝缘膜150设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3之间。氧化物绝缘膜150由第二材料制成，并且具有绝缘性。此时，第二材料可以是构成反射电极122的第一材料的氧化物。例如，第一材料可以由Al制成，并且第二材料可以由氧化铝(AlxOy)制成。又例如，第一材料可以由Ag制成，并且第二材料可以由AgxOy制成。
氧化物绝缘膜150设置在分别被设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的第一电极120之间。由于氧化物绝缘膜150具有绝缘性，因此氧化物绝缘膜150可以阻止分别设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的第一电极120彼此电连接。
具体地，氧化物绝缘膜150设置在一个子像素中所设置的第一电极120a和另一个相邻子像素中所设置的第一电极120b之间。此时，氧化物绝缘膜150可以设置在一个子像素中所设置的第一电极120a和另一个相邻子像素中所设置的第一电极120b中的每一个的侧部。
一个子像素中所设置的第一电极120a的第一侧可以面对另一个子像素中所设置的第一电极120b的第二侧。氧化物绝缘膜150可以包括设置在一个子像素中所设置的第一电极120a的第一侧上的氧化物绝缘膜150a和设置在另一个子像素中所设置的第一电极120b的第二侧上的氧化物绝缘膜150b。此时，设置在一个子像素中所设置的第一电极120a的第一侧上的氧化物绝缘膜150a和设置在另一个子像素中所设置的第一电极120b的第二侧上的氧化物绝缘膜150b可以如图4和图6所示彼此隔开，但不限于图4和图6的示例。
在另一个实施方式中，设置在一个子像素中所设置的第一电极120a的第一侧上的氧化物绝缘膜150a和设置在另一个子像素中所设置的第一电极120b的第二侧上的氧化物绝缘膜150b可以如图7所示彼此连接。也就是说，氧化物绝缘膜150可以从一个子像素中所设置的第一电极120a的侧部延伸到另一个子像素中所设置的第一电极120b的侧部。
由于氧化物绝缘膜150a和150b具有绝缘性，所以氧化物绝缘膜可以阻止一个子像素中所设置的第一电极120a的第一侧电连接到另一个子像素中所设置的第一电极120b的第二侧。因此，即使像素间隔减小，一个子像素中所设置的第一电极120a和另一个子像素中所设置的第一电极120b也不会在电气方面彼此影响。
氧化物绝缘膜150可以设置在反射电极122的侧部。
可以通过经由等离子体处理将构成反射电极122的第一材料改变为第二材料而形成氧化物绝缘膜150。具体地，在显示装置的制造工艺中，构成反射电极122的第一材料层可以设置在层间介电膜115上。此时，第一材料层可以覆盖子像素P1、P2和P3，并且具有大于子像素P1、P2和P3的面积，但不限于该示例。第一材料层可以在覆盖子像素P1、P2和P3的同时设置在子像素P1、P2和P3的整个表面上。
如果使用O2气体对在子像素P1、P2和P3之间形成的第一材料层进行等离子体处理，则第一材料变为第二材料。此时，第一材料层的从第一材料变为第二材料的部分可以成为氧化物绝缘膜150，并且第一材料层的保留有第一材料的另一部分可以成为反射电极122。结果，在反射电极122的侧部形成氧化物绝缘膜150。
氧化物绝缘膜150不会形成在不同于反射电极122的层中，并且可以与反射电极122形成为一体。一个层中的一部分成为氧化物绝缘膜150，并且一个层中的另一部分成为反射电极122。因此，氧化物绝缘膜150设置在反射电极122的侧部，但是不设置在反射电极122的上表面或下表面上。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，反射电极122可以限定子像素P1、P2和P3中的每一个的发光区域EA。也就是说，子像素P1、P2和P3中的设置有反射电极122的区域可以成为发光区域EA1、EA2和EA3。
同时，第一电极120可以包括设置在反射电极122和层间绝缘膜115之间的至少一个层。在这种情况下，氧化物绝缘膜150可以设置在反射电极122的侧部和设置在反射电极122和层间介电膜115之间的至少一个层的侧部。
例如，如果下电极121设置在反射电极122和层间介电膜115之间，则氧化物绝缘膜150可以设置在反射电极122的侧部和下电极121的侧部。具体地，在显示装置的制造工艺中，下电极121被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个在层间介电膜115上进行图案化。此时，下电极121可以在子像素P1、P2和P3中的每一个中进行图案化，以基本上具有与子像素P1、P2和P3相同的面积。然后，可以在下电极121上形成构成反射电极122的第一材料层。此时，第一材料层可以被图案化为覆盖子像素P1、P2和P3，并且具有比子像素P1、P2和P3更大的面积，但不限于该示例。第一材料层可以在覆盖子像素P1、P2和P3的同时形成在子像素P1、P2和P3的整个表面上。由于第一材料层具有比下电极121更宽的面积，所以第一材料层可以被形成为覆盖下电极121的侧部。
如果使用O2气体对子像素P1、P2和P3中所设置的第一材料进行等离子体处理，则第一材料变为第二材料。此时，第一材料层的从第一材料变为第二材料的部分可以成为氧化物绝缘膜150，并且第一材料层的保留有第一材料的另一部分可以成为反射电极122。结果，可以在反射电极122的侧部和下电极121的侧部形成氧化物绝缘膜150。
发光层130设置在第一电极120上。发光层130可以是发射白光的白色发光层。在这种情况下，发光层130可以是在子像素P1、P2和P3中公共地设置的公共层。
如图4所示，发光层130包括发射第一颜色的光的第一叠层131、发射第二颜色的光的第二叠层133以及设置在第一叠层和第二叠层之间的电荷产生层(CGL)132。
第一叠层131针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置在第一电极120上。具体地，第一叠层131可以包括设置在一个子像素中的第一叠层131a和设置在另一个相邻子像素中的第一叠层131b。此时，设置在一个子像素中的第一叠层131a和设置在另一个相邻子像素中的第一叠层131b彼此隔开，如图4、图5和图6所示。
在显示装置的制造工艺中，构成第一叠层131的材料层可以设置在层间介电膜115、第一电极120和氧化物绝缘膜150上而不使用掩模。然后，可以通过等离子体处理去除构成设置在子像素P1、P2和P3之间的第一叠层131的材料层。因此，第一叠层131可以被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化。
O2气体可以用于形成第一叠层131的等离子体处理，并且该等离子体处理可以等效于形成氧化物绝缘膜150的等离子体处理。也就是说，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，氧化物绝缘膜150和第一叠层131可以通过一次等离子体处理而同时形成。在这种情况下，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，形成反射电极122的区域可以与形成第一叠层131的区域基本上相同。这是因为反射电极122和第一叠层131形成在等离子体处理期间未暴露于O2气体的区域中。
第一叠层131可以设置在通过顺序沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、被配置为发射第一颜色的光的第一发光层(EML1)和电子传输层(ETL)而获得的沉积结构中，但不限于该结构。第一发光层(EML1)可以是被配置为发射红色光的红色发光层、被配置为发射绿色光的绿色发光层、被配置为发射蓝色光的蓝色发光层和被配置为发射黄色光的黄色发光层中的至少一种，但不限于这些类型。
电荷产生层132被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个在第一叠层131上进行图案化。具体地，电荷产生层132包括设置在一个子像素中的电荷产生层132a和设置在另一个相邻子像素中的电荷产生层132b。此时，设置在一个子像素中的电荷产生层132a和设置在另一个相邻子像素中的电荷产生层132b彼此隔开，如图4、图5和图6所示。
在显示装置的制造工艺中，构成第一叠层131的材料层可以设置在层间介电膜115、第一电极120和氧化物绝缘膜150上而不使用掩模。然后，可以在构成第一叠层131的材料层上形成构成电荷产生层132的材料层而不使用掩模。然后，可以通过等离子体处理去除形成在子像素P1、P2和P3之间的构成第一叠层131的材料层和构成电荷产生层132的材料层。因此，第一叠层131和电荷产生层132可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化。
O2气体可以用于形成第一叠层131和电荷产生层132的等离子体处理，并且该等离子体处理可以等效于形成氧化物绝缘膜150的等离子体处理。也就是说，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，氧化物绝缘膜150、第一叠层131和电荷产生层132可以通过一次等离子体处理而同时形成。在这种情况下，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，形成反射电极122的区域、形成第一叠层131的区域和形成电荷产生层132的区域可以基本上彼此相同。这是因为反射电极122、第一叠层131和电荷产生层132形成在等离子体处理期间未暴露于O2气体的区域中。
电荷产生层132可以由用于向第一叠层131提供电子的N型电荷产生层和用于向第二叠层133提供空穴的P型电荷产生层的沉积结构形成。
第二叠层133设置在电荷产生层132上。第二叠层133设置在子像素P1、P2和P3之中以及子像素P1、P2和P3之间。也就是说，与第一叠层131和电荷产生层132不同，第二叠层133还在子像素P1、P2和P3之间进行连接。
第二叠层133可以设置在第一叠层131和电荷产生层132中的每一个的通过等离子体处理而暴露的侧部。此外，如果上电极123设置在反射电极122上，则第二叠层133可以设置在上电极的由于其上未形成氧化物绝缘膜150而暴露的侧部。可以在上电极123的侧部形成第二叠层133，由此可以防止第二电极140和上电极123短路。
第二叠层133可以设置为通过顺序沉积空穴传输层(HTL)、被配置为发射第二颜色的光的第二发光层(EML2)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)而获得的沉积结构，但不限于该结构。第二发光层(EML2)可以是被配置成发射红色光的红色发光层、被配置成发射绿色光的绿色发光层、被配置成发射蓝色光的蓝色发光层和被配置成发射黄色光的黄色发光层中的至少一种，但不限于这些类型。
第二发光层(EML2)可以发射颜色不同于第一发光层(EML1)的颜色的光。例如，第一发光层(EML1)可以是被配置为发射蓝色光的蓝色发光层，并且第二发光层(EML2)可以是被配置为发射黄色光的黄色发光层。在另一种方式中，第一发光层(EML1)可以是被配置为发射蓝色光的蓝色发光层，并且第二发光层(EML2)可以是被配置为发射红色光的红色发光层以及被配置为发射绿色光的绿色发光层。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，由于子像素P1、P2和P3的电荷产生层132彼此隔开，因此难以使电荷移动通过相邻子像素P1、P2和P3之间的电荷产生层132。根据本公开的一个实施方式的发光层130可以允许相邻的子像素P1、P2和P3在最小范围内受到漏电流的影响。
第二电极140设置在发光层130上。第二电极140可以是针对子像素P1、P2和P3共同地设置的公共层。
第二电极140可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置形成为顶部发光类型，则第二电极140可以由能够使光从中透过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。第二电极140可以是阴极。
封装膜160可以设置成覆盖第二电极140。封装膜160用于防止氧气或水渗入第二电极140和发光层130。为此，封装膜160可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
具体地，封装膜160可以包括第一无机膜和有机膜。在一个实施方式中，封装膜160还可以包括第二无机膜。
第一无机膜被设置成叠覆(overlay)在第二电极140上。有机膜设置在第一无机膜上。优选以足够的厚度形成有机膜，从而防止颗粒穿过第一无机膜而渗透到发光层130和第二电极140中。第二无机膜被设置成叠覆在有机膜上。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法来沉积第一无机膜和第二无机膜，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法(slit coating method)获得有机膜，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨法(ink-jet method)获得。
滤色器170设置在封装膜160上。滤色器170包括被布置成分别对应于子像素P1、P2和P3的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以是透射红光的红色滤色器，第二滤色器CF2可以是透射绿光的绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是透射蓝光的蓝色滤色器。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，氧化物绝缘膜150设置在第一电极120的侧部。可以以使第一电极120中包括的第一材料氧化的方式形成氧化物绝缘膜150。也就是说，一个层中的一部分成为氧化物绝缘膜150，并且一个层中的另一部分成为第一电极120，确切地说，成为反射电极122。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，在设置在子像素P1、P2和P3中的第一电极120之间可以不设置另外的堤部(bank)。在现有技术的显示装置中，在设置在子像素P1、P2和P3中的第一电极120之间设置有堤部。在这种情况下，在现有技术的显示装置中，考虑用于形成堤部的设计余量(design margin)来设计设置在子像素P1，P2和P3中的第一电极120之间的间隔。因此，现有技术的显示装置在减小子像素P1、P2和P3之间的间隔方面具有局限性。
此外，在现有技术的显示装置中，在第一电极120被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化之后形成堤部。此时，堤部被形成为叠覆在被形成为在子像素P1，P2和P3的每一个中进行图案化的第一电极120的端部上。堤部还形成在第一电极120的上角部和第一电极120的侧部。通过这种方式，由于在第一电极120的上表面上形成堤部，因此减小了发光区域。
此外，如果需要诸如头戴式显示器的超高分辨率，则一个子像素的发光区域变小并且电流密度变高，由此出现了元件寿命缩短的问题。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，由于一个层中的一部分成为氧化物绝缘膜150并且一个层中的另一部分成为反射电极122，因此氧化物绝缘膜150设置在反射电极122的侧部，但是未设置在反射电极122的上表面或下表面上。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，形成有反射电极122的区域可以成为发光区域EA1、EA2和EA3。在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，可以增大或最大化发光区域EA1、EA2和EA3。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，可以增大或最大化开口率，从而减小或最小化电流密度并且提高元件寿命。
此外，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，反射电极122和氧化物绝缘膜150形成为一个层而不是分开的层。因此，由于没有通过单独的工艺在反射电极122上形成氧化物绝缘膜150，因此用于形成氧化物绝缘膜150的设计余量小于用于形成堤部的设计余量。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，可以最小化子像素P1、P2和P3之间的间隔。
此外，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，第一叠层131和电荷产生层132可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化。在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，由于难以使电荷移动通过相邻的子像素P1、P2和P3之间的电荷产生层132，因此可以防止在子像素P1、P2和P3之间发生漏电流。
此外，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，可以通过一次等离子体处理而去除设置在子像素P1、P2和P3之间的第一叠层131和电荷产生层132，并且可以同时形成氧化物绝缘膜150。在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，第一叠层131和电荷产生层132可以被形成为在甚至不使用单独的掩模的情况下针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，可以简化制造工艺，从而可以降低制造成本。
此外，在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，发光层130的第二叠层133连接在子像素P1、P2和P3之间。因此，即使第一电极120的侧部通过等离子体处理而部分地暴露，也可以防止第一电极120和第二电极140短路。
同时，在图4至图7的描述中，针对子像素P1、P2和P3公共地设置白色发光层，但不限于该示例。在另一个实施方式中，显示装置可以包括分别用于子像素P1、P2和P3的红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。在下文中，将参照图8详细描述根据本公开的另一个实施方式的显示装置。
图8是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的截面图，并且图9是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面图。
参照图8和图9，根据本公开的另一个实施方式的显示装置可以包括第一基板111、驱动薄膜晶体管TFT、层间介电膜115、第一电极120、发光层130、第二电极140、封装膜160和氧化物绝缘膜150。
