DE102020124659A1

DE102020124659A1 - Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE102020124659A1
Application number: DE102020124659.5A
Authority: DE
Inventors: Joonyoung HEO; Yongmin PARK; KyungHoon Lee; YoungHoon SON
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-09-23
Filing date: 2020-09-22
Publication date: 2021-03-25
Also published as: KR20210034809A; US20220302407A1; US20210091334A1; US11917846B2; CN112542556A; US20240164135A1; US11469390B2

Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung offenbart, die ein Intervall zwischen Subpixeln verringern und einen Lichtemissionsbereich maximieren kann. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein Substrat, das mit einem ersten Subpixel und einem zweiten Subpixel, das so angeordnet ist, dass es an das erste Subpixel angrenzt, versehen ist, eine erste Elektrode, die in jedem des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels auf dem Substrat vorgesehen ist, mit einem ersten Material, und einen Oxidisolationsfilm, der so vorgesehen ist, dass er zumindest einen Abschnitt einer Seite der ersten Elektrode bedeckt, und aus einem zweiten Material besteht. Das erste Material ist ein Metallmaterial und das zweite Material ist ein Oxid des ersten Materials.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität zur Patentanmeldung Nr. 10-2019-0116576 der Republik Korea, eingereicht am 23. September 2019.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, die ein Bild anzeigt.
Beschreibung des Standes der Technik
Mit dem Fortschritt in informationsorientierten Gesellschaften haben Anforderungen für Anzeigevorrichtungen, die ein Bild anzeigen, in verschiedenen Typen zugenommen. In letzter Zeit wurden verschiedene Anzeigevorrichtungen wie z. B. eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung), eine Plasmaanzeigefeldvorrichtung (PDP-Vorrichtung) und eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung (OLED-Vorrichtung) umfangreich verwendet.
In letzter Zeit wurden am Kopf angebrachte Anzeigen (HMD) mit einer solchen OLED-Vorrichtung entwickelt. Eine am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) ist eine Vorrichtung, die in Form einer Brille oder eines Helms für virtuelle Realität (VR) oder erweiterte Realität (AR) getragen wird, bei der ein Fokus in einer Position nahe den Augen eines Benutzers gebildet wird. In einer am Kopf angebrachten Anzeige ist es wichtig, ein Pixelintervall zu verringern und einen Lichtemissionsbereich zu vergrößern, um die Leistung zu verbessern.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG
Die vorliegende Offenbarung wurde angesichts der obigen Probleme durchgeführt und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die ein Pixelintervall verringern kann.
Zusätzlich zu den Aufgaben der vorliegenden Offenbarung, wie vorstehend erwähnt, werden weitere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Offenbarung durch den Fachmann auf dem Gebiet aus der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung deutlich verstanden.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung können die obigen und andere Aufgaben durch das Schaffen einer Anzeigevorrichtung bewerkstelligt werden, die ein Substrat, das mit einem ersten Subpixel und einem zweiten Subpixel, das so angeordnet ist, dass es an das erste Subpixel angrenzt, versehen ist, eine erste Elektrode, die in jedem des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels auf dem Substrat vorgesehen ist, mit einem ersten Material und einen Oxidisolationsfilm, der so vorgesehen ist, dass er zumindest einen Abschnitt einer Seite der ersten Elektrode bedeckt und aus einem zweiten Material besteht, umfasst. Das erste Material ist ein Metallmaterial und das zweite Material ist ein Oxid des ersten Materials.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung können die obigen und andere Aufgaben durch das Schaffen eines Verfahrens zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung mit den Schritten des Ausbildens einer Reflexionselektrodenmaterialschicht, die aus einem Reflexionsmetallmaterial besteht, in einem ersten Subpixel und einem zweiten Subpixel, das so angeordnet ist, dass es an das erste Subpixel angrenzt, auf einem Substrat, des Ausbildens eines ersten Stapels auf der Reflexionselektrodenmaterialschicht, des Ausbildens einer Ladungserzeugungsschicht auf dem ersten Stapel und des Durchführens einer Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht, den ersten Stapel und die Ladungserzeugungsschicht, die zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel vorgesehen sind, bewerkstelligt werden.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Reflexionselektrodenmaterialschicht als Oxidisolationsfilm ausgebildet werden, wodurch eine separate Bank nicht zwischen den Subpixeln ausgebildet werden kann. Die vorliegende Offenbarung kann ein Intervall zwischen den Subpixeln minimieren.
Da in der vorliegenden Offenbarung der Oxidisolationsfilm nur auf einer Seite der Reflexionselektrode vorgesehen ist, kann auch ein Bereich, in dem die Reflexionselektrode ausgebildet ist, der Lichtemissionsbereich sein. Daher kann die vorliegende Offenbarung den Lichtemissionsbereich maximieren.
In der vorliegenden Offenbarung können auch der erste Stapel und die Ladungserzeugungsschicht, die zwischen den Subpixeln vorgesehen sind, durch einmalige Plasmabehandlung entfernt werden und gleichzeitig kann der Oxidisolationsfilm ausgebildet werden. Daher kann die vorliegende Offenbarung einen Herstellungsprozess vereinfachen und Herstellungskosten verringern.
In der vorliegenden Offenbarung können auch der erste Stapel und die Ladungserzeugungsschicht so ausgebildet werden, dass sie pro Subpixel strukturiert werden. In der vorliegenden Offenbarung kann, selbst wenn ein Intervall zwischen den Subpixeln verringert wird, daher kein Kriechstrom zwischen benachbarten Subpixeln auftreten.
Zusätzlich zu den Effekten der vorliegenden Offenbarung, wie vorstehend erwähnt, werden zusätzliche Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Offenbarung durch den Fachmann auf dem Gebiet aus der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung deutlich verstanden.
Figurenliste
Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher verstanden, in denen:

1 eine perspektivische Ansicht einer Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
2 eine Draufsicht eines ersten Substrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
3 eine Draufsicht ist, die eine erste Elektrode und einen Oxidisolationsfilm von Subpixeln gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
4 eine Querschnittsansicht ist, die ein Beispiel entlang der Linie I-I' von 2 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
5 eine detaillierte Querschnittsansicht ist, die ein Beispiel einer ersten Elektrode, einer Lichtemissionsschicht und einer zweiten Elektrode einer Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
6 eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs A von 4 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
7 eine Querschnittsansicht eines modifizierten Beispiels von 4 einer Ausführungsform ist.
8 eine Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung einer anderen Ausführungsform der Offenbarung ist.
9 eine detaillierte Querschnittsansicht eines Beispiels einer ersten Elektrode, einer Lichtemissionsschicht und einer zweiten Elektrode einer Anzeigevorrichtung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
10 ein Ablaufplan ist, der ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
11A bis 11J Querschnittsansichten sind, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
12 ein Ablaufplan ist, der ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
13A bis 13H Querschnittsansichten sind, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
14A bis 14C Diagramme sind, die eine am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) darstellen, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und Implementierungsverfahren davon werden durch die folgenden Ausführungsformen verdeutlicht, die mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in verschiedenen Formen verkörpert sein und sollte nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen begrenzt aufgefasst werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen vorgesehen, so dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist, und den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung dem Fachmann auf dem Gebiet vollständig vermittelt. Ferner ist die vorliegende Offenbarung nur durch Schutzbereiche der Ansprüche definiert.
Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Anzahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel und folglich ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die dargestellten Details begrenzt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich in der ganzen Patentbeschreibung auf gleiche Elemente. Wenn in der folgenden Beschreibung von der detaillierten Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration bestimmt wird, dass sie den wichtigen Punkt der vorliegenden Offenbarung unnötig unklar macht, wird auf die detaillierte Beschreibung verzichtet. In einem Fall, in dem „umfassen“, „aufweisen“ und „einschließen“, die in der vorliegenden Patentbeschreibung beschrieben sind, verwendet werden, kann ein anderer Teil hinzugefügt sein, wenn nicht „nur-“ verwendet wird. Die Begriffe einer Singularform können Pluralformen umfassen, wenn nicht gegenteilig angeführt.
In dem Fall, in dem „umfassen“, „aufweisen“ und „einschließen“, die in der vorliegenden Patentbeschreibung beschrieben sind, verwendet werden, kann ein anderer Teil auch vorhanden sein, wenn nicht „nur“ verwendet wird. Die Begriffe in einer Singularform können Pluralformen umfassen, wenn nicht gegenteilig vermerkt.
Beim Auffassen eines Elements wird das Element als einen Fehlerbereich umfassend aufgefasst, obwohl keine explizite Beschreibung besteht.
Beim Beschreiben einer Positionsbeziehung, wenn beispielsweise die Positionsbeziehung als „auf-“, „über-“, „unter-“ und „neben-“ beschrieben ist, können ein oder mehrere Abschnitte zwischen zwei anderen Abschnitten angeordnet sein, wenn nicht „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
Beim Beschreiben einer Zeitbeziehung, wenn beispielsweise die zeitliche Reihenfolge als „nach“, „anschließend“, „als nächstes“ und „bevor“ beschrieben ist, kann ein Fall, der nicht kontinuierlich ist, enthalten sein, wenn nicht „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
Es ist selbstverständlich, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ usw. hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe begrenzt sein sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen abzutrennen. Ein erstes Element könnte beispielsweise als zweites Element bezeichnet werden, und ebenso könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Der Begriff „mindestens eines“ sollte als beliebige und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen aufgelisteten Gegenstände einschließend verstanden werden. Die Bedeutung von „mindestens einer eines ersten Gegenstandes, eines zweiten Gegenstandes und eines dritten Gegenstandes“ bezeichnet beispielsweise die Kombination aller Gegenstände, die von zwei oder mehr des ersten Gegenstandes, des zweiten Gegenstandes und des dritten Gegenstandes vorgeschlagen werden, sowie den ersten Gegenstand, den zweiten Gegenstand oder den dritten Gegenstand.
Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder kombiniert sein und können verschiedenartig miteinander betrieben werden und technisch angetrieben werden, wie der Fachmann auf dem Gebiet ausreichend verstehen kann. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können zusammen in einer voneinander abhängigen Beziehung ausgeführt werden.
Nachstehend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung im Einzelnen mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Wann immer möglich, werden dieselben Bezugszeichen in den ganzen Zeichnungen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen.
1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Mit Bezug auf 1 umfasst eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigefeld 100, eine integrierte Quellenansteuerschaltung 210 (nachstehend als „Quellenansteuer-IC“ bezeichnet), einen flexiblen Film 220, eine Leiterplatte 230 und eine Zeitablaufsteuereinheit 240.
Das Anzeigefeld 100 umfasst ein erstes Substrat 111 und ein zweites Substrat 112. Das zweite Substrat 112 kann ein Einkapselungssubstrat sein.
Auf einer Oberfläche des ersten Substrats 111, die dem zweiten Substrat 112 gegenüberliegt, befinden sich Gate-Leitungen, Datenleitungen und Pixel. Die Pixel sind in jeweiligen Bereichen vorbereitet, die durch Kreuzen der Gate-Leitungen und der Datenleitungen definiert sind.
Jedes der Pixel kann einen Dünnschichttransistor und eine Lichtemissionsvorrichtung mit einer Anodenelektrode, einer Emissionsschicht und einer Kathodenelektrode umfassen. Wenn ein Gate-Signal von der Gate-Leitung zu jedem Pixel durch die Verwendung des Dünnschichttransistors zugeführt wird, wird ein vorbestimmter Strom zur Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer Datenspannung der Datenleitung zugeführt. Wenn eine Spannung mit hohem Potential an die Anodenelektrode angelegt wird und eine Spannung mit niedrigem Potential an die Kathodenelektrode angelegt wird, kann folglich die Lichtemissionsvorrichtung für jedes der Pixel Licht mit einer vorbestimmten Helligkeit gemäß dem vorbestimmten Strom emittieren.
Das Anzeigefeld 100 kann einen Anzeigebereich, der mit den Subpixeln zum Anzeigen eines Bildes versehen ist, und einen Nicht-Anzeige-Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird, umfassen. Die Gate-Leitungen, die Datenleitungen und die Pixel können im Anzeigebereich vorgesehen sein und ein Gate-Treiber und Kontaktstellen können im Nicht-Anzeige-Bereich vorgesehen sein.
Der Gate-Treiber führt Gate-Signale zu den Gate-Leitungen gemäß einem Gate-Steuersignal zu, das von der Zeitablaufsteuereinheit 240 geliefert wird. Der Gate-Treiber kann in einer Seite des Anzeigebereichs des Anzeigefeldes 100 oder des Nicht-Anzeige-Bereichs beider Umfangsseiten des Anzeigefeldes 100 durch ein Verfahren mit Gate-Treiber im Feld (GIP) vorgesehen sein. In einer anderen Weise kann der Gate-Treiber in einem Ansteuerchip hergestellt werden, kann auf dem flexiblen Film montiert werden und kann an einer Seite des Anzeigebereichs des Anzeigefeldes 100 oder des Nicht-Anzeige-Bereichs beider Umfangsseiten des Anzeigefeldes 100 durch ein Verfahren zum automatisierten Bandbonden (TAB) befestigt werden.
Die Quellenansteuer-IC 210 empfängt digitale Videodaten und Quellensteuersignale von der Zeitablaufsteuereinheit 240. Die Quellenansteuer-IC 210 wandelt die digitalen Videodaten in analoge Datenspannungen gemäß dem Quellensteuersignal um und führt die analogen Datenspannungen zu den Datenleitungen zu. Wenn die Quellenansteuer-IC 210 in einem Ansteuerchip hergestellt wird, kann die Quellenansteuer-IC 210 auf dem flexiblen Film 210 durch ein Verfahren für Chip auf Film (COF) oder ein Verfahren für Chip auf Kunststoff (COP) montiert werden.
Die Kontaktstellen wie z. B. Datenkontaktstellen können im Nicht-Anzeige-Bereich des Anzeigefeldes 100 vorgesehen sein. Im flexiblen Film 220 sind Leitungen zum Verbinden der Kontaktstellen mit der Quellenansteuer-IC 210 und Leitungen zum Verbinden der Kontaktstellen mit den Leitungen der Leiterplatte 230 vorhanden. Der flexible Film 220 wird an den Kontaktstellen unter Verwendung eines anisotropen Leitungsfilms befestigt, wodurch die Kontaktstellen mit den Leitungen des flexiblen Films 210 verbunden werden können.
Die Leiterplatte 230 kann am flexiblen Film 220 befestigt sein. Mehrere Schaltungen, die in mehreren Ansteuerchips verwirklicht sind, können an der Leiterplatte 230 montiert sein. Die Zeitablaufsteuereinheit 240 kann beispielsweise an der Leiterplatte 230 montiert sein. Die Leiterplatte 230 kann eine gedruckte Leiterplatte oder eine flexible gedruckte Leiterplatte sein.
Die Zeitablaufsteuereinheit 240 empfängt digitale Videodaten und ein Zeitablaufsignal von einer externen Systemplatine über ein Kabel der Leiterplatte 230. Die Zeitablaufsteuereinheit 240 erzeugt das Gate-Steuersignal zum Steuern eines Betriebszeitpunkts des Gate-Treibers und das Quellensteuersignal zum Steuern der Quellenansteuer-ID 210 auf der Basis des Zeitablaufsignals. Die Zeitablaufsteuereinheit 240 führt das Gate-Steuersignal zum Gate-Treiber zu und führt das Quellensteuersignal zur Quellenansteuer-IC 210 zu.
2 ist eine Draufsicht, die ein erstes Substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, 3 ist eine Draufsicht, die eine erste Elektrode und einen Oxidisolationsfilm von Subpixeln gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, 4 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel entlang der Linie I-I' von 2 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, 5 ist eine detaillierte Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer ersten Elektrode, einer Lichtemissionsschicht und einer zweiten Elektrode einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, 6 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Bereich A von 4 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 7 ist eine Querschnittsansicht, die ein modifiziertes Beispiel von 4 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Mit Bezug auf 2 bis 7 ist das erste Substrat 111 in einen Anzeigebereich DA und einen Nicht-Anzeige-Bereich NDA unterteilt. Im Nicht-Anzeige-Bereich NDA befindet sich ein Kontaktstellenbereich PA für Kontaktstellen.
Die Datenleitungen und die Gate-Leitungen, die die Datenleitungen kreuzen, können im Anzeigebereich DA vorgesehen sein. Pixel P, die ein Bild in einem Kreuzungsbereich der Datenleitung und der Gate-Leitung anzeigen, können im Anzeigebereich DA vorgesehen sein.
Die Pixel P können ein erstes Subpixel P1, ein zweites Subpixel P2 und ein drittes Subpixel P3 umfassen. Das erste Subpixel P1 ist dazu konfiguriert, rotfarbiges Licht zu emittieren, das zweite Subpixel P2 ist dazu konfiguriert, blaufarbiges Licht zu emittieren, und das dritte Subpixel P3 ist dazu konfiguriert, grünfarbiges Licht zu emittieren, sie sind jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Ein viertes Subpixel, das dazu konfiguriert ist, weißfarbiges Licht zu emittieren, kann im Anzeigebereich DA des ersten Substrats 111 vorgesehen sein.
Wenn ein Gate-Signal von der Gate-Leitung zu jedem der Subpixel P1, P2 und P3 zugeführt wird, wird ein vorbestimmter Strom zur Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer Datenspannung der Datenleitung zugeführt. Folglich kann die Lichtemissionsvorrichtung für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 Licht mit einer vorbestimmten Helligkeit gemäß dem vorbestimmten Strom emittieren. Außerdem führen die Leistungsleitungen eine Leistungsspannung zu jedem der Subpixel P1, P2 und P3 zu.
Mit Bezug auf 3 bis 7 sind ein Dünnschichttransistor TFT, ein dielektrischer Zwischenschichtfilm 115, eine erste Elektrode 120, eine Lichtemissionsschicht 130, eine zweite Elektrode 140, ein Einkapselungsfilm 160, ein Farbfilter 170 und ein Oxidisolationsfilm 150 über einer Oberfläche eines ersten Substrats 111 vorgesehen, die einem zweiten Substrat 112 zugewandt ist.
Das erste Substrat 111 kann aus Glas oder Kunststoff bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Das erste Substrat 111 kann aus einem Halbleitermaterial wie z. B. einem Siliziumwafer bestehen. Das erste Substrat 111 kann aus einem transparenten Material oder einem opaken Material bestehen.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann in einem Oberseitenemissionstyp ausgebildet sein, wobei emittiertes Licht nach oben fortschreitet, ist jedoch nicht auf diesen Typ begrenzt. Wenn die Anzeigevorrichtung im Oberseitenemissionstyp ausgebildet ist, wobei emittiertes Licht nach oben fortschreitet, kann das erste Substrat 111 aus einem opaken Material sowie einem transparenten Material ausgebildet sein.
Ein Schaltungselement, das verschiedene Signalleitungen, einen Dünnschichttransistor und einen Kondensator umfasst, ist über dem ersten Substrat 111 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen. Die Signalleitungen können eine Gate-Leitung, eine Datenleitung, eine Leistungsleitung und eine Referenzleitung umfassen. Der Dünnschichttransistor kann einen Schaltdünnschichttransistor, einen Ansteuerdünnschichttransistor TFT und einen Erfassungsdünnschichttransistor umfassen.
Der Schaltdünnschichttransistor wird durch ein Gate-Signal geschaltet, das zur Gate-Leitung zugeführt wird, und der Schaltdünnschichttransistor führt eine Datenspannung, die von der Datenleitung zugeführt wird, zum Ansteuerdünnschichttransistor TFT zu.
Der Ansteuerdünnschichttransistor TFT wird durch die Datenspannung geschaltet, die vom Schaltdünnschichttransistor zugeführt wird, und der Ansteuerdünnschichttransistor TFT erzeugt einen Datenstrom aus einer Leistungsquelle, die von der Leistungsleitung zugeführt wird, und führt den Datenstrom zur ersten Elektrode 120 zu.
Der Erfassungsdünnschichttransistor erfasst eine Abweichung einer Schwellenspannung im Ansteuerdünnschichttransistor TFT, die eine Verschlechterung der Bildqualität verursacht. Der Erfassungsdünnschichttransistor führt einen Strom des Ansteuerdünnschichttransistors TFT zur Referenzleitung in Reaktion auf ein Erfassungssteuersignal zu, das von der Gate-Leitung oder einer zusätzlichen Erfassungsleitung zugeführt wird.
Der Kondensator hält die Datenspannung, die zum Ansteuerdünnschichttransistor TFT zugeführt wird, für eine Rahmenperiode aufrecht, und der Kondensator ist mit jedem von Gate- und Source-Anschlüssen des Ansteuerdünnschichttransistors TFT verbunden.
Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 ist über dem Schaltungselement vorgesehen, das den Ansteuerdünnschichttransistor TFT umfasst. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer anorganischen Schicht ausgebildet sein und kann beispielsweise aus SiOx, SiNx oder einer Mehrfachschicht davon ausgebildet sein. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer organischen Schicht ausgebildet sein und kann beispielsweise aus einem Acrylharz, einem Epoxidharz, einem Phenolharz, einem Polyamidharz oder einem Polyimidharz ausgebildet sein. Alternativ kann der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 aus einer Mehrfachschicht ausgebildet sein, die aus mindestens einer anorganischen Schicht und mindestens einer organischen Schicht besteht.
Die erste Elektrode 120 ist so vorgesehen, dass sie über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert ist. Eine der ersten Elektrode ist im ersten Subpixel P1 strukturiert, eine andere erste Elektrode ist im zweiten Subpixel P2 strukturiert und eine andere erste Elektrode ist im dritten Subpixel P3 strukturiert.
Die erste Elektrode 120 ist mit dem Ansteuerdünnschichttransistor TFT verbunden. Im Einzelnen ist die erste Elektrode 120 mit einem Source-Anschluss oder einem Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT durch ein Kontaktloch CH verbunden, das durch den dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 verläuft, wodurch eine Spannung zum Emittieren von Licht an die erste Elektrode 120 angelegt wird. Die erste Elektrode 120 kann die Anodenelektrode sein.
Die erste Elektrode 120 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann mindestens eine Schicht umfassen, die aus einem ersten Material besteht. Zu dieser Zeit kann das erste Material ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen sein.
Die Anzeigevorrichtung kann in einem Oberseitenemissionstyp vorgesehen sein, in dem Licht, das von der Lichtemissionsschicht 130 emittiert wird, zu einem oberen Abschnitt emittiert wird. In diesem Fall kann die erste Elektrode 120 mindestens eine Schicht umfassen, die aus einem Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen besteht. Die erste Elektrode 120 kann das von der Lichtemissionsschicht 130 emittierte Licht in Richtung des oberen Abschnitts reflektieren.
Im Einzelnen kann die erste Elektrode 120 eine untere Elektrode 121, eine Reflexionselektrode 122 und eine obere Elektrode 123 umfassen.
Die untere Elektrode 121 ist über dem Zwischenschichtisolationsfilm 115 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen. Eine untere Elektrode ist im ersten Subpixel P1 vorgesehen, eine andere untere Elektrode ist im zweiten Subpixel P2 vorgesehen und die andere untere Elektrode ist im dritten Subpixel P3 vorgesehen.
Die untere Elektrode 121 ist mit einem Ansteuerdünnschichttransistor TFT verbunden. Im Einzelnen ist die untere Elektrode 121 mit einem Source-Anschluss oder einem Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT durch ein Kontaktloch CH verbunden, das durch den dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 verläuft, wodurch eine Spannung zum Emittieren von Licht an die untere Elektrode 121 angelegt wird.
Die untere Elektrode 121 kann eine transparente Elektrode sein, die aus einem transparenten Metallmaterial besteht. Die untere Elektrode 121 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet sein.
Die Reflexionselektrode 122 ist über der unteren Elektrode 121 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen. Eine Reflexionselektrode ist im ersten Subpixel P1 vorgesehen, eine andere Reflexionselektrode ist im zweiten Subpixel P2 vorgesehen und die andere Reflexionselektrode ist im dritten Subpixel P3 vorgesehen.
Die Reflexionselektrode 122 kann eine Reflexionselektrode sein, die Licht, das von der Lichtemissionsschicht 130 emittiert wird, in Richtung des oberen Abschnitts reflektiert. Die Reflexionselektrode 122 kann beispielsweise aus einem Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen wie z. B. A1, Ag und einer Ag-Legierung ausgebildet sein. Eine Ag-Legierung kann eine Legierung von Ag, Pd und Cu sein.
Die obere Elektrode 123 ist über der Reflexionselektrode 122 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen. Eine obere Elektrode ist im ersten Subpixel P1 vorgesehen, eine andere obere Elektrode ist im zweiten Subpixel P2 vorgesehen und die andere obere Elektrode ist im dritten Subpixel P3 vorgesehen.
Die obere Elektrode 123 ist mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT elektrisch verbunden. Im Einzelnen kann die obere Elektrode 123, wie in 4 gezeigt, mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT durch die untere Elektrode 121 und die Reflexionselektrode 122 elektrisch verbunden sein, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann direkt mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT verbunden sein.
Die obere Elektrode 123 kann eine transparente Elektrode sein, die aus einem transparenten Metallmaterial besteht. Die obere Elektrode 123 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet sein. Die untere Elektrode 121 und die obere Elektrode 123 können aus demselben Material ausgebildet sein oder können aus ihren jeweiligen Materialien, die voneinander verschieden sind, ausgebildet sein.
Obwohl 4 und 6 zeigen, dass die erste Elektrode 120 eine dreischichtige Struktur aufweist, ist die erste Elektrode 120 nicht auf die Beispiele von 4 und 6 begrenzt. Die erste Elektrode 120 muss nur eine Reflexionselektrode 122 umfassen, die aus einem Reflexionsmetallmaterial besteht, und die obere Elektrode 123 und/oder die untere Elektrode 121 können weggelassen werden.
In einer anderen Ausführungsform kann die erste Elektrode 120 eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die die Reflexionselektrode 122 umfasst. In noch einer anderen Ausführungsform kann die erste Elektrode 120 eine zweischichtige Struktur aufweisen, die die Reflexionselektrode 122 und die obere Elektrode 123 umfasst. In ferner noch einer anderen Ausführungsform kann die erste Elektrode 120 eine zweischichtige Struktur aufweisen, die die untere Elektrode 121 und die Reflexionselektrode 122 umfasst.
Der Oxidisolationsfilm 150 ist unter den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen. Der Oxidisolationsfilm 150 besteht aus einem zweiten Material und weist eine Isolationseigenschaft auf. Zu dieser Zeit kann das zweite Material ein Oxid eines ersten Materials sein, das die Reflexionselektrode 122 bildet. Das erste Material kann beispielsweise aus A1 bestehen und das zweite Material kann aus Aluminiumoxid (Al_xO_y) bestehen. Für ein anderes Beispiel kann das erste Material aus Ag bestehen und das zweite Material kann aus Ag_xO_y bestehen.
Der Oxidisolationsfilm 150 ist unter den ersten Elektroden 120 vorgesehen, die jeweils in den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind. Da der Oxidisolationsfilm 150 eine Isolationseigenschaft aufweist, kann der Oxidisolationsfilm 150 blockieren, dass die ersten Elektroden 120, die jeweils in den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, elektrisch miteinander verbunden werden.
Im Einzelnen ist der Oxidisolationsfilm 150 zwischen der ersten Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und der ersten Elektrode 120b, die in einem anderen benachbarten Subpixel vorgesehen ist, vorgesehen. Zu dieser Zeit kann der Oxidisolationsfilm 150 auf einer Seite von jeder der ersten Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und der ersten Elektrode 120b, die in einem anderen benachbarten Subpixel vorgesehen ist, vorgesehen sein.
Eine erste Seite der ersten Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, kann einer zweiten Seite der ersten Elektrode 120b zugewandt sein, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist. Der Oxidisolationsfilm 150 kann einen Oxidisolationsfilm 150a, der auf der ersten Seite der ersten Elektrode 120a vorgesehen ist, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und einen Oxidisolationsfilm 150b, der auf der zweiten Seite der ersten Elektrode 120b vorgesehen ist, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, umfassen. Zu dieser Zeit können der Oxidisolationsfilm 150a, der auf der ersten Seite der ersten Elektrode 120a vorgesehen ist, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und der Oxidisolationsfilm 150b, der auf der zweiten Seite der ersten Elektrode 120b vorgesehen ist, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, voneinander beabstandet sein, wie in 4 und 6 gezeigt, sind jedoch nicht auf die Beispiele von 4 und 6 begrenzt.
In einer anderen Ausführungsform können der Oxidisolationsfilm 150a, der auf der ersten Seite der ersten Elektrode 120a vorgesehen ist, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und der Oxidisolationsfilm 150b, der auf der zweiten Seite der ersten Elektrode 120b vorgesehen ist, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, miteinander verbunden sein, wie in 7 gezeigt. Das heißt, der Oxidisolationsfilm 150 kann von der Seite der ersten Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, zur Seite der ersten Elektrode 120b, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, erweitert sein.
Da die Oxidisolationsfilme 150a und 150b eine Isolationseigenschaft aufweisen, können die Oxidisolationsfilme blockieren, dass die erste Seite der ersten Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, mit der zweiten Seite der ersten Elektrode 120b, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, elektrisch verbunden wird. Daher können die erste Elektrode 120a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und die erste Elektrode 120b, die in einem anderen Subpixel vorgesehen ist, einander nicht elektrisch beeinflussen, selbst wenn ein Pixelintervall verringert ist.
Der Oxidisolationsfilm 150 kann auf der Seite der Reflexionselektrode 122 vorgesehen sein.
Der Oxidisolationsfilm 150 kann durch eine Änderung des ersten Materials, das die Reflexionselektrode 122 bildet, zum zweiten Material durch Plasmabehandlung ausgebildet werden. Im Einzelnen kann in einem Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung eine erste Materialschicht, die die Reflexionselektrode 122 bildet, über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 vorgesehen werden. Zu dieser Zeit kann die erste Materialschicht die Subpixel P1, P2 und P3 bedecken und eine größere Fläche als die Subpixel P1, P2 und P3 aufweisen, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die erste Materialschicht kann über einer ganzen Oberfläche vorgesehen sein, während sie die Subpixel P1, P2 und P3 bedeckt.
Wenn die erste Materialschicht, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 ausgebildet ist, unter Verwendung von O₂-Gas plasmabehandelt wird, wird das erste Material zum zweiten Material geändert. Zu dieser Zeit kann der Abschnitt der ersten Materialschicht, der vom ersten Material zum zweiten Material geändert wird, zum Oxidisolationsfilm 150 werden und ein anderer Abschnitt der ersten Materialschicht, wo das erste Material verbleibt, kann zur Reflexionselektrode 122 werden. Folglich wird der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 ausgebildet.
Der Oxidisolationsfilm 150 wird nicht in einer Schicht ausgebildet, die von der Reflexionselektrode 122 verschieden ist, und kann in einem einzelnen Körper mit der Reflexionselektrode 122 ausgebildet werden. Ein Abschnitt in einer Schicht wird zum Oxidisolationsfilm 150 und der andere in einer Schicht wird zur Reflexionselektrode 122. Daher wird der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 vorgesehen, wird jedoch nicht auf einer oberen Oberfläche oder unteren Oberfläche der Reflexionselektrode 122 vorgesehen.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Reflexionselektrode 122 einen Lichtemissionsbereich EA von jedem der Subpixel P1, P2 und P3 definieren. Das heißt, Bereiche in den Subpixeln P1, P2 und P3, in denen die Reflexionselektrode 122 vorgesehen ist, können zu Lichtemissionsbereichen EA1, EA2 und EA3 werden.
Unterdessen kann die erste Elektrode 120 mindestens eine Schicht umfassen, die zwischen der Reflexionselektrode 122 und dem Zwischenschichtisolationsfilm 115 vorgesehen ist. In diesem Fall kann der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 und einer Seite mindestens einer Schicht, die zwischen der Reflexionselektrode 122 und dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 vorgesehen ist, vorgesehen sein.
Wenn beispielsweise die untere Elektrode 121 zwischen der Reflexionselektrode 122 und dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 vorgesehen ist, kann der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 und der Seite der unteren Elektrode 121 vorgesehen sein. Im Einzelnen kann im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung die untere Elektrode 121 so vorgesehen werden, dass sie über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird. Zu dieser Zeit kann die untere Elektrode 121 in jedem der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden, so dass sie im Wesentlichen dieselbe Fläche wie die Subpixel P1, P2 und P3 aufweist. Dann kann die erste Materialschicht, die die Reflexionselektrode 122 bildet, über der unteren Elektrode 121 ausgebildet werden. Zu dieser Zeit kann die erste Materialschicht strukturiert werden, um die Subpixel P1, P2 und P3 zu bedecken, und eine größere Fläche aufweisen als die Subpixel P1, P2 und P3, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die erste Materialschicht kann über der ganzen Oberfläche ausgebildet werden, während sie die Subpixel P1, P2 und P3 bedeckt. Da die erste Materialschicht eine Fläche aufweist, die breiter ist als die untere Elektrode 121, kann die erste Materialschicht so ausgebildet werden, dass sie die Seite der unteren Elektrode 121 bedeckt.
Wenn das erste Material, das in den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, unter Verwendung von O₂-Gas plasmabehandelt wird, wird das erste Material zu dem zweiten Material geändert. Zu dieser Zeit kann der Abschnitt der ersten Materialschicht, der vom ersten Material zum zweiten Material geändert wird, zum Oxidisolationsfilm 150 werden und ein anderer Abschnitt der ersten Materialschicht, wo das erste Material verbleibt, kann zur Reflexionselektrode 122 werden. Folglich kann der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 und der Seite der unteren Elektrode 121 ausgebildet werden.
Die Lichtemissionsschicht 130 ist über der ersten Elektrode 120 vorgesehen. Die Lichtemissionsschicht 130 kann eine weiße Lichtemissionsschicht sein, die weißes Licht emittiert. In diesem Fall kann die Lichtemissionsschicht 130 eine gemeinsame Schicht sein, die gemeinsam in den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist.
Die Lichtemissionsschicht 130, wie in 4 gezeigt, umfasst einen ersten Stapel 131, der Licht einer ersten Farbe emittiert, einen zweiten Stapel 133, der Licht einer zweiten Farbe emittiert, und eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) 132, die zwischen dem ersten Stapel und dem zweiten Stapel vorgesehen ist.
Der erste Stapel 131 ist über der ersten Elektrode 120 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen. Im Einzelnen kann der erste Stapel 131 einen ersten Stapel 131a, der in einem Subpixel vorgesehen ist, und einen ersten Stapel 131b, der in einem anderen benachbarten Pixel vorgesehen ist, umfassen. Zu dieser Zeit sind der erste Stapel 131a, der in einem Subpixel vorgesehen ist, und der erste Stapel 131b, der in einem anderen benachbarten Pixel vorgesehen ist, voneinander beabstandet, wie in 4, 5 und 6 gezeigt.
Im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung können Materialschichten, die den ersten Stapel 131 bilden, über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115, der ersten Elektrode 120 und dem Oxidisolationsfilm 150 ohne Verwendung einer Maske vorgesehen werden. Dann können die Materialschichten, die den ersten Stapel 131 bilden, der unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, durch Plasmabehandlung entfernt werden. Daher kann der erste Stapel 131 so vorgesehen werden, dass er für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird.
O₂-Gas kann für die Plasmabehandlung zum Ausbilden des ersten Stapels 131 verwendet werden und diese Plasmabehandlung kann gleich jener zum Ausbilden des Oxidisolationsfilms 150 sein. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Oxidisolationsfilm 150 und der erste Stapel 131 gleichzeitig durch einmalige Plasmabehandlung ausgebildet werden. In diesem Fall kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Bereich zum Ausbilden der Reflexionselektrode 122 im Wesentlichen gleich wie ein Bereich zum Ausbilden des ersten Stapels 131 sein. Dies liegt daran, dass die Reflexionselektrode 122 und der erste Stapel 131 in einem Bereich ausgebildet werden, der während der Plasmabehandlung nicht dem O₂-Gas ausgesetzt wird.
Der erste Stapel 131 kann in einer Abscheidungsstruktur vorgesehen werden, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochinjektionsschicht (HIL), einer Lochtransportschicht (HTL), einer ersten Emissionsschicht (EML1), die dazu konfiguriert ist, erstes farbiges Licht zu emittieren, und einer Elektronentransportschicht (ETL) erhalten wird, ist jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Die erste Emissionsschicht (EML1) kann mindestens eine unter einer roten Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, rotfarbiges Licht zu emittieren, einer grünen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, grünfarbiges Licht zu emittieren, einer blauen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, blaufarbiges Licht zu emittieren, und einer gelben Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, gelbfarbiges Licht zu emittieren, sein, ist jedoch nicht auf diese Typen begrenzt.
Die Ladungserzeugungsschicht 132 ist so vorgesehen, dass sie über dem ersten Stapel 131 für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert ist. Im Einzelnen umfasst die Ladungserzeugungsschicht 132 eine Ladungserzeugungsschicht 132a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und eine Ladungserzeugungsschicht 132b, die in einem anderen benachbarten Subpixel vorgesehen ist. Zu dieser Zeit sind die Ladungserzeugungsschicht 132a, die in einem Subpixel vorgesehen ist, und die Ladungserzeugungsschicht 132b, die in einem anderen benachbarten Pixel vorgesehen ist, voneinander beabstandet, wie in 4, 5 und 6 gezeigt.
Im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung können Materialschichten, die den ersten Stapel 131 bilden, über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115, der ersten Elektrode 120 und dem Oxidisolationsfilm 150 ohne Verwendung einer Maske vorgesehen werden. Dann kann eine Materialschicht, die die Ladungserzeugungsschicht 132 bildet, über den Materialschichten, die den ersten Stapel 131 bilden, ohne Verwendung einer Maske ausgebildet werden. Dann können die Materialschichten, die den ersten Stapel 131 bilden, der unter den Subpixeln P1, P2 und P3 ausgebildet ist, und die Materialschicht, die die Ladungserzeugungsschicht 132 bildet, durch Plasmabehandlung entfernt werden. Daher können der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden.
O₂-Gas kann für die Plasmabehandlung zum Ausbilden des ersten Stapels 131 und der Ladungserzeugungsschicht 132 verwendet werden, und diese Plasmabehandlung kann gleich jener zum Ausbilden des Oxidisolationsfilms 150 sein. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Oxidisolationsfilm 150, der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 gleichzeitig durch einmalige Plasmabehandlung ausgebildet werden. In diesem Fall können in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Bereich zum Ausbilden der Reflexionselektrode 122, ein Bereich zum Ausbilden des ersten Stapels 131 und ein Bereich zum Ausbilden der Ladungserzeugungsschicht 132 im Wesentlichen zueinander gleich sein. Dies liegt daran, dass die Reflexionselektrode 122, der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 in einem Bereich ausgebildet werden, der während der Plasmabehandlung nicht dem O₂-Gas ausgesetzt wird.
Die Ladungserzeugungsschicht 132 kann aus einer abgeschiedenen Struktur einer Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ zum Zuführen von Elektronen zum ersten Stapel 131 und einer Ladungserzeugungsschicht vom P-Typ zum Zuführen von Löchern zum zweiten Stapel 133 ausgebildet werden.
Der zweite Stapel 133 ist über der Ladungserzeugungsschicht 132 vorgesehen. Der zweite Stapel 133 ist in den Subpixeln P1, P2 und P3 und unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen. Das heißt, der zweite Stapel 133 ist auch unter den Subpixeln P1, P2 und P3 im Gegensatz zum ersten Stapel 131 und zur Ladungserzeugungsschicht 132 verbunden.
Der zweite Stapel 133 kann auf der Seite von jedem des ersten Stapels 131 und der Ladungserzeugungsschicht 132 vorgesehen sein, die durch Plasmabehandlung freigelegt werden. Wenn die obere Elektrode 123 über der Reflexionselektrode 122 vorgesehen ist, kann auch der zweite Stapel 133 auf der Seite der oberen Elektrode vorgesehen sein, die freigelegt ist, da der Oxidisolationsfilm 150 nicht darauf ausgebildet ist. Der zweite Stapel 133 kann auf der Seite der oberen Elektrode 123 ausgebildet sein, wodurch verhindert werden kann, dass die zweite Elektrode 140 und die obere Elektrode 123 kurzgeschlossen werden.
Der zweite Stapel 133 kann in einer Abscheidungsstruktur vorgesehen sein, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochtransportschicht (HTL), einer zweiten Emissionsschicht (EML2), die dazu konfiguriert ist, zweites farbiges Licht zu emittieren, einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) erhalten wird, ist jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Die zweite Emissionsschicht (EML2) kann mindestens eine unter einer roten Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, rotfarbiges Licht zu emittieren, einer grünen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, grünfarbiges Licht zu emittieren, einer blauen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, blaufarbiges Licht zu emittieren, und einer gelben Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, gelbfarbiges Licht zu emittieren, sein, ist jedoch nicht auf diese Typen begrenzt.
Die zweite Emissionsschicht (EML2) kann Licht emittieren, dessen Farbe von jener der ersten Emissionsschicht (EML1) verschieden ist. Die erste Emissionsschicht (EML1) kann beispielsweise die blaue Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das blaufarbige Licht zu emittieren, und die zweite Emissionsschicht (EML2) kann die gelbe Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das gelbfarbige Licht zu emittieren. In einer anderen Weise kann die erste Emissionsschicht (EML1) die blaue Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das blaufarbige Licht zu emittierten, und die zweite Emissionsschicht (EML2) kann die rote Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, das rotfarbige Licht zu emittieren, und die grüne Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, das grünfarbige Licht zu emittieren, sein.
Da in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Ladungserzeugungsschichten 132 der Subpixel P1, P2 und P3 voneinander beabstandet sind, ist es schwierig, Ladungen durch die Ladungserzeugungsschicht 132 unter den benachbarten Subpixeln P1, P2 und P3 zu bewegen. Die Lichtemissionsschicht 130 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ermöglichen, dass die benachbarten Subpixel P1, P2 und P3 durch einen Kriechstrom innerhalb eines minimalen Bereichs beeinflusst werden.
Die zweite Elektrode 140 ist über der Lichtemissionsschicht 130 vorgesehen. Die zweite Elektrode 140 kann eine gemeinsame Schicht sein, die gemeinsam für die Subpixel P1, P2 und P3 vorgesehen ist.
Die zweite Elektrode 140 kann aus einem transparenten Metallmaterial, einem halbdurchlässigen Metallmaterial oder einem Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen ausgebildet sein. Wenn die Anzeigevorrichtung im Oberseitenemissionstyp ausgebildet ist, kann die zweite Elektrode 140 aus einem transparenten Metallmaterial (transparenten leitfähigen Material, TCO) ausgebildet sein, das in der Lage ist, Licht durch dieses durchzulassen, beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO), oder kann aus einem halbdurchlässigen Metallmaterial (halbdurchlässigen leitfähigen Material), beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung aus Magnesium (Mg) und Silber (Ag), ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 140 kann eine Kathodenelektrode sein.
Der Einkapselungsfilm 160 kann so vorgesehen sein, dass er über der zweiten Elektrode 140 liegt. Der Einkapselungsfilm 160 dient zum Verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die zweite Elektrode 140 und die Lichtemissionsschicht 130 eindringt. Dazu kann der Einkapselungsfilm 160 mindestens einen anorganischen Film und mindestens einen organischen Film umfassen.
Im Einzelnen kann der Einkapselungsfilm 160 einen ersten anorganischen Film und einen organischen Film umfassen. In einer Ausführungsform kann der Einkapselungsfilm 160 ferner einen zweiten anorganischen Film umfassen.
Der erste anorganische Film ist so vorgesehen, dass er über der zweiten Elektrode 140 liegt. Der organische Film ist über dem ersten anorganischen Film vorgesehen. Es ist bevorzugt, dass der organische Film mit einer ausreichenden Dicke ausgebildet wird, um zu verhindern, dass Partikel in die Lichtemissionsschicht 130 und die zweite Elektrode 140 eindringen, indem sie durch den ersten anorganischen Film hindurchtreten. Der zweite anorganische Film ist so vorgesehen, dass er über dem organischen Film liegt.
Jeder des ersten anorganischen Films und des zweiten anorganischen Films kann aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid ausgebildet sein. Der erste und der zweite anorganische Film können durch ein Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder ein Atomschichtabscheidungsverfahren (ALD-Verfahren) abgeschieden werden, sind jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt.
Der organische Film kann aus Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz ausgebildet sein. Der organische Film kann durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren, ein Druckverfahren oder ein Schlitzbeschichtungsverfahren erhalten werden, ist jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt. Der organische Film kann durch ein Tintenstrahlverfahren erhalten werden.
Das Farbfilter 170 ist über dem Einkapselungsfilm 160 vorgesehen. Das Farbfilter 170 umfasst ein erstes Farbfilter CF1, ein zweites Farbfilter CF2 und ein drittes Farbfilter CF3, die so angeordnet sind, dass sie jeweils den Subpixeln P1, P2 und P3 entsprechen. Das erste Farbfilter CF1 kann ein rotes Farbfilter sein, das rotes Licht durchlässt, das zweite Farbfilter CF2 kann ein grünes Farbfilter sein, das grünes Licht durchlässt, und das dritte Farbfilter CF3 kann ein blaues Farbfilter sein, das blaues Licht durchlässt.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der ersten Elektrode 120 vorgesehen. Der Oxidisolationsfilm 150 kann in einer solchen Weise ausgebildet sein, dass ein erstes Material, das in der ersten Elektrode 120 enthalten ist, oxidiert wird. Das heißt, ein Abschnitt in einer Schicht wird zum Oxidisolationsfilm 150 und der andere in einer Schicht wird zur ersten Elektrode 120, exakt der Reflexionselektrode 122.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine separate Bank nicht unter den ersten Elektroden 120 vorgesehen sein, die in den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind. In der Anzeigevorrichtung des Standes der Technik ist eine Bank unter den ersten Elektroden 120 vorgesehen, die in den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind. In diesem Fall ist in der Anzeigevorrichtung des Standes der Technik ein Intervall unter den ersten Elektroden 120, die in den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, in Anbetracht einer Entwurfstoleranz zum Ausbilden einer Bank entworfen. Daher weist die Anzeigevorrichtung des Standes der Technik eine Begrenzung beim Verringern des Intervalls unter den Subpixeln P1, P2 und P3 auf.
In der Anzeigevorrichtung des Standes der Technik wird auch, nachdem die erste Elektrode 120 so ausgebildet ist, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert ist, die Bank ausgebildet. Zu dieser Zeit wird die Bank so ausgebildet, dass sie über Enden der ersten Elektrode 120 liegt, die so ausgebildet ist, dass sie in jedem der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert ist. Die Bank wird auch an einer oberen Ecke der ersten Elektrode 120 sowie der Seite der ersten Elektrode 120 ausgebildet. In dieser Weise wird, wenn die Bank über der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 120 ausgebildet wird, der Lichtemissionsbereich verringert.
Wenn eine ultrahohe Auflösung wie z. B. eine am Kopf angebrachte Anzeige erforderlich ist, wird auch ein Lichtemissionsbereich eines Subpixels kleiner und eine Stromdichte wird höher, wodurch insofern ein Problem auftritt, als die Elementlebensdauer verringert wird.
Da in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Abschnitt in einer Schicht zum Oxidisolationsfilm 150 wird und der andere in einer Schicht zur Reflexionselektrode 122 wird, wird der Oxidisolationsfilm 150 auf der Seite der Reflexionselektrode 122 vorgesehen, wird jedoch nicht über der oberen Oberfläche oder unteren Oberfläche der Reflexionselektrode 122 vorgesehen. Daher können in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Bereiche, in denen die Reflexionselektrode 122 ausgebildet wird, zu Lichtemissionsbereichen EA1, EA2 und EA3 werden. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Lichtemissionsbereiche EA1, EA2 und EA3 vergrößert oder maximiert werden. Daher kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Öffnungsrate maximiert oder erhöht werden, um eine Stromdichte zu minimieren oder zu verringern und die Elementlebensdauer zu verbessern.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden auch die Reflexionselektrode 122 und der Oxidisolationsfilm 150 als eine Schicht, nicht als separate Schicht ausgebildet. Da der Oxidisolationsfilm 150 nicht über der Reflexionselektrode 122 durch einen separaten Prozess ausgebildet wird, ist daher eine Entwurfstoleranz zum Ausbilden des Oxidisolationsfilms 150 kleiner als eine Entwurfstoleranz zum Ausbilden der Bank. Daher kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Intervall unter den Subpixeln P1, P2 und P3 verringert oder minimiert werden.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können auch der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschichten 132 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden. Da es in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schwierig ist, Ladungen durch die Ladungserzeugungsschicht 132 unter den benachbarten Subpixeln P1, P2 und P3 zu bewegen, kann verhindert werden, dass ein Kriechstrom unter den Subpixeln P1, P2 und P3 auftritt.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können auch der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschichten 132, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, durch einmalige Plasmabehandlung entfernt werden und gleichzeitig kann der Oxidisolationsfilm 150 ausgebildet werden. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 so, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden, selbst ohne Verwendung einer separaten Maske ausgebildet werden. Daher kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Herstellungsprozess vereinfacht werden und daher können Herstellungskosten verringert werden.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind auch die zweiten Stapel 133 der Lichtemissionsschicht 130 unter den Subpixeln P1, P2 und P3 verbunden. Selbst wenn die Seite der ersten Elektrode 120 durch Plasmabehandlung teilweise freigelegt wird, kann daher verhindert werden, dass die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 140 kurzgeschlossen werden.
Unterdessen ist eine weiße Lichtemissionsschicht gemeinsam für die Subpixel P1, P2 und P3 in der Beschreibung von 4 bis 7 vorgesehen, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. In einer anderen Ausführungsform kann die Anzeigevorrichtung eine rote Lichtemissionsschicht, eine grüne Lichtemissionsschicht und eine blaue Lichtemissionsschicht jeweils für die Subpixel P1, P2 und P3 umfassen. Nachstehend wird die Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 8 im Einzelnen beschrieben.
8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 9 ist eine detaillierte Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer ersten Elektrode, einer Lichtemissionsschicht und einer zweiten Elektrode einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Mit Bezug auf 8 und 9 kann die Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 111, einen Ansteuerdünnschichttransistor TFT, einen dielektrischen Zwischenschichtfilm 115, eine erste Elektrode 120, eine Lichtemissionsschicht 130, eine zweite Elektrode 140, einen Einkapselungsfilm 160 und einen Oxidisolationsfilm 150 umfassen.
Da das erste Substrat 111, der Ansteuerdünnschichttransistor TFT, der dielektrische Zwischenschichtfilm 115, die erste Elektrode 120, der Einkapselungsfilm 160 und der Oxidisolationsfilm 150, die in 8 gezeigt sind, im Wesentlichen gleich oder ähnlich wie das erste Substrat 111, der Ansteuerdünnschichttransistor TFT, der dielektrische Zwischenschichtfilm 115, die erste Elektrode 120, der Einkapselungsfilm 160 und der Oxidisolationsfilm 150 sind, die in 4 bis 7 gezeigt sind, wird auf ihre ausführliche Beschreibung verzichtet.
Die Lichtemissionsschicht 130 gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine rote Lichtemissionsschicht, eine grüne Lichtemissionsschicht und eine blaue Lichtemissionsschicht sein. In diesem Fall können die rote Lichtemissionsschicht, die grüne Lichtemissionsschicht und die blaue Lichtemissionsschicht jeweils so ausgebildet werden, dass sie für die Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden. Die rote Lichtemissionsschicht kann beispielsweise so ausgebildet werden, dass sie im ersten Subpixel P1 strukturiert wird, die grüne Lichtemissionsschicht kann so ausgebildet werden, dass sie im zweiten Subpixel P2 strukturiert wird, und die blaue Lichtemissionsschicht kann so ausgebildet werden, dass sie im dritten Subpixel P3 strukturiert wird.
Im Einzelnen, wie in 8 und 9 gezeigt, kann die Lichtemissionsschicht 130 eine erste Lichtemissionsschicht 134, eine zweite Lichtemissionsschicht 135, eine dritte Lichtemissionsschicht 136 und eine gemeinsame Schicht 137 umfassen. Die erste Lichtemissionsschicht 134 ist so vorgesehen, dass sie im ersten Subpixel P1 strukturiert ist, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer ersten Lichtemissionsschicht EML1, die Licht einer ersten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL, die in passender Reihenfolge abgeschieden sind, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die erste Lichtemissionsschicht EML1 kann rotes Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Die zweite Lichtemissionsschicht 135 ist so vorgesehen, dass sie im zweiten Subpixel P2 strukturiert ist, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer zweiten Lichtemissionsschicht EML2, die Licht einer zweiten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL umfassen, die in passender Reihenfolge abgeschieden sind, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die zweite Lichtemissionsschicht EML2 kann grünes Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Die dritte Lichtemissionsschicht 136 ist so vorgesehen, dass sie im dritten Subpixel P3 strukturiert ist, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer dritten Lichtemissionsschicht EML3, die Licht einer dritten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL, die in passender Reihenfolge abgeschieden sind, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die dritte Lichtemissionsschicht EML3 kann blaues Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Die gemeinsame Schicht 137 kann gemeinsam für das erste Subpixel P1, das zweite Subpixel P2 und das dritte Subpixel P3 vorgesehen sein. Die gemeinsame Schicht 137 kann auch unter dem ersten Subpixel P1, dem zweiten Subpixel P2 und dem dritten Subpixel P3 vorgesehen sein. Wenn die obere Elektrode 123 über der Reflexionselektrode 122 vorgesehen ist, kann daher die gemeinsame Schicht 137 auf der Seite der oberen Elektrode 123 vorgesehen sein, die freiliegt, da der Oxidisolationsfilm 150 nicht darauf ausgebildet ist. Die gemeinsame Schicht 137 kann auf der Seite der oberen Elektrode 123 vorgesehen sein, wodurch verhindert werden kann, dass die zweite Elektrode 140 und die obere Elektrode 123 kurzgeschlossen werden.
Die gemeinsame Schicht 137 kann eine abgeschiedene Struktur einer Elektronentransportschicht ETL und einer Elektroneninjektionsschicht EIL umfassen, die in passender Reihenfolge abgeschieden sind, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Obwohl 8 zeigt, dass der Oxidisolationsfilm 150 mit einem anderen Oxidisolationsfilm 150 unter den Subpixeln P1, P2 und P3 verbunden ist, ist der Oxidisolationsfilm 150 unterdessen nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Der Oxidisolationsfilm 150 kann so ausgebildet sein, dass er auf der Seite von jeder der ersten Elektroden 120 strukturiert ist, wie in 4 gezeigt.
Obwohl 8 zeigt, dass die Reflexionselektrode 122 eine Fläche aufweist, die kleiner ist als jene der unteren Elektrode 121, ist auch die Reflexionselektrode 122 nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die Reflexionselektrode 122 kann eine Fläche, die dieselbe wie oder breiter als jene der unteren Elektrode 121 ist, gemäß einem Produktentwurf aufweisen.
10 ist ein Ablaufplan, der ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 11A bis 11J sind Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
Zuallererst werden das Schaltungselement und der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 über dem Substrat 111 ausgebildet (S1001).
Genauer wird, wie in 11A gezeigt, der Ansteuerdünnschichttransistor TFT über dem Substrat 111 ausgebildet. Dann wird der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 über dem Ansteuerdünnschichttransistor TFT ausgebildet. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer anorganischen Schicht ausgebildet werden und kann beispielsweise aus SiOx, SiNx oder einer Mehrfachschicht davon ausgebildet werden. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer organischen Schicht ausgebildet werden und kann beispielsweise aus einem Acrylharz, einem Epoxidharz, einem Phenolharz, einem Polyamidharz oder einem Polyimidharz ausgebildet werden. Alternativ kann der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 aus einer Mehrfachschicht ausgebildet werden, die aus mindestens einer anorganischen Schicht und mindestens einer organischen Schicht besteht.
Dann wird eine Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet (S1002). Genauer, wie in 11B gezeigt, wird die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die aus einem ersten Material besteht, über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 ausgebildet. Zu dieser Zeit kann die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 strukturiert werden, um die Subpixel P1, P2 und P3 zu bedecken, und eine größere Fläche als die Subpixel P1, P2 und P3 aufweisen, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 kann über der ganzen Oberfläche ausgebildet werden, während sie die Subpixel P1, P2 und P3 bedeckt. Das erste Material kann ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen sein, wie z. B. A1, Ag und eine Ag-Legierung. Die Ag-Legierung kann eine Legierung von Ag, Pd und Cu sein.
Unterdessen kann in einer Ausführungsform, wie in 11B gezeigt, bevor die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet wird, die untere Elektrode 121 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Wenn die untere Elektrode 121 so ausgebildet wird, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, kann die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 so ausgebildet werden, dass sie eine Fläche aufweist, die breiter ist als jene der unteren Elektrode 121, die in jedem der Subpixel P1, P2 und P3 ausgebildet wird. Das heißt, die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 kann so ausgebildet werden, dass sie die Seite der unteren Elektrode 121 bedeckt.
Wenn die untere Elektrode 121 ausgebildet wird, kann die untere Elektrode 121 mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT durch das Kontaktloch CH für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 verbunden werden. Die untere Elektrode 121 kann aus einem transparenten leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet werden.
In einer Ausführungsform, wie in 11B gezeigt, kann unterdessen, nachdem die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet ist, die obere Elektrode 123 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann so ausgebildet werden, dass sie dieselbe Fläche wie jene der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 aufweist, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann so ausgebildet werden, dass sie dieselbe Fläche wie jene der unteren Elektrode 121 aufweist. In diesem Fall können die obere Elektrode 123 und die untere Elektrode 121 so ausgebildet werden, dass sie unter Verwendung derselben Maske strukturiert werden.
Wenn die obere Elektrode 123 ausgebildet wird, kann die obere Elektrode 123 aus einem transparenten leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet werden.
Als nächstes werden der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 ausgebildet (S1003). Im Einzelnen wird, wie in 11C gezeigt, der erste Stapel 131 über der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet. Der erste Stapel 131 kann durch einen Abscheidungsprozess oder einen Lösungsprozess ausgebildet werden. Wenn der erste Stapel 131 durch einen Abscheidungsprozess ausgebildet wird, kann der erste Stapel 131 unter Verwendung eines Verdampfungsverfahrens ausgebildet werden.
Der erste Stapel 131 kann in einer Abscheidungsstruktur ausgebildet werden, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochinjektionsschicht (HIL), einer Lochtransportschicht (HTL), einer ersten Emissionsschicht (EML1), die dazu konfiguriert ist, erstes farbiges Licht zu emittieren, und einer Elektronentransportschicht (ETL) erhalten wird, ist jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Die erste Emissionsschicht (EML1) kann mindestens eine unter einer roten Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, rotfarbiges Licht zu emittieren, einer grünen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, grünfarbiges Licht zu emittieren, einer blauen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, blaufarbiges Licht zu emittieren, und einer gelben Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, gelbfarbiges Licht zu emittieren, sein, ist jedoch nicht auf diese Typen begrenzt.
Wie in 11D gezeigt, wird dann die Ladungserzeugungsschicht 132 über dem ersten Stapel 131 ausgebildet. Die Ladungserzeugungsschicht 132 kann aus einer abgeschiedenen Struktur einer Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ zum Zuführen von Elektronen zum ersten Stapel 131 und einer Ladungserzeugungsschicht vom P-Typ zum Zuführen von Löchern zum zweiten Stapel 133 ausgebildet werden.
Als nächstes werden die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 einer Plasmabehandlung unterzogen (S1004). Wie in 11E gezeigt, wird im Einzelnen eine Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, den ersten Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, unter Verwendung von O₂-Gas durchgeführt.
Eine Abschirmungsschicht 180 wird so ausgebildet, dass sie über der Ladungserzeugungsschicht 132 strukturiert wird. Zu dieser Zeit kann die Abschirmungsschicht 180 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, so dass die Ladungserzeugungsschicht 132, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, freigelegt werden kann. Als nächstes kann eine Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, den ersten Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, unter Verwendung von O₂-Gas durchgeführt werden. Dann kann die Abschirmungsschicht 180 entfernt werden.
Wie in 11F gezeigt, werden der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, durch Plasmabehandlung unter Verwendung von O₂-Gas entfernt. Daher können der erste Stapel 131 und die Ladungserzeugungsschicht 132 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert werden.
Die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die unter den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, wird von einem ersten Material zu einem zweiten Material durch Plasmabehandlung unter Verwendung von O₂-Gas geändert. Zu dieser Zeit kann der Abschnitt der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, der vom ersten Material zum zweiten Material geändert wird, zum Oxidisolationsfilm 150 werden und ein anderer Abschnitt der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, wo das erste Material verbleibt, kann zur Reflexionselektrode 122 werden. Das zweite Material kann ein Oxid eines Reflexionsmetallmaterials, beispielsweise Al_xO_y oder Ag_xO_y, sein.
Wenn das Reflexionsmetallmaterial wie z. B. A1 und Ag dem O₂-Gas für eine bestimmte Zeitdauer ausgesetzt wird, wird das Reflexionsmetallmaterial zu Al_xO_y oder Ag_xO_y geändert. Zu dieser Zeit weist das Metalloxid, das durch Plasmabehandlung unter Verwendung von O₂-Gas geändert wird, einen erhöhten Widerstand von 1 × 10⁶ Ω·cm oder mehr auf und weist eine Isolationseigenschaft auf. Daher weist der Oxidisolationsfilm 150 eine Isolationseigenschaft auf und kann blockieren, dass die Reflexionselektroden 122, die jeweils in den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, elektrisch verbunden werden.
Als nächstes wird der zweite Stapel 133 ausgebildet (S1005). Wie in 11G gezeigt, wird im Einzelnen der zweite Stapel 133 über der Ladungserzeugungsschicht 132 und dem Oxidisolationsfilm 150 ausgebildet. Der zweite Stapel 133 kann durch einen Abscheidungsprozess oder einen Lösungsprozess ausgebildet werden. Wenn der zweite Stapel 133 durch einen Abscheidungsprozess ausgebildet wird, kann der zweite Stapel 133 unter Verwendung eines Verdampfungsverfahrens ausgebildet werden. Zu dieser Zeit wird der zweite Stapel 133 mit einem anderen zweiten Stapel 133 unter den Subpixeln P1, P2 und P3 verbunden.
Der zweite Stapel 133 kann in einer Abscheidungsstruktur ausgebildet werden, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochtransportschicht (HTL), einer zweiten Emissionsschicht (EML2), die dazu konfiguriert ist, zweites farbiges Licht zu emittierten, einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) erhalten wird, ist jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Die zweite Emissionsschicht (EML2) kann mindestens eine unter einer roten Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, rotfarbiges Licht zu emittieren, einer grünen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, grünfarbiges Licht zu emittieren, einer blauen Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, blaufarbiges Licht zu emittieren, und einer gelben Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, gelbfarbiges Licht zu emittieren, sein, ist jedoch nicht auf diese Typen begrenzt.
Die zweite Emissionsschicht (EML2) kann Licht emittieren, deren Farbe von jener der ersten Emissionsschicht (EML1) verschieden ist. Die erste Emissionsschicht (EML1) kann beispielsweise die blaue Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das blaufarbige Licht zu emittieren, und die zweite Emissionsschicht (EML2) kann die gelbe Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das gelbfarbige Licht zu emittieren. In einer anderen Weise kann die erste Emissionsschicht (EML1) die blaue Emissionsschicht sein, die dazu konfiguriert ist, das blaufarbige Licht zu emittieren, und die zweite Emissionsschicht (EML2) kann die rote Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, das rotfarbige Licht zu emittieren, und die grüne Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, das grünfarbige Licht zu emittieren, sein.
Als nächstes wird die zweite Elektrode 140 ausgebildet (S1006). Genauer wird, wie in 11H gezeigt, die zweite Elektrode 140 über der Lichtemissionsschicht 130 ausgebildet. Die zweite Elektrode 140 kann durch ein Verfahren zur physikalischen Gasphasenabscheidung wie z. B. Sputtern ausgebildet werden. Alternativ kann die zweite Elektrode 140 durch ein Verdampfungsverfahren ausgebildet werden.
Wenn die Anzeigevorrichtung im Oberseitenemissionstyp ausgebildet wird, kann die zweite Elektrode 140 aus einem transparenten Metallmaterial (transparenten leitfähigen Material, TCO) ausgebildet werden, das in der Lage ist, Licht durch dieses durchzulassen, beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO), oder kann aus einem halbdurchlässigen Metallmaterial (halbdurchlässigen leitfähigen Material) ausgebildet werden, beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung aus Magnesium (Mg) und Silber (Ag). Die zweite Elektrode 140 kann eine Kathodenelektrode sein.
Als nächstes wird der Einkapselungsfilm 160 ausgebildet (S1007). Genauer wird, wie in 11I gezeigt, der Einkapselungsfilm 160 über der zweiten Elektrode 140 ausgebildet. Der Einkapselungsfilm 160 kann einen ersten anorganischen Film und einen organischen Film umfassen. In einer Ausführungsform kann der Einkapselungsfilm 160 ferner einen zweiten anorganischen Film umfassen.
Der erste anorganische Film wird über der zweiten Elektrode 140 ausgebildet. Dann wird der organische Film über dem ersten anorganischen Film ausgebildet. Es ist bevorzugt, dass der organische Film mit einer ausreichenden Dicke ausgebildet wird, um zu verhindern, dass Partikel in die Lichtemissionsschicht 130 und die zweite Elektrode 140 eindringen, indem sie durch den ersten anorganischen Film hindurchtreten. Dann wird der zweite anorganische Film über dem organischen Film ausgebildet.
Jeder des ersten anorganischen Films und des zweiten anorganischen Films kann aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid ausgebildet werden. Der erste und der zweite anorganische Film können durch ein Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder ein Atomschichtabscheidungsverfahren (ALD-Verfahren) ausgebildet werden, sind jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt.
Der organische Film kann aus Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz ausgebildet werden. Der organische Film kann durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren, ein Druckverfahren oder ein Schlitzbeschichtungsverfahren erhalten werden, ist jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt. Der organische Film kann durch ein Tintenstrahlverfahren erhalten werden.
Dann wird das Farbfilter 170 ausgebildet (S1008). Genauer wird, wie in 11J gezeigt, das Farbfilter 170 über dem Einkapselungsfilm 160 ausgebildet. Das Farbfilter 170 umfasst ein erstes Farbfilter CF1, ein zweites Farbfilter CF2 und ein drittes Farbfilter CF3, die so angeordnet sind, dass sie jeweils den Subpixeln P1, P2 und P3 entsprechen. Das erste Farbfilter CF1 kann ein rotes Farbfilter sein, das rotes Licht durchlässt, das zweite Farbfilter CF2 kann ein grünes Farbfilter sein, das grünes Licht durchlässt, und das dritte Farbfilter CF3 kann ein blaues Farbfilter sein, das blaues Licht durchlässt.
12 ist ein Ablaufplan, der ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 13A bis 13H sind Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
Zuallererst werden das Schaltungselement und der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 über dem Substrat 111 ausgebildet (S1201).
Genauer wird, wie in 13A gezeigt, der Ansteuerdünnschichttransistor TFT über dem Substrat 111 ausgebildet. Dann wird der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 über dem Ansteuerdünnschichttransistor TFT ausgebildet. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer anorganischen Schicht ausgebildet werden und kann beispielsweise aus SiOx, SiNx oder einer Mehrfachschicht davon ausgebildet werden. Der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 kann aus einer organischen Schicht ausgebildet werden und kann beispielsweise aus einem Acrylharz, einem Epoxidharz, einem Phenolharz, einem Polyamidharz oder einem Polyimidharz ausgebildet werden. Alternativ kann der dielektrische Zwischenschichtfilm 115 aus einer Mehrfachschicht ausgebildet werden, die aus mindestens einer anorganischen Schicht und mindestens einer organischen Schicht besteht.
Dann wird eine Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet (S1202). Genauer wird, wie in 13B gezeigt, die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die aus einem ersten Material besteht, über dem dielektrischen Zwischenschichtfilm 115 ausgebildet. Zu dieser Zeit kann die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 über der ganzen Oberfläche ausgebildet werden, während sie die Subpixel P1, P2 und P3 bedeckt, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 kann so strukturiert werden, dass sie die Subpixel P1, P2 und P3 bedeckt, und eine größere Fläche als die Subpixel P1, P2 und P3 aufweisen. Das erste Material kann ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen sein, wie z. B. A1, Ag und eine Ag-Legierung. Die Ag-Legierung kann eine Legierung von Ag, Pd und Cu sein.
Unterdessen kann in einer Ausführungsform, wie in 13B gezeigt, bevor die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet wird, die untere Elektrode 121 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Wenn die untere Elektrode 121 so ausgebildet wird, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, kann die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 so ausgebildet werden, dass sie eine Fläche aufweist, die breiter ist als jene der unteren Elektrode 121, die in jedem der Subpixel P1, P2 und P3 ausgebildet ist. Das heißt, die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 kann so ausgebildet werden, dass sie die Seite der unteren Elektrode 121 bedeckt.
Wenn die untere Elektrode 121 ausgebildet wird, kann die untere Elektrode 121 mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Ansteuerdünnschichttransistors TFT durch das Kontaktloch CH für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 verbunden werden. Die untere Elektrode 121 kann aus einem transparenten leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet werden.
Unterdessen kann in einer Ausführungsform, wie in 13B gezeigt, nachdem die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet ist, die obere Elektrode 123 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann so ausgebildet werden, dass sie dieselbe Fläche wie jene der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 aufweist, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann so ausgebildet werden, dass sie dieselbe Fläche wie jene der unteren Elektrode 121 aufweist. In diesem Fall können die obere Elektrode 123 und die untere Elektrode 121 so ausgebildet werden, dass sie unter Verwendung derselben Maske strukturiert werden.
Wenn die obere Elektrode 123 ausgebildet wird, kann die obere Elektrode 123 aus einem transparente leitfähigen Material (TCO) wie z. B. ITO und IZO ausgebildet werden.
Als nächstes wird die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 einer Plasmabehandlung unterzogen (S1203). Im Einzelnen wird, wie in 13C gezeigt, die Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, unter Verwendung von O₂-Gas durchgeführt.
Eine Abschirmungsschicht 180 wird so ausgebildet, dass sie über der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 strukturiert wird. Zu dieser Zeit kann die Abschirmungsschicht 180 so ausgebildet werden, dass sie für jedes der Subpixel P1, P2 und P3 strukturiert wird, so dass die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, freigelegt werden kann. Als nächstes kann eine Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, unter Verwendung von O₂-Gas durchgeführt werden. Dann kann die Abschirmungsschicht 180 entfernt werden.
Wie in 13D gezeigt, wird die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, die unter den Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen ist, von einem ersten Material zu einem zweiten Material durch Plasmabehandlung unter Verwendung von O₂-Gas geändert. Zu dieser Zeit kann der Abschnitt der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, der vom ersten Material zum zweiten Material geändert wird, zum Oxidisolationsfilm 150 werden und ein anderer Abschnitt der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155, wo das erste Material verbleibt, kann zur Reflexionselektrode 122 werden. Das zweite Material kann ein Oxid eines Reflexionsmetallmaterials, beispielsweise Al_xO_y oder Ag_xO_y, sein.
Wenn das Reflexionsmetallmaterial wie z. B. A1 und Ag dem O₂-Gas für eine bestimmte Zeitdauer ausgesetzt wird, wird das Reflexionsmetallmaterial in Al_xO_y oder Ag_xO_y geändert. Zu dieser Zeit weist das Metalloxid, das durch Plasmabehandlung unter Verwendung von O₂-Gas geändert wird, einen erhöhten Widerstand von 1 × 10⁶ Ω·cm oder mehr auf und weist eine Isolationseigenschaft auf. Daher weist der Oxidisolationsfilm 150 eine Isolationseigenschaft auf und kann blockieren, dass die Reflexionselektroden 122, die jeweils in den ersten bis dritten Subpixeln P1, P2 und P3 vorgesehen sind, elektrisch verbunden werden.
In der Beschreibung von 13B, 13C und 13D wird unterdessen, nachdem die obere Elektrode 123 über der Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 ausgebildet ist, die Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 durchgeführt. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die Beispiele von 13B, 13C und 13D begrenzt. Die obere Elektrode 123 kann ausgebildet werden, nachdem die Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht 155 durchgeführt ist. In diesem Fall kann die obere Elektrode 123 so ausgebildet werden, dass sie über der Reflexionselektrode 122 so strukturiert wird, so dass sie dieselbe Fläche wie jene der Reflexionselektrode 122 aufweist.
Als nächstes werden die erste Lichtemissionsschicht 134, die zweite Lichtemissionsschicht 135 und die dritte Lichtemissionsschicht 136 so ausgebildet, dass sie strukturiert werden (S1204).
Im Einzelnen werden, wie in 13E gezeigt, die erste Lichtemissionsschicht 134, die zweite Lichtemissionsschicht 135 und die dritte Lichtemissionsschicht 136 jeweils so ausgebildet, dass sie in den Subpixeln P1, P2 und P3 strukturiert werden.
Die erste Lichtemissionsschicht 134 wird so ausgebildet, dass sie im ersten Subpixel P1 strukturiert wird, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer ersten Lichtemissionsschicht EML1, die Licht einer ersten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL, die in passender Reihenfolge abgeschieden werden, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die erste Lichtemissionsschicht EML1 kann rotes Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Dann wird die zweite Lichtemissionsschicht 135 so ausgebildet, dass sie im zweiten Subpixel P2 strukturiert wird, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer zweiten Lichtemissionsschicht EML2, die Licht einer zweiten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL, die in passender Reihenfolge abgeschieden werden, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die zweite Lichtemissionsschicht EML2 kann grünes Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Dann wird die dritte Lichtemissionsschicht 136 so ausgebildet, dass sie im dritten Subpixel P3 strukturiert wird, und kann eine abgeschiedene Struktur einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer dritten Lichtemissionsschicht EML3, die Licht einer dritten Farbe emittiert, und einer Lochsperrschicht HBL, die in passender Reihenfolge abgeschieden werden, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die dritte Lichtemissionsschicht EML3 kann blaues Licht emittieren, ist jedoch nicht auf dieses Beispiel begrenzt.
Die erste Lichtemissionsschicht 134, die zweite Lichtemissionsschicht 135 und die dritte Lichtemissionsschicht 136 können in verschiedenen Sequenzen ausgebildet werden.
Als nächstes wird die gemeinsame Schicht 137 ausgebildet (S1205). Im Einzelnen wird, wie in 13F gezeigt, die gemeinsame Schicht 137 über der ersten Lichtemissionsschicht 134, der zweiten Lichtemissionsschicht 135 und der dritten Lichtemissionsschicht 136 ausgebildet. Die gemeinsame Schicht 137 kann gemeinsam für das erste Subpixel P1, das zweite Subpixel P2 und das dritte Subpixel P3 ausgebildet werden. Die gemeinsame Schicht 137 kann auch unter dem ersten Subpixel P1, dem zweiten Subpixel P2 und dem dritten Subpixel P3 ausgebildet werden.
Die gemeinsame Schicht 137 kann eine abgeschiedene Struktur einer Elektronentransportschicht ETL und einer Elektroneninjektionsschicht EIL, die in passender Reihenfolge abgeschieden werden, umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Als nächstes wird die zweite Elektrode 140 ausgebildet (S1206). Genauer wird, wie in 13G gezeigt, die zweite Elektrode 140 über der Lichtemissionsschicht 130 ausgebildet. Die zweite Elektrode 140 kann durch ein Verfahren zur physikalischen Gasphasenabscheidung wie z. B. Sputtern ausgebildet werden. Alternativ kann die zweite Elektrode 140 durch ein Verdampfungsverfahren ausgebildet werden.
Wenn die Anzeigevorrichtung im Oberseitenemissionstyp ausgebildet wird, kann die zweite Elektrode 140 aus einem transparenten Metallmaterial (transparenten leitfähigen Material, TCO) ausgebildet werden, das in der Lage ist, Licht durch dieses durchzulassen, beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO), oder kann aus eine halbdurchlässigen Metallmaterial (halbdurchlässigen leitfähigen Material), beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung aus Magnesium (Mg) und Silber (Ag), ausgebildet werden. Die zweite Elektrode 140 kann eine Kathodenelektrode sein.
Als nächstes wird ein Einkapselungsfilm 160 ausgebildet (S1207). Wie in 13H gezeigt, wird der Einkapselungsfilm 160 genauer über der zweiten Elektrode 140 ausgebildet. Der Einkapselungsfilm 160 kann einen ersten anorganischen Film und einen organischen Film umfassen. In einer Ausführungsform kann der Einkapselungsfilm 160 ferner einen zweiten anorganischen Film umfassen.
Der erste anorganische Film wird über der zweiten Elektrode 140 ausgebildet. Dann wird der organische Film über dem ersten anorganischen Film ausgebildet. Es ist bevorzugt, dass der organische Film mit einer ausreichenden Dicke ausgebildet wird, um zu verhindern, dass Partikel in die Lichtemissionsschicht 130 und die zweite Elektrode 140 eindringen, indem sie durch den ersten anorganischen Film hindurchtreten. Dann wird der zweite anorganische Film über dem organischen Film ausgebildet.
Jeder des ersten anorganischen Films und des zweiten anorganischen Films kann aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid ausgebildet werden. Der erste und der zweite anorganische Film können durch ein Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder ein Atomschichtabscheidungsverfahren (ALD-Verfahren) abgeschieden werden, sind jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt.
Der organische Film kann aus Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz ausgebildet werden. Der organische Film kann durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren, ein Druckverfahren oder ein Schlitzbeschichtungsverfahren erhalten werden, ist jedoch nicht auf diese Verfahren begrenzt. Der organische Film kann durch ein Tintenstrahlverfahren erhalten werden.
14A bis 14C stellen eine Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar, die sich auf eine am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) beziehen. 14A ist eine schematische perspektivische Ansicht, 14B ist eine schematische Draufsicht einer Struktur für virtuelle Realität (VR) und 14C ist eine Querschnittsansicht einer Struktur für erweiterte Realität (AR).
Wie in 14A gezeigt, umfasst die am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Aufnahmegehäuse 10 und ein am Kopf angebrachtes Band 30.
Eine Anzeigevorrichtung, eine Linsenanordnung und ein Augenokular können im Inneren des Aufnahmegehäuses 10 aufgenommen sein.
Das am Kopf angebrachte Band 30 ist am Aufnahmegehäuse 10 befestigt. In den Zeichnungen ist das am Kopf angebrachte Band 30 so konfiguriert, dass es eine obere Oberfläche und beide Seitenoberflächen in einem Kopf eines Benutzers umgibt, ist jedoch nicht auf diese Struktur begrenzt. Das am Kopf angebrachte Band ist beispielsweise vorgesehen, um die am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) an einem Kopf eines Benutzers zu befestigen, die durch eine Brillenrahmenform oder eine helmförmige Struktur ersetzt werden kann.
Wie in 14B gezeigt, umfasst die am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) der Struktur für virtuelle Realität (VR) gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, eine Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge, eine Linsenanordnung 13, ein Augenokular 20a für das linke Auge und ein Augenokular 20b für das rechte Auge.
Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, die Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge, die Linsenanordnung 13 und das Augenokular 20a für das linke Auge und das Augenokular 20b für das rechte Auge sind im vorstehend erwähnten Aufnahmegehäuse 10 aufgenommen.
Dasselbe Bild kann auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt werden. In diesem Fall kann ein Benutzer ein zweidimensionales (2D) Bild betrachten. Wenn ein Bild für ein linkes Auge auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt wird und ein Bild für ein rechtes Auge auf der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt wird, kann ein Benutzer ein dreidimensionales (3D) Bild betrachten. Jede der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge kann aus der vorstehend erwähnten Anzeigevorrichtung, die in 1 bis 9 gezeigt ist, ausgebildet sein. In diesem Fall liegt ein oberer Abschnitt, der einer Oberfläche zum Anzeigen eines Bildes in 1 bis 9 entspricht, beispielsweise das Farbfilter 170, der Linsenanordnung 13 gegenüber.
Die Linsenanordnung 13 kann zwischen dem Augenokular 20a für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angeordnet sein, während sie von jedem des Augenokulars 20a für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge entfernt ist. Das heißt, die Linsenanordnung 13 kann an der Vorderseite des Augenokulars 20a für das linke Auge und an der Rückseite der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angeordnet sein. Die Linsenanordnung 13 kann auch zwischen dem Augenokular 20b für das rechte Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angeordnet sein, während sie vom Augenokular 20b für das rechte Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge entfernt ist. Das heißt, die Linsenanordnung 13 kann an der Vorderseite des Augenokulars 20b für das rechte Auge und an der Rückseite der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angeordnet sein.
Die Linsenanordnung 13 kann eine Mikrolinsenanordnung sein. Die Linsenanordnung 13 kann durch eine Nadellochanordnung ersetzt werden. Infolge der Linsenanordnung 13 kann ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge oder der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt wird, erweitert und durch einen Benutzer wahrgenommen werden.
Ein linkes Auge (LE) eines Benutzers kann am Augenokular 20a für das linke Auge angeordnet sein und ein rechtes Auge (RE) eines Benutzers kann am Augenokular 20b für das rechte Auge angeordnet sein.
Wie in 14C gezeigt, umfasst die am Kopf angebrachte Anzeigevorrichtung (HMD-Vorrichtung) der Struktur für erweiterte Realität (AR) gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, eine Linsenanordnung 13, ein Augenokular 20a für das linke Auge, einen durchlässigen Reflexionsabschnitt 14 und ein Durchlassfenster 15. 14C zeigt nur die Struktur für das linke Auge für die Bequemlichkeit der Erläuterung. Die Struktur für das rechte Auge ist in der Struktur zur Struktur für das linke Auge identisch.
Die Anzeigevorrichtung für das linke Auge, die Linsenanordnung 13, das Augenokular 20a für das linke Auge, der durchlässige Reflexionsabschnitt 14 und das Durchlassfenster 15 sind im vorstehend erwähnten Aufnahmegehäuse 10 aufgenommen.
Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge kann auf einer Seite des durchlässigen Reflexionsabschnitts 14 angeordnet sein, beispielsweise einer Oberseite des durchlässigen Reflexionsabschnitts 14, ohne das Durchlassfenster 15 zu bedecken. Folglich kann ein Bild für den durchlässigen Reflexionsabschnitt 14 unter der Bedingung bereitgestellt werden, dass ein Umgebungshintergrund, der durch das Durchlassfenster 15 gesehen wird, nicht durch die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge bedeckt ist.
Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge kann aus der in 1 bis 9 gezeigten Anzeigevorrichtung ausgebildet sein. In diesem Fall liegt ein oberer Abschnitt, der einer Oberfläche zum Anzeigen eines Bildes in 1 bis 9 entspricht, beispielsweise das Farbfilter 170, dem durchlässigen Reflexionsabschnitt 14 gegenüber.
Die Linsenanordnung 13 kann zwischen dem Augenokular 20a für das linke Auge und dem durchlässigen Reflexionsabschnitt 14 vorgesehen sein.
Das linke Auge eines Benutzers ist am Augenokular 20a für das linke Auge angeordnet.
Der durchlässige Reflexionsabschnitt 14 ist zwischen der Linsenanordnung 13 und dem Durchlassfenster 15 angeordnet. Der durchlässige Reflexionsabschnitt 14 kann eine Reflexionsoberfläche 14a umfassen, die teilweise einiges Licht durchlässt und auch das restliche Licht reflektiert. Die Reflexionsoberfläche 14a ist dazu konfiguriert, ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt wird, in Richtung der Linsenanordnung 13 zu führen. Folglich kann ein Benutzer ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt wird, zusammen mit dem Umgebungshintergrund durch das Durchlassfenster 15 betrachten. Das heißt, ein Benutzer kann ein Bild betrachten, das durch ein virtuelles Bild erhalten wird, auf das der reale Umgebungshintergrund überlagert ist, um dadurch eine erweiterte Realität (AR) zu verwirklichen.
Das Durchlassfenster 15 ist vor dem durchlässigen Reflexionsabschnitt 14 angeordnet.
Für den Fachmann auf dem Gebiet ist ersichtlich, dass die vorstehend beschriebene vorliegende Offenbarung nicht durch die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen und die begleitenden Zeichnungen begrenzt ist, und dass verschiedene Substitutionen, Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne vom Gedanken oder Schutzbereich der Offenbarungen abzuweichen. Folglich ist der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung durch die begleitenden Ansprüche definiert und es ist beabsichtigt, dass alle Variationen oder Modifikationen, die von der Bedeutung, dem Schutzbereich und dem äquivalenten Konzept der Ansprüche abgeleitet sind, in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung fallen.
Die vorstehend beschriebenen verschiedenen Ausführungsformen können kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen zu schaffen. Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen angesichts der vorstehend detailliert geschilderten Beschreibung durchgeführt werden. Im Allgemeinen sollten in den folgenden Ansprüchen die verwendeten Begriffe nicht so aufgefasst werden, dass sie die Ansprüche auf die in der Patentbeschreibung und den Ansprüchen offenbarten speziellen Ausführungsformen begrenzen, sondern sollten so aufgefasst werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen zusammen mit dem vollständigen Schutzbereich von Äquivalenten umfassen, zu denen solche Ansprüche berechtigt sind. Folglich sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung begrenzt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020190116576 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (111), das mit einem ersten Subpixel (P1) und einem zweiten Subpixel (P2), das so angeordnet ist, dass es an das erste Subpixel (P1) angrenzt, versehen ist; eine erste Elektrode (120), die in jedem des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) auf dem Substrat (111) vorgesehen ist und ein erstes Material umfasst; und einen Oxidisolationsfilm (150), der zumindest auf einem Abschnitt einer Seite der ersten Elektrode (120) vorgesehen ist und ein zweites Material umfasst, wobei das erste Material ein Metallmaterial ist und das zweite Material ein Oxid des ersten Materials ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode (120) eine Reflexionselektrode (122) umfasst, die in jedem des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) vorgesehen ist und das erste Material umfasst, und der Oxidisolationsfilm (150) auf einer Seite der Reflexionselektrode (122) vorgesehen ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Material A1 oder Ag ist und das zweite Material Al_xO_y oder Ag_xO_y ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Oxidisolationsfilm (150) einen ersten Oxidisolationsfilm (150a), der zumindest einen Abschnitt der Seite der ersten Elektrode (120) bedeckt, die im ersten Subpixel (P1) vorgesehen ist, und einen zweiten Oxidisolationsfilm (150b), der zumindest einen Teil der Seite der ersten Elektrode (120) bedeckt, die im zweiten Subpixel (P2) vorgesehen ist, umfasst und der erste Oxidisolationsfilm (150a) und der zweite Oxidisolationsfilm (150b) voneinander beabstandet sind.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Oxidisolationsfilm (150) von der Seite der ersten Elektrode (120), die im ersten Subpixel (P1) vorgesehen ist, zur Seite der ersten Elektrode (120), die im zweiten Subpixel (P2) vorgesehen ist, erweitert ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode (120) mehrere Schichten (121, 123) umfasst und mindestens eine der mehreren Schichten (121, 123) das erste Material enthält.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode (120) Folgendes umfasst: eine untere Elektrode (121), die in jedem des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) auf dem Substrat (111) vorgesehen ist; eine Reflexionselektrode (122), die auf der unteren Elektrode (121) vorgesehen ist und das erste Material umfasst; und eine obere Elektrode (123), die auf der Reflexionselektrode (122) vorgesehen ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Oxidisolationsfilm (150) zumindest einen Abschnitt einer Seite der unteren Elektrode (121) und zumindest einen Abschnitt einer Seite der Reflexionselektrode (122) bedeckt und eine Seite der oberen Elektrode (123) freilegt.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: eine Lichtemissionsschicht (130), die auf der ersten Elektrode (120) vorgesehen ist und mehrere weitere Schichten enthält; und eine zweite Elektrode (140), die auf der Lichtemissionsschicht (130) vorgesehen ist, wobei mindestens eine der mehreren weiteren Schichten, die die Lichtemissionsschicht (130) bilden, die gleiche Fläche wie jene einer Schicht mit dem ersten Material unter den mehreren Schichten, die die erste Elektrode (120) bilden, aufweist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Lichtemissionsschicht (130) Folgendes umfasst: einen ersten Stapel (131), der auf der ersten Elektrode (120) vorgesehen ist, der Licht einer ersten Farbe emittiert; eine Ladungserzeugungsschicht (132), die auf dem ersten Stapel (131) vorgesehen ist; und einen zweiten Stapel (133), der auf der Ladungserzeugungsschicht (132) vorgesehen ist, der Licht einer zweiten Farbe emittiert, wobei vorzugsweise die Ladungserzeugungsschicht (132), die im ersten Subpixel (P1) vorgesehen ist, und die Ladungserzeugungsschicht (132), die im zweiten Subpixel (P2) vorgesehen ist, voneinander beabstandet sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei der erste Stapel (131) und die Ladungserzeugungsschicht (132) eine gleiche Fläche wie jene der Schicht mit dem ersten Material unter den mehreren Schichten, die die erste Elektrode (120) bilden, aufweisen und/oder der zweite Stapel (133) zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2) verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden einer Reflexionselektrodenmaterialschicht auf einem Substrat (111) in einem ersten Subpixel (P1) und einem zweiten Subpixel (P2), das so angeordnet ist, dass es an das erste Subpixel (P1) angrenzt, und zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2); Ausbilden eines ersten Stapels (131) auf der Reflexionselektrodenmaterialschicht; Ausbilden einer Ladungserzeugungsschicht (132) auf dem ersten Stapel (131); und Durchführen einer Plasmabehandlung für die Reflexionselektrodenmaterialschicht, den ersten Stapel (131) und die Ladungserzeugungsschicht (132), die zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2) vorgesehen sind.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Durchführen der Plasmabehandlung das Ausbilden eines Oxidisolationsfilms (150) durch Durchführen der Plasmabehandlung für das Reflexionselektrodenmaterial, das zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2) vorgesehen ist, unter Verwendung von O₂-Gas umfasst.
Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, das ferner die Schritte umfasst: Ausbilden eines zweiten Stapels (133) auf der Ladungserzeugungsschicht (132) und dem Oxidisolationsfilm (150); und Ausbilden einer zweiten Elektrode (140) auf dem zweiten Stapel (133).