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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nr.10-2018-0160267 , eingereicht am 12. Dezember 2018.
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HINTERGRUND
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Technisches Gebiet
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Beispielhafte Ausführungsformen beziehen sich auf ein Anzeigefeld.
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Beschreibung des Standes der Technik
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Mit der Entwicklung der Informationsgesellschaft nimmt der Bedarf an einer Vielfalt von Typen von Anzeigevorrichtungen zum Anzeigen von Bildern zu. In dieser Hinsicht sind Anzeigevorrichtungen wie z. B. Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen) und Anzeigevorrichtungen mit organischen Leuchtdioden (OLED) in weitverbreiteten Gebrauch gekommen.
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Solche Anzeigevorrichtungen umfassen ein Anzeigefeld, in dem mehrere Subpixel und mehrere Signalleitungen und Spannungsleitungen angeordnet sind. Die Anzeigevorrichtung zeigt Bilder durch Steuern der Leuchtintensitäten, die durch die im Anzeigefeld angeordneten mehreren Subpixel dargestellt werden, an.
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In diesem Fall kann externes Licht, das auf das Anzeigefeld einfällt, an einer Oberfläche reflektiert werden, durch die das Anzeigefeld Bilder anzeigt. Aufgrund dieser Reflexion von externem Licht besteht das Problem, dass die durch das Anzeigefeld angezeigten Bilder nicht leicht wahrgenommen werden können.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
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Verschiedene Aspekte der vorliegenden Offenbarung schaffen ein Anzeigefeld, das in der Lage ist, den Reflexionsgrad von externem Licht, das auf das Anzeigefeld einfällt, zu verringern, ohne einen Polarisator auf einer Oberfläche anzuordnen, durch die das Anzeigefeld Bilder anzeigt.
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Verschiedene Aspekte der vorliegenden Offenbarung schaffen ein Anzeigefeld, das in der Lage ist, den Reflexionsgrad von externem Licht, das auf das Anzeigefeld einfällt, zu verringern und den Durchlassgrad von Licht, das aus dem Anzeigefeld austritt, zu erhöhen.
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Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anzeigefeld: ein Substrat; mindestens eine untere Isolationsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; mehrere Leuchtdioden, die auf der mindestens einen unteren Isolationsschicht angeordnet sind; und mindestens eine obere Isolationsschicht, die auf den mehreren Leuchtdioden angeordnet ist, wobei mindestens eine untere Isolationsschicht oder die mindestens eine obere Isolationsschicht auf einem Pfad angeordnet ist, entlang dessen Licht, das von den mehreren Leuchtdioden emittiert wird, austritt, wobei die mindestens eine untere Isolationsschicht oder die mindestens eine obere Isolationsschicht eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht umfasst, die auf mindestens einem Abschnitt einer Oberfläche davon strukturiert ist, und die Mottenaugenstrukturschicht auf Bereichen strukturiert ist, die Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden angeordnet sind.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann über einen ganzen aktiven Bereich strukturiert sein.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann auf einer Oberfläche einer obersten der mindestens einen oberen Isolationsschicht oder der mindestens einen unteren Isolationsschicht strukturiert sein.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann auch auf einer Oberfläche einer untersten der mindestens einen oberen Isolationsschicht oder der mindestens einen unteren Isolationsschicht strukturiert sein.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann auf mindestens einer Oberfläche einer organischen und einer anorganischen Isolationsschicht an einer Grenzfläche zwischen der organischen und der anorganischen Isolationsschicht strukturiert sein.
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Die mindestens eine obere Isolationsschicht kann eine erste anorganische Einkapselungsschicht, eine organische Einkapselungsschicht und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht, die sequentiell laminiert sind, umfassen. Die Mottenaugenstrukturschicht kann auf einer oberen Oberfläche der organischen Einkapselungsschicht strukturiert sein.
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Das Anzeigefeld kann ferner einen Antireflektor umfassen. Der Antireflektor kann auf der mindestens einen oberen Isolationsschicht angeordnet sein. Der Antireflektor kann an zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als den Bereichen, die den Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden angeordnet sind, angeordnet sein.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann auf Bereichen angeordnet sein, die offenen Bereichen des Antireflektors entsprechen.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann ferner unter einem Bereich angeordnet sein, auf dem der Antireflektor angeordnet ist.
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Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anzeigefeld: ein Substrat; mehrere Leuchtdioden, die auf dem Substrat angeordnet sind; mindestens eine Isolationsschicht, die auf den mehreren Leuchtdioden angeordnet ist; einen Antireflektor, der auf der mindestens einen Isolationsschicht auf zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als Bereichen, auf denen die Leuchtdioden angeordnet sind, angeordnet ist; und eine Antireflexschicht, die auf offenen Bereichen des Antireflektors angeordnet ist und eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht umfasst.
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Das Anzeigefeld kann ferner eine Passivierungsschicht umfassen. Die Passivierungsschicht kann auf der Antireflexschicht auf den offenen Bereichen des Antireflektors angeordnet sein. Die Passivierungsschicht kann einen Brechungsindex aufweisen, der von jenem der Antireflexschicht verschieden ist.
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Das Anzeigefeld kann ferner einen optischen Film umfassen. Der optische Film kann auf dem Antireflektor angeordnet sein. Eine Luftschicht kann zwischen der Antireflexschicht und dem optischen Film vorhanden sein.
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Elektronentransportschichten können in den Leuchtdioden enthalten sein. Die Elektronentransportschichten können zu einem anderen Bereich als den Bereichen, auf denen die Leuchtdioden angeordnet sind, ausgedehnt und darauf angeordnet sein.
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Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anzeigefeld: ein transparentes Substrat; mindestens eine erste untere Isolationsschicht, die auf dem transparenten Substrat angeordnet ist; mehrere Dünnfilmtransistoren, die auf der mindestens einen ersten unteren Isolationsschicht angeordnet sind; mindestens eine zweite untere Isolationsschicht, die auf den mehreren Dünnfilmtransistoren angeordnet ist; mehrere Leuchtdioden, die auf der mindestens einen zweiten unteren Isolationsschicht angeordnet sind; und eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht auf zumindest einem Abschnitt einer Oberfläche des transparenten Substrats, der mindestens einen ersten unteren Isolationsschicht und/oder der mindestens einen zweiten unteren Isolationsschicht.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann sich auf mindestens einer Oberfläche von organischen und anorganischen Isolationsschichten an einer Grenzfläche zwischen den organischen und anorganischen Isolationsschichten befinden.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann sich auf einer unteren Oberfläche des transparenten Substrats befinden.
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Die Mottenaugenstrukturschicht kann unter einem Farbfilter angeordnet sein, das unter den mehreren Leuchtdioden angeordnet ist.
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Das Anzeigefeld kann ferner mindestens eine strukturierte Schicht mit geringer Reflexion umfassen. Die mindestens eine strukturierte Schicht mit geringer Reflexion kann unter den mehreren Dünnfilmtransistoren angeordnet sein.
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Die strukturierte Schicht mit geringer Reflexion kann auf einer oberen Oberfläche des transparenten Substrats angeordnet sein.
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Die mehreren Leuchtdioden können Lichtemissionsschichten umfassen. Die Lichtemissionsschichten können zu einem anderen Bereich als Bereichen, auf denen die mehreren Leuchtdioden angeordnet sind, ausgedehnt und darauf angeordnet sein.
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Das transparente Substrat kann ein transparentes Glassubstrat umfassen.
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Gemäß einem Aspekt können beispielhafte Ausführungsformen ein Anzeigefeld schaffen, das umfasst: ein Substrat; mindestens eine untere Isolationsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; mehrere Leuchtdioden, die auf der mindestens einen unteren Isolationsschicht angeordnet sind; und mindestens eine obere Isolationsschicht, die auf den mehreren Leuchtdioden angeordnet ist. In dem Anzeigefeld umfassen die mindestens eine untere Isolationsschicht und/oder die mindestens eine obere Isolationsschicht, die auf einem Pfad angeordnet ist, entlang dessen von den Leuchtdioden emittiertes Licht austritt, eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht, die auf zumindest einem Abschnitt einer Oberfläche davon strukturiert ist.
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Gemäß einem anderen Aspekt können beispielhafte Ausführungsformen ein Anzeigefeld schaffen, das umfasst: ein Substrat; mehrere Leuchtdioden, die auf dem Substrat angeordnet sind; mindestens eine Isolationsschicht, die auf den mehreren Leuchtdioden angeordnet ist; einen Antireflektor, der auf zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als Bereichen, die Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden angeordnet sind, auf der mindestens einen Isolationsschicht angeordnet ist; und eine Antireflexschicht, die auf offenen Bereichen des Antireflektors angeordnet ist und eine nanoskalieret Mottenaugenstrukturschicht umfasst.
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Gemäß einem anderen Aspekt können beispielhafte Ausführungsformen ein Anzeigefeld schaffen, das umfasst: ein transparentes Substrat; mindestens eine erste untere Isolationsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; mehrere Dünnfilmtransistoren, die auf der mindestens einen ersten unteren Isolationsschicht angeordnet sind; mindestens eine zweite untere Isolationsschicht, die auf den mehreren Dünnfilmtransistoren angeordnet ist; und mehrere Leuchtdioden, die auf der mindestens einen zweiten unteren Isolationsschicht angeordnet sind. Das transparente Substrat, die mindestens eine erste untere Isolationsschicht und/oder die mindestens eine zweite untere Isolationsschicht umfassen eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht, die auf zumindest einem Abschnitt einer Oberfläche davon strukturiert ist.
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Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht auf einer Oberfläche von mindestens einer Isolationsschicht strukturiert und angeordnet, die auf einem Pfad angeordnet ist, entlang dessen von Leuchtdioden auf einem Anzeigefeld emittiertes Licht austritt, so dass der Durchlassgrad von Licht, das aus dem Anzeigefeld austritt, erhöht werden kann, während der Reflexionsgrad von externem Licht verringert wird.
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Ferner ist ein Antireflektor auf zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als Bereichen, die den Leuchtdioden entsprechen, auf einer Oberfläche angeordnet, durch die ein Bild auf dem Anzeigefeld angezeigt wird, so dass der Reflexionsgrad von externem Licht weiter verringert werden kann.
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Außerdem ist die Mottenaugenstrukturschicht auf offenen Bereichen des Antireflektors angeordnet, so dass der Reflexionsgrad von externem Licht ohne Polarisator selbst im Fall eines Anzeigefeldes mit einem hohen Öffnungsverhältnis verringert werden kann.
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Figurenliste
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Die obigen und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher verständlich; es zeigen:
- 1 eine schematische Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
- 2 eine Querschnittsstruktur eines Anzeigefeldes gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
- 3 eine Querschnittsstruktur eines Anzeigefeldes mit einer Mottenaugenstrukturschicht gemäß beispielhaften Ausführungsformen;
- 4 eine andere Querschnittsstruktur des Anzeigefeldes mit der Mottenaugenstrukturschicht gemäß beispielhaften Ausführungsformen;
- 5 und 6 ein Verfahren zum Anordnen der Mottenaugenstrukturschicht im Anzeigefeld gemäß beispielhaften Ausführungsformen;
- 7 bis 9 eine Querschnittsstruktur, in der ein Antireflektor auf einem Anzeigefeld mit der Mottenaugenstrukturschicht gemäß beispielhaften Ausführungsformen angeordnet ist;
- 10 und 11 eine Querschnittsstruktur mit der Mottenaugenstrukturschicht in einem Fall, in dem das Anzeigefeld gemäß beispielhaften Ausführungsformen eine Oberseitenemissionsstruktur aufweist; und
- 12 und 13 eine Querschnittsstruktur mit der Mottenaugenstrukturschicht in einem Fall, in dem das Anzeigefeld gemäß beispielhaften Ausführungsformen eine Unterseitenemissionsstruktur aufweist.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Nachstehend wird auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Einzelnen Bezug genommen, von der Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind. In diesem ganzen Dokument sollte auf die Zeichnungen Bezug genommen werden, in denen dieselben Bezugszeichen und Symbole verwendet werden, um dieselben oder ähnliche Komponenten zu bezeichnen. In der folgenden Beschreibung der vorliegende Offenbarung wird auf ausführliche Beschreibungen von bekannten Funktionen und Komponenten, die in die vorliegende Offenbarung integriert sind, verzichtet, falls der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung dadurch unklar gemacht werden kann.
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Es ist auch selbstverständlich, dass, obwohl Begriffe wie z. B. „erster“, „zweiter“, „A“, „B“, „(a)“ und „(b)“ hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, solche Begriffe nur verwendet werden, um ein Element von anderen Elementen zu unterscheiden. Das Wesen, die Sequenz oder die Anzahl von solchen Elementen ist durch diese Begriffe nicht begrenzt. Es ist selbstverständlich, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden“, „gekoppelt“ oder „verknüpft“ bezeichnet wird, es nicht nur mit dem anderen Element „direkt verbunden, gekoppelt oder verknüpft“ sein kann, sondern es auch mit dem anderen Element über ein „zwischenliegendes“ Element „indirekt verbunden, gekoppelt oder verknüpft“ sein kann. Im gleichen Zusammenhang ist selbstverständlich, dass, wenn ein Element als „auf“ oder „unter“ einem anderen Element ausgebildet bezeichnet wird, es nicht nur direkt auf oder unter dem anderen Element angeordnet sein kann, sondern es auch indirekt auf oder unter dem anderen Element über ein Zwischenelement angeordnet sein kann. 1 stellt eine schematische Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar.
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Mit Bezug auf 1 kann die Anzeigevorrichtung 100 gemäß beispielhaften Ausführungsformen ein Anzeigefeld 110 mit einem aktiven Bereich A/A und einem nicht aktiven Bereich N/A sowie Komponenten zum Ansteuern des Anzeigefeldes 110 wie z. B. eine Gate-Treiberschaltung 120, eine Datentreiberschaltung 130 und eine Steuereinheit 140 umfassen.
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Im Anzeigefeld 110 sind mehrere Gate-Leitungen GL und mehrere Datenleitungen DL angeordnet und mehrere Subpixel SP sind in Bereichen angeordnet, in denen die mehreren Gate-Leitungen GL die mehreren Datenleitungen DL schneiden.
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Die Gate-Treiberschaltung 120 wird durch die Steuereinheit 140 gesteuert, um sequentiell ein Abtastsignal an die mehreren Gate-Leitungen GL auszugeben, die im Anzeigefeld 110 angeordnet sind, wodurch Zeitpunkte gesteuert werden, zu denen die mehreren Subpixel SP angesteuert werden.
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Die Gate-Treiberschaltung 120 kann eine oder mehrere integrierte Gate-Treiberschaltungen (GDICs) umfassen. Die Gate-Treiberschaltung 120 kann auf einer Seite oder beiden Seiten des Anzeigefeldes 110 in Abhängigkeit von dem Ansteuersystem angeordnet sein.
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Jede der GDICs kann mit einer Bondkontaktstelle des Anzeigefeldes 110 durch ein Verfahren zum automatisierten Bandbonden (TAB) oder Verfahren mit Chip auf Glas (COG) verbunden werden, kann unter Verwendung einer Struktur eines Gate im Feld (GIP), die direkt im Anzeigefeld 110 angeordnet ist, implementiert werden, oder kann in einigen Fällen mit dem Anzeigefeld 110 integriert werden. Alternativ kann jede der GDICs unter Verwendung einer Struktur eines Chips auf Film (COF), die auf einem mit dem Anzeigefeld 110 verbundenen Film montiert ist, implementiert werden.
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Die Datentreiberschaltung 130 empfängt Bilddaten von der Steuereinheit 140 und wandelt die Bilddaten in eine analoge Datenspannung um. Außerdem gibt die Datentreiberschaltung 130 die Datenspannung jeweils an die Datenleitungen DL zu Zeitpunkten aus, zu denen das Abtastsignal durch die Gate-Leitungen GL angelegt wird, so dass die Subpixel SP Leuchtintensitäten darstellen, die den Bilddaten entsprechen.
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Die Datentreiberschaltung 130 kann eine oder mehrere integrierte Quellentreiberschaltungen (SDICs) umfassen.
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Jede der SDICs kann ein Schieberegister, eine Zwischenspeicherschaltung, einen Digital-Analog-Wandler (DAC), einen Ausgangspuffer und dergleichen umfassen.
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Jede der SDICs kann mit einer Bondkontaktstelle des Anzeigefeldes 110 durch ein TAB-Verfahren oder durch ein COG-Verfahren verbunden werden, kann direkt am Anzeigefeld 110 montiert werden oder kann in einigen Fällen mit dem Anzeigefeld 110 integriert werden. Außerdem kann jede der SDICs unter Verwendung einer COF-Struktur implementiert werden. In diesem Fall kann jede der SDICs auf einem mit dem Anzeigefeld 110 verbundenen Film montiert werden und mit dem Anzeigefeld 110 durch Leitungen auf dem Film elektrisch verbunden werden.
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Die Steuereinheit 140 führt eine Vielfalt von Steuersignalen zu den Gate- und Datentreiberschaltungen 120 und 130 zu, um Operationen der Gate- und Datentreiberschaltungen 120 und 130 zu steuern.
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Die Steuereinheit 140 kann auf einer gedruckten Leiterplatte (PCB), einer flexiblen gedruckten Schaltung (FPC) oder dergleichen montiert sein und kann mit den Gate- und Datentreiberschaltungen 120 und 130 über die PCB oder die FPC elektrisch verbunden sein.
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Die Steuereinheit 140 steuert die Gate-Treiberschaltung 120, um das Abtastsignal zu Zeitpunkten auszugeben, die durch Rahmen definiert sind. Die Steuereinheit 140 wandelt Bilddaten, die von einer externen Quelle empfangen werden, in ein Datensignalformat um, das durch die Datentreiberschaltung 130 lesbar ist, und gibt die umgewandelten Bilddaten an die Datentreiberschaltung 130 aus.
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Die Steuereinheit 140 empfängt eine Vielfalt von Zeitsteuersignalen, einschließlich eines vertikalen Synchronisationssignals Vsync, eines horizontalen Synchronisationssignals Hsync, eines Eingabedatenfreigabesignals (DE-Signals), eines Taktsignals (CLK-Signals) und dergleichen zusätzlich zu den Bilddaten von einer externen Quelle (z. B. einem Host-System).
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Die Steuereinheit 140 kann eine Vielfalt von Steuersignalen unter Verwendung der Vielfalt von Zeitsteuersignalen erzeugen, die von der externen Quelle empfangen werden, und die Steuersignale an die Gate- und Datentreiberschaltungen 120 und 130 ausgeben.
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Die Steuereinheit 140 gibt beispielsweise eine Vielfalt von Gate-Steuersignalen GCS, einschließlich eines Gate-Startimpulses (GSP), eines Gate-Verschiebungstakts (GSC), eines Gate-Ausgabefreigabesignals (GOE-Signals) und dergleichen, aus, um die Gate-Treiberschaltung 120 zu steuern.
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Hier steuert der GSP Operationsstartzeiten der einen oder der mehreren GDICs der Gate-Schaltung 120. Der GSC ist ein Taktsignal, das gemeinsam in die eine oder die mehreren GDICs eingegeben wird und eine Verschiebungszeit des Abtastsignals steuert. Das GOE-Signal bezeichnet Zeitsteuerinformationen der einen oder der mehreren GDICs.
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Außerdem gibt die Steuereinheit 140 eine Vielfalt von Datensteuersignalen DCS, einschließlich eines Quellenstartimpulses (SSP), eines Quellenabtasttakts (SSC), eines Quellenausgabefreigabesignals (SOE-Signals) und dergleichen, aus, um die Datentreiberschaltung 130 zu steuern.
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Hier steuert der SSP Datenabtaststartzeiten der einen oder der mehreren SDICs der Datentreiberschaltung 130. Der SSC ist ein Taktsignal, das eine Abtastzeit der Daten in jeder der SDICs steuert. Das SOE-Signal steuert eine Ausgabezeit der Datentreiberschaltung 130.
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Die Anzeigevorrichtung 100 kann ferner eine integrierte Leistungsmanagementschaltung (PMIC) umfassen, die verschiedene Formen von Spannung oder Strom zum Anzeigefeld 110, zur Gate-Treiberschaltung 120, zur Datentreiberschaltung 130 und dergleichen zuführt oder verschiedene Typen von Spannung oder Strom, der zu diesen zugeführt werden soll, steuert.
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Die Subpixel SP sind durch Schnittpunkte der Gate-Leitungen GL und der Datenleitungen DL definiert. Ein Flüssigkristall oder Leuchtdioden (LEDs) können in den Subpixeln SP in Abhängigkeit von dem Typ der Anzeigevorrichtung 100 angeordnet sein.
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2 stellt eine Querschnittsstruktur eines Anzeigefeldes 110 gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar.
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Mit Bezug auf 2 ist eine Dünnfilmtransistorschicht TFT auf einem Substrat SUB angeordnet. Mehrere Dünnfilmtransistoren, Signalleitungen, Spannungsleitungen zum Ansteuern der Subpixel SP können auf der Dünnfilmtransistorschicht TFT angeordnet sein. Falls erforderlich, kann mindestens eine Isolationsschicht zwischen dem Substrat SUB und der Dünnfilmtransistorschicht TFT angeordnet sein.
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Leuchtdioden ED sind auf der Dünnfilmtransistorschicht TFT angeordnet und die Leuchtdioden EDs können organische Leuchtdioden sein. Jede der Leuchtdioden EDs umfasst eine Anode und eine Kathode und kann eine Lochtransportschicht, eine organische Lichtemissionsschicht und eine Elektronentransportschicht umfassen, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet sind. Jede der Leuchtdioden ED kann rotes, grünes oder blaues Licht emittieren. Alternativ kann jede der Leuchtdioden ED weißes Licht emittieren und mit einem Farbänderungsmaterial beschichtet sein.
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Jede der Leuchtdioden ED kann Licht in einer Vorwärtsrichtung des Substrats SUB emittieren. Falls erforderlich, kann jede der Leuchtdioden ED Licht in einer Rückwärtsrichtung des Substrats SUB emittieren. 2 stellt einen Fall dar, in dem das Anzeigefeld 110 Licht in der Vorwärtsrichtung des Substrats SUB emittiert.
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Elektroden oder dergleichen zum Ansteuern der Leuchtdioden ED, eine Einkapselungsschicht ENCAP zum Schützen der Leuchtdioden ED und dergleichen können auf den Leuchtdioden ED angeordnet sein.
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Die Einkapselungsschicht ENCAP kann mehrere Schichten, beispielsweise eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1, eine organische Einkapselungsschicht PCL und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2, aufweisen.
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In einem Fall, in dem das Anzeigefeld 110 eine Berührungswahrnehmungsfunktion vorsieht, kann ein Berührungsmetall TM auf der Einkapselungsschicht ENCAP angeordnet sein.
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Eine Berührungsisolationsschicht T-ILD kann beispielsweise auf der Einkapselungsschicht ENCAP angeordnet sein und das Berührungsmetall TM, das Berührungselektroden und Berührungsleitungen bildet, kann auf der Berührungsisolationsschicht T-ILD angeordnet sein. Eine Berührungspassivierungsschicht T-PAS kann auf dem Berührungsmetall TM angeordnet sein.
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Ein Polarisator 200 kann auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein.
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Der Polarisator 200 kann auf einer Oberfläche angeordnet sein, durch die Bilder auf dem Anzeigefeld 110 angezeigt werden. Das heißt, in einem Fall, in dem das Anzeigefeld 110 eine Unterseitenemissionsstruktur aufweist, kann der Polarisator 200 auf der Unterseite des Substrats SUB angeordnet sein.
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Der Polarisator 200 verringert den Reflexionsgrad von Licht, das von der Außenseite des Anzeigefeldes 110 einfällt, wodurch verhindert wird, dass ein Ausfall der Wahrnehmung der durch das Anzeigefeld 110 angezeigten Bilder aufgrund der Reflexion von externem Licht wahrgenommen wird.
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In dieser Weise kann der Reflexionsgrad von externem Licht durch Anordnen des Polarisators 200 auf dem Anzeigefeld 110 verringert werden, aber der Durchlassgrad von Licht, das vom Anzeigefeld 110 austritt, kann aufgrund des Polarisators 200 verringert werden.
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Aufgrund der Anordnung des Polarisators 200 können ferner Produktionskosten des Anzeigefeldes 110 erhöht werden.
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Beispielhafte Ausführungsformen schaffen eine Technik, die in der Lage ist, ohne den Polarisator 200 den Reflexionsgrad des Anzeigefeldes 110 zu verringern und den Durchlassgrad des Anzeigefeldes 110 zu erhöhen, durch Anordnen einer Struktur, die in der Lage ist, den Reflexionsgrad zu verringern, auf einer Oberfläche der Isolationsschicht, die im Anzeigefeld 110 enthalten ist.
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3 stellt eine Querschnittsstruktur des Anzeigefeldes 110 mit einer Mottenaugenstrukturschicht 300 gemäß beispielhaften Ausführungsformen dar.
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Mit Bezug auf 3 ist eine Dünnfilmtransistorschicht TFT auf einem Substrat SUB angeordnet und Leuchtdioden ED sind auf der Dünnfilmtransistorschicht TFT angeordnet. Hier und im Folgenden wird der Begriff „auf“ in der Hinsicht verwendet, dass ein Element (z. B. eine Schicht), das als „auf“ einem anderen Element (oder einer anderen Schicht) bezeichnet wird, auf der Seite des anderen Elements angeordnet ist, die vom Substrat SUB abgewandt ist. Wenn ein Element als „unter“ einem anderen Element bezeichnet wird, soll dies entsprechend bedeuten, dass es auf der Seite des anderen Elements angeordnet ist, die in Richtung des Substrats SUB gewandt ist. Begriffe wie „oben“, „unten“, „obere“, „untere“ usw., die relative Orientierungen angeben, sollen in der Bedeutung des Obigen verstanden werden.
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Hier kann mindestens eine Isolationsschicht zwischen der Dünnfilmtransistorschicht TFT und den Leuchtdioden ED angeordnet sein. Der Kürze halber können hier Isolationsschichten, die unter und unterhalb der Leuchtdioden ED angeordnet sind, als „untere Isolationsschichten“ bezeichnet werden.
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Eine Einkapselungsschicht ENCAP mit einer ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1, einer organischen Einkapselungsschicht PCL und einer zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2 kann auf den Leuchtdioden ED angeordnet sein.
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Eine Berührungsisolationsschicht T-ILD, ein Berührungsmetall TM und eine Berührungspassivierungsschicht T-PAS können auf der Einkapselungsschicht ENCAP angeordnet sein.
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Die Isolationsschichten, die auf und über den Leuchtdioden ED angeordnet sind, wie vorstehend beschrieben, können als „obere Isolationsschichten“ bezeichnet werden.
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Hier kann in einem Fall, in dem die Leuchtdioden ED Licht in einer Vorwärtsrichtung des Substrats SUB emittieren, mindestens eine der oberen Isolationsschichten eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 umfassen, die durch Strukturieren zumindest eines Abschnitts des Bereichs einer Oberfläche davon ausgebildet wird.
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Die Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf einem Bereich, der einem Bereich entspricht, in dem die Leuchtdioden ED angeordnet sind, oder auf dem ganzen aktiven Bereich A/A angeordnet sein.
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Wie in 3 dargestellt, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 beispielsweise auf einer Oberfläche der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein, die eine Isolationsschicht ist, die in der obersten Schicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet ist.
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In einem Fall, in dem eine Struktur für die Berührungserfassung nicht auf dem Anzeigefeld 110 angeordnet ist, kann ferner die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2 angeordnet sein.
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Ferner kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 an einer Grenzfläche zwischen zwei der mehreren oberen Isolationsschichten angeordnet sein, die auf und über den Leuchtdioden ED angeordnet sind.
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In diesem Fall kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche von mindestens einer der organischen und anorganischen Isolationsschichten an einer Grenzfläche zwischen den organischen und anorganischen Isolationsschichten unter den oberen Isolationsschichten angeordnet sein.
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Das heißt, die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann in der obersten Schicht der oberen Isolationsschichten, die auf einem Pfad angeordnet sind, entlang dessen das von den Leuchtdioden ED emittierte Licht austritt, oder einer Oberfläche von mindestens einer der Isolationsschichten, die unter und unterhalb der obersten Schicht angeordnet sind, angeordnet sein.
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Die Mottenaugenstrukturschicht 300 kann beispielsweise eine Struktur wie z. B. eine Struktur von nanoskalierten Merkmalen sein, in denen nanoskalierte Pyramidenformen oder Formen, die einem Abschnitt einer nanoskalierten Kugel entsprechen, wiederholt angeordnet sind.
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Da die nanoskalierten Merkmale wiederholt angeordnet sind, kann ein Brechungsindex von der Außenseite der Mottenaugenstrukturschicht 300 zur Innenseite der Mottenaugenstrukturschicht 300 allmählich kontinuierlich geändert werden.
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Folglich kann ein Brechungsindex von Licht, das auf das Anzeigefeld 110 von der Außenseite des Anzeigefeldes 110 einfällt, durch die Mottenaugenstrukturschicht 300 auf 0 % genähert werden. Da ein Grad, in dem Licht, das vom Anzeigefeld 110 nach außen austritt, auf einer Oberfläche gestreut wird, verringert wird, kann ferner der Durchlassgrad erhöht werden.
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In dieser Weise kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche von mindestens einer Isolationsschicht angeordnet sein, die auf dem Pfad angeordnet ist, entlang dessen das von den Leuchtdioden ED auf dem Anzeigefeld 110 emittierte Licht austritt, um den Reflexionsgrad des Lichts zu verringern, das von der Außenseite des Anzeigefeldes 110 auf das Anzeigefeld 110 einfällt, und den Durchlassgrad des Lichts zu erhöhen, das vom Anzeigefeld 110 austritt.
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Ein optischer Film 400 oder dergleichen kann auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 angeordnet ist, um den Reflexionsgrad von externem Licht zu verringern und gleichzeitig den Durchlassgrad des Lichts, das aus dem Anzeigefeld 110 austritt, ohne Anordnen des Polarisators 200 zu erhöhen.
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Die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf einer Oberfläche der Isolationsschicht strukturiert und angeordnet sein, die im Anzeigefeld 110 enthalten ist, oder eine separate Schicht mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 kann im Anzeigefeld 110 angeordnet sein.
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4 stellt eine andere Querschnittsstruktur des Anzeigefeldes 110 mit der Mottenaugenstrukturschicht 300 gemäß beispielhaften Ausführungsformen dar.
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Mit Bezug auf 4 sind eine Dünnfilmtransistorschicht TFT und Leuchtdioden ED auf einem Substrat SUB angeordnet. Eine Einkapselungsschicht ENCAP kann auf den Leuchtdioden ED angeordnet sein. Eine Berührungsisolationsschicht T-ILD, ein Berührungsmetall TM und eine Berührungspassivierungsschicht T-PAS können auf und über der Einkapselungsschicht ENCAP angeordnet sein.
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Hier kann eine Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein.
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Ein optischer Film 400 kann auf der Antireflexschicht 310 angeordnet sein.
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Das heißt, eine separate Schicht, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 angeordnet ist, kann auf der Isolationsschicht angeordnet sein, die im Anzeigefeld 110 enthalten ist, ohne die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auszubilden. Alternativ kann eine separate Schicht angeordnet sein und die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf der separaten Schicht ausgebildet sein.
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In dieser Weise kann die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche angeordnet sein, von der Licht auf dem Anzeigefeld 110 austritt, um den Durchlassgrad des Lichts, das vom Anzeigefeld 110 austritt, zu erhöhen, während der Reflexionsgrad von externem Licht verringert wird.
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5 und 6 stellen ein Verfahren zum Anordnen der Mottenaugenstrukturschicht 300 im Anzeigefeld 110 gemäß beispielhaften Ausführungsformen dar.
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Mit Bezug auf 5 wird eine Ätzbasis 510 auf einer unteren Basis 520 angeordnet und ein Copolymer 500 wird auf der Ätzbasis 510 angeordnet. Hier kann das Copolymer 500 beispielsweise ein Blockcopolymer wie z. B. PS-b-PMMA sein.
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Dieses Blockcopolymer 500 kann in Polymere, die voneinander verschieden sind, durch spontane Phasentrennung aufgetrennt und angeordnet werden.
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Das heißt, das Copolymer 500 kann in ein erstes Polymer 501 und ein zweites Polymer 502 durch spontane Phasentrennung aufgetrennt und angeordnet werden.
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In dem Zustand, in dem das Copolymer 500 in das erste Polymer 501 und das zweite Polymer 502 in dieser Weise aufgetrennt ist, kann das erste Polymer 501 oder das zweite Polymer 502 selektiv geätzt werden, um eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auszubilden.
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Das zweite Polymer 502 des Copolymers 500 kann beispielsweise selektiv geätzt werden, um nur das erste Polymer 501 zu belassen.
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Ferner kann die Ätzbasis 510 in dem Zustand geätzt werden, in dem nur das erste Polymer 501 belassen ist, so dass die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Ätzbasis 510 ausgebildet werden kann.
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Das heißt, das Copolymer 500 wird auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet und wird einer spontanen Phasentrennung und selektivem Ätzen unterzogen, so dass die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 angeordnet werden kann.
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Alternativ wird das Copolymer 500 selektiv geätzt und dann wird die Isolationsschicht, die unter dem Copolymer 500 angeordnet ist, selektiv geätzt, so dass die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 ausgebildet werden kann.
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Falls erforderlich, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 separat ausgebildet werden, und die Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 wird unter Verwendung der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 als Maske geätzt, so dass die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 ausgebildet werden kann.
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Mit Bezug auf 6 kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 unter Verwendung eines Nanodruckverfahrens angeordnet werden.
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Eine Vorlage 600 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 wird beispielsweise hergestellt und dann kann eine Kopie 610 zum Ausbilden der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 unter Verwendung der Vorlage 600 hergestellt werden. Hier kann die Kopie 610 beispielsweise unter Verwendung eines Silikonpolymers hergestellt werden.
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Die Kopie 610 kann auf eine Übertragungsbasis 620 aufgedruckt werden, so dass die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Übertragungsbasis 620 ausgebildet werden kann.
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Das heißt, ein Material (z. B. ein Harz), das der Übertragungsbasis 620 entspricht, kann auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet werden und die Kopie 610 kann aufgedruckt werden, so dass die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet werden kann.
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Falls erforderlich, kann die Kopie 610 auf die Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 aufgedruckt werden, so dass die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht ausgebildet werden kann.
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Das vorstehend erwähnte Verfahren wurde als Beispiel des Verfahrens zum Ausbilden der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 beschrieben. Unter Verwendung von verschiedenen anderen Verfahren als dieses Verfahrens kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 ausgebildet werden oder die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet werden.
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In dieser Weise wird die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Oberfläche angeordnet, durch die das Bild auf dem Anzeigefeld 110 angezeigt wird, so dass der Durchlassgrad von Licht, das aus dem Anzeigefeld 110 austritt, erhöht werden kann, während der Reflexionsgrad von externem Licht verringert wird.
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Ferner kann eine Struktur zum Unterdrücken von reflektiertem Licht auf zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als einem Bereich, von dem Licht austritt, auf einer Oberfläche, auf der das Anzeigefeld 110 das Bild anzeigt, angeordnet werden.
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7 bis 9 stellen eine Querschnittsstruktur dar, in der ein Antireflektor 700 auf dem Anzeigefeld 110 mit der Mottenaugenstrukturschicht 300 gemäß beispielhaften Ausführungsformen angeordnet ist.
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Mit Bezug auf 7 sind eine Dünnfilmtransistorschicht TFT und Leuchtdioden ED auf einem Substrat SUB angeordnet. Eine Einkapselungsschicht ENCAP ist auf den Leuchtdioden ED angeordnet. Eine Berührungsisolationsschicht T-ILD, ein Berührungsmetall TM und eine Berührungspassivierungsschicht T-PAS können auf und über der Einkapselungsschicht ENCAP angeordnet sein.
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Hier kann der Antireflektor 700 auf zumindest einem Abschnitt eines anderen Bereichs als Bereichen, die Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind, auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein.
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Der Antireflektor 700 kann beispielsweise eine schwarze Matrix sein und kann auf einem restlichen anderen Bereich als den Bereichen angeordnet sein, die den Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind.
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Das heißt, der Antireflektor 700, der aus einer schwarzen Matrix ausgebildet ist, ist auf einem anderen Bereich als Bereichen angeordnet, von denen Licht auf dem Anzeigefeld 110 austritt, so dass verhindert werden kann, dass externes Licht, das auf das Anzeigefeld 110 einfällt, auf dem Anzeigefeld 110 reflektiert wird.
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Obwohl in diesem Fall reflektiertes Licht durch Anordnen des Antireflektors 700 im Anzeigefeld 110 unterdrückt wird, kann der Antireflektor 700 nicht auf den Bereichen angeordnet werden, die den Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind, das heißt den Bereichen, von denen Licht austritt.
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Folglich kann die Reflexion von externem Licht durch Anordnen einer nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf Bereichen, auf denen der Antireflektor 700 nicht angeordnet ist, an der Isolationsschicht des Anzeigefeldes 110 verhindert werden.
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Die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann beispielsweise auf den Bereichen, auf denen der Antireflektor 700 nicht angeordnet ist, an der Berührungspassivierungsschicht T-PAS, das heißt Bereichen, die offenen Bereichen des Antireflektors 700 entsprechen, angeordnet sein.
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In dieser Weise kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf den offenen Bereichen des Antireflektors 700 angeordnet sein, so dass der Reflexionsgrad von externem Licht auf den Bereichen verringert werden kann, auf denen der Antireflektor 700 nicht angeordnet ist.
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Ein optischer Film 400 kann auf dem Antireflektor 700 angeordnet sein.
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Hier können Bereiche A zwischen dem optischen Film 400 und der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300, die auf einer Oberfläche der Berührungspassivierungsschicht T-PAS strukturiert ist, Luftschichten sein.
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Das heißt, die Luftschichten mit einem Brechungsindex, der von jenem der Berührungspassivierungsschicht T-PAS verschieden ist, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 strukturiert ist, können ausgebildet werden, so dass die Reflexion von Licht, das von der Außenseite einfällt, verhindert werden kann.
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Alternativ kann eine Passivierungsschicht (z. B. ein Harz) mit einem Brechungsindex, der von jenem der Berührungspassivierungsschicht T-PAS verschieden ist, in den Bereichen A angeordnet werden. Das Material mit einem Brechungsindex, der von jenem der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 verschieden ist, kann angeordnet werden, so dass eine Antireflexfunktion bereitgestellt werden kann.
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Nachdem der Antireflektor 700 auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet ist, kann beispielsweise die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS durch die offenen Bereiche des Antireflektors 700 strukturiert werden.
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Nachdem die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS ausgebildet ist, kann alternativ der Antireflektor 700 angeordnet werden.
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In diesem Fall kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 über die ganze Berührungspassivierungsschicht T-PAS strukturiert werden.
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Mit Bezug auf 8 kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 über eine ganze Oberfläche der Berührungspassivierungsschicht T-PAS strukturiert werden.
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Falls erforderlich, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 über eine ganze Oberfläche von irgendeiner der Isolationsschichten, die unter oder unterhalb der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sind, strukturiert werden.
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Der Antireflektor 700 kann auf einem anderen Bereich als den Bereichen, die den Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind, an der Berührungspassivierungsschicht T-PAS, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 strukturiert ist, angeordnet sein.
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Das heißt, die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf den Bereichen, die den offenen Bereichen des Antireflektors 700 entsprechen, sowie einem Bereich unter dem Bereich, auf dem der Antireflektor 700 angeordnet ist, angeordnet sein.
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In dieser Weise kann, nachdem die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 über die ganze Berührungspassivierungsschicht T-PAS strukturiert ist, der Antireflektor 700 angeordnet werden, so dass der Prozess zum Ausbilden der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 leicht durchgeführt werden kann.
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Ferner kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet werden, um den Reflexionsgrad von externem Licht zu verringern, reflektiertes Licht durch die Anordnung des Antireflektors 700 zu unterdrücken und die Reflexion von externem Licht auf dem Bereich, auf dem der Antireflektor 700 nicht angeordnet werden kann, zu verhindern.
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In einer Struktur, in der der Antireflektor 700 angeordnet ist, kann eine Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf den offenen Bereichen des Antireflektors 700 angeordnet sein.
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Mit Bezug auf 9 kann der Antireflektor 700 auf den Bereichen, die den Bereichen entsprechen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind, an der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein.
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Die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf den offenen Bereichen des Antireflektors 700 angeordnet sein.
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Hier können Luftschichten in Bereichen B zwischen dem optischen Film 400, der auf dem Antireflektor 700 angeordnet ist, und der Antireflexschicht 310 vorhanden sein und eine Passivierungsschicht mit einem Brechungsindex, der von jenem der Antireflexschicht 310 verschieden ist, kann auf den Bereichen B angeordnet sein.
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In dieser Weise ist in einer Struktur, in der der Antireflektor 700 zum Unterdrücken von reflektiertem Licht auf dem anderen Bereich als dem Bereich, von dem Licht auf dem Anzeigefeld 110 austritt, angeordnet ist, die Antireflexschicht 310 mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf den offene Bereichen des Antireflektors 700 angeordnet, so dass die Reflexion von externem Licht auf dem Bereich, von dem Licht auf dem Anzeigefeld 110 austritt.
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10 und 11 stellen eine spezielle Querschnittsstruktur mit der Mottenaugenstrukturschicht 300 in einem Fall dar, in dem das Anzeigefeld 110 gemäß beispielhaften Ausführungsformen eine Oberseitenemissionsstruktur aufweist.
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Mit Bezug auf 10 ist eine Polyimidschicht PI auf einem Substrat SUB angeordnet. Die Polyimidschicht PI kann aus einem organischen Material ausgebildet sein.
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Eine Pufferschicht BUF ist auf der Polyimidschicht PI angeordnet und eine aktive Schicht ACT ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet. Eine Gate-Isolationsschicht GI ist auf der aktiven Schicht ACT angeordnet und eine Gate-Elektrode GAT ist auf der Gate-Isolationsschicht GI angeordnet.
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Eine erste Zwischenschichtisolationsschicht ILD1 kann auf der Gate-Isolationsschicht GI angeordnet sein und eine Kondensatorelektrode CE kann auf der ersten Zwischenschichtisolationsschicht ILD1 angeordnet sein. Eine zweite Zwischenschichtisolationsschicht ILD2 kann auf der Kondensatorelektrode CE angeordnet sein, und Source/Drain-Elektroden S/D können auf der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht ILD2 angeordnet sein.
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Hier kann jede der Pufferschicht BUF, der Gate-Isolationsschicht GI, der ersten Zwischenschichtisolationsschicht ILD1 und der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht ILD2 aus einem anorganischen Material ausgebildet sein.
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Eine Planarisierungsschicht PLN ist auf den Source/Drain-Elektroden S/D angeordnet und eine erste Elektrode E1a ist auf der Planarisierungsschicht PLN angeordnet. Die erste Elektrode E1a kann eine Anode für die Leuchtdioden ED sein. Die erste Elektrode E1a kann beispielsweise aus einer Reflexionsschicht, die aus einer Legierung ausgebildet ist, die Silber enthält, und einer Schicht, die aus einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) auf der Basis eines Indiumzinnoxids (ITO) ausgebildet ist, bestehen.
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Eine Bankschicht BANK kann auf der ersten Elektrode E1a angeordnet sein und eine organische Schicht OL kann auf der Bankschicht BANK und der ersten Elektrode E1a angeordnet sein, auf der die Bankschicht BANK nicht angeordnet ist. Die organische Schicht OL kann eine Lochtransportschicht und eine Lichtemissionsschicht und eine Elektronentransportschicht umfassen. Hier kann die Lichtemissionsschicht beispielsweise rotes, grünes oder blaues Licht emittieren. In diesem Fall kann die Lichtemissionsschicht auf einem Subpixelbereich mit einem Lichtemissionsbereich EA ausgebildet sein. Alternativ kann die Lichtemissionsschicht weißes Licht emittieren. In diesem Fall kann die Lichtemissionsschicht zu den anderen Bereichen als den Bereichen, auf denen die Leuchtdioden ED angeordnet sind, ausgedehnt und darauf angeordnet sein. Ein Abstandhalter SPACER kann teilweise auf der Bankschicht BANK angeordnet sein.
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Hier kann jede der Planarisierungsschicht PLN und der Bankschicht BANK aus einem organischen Material ausgebildet sein.
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Eine zweite Elektrode E2 kann auf der Bankschicht BANK angeordnet sein und die zweite Elektrode E2 kann eine Kathode der Leuchtdioden ED sein.
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Eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1, eine organische Einkapselungsschicht PCL und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 können auf der zweiten Elektrode E2 angeordnet sein.
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In dem Fall des Anzeigefeldes 110, in dem eine Berührungswahrnehmung möglich ist, kann eine Berührungsisolationsschicht T-ILD auf der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2 angeordnet sein und ein Berührungsmetall TM und eine Berührungspassivierungsschicht T-PAS können auf der Berührungsisolationsschicht T-ILD angeordnet sein.
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Jede der Berührungsisolationsschicht T-ILD und der Berührungspassivierungsschicht T-PAS kann aus einem anorganischen Material ausgebildet sein. Falls erforderlich, können die Berührungsisolationsschicht T-ILD und/oder die Berührungspassivierungsschicht T-PAS aus einem organischen Material ausgebildet sein.
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Hier kann eine nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein, die in der obersten Schicht des Anzeigefeldes 110 angeordnet ist. Die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann nur auf dem Bereich angeordnet sein, auf dem jede der Leuchtdioden ED angeordnet ist, das heißt einem Bereich, der dem Lichtemissionsbereich EA entspricht, und auf einem ganzen Bereich angeordnet sein, wie in 11 dargestellt.
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Der Antireflektor 700 kann auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 strukturiert ist.
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Der Antireflektor 700 kann auf einem anderen Bereich als dem Bereich, der dem Bereich entspricht, auf dem jede der Leuchtdioden ED angeordnet ist, auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS angeordnet sein
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Folglich kann die Reflexion von externem Licht durch den Antireflektor 700 und durch die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300, die auf der Berührungspassivierungsschicht T-PAS auf einem offenen Bereich des Antireflektors 700 strukturiert ist, verhindert werden.
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Ferner kann der Antireflektor 700 angeordnet werden, nachdem die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 über der ganzen Berührungspassivierungsschicht T-PAS strukturiert ist, so dass eine Struktur zum Unterdrücken einer Reflexion von externem Licht leicht im Anzeigefeld 110 ausgebildet werden kann.
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Falls erforderlich, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche mindestens einer der Isolationsschichten strukturiert sein, die unter und unterhalb der obersten Schicht angeordnet sind.
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Wie in 11 dargestellt, kann beispielsweise die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 an einer Grenzfläche zwischen der organischen Einkapselungsschicht PCL, die aus einem organischen Material ausgebildet ist, und der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2, die aus einem anorganischen Material ausgebildet ist, an der Einkapselungsschicht ENCAP, die auf der zweiten Elektrode E2 angeordnet ist, strukturiert und angeordnet sein.
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Das heißt, nachdem die organische Einkapselungsschicht PCL auf der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1 angeordnet ist, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf zumindest einem Abschnitt der oberen Oberfläche der organischen Einkapselungsschicht PCL strukturiert werden.
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Eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 kann auf der organischen Einkapselungsschicht PCL angeordnet sein, auf der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 strukturiert ist.
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In diesem Fall sind, selbst wenn die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 angeordnet ist, die auf der organischen Einkapselungsschicht PCL strukturiert ist, die Brechungsindexes der organischen Einkapselungsschicht PCL und der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2 unterschiedlich und folglich kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300, die auf der organischen Einkapselungsschicht PCL strukturiert ist, die Reflexion von externem Licht verhindern.
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Das heißt, die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf der Isolationsschicht strukturiert sein, die unter der obersten Schicht unter den Isolationsschichten angeordnet ist, die im Anzeigefeld 110 enthalten sind, falls erforderlich. In diesem Fall kann die Mottenaugenstrukturschicht an einer Grenzfläche zwischen der organischen Isolationsschicht und der anorganischen Isolationsschicht angeordnet sein, so dass eine Antireflexfunktion durch die Mottenaugenstrukturschicht bereitgestellt werden kann.
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Ferner kann die Struktur, in der die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der Isolationsschicht strukturiert ist, auch auf den Fall angewendet werden, in dem das Anzeigefeld 110 die Unterseitenemissionsstruktur ist.
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12 und 13 stellen eine spezielle Querschnittsstruktur mit der Mottenaugenstrukturschicht 300 in dem Fall dar, in dem das Anzeigefeld 110 gemäß beispielhaften Ausführungsformen die Unterseitenemissionsstruktur aufweist.
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Mit Bezug auf 12 ist eine Pufferschicht BUF auf einem Substrat SUB angeordnet und eine aktive Schicht ACT ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet. Hier kann das Substrat SUB ein transparentes Glassubstrat sein.
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Die Pufferschicht BUF kann aus einem anorganischen Material ausgebildet sein. Der Kürze halber können Isolationsschichten, die unter und unterhalb eines Dünnfilmtransistors angeordnet sind, als „erste untere Isolationsschichten“ bezeichnet werden.
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Eine Gate-Isolationsschicht GI und eine Gate-Elektrode GAT können auf der aktiven Schicht ACT angeordnet sein und eine Zwischenschichtisolationsschicht ILD kann auf der Gate-Elektrode GAT angeordnet sein. Source/Drain-Elektroden S/D können auf der Zwischenschichtisolationsschicht ILD angeordnet sein und eine Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS kann auf den Source/Drain-Elektroden S/D angeordnet sein.
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Hier kann jede der Gate-Isolationsschicht GI, der Zwischenschichtisolationsschicht ILD und der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS aus einem anorganischen Material ausgebildet sein.
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Ein Farbfilter CF und eine Überzugsschicht OC sind auf der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS angeordnet und eine erste Elektrode E1b ist auf der Überzugsschicht OC angeordnet. Die erste Elektrode Elb kann beispielsweise aus TCO auf der Basis von ITO ausgebildet sein. Eine Bankschicht BANK kann auf der ersten Elektrode E1b angeordnet sein und eine organische Schicht OL mit einer Lochtransportschicht, einer Lichtemissionsschicht und einer Elektronentransportschicht kann auf der Bankschicht BANK und der ersten Elektrode E1b angeordnet sein, auf der die Bankschicht BANK nicht angeordnet ist. Eine zweite Elektrode E2 kann auf der organischen Schicht OL und der Bankschicht BANK angeordnet sein. In der Darstellung von 12 kann eine Struktur, in der die organische Schicht OL mit einer Lichtemissionsschicht, die weißes Licht emittiert, und dem Farbfilter CF gezeigt ist, und die organische Schicht OL kann zu einem anderen Bereich als einem Bereich, auf dem jede Leuchtdiode ED angeordnet ist, ausgedehnt und darauf angeordnet sein.
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Hier kann jeder des Farbfilters CF, der Überzugsschicht OC und der Bankschicht BANK aus einem organischen Material ausgebildet sein.
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Der Kürze halber kann eine Isolationsschicht, die zwischen der Leuchtdiode ED und dem Dünnfilmtransistor angeordnet ist, als „zweite untere Isolationsschicht“ bezeichnet werden.
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Die Leuchtdiode ED kann weißes Licht emittieren und das von der Leuchtdiode ED emittierte Licht kann zur Rückseite des Substrats SUB durch das Farbfilter CF austreten. Ein optischer Film 400 kann auf der Rückseite des Substrats SUB angeordnet sein.
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Das heißt, die erste und die zweite untere Isolationsschicht, die zwischen dem Substrat SUB und der Leuchtdiode ED angeordnet sind, sind auf einem Pfad angeordnet, entlang dessen Licht, das aus der Leuchtdiode ED emittiert wird, austritt.
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Folglich kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche der ersten und/oder der zweiten Isolationsschicht strukturiert sein, um eine Antireflexfunktion von externem Licht bereitzustellen.
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In diesem Fall kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 an einer Grenzfläche zwischen einer organischen Isolationsschicht und einer anorganischen Isolationsschicht an der ersten und der zweiten unteren Isolationsschicht angeordnet sein.
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Wie in 12 dargestellt, kann beispielsweise die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 an einer Grenzfläche zwischen der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS, die aus einem anorganischen Material ausgebildet ist, und dem Farbfilter CF, das aus einem organischen Material ausgebildet ist, und zwischen der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS und der Überzugsschicht OC strukturiert und angeordnet sein.
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Das heißt, die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann auf der oberen Oberfläche der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS strukturiert werden und dann können das Farbfilter CF und die Überzugsschicht OC angeordnet werden.
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Die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 kann nur auf dem Bereich strukturiert sein, der dem Bereich entspricht, auf dem die Leuchtdiode ED angeordnet ist, das heißt nur auf dem Lichtemissionsbereich EA, oder über die ganze obere Oberfläche der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS strukturiert sein.
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Falls erforderlich, kann eine Antireflexschicht mit der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 zwischen der Dünnfilmtransistorpassivierungsschicht PAS und dem Farbfilter CF und zwischen dem Farbfilter CF und der Überzugsschicht OC angeordnet sein.
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In einem Fall, in dem mehrere erste untere Isolationsschichten unter und unterhalb des Dünnfilmtransistors angeordnet sind, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche von mindestens einer der mehreren ersten unteren Isolationsschichten strukturiert und angeordnet sein.
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Die Antireflexfunktion von externem Licht kann durch die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 bereitgestellt werden, die zwischen dem Substrat SUB und der Leuchtdiode ED in dieser Weise angeordnet ist.
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Hier kann eine strukturierte Schicht 800 mit geringer Reflexion unter dem Dünnfilmtransistor angeordnet sein.
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Die strukturierte Schicht 800 mit geringer Reflexion kann beispielsweise aus Cu, IGZO oder Mo ausgebildet sein, unter dem Dünnfilmtransistor angeordnet sein und zwischen dem Substrat SUB und der Pufferschicht BUF angeordnet sein.
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Der Dünnfilmtransistor kann vor externem Licht durch die strukturierte Schicht 800 mit geringer Reflexion geschützt werden und die Antireflexfunktion von externem Licht kann bereitgestellt werden.
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Das heißt, die Reflexion von externem Licht, das auf einen anderen Bereich als den Bereich einfällt, der dem Bereich entspricht, auf dem die Leuchtdiode ED angeordnet ist, kann durch die strukturierte Schicht 800 mit geringer Reflexion verhindert werden und die Reflexion von externem Licht, das auf einen Bereich einfällt, von dem Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, austritt, kann durch die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300, die auf der Isolationsschicht strukturiert ist, verhindert werden.
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In dieser Weise ist es aufgrund der Anordnung der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 und der strukturierten Schicht 800 mit geringer Reflexion möglich, die Reflexion von externem Licht zu verhindern und den Durchlassgrad auf dem Anzeigefeld 110 mit einer Unterseitenemissionsstruktur zu erhöhen.
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Ferner kann die vorstehend erwähnte nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche des Substrats SUB strukturiert sein.
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Mit Bezug auf 13 kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 beispielsweise auf der Rückseite des Substrats SUB des Anzeigefeldes 110 strukturiert und angeordnet sein. Falls erforderlich, kann die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf der oberen Oberfläche des Substrats SUB angeordnet sein.
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Ein optischer Film 400 kann unter dem Substrat SUB angeordnet sein, auf dem die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 strukturiert ist.
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Folglich kann eine Luftschicht zwischen der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 und dem optischen Film 400 vorhanden sein, der auf der Rückseite des Substrats SUB angeordnet ist.
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Da ein Brechungsindex von der Außenseite zur Innenseite der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 allmählich kontinuierlich geändert wird, kann der Reflexionsgrad durch die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 verringert werden.
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In dieser Weise ist die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche des Substrats SUB strukturiert, so dass die Reflexion von Licht, das von der Außenseite des Anzeigefeldes 110 mit der Unterseitenemissionsstruktur einfällt, verhindert werden kann.
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Wie vorstehend dargelegt, ist gemäß beispielhaften Ausführungsformen die nanoskalierte Mottenaugenstrukturschicht 300 auf einer Oberfläche von mindestens einer der Isolationsschichten, die auf dem Pfad angeordnet sind, entlang dessen das von der Leuchtdiode ED emittierte Licht auf dem Anzeigefeld 110 austritt, strukturiert und angeordnet, so dass die Reflexion von externem Licht unterdrückt werden kann und der Durchlassgrad von Licht, das zur Außenseite austritt, erhöht werden kann.
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Ferner kann reflektiertes Licht durch Anordnen des Antireflektors 700 oder der strukturierten Schicht 800 mit geringer Reflexion auf zumindest einem Abschnitt des anderen Bereichs als des Bereichs, der dem Bereich entspricht, auf dem die Leuchtdiode ED angeordnet ist, unterdrückt werden und eine Antireflexfunktion von externem Licht kann durch Anordnen der nanoskalierten Mottenaugenstrukturschicht 300 auf dem Lichtemissionsbereich EA, auf dem der Antireflektor 700 oder dergleichen nicht angeordnet werden kann, verbessert werden.
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Die vorangehenden Beschreibungen und die begleitenden Zeichnungen wurden dargestellt, um bestimmte Prinzipien der vorliegenden Offenbarung beispielhaft zu erläutern. Ein üblicher Fachmann auf dem Gebiet, auf den sich die vorliegende Offenbarung bezieht, könnte verschiedene Modifikationen und Veränderungen durchführen, ohne vom Prinzip der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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