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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG(EN)
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
Koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2018-0089425 , eingereicht am 31. Juli 2018, Nr. 10-2018-0131057, eingereicht am 30. Oktober 2018, und Nr. 10-2019-0045038, eingereicht am 17. April 2019.
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HINTERGRUND
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und betrifft insbesondere eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zum Emittieren von weißem Licht.
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Beschreibung der bezogenen Technik
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Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen sind Vorrichtungen, in denen eine lichtemittierende Schicht zwischen zwei Elektroden (beispielsweise einer Anodenelektrode und einer Kathodenelektrode) angeordnet ist und mit einem elektrischen Feld, das zwischen den beiden Elektroden erzeugt wird, Licht emittiert, wodurch ein Bild dargestellt wird. Die lichtemittierende Schicht kann aus einem organischen Material oder einem anorganischen Material, wie beispielsweise einem Quantenpunkt, gebildet sein. In der lichtemittierenden Schicht wird ein Exziton mittels einer Kombination eines Elektrons und eines Lochs erzeugt. Wenn das Exziton aus einem angeregten Zustand in einen Grundzustand gebracht wird, wird Licht emittiert.
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Die lichtemittierende Schicht kann in Subpixeln Licht verschiedener Farben (beispielsweise rot, grün und blau) emittieren und kann in den Subpixeln Licht der gleichen Farbe (beispielsweise weißes Licht) emittieren. Wenn die lichtemittierende Schicht in Einheiten von Subpixeln Licht verschiedener Farben emittiert, gibt es eine Beschränkung, dass ein Maskenprozess zusätzlich durchgeführt wird, da unter Verwendung einer Maske verschiedene lichtemittierende Farben in den Subpixeln abgeschieden werden sollten. Wenn eine Maske nicht präzise ausgerichtet ist, tritt ein Problem dahingehend auf, dass es schwierig ist, die lichtemittierende Schicht in jedem Subpixel abzuscheiden.
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Andererseits ist, wenn in Subpixeln die lichtemittierende Schicht Licht der gleichen Farbe (beispielswiese weißes Licht) emittiert, eine Maske zum Bilden der lichtemittierenden Schicht nicht notwendig. Somit tritt ein durch einen Maskenprozess hervorgerufenes Problem nicht auf.
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Wenn die lichtemittierende Schicht jedoch derart ausgeführt ist, dass sie weißes Licht emittiert, sollte in jedem Subpixel ein Farbfilter bereitgestellt sein. Von der lichtemittierenden Schicht emittiertes Licht wird mittels des Farbfilters absorbiert, was eine Verringerung der Lichtausbeute bewirkt.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die ein oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik im Wesentlichen verhindert, gerichtet.
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Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die eine lichtemittierenden Schicht zum Emittieren von weißem Licht aufweist und die Lichtausbeute erhöht.
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Zusätzliche Merkmale und Aspekte werden in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können mittels Anwendung der hierin bereitgestellten erfinderischen Konzepte erlernt werden. Andere Merkmale und Aspekte der erfinderischen Konzepte können mittels der in der Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Strukturen realisiert und erreicht werden oder sind daraus ableitbar.
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Zum Erzielen dieser und anderer Aspekte der erfinderischen Konzepte, wie hierin ausgeführt und breit beschrieben, wird eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Des Weiteren wird in Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 13 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
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Zum Erzielen dieser und anderer Aspekte der erfinderischen Konzepte, wie hierin ausgeführt und breit beschrieben, wird ein Elektrolumineszenz-Anzeigegerät bereitgestellt, aufweisend: eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat, aufweisend: ein erstes Subpixel, ein zweites Subpixel und ein drittes Subpixel, eine Schaltkreisvorrichtungsschicht, die jeweils einen Ansteuerungs-Dünnschichttransistor in jedem des ersten Subpixels bis dritten Subpixels auf dem Substrat aufweist, jeweils eine erste Elektrode in jedem des ersten Subpixels bis dritten Subpixels auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht, eine lichtemittierende Schicht auf den ersten Elektroden und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei die erste Elektrode des ersten Subpixels aufweist: eine erste untere Elektrode und eine oben erste obere Elektrode, wobei die erste Elektrode des zweiten Subpixels aufweist: eine zweite untere Elektrode und eine zweite oberen Elektrode, wobei ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode verschieden ist von einem Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode, und wobei die erste untere Elektrode und die erste obere Elektrode durch eine erste Kontaktelektrode dazwischen elektrisch miteinander verbunden sind.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Kontaktelektrode eine erste untere Kontaktelektrode und eine erste obere Kontaktelektrode auf, wobei die erste untere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Kontaktelektrode angeordnet ist, wobei die erste untere Kontaktelektrode die erste untere Elektrode mit der ersten oberen Kontaktelektrode elektrisch verbindet, die erste obere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Kontaktelektrode und der ersten oberen Elektrode angeordnet ist, wobei die erste obere Kontaktelektrode die erste untere Kontaktelektrode mit der ersten oberen Elektrode elektrisch verbindet, und die erste untere Elektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des ersten Subpixels durch ein Kontaktloch in der Schaltkreisvorrichtungsschicht hindurch elektrisch verbunden ist.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite untere Elektrode durch ein zweites Kontaktloch hindurch mit der zweiten oberen Elektrode und dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels elektrisch verbunden, wobei die zweite Kontaktelektrode eine zweite untere Kontaktelektrode und eine zweite obere Kontaktelektrode aufweist, wobei die zweite untere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Elektrode und dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels angeordnet ist, wobei die zweite untere Kontaktelektrode die zweite untere Elektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels elektrisch verbindet, und die zweite untere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode angeordnet ist, wobei die zweite untere Kontaktelektrode die zweite untere Elektrode mit der zweiten oberen Elektrode elektrisch verbindet.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Kontaktelektrode eine einzelne Kontaktschicht auf, die erste untere Elektrode ist durch ein Kontaktloch in der Schaltkreisvorrichtungsschicht hindurch mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des ersten Subpixels elektrisch verbunden, und eine erste isolierende Schicht und eine zweite isolierende Schicht sind zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten Kontaktelektrode angeordnet.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite obere Elektrode durch eine zweite Kontaktelektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels elektrisch verbunden, wobei die zweite Kontaktelektrode eine zweite untere Kontaktelektrode und eine zweite obere Kontaktelektrode aufweist, wobei die zweite untere Kontaktelektrode zwischen der zweiten oberen Kontaktelektrode und dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels angeordnet ist, wobei die zweite untere Kontaktelektrode die zweite obere Kontaktelektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels verbindet, die zweite obere Kontaktelektrode ist zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode und der zweiten oberen Elektrode angeordnet, wobei die zweite obere Kontaktelektrode die zweite untere Kontaktelektrode mit der zweiten oberen Elektrode elektrisch verbindet, und eine erste isolierende Schicht und eine zweite isolierende Schicht sind zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode und der zweiten oberen Kontaktelektrode angeordnet.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite untere Elektrode mit der zweiten oberen Elektrode und der zweiten Kontaktelektrode nicht elektrisch verbunden.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite untere Elektrode mit einer Seitenoberfläche der zweiten oberen Kontaktelektrode elektrisch verbunden.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Elektrode des dritten Subpixels eine dritte untere Elektrode und eine dritte obere Elektrode auf, wobei ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode verschieden ist von einem Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode und einem Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode, und wobei die dritte untere Elektrode durch eine dritte Kontaktelektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des dritten Subpixels elektrisch verbunden ist.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die dritte Kontaktelektrode eine dritte untere Kontaktelektrode und eine dritte obere Kontaktelektrode auf, wobei die dritte untere Kontaktelektrode zwischen der dritten oberen Kontaktelektrode und dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des dritten Subpixels angeordnet ist, wobei die dritte untere Kontaktelektrode die dritte obere Kontaktelektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des dritten Subpixels elektrisch verbindet, und die dritte obere Kontaktelektrode zwischen der dritten unteren Kontaktelektrode und der dritten unteren Elektrode angeordnet ist, wobei die dritte obere Kontaktelektrode die dritte untere Kontaktelektrode mit der dritten unteren Elektrode elektrisch verbindet.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die dritte Kontaktelektrode eine einzelne Kontaktschicht auf, die dritte Kontaktelektrode ist durch ein Kontaktloch in der Schaltkreisvorrichtungsschicht hindurch mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des ersten Subpixels elektrisch verbunden, und eine erste isolierende Schicht und eine zweite isolierende Schicht sind zwischen der dritten Kontaktelektrode und der dritten unteren Elektrode angeordnet.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die dritte obere Elektrode eine dritte untere Schicht und eine dritte obere Schicht auf, und die dritte untere Schicht weist eine gleiche Struktur auf wie eine Struktur der dritten unteren Elektrode in einer oberen Oberfläche der dritten unteren Elektrode.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren in einem Randbereich zwischen dem ersten Subpixel bis dritten Subpixel einen Damm auf, wobei die dritte obere Schicht die gleiche Struktur aufweist wie die Struktur der dritten unteren Schicht, und wobei der Damm beide Enden der dritten oberen Schicht überdeckt.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren in einem Grenzbereich zwischen dem ersten Subpixel bis dritten Subpixel einen Damm auf, wobei die dritte obere Schicht eine Struktur aufweist, die verschieden ist von der Struktur der dritten unteren Schicht, wobei der Damm ein Ende der dritten oberen Schicht nicht überdeckt, und wobei die lichtemittierende Schicht die dritte untere Schicht kontaktiert.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste obere Elektrode eine erste untere Schicht und eine erste obere Schicht auf, wobei die erste untere Schicht eine gleiche Struktur aufweist wie eine Struktur der ersten Kontaktelektrode, und die erste obere Elektrode weist eine Struktur auf, die verschieden ist von einer Struktur der ersten unteren Schicht.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Kontaktelektrode eine erste untere Kontaktelektrode und eine erste obere Kontaktelektrode auf, wobei die erste untere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Kontaktelektrode angeordnet ist, die erste obere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Kontaktelektrode und der ersten oberen Elektrode angeordnet ist, und die erste untere Schicht eine gleich Struktur aufweist wie eine Struktur der ersten oberen Kontaktelektrode in einer oberen Oberfläche der ersten oberen Kontaktelektrode.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren eine zweite Kontaktelektrode auf, die die zweite obere Elektrode mit dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels elektrisch verbindet, wobei die zweite obere Elektrode eine zweite untere Schicht und eine zweite obere Schicht aufweist, wobei die zweite untere Schicht eine gleiche Struktur aufweist wie eine Struktur der zweiten Kontaktelektrode, und wobei die zweite obere Schicht eine Struktur aufweist, die verschieden ist von der Struktur der zweiten unteren Schicht.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die zweite Kontaktelektrode eine zweite untere Kontaktelektrode und eine zweite obere Kontaktelektrode auf, wobei die zweite untere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Elektrode und dem Ansteuerungs-Dünnschichttransistor des zweiten Subpixels angeordnet ist, die zweite obere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode angeordnet ist, und die zweite untere Schicht eine gleiche Struktur aufweist wie eine Struktur der zweiten oberen Kontaktelektrode in einer oberen Oberfläche der zweiten oberen Kontaktelektrode.
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In Übereinstimmung mit einer mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzahl von isolierenden Schichten zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode kleiner als eine Anzahl von isolierenden Schichten zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode, und die Anzahl von isolierenden Schichten zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode ist größer als eine Anzahl von isolierenden Schichten zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren einen Damm, der ein Ende der ersten Elektrode überdeckt, auf, wobei der Damm in einem Randbereich zwischen dem ersten Subpixel bis dritten Subpixel einen Graben aufweist, und wobei die lichtemittierende Schicht in dem Graben nicht-durchgängig ist.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist ein Bereich der ersten Elektrode, der die lichtemittierende Schicht kontaktiert, eine Austrittsenergie auf.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren eine Linsenmatrix, die in einem Abstand von dem Substrat angeordnet ist, und ein aufnehmendes Gehäuse, das dazu eingerichtet ist, das Substrat und die Linsenmatrix aufzunehmen, auf.
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In einem weiteren Aspekt wird eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung bereitgestellt, aufweisend: ein erstes Subpixel, aufweisend: einen ersten Emissionsbereich und einen ersten Kontaktbereich, ein zweites Subpixel, aufweisend: einen zweiten Emissionsbereich und einen zweiten Kontaktbereich, ein drittes Subpixel, aufweisend: einen dritten Emissionsbereich und einen dritten Kontaktbereich, eine erste untere Elektrode und eine erste obere Elektrode in dem ersten Emissionsbereich, eine zweite untere Elektrode und eine zweite obere Elektrode in dem zweiten Emissionsbereich, eine dritte untere Elektrode und eine dritte obere Elektrode in dem dritten Emissionsbereich, eine erste Kontaktelektrode in dem ersten Kontaktbereich, wobei die erste Kontaktelektrode elektrisch verbunden ist mit: der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode, eine zweite Kontaktelektrode in dem zweiten Kontaktbereich, wobei die zweite Kontaktelektrode mit der zweiten oberen Elektrode elektrisch verbunden ist, und eine dritte Kontaktelektrode in dem dritten Kontaktbereich, wobei die dritte Kontaktelektrode mit der dritten unteren Elektrode elektrisch verbunden ist, wobei ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode geringer ist als ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode, und wobei der Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode größer ist als ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erstrecken sich die erste untere Elektrode und die erste obere Elektrode zu dem ersten Kontaktbereich, die zweite untere Elektrode und die zweite obere Elektrode erstrecken sich zu dem zweiten Kontaktbereich, und die dritte untere Elektrode und die dritte obere Elektrode erstrecken sich zu dem dritten Kontaktbereich.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode eine erste untere Kontaktelektrode und eine erste obere Kontaktelektrode auf, wobei die zweite Kontaktelektrode eine zweite untere Kontaktelektrode unter der zweiten unteren Elektrode und eine zweite obere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode aufweist, und wobei die dritte Kontaktelektrode unter der dritten unteren Elektrode eine dritte untere Kontaktelektrode und eine dritte obere Kontaktelektrode aufweist.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erstrecken sich die erste untere Elektrode und erste obere Elektrode zu dem ersten Kontaktbereich, die zweite untere Elektrode erstreckt sich nicht zu dem zweiten Kontaktbereich, die zweite obere Elektrode erstreckt sich zu dem zweiten Kontaktbereich, und die dritte untere Elektrode und die dritte obere Elektrode erstrecken sich zu dem dritten Kontaktbereich.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste Kontaktelektrode eine einzelne Kontaktschicht zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode auf, die zweite Kontaktelektrode weist unter der zweiten oberen Elektrode eine zweite untere Kontaktelektrode und eine zweite obere Kontaktelektrode auf, und die dritte Kontaktelektrode weist eine einzelne Kontaktschicht unter der dritten unteren Elektrode auf.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste obere Elektrode eine erste untere Schicht in dem ersten Kontaktbereich und eine erste obere Schicht, die sich von dem ersten Kontaktbereich zu dem ersten Emissionsbereich erstreckt, auf, die zweite obere Elektrode weist eine zweite untere Schicht in dem zweiten Kontaktbereich und eine zweite obere Schicht, die sich von dem zweiten Kontaktbereich zu dem zweiten Emissionsbereich erstreckt, auf, und die dritte obere Elektrode weist eine dritte untere Schicht, die sich von dem dritten Kontaktbereich zu dem dritten Emissionsbereich erstreckt, und eine dritte obere Schicht, die sich von dem dritten Kontaktbereich zu dem dritten Emissionsbereich erstreckt, auf.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die erste untere Schicht eine gleiche Struktur auf wie eine Struktur der ersten Kontaktelektrode, die zweite untere Schicht weist eine gleiche Struktur auf wie eine Struktur der zweiten Kontaktelektrode, die dritte untere Schicht weist eine gleiche Struktur auf wie eine Struktur der ersten unteren Elektrode, die erste obere Schicht weist eine Struktur auf, die verschieden ist von einer Struktur der ersten unteren Schicht, und die zweite obere Schicht weist eine Struktur auf, die verschieden ist von einer Struktur der zweiten unteren Schicht.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke der ersten oberen Elektrode in dem ersten Emissionsbereich geringer als eine Dicke der ersten oberen Elektrode in dem ersten Kontaktbereich.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke der zweiten oberen Elektrode in dem zweiten Emissionsbereich geringer als eine Dicke der zweiten oberen Elektrode in dem zweiten Kontaktbereich, und eine Dicke der dritten oberen Elektrode in dem dritten Emissionsbereich ist gleich einer Dicke der dritten oberen Elektrode in dem dritten Kontaktbereich.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die erste untere Elektrode und die erste obere Elektrode durch eine Mehrzahl von Kontaktlöchern hindurch miteinander verbunden, und mindestens eines der Mehrzahl von Kontaktlöchern überlappt nicht die anderen Kontaktlöcher.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind zwei Seiten des ersten Kontaktbereichs dem ersten Emissionsbereich gegenüberliegend angeordnet, und der erste Emissionsbereich weist einen ersten Bereich, der eine erste Breite aufweist, und einen zweiten Bereich, der eine zweite Breite aufweist, auf. Die erste Breite kann größer sein als die zweite Breite.
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In Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren einen Damm, der ein Ende von jeder der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode überdeckt, und eine lichtemittierende Schicht auf der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode auf, wobei der Damm in einem Randbereich zwischen dem ersten Subpixel bis dritten Subpixel einen Graben aufweist, wobei die lichtemittierende Schicht in dem Graben angeordnet ist, und wobei die lichtemittierende Schicht in dem Graben nicht-durchgängig ist.
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In Übereinstimmung einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Weiteren eine Linsenmatrix, die in einem Abstand von dem Substrat angeordnet ist, und ein aufnehmendes Gehäuse, das dazu eingerichtet ist, das Substrat und die Linsenmatrix aufzunehmen, auf.
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Andere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile werden beim Studium der folgenden Abbildungen und detaillierten Beschreibung dem Fachmann ersichtlich werden oder werden bekannt gemacht. Es ist beabsichtigt, dass alle diese zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile in dieser Beschreibung eingeschlossen sind, innerhalb des Anwendungsbereichs der vorliegenden Offenbarung liegen und mittels der folgenden Ansprüche geschützt sind. Nichts in diesem Abschnitt sollte als eine Beschränkung dieser Ansprüche verstanden werden. Weitere Aspekte und Vorteile werden im Folgenden in Verbindung mit Ausführungsformen der Offenbarung beschrieben. Es ist zu bemerken, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung Beispiele darstellen und erklärend sind und dazu vorgesehen sind, eine weitere Erklärung der Offenbarung wie beansprucht bereitzustellen.
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Figurenliste
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Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sein können, um ein weitergehendes Verständnis der Offenbarung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Anmeldung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um verschiedene Prinzipien der Offenbarung zu erklären.
- 1 ist eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 2A bis 2C sind Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 3A ist eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 3B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 3A.
- 3C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 3A.
- 3D ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 3A.
- 4 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 5 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 6 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 7 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 8A ist eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 8B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 8A.
- 8C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 8A.
- 8D ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 8A.
- 9A bis 9H sind Prozess-Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 10 ist eine Querschnittansicht, die eine Möglichkeit, dass eine Emissionsausbeute in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung reduziert ist, darstellt.
- 11A bis 11C sind Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 12A bis 12H sind Prozess-Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 13 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 14 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 15 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 16A ist eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 16B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 16A.
- 17 ist eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 18 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
- 19A bis 19C stellen eine am Kopf angebrachte Anzeige (HMD)-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar.
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Über die Zeichnungen und die detaillierte Beschreibung hinweg sollten, solange nicht anders beschrieben, die gleichen Abbildungsbezugszeichen so verstanden werden, dass sie sich auf die gleichen Elemente, Merkmale und Strukturen beziehen. Die relative Größe und Darstellung dieser Elemente können zugunsten von Klarheit, Darstellung und Bequemlichkeit übertrieben sein.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Bezug wird nun im Detail genommen auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sein können. In der folgenden Beschreibung werden, wenn eine detaillierte Beschreibung bekannter Funktionen oder Anordnungen, die auf dieses Schriftstück bezogen sind, als einen Geist des erfinderischen Konzepts unnötigerweise verschleiernd eingeschätzt wird, die detaillierte Beschreibung davon weggelassen werden. Der Verlauf von beschriebenen Prozessschritten und/oder Abläufen ist ein Beispiel; jedoch ist die Abfolge von Schritten und/oder Abläufen nicht auf das hierin Dargestellte beschränkt und kann, wie dem Fachmann bekannt ist, geändert werden, mit der Ausnahme von Schritten und/oder Abläufen, die notwendigerweise in einer bestimmten Reihenfolge auftreten. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen über die gesamte Anmeldung hinweg gleiche Elemente. Namen der entsprechenden Elemente, die in den folgenden Erklärungen verwendet werden, sind zur Bequemlichkeit des Schreibens der Anmeldung ausgewählt und können somit verschieden sein von denen, die in tatsächlichen Produkten verwendet werden.
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Es ist zu verstehen, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“, etc. hierin zum Beschreiben verschiedener Elemente verwendet werden können, diese Elemente mittels dieser Begriffe nicht beschränkt sein sollten. Dies Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden, und ebenso könnte ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne von dem Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
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Der Begriff „mindestens ein“ sollte so verstanden werden, als dass er jede und alle Kombinationen von einem oder mehreren der angefügten aufgelisteten Gegenstände aufweist. Beispielsweise bezeichnet die Bedeutung von „mindestens einem von einem ersten Gegenstand, einem zweiten Gegenstand und einem dritten Gegenstand“ die Kombination von allen vorgeschlagenen Gegenständen von sowohl zwei oder mehreren des ersten Gegenstands, des zweiten Gegenstands und des dritten Gegenstands als auch den ersten Gegenstand, den zweiten Gegenstand oder den dritten Gegenstand. Ebenso sollte der Begriff „verbunden“ verstanden werden, als dass er „elektrisch verbunden“ enthält.
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In der Beschreibung von Ausführungsformen sollte, wenn eine Struktur als „auf oder über“ oder „unter oder unterhalb“ einer anderen Struktur beschrieben ist, diese Struktur derart ausgelegt werden, dass sie einen Fall, in dem die Strukturen einander kontaktieren, als auch einen Fall, in dem eine dritte Struktur dazwischen angeordnet ist, aufweist. Die Größe und Dicke von jedem in den Abbildungen dargestellten Element sind lediglich zur Bequemlichkeit der Beschreibung angegeben, und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind nicht hierauf beschränkt.
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Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder kombiniert sein und können auf verschiedene Weise miteinander betrieben werden und technisch angesteuert werden, wie dem Fachmann hinlänglich verständlich ist. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt oder können zusammen in einem wechselseitig abhängigen Verhältnis durchgeführt werden.
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Im Folgenden wird eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
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1 zeigt eine Draufsicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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In 1 sind zur Bequemlichkeit nur drei Subpixel dargestellt, jedoch sind Ausführungsformen nicht hierauf beschränkt.
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Wie in 1 dargestellt, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 100, eine Mehrzahl von ersten Elektroden 310 bis 330, eine Mehrzahl von Kontaktelektroden 410 bis 430 und einen Damm 600 aufweisen. Eine Mehrzahl von Subpixeln (beispielsweise erstes Subpixel bis drittes Subpixel) P1 bis P3 können auf dem Substrat 100 angeordnet sein.
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Eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (beispielsweise erster Emissionsbereich bis dritter Emissionsbereich) EA1 bis EA3 und eine Mehrzahl von Kontaktbereichen (beispielsweise erster Kontaktbereich bis dritter Kontaktbereich) CA1 bis CA3 können jeweils in der Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein. Beispielsweise können der erste Emissionsbereich EA1 und der erste Kontaktbereich CA1 in dem ersten Subpixel P1 angeordnet sein, der zweite Emissionsbereich EA2 und der zweite Kontaktbereich CA2 können in dem zweiten Subpixel P2 angeordnet sein, und der dritte Emissionsbereich EA3 und der dritte Kontaktbereich CA3 können in dem dritten Subpixel P3 angeordnet sein.
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Die Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 können mittels des Damms 600 definiert sein. Beispielsweise können die Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 Bereiche sein, die freigelegt sein können, ohne mittels des Damms 600 überdeckt zu sein. Der erste Emissionsbereich EA1 kann ein roter Emissionsbereich sein, der zweite Emissionsbereich EA2 kann ein grüner Emissionsbereich sein, und der dritte Emissionsbereich EA3 kann ein blauer Emissionsbereich sein. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Die Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 können in einem Bereich, der mittels des Damms 600 überdeckt ist, angeordnet sein. Deshalb können jeder der Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 außerhalb einer Seite eines entsprechenden Emissionsbereichs der Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 angeordnet sein. Beispielsweise kann der erste Kontaktbereich CA1 außerhalb eines oberen Bereichs des ersten Emissionsbereichs EA1 angeordnet sein, der zweite Kontaktbereich CA2 kann außerhalb eines oberen Bereichs des zweiten Emissionsbereichs EA2 angeordnet sein, und der dritte Kontaktbereich CA3 kann außerhalb eines oberen Bereichs des dritten Emissionsbereichs EA3 angeordnet sein. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Eine Mehrzahl von Kontaktlöchern CH1 bis CH4, CH21 bis CH24 und CH31 bis CH34 können jeweils in der Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 angeordnet sein. Somit kann ein Höhenunterschied auftreten. Deshalb kann, wenn mindestens ein Bereich von jedem der Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 freigelegt ist, ohne mittels des Damms 600 überdeckt zu sein, und einen entsprechenden Emissionsbereich der Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 überlappt, ein Problem dahingehend, dass Licht in den Emissionsbereichen EA1 bis EA3 nicht einheitlich sein kann, aufgrund des Höhenunterschieds auftreten. Deshalb können in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 mittels des Damms 600 überdeckt sein und können somit die Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 nicht überlappen. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt, und es kann eine Möglichkeit auftreten, dass mindestens ein Bereich von jedem der Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 nichts mittels des Damms 600 überdeckt sein kann. Somit kann die Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 einen entsprechenden Emissionsbereich der Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 überlappen.
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Die ersten Elektroden 310 bis 330 können in den Subpixeln P1 bis P3 jeweils strukturiert sein. Beispielsweise kann eine erste Elektrode 310 in dem ersten Subpixel P1 angeordnet sein, eine andere erste Elektrode 320 kann in dem zweiten Subpixel P2 angeordnet sein, und eine andere erste Elektrode 330 kann in dem dritten Subpixel P3 angeordnet sein. Jede der ersten Elektroden 310 bis 330 kann als eine Anode der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung wirken.
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Die erste Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 kann sich von dem ersten Emissionsbereich EA1 aus zu dem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken. Ein freigelegter Bereich, der freigelegt sein kann, ohne mittels des Damms 600 überdeckt zu sein, der ersten Elektrode 310 kann den ersten Emissionsbereich EA 1 bilden. Die erste Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 kann mit der ersten Kontaktelektrode 410 in dem ersten Kontaktbereich CA1 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 kann sich von dem zweiten Emissionsbereich EA2 zu dem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken. Ein freigelegter Bereich, der freigelegt sein kann, ohne mittels des Damms 600 überdeckt zu sein, der zweiten Elektrode 320 kann den zweiten Emissionsbereich EA2 bilden. Die erste Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 kann mit der zweiten Kontaktelektrode 420 in dem zweiten Kontaktbereich CA2 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 kann sich von dem dritten Emissionsbereich EA3 zu dem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken. Ein freigelegter Bereich, der freigelegt sein kann, ohne mittels des Damms 600 überdeckt zu sein, der ersten Elektrode 330 kann den dritten Emissionsbereich EA3 bilden. Die erste Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 kann mit der dritten Kontaktelektrode 430 in dem dritten Kontaktbereich CA3 verbunden sein.
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Die Kontaktelektroden 410 bis 430 können jeweils in den Kontaktbereichen CA1 bis CA3 angeordnet sein. Beispielsweise kann die erste Kontaktelektrode 410 in dem ersten Kontaktbereich CA1 angeordnet sein, die zweite Kontaktelektrode 420 kann in dem zweiten Kontaktbereich CA2 angeordnet sein, und die dritte Kontaktelektrode 430 kann in dem dritten Kontaktbereich CA3 angeordnet sein.
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Die erste Kontaktelektrode 410 kann mit der ersten Elektrode 310 verbunden sein und kann die erste Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 in dem ersten Kontaktbereich CA1 überlappen. Obwohl die Abbildungen eine horizontale Breite der ersten Kontaktelektrode 410 so darstellen, als ob sie größer sei als eine horizontale Breite der ersten Elektrode 310, sind Ausführungsformen nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann die horizontale Breite der ersten Kontaktelektrode 410 gleich sein zu oder geringer sein als die horizontale Breite der ersten Elektrode 310.
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Die zweite Kontaktelektrode 420 kann mit der ersten Elektrode 320 verbunden sein und kann die erste Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 in dem zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen. Obwohl die Abbildungen eine horizontale Breite der zweiten Kontaktelektrode 420 so darstellen, als ob sie größer sei als eine horizontale Breite der ersten Elektrode 320, sind Ausführungsformen nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann die horizontale Breite der zweiten Kontaktelektrode 420 gleich sein zu oder geringer sein als die horizontale Breite der ersten Elektrode 320.
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Die dritte Kontaktelektrode 430 kann mit der ersten Elektrode 330 verbunden sein und kann die erste Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 in dem dritten Kontaktbereich CA3 überlappen. Obwohl die Abbildungen eine horizontale Breite der dritten Kontaktelektrode 430 so darstellen, als ob sie größer sei als eine horizontale Breite der ersten Elektrode 330, sind Ausführungsformen nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann die horizontale Breite der dritten Kontaktelektrode 430 gleich sein zu oder geringer sein als die horizontale Breite der ersten Elektrode 330.
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Im Folgenden werden verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Detail unter Bezugnahme auf eine Querschnittstrukturansicht beschrieben werden.
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2A bis 2C sind Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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2A entspricht einer Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 1. Wie in 2A dargestellt, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 100, eine Schaltkreisvorrichtungsschicht 200, eine Mehrzahl von ersten Elektroden 310 bis 330, eine Mehrzahl von Kontaktelektroden 410 bis 430, eine Mehrzahl von isolierenden Schichten 510 bis 530, einen Damm 600, eine lichtemittierende Schicht 700, eine zweite Elektrode 800, eine Verkapselungsschicht 850 und eine Farbfilterschicht 900 aufweisen.
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Das Substrat 100 kann Glas oder Kunststoff aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann das Substrat 100 ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise einen Silizium-Wafer aufweisen. Das Substrat 100 kann ein lichtdurchlässiges Material oder ein lichtundurchlässiges Material aufweisen. Ein erstes Subpixel P1, ein zweites Subpixel P2 und ein drittes Subpixel P3 können in dem Substrat 100 angeordnet sein. Das erste Subpixel P1 kann rotes Licht emittieren, das zweite Subpixel P2 kann grünes Licht emittieren, und das dritte Subpixel P3 kann blaues Licht emittieren. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann eine Anordnungsreihenfolge der Subpixel P1 bis P3 unterschiedlich modifiziert sein.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann als ein Top-Emissionstyp, in dem Licht in Richtung eines oberen Bereichs emittiert werden kann, ausgeführt sein. Dementsprechend kann ein Material des Substrats 100 sowohl ein lichtundurchlässiges Material als auch ein lichtdurchlässiges Material aufweisen.
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Die Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 kann auf dem Substrat 100 angeordnet sein. Eine Schaltkreisvorrichtung, die verschiedene Signalleitungen, einen Dünnschichttransistor (TFT), einen Kondensator und ähnliches aufweist, kann in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in jedem der Subpixel P1 bis P3 angeordnet sein. Die Signalleitungen können eine Gate-Leitung, eine Datenleitung, eine Energieversorgungsleitung und eine Referenzleitung aufweisen. Der TFT kann einen Schalt-TFT, einen Ansteuerungs-TFT 250 und einen Ermittlungs-TFT aufweisen.
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Der Schalt-TFT kann gemäß einem Gate-Signal, das durch die Gate-Leitung hindurch zugeführt wird, eingeschaltet werden und kann eine Datenspannung, die durch die Datenleitung hindurch zugeführt wird, zu dem Ansteuerungs-TFT übertragen. Der Ansteuerungs-TFT 250 kann mit der Datenspannung, die durch den Schalt-TFT zugeführt wird, eingeschaltet werden und kann aus Energie, die durch die Energieversorgungsleitung hindurch zugeführt wird, einen Datenstrom erzeugen zum Zuführen des Datenstroms zu den ersten Elektroden 310 bis 330.
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Der Ermittlungs-TFT kann eine Grenzwertspannungsabweichung des Ansteuerungs-TFTs, die eine Verschlechterung einer Bildqualität verursachen kann, ermitteln und kann in Antwort auf ein Ermittlungssteuerungssignal, das durch die Gate-Leitung oder eine separate Ermittlungsleitung hindurch zugeführt wird, einen Strom des Ansteuerungs-TFTs der Referenzleitung zuführen. Der Kondensator kann die Datenspannung, die dem Ansteuerungs-TFT 250 zugeführt wird, während eines Rahmens halten und kann mit einem Gate-Anschluss und einem Source-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 verbunden sein.
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Eine Mehrzahl von ersten Kontaktlöchern CH11, CH21 und CH31 können in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in jedem der Subpixel P1 bis P3 angeordnet sein. Somit kann der Source-Anschluss oder ein Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 durch die ersten Kontaktlöchern CH11, CH21 und CH31 hindurch freigelegt sein.
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Die ersten Elektroden 310 bis 330 und die Kontaktelektroden (beispielsweise erste bis dritte Kontaktelektrode) 410 bis 430 können auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 strukturiert sein. Eine erste Elektrode 310 und erste Kontaktelektrode 410 können in dem ersten Subpixel P1 angeordnet sein. Eine andere erste Elektrode 320 und eine zweite Kontaktelektrode 420 können in dem zweiten Subpixel P2 angeordnet sein. Eine weitere erste Elektrode 330 und dritte Kontaktelektrode 430 können in dem dritten Subpixel P3 angeordnet sein.
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Die ersten Elektroden 310 bis 330 können mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 verbunden (beispielsweise elektrisch verbunden) sein. Beispielsweise können die ersten Elektrode 310 bis 330 mit dem Source-Anschluss oder dem Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 310 in dem ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 aufweisen. Die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 können sich von dem ersten Emissionsbereich EA1 zu dem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken.
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Die erste untere Elektrode 311 kann durch ein erstes Kontaktloch CH11 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Gegebenenfalls kann die erste untere Elektrode 311 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 durch ein leitfähiges Material, das in das erste Kontaktloch CH11 gefüllt ist, hindurch verbunden sein, und dies kann ähnlich auf jede der folgenden Ausführungsformen angewendet werden.
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Die erste obere Elektrode 312 kann durch ein viertes Kontaktloch CH14 einer dritten isolierenden Schicht 530 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit einer ersten oberen Kontaktelektrode 412, die die erste Kontaktelektrode 410 konfiguriert, verbunden sein.
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Die erste Kontaktelektrode 410 in dem ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Kontaktelektrode 411 und eine erste obere Kontaktelektrode 412 aufweisen. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann durch ein zweites Kontaktloch CH12 der ersten isolierenden Schicht 510 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein, und die erste obere Kontaktelektrode 412 kann durch ein drittes Kontaktloch CH13 der zweiten isolierenden Schicht 520 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 verbunden sein.
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In dem ersten Subpixel P1 kann die erste untere Elektrode 311 direkt mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 verbunden sein, und die erste obere Elektrode 312 kann durch die erste untere Kontaktelektrode 411 und die erste obere Kontaktelektrode 412 mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein. Deshalb können die erste isolierende Schicht 510 bis dritte isolierende Schicht 530 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 aufweisen. Die zweite untere Elektrode 321 und die zweite obere Elektrode 322 können sich von dem zweiten Emissionsbereich EA2 zu dem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken.
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Die zweite untere Elektrode 321 kann durch ein zweites Kontaktloch CH22 der ersten isolierenden Schicht 510 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit der zweiten unteren Kontaktelektrode 421, die die zweite Kontaktelektrode 420 konfiguriert, verbunden sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann durch ein viertes Kontaktloch CH24 der dritten isolierenden Schicht 530 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit der zweiten oberen Kontaktelektrode 422, die die zweite Kontaktelektrode 420 konfiguriert, verbunden sein.
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Die zweite Kontaktelektrode 420 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und eine zweite obere Kontaktelektrode 422 aufweisen. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann durch ein erstes Kontaktloch CH21 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein, und die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch ein drittes Kontaktloch CH23 der zweiten isolierenden Schicht 520 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein. Gegebenenfalls kann die zweite untere Kontaktelektrode 421 durch ein leitfähiges Material, das in das erste Kontaktloch CH21 gefüllt ist, mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein, und dies kann ähnlich auf alle folgenden Ausführungsformen angewendet werden.
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In dem zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Elektrode 321 durch die zweite untere Kontaktelektrode 421 direkt mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 verbunden sein, und die zweite obere Elektrode 322 kann durch die zweite obere Kontaktelektrode 422 mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein. Deshalb können die zweite isolierende Schicht 520 und dritte isolierende Schicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 330 in dem dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 aufweisen. Die dritte untere Elektrode 331 und die dritte obere Elektrode 332 können sich von dem dritten Emissionsbereich EA3 zu dem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken.
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Die dritte untere Elektrode 331 kann durch ein drittes Kontaktloch CH33 der zweiten isolierenden Schicht 520 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit der dritten oberen Kontaktelektrode 432, die die dritte Kontaktelektrode 430 konfiguriert, verbunden sein. Die dritte obere Elektrode 332 kann durch ein viertes Kontaktloch CH34 der dritten isolierenden Schicht 530 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit der dritten unteren Elektrode 331 verbunden sein.
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Die dritte Kontaktelektrode 430 in dem dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Kontaktelektrode 431 und eine dritte obere Kontaktelektrode 432 aufweisen. Die dritte untere Kontaktelektrode 431 kann durch ein erstes Kontaktloch CH31 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein, und die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann durch ein zweites Kontaktloch CH32 der ersten isolierenden Schicht 510 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 verbunden sein.
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In dem dritten Subpixel P3 kann die dritte untere Elektrode 331 durch die dritte untere Kontaktelektrode 431 und die dritte obere Kontaktelektrode 432 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 verbunden sein, und die dritte obere Elektrode 332 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 direkt verbunden sein. Deshalb kann die dritte isolierende Schicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 angeordnet sein. Gegebenenfalls kann die dritte untere Kontaktelektrode 431 durch ein leitfähiges Material, das in das erste Kontaktloch CH31 gefüllt ist, mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein, und dies kann ähnlich auf alle folgenden Ausführungsformen angewendet werden.
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Wie oben beschrieben, können gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Subpixel P1, ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Subpixel P2 und ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Subpixel P3 unterschiedlich festgelegt sein. Somit kann eine Mikrokavitäts-Eigenschaft erzielt werden. Dies wird im Folgenden im Detail beschrieben werden.
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Die erste isolierende Schicht 510 kann auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 angeordnet sein. Beispielsweise kann die erste isolierende Schicht 510 unter der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 angeordnet sein. Die zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 können in der ersten isolierenden Schicht 510 in dem jeweiligen Subpixel P1 bis P3 angeordnet sein. Die erste isolierende Schicht 510 kann über den gesamten Bereich der Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 bereitgestellt sein, außer auf den zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32. Somit können die erste isolierende Schicht 510 in dem ersten Subpixel P1, die erste isolierende Schicht 510 in dem zweiten Subpixel P2 und die erste isolierende Schicht 510 in dem dritten Subpixel P3 miteinander verbunden sein.
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Die zweite isolierende Schicht 520 kann auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein. Beispielsweise kann die zweite isolierende Schicht 520 unter der ersten oberen Kontaktelektrode 412, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der dritten unteren Elektrode 331 angeordnet sein. Die dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 können in der zweiten isolierenden Schicht 520 in dem jeweiligen Subpixel P1 bis P3 angeordnet sein. Die zweite isolierende Schicht 520 kann über den gesamten Bereich der Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 hinweg bereitgestellt sein, außer für die dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33. Somit können die zweite isolierende Schicht 520 in dem ersten Subpixel P1, die zweite isolierende Schicht 520 in dem zweiten Subpixel P2 und die zweite isolierende Schicht 520 in dem dritten Subpixel P3 miteinander verbunden sein.
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Die dritte isolierende Schicht 530 kann auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Beispielsweise kann die dritte isolierende Schicht 530 unter der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 angeordnet sein. Die vierten Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34 können in der dritten isolierenden Schicht 530 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein.
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Die dritte isolierende Schicht 530 kann über den gesamten Bereich der Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 hinweg bereitgestellt sein, außer für die vierten Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34. Somit können die dritte isolierende Schicht 530 in dem ersten Subpixel P1, die dritte isolierende Schicht 530 in den zweiten Subpixel P2 und die dritte isolierende Schicht 530 in dem dritten Subpixel P3 miteinander verbunden sein.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann als der Top-Emissionstyp ausgeführt sein. Somit können die ersten Elektroden 310 bis 330 Licht, das von der lichtemittierenden Schicht 700 emittiert wird, zu einem oberen Bereich reflektieren. Beispielsweise kann jede der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331, die jeweils unter den ersten Elektroden 310 bis 330, die eine zweilagige Struktur aufweisen, abgeschieden sind, eine reflektierende Elektrode sein; und jede der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332, die jeweils auf den ersten Elektroden 310 bis 330 abgeschieden sind, können eine lichtdurchlässige Elektrode oder eine teildurchlässige Elektrode sein. Beispielsweise können die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 als jeweilige Anoden des ersten Subpixels P1 bis dritten Subpixels P3 wirken.
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Hierbei kann eine reflektierende Elektrode eine Elektrode sein, die einfallendes Licht reflektiert, eine lichtdurchlässige Elektrode kann eine Elektrode sein, die einfallendes Licht hindurchtreten lässt, und eine teildurchlässige Elektrode kann eine Elektrode sein, die einen Teil des Lichts hindurchtreten lässt und das restliche Licht reflektiert. Die reflektierende Elektrode, die teildurchlässige Elektrode und die lichtdurchlässige Elektrode können in dieser Reihenfolge gut bezüglich ihrer Lichtdurchlässigkeit sein; und die lichtdurchlässige Elektrode, die teildurchlässige Elektrode und die reflektierende Elektrode können in dieser Reihenfolge gut sein bezüglich ihrer Reflexionseigenschaft.
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Beispielsweise können die zweite untere Kontaktelektrode 421 des zweiten Subpixels P2 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 des dritten Subpixels P3, die jeweils auf der gleichen Schicht wie die erste untere Elektrode 311 des ersten Subpixels P1 abgeschieden sind, das gleiche Material aufweisen wie das der ersten unteren Elektrode 311 und mittels des gleichen Vorgangs strukturiert werden. Die erste untere Kontaktelektrode 411 des ersten Subpixels P1 und die dritte obere Kontaktelektrode 432 des dritten Subpixels P3, die jeweils auf der gleichen Schicht wie die zweite untere Elektrode 321 des zweiten Subpixels P2 abgeschieden sind, können das gleiche Material wie das der zweiten unteren Elektrode 321 aufweisen und können durch den gleichen Vorgang strukturiert werden.
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Die erste obere Kontaktelektrode 412 des ersten Subpixels P1 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 des zweiten Subpixels P2, die jeweils auf der gleichen Schicht wie die dritte untere Elektrode 331 des dritten Subpixels P3 abgeschieden sind, können das gleiche Material wie das der dritten unteren Elektrode 331 aufweisen und können durch den gleichen Vorgang strukturiert werden. Die erste obere Elektrode 312 des ersten Subpixels P1, die zweite obere Elektrode 322 des zweiten Subpixels P2 und die dritte obere Elektrode 332 des dritten Subpixels P3, die jeweils auf der gleichen Schicht abgeschieden sind, können das gleiche Material aufweisen und durch den gleichen Vorgang strukturiert werden.
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Wenn jede der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 eine reflektierende Elektrode ist und jede der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 eine lichtdurchlässige Elektrode ist, kann ein Teil des von der lichtemittierenden Schicht 700 emittierten Lichts mittels der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 reflektiert werden und kann durch die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 hindurchtreten und kann in einer Aufwärtsrichtung abgestrahlt werden.
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Wenn jede der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 eine reflektierende Elektrode ist und jede der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 eine teildurchlässige Elektrode ist, kann ein Teil des von der lichtemittierenden Schicht 700 emittierten Lichts mittels der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 reflektiert werden und kann in einer Aufwärtsrichtung abgestrahlt werden; und der andere Teil des von der lichtemittierenden Schicht 700 emittierten Lichts kann durch die erste oberen Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 hindurchtreten, kann sich in einer Abwärtsrichtung ausbreiten und kann mittels der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 reflektiert werden. Somit kann ein Teil des mittels jeder der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 reflektierten Lichts durch die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 hindurchtreten und kann in der Aufwärtsrichtung abgestrahlt werden; und der andere Teil des mittels jeder der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 reflektierten Lichts kann mittels der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 reflektiert werden, kann sich in einer Abwärtsrichtung ausbreiten und kann mittels der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 erneut reflektiert werden. Ein solcher Reflexionsvorgang kann wiederholt werden. Wie oben beschrieben, können eine Reflexion und eine erneute Reflexion von Licht zwischen der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 wiederholt werden. Somit kann Licht verstärkt werden, wodurch eine Lichtausbeute erhöht wird.
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Zum Beispiel kann, wenn jeder der Abstände zwischen der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 ein ganzzahliges Vielfaches einer halben Wellenlänge (λ/2) von Licht, das von jedem der Subpixel P1 bis P3 abgestrahlt wird, ist, konstruktive Interferenz auftreten. Somit kann Licht weiter verstärkt werden. Wenn der oben beschriebene Vorgang von Reflexion und erneuter Reflexion wiederholt werden kann, kann ein Grad, bis zu dem Licht verstärkt werden kann, kontinuierlich zunehmen. Somit kann eine Auskopplungsausbeute von Licht nach außen verstärkt sein. Solch eine Eigenschaft kann als eine „Mikrokavität“-Eigenschaft bezeichnet werden.
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Deshalb können gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Verwendung der ersten Kontaktelektrode 410, der zweiten Kontaktelektrode 420 und der dritten Kontaktelektrode 430 ein erster Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Subpixel P1, ein zweiter Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Subpixel P2 und ein dritter Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Subpixel P3 unterschiedlich festgelegt werden. Somit kann eine Mikrokavität-Eigenschaft in jedem der Subpixel P1 bis P3 erzielt werden.
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Beispielsweise kann der erste Abstand in dem ersten Subpixel P1, das rotes Licht eines langen Wellenlängenbereichs abstrahlen kann, der längste sein, und der dritte Abstand in dem dritten Subpixel P3, das blaues Licht eines kurzen Wellenlängenbereichs abstrahlen kann, kann kürzer sein. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Des Weiteren können gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Abstände zwischen der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 und der zweiten Elektrode 800 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 gleich sein, und die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 können in der gleichen Höhe auf der dritten isolierenden Schicht 530 bereitgestellt sein. Deshalb kann eine untere Oberfläche der lichtemittierenden Schicht 700 auf der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 eine vollständig einheitliche Höhe aufweisen. Somit kann ein Profil der lichtemittierenden Schicht 700 weiter verbessert sein gegenüber einem Fall, in dem die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 in unterschiedlichen Höhen bereitgestellt sind. Im Folgenden können in verschiedenen Ausführungsformen die Abstände zwischen der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 und der zweiten Elektrode 800 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 gleich sein, und die erste obere Elektrode bis dritte obere Elektrode 312, 322 und 332 können in der gleichen Höhe auf der dritten isolierenden Schicht 530 bereitgestellt sein. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Der Damm 600 kann Enden der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 der ersten Elektroden 310 bis 330 auf der dritten isolierenden Schicht 530 überdecken. Somit kann sich ein Strom auf die Enden der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 konzentrieren, wodurch ein Problem, in dem eine Lichtausbeute reduziert sein kann, gelöst wird.
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Der Damm 600 kann in einem Grenzbereich zwischen der Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 in einer Matrixstruktur angeordnet sein und kann die Emissionsbereiche EA1 bis EA3 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 definieren. Beispielsweise können freigelegte Bereiche, die freigelegt sein können, ohne dass der Damm 600 darin bereitgestellt ist, der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 die Emissionsbereiche EA1 bis EA3 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein.
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Beispielsweise kann der Damm 600 die Kontaktbereiche CA1 bis CA3, in denen die Kontaktelektroden 410 bis 430 jeweils bereitgestellt sein können, überlappen. Somit können die Kontaktbereiche CA1 bis CA3, die gestuft sein können, nicht mit den Emissionsbereichen EA1 bis EA3 überlappen. Der Damm 600 kann eine anorganische isolierende Schicht oder eine organische isolierende Schicht aufweisen. Die anorganische isolierende Schicht kann eine relativ dünne Dicke aufweisen. Die organische isolierende Schicht kann eine relativ dicke Dicke aufweisen.
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Die lichtemittierende Schicht 700 kann auf der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 der ersten Elektroden 310 bis 330 angeordnet sein. Die lichtemittierende Schicht 700 kann auf dem Damm 600 angeordnet sein. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 in den Subpixeln P1 bis P3 und in einem Randbereich zwischen den Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein.
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Die lichtemittierende Schicht 700 kann weißes (W) Licht emittieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 eine Mehrzahl von Stapeln, die Licht unterschiedlicher Farben emittieren können, aufweisen. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 einen ersten Stapel zum Emittieren von blauem Licht, einen zweiten Stapel zum Emittieren von gelb-grünem Licht und eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) zwischen dem ersten Stapel und dem zweiten Stapel aufweisen. In einem weiteren Beispiel kann die lichtemittierende Schicht 700 einen ersten Stapel zum Emittieren von blauem Licht, einen zweiten Stapel zum Emittieren von grünem Licht, einen dritten Stapel zum Emittieren von rotem Licht, eine erste Ladungserzeugungsschicht zwischen dem ersten Stapel und dem zweiten Stapel und eine zweite Ladungserzeugungsschicht zwischen dem zweiten Stapel und dem dritten Stapel aufweisen. Jeder der Stapel kann eine Löchertransportschicht, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht, die nacheinander gestapelt sein können, aufweisen. Eine Anordnung der lichtemittierenden Schicht 700 kann in verschiedenen Anordnungen geändert werden, wie dem Fachmann verständlich ist.
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Die zweite Elektrode 800 kann auf der lichtemittierenden Schicht 700 angeordnet sein. Die zweite Elektrode 800 kann als eine Kathode der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung wirken. Die zweite Elektrode 800 kann, ähnlich zu der lichtemittierenden Schicht 700, in den Subpixeln P1 bis P2 und dem Randbereich zwischen den Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 800 auf dem Damm 600 angeordnet sein. Wenn die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Top-Emissionstyp ausgeführt ist, kann die zweite Elektrode 800 ein lichtdurchlässiges leitfähiges Material zum Hindurchtretenlassen von Licht, das von der lichtemittierenden Schicht 700 emittiert wird, in einen oberen Bereich aufweisen.
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Die zweite Elektrode 800 kann eine teildurchlässige Elektrode aufweisen. Somit kann ein Mikrokavitäts-Effekt in jedem der Subpixel P1 bis P3 erzielt werden. Wenn die zweite Elektrode 800 die teildurchlässige Elektrode aufweist, können Reflexion und erneute Reflexion zwischen der zweiten Elektrode 800 und der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 der ersten Elektrode bis dritten Elektrode 310, 320 und 330 wiederholt sein. Somit kann der Mikrokavitäts-Effekt erzielt werden. Ebenso können Reflexion und erneute Reflexion von Licht zwischen der zweiten Elektrode 800 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 der ersten Elektrode bis dritten Elektrode 310, 320 und 330 wiederholt werden. Somit kann der Mikrokavitäts-Effekt erzielt werden.
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Die Verkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 angeordnet sein und kann verhindern oder verringern, dass Wasser von außen in die lichtemittierende Schicht 700 eindringt. Die Verkapselungsschicht 850 kann ein anorganisches isolierendes Material aufweisen oder kann in einer Struktur gebildet sein, in der eine anorganische isolierende Schicht und eine organische isolierende Schicht abwechselnd gestapelt sind, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Die Farbfilterschicht 900 kann auf der Verkapselungsschicht 850 angeordnet sein. Die Farbfilterschicht 900 kann den Emissionsbereichen EA1 bis EA3 der jeweiligen Subpixel P1 bis P3 gegenüberliegend angeordnet sein. Die Farbfilterschicht 900 kann ein rotes Farbfilter in dem ersten Subpixel P1, ein grünes Farbfilter in dem zweiten Subpixel P2 und ein blaues Farbfilter in dem dritten Subpixel P3 aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Obwohl nicht dargestellt, kann des Weiteren in einem Grenzbereich zwischen benachbarten Farbfiltern der Farbfilterschicht 900 eine Schwarzmatrix bereitgestellt sein und kann reduzieren oder verhindern, dass Licht in einen Bereich austritt, der verschieden ist von den Emissionsbereichen EA1 bis EA3.
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2B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 1. 2B ist eine Querschnittansicht, die eine Mehrzahl von Kontaktbereichen CA1 bis CA3 darstellt.
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Wie aus dem Beispiel der 2 B ersichtlich, kann eine Schaltkreisvorrichtungsschicht 200, die einen Ansteuerungs-TFT 250 aufweist, auf einem Substrat 100 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von ersten Kontaktlöchern CH11, CH21 und CH31 können in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 und in jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein. Somit kann ein Source-Anschluss oder ein Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 durch die ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31 freigelegt sein.
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Eine erste untere Elektrode 311 kann in einem ersten Subpixel P1 auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 angeordnet sein, eine zweite untere Kontaktelektrode 421 kann in einem zweiten Subpixel P2 auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 angeordnet sein, und eine dritte untere Kontaktelektrode 431 kann in einem dritten Subpixel P3 auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 angeordnet sein. Die erste untere Elektrode 311, die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 können durch die ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31 hindurch mit dem Source-Anschluss oder dem Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 verbunden sein.
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Eine erste isolierende Schicht 510 kann auf der ersten unteren Elektrode 311, der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32 können in der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann in dem ersten Subpixel P1 auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein, die zweite untere Elektrode 321 kann in dem zweiten Subpixel P2 auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein, und eine dritte obere Kontaktelektrode 432 kann in dem dritten Subpixel P3 auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann durch das zweite Kontaktloch CH12 hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein, die zweite untere Elektrode 321 kann durch das zweite Kontaktloch CH22 hindurch mit der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 verbunden sein, und die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann durch das zweite Kontaktloch CH32 hindurch mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 verbunden sein.
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Eine zweite isolierende Schicht 520 kann auf der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von dritten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 können in der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein.
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Eine erste obere Kontaktelektrode 412 kann in dem ersten Subpixel P1 auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein, eine zweite obere Kontaktelektrode 422 kann in dem zweiten Subpixel P2 auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein, und eine dritte untere Elektrode 331 kann in dem dritten Subpixel P3 auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann durch das dritte Kontaktloch CH13 hindurch mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 verbunden sein, die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch das dritte Kontaktloch CH23 hindurch mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein, und die dritte untere Elektrode 331 kann durch das dritte Kontaktloch CH33 hindurch mit der dritten oberen Kontaktelektrode 432 verbunden sein.
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Eine dritte isolierende Schicht 530 kann auf der ersten oberen Kontaktelektrode 412, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der dritten unteren Kontaktelektrode 331 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von vierten Kontaktlöchern CH14, CH24 und CH34 können in der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein.
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Eine erste obere Elektrode 312 kann in dem ersten Subpixel P1 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein, eine zweite obere Elektrode 322 kann in dem zweiten Subpixel P2 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein, und eine dritte obere Elektrode 332 kann in dem dritten Subpixel P3 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein. Die erste obere Elektrode 312 kann durch das vierte Kontaktloch CH14 hindurch mit der ersten oberen Kontaktelektrode 412 verbunden sein, die zweite obere Elektrode 322 kann durch das vierte Kontaktloch CH24 hindurch mit der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 verbunden sein, und die dritte obere Elektrode 332 kann durch das vierte Kontaktloch CH34 hindurch mit der dritten unteren Elektrode 331 verbunden sein.
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Ein Damm 600 kann auf jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 angeordnet sein und kann beide Enden von jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 überdecken. Eine lichtemittierende Schicht 700 kann auf dem Damm 600 angeordnet sein, eine zweite Elektrode 800 kann auf der lichtemittierenden Schicht 700 angeordnet sein, eine Verkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 angeordnet sein, und eine Farbfilterschicht 900 kann auf der Verkapselungsschicht 850 angeordnet sein.
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2C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 1. 2C ist eine Querschnittansicht, die eine Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 darstellt.
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Wie aus dem Beispiel der 2C ersichtlich, kann eine Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 auf einem Substrat 100 angeordnet sein, und eine erste untere Elektrode 311 kann in einem ersten Subpixel P1 auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 angeordnet sein. Eine erste isolierende Schicht 510 kann auf der ersten unteren Elektrode 311 angeordnet sein, und eine zweite untere Elektrode 321 kann in einem ersten Subpixel P2 auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein. Eine zweite isolierende Schicht 520 kann auf der zweiten unteren Elektrode 321 angeordnet sein, und eine dritte untere Elektrode 331 kann in einem dritten Subpixel P3 auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Eine dritte isolierende Schicht 530 kann auf der dritten unteren Elektrode 331 angeordnet sein, eine erste obere Elektrode 312 kann in dem ersten Subpixel P1 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein, eine zweite obere Elektrode 322 kann in dem zweiten Subpixel P2 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein, und eine dritte obere Elektrode 332 kann in dem dritten Subpixel P3 auf der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein.
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Ein Damm 600 kann auf jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 angeordnet sein und kann beide Enden von jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 überdecken. Eine lichtemittierende Schicht 700 kann auf dem Damm 600 angeordnet sein, eine zweite Elektrode 800 kann auf der lichtemittierenden Schicht 700 auf angeordnet sein, eine Verkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 angeordnet sein, und eine Farbfilterschicht 900 kann auf der Verkapselungsschicht 850 angeordnet sein.
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3A ist eine Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Das Beispiel der 3A unterscheidet sich von der oben beschriebenen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 1 dahingehend, dass des Weiteren ein Graben T in einem Randbereich zwischen einer Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 bereitgestellt ist. Deshalb beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente, und nur unterschiedliche Elemente werden im Folgenden beschrieben werden.
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Wie in 3A dargestellt, kann ein Graben T in einem Randbereich zwischen einer Mehrzahl von Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, wenn der Graben T bereitgestellt ist, zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die aneinander angrenzen, ein langer Strompfad gebildet sein. Somit kann ein Leckstrom, der zwischen den einander benachbarten Subpixeln P1 bis P3 auftritt, reduziert sein. Dies wird unter Bezugnahme auf eine Querschnittsstruktur genauer beschrieben werden.
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3B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 3A. 3C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 3A. 3D ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 3A.
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Das Beispiel der 3B unterscheidet sich von dem Beispiel der 2A dahingehend, dass des Weiteren ein Graben T in einem Damm 600 und einer darunter liegenden dritten isolierenden Schicht 530 bereitgestellt ist. Das Beispiel der 3C unterscheidet sich von dem Beispiel der 2B dahingehend, dass des Weiteren ein Graben T in einem Damm 600 und einer darunterliegenden dritten isolierenden Schicht 530 bereitgestellt ist. Das Beispiel der 3D unterscheidet sich von dem Beispiel der 2C dahingehend, dass des Weiteren ein Graben T in einem Damm 600 und einer darunterliegenden dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet ist. Deshalb beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente, und im Folgenden werden nur unterschiedliche Elemente beschrieben werden.
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Wie in 3B bis 3D dargestellt, kann ein Graben T in einem Damm 600 und in einer dritten isolierenden Schicht 530 in einem Randbereich zwischen Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein. Wie oben beschrieben, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wenn der Graben T in dem Damm 600 und der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet ist, eine lichtemittierende Schicht 700 in dem Graben T angeordnet sein. Deshalb kann zwischen den zueinander benachbarten Subpixeln P1 bis P3 ein langer Strompfad gebildet sein. Somit kann ein Leckstrom, der zwischen den zueinander benachbarten Subpixeln P1 bis P3 auftritt, reduziert sein. Beispielsweise kann, wenn ein geringer Abstand zwischen den Subpixeln P1 bis P3 zum Implementieren einer hohen Auflösung festgelegt wird, eine Möglichkeit auftreten, dass, wenn von der lichtemittierenden Schicht 700 in einem der Subpixel P1 bis P3 Licht emittiert wird, sich eine elektrische Ladung der lichtemittierenden Schicht 700 des einen Subpixels zu der lichtemittierenden Schicht 700 eines anderen, dazu benachbarten Subpixels bewegt, was einen Leckstrom verursachen kann.
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Deshalb kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wenn der Graben T in einem Randbereich zwischen den Subpixeln P1 bis P3 angeordnet ist und die lichtemittierende Schicht in dem Graben T angeordnet ist, zwischen benachbarten Subpixeln ein langer Strompfad gebildet sein. Somit kann ein Wiederstand zunehmen, wodurch das Auftreten eines Leckstroms reduziert wird.
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Der Graben T kann nur in dem Damm 600 angeordnet sein. Alternativ dazu kann der Graben T sich zu dem Damm 600 und der dritten isolierenden Schicht 530 erstrecken. Des Weiteren kann sich der Graben T zu einem inneren Bereich einer darunterliegenden zweiten isolierenden Schicht 520, einem inneren Bereich einer darunterliegenden ersten isolierenden Schicht 510 oder einem inneren Bereich einer darunterliegenden Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 erstrecken.
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Zum Beispiel kann, unter Bezugnahme auf die vergrößerte Ansicht der 3B, die lichtemittierende Schicht 700 einen ersten Stapel 710 zum Emittieren von Licht einer ersten Farbe, einen zweiten Stapel 730 zum Emittieren von Licht einer zweiten Farbe und eine Ladungserzeugungsschicht 720 zwischen dem ersten Stapel 710 und dem zweiten Stapel 730 aufweisen. Der erste Stapel 710 kann auf einer inneren Oberfläche des Grabens T angeordnet sein oder kann auf einer unteren Oberfläche des Grabens T angeordnet sein. Beispielsweise kann ein Bereich des ersten Stapels 710 auf der inneren Oberfläche des Grabens T nicht-durchgehend mit (beispielsweise abgetrennt von oder nicht direkt kontaktierend) einem Bereich des ersten Stapels 710 auf der inneren unteren Oberfläche des Grabens T sein. Deshalb kann ein Bereich des Stapels 710 auf einer Seitenoberfläche (beispielsweise einer linken Oberfläche) eines inneren Bereichs des Grabens T nicht-durchgehend mit (beispielsweise abgetrennt von) einem Bereich des ersten Stapels 710 auf der anderen Seitenoberfläche (beispielsweise einer rechten Oberfläche) des inneren Bereichs des Grabens T sein. Deshalb kann sich eine elektrische Ladung nicht durch den ersten Stapel 710 hindurch und zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die, mit dem Graben T dazwischen, zueinander benachbart angeordnet sind, bewegen. Es ist zu bemerken, dass die Begriffe „links“ und „rechts“ hierin zur Bequemlichkeit der Erläuterung verwendet werden und austauschbar sind, wie dem Fachmann verständlich ist.
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Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann auf dem ersten Stapel 710 in der inneren Oberfläche des Grabens T angeordnet sein. Beispielsweise kann ein Bereich der Ladungserzeugungsschicht 720 auf einer Seitenoberfläche (beispielsweise der linken Oberfläche) des inneren Bereichs des Grabens T nicht-durchgängig mit (beispielsweise abgetrennt von) einem Teil der Ladungserzeugungsschicht 720 auf der anderen Seitenoberfläche (beispielsweise der rechten Oberfläche) des inneren Bereichs des Grabens T sein. Deshalb kann eine elektrische Ladung sich nicht durch die Ladungserzeugungsschicht 720 hindurch und zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die, mit dem Graben T dazwischen, benachbart zueinander angeordnet sind, bewegen.
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Alle Bereiche des zweiten Stapels 720 können auf der Ladungserzeugungsschicht 720 zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die, mit dem Graben T dazwischen, zueinander benachbart angeordnet sind, durchgängig miteinander (beispielsweise verbunden mit oder direkt kontaktierend) sein. Deshalb kann eine elektrische Ladung sich durch den zweiten Stapel 720 hindurch und zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die, mit dem Graben T dazwischen, angrenzend aneinander angeordnet sind. Jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise können mittels entsprechenden Auswählens einer Form des Grabens T und eines Abscheidungsvorgangs, der an der lichtemittierenden Schicht 700 durchgeführt wird, Bereiche des zweiten Stapels 720 zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die, mit dem Graben T dazwischen, benachbart zueinander angeordnet sind, nicht-durchgängig miteinander (beispielsweise abgetrennt voneinander) sein. Zum Beispiel kann lediglich ein Teil eines unteren Bereichs des zweiten Stapels 730, der angrenzend an die Ladungserzeugungsschicht 720 angeordnet ist, nicht-durchgängig mit (beispielsweise abgetrennt von) dem anderen Teil zwischen den Subpixeln P1 bis P3 sein.
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Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann eine Leitfähigkeit aufweisen, die größer ist als die von sowohl dem ersten Stapel 710 als auch dem zweiten Stapel 730. Beispielsweise kann eine Ladungserzeugungsschicht des N-Typs, die die Ladungserzeugungsschicht 720 konfiguriert, ein Metallmaterial aufweisen und kann somit eine größere Leitfähigkeit aufweisen als die von sowohl dem ersten Stapel 710 als auch dem zweiten Stapel 730. Dementsprechend kann eine Bewegung von elektrischen Ladungen zwischen den Subpixeln P1 bis P3, die benachbart zueinander angeordnet sind, durch die Ladungserzeugungsschicht 720 durchgeführt werden, und die Menge an elektrischen Ladungen, die sich durch den zweiten Stapel 730 hindurch bewegen, kann sehr klein sein.
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In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, wenn die lichtemittierende Schicht 700 in dem Graben T angeordnet ist, ein Bereich der lichtemittierenden Schicht 700 nicht-durchgängig mit (beispielsweise abgetrennt von) dem anderen Bereich in dem Graben T sein. Somit kann der erste Stapel 710 nicht-durchgängig mit (beispielsweise abgetrennt von) der Ladungserzeugungsschicht 720 sein, wodurch das Auftreten eines Leckstroms zwischen den zueinander benachbarten Subpixeln P1 bis P3 reduziert oder verhindert wird. Eine Anordnung des Grabens T, die in 3A bis 3D dargestellt ist, kann auf verschiedene Ausführungsformen, die im Folgenden beschrieben sind, angewendet werden.
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4 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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4 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 1. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 4 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 2A dahingehend, dass die dritte isolierende Schicht 530 nicht bereitgestellt ist. Deshalb betreffen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente, und lediglich unterschiedliche Elemente werden im Folgenden beschrieben werden.
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Wie in 4 dargestellt, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste obere Elektrode 312 einer ersten Elektrode 310 direkt auf einer oberen Oberfläche einer ersten oberen Kontaktelektrode 412 einer ersten Kontaktelektrode 410 in einem ersten Subpixel P1 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht. Eine zweite obere Elektrode 322 einer ersten Elektrode 320 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420 in einem zweiten Subpixel P2 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht. Eine dritte obere Elektrode 332 einer ersten Elektrode 330 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer dritten unteren Elektrode 331 einer ersten Elektrode 330 in einem dritten Subpixel P3 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht. Deshalb können eine erste isolierende Schicht 510 und eine zweite isolierende Schicht 520 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in einem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 angeordnet sein, die zweite isolierende Schicht 520 kann zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in einem zweiten Emissionsbereich EA 2 des zweiten Subpixels P2 angeordnet sein, und eine separate isolierende Schicht kann zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in einem dritten Emissionsbereich EA 3 des dritten Subpixels P3 nicht angeordnet sein.
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Ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in dem Beispiel der 4 kann kürzer sein als ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in einer Struktur der 2A. Ebenso kann ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in dem Beispiel der 4 kürzer sein als ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in der Struktur der 2. Ebenso kann ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in dem Beispiel der 4 kürzer sein als ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in der Struktur der 2A.
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Wie oben beschrieben, können zum Erzielen des Mikrokavitäts-Effekts in jedem der Subpixel P1 bis P3 jeder jeweilige Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 ein ganzzahliges Vielfaches einer halben Wellenlänge (λ/2) von Licht, das von jedem der Subpixel P1 bis P3 abgestrahlt wird, sein. Deshalb können zum Realisieren eines ganzzahligen Vielfachen einer halben Wellenlänge (λ/2) des Lichts die jeweiligen Abstände zwischen der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 basierend auf der oben beschriebenen Struktur, die in den Beispielen der 2A oder 4 dargestellt ist, verschieden modifiziert werden.
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5 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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5 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 1. In den Strukturen von ersten Elektroden 310 bis 330 und Kontaktelektroden 410 bis 430 unterscheidet sich die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 5 von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 2A. Deshalb werden Elemente, die sich von den Elementen, die oben unter Bezugnahme auf 2A beschrieben sind, im Folgenden beschrieben werden.
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Wie in 5 dargestellt, können die ersten Elektroden 310 bis 330 und die Kontaktelektroden 410 bis 430 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 auf einer Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 strukturiert sein. Die erste Elektrode 310 in dem ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 aufweisen. Die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 können sich von einem ersten Emissionsbereich EA1 zu einem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken.
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Die erste untere Elektrode 311 kann durch ein erstes Kontaktloch CH11 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem ersten Subpixel P1-Bereich mit einem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Die erste obere Elektrode 312 kann durch ein drittes Kontaktloch CH13 einer dritten isolierenden Schicht 530 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit der ersten Kontaktelektrode 410 verbunden sein.
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Die erste Kontaktelektrode 410 in dem ersten Subpixel P1 kann eine Kontaktschicht aufweisen. Die erste Kontaktelektrode 410 kann durch ein zweites Kontaktloch CH12, das in einer ersten isolierenden Schicht 510 und einer zweiten isolierenden Schicht 520 jeweils in dem ersten Subpixel P1-Bereich bereitgestellt ist, hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein.
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In dem ersten Subpixel P1 kann die erste untere Elektrode 311 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 direkt verbunden sein, und die erste obere Elektrode 312 kann durch die erste Kontaktelektrode 410 mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein. Deshalb können die erste isolierende Schicht 510 bis dritte isolierende Schicht 530 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 aufweisen. Die zweite untere Elektrode 321 kann in einem zweiten Emissionsbereich EA2 angeordnet sein und kann sich zu einem zweiten Kontaktbereich CA2 nicht erstrecken, und die zweite obere Elektrode 322 kann sich von dem zweiten Emissionsbereich EA2 zu dem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken.
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Die zweite untere Elektrode 321 kann auf der ersten isolierenden Schicht 510 eine Inselstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die zweite untere Elektrode 321 nicht-durchgehend mit (beispielsweise kann nicht verbunden sein mit) der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Ansteuerungs-TFT 250 sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann durch ein drittes Kontaktloch CH23 der dritten isolierenden Schicht 530 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch durchgehend mit (beispielsweise kann verbunden sein mit) einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422, die die zweite Kontaktelektrode 420 konfiguriert, angeordnet sein.
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Die zweite Kontaktelektrode 420 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und eine zweite obere Kontaktelektrode 422 aufweisen. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann durch ein erstes Kontaktloch CH21 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein, und die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch ein zweites Kontaktloch CH22 jeweils der ersten isolierenden Schicht 510 und der zweiten isolierenden Schicht 520 jeweils in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein.
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In dem zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Elektrode 321 eine Inselstruktur aufweisen und kann mit einem anderen leitfähigen Material nicht direkt verbunden sein, und die zweite obere Elektrode 322 kann durch die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Deshalb können die zweite isolierende Schicht 520 und dritte isolierende Schicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 330 in dem dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 aufweisen. Die dritte untere Elektrode 331 und dritte obere Elektrode 332 können sich von einem dritten Emissionsbereich EA3 zu einem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken.
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Die dritte untere Elektrode 331 kann durch ein zweites Kontaktloch CH32 jeweils der ersten isolierenden Schicht 510 und zweiten isolierenden Schicht 520 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit der dritten Kontaktelektrode 430 verbunden sein. Die dritte obere Elektrode 332 kann durch ein drittes Kontaktloch CH33 der dritten isolierenden Schicht 530 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit der dritten unteren Elektrode 331 verbunden sein.
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Die dritte Kontaktelektrode 430 in dem dritten Subpixel P3 kann eine Kontaktschicht aufweisen. Die dritte Kontaktelektrode 430 kann durch ein erstes Kontaktloch CH31 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein.
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In dem dritten Subpixel P3 kann die dritte untere Elektrode 331 durch die dritte Kontaktelektrode 430 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 verbunden sein, und die dritte obere Elektrode 332 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 direkt verbunden sein. Deshalb kann die dritte isolierende Schicht 530 zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 angeordnet sein.
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Die erste isolierende Schicht 510 kann zwischen der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 und der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Beispielsweise kann die erste isolierende Schicht 510 unter der zweiten unteren Elektrode 321 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32 können in der ersten isolierenden Schicht 510 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 angeordnet sein.
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Die zweite isolierende Schicht 520 kann auf der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein. Beispielsweise kann die zweite isolierende Schicht 520 unter der ersten Kontaktelektrode 410, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der dritten unteren Elektrode 331 angeordnet sein. Die Mehrzahl von zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32 können in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 in der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein.
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Die dritte isolierende Schicht 530 kann auf der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Beispielsweise kann die dritte isolierende Schicht 530 unter der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von dritten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 können in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 in der dritten isolierenden Schicht 530 angeordnet sein.
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In der oben beschriebenen Struktur der 2A können separate zweite Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 in der ersten isolierenden Schicht 510 angeordnet sein, und die separaten zweiten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 können in der zweiten isolierenden Schicht 520 angeordnet sein. Andererseits können die zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 in der Struktur der 5 geradlinig und gleichzeitig durch die erste isolierende Schicht 510 und zweite isolierende Schicht 520 hindurch führen. Deshalb kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 in der Struktur der 5 den zweiten Kontaktbereich CA2 zum Bilden des zweiten Kontaktlochs CH22, das geradlinig und gleichzeitig durch die erste isolierende Schicht 510 und zweite isolierende Schicht 520 in dem zweiten Subpixel P2 hindurch führt, nicht überlappen. Beispielsweise kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 die zweite Kontaktelektrode 420 des zweiten Kontaktbereichs CA2 in dem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen. Deshalb kann das Beispiel der 5 im Vergleich zu dem Beispiel der 2A die Anzahl von Vorgängen zum Bilden von Kontaktlöchern absenken.
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6 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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6 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 1. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 6 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 5 dahingehend, dass die dritte isolierende Schicht 530 nicht bereitgestellt ist. Deshalb bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente, und lediglich unterschiedliche Elemente werden im Folgenden beschrieben werden.
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Wie in 6 dargestellt, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste obere Elektrode 312 einer ersten Elektrode 310 direkt auf einer oberen Oberfläche einer ersten Kontaktelektrode 410 in einem ersten Subpixel P1 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht; eine zweite obere Elektrode 322 einer ersten Elektrode 320 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420 in einem zweiten Subpixel P2 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht; und eine dritte obere Elektrode 332 einer ersten Elektrode 330 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer dritten unteren Elektrode 331 einer ersten Elektrode 330 in einem dritten Subpixel P3 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht.
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Deshalb können eine erste isolierende Schicht 510 und eine zweite isolierende Schicht 520 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in einem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 angeordnet sein, die zweite isolierende Schicht 520 kann zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in einem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 angeordnet sein, und eine separate isolierende Schicht kann zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in einem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 nicht angeordnet sein.
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Ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in dem Beispiel der 6 kann kürzer sein als ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in dem Beispiel der 5. Ebenso kann ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in dem Beispiel der 6 kürzer sein als ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in dem Beispiel der 5. Ebenso kann ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in dem Beispiel der 6 kürzer sein als ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in dem Beispiel der 5.
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Wie oben beschrieben, kann zum Erzielen des Mikrokavitäts-Effekts in jedem der Subpixel P1 bis P3 jeder jeweilige Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 ein ganzzahliges Vielfaches einer halben Wellenlänge (λ/2) von Licht, das von jedem der Subpixel P1 bis P3 abgestrahlt wird, sein. Deshalb können zum Realisieren eines ganzzahligen Vielfachen einer halben Wellenlänge (λ/2) des Lichts die jeweiligen Abstände zwischen der ersten unteren Elektrode und bis dritten unteren Elektrode 311, 321 und 331 und der ersten oberen Elektrode bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332 basierend auf der oben beschriebenen Struktur, die in den Beispielen der 5 oder 6 dargestellt sind, verschieden modifiziert werden.
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7 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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7 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 1. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 7 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 5 in einer Anordnung einer zweiten unteren Elektrode 321 einer ersten Elektrode 310 in einem zweiten Subpixel P2. Deshalb bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente, und lediglich unterschiedliche Elemente werden im Folgenden beschrieben werden
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In dem oben beschriebenen Beispiel der 5 kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 auf der ersten isolierenden Schicht 510 eine Inselstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die zweite untere Elektrode 321 den zweiten Kontaktbereich CA2 nicht überlappen und kann somit mit der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Ansteuerungs-TFT 250 nicht verbunden sein.
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Andererseits kann in dem Beispiel der 7 eine zweite untere Elektrode 321 einer ersten Elektrode 320 in einem zweiten Subpixel P2 einen zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen und kann somit mit einer zweiten Kontaktelektrode 420 (beispielsweise einer Seitenoberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420) verbunden sein. In 7 kann ein zweites Kontaktloch CH22, das gleichzeitig durch eine erste isolierende Schicht 510 und eine zweite isolierende Schicht 520 hindurch führen kann, in einem zweiten Subpixel P2 angeordnet sein.
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Im Vergleich zu dem Beispiel der 5 kann das Beispiel der 7 einen Bereich der zweiten unteren Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 vergrößern, wodurch eine Lichtausbeute erhöht wird. Obwohl nicht dargestellt, kann die Struktur des Beispiels der 7 auf die oben beschriebene Struktur des Beispiels der 6 angewendet werden.
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8A ist eine Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 8B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 8A. 8C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 8A. 8D ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 8A.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung von jedem der Beispiele der 8A bis 8D unterscheiden sich jeweils von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung von jedem der Beispiele der 3A bis 3D dahingehend, dass die dritte isolierende Schicht 530 und die vierten Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34 nicht bereitgestellt sind.
