DE112018003613T5

DE112018003613T5 - Anzeigevorrichtung und elektronisches gerät

Info

Publication number: DE112018003613T5
Application number: DE112018003613.8T
Authority: DE
Inventors: Tomokazu OHCHI
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2017-07-14
Filing date: 2018-06-27
Publication date: 2020-05-14
Also published as: US20240074247A1; US11367763B2; US20220336553A1; CN116322131A; US11793036B2; WO2019012987A1; CN110832954B; CN110832954A; US20200135820A1

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung ist derart konfiguriert, dass lichtemittierende Komponenten, die durch Laminieren einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, auf einem Substrat in einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind. Die erste Elektrode ist für jede lichtemittierende Komponente bereitgestellt und eine Trennwand ist zwischen den ersten Elektroden benachbart zueinander ausgebildet. Die organische Schicht und die zweite Elektrode werden auf der gesamten Oberfläche der ersten Elektrode und der Trennwand laminiert. Ein gepacktes Bett wird auf der zweiten Elektrode gebildet, um eine Vertiefung zwischen den Trennwänden zu füllen. Die Trennwand weist ein Laminat auf, das aus zwei oder mehr Schichten einschließlich einer unteren Schicht nahe der lichtemittierenden Komponente und einer oberen Schicht, die sich über der unteren Schicht befindet, besteht. Die Oberfläche der oberen Schicht in der Trennwand reflektiert zumindest einen Teil des Lichts, das von der lichtemittierenden Komponente eintritt, vollständig.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine elektronische Einrichtung.
STAND DER TECHNIK
In den letzten Jahren haben Anzeigevorrichtungen, die organische Elektrolumineszenz verwenden, als Anzeigevorrichtungen Aufmerksamkeit erregt, um Flüssigkristallanzeigevorrichtungen zu ersetzen. In der folgenden Beschreibung wird eine Anzeigevorrichtung, die organische Elektrolumineszenz verwendet, als „organische EL-Anzeigevorrichtungen“ oder in manchen Fällen einfach als „Anzeigevorrichtungen“ bezeichnet. Organische EL-Anzeigevorrichtungen sind Spontanlumineszenzvorrichtungen und weisen eine ausreichend hohe Ansprechempfindlichkeit gegenüber hochauflösenden Hochgeschwindigkeitsvideosignalen auf. Daher wurde die Kommerzialisierung solcher Vorrichtungen aktiv gefördert.
Bei einer Anzeigevorrichtung, die an Brillen oder Schutzbrillen angebracht werden soll, ist es zusätzlich zu dem Einstellen der Pixelgröße auf einige bis zehn Mikrometer zum Beispiel erforderlich, die Leuchtdichte zu erhöhen. Beispielsweise offenbaren die japanische Patentanmeldung Offenlegungs-Nr. 2007-248484 (Patentdokument 1) und die japanische Patentanmeldung Offenlegungs-Nr. 2013-191533 (Patentdokument 2), dass Licht durch eine Trennwand, die eine lichtemittierende Einheit von einer anderen lichtemittierenden Einheit trennt, vollständig reflektiert wird, sodass die Lichtextraktionseffizienz und die Leuchtdichte erhöht werden.
ENTGEGENHALTUNGSLISTE
PATENTDOKUMENTE

Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldung, Offenlegungs-Nr. 2007-248484 .
Patentdokument 2: Japanische Patentanmeldung, Offenlegungs-Nr. 2013-191533 .

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
In einem Fall, in dem Licht durch Totalreflexion reflektiert wird, ist es notwendig, die Trennwände mit einem Material mit einem niedrigen Brechungsindex, wie etwa Siliziumoxid, zu bilden. In der Nähe der Kontaktflächen zwischen den Trennwänden und den lichtemittierenden Schichten werden jedoch Leckpfade gebildet, und infolgedessen könnte ein Phänomen wie etwa eine Abnahme der Leuchtdichte oder eine Abnahme der Zuverlässigkeit aufgrund von Leckverlust zwischen benachbarten Pixeln auftreten.
Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung, die in der Lage ist, Leckverlust zwischen benachbarten Pixeln zu verringern, ohne die Lichtextraktionseffizienz wesentlich zu beeinträchtigen, und eine elektronische Einrichtung, die die Anzeigevorrichtung beinhaltet, bereitzustellen.
LÖSUNGEN DER PROBLEME
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung zum Erreichen des obigen Ziels ist eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:

lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat gebildet und angeordnet sind, wobei
die erste Elektrode für jede lichtemittierende Einheit bereitgestellt ist,
Trennwände zwischen benachbarten der ersten Elektroden ausgebildet sind,
die organische Schicht und die zweite Elektrode auf der gesamten Oberfläche gestapelt sind, einschließlich eines Teils über den ersten Elektroden und eines Teils über den Trennwänden,
eine Füllschicht, die Vertiefungen zwischen den Trennwänden füllt, auf der zweiten Elektrode ausgebildet ist,
die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf der Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, beinhalten und
zumindest ein Teil des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten eintritt, an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.