由于在图8中示出的第一基板111、驱动薄膜晶体管TFT、层间介电膜115、第一电极120、封装膜160和氧化物绝缘膜150与在图4至图7中示出的第一基板111、驱动薄膜晶体管TFT、层间介电膜115、第一电极120、封装膜160和氧化物绝缘膜150基本相同或相似，因此将省略其详细描述。
根据本公开的另一个实施方式的发光层130可以是红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。在这种情况下，红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以分别形成为针对子像素P1、P2和P3进行图案化。例如，红色发光层可以被形成为在第一子像素P1中进行图案化，绿色发光层可以被形成为在第二子像素P2中进行图案化，并且蓝色发光层可以被形成为在第三子像素P3中进行图案化。
具体地，如图8和图9所示，发光层130可以包括第一发光层134、第二发光层135、第三发光层136和公共层137。第一发光层134被设置成在第一子像素P1中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第一颜色的光的第一发光层EML1和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第一发光层EML1可以发射红光，但不限于该示例。
第二发光层135被设置成在第二子像素P2中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第二颜色的光的第二发光层EML2和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第二发光层EML2可以发射绿光，但不限于该示例。
第三发光层136被设置成在第三子像素P3中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第三颜色的光的第三发光层EML3和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第三发光层EML3可以发射蓝光，但不限于该示例。
可以针对第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3公共地设置公共层137。公共层137还可以设置在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间。因此，如果上电极123设置在反射电极122上，则公共层137可以设置在上电极123的由于其上未形成氧化物绝缘膜150而暴露的侧部。公共层137可以设置在上电极123的侧部，由此可以防止第二电极140和上电极123短路。
公共层137可以包括但不限于按顺序沉积的电子传输层ETL和电子注入层EIL的沉积结构。
同时，尽管8示出氧化物绝缘膜150在子像素P1、P2和P3之间连接到另一氧化物绝缘膜150，但是氧化物绝缘膜150不限于该示例。氧化物绝缘膜150可以如图4所示地被形成为在第一电极120中的每一个的侧部处进行图案化。
此外，虽然图8示出反射电极122具有小于下电极121的面积，但是反射电极122不限于该示例。根据产品设计，反射电极122可以具有与下电极121的面积相同或比下电极121的面积更宽的面积。
图10是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图，并且图11A至图11J是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
首先，在基板111上形成电路元件和层间介电膜115(S1001)。
更具体地，如11A所示，在基板111上形成驱动薄膜晶体管TFT。然后，在驱动薄膜晶体管TFT上形成层间介电膜115。层间介电膜115可以由无机层形成，并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。层间介电膜115可以由有机层形成，并且例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。另选地，层间介电膜115可由包括至少一个无机层和至少一个有机层的多层形成。
然后，形成反射电极材料层155(S1002)。更具体地，如图11B所示，在层间介电膜115上形成由第一材料制成的反射电极材料层155。此时，反射电极材料层155可以被图案化为覆盖子像素P1、P2和P3，并且具有大于子像素P1、P2和P3的面积，但不限于该示例。反射电极材料层155可以在覆盖子像素P1、P2和P3的同时形成在子像素P1、P2和P3的整个表面上。第一材料可以是诸如Al、Ag和Ag合金的高反射率的金属材料。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。
同时，在一个实施方式中，如图11B所示，在形成反射电极材料层155之前，下电极121可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，但不限于该示例。如果下电极121被形成针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，则反射电极材料层155可以被形成为具有比形成在子像素P1、P2和P3中的每一个中的下电极121的面积更宽的面积。也就是说，反射电极材料层155可以被形成为覆盖下电极121的侧部。
如果形成下电极121，则下电极121可以通过子像素P1、P2和P3中的每一个的接触孔CH连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。下电极121可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。
同时，在一个实施方式中，如图11B所示，在形成反射电极材料层155之后，上电极123可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，但不限于该示例。上电极123可以被形成为具有与反射电极材料层155的面积相同的面积，但不限于该示例。上电极123可以被形成为具有与下电极121的面积相同的面积。在这种情况下，上电极123和下电极121可以被形成为使用相同的掩模进行图案化。
如果形成上电极123，则上电极123可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。
接着，形成第一叠层131和电荷产生层132(S1003)。具体地，如图11C所示，在反射电极材料层155上形成第一叠层131。可以通过沉积工艺或溶液工艺形成第一叠层131。如果通过沉积工艺形成第一叠层131，则可以使用蒸发法形成第一叠层131。
第一叠层131可以形成为通过顺序沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、被配置为发射第一颜色的光的第一发光层(EML1)和电子传输层(ETL)而获得的沉积结构，但不限于该结构。第一发光层(EML1)可以是被配置为发射红色光的红色发光层、被配置为发射绿色光的绿色发光层、被配置为发射蓝色光的蓝色发光层和被配置为发射黄色光的黄色发光层中的至少一种，但不限于这些类型。
然后，如图11D所示，在第一叠层131上形成电荷产生层132。电荷产生层132可以由用于向第一叠层131提供电子的N型电荷产生层和用于向第二叠层133提供空穴的P型电荷产生层的沉积结构形成。
接着，对反射电极材料层155、第一叠层131和电荷产生层132进行等离子体处理(S1004)。具体地，如图11E所示，使用O2气体对设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155、第一叠层131和电荷产生层132进行等离子体处理。
屏蔽层180被形成为在电荷产生层132上进行图案化。此时，屏蔽层180可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，从而可以暴露设置在子像素P1、P2和P3之间的电荷产生层132。接着，可以使用O2气体对设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155、第一叠层131和电荷产生层132进行等离子体处理。然后，可以去除屏蔽层180。
如图11F所示，通过使用O2气体的等离子体处理来去除设置在子像素P1、P2和P3之间的第一叠层131和电荷产生层132。因此，第一叠层131和电荷产生层132可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化。
通过使用O2气体的等离子体处理将设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155从第一材料改变为第二材料。此时，反射电极材料层155的从第一材料变为第二材料的部分可以成为氧化物绝缘膜150，并且反射电极材料层155的保留有第一材料的另一部分可以成为反射电极122。第二材料可以是反射金属材料的氧化物，例如AlxOy或AgxOy。
如果诸如Al和Ag的反射金属材料暴露于O2气体一定时间段，则反射金属材料变为AlxOy或AgxOy。此时，通过使用O2气体的等离子体处理而改变的金属氧化物具有1×106Ω·cm或更高的经提高的电阻并且具有绝缘性。因此，氧化物绝缘膜150具有绝缘性，并且可以阻止分别设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的反射电极122的电连接。
接着，形成第二叠层133(S1005)。具体地，如图11G所示，在电荷产生层132和氧化物绝缘膜150上形成第二叠层133。可以通过沉积工艺或溶液工艺形成第二叠层133。如果通过沉积工艺形成第二叠层133，则可以使用蒸发法形成第二叠层133。此时，第二叠层133在子像素P1、P2和P3之间连接到另一个第二叠层133。
第二叠层133可以形成为通过顺序沉积空穴传输层(HTL)、被配置为发射第二颜色的光的第二发光层(EML2)、电子传输层(ETL)和电注入层(EIL)而获得的沉积结构，但不限于该结构。第二发光层(EML2)可以是被配置为发射红色光的红色发光层、被配置为发射绿色光的绿色发光层、被配置为发射蓝色光的蓝色发光层和被配置为发射黄色光的黄色发光层中的至少一种，但不限于这些类型。
第二发光层(EML2)可以发射颜色不同于第一发光层(EML1)的颜色的光。例如，第一发光层(EML1)可以是被配置为发射蓝色光的蓝色发光层，并且第二发光层(EML2)可以是被配置为发射黄色光的黄色发光层。在另一种方式中，第一发光层(EML1)可以是被配置为发射蓝色光的蓝色发光层，并且第二发光层(EML2)可以是被配置为发射红色光的红色发光层以及被配置为发射绿色光的绿色发光层。
接着，形成第二电极140(S1006)。更具体地，如图11H所示，在发光层130上形成第二电极140。可以通过诸如溅射的物理气相沉积法形成第二电极140。另选地，可以通过蒸发法形成第二电极140。
如果显示装置被形成为顶部发光类型，则第二电极140可以由能够使光从中透过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。第二电极140可以是阴极。
接着，形成封装膜160(S1007)。更具体地，如图11I所示，在第二电极140上形成封装膜160。封装膜160可以包括第一无机膜和有机膜。在一个实施方式中，封装膜160还可以包括第二无机膜。
在第二电极140上形成第一无机膜。然后，在第一无机膜上形成有机膜。优选以足够的厚度形成有机膜以防止颗粒穿过第一无机膜而渗透到发光层130和第二电极140中。然后，在有机膜上形成第二无机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法来沉积第一无机膜和第二无机膜，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂，环氧树脂，酚醛树脂，聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨法获得。
然后，形成滤色器170(S1008)。更具体地，如图11J所示，在封装膜160上形成滤色器170。滤色器170包括被布置成分别对应于子像素P1、P2和P3的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以是透射红光的红色滤色器，第二滤色器CF2可以是透射绿光的绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是透射蓝光的蓝色滤色器。
图12是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图，并且图13A至图13H是示出根据本公开的另一个实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
首先，在基板111上形成电路元件和层间介电膜115(S1201)。
更具体地，如图13A所示，在基板111上形成驱动薄膜晶体管TFT。然后，在驱动薄膜晶体管TFT上形成层间介电膜115。层间介电膜115可以由无机层形成，并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。层间介电膜115可以由有机层形成，并且例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。另选地，层间介电膜115可由包括至少一个无机层和至少一个有机层的多层形成。
然后，形成反射电极材料层155(S1202)。更具体地，如图13B所示，在层间介电膜115上形成由第一材料制成的反射电极材料层155。此时，反射电极材料层155可以在覆盖子像素P1、P2和P3的同时形成在子像素P1、P2和P3的整个表面上，但不限于该示例。反射电极材料层155可以被图案化为覆盖子像素P1、P2和P3，并且具有大于子像素P1、P2和P3的面积。第一材料可以是诸如Al、Ag和Ag合金的具有高反射率的金属材料。Ag合金可以是Ag，Pd和Cu的合金。
同时，在一个实施方式中，如图13B所示，在形成反射电极材料层155之前，下电极121可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，但不限于该示例。如果下电极121被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，则反射电极材料层155可以被形成为具有比形成在子像素P1、P2和P3中的每一个中的下电极121的面积更宽的面积。也就是说，反射电极材料层155可以被形成为覆盖下电极121的侧部。
如果形成下电极121，则下电极121可以通过子像素P1、P2和P3中的每一个的接触孔CH连接到驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。下电极121可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。
同时，在一个实施方式中，如图13B所示，在形成反射电极材料层155之后，上电极123可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，但不限于该示例。上电极123可以被形成为具有与反射电极材料层155的面积相同的面积，但不限于该示例。上电极123可以被形成为具有与下电极121的面积相同的面积。在这种情况下，上电极123和下电极121可以被形成为使用相同的掩模进行图案化。
如果形成上电极123，则上电极123可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)形成。
接着，对反射电极材料层155进行等离子体处理(S1203)。具体地，如图13C所示，使用O2气体对设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155进行等离子体处理。
屏蔽层180被形成为在反射电极材料层155上进行图案化。此时，屏蔽层180可以被形成为针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化，从而可以暴露设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155。接着，可以使用O2气体对设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155进行等离子体处理。然后，可以去除屏蔽层180。
如图13D所示，通过使用O2气体的等离子体处理，设置在子像素P1、P2和P3之间的反射电极材料层155从第一材料变为第二材料。此时，反射电极材料层155的从第一材料变为第二材料的部分可以成为氧化物绝缘膜150，并且反射电极材料层155的保留有第一材料的另一部分可以成为反射电极122。第二材料可以是反射金属材料的氧化物，例如AlxOy或AgxOy。
如果诸如Al和Ag的反射金属材料暴露于O2气体一定时间段，则反射金属材料变为AlxOy或AgxOy。此时，通过使用O2气体的等离子体处理而改变的金属氧化物具有1×106Ω·cm或更高的经提高的电阻并且具有绝缘性。因此，氧化物绝缘膜150具有绝缘性，并且可以阻止分别设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的反射电极122的电连接。
同时，在图13B、图13C和图13D的描述中，在上电极123形成在反射电极材料层155上之后，对反射电极材料层155进行等离子体处理。然而，本公开不限于图13B、图13C和图13D的示例。可以在对反射电极材料层155进行等离子体处理之后形成上电极123。在这种情况下，上电极123可以被形成为在反射电极122上进行图案化，以具有与反射电极122的面积相同的面积。
接着，第一发光层134、第二发光层135和第三发光层136被形成为进行图案化(S1204)。
具体地，如图13E所示，第一发光层134、第二发光层135和第三发光层136分别被形成为在子像素P1、P2和P3中进行图案化。
第一发光层134被形成为在第一子像素P1中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第一颜色的光的第一发光层EML1和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第一发光层EML1可以发射红光，但不限于该示例。
然后，第二发光层135被形成为在第二子像素P2中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第二颜色的光的第二发光层EML2和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第二发光层EML2可以发射绿光，但不限于该示例。
然后，第三发光层136被形成为在第三子像素P3中进行图案化，并且可以包括但不限于按顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射第三颜色的光的第三发光层EML3和空穴阻挡层HBL的沉积结构。第三发光层EML3可以发射蓝光，但不限于该示例。
第一发光层134、第二发光层135和第三发光层136可以以各种顺序形成。
接着，形成公共层137(S1205)。具体地，如图13F所示，在第一发光层134、第二发光层135和第三发光层136上形成公共层137。可以针对第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3公共地形成公共层137。公共层137还可以形成在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间。
公共层137可以包括但不限于按顺序沉积的电子传输层ETL和电子注入层EIL的沉积结构。
接着，形成第二电极140(S1206)。更具体地，如图13G所示，在发光层130上形成第二电极140。第二电极140可以通过诸如溅射的物理气相沉积法形成。另选地，可以通过蒸发法形成第二电极140。
如果显示装置形成为顶部发光类型，则第二电极140可以由能够使光从中透过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。第二电极140可以是阴极。
接着，形成封装膜160(S1207)。更具体地，如图13H所示，在第二电极140上形成封装膜160。封装膜160可以包括第一无机膜和有机膜。在一个实施方式中，封装膜160还可以包括第二无机膜。
在第二电极140上形成第一无机膜。然后，在第一无机膜上形成有机膜。优选以足够的厚度形成有机膜以防止颗粒穿过第一无机膜而渗透到发光层130和第二电极140中。然后，在有机膜上形成第二无机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法来沉积第一无机膜和第二无机膜，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂，环氧树脂，酚醛树脂，聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨法获得。
图14A至图14C示出了根据本公开的另一个实施方式的显示装置，其涉及头戴式显示器(HMD)装置。图14A是示意性立体图，图14B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面图，并且图14C是增强现实(AR)结构的截面图。
如图14A所示，根据本公开的头戴式显示器(HMD)装置包括容纳壳体10和头戴式带30。
显示装置、透镜阵列和目镜(ocular eyepiece)可以被容纳在容纳壳体10的内部。
头戴式带30固定到容纳壳体10。在附图中，头戴式带30被配置成围绕用户头部的上表面和两个侧表面，但不限于这种结构。例如，头戴式带被设置成将头戴式显示器(HMD)装置固定到用户的头部，其可以由眼镜框形或头盔形结构代替。
如图14B所示，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示器(HMD)装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b容纳在上述容纳壳体10中。
可以在左眼显示装置12和右眼显示装置11上显示相同的图像。在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。如果在左眼显示装置12上显示用于左眼的图像，并且在右眼显示装置11上显示用于右眼的图像，则用户可以观看三维(3D)图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以由上述图1至图9所示的显示装置形成。在这种情况下，对应于在图1至图9中用于显示图像的表面的上部(例如，滤色器170)面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a和左眼显示装置12之间，同时与左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于左眼目镜20a的前面和左眼显示装置12的后面。此外，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b和右眼显示装置11之间，同时与右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于右眼目镜20b的前面和右眼显示装置11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔(pin hole)阵列代替。由于透镜阵列13的存在，在左眼显示装置12或右眼显示装置11上显示的图像可以被扩大并且被用户感知。
用户的左眼(LE)可以位于左眼目镜20a处，并且用户的右眼(RE)可以位于右眼目镜20b处。
如图14C所示，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示器(HMD)装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗15。为了便于说明，图14C仅示出左眼结构。右眼结构在结构上与左眼结构相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗15容纳在上述容纳壳体10中。
左眼显示装置12可以设置在透射反射部14的一侧，例如透射反射部14的上侧，而不覆盖透射窗15。因此，可以在通过透射窗15看到的周围背景未被左眼显示装置12覆盖的条件下向透射反射部14提供图像。
左眼显示装置12可以由图1至图9所示的显示装置形成。在这种情况下，对应于在图1至图9中用于显示图像的表面的上部(例如，滤色器170)面对透射反射部14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a和透射反射部14之间。
用户的左眼位于左眼目镜20a处。
透射反射部14设置在透镜阵列13和透射窗15之间。透射反射部14可以包括反射表面14a，其部分地透射一些光，并且还反射其余的光。反射表面14a被配置为将显示在左眼显示装置12上的图像导向透镜阵列13。因此，用户能够观看在左眼显示装置12上显示的图像以及通过透射窗15的周围背景。也就是说，用户能够观看通过叠加有周围真实背景的虚拟图像而获得的一个图像，从而实现增强现实(AR)。
透射窗15设置在透射反射部14的前面。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，上述的本公开不限于上述实施方式和附图，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且从权利要求的含义、范围和等同构思推导出的所有变化或修改都旨在落入本公开的范围内。
能够组合上述各种实施方式以提供进一步的实施方式。在本说明书中提及和/或在本申请中列出的所有专利、专利申请公开、专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开均通过引用全文并入本文。如果需要采用各种专利、申请和公开的构思以提供进一步的实施方式，则可以修改实施方式的各个方面。
根据上面的详细描述，可以对实施方式进行这些和其它改变。一般而言，在所附的权利要求中，所使用的术语不应该被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而是应该被解释为包括所有可能的实施方式和这些权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (16)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，所述基板设置有第一子像素和被布置成邻接所述第一子像素的第二子像素；
第一电极，所述第一电极在所述基板上设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中，并且包括第一材料；以及
氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述第一电极的侧部的至少一部分上，并且包括第二材料，
其中，所述第一材料是金属材料，并且所述第二材料是所述第一材料的氧化物。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极包括设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中并且包括所述第一材料的反射电极，并且所述氧化物绝缘膜设置在所述反射电极的侧部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一材料是Al或Ag，并且所述第二材料是AlxOy或AgxOy。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物绝缘膜包括覆盖设置在所述第一子像素中的所述第一电极的侧部的至少一部分的第一氧化物绝缘膜，以及覆盖设置在所述第二子像素中的所述第一电极的侧部的至少一部分的第二氧化物绝缘膜，并且所述第一氧化物绝缘膜和所述第二氧化物绝缘膜彼此隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物绝缘膜从设置在所述第一子像素中的所述第一电极的侧部延伸到设置在所述第二子像素中的所述第一电极的侧部。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极包括多个层，并且所述多个层中的至少一个层包括所述第一材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一电极包括：
下电极，所述下电极在所述基板上设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；
反射电极，所述反射电极设置在所述下电极上并且包括所述第一材料；以及
上电极，所述上电极设置在所述反射电极上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述氧化物绝缘膜覆盖所述下电极的侧部以及所述反射电极的侧部的至少一部分，并且暴露所述上电极的侧部。
9.根据权利要求6所述的显示装置，该显示装置还包括：
发光层，所述发光层设置在所述第一电极上并且包括另外多个层；以及
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上，
其中，构成所述发光层的所述另外多个层中的至少一个层与构成所述第一电极的所述多个层中的包括所述第一材料的层具有相同的面积。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述发光层包括：
第一叠层，所述第一叠层设置在所述第一电极上并且发射第一颜色的光；
电荷产生层，所述电荷产生层设置在所述第一叠层上；以及
第二叠层，所述第二叠层设置在所述电荷产生层上并且发射第二颜色的光，并且
设置在所述第一子像素中的所述电荷产生层和设置在所述第二子像素中的所述电荷产生层彼此隔开。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一叠层和所述电荷产生层与构成所述第一电极的所述多个层中的包括所述第一材料的层具有相同的面积。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二叠层在所述第一子像素和所述第二子像素之间连接。
13.一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成反射电极材料层，所述反射电极材料层位于第一子像素和被布置成邻接所述第一子像素的第二子像素中以及所述第一子像素和所述第二子像素之间；
在所述反射电极材料层上形成第一叠层；
在所述第一叠层上形成电荷产生层；以及
对设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述反射电极材料层、所述第一叠层和所述电荷产生层进行等离子体处理。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，进行所述等离子体处理的步骤包括以下步骤：通过使用O2气体对设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的反射电极材料进行等离子体处理来形成氧化物绝缘膜。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述反射电极材料是Al或Ag，并且所述氧化物绝缘膜包括AlxOy或AgxOy。
16.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述电荷产生层和所述氧化物绝缘膜上形成第二叠层；以及
在所述第二叠层上形成第二电极。
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