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Unter Bezugnahme auf 8B kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste obere Elektrode 312 einer ersten Elektrode 310 direkt auf einer oberen Oberfläche einer ersten oberen Kontaktelektrode 412 einer ersten Kontaktelektrode 410 in einem ersten Subpixel P1 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht; eine zweite obere Elektrode 322 einer ersten Elektrode 320 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420 in einem zweiten Subpixel P2 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht; und eine dritte obere Elektrode 332 einer ersten Elektrode 330 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer dritten unteren Elektrode 331 einer ersten Elektrode 330 in einem dritten Subpixel P3 bereitgestellt sein, ohne eine separate isolierende Schicht. Deshalb können eine erste isolierende Schicht 510 und eine zweite isolierende Schicht 520 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in einem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 angeordnet sein, die zweite isolierende Schicht 520 kann zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 in einem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 angeordnet sein, und eine separate isolierende Schicht kann zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in einem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 nicht angeordnet sein.
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9A bis 9H sind Prozess-Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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9A bis 9H entsprechen einer Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 8A. Zuerst, wie aus dem Beispiel der 9A ersichtlich, kann eine Schaltkreisvorrichtungsschicht 200, die einen Ansteuerungs-TFT 250 aufweist, auf einem Substrat 100 bereitgestellt werden; eine Mehrzahl von ersten Kontaktlöchern CH11, CH21 und CH31 können in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in entsprechenden Subpixeln P1 bis P3 angeordnet werden; und eine erste untere Elektrode 311, eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und eine dritte untere Kontaktelektrode 431 können auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 bereitgestellt werden. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 können mit einem Source-Anschluss oder einem Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 durch die ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31 hindurch verbunden werden.
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Danach, wie aus dem Beispiel der 9B ersichtlich, kann eine erste isolierende Schicht 510 auf der ersten unteren Elektrode 311, der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431 bereitgestellt werden; eine Mehrzahl von zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32 können in der ersten isolierenden Schicht 510 bereitgestellt werden, und eine erste untere Kontaktelektrode 411, eine zweite untere Elektrode 321 und eine dritte obere Kontaktelektrode 432 können auf der ersten isolierenden Schicht 510 bereitgestellt werden. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann durch das zweite Kontaktloch CH12 hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden werden, die zweite untere Elektrode 321 kann durch das zweite Kontaktloch CH22 hindurch mit der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 verbunden werden, und die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann durch das zweite Kontaktloch CH32 hindurch mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 verbunden werden.
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Danach, wie aus dem Beispiel der 9C ersichtlich, kann eine zweite isolierende Schicht 520 auf der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 bereitgestellt werden; eine Mehrzahl von dritten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 können in der zweiten isolierenden Schicht 520 bereitgestellt werden, und eine erste obere Kontaktelektrode 412, eine zweite obere Kontaktelektrode 422 und eine dritte untere Elektrode 331 können auf der zweiten isolierenden Schicht 520 bereitgestellt werden. Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann durch das dritte Kontaktloch CH13 hindurch mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 verbunden werden, die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch das dritte Kontaktloch CH23 hindurch mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden werden, und die dritte untere Elektrode 331 kann durch das dritte Kontaktloch CH33 hindurch mit der dritten oberen Kontaktelektrode 432 verbunden werden.
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Danach, wie aus dem Beispiel der 9D ersichtlich, kann eine erste obere Elektrode 312 auf der ersten oberen Kontaktelektrode 412 bereitgestellt werden; eine zweite obere Elektrode 322 kann auf der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 bereitgestellt werden; und eine dritte obere Elektrode 332 kann auf der dritten oberen Elektrode 332 bereitgestellt werden. Danach, wie aus dem Beispiel der 9E ersichtlich, kann ein Damm 600 auf der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 bereitgestellt werden. Der Damm 600 kann beide Enden von jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 überdecken.
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Danach, wie aus dem Beispiel der 9F ersichtlich, kann ein Graben T in dem Damm 600 und der zweiten isolierenden Schicht 520 in einem Randbereich zwischen den Subpixeln P1 bis P3 bereitgestellt werden. Alternativ kann der Graben T nur in dem Damm 600 bereitgestellt werden. Des Weiteren kann sich der Graben T auf den Damm 600 und die dritte isolierende Schicht 530 erstrecken und kann sich außerdem auf einen inneren Bereich der darunterliegenden zweiten isolierenden Schicht 520, einen inneren Bereich der darunterliegenden ersten isolierenden Schicht 510 oder einen inneren Bereich der darunterliegenden Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 erstrecken.
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Danach, wie aus dem Beispiel der 9G ersichtlich, kann eine lichtemittierende Schicht 700 auf dem Damm 600 bereitgestellt werden. Danach, wie aus dem Beispiel der 9H ersichtlich, kann eine zweite Elektrode 800 auf der lichtemittierenden Schicht 700 bereitgestellt werden, eine Verkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 bereitgestellt werden, und eine Farbfilterschicht 900 kann auf der Verkapselungsschicht 850 bereitgestellt werden.
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10 zeigt eine Querschnittansicht, die eine Möglichkeit, dass eine Lichtausbeute in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung reduziert ist, darstellt.
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10 zeigt ein Beispiel, in dem eine dritte obere Elektrode 332 nicht die gleiche Struktur aufweist wie die einer dritten unteren Elektrode 331, beispielsweise aufgrund eines Prozessfehlers, wie beispielsweise einer Masken-Fehlausrichtung in dem oben beschriebenen Prozess der 9D. Somit überdeckt der Damm 600 ein Ende der dritten oberen Elektrode 332 in dem oben beschriebenen Beispielsprozess der 9E nicht.
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Wie in 10 dargestellt, kann, wenn der Damm 600 das eine Ende der dritten oberen Elektrode 332 nicht überdeckt, ein Bereich X, in dem eine lichtemittierende Schicht 700 die dritte untere Elektrode 331 direkt kontaktiert, auftreten. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 die dritte untere Elektrode 331 kontaktieren, ohne die dritte obere Elektrode 332 in dem Bereich X zu kontaktieren. Jedoch kann die lichtemittierende Schicht 700 in dem anderen Bereich die dritte obere Elektrode 332 kontaktieren.
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Wenn eine Austrittsenergie der dritten unteren Elektrode 331 verschieden ist von der der dritten oberen Elektrode 332, kann die Emissionsintensität eines Bereichs der lichtemittierenden Schicht 700, der die dritte untere Elektrode 331 kontaktiert, verschieden sein von der eines Bereichs der lichtemittierenden Schicht 700, der die dritte obere Elektrode 332 kontaktiert. Somit kann eine einheitliche Lichtemission nicht realisiert werden, und eine Emissionsausbeute kann reduziert sein. Zum Beispiel kann die dritte untere Elektrode 331 eine reflektierende Elektrode sein und kann Aluminium (Al) oder Silber (Ag) aufweisen. Beispielsweise kann eine Austrittsenergie von Al ungefähr 4,28 eV betragen, und eine Austrittsenergie von Ag kann ungefähr 4,26 eV betragen. Andererseits kann die dritte obere Elektrode 332 eine lichtdurchlässige Elektrode sein und kann Titannitrid (TiN) oder Indiumzinnoxid (ITO) aufweisen. Beispielsweise kann eine Austrittsenergie von TiN ungefähr 4,33 eV betragen, und eine Austrittsenergie von ITO kann ungefähr 4,89 eV betragen.
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Im Folgenden wird eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zum Lösen des oben beschriebenen Problems im Detail beschrieben werden.
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11A bis 11C sind Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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11A ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 8A. 11B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 8A. 11C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie E-F der 8A. Wie in den Beispielen der 11A bis 11 C dargestellt, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 100, eine Schaltkreisvorrichtungsschicht 200, eine Mehrzahl von ersten Elektroden 310 bis 330, eine Mehrzahl von Kontaktelektroden 410 bis 430, eine Mehrzahl von isolierenden Schichten 510 bis 530, einen Damm 600, eine lichtemittierende Schicht 700, eine zweite Elektrode 800, eine Verkapselungsschicht 850 und eine Farbfilterschicht 900 aufweisen.
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Das Substrat 100, die Schaltkreisvorrichtungsschicht 200, die Kontaktelektroden 410 bis 430, die isolierenden Schichten 510 bis 530, der Damm 600, die lichtemittierende Schicht 700, die zweite Elektrode 800, die Verkapselungsschicht 850 und die Farbfilterschicht 900 können im Wesentlichen gleich den oben unter Bezugnahme auf 8B bis 8D beschriebenen Elemente sein. Somit werden ihre detaillierten Beschreibungen nicht wiederholt. Im Folgenden wird lediglich eine Anordnung von jeder der ersten Elektroden 310 bis 330 beschrieben werden.
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Die erste Elektrode 310 in dem ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 aufweisen. Die erste untere Elektrode 311 kann durch ein erstes Kontaktloch CH11 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in einem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit einem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden (beispielsweise elektrisch verbunden) sein.
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Die erste obere Elektrode 312 kann auf einer oberen Oberfläche einer ersten oberen Kontaktelektrode 412, die die erste Kontaktelektrode 410 in dem ersten Subpixel P1-Bereich konfiguriert, angeordnet sein und kann mit der ersten oberen Kontaktelektrode 412 direkt verbunden sein. Beispielsweise kann die erste obere Elektrode 312 in einer zweilagigen Struktur, die eine erste untere Schicht 312a und eine erste obere Schicht 312b aufweist, gebildet sein. Die erste untere Schicht 312a kann die gleiche Struktur aufweisen wie die der ersten oberen Kontaktelektrode 412 in einer oberen Oberfläche der ersten oberen Kontaktelektrode 412. Die erste obere Schicht 312b kann eine Struktur aufweisen, die verschieden ist von der von jeder der ersten unteren Schicht 312a, der ersten oberen Kontaktelektrode 412 und der ersten unteren Kontaktelektrode 411 in einer oberen Oberfläche der ersten unteren Schicht 312a. Beispielsweise kann sich die erste obere Schicht 312b von einem ersten Emissionsbereich EA1 zu einem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken. Deshalb kann in dem ersten Emissionsbereich EA1 nur die erste obere Schicht 312 freigelegt sein und kann die lichtemittierende Schicht 700 kontaktieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 nur die erste obere Schicht 312b, die eine bestimmte Austrittsenergie aufweist, in dem ersten Emissionsbereich EA1 kontaktieren. Somit kann eine einheitliche Lichtemission realisiert werden. Die erste untere Schicht 312a und die erste obere Schicht 312b können Materialien aufweisen, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen. Beispielsweise können die erste untere Schicht 312a und die erste obere Schicht 312b die gleichen Materialien aufweisen, sind jedoch nicht hierauf beschränkt, und können verschiedene Materialien, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen, aufweisen.
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Deshalb können sich die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 jeweils von dem ersten Emissionsbereich EA1 zu dem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken. Beispielsweise kann eine Dicke der ersten oberen Elektrode 312 in dem ersten Emissionsbereich EA1 geringer sein als die der ersten oberen Elektrode in dem ersten Kontaktbereich CA1.
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Die erste Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 aufweisen. Die zweite untere Elektrode 321 kann durch ein zweites Kontaktloch CH22 der ersten isolierenden Schicht 510 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit einer zweiten unteren Kontaktelektrode 421, die die zweite Kontaktelektrode 420 konfiguriert, verbunden sein.
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Die zweite obere Elektrode 322 kann auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422, die die zweite Kontaktelektrode 420 in dem zweiten Subpixel P2 konfiguriert, angeordnet sein und kann mit der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 direkt verbunden sein. Beispielsweise kann die zweite obere Elektrode 322 in einer zweilagigen Struktur, die eine zweite untere Schicht 322a und eine zweite obere Schicht 322b aufweist, gebildet sein. Die zweite untere Schicht 322a kann die gleiche Struktur wie die der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 in einer oberen Oberfläche der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 aufweisen. Die zweite obere Schicht 322b kann eine Struktur aufweisen, die verschieden ist von der von jeder der zweiten unteren Schicht 322a, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 in einer oberen Oberfläche der zweiten unteren Schicht 322a. Beispielsweise kann sich die zweite obere Schicht 322b von einem zweiten Emissionsbereich EA2 zu einem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken. Deshalb kann in dem zweiten Emissionsbereich EA2 nur die zweite obere Schicht 322b freigelegt sein und kann die lichtemittierende Schicht 700 kontaktieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 nur die zweite obere Schicht 322b, die eine bestimmte Austrittsenergie aufweist, in dem zweiten Emissionsbereich EA2 kontaktieren. Somit kann eine einheitliche Lichtemission realisiert werden. Die zweite untere Schicht 322a und die zweite obere Schicht 322b können Materialien, die die gleich Austrittsenergie aufweisen, aufweisen. Beispielsweise können die zweite untere Schicht 322a und die zweite obere Schicht 322b die gleichen Materialien aufweisen, sind jedoch nicht hierauf beschränkt, und können verschiedene Materialien, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen, aufweisen.
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Deshalb können sich die zweite untere Elektrode 321 und die zweite obere Elektrode 322 jeweils von dem zweiten Emissionsbereich EA2 zu dem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken. Beispielsweise kann eine Dicke der zweiten oberen Elektrode 322 in dem zweiten Emissionsbereich EA2 geringer sein als die der zweiten oberen Elektrode 3232 in dem zweiten Kontaktbereich CA2.
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Die erste Elektrode 330 in dem dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 aufweisen. Die dritte untere Elektrode 331 kann durch ein drittes Kontaktloch CH33 der zweiten isolierenden Schicht 520 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit einer dritten oberen Kontaktelektrode 432, die die dritte Kontaktelektrode 430 konfiguriert, verbunden sein.
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Die dritte obere Elektrode 332 kann auf einer oberen Oberfläche der dritten unteren Elektrode 331 angeordnet sein und kann mit der dritten unteren Elektrode 331 direkt verbunden sein. Beispielsweise kann die dritte obere Elektrode 332 in einer zweilagigen Struktur, die eine dritte untere Schicht 332a und eine dritte obere Schicht 332b aufweist, gebildet sein. Die dritte untere Schicht 332a kann die gleiche Struktur aufweisen wie die der dritten unteren Elektrode 331 in einer oberen Oberfläche der dritten unteren Elektrode 331 und kann eine Struktur aufweisen, die verschieden ist von der von jeder der dritten oberen Kontaktelektrode 432 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431. Deshalb können sich die dritte untere Elektrode 331 und die dritte untere Schicht 332a von einem dritten Emissionsbereich EA3 zu einem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken. Ebenso kann die dritte obere Schicht 332b die gleiche Struktur aufweisen wie die der dritten unteren Schicht 332a in einer oberen Oberfläche der dritten unteren Schicht 332a und kann eine Struktur aufweisen, die verschieden ist von der von jeder der dritten oberen Kontaktelektrode 432 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431. Deshalb kann sich die dritten obere Schicht 332b ebenfalls von dem dritten Emissionsbereich EA3 zu dem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken. Dementsprechend kann in dem dritten Emissionsbereich EA3 nur die dritte obere Schicht 322b freigelegt sein und kann die lichtemittierende Schicht 700 kontaktieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 700 nur die dritte obere Schicht 332b, die eine bestimmte Austrittsenergie aufweist, in dem dritten Emissionsbereich EA3 kontaktieren. Somit kann eine einheitliche Lichtemission realisiert werden.
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Beispielsweise können die erste obere Schicht 312b, die bei dem ersten Emissionsbereich EA1 zum Kontaktieren der lichtemittierenden Schicht 700 freigelegt ist, die zweite obere Schicht 322b, die bei dem zweiten lichtemittierenden Bereich EA2 zum Kontaktieren der lichtemittierenden Schicht 700 freigelegt ist, und die dritte obere Schicht 332b, die bei dem dritten Emissionsbereich zum Kontaktieren der lichtemittierenden Schicht 700 freigelegt ist, Materialien aufweisen, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen. Beispielsweise kann eine einheitliche Lichtemission in dem ersten Emissionsbereich EA1 bis dritten Emissionsbereich EA3 realisiert werden.
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Jedoch kann die dritte obere Schicht 332b eine Struktur aufweisen, die verschieden ist von der der dritten unteren Schicht 332a. Die dritte untere Schicht 332a und die dritte obere Schicht 332b können Materialien aufweisen, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen. Beispielsweise können die dritte untere Schicht 332a und die dritte obere Schicht 332b die gleichen Materialien aufweisen, sind jedoch nicht hierauf beschränkt, und können verschiedene Materialien, die die gleiche Austrittsenergie aufweisen, aufweisen.
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Deshalb können sich die dritte untere Elektrode 331 und die dritte obere Elektrode 332 jeweils von dem dritten Emissionsbereich EA3 zu dem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken. Beispielsweise kann eine Dicke der dritten oberen Elektrode 322 in dem dritten Emissionsbereich EA3 gleich sein zu der der dritten oberen Elektrode 332 in dem dritten Kontaktbereich CA3.
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12A bis 12H sind Querschnittansichten einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Die Beispiele der 12A bis 12H entsprechen einer Querschnittansicht entlang einer Linie A-B der 8A. Zuerst, wie in 12A dargestellt, kann eine Schaltkreisschicht 200, die einen Ansteuerungs-TFT 250 aufweist, auf einem Substrat 100 bereitgestellt werden; eine Mehrzahl von ersten Kontaktlöchern CH11, CH21 und CH31 können in der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in entsprechenden Subpixeln P1 bis P3 bereitgestellt werden; und eine ersten untere Elektrode, eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und eine dritte untere Kontaktelektrode 431 können auf der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 bereitgestellt werden. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 können durch die ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31 hindurch mit einem Source-Anschluss oder einem Drain-Anschluss des Ansteuerungs-TFTs 250 verbunden werden.
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Danach, wie in dem Beispiel der 12B dargestellt, kann eine erste isolierende Schicht 510 auf der ersten unteren Elektrode 311, der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431 bereitgestellt werden; eine Mehrzahl von zweiten Kontaktlöchern CH12, CH22 und CH32 können in der ersten isolierenden Schicht 510 bereitgestellt werden; und eine erste untere Kontaktelektrode 411, eine zweite untere Elektrode 321 und eine dritte obere Kontaktelektrode 432 können auf der ersten isolierenden Schicht 510 bereitgestellt werden. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann durch das zweite Kontaktloch CH12 hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden werden, die zweite untere Elektrode 321 kann durch das zweite Kontaktloch CH22 hindurch mit der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 verbunden werden, und die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann durch das zweite Kontaktloch CH32 hindurch mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 verbunden werden.
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Danach, wie in dem Beispiel der 12C dargestellt, kann eine zweite isolierende Schicht 520 auf der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 bereitgestellt werden; und eine Mehrzahl von dritten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 können in der zweiten isolierenden Schicht 520 bereitgestellt werden. Danach können eine erste obere Kontaktelektrode 412 und eine erste untere Schicht 312a gleichzeitig auf der zweiten isolierenden Schicht 520 bereitgestellt werden und können die gleiche Struktur aufweisen; eine zweite obere Kontaktelektrode 422 und eine zweite untere Schicht 322a können gleichzeitig bereitgestellt werden und können die gleiche Struktur aufweisen; und eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte untere Schicht 332a können gleichzeitig bereitgestellt werden und können die gleiche Struktur aufweisen. Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann durch das dritte Kontaktloch CH13 hindurch mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 verbunden werden, die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch das dritte Kontaktloch CH23 hindurch mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden werden, und die dritte untere Elektrode 331 kann durch das dritte Kontaktloch CH33 hindurch mit der dritten oberen Kontaktelektrode 432 verbunden werden
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Danach, wie in dem Beispiel der 12D dargestellt, kann eine erste obere Elektrode 312 mittels Bereitstellens einer ersten oberen Schicht 312b auf der ersten unteren Schicht 312a fertiggestellt werden, eine zweite obere Elektrode 322 kann mittels Bereitstellens einer zweiten oberen Schicht 322b auf der zweiten unteren Schicht 322a fertiggestellt werden, und eine dritte obere Elektrode 332 kann mittels Bereitstellens einer dritten oberen Schicht 332a auf der dritten unteren Schicht 332a fertiggestellt werden. Danach, wie in dem Beispiel der 12E dargestellt, kann ein Damm 600 auf der ersten oberen Schicht 312b, der zweiten oberen Schicht 322b und der dritten oberen Schicht 332b bereitgestellt werden. Der Damm 600 kann beide Enden von jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 überdecken.
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Danach, wie in dem Beispiel der 12F dargestellt, kann ein Graben T in dem Damm 600 und der zweiten isolierenden Schicht 520 in einem Randbereich zwischen den Subpixeln P1 bis P3 bereitgestellt werden. Der Graben T kann nur in dem Damm 600 bereitgestellt werden. Alternativ dazu kann der Graben T sich zu dem Damm 600 und der dritten isolierenden Schicht 530 erstrecken und kann sich außerdem zu einem inneren Bereich der darunterliegenden zweiten isolierenden Schicht 520, einem inneren Bereich der darunterliegenden ersten isolierenden Schicht 510, oder einem inneren Bereich der darunterliegenden Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 erstrecken.
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Danach, wie in dem Beispiel der 12G dargestellt, kann eine lichtemittierende Schicht 700 auf dem Damm 600 bereitgestellt werden. Danach, wie in dem Beispiel der 12H dargestellt, kann eine zweite Elektrode 800 auf der lichtemittierenden Schicht 700 bereitgestellt werden, eine Verkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 bereitgestellt werden, und eine Farbfilterschicht 900 kann auf der Verkapselungsschicht 850 bereitgestellt werden.
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In einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die durch die Prozesse der Beispiele der 12A bis 12H hergestellt wird, kann eine Emissionsausbeute nicht reduziert sein, selbst wenn ein Prozessfehler, wie beispielsweise eine Masken-Fehlausrichtung, auftritt. Dies wird im Folgenden unter Bezugnahme auf das Beispiel der 13 beschrieben werden.
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13 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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13 zeigt ein Beispiel, in dem eine dritte obere Schicht 332b nicht derart gebildet ist, dass sie die gleiche Struktur wie die einer dritten unteren Schicht 332a aufweist, beispielsweise aufgrund eines Prozessfehlers, wie beispielsweise einer Masken-Fehlausrichtung, in dem oben beschriebenen Prozess des Beispiels der 12D. Somit überdeckt der Damm 600 ein Ende der dritten oberen Schicht 332b in dem oben beschriebenen Prozess des Beispiels der 12E nicht.
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Wie in 13 dargestellt, kann, wenn der Damm 600 das eine Ende der dritten oberen Schicht 332b nicht überdeckt, ein Bereich X, in dem eine lichtemittierende Schicht 700 die dritten untere Schicht 332a direkt kontaktiert, auftreten. In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine dritte obere Elektrode 332 mittels einer Kombination der dritten unteren Schicht 332a und der dritten oberen Schicht 332b ausgeführt sein. Deshalb kann, obwohl der Damm 600 ein Ende der dritten oberen Schicht 332b nicht überdeckt, der Damm 600 ein Ende der dritten unteren Schicht 332a überdecken. Somit kann die lichtemittierende Schicht 700 die dritte untere Elektrode 331 nicht direkt kontaktieren.
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Deshalb kann die lichtemittierende Schicht 700 die dritte obere Elektrode 332, die in dem Bereich X als eine Anode wirkt, kontaktieren, kann jedoch die darunterliegende dritte untere Elektrode 331 nicht kontaktieren. Somit kann Licht in dem Bereich X emittiert werden, wodurch ein Problem, in dem eine Emissionsausbeute reduziert ist, wie in der oben beschriebenen Ausführungsform, gelöst wird.
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14 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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14 ist ein Beispiel einer Querschnittansicht entlang einer Linie A-B des Beispiels der 8A. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 14 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 11A in einer Struktur von jeder der ersten Elektroden 310 bis 330 und der Kontaktelektroden 410 bis 430. Im Folgenden werden Elemente, die sich von den oben unter Bezugnahme auf 11 A beschriebenen Elementen unterscheiden, beschrieben werden.
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Wie in 14 dargestellt, können die ersten Elektroden 310 bis 330 und die Kontaktelektroden 410 bis 430 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 auf einer Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 strukturiert sein. Die erste Elektrode 310 in dem ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 aufweisen. Die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 können sich von einem ersten Emissionsbereich EA1 zu einem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken.
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Die erste untere Elektrode 311 kann durch ein erstes Kontaktloch CH11 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit einem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Die erste obere Elektrode 312 kann mit der ersten Kontaktelektrode 410 in dem ersten Subpixel P1-Bereich verbunden sein. Die erste Kontaktelektrode 410 in dem ersten Subpixel P1 kann eine einzelne Kontaktschicht aufweisen. Die erste Kontaktelektrode 410 kann durch ein zweites Kontaktloch CH12 in einer ersten isolierenden Schicht 510 und ein drittes Kontaktloch CH3 in einer zweiten isolierenden Schicht 520 in dem ersten Subpixel P1-Bereich hindurch mit der ersten unteren Elektrode 311 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 aufweisen. Die zweite untere Elektrode 321 kann in einem zweiten Emissionsbereich EA2 angeordnet sein und kann sich zu einem zweiten Kontaktbereich CA2 nicht erstrecken. Die zweite obere Elektrode 322 kann sich von dem zweiten Emissionsbereich EA2 zu dem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken.
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Die zweite untere Elektrode 321 kann auf der ersten isolierenden Schicht 510 eine Inselstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die zweite untere Elektrode 321 nicht mit der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann in dem zweiten Subpixel P2-Bereich mit einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422, die die zweite Kontaktelektrode 420 konfiguriert, verbunden sein.
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Die zweite Kontaktelektrode 420 in dem zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und eine zweite obere Kontaktelektrode 422 aufweisen. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann durch ein erstes Kontaktloch CH21 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem zweiten Subpixel P2-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein. Die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann durch ein zweites Kontaktloch CH22 der ersten isolierenden Schicht 510 hindurch und ein drittes Kontaktloch CH23 der zweiten isolierenden Schicht 520 hindurch, die jeweils in dem zweiten Subpixel P2-Bereich angeordnet sind, mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein. In dem zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Elektrode 321 eine Inselstruktur aufweisen und kann mit einem anderen leitfähigen Material nicht verbunden sein, und die zweite obere Elektrode 322 kann durch die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 330 in dem dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 aufweisen. Die dritte untere Elektrode 331 und die dritte obere Elektrode 332 können sich von einem dritten Emissionsbereich EA3 zu einem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken.
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Die dritte untere Elektrode 331 kann durch ein zweites Kontaktloch CH32 der ersten isolierenden Schicht 510 hindurch und ein drittes Kontaktloch CH33 der zweiten isolierenden Schicht 520 hindurch, die jeweils in dem dritten Subpixel P3-Bereich angeordnet sind, mit der dritten Kontaktelektrode 430 verbunden sein.
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Die dritte Kontaktelektrode 430 in dem dritten Subpixel P3 kann eine einzelne Kontaktschicht aufweisen. Die dritte Kontaktelektrode 430 kann durch ein drittes Kontaktloch CH31 der Schaltkreisvorrichtungsschicht 200 in dem dritten Subpixel P3-Bereich hindurch mit dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein.
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In dem oben beschriebenen Beispiel der 11A können die zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 in der ersten isolierenden Schicht 510 mit den zweiten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 in der zweiten isolierenden Schicht 520 nicht kommunizieren oder verbunden sein. Andererseits können in der Struktur der 14 die zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 in der ersten isolierenden Schicht 510 mit den zweiten Kontaktlöchern CH13, CH23 und CH33 in der zweiten isolierenden Schicht 520 kommunizieren oder damit verbunden sein.
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Deshalb kann in der Struktur der 14 die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 das zweite Kontaktloch CH22 und dritte Kontaktloch CH23 des zweiten Kontaktbereichs CA2 zum Bilden des zweiten Kontaktlochs CH22 und dritten Kontaktlochs CH23, die geradlinig und gleichzeitig durch die erste isolierende Schicht 510 und zweite isolierende Schicht 520 in dem zweiten Subpixel P2 hindurch führen, nicht überlappen. Deshalb kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 die zweite Kontaktelektrode 420 des zweiten Kontaktbereichs CA2 in dem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen. Dementsprechend kann das Beispiel der 14 im Vergleich zu dem Beispiel der 11A die Anzahl von Prozessen zum Bilden von Kontaktlöchern absenken.
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15 ist eine Querschnittansicht eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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15 ist ein Beispiel einer Querschnittansicht entlang einer Linie A-B des Beispiels der 8A. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 15 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 14 in einer Anordnung einer zweiten unteren Elektrode 321 einer ersten Elektrode 310 in einem zweiten Subpixel P2.
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In dem oben beschriebenen Beispiel der 14 kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 auf der ersten isolierenden Schicht 510 eine Inselstruktur aufweisen. Beispielsweise kann die zweite untere Elektrode 321 den zweiten Kontaktbereich CA2 nicht überlappen und somit nicht mit der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Ansteuerungs-TFT 250 verbunden sein.
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Andererseits kann in dem Beispiel der 15 eine zweite untere Elektrode 321 einer ersten Elektrode 320, die in einem zweiten Subpixel P2 bereitgestellt ist, einen zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen und kann somit mit einer zweiten Kontaktelektrode 420 (beispielsweise einer Seitenoberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420) verbunden sein. In 15 kann ein zweites Kontaktloch CH22, das gleichzeitig durch eine erste isolierende Schicht 510 und eine zweite isolierende Schicht 520 hindurch führen kann, in einem zweiten Subpixel P2 angeordnet sein. Im Vergleich zu dem Beispiel der 14 kann das Beispiel der 15 einen Bereich der zweiten unteren Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 in dem zweiten Subpixel P2 vergrößern, wodurch eine Lichtausbeute erhöht wird.
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16A ist eine Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 16B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie C-D der 16A.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß den jeweiligen Beispielen der 16A und 16B unterscheiden sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung von jedem der Beispiele der 8A bis 8D dahingehend, dass eine Anordnung von jeweils einer Mehrzahl von Kontaktlöchern CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 verändert sein kann. Unter Bezugnahme auf die oben beschriebenen Beispiele der 8A bis 8D können sich das erste Kontaktloch CH11, das zweite Kontaktloch CH12 und das dritte Kontaktloch CH13 des ersten Subpixels P1 überlappen; das erste Kontaktloch CH21, das zweite Kontaktloch CH22 und das dritte Kontaktloch CH23 des zweiten Subpixels P2 können einander überlappen; und das erste Kontaktloch CH31, das zweite Kontaktloch CH32 und das dritte Kontaktloch CH33 des dritten Subpixels P3 können einander überlappen. Andererseits kann unter Bezugnahme auf die Beispiele der 16A und 16B ein erstes Kontaktloch CH11 ein zweites Kontaktloch CH12 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH13 in einem ersten Subpixel P1 nicht überlappen; ein erstes Kontaktloch CH21 kann ein zweites Kontaktloch CH22 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH23 in einem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen; und ein erstes Kontaktloch CH31 kann ein zweites Kontaktloch CH32 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH33 in einem dritten Subpixel P3 nicht überlappen.
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Obwohl nicht dargestellt, kann das erste Kontaktloch CH11 das dritte Kontaktloch CH13 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH12 in dem ersten Subpixel P1 nicht überlappen; das erste Kontaktloch CH21 kann das dritte Kontaktloch CH23 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH22 in dem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen; und das erste Kontaktloch CH31 kann das dritte Kontaktloch CH33 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH32 in dem dritten Subpixel P3 nicht überlappen. Keines des ersten Kontaktlochs CH11, des zweiten Kontaktlochs CH12 und des dritten Kontaktlochs CH13 können einander in dem ersten Subpixel P1 überlappen; keines des ersten Kontaktlochs CH21, des zweiten Kontaktlochs CH22 und des dritten Kontaktlochs CH23 können einander in dem zweiten Subpixel P2 überlappen; und keines der ersten des ersten Kontaktlochs CH31, des zweiten Kontaktlochs CH32 und des dritten Kontaktlochs CH33 können einander in dem dritten Subpixel P3 überlappen.
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im Vergleich zu einem Fall, in dem alle der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 einander überlappen, kann, wenn mindestens ein Kontaktloch nicht die anderen Kontaktlöcher überlappt, ein Prozess zum Bilden der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 leichter durchgeführt werden, und eine Größe von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 kann reduziert sein.
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Eine Struktur von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33, die in dem Beispiel der 16A dargestellt sind, kann auf die Struktur von jedem der oben beschriebenen Beispiele der 1 und 4A angewendet werden. Beispielsweise können in 1 und 4A vierte Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34 mindestens eines der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 in den gleichen Subpixeln P1 bis P3 überlappen oder nicht überlappen.
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17 ist eine Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 17 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 8A dahingehend, dass eine Struktur von jeder einer Mehrzahl von Emissionsbereichen EA1 bis EA3 und einer Mehrzahl von Kontaktbereich CA1 bis CA3 verändert sein kann.
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Unter Bezugnahme auf 8A kann nur eine Seite des ersten Kontaktbereichs CA1 dem ersten Emissionsbereich EA1 gegenüberliegend angeordnet sein, nur eine Seite des zweiten Kontaktbereichs CA2 kann dem zweiten Emissionsbereich EA2 gegenüberliegend angeordnet sein, und nur eine Seite des dritten Kontaktbereichs CA3 kann dem dritten Emissionsbereich EA3 gegenüberliegend angeordnet sein. Andererseits können unter Bezugnahme auf 17 zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines ersten Kontaktbereichs CA1 einem ersten Emissionsbereich EA1 gegenüberliegend angeordnet sein, zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines zweiten Kontaktbereichs CA2 können einem zweiten Emissionsbereich EA2 gegenüberliegend angeordnet sein, und zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines dritten Kontaktbereichs CA3 können einem dritten Emissionsbereich EA3 gegenüberliegend angeordnet sein.
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Deshalb können in 17 der erste Emissionsbereich EA1 bis dritte Emissionsbereich EA3 jeweils einen ersten Bereich, der unter dem ersten Kontaktbereich CA1 bis dritten Kontaktbereich CA3 angeordnet sein kann und eine erste Breite W1 aufweisen kann; und einen zweiten Bereich, der auf der rechten Seite des ersten Kontaktbereichs CA1 bis dritten Kontaktbereichs CA3 angeordnet sein kann und eine zweite Breite W2 aufweisen kann, aufweisen. Die erste Breite W1 kann größer sein als die zweite Breite W2.
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In 8A kann, wenn die Kontaktbereiche CA1 bis CA3 in einer langen Struktur in einer Breitenausrichtung bei einer oberen Position der Emissionsbereiche EA1 bis EA3 bereitgestellt sind, eine Begrenzung dahingehend auftreten, dass eine Breitenausrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 reduziert ist. Selbst wenn die Breitenausrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 geringer ist als eine Breitenausrichtungsbreite von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3, kann es, wenn ein leerer Raum neben jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 klein ist, schwierig sein, die Emissionsbereiche EA1 bis EA3 neben den Kontaktbereichen CA1 bis CA3 zu bilden. Somit kann es, selbst wenn die Breitenausrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 weitgehend oder maximal reduziert ist, schwierig sein, eine Größe von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3 zu erhöhen.
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Andererseits können in 17, wenn Kontaktbereiche CA1 bis CA3 in einer langen Struktur bereitgestellt sind, Emissionsbereiche EA1 bis EA3 rechts von den Kontaktbereichen CA1 bis CA3 gebildet sein. Beispielsweise kann, wenn eine Längenausrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 reduziert ist, eine Größe von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3 um einen kleinen Betrag erhöht sein, und ein Aperturverhältnis kann vergrößert sein.
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In einem ersten Subpixel P1 können eine obere Seite und eine linke Seite einer ersten Kontaktelektrode 410 fehlausgerichtet sein oder können zu einer oberen Seite und einer linken Seite einer ersten Elektrode 310 passend ausgerichtet sein. Ähnlich können in einem zweiten Subpixel P2 eine obere Seite und eine linke Seite einer zweiten Kontaktelektrode 420 fehlausgerichtet sein oder können zu einer oberen Seite und einer linken Seite einer ersten Elektrode 320 passend ausgerichtet sein. Ebenso können in einem dritten Subpixel P3 eine obere Seite und eine linke Seite einer dritten Kontaktelektrode 430 fehlausgerichtet sein oder können zu einer oberen Seite und einer linken Seite einer ersten Elektrode 330 passend ausgerichtet sein.
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Die Kontaktbereiche (beispielsweise erster Kontaktbereich bis dritter Kontaktbereich) CA1 bis CA3 können jeweils in rechten oberen Enden des Emissionsbereichs (beispielsweise ersten Emissionsbereichs bis dritten Emissionsbereichs) EA1 bis EA3 angeordnet sein. Somit können eine untere Seite und eine linke Seite des ersten Kontaktbereichs CA1 dem ersten Emissionsbereich EA1 gegenüberliegend angeordnet sein, eine untere Seite und eine linke Seite des zweiten Kontaktbereichs CA2 können dem zweiten Emissionsbereich EA2 gegenüberliegend angeordnet sein, und eine untere Seite und eine linke Seite des dritten Kontaktbereichs CA3 können dem dritten Emissionsbereich EA3 gegenüberliegend angeordnet sein. Eine Struktur von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 und der Emissionsbereiche EA1 bis EA3, die in dem Beispiel der 17 dargestellt sind, kann auf die Struktur von jedem der oben beschriebenen Beispiele der 1 und 4A angewendet werden.
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18 ist eine Querschnittansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 18 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung des Beispiels der 17 dahingehend, dass eine Anordnung von jedem einer Mehrzahl von Kontaktlöchern CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 verändert sein kann.
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Unter Bezugnahme auf das Beispiel der 18 kann ein erstes Kontaktloch CH11 ein zweites Kontaktloch CH12 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH13 in einem ersten Subpixel P1 nicht überlappen; ein erstes Kontaktloch CH21 kann ein zweites Kontaktloch CH22 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH23 in einem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen; und ein erstes Kontaktloch CH31 kann ein zweites Kontaktloch CH32 überlappen, kann jedoch ein drittes Kontaktloch CH33 in einem dritten Subpixel P3 nicht überlappen. Obwohl nicht dargestellt, kann das erste Kontaktloch CH11 das dritte Kontaktloch CH13 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH12 in dem ersten Subpixel P1 nicht überlappen; das erste Kontaktloch CH21 kann das dritte Kontaktloch CH23 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH22 in dem zweiten Subpixel P2 nicht überlappen; und das erste Kontaktloch CH31 kann das dritte Kontaktloch CH33 überlappen, kann jedoch das zweite Kontaktloch CH32 in dem dritten Subpixel P3 nicht überlappen.
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Des Weiteren kann keines des ersten Kontaktlochs CH11, des zweiten Kontaktlochs CH12 und des dritten Kontaktlochs CH13 in dem ersten Subpixel P1 überlappen; keines des ersten Kontaktlochs CH21, des zweiten Kontaktlochs CH22 und des dritten Kontaktlochs CH23 kann in dem zweiten Subpixel P2 überlappen; und keines des ersten Kontaktlochs CH31, des zweiten Kontaktlochs CH32 und des dritten Kontaktlochs CH33 kann in dem dritten Subpixel P3 überlappen. Im Vergleich zu einem Fall, in dem alle der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 einander überlappen, kann, wenn mindestens ein Kontaktloch die anderen Kontaktlöcher nicht überlappt, ein Prozess zum Bilden der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 leichter durchgeführt werden, und eine Größe von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 kann reduziert werden.
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19A bis 19C stellen eine am Kopf angebrachte Anzeige (HMD)-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar.
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19A ist eine perspektivische Ansicht. 19B ist eine Draufsicht auf eine Virtuelle-Realität (VR)-Struktur. 19C ist eine Querschnittansicht einer Erhöhte-Realität (AR)-Struktur.
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Wie in dem Beispiel der 19A dargestellt, kann die HMD-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein aufnehmendes Gehäuse 10 und ein Kopfbefestigungsband 30 aufweisen. Das aufnehmende Gehäuse kann Elemente, wie beispielsweise eine Anzeigevorrichtung, eine Linsenmatrix und eine Okularlinse aufnehmen.
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Das Kopfbefestigungsband 30 kann an dem aufnehmenden Gehäuse 10 befestigt sein. Das Kopfbefestigungsband 30 ist derart dargestellt, dass es eine obere Oberfläche von beiden Seitenoberflächen eines Nutzers umgibt, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann das Kopfbefestigungsband 30 die HMD-Vorrichtung an einem Kopf eines Nutzers befestigen und kann mittels einer Struktur eines Brillengestelltyps oder einer Struktur eines Helmtyps ersetzt werden.
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Wie in dem Beispiel der 19B dargestellt, kann eine HMD-Vorrichtung, die die VR-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aufweist, eine Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12, eine Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11, eine Linsenmatrix 13, eine Linkes-Auge-Okularlinse 20a und eine Rechtes-Auge-Okularlinse 20b aufweisen. Die Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12, die Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11, die Linsenmatrix 13, die Linkes-Auge-Okularlinse 20a und die Rechtes-Auge-Okularlinse 20b können in dem aufnehmenden Gehäuse 10 aufgenommen sein.
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Die linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 und die Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 können das gleiche Bild anzeigen, und ein Nutzer kann beispielsweise ein zweidimensionales (2-D) Bild anschauen. Alternativ dazu kann die Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 ein Linkes-Auge-Bild anzeigen, und die Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 kann ein Rechtes-Auge-Bild anzeigen. Sowohl die Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 als auch die Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 können als die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Beispiele der 1 bis 18 ausgeführt sein. Beispielsweise kann in den Beispielen der 1 bis 18 ein oberer Bereich (beispielsweise eine Farbfilterschichten 900), die einer Oberfläche, die ein Bild anzeigt, entspricht, der Linsenmatrix 13 gegenüberliegend angeordnet sein.
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Die Linsenmatrix 13 kann von der Linkes-Auge-Okularlinse 20a und der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 in einem Abstand angeordnet sein, und kann zwischen der Linkes-Auge-Okularlinse 20a und der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 angeordnet sein. Beispielsweise kann die Linsenmatrix 13 vor der Linkes-Auge-Okularlinse 20a und hinter der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 angeordnet sein. Ebenso kann die Linsenmatrix 13 in einem Abstand von sowohl der Rechtes-Auge-Okularlinse 20b und der Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 angeordnet sein und kann zwischen der Rechtes-Auge-Okularlinse 20b und der Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 angeordnet sein. Beispielsweise kann die Linsenmatrix 13 vor der Rechtes-Auge-Okularlinse 20b und hinter der Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 angeordnet sein.
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Die Linsenmatrix kann eine Mikrolinsenmatrix sein. Die Linsenmatrix 13 kann mittels einer Lochblendenmatrix ersetzt sein. Unter Verwendung der Linsenmatrix 13 kann ein Bild, das mittels der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 oder der Rechtes-Auge-Anzeigevorrichtung 11 angezeigt wird, um eine bestimmte Vergrößerung herangezoomt werden. Somit kann ein herangezoomtes Bild mittels eines Nutzers gesehen werden.
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Ein linkes Auge LE eines Nutzers kann bei der Linkes-Auge-Okularlinse 20a positioniert sein. Ein rechtes Auge RE des Nutzers kann bei der Rechtes-Auge-Okularlinse 20b positioniert sein.
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Wie in dem Beispiel der 19C dargestellt, kann eine HMD-Vorrichtung, die die AR-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aufweist, eine Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12, eine Linsenmatrix 13, eine Linkes-Auge-Okularlinse 20a, ein Transmission/Reflexion-Bauteil 14 und ein lichtdurchlässiges Fenster 15 aufweisen. In 19C sind zur Bequemlichkeit nur Linkes-Auge-Elemente dargestellt, und Rechtes-Auge-Elemente können die gleichen sein wie die Linkes-Auge-Elemente.
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Die linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12, die Linsenmatrix 13, die Linkes-Auge-Okularlinse 20a, das Transmission/Reflexion-Bauteil 14 und das lichtdurchlässige Fenster 15 können in dem aufnehmenden Gehäuse 10 aufgenommen sein. Die Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 kann auf einer Seite (beispielsweise einer oberen Seite) des Transmission/Reflexion-Bauteils 14 angeordnet sein, ohne das lichtdurchlässige Fenster 15 zu überdecken. Deshalb kann die Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 dem Transmission/Reflexion-Bauteil 14 ein Bild bereitstellen, ohne einen externen Hintergrund, der durch das lichtdurchlässigen Fenster 15 gesehen wird, zu überdecken.
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Die linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 kann als die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Beispiele der 1 bis 18 ausgeführt sein. Beispielsweise kann in den Beispielen der 1 bis 18 ein oberer Bereich (beispielsweise eine Farbfilterschichten 900), die einer Oberfläche, die ein Bild anzeigt, entspricht, dem Transmission/Reflexion-Bauteil 14 gegenüberliegend angeordnet sein.
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Die Linsenmatrix 13 kann zwischen der Linkes-Auge-Okularlinse 20a und dem Transmission/Reflexion-Bauteil 14 angeordnet sein. Das linke Auge des Nutzers kann bei der Linkes-Auge-Okularlinse 20a positioniert sein.
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Das Transmission/Reflexion-Bauteil 14 kann zwischen der Linsenmatrix 13 und dem lichtdurchlässigen Fenster 15 angeordnet sein. Das Transmission/Reflexion-Bauteil 14 kann eine Reflexionsoberfläche 14a, die einen Teil des Lichts hindurch treten lassen kann, aufweisen und kann den anderen Teil des Lichts reflektieren. Die Reflexionsoberfläche 14a kann derart bereitgestellt sein, dass ein Bild, das mittels der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 angezeigt wird, sich zu der Linsenmatrix 13 hin ausbreitet. Dementsprechend kann der Nutzer durch das lichtdurchlässige Fenster 15 hindurch den gesamten externen Hintergrund und das Bild, das mittels der Linkes-Auge-Anzeigevorrichtung 12 angezeigt wird, sehen. Beispielsweise kann der Nutzer ein Bild sehen, das einen realen Hintergrund und ein virtuelles Bild aufweist. Somit kann AR ausgeführt werden. Das lichtdurchlässige Fenster 15 kann vor dem Transmission/Reflexion-Bauteil 14 angeordnet sein.
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Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, wenn ein erster Abstand zwischen einer ersten unteren Elektrode und einer ersten oberen Elektrode in einem ersten Subpixel, ein zweiter Abstand zwischen einer zweiten unteren Elektrode und einer zweiten oberen Elektrode in einem zweiten Subpixel und ein dritter Abstand zwischen einer dritten unteren Elektrode und einer dritten oberen Elektrode in einem dritten Subpixel verschieden voneinander sind, eine Mikrokavität-Eigenschaft in jedem Subpixel erzielt werden, wodurch eine Lichtausbeute erhöht ist. Beispielsweise können gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wenn eine erste Kontaktelektrode in dem ersten Subpixel angeordnet ist, eine zweite Kontaktelektrode in dem zweiten Subpixel angeordnet ist und eine dritte Kontaktelektrode in dem dritten Subpixel angeordnet ist, der erste Abstand bis dritte Abstand durch die erste Kontaktelektrode bis dritte Kontaktelektrode leicht festgelegt werden.
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Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von dem technischen Grundgedanken oder dem Anwendungsbereich der Offenbarung abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Modifikationen und Variationen der vorliegenden Offenbarung abdecken, solange sie innerhalb des Anwendungsbereichs der angehängten Ansprüche liegen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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