Eine elektronische Einrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung zum Erreichen des obigen Ziels ist eine elektronische Einrichtung, die eine Anzeigevorrichtung beinhaltet, wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet:

lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat gebildet und angeordnet sind,
Trennwände zwischen benachbarten der lichtemittierenden Einheiten ausgebildet sind,
eine Schutzschicht Zwischenräume zwischen den Trennwänden füllt,
die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf der Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, enthalten, wobei der untere Schichtabschnitt ein Material enthält, das einen höheren Brechungsindex aufweist als das Material, das den oberen Schichtabschnitt bildet, und
zumindest ein Teil des Lichts von den lichtemittierenden Einheiten an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.

EFFEKTE DER ERFINDUNG
In einer Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhalten Trennwände jeweils einen Stapel von zwei oder mehr Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf der Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet. Als das Material, das die unteren Schichtabschnitte bildet, kann ein Material ausgewählt werden, das in der Nähe der Kontaktflächen der lichtemittierenden Schichten kaum Leckpfade bildet. Da das Licht an den oberen Schichtabschnitten der Trennwände vollständig reflektiert wird, wird ferner die Lichtextraktionseffizienz nicht wesentlich beeinträchtigt. Außerdem ist zu beachten, dass die in der vorliegenden Offenbarung beschriebenen vorteilhaften Effekte lediglich ein Beispiel sind und die Effekte der vorliegenden Technologie nicht auf das Beispiel beschränkt sind und auch zusätzliche Effekte beinhalten können.
Figurenliste

1 ist eine schematische Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
2 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
3 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Referenzbeispiel.
4 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß dem Referenzbeispiel.
5 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung von Leckpfaden zwischen ersten Elektroden in der Anzeigevorrichtung gemäß dem Referenzbeispiel.
6 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung, dass Leckpfade zwischen den ersten Elektroden in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform voneinander getrennt sind.
7 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
8 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Bedingungen für die Totalreflexion an einer Trennwand.
9 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung einer Trennwandstruktur in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
10A und 10B sind schematische partielle Endansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
11 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 10B, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
12 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 11, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
13 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 12, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
14 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 13, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
15 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 14, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
16 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 15, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
17 ist eine schematische partielle Endansicht zur Erläuterung, fortsetzend von 16, des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
18 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
19 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform.
20A und 20B sind schematische partielle Endansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform.
21 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
22A und 22B sind schematische partielle Endansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform.
23 ist eine Außenansicht einer digitalen Spiegelreflexkamera mit einem Wechselobjektiv: 23A zeigt eine Vorderansicht davon und 23B zeigt eine Rückansicht davon.
24 ist eine Außenansicht einer am Kopf angebrachten Anzeige (Head-Mounted Display).
25 ist eine Außenansicht einer am Kopf angebrachten See-Through-Anzeige.

AUSFÜHRUNGSWEISE DER ERFINDUNG
Das Folgende ist eine Beschreibung der vorliegenden Offenbarung basierend auf Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Ausführungsformen beschränkt, und verschiedene numerische Werte und Materialien, die in den Ausführungsformen verwendet werden, sind Beispiele. In der folgenden Beschreibung werden gleiche Komponenten oder Komponenten mit gleichen Funktionen mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und ihre Erläuterung wird nicht unnötig wiederholt. Es ist zu beachten, dass eine Erklärung in der folgenden Reihenfolge erfolgen wird.

1. Allgemeine Beschreibung einer Anzeigevorrichtung und einer elektronischen Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung
2. Erste Ausführungsform
3. Zweite Ausführungsform
4. Dritte Ausführungsform
5. Erläuterung von elektronischen Einrichtungen, und andere Aspekte

[Allgemeine Beschreibung einer Anzeigevorrichtung und einer elektronischen Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung]
Wie oben beschrieben, gilt in einer Anzeigevorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung und in einer Anzeigevorrichtung, die in einer elektronischen Einrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung zu verwenden ist (wobei in manchen Fällen jede dieser Anzeigevorrichtungen im Folgenden einfach als eine „Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung“ bezeichnet wird):

lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, sind in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat ausgebildet und angeordnet, wobei
die erste Elektrode für jede lichtemittierende Einheit bereitgestellt ist,
Trennwände zwischen benachbarten der ersten Elektroden ausgebildet sind,
die organische Schicht und die zweite Elektrode auf der gesamten Oberfläche gestapelt sind, einschließlich eines Teils über den ersten Elektroden und eines Teils über den Trennwänden,
eine Füllschicht, die Vertiefungen zwischen den Trennwänden füllt, auf der zweiten Elektrode ausgebildet ist,
die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf der Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, beinhalten und
zumindest ein Teil des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten eintritt, an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.

In der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung sind die unteren Schichtabschnitte der Trennwände in Gebieten angeordnet, in denen Licht, das von einer Position in größtem Abstand von den Trennwänden emittiert wird, in Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert wird, nicht vollständig reflektiert wird, wenn alle Trennwände das Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet.
In der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung, die die oben beschriebene bevorzugte Konfiguration enthält, ist es notwendig, Licht an den Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig zu reflektieren. Daher enthalten die oberen Schichtabschnitte der Trennwände vorzugsweise ein Material mit niedrigem Brechungsindex, das beispielsweise einen Brechungsindex von etwa 1,4 bis 1,5 aufweist. Die oberen Schichtabschnitte können beispielsweise ein anorganisches Oxid enthalten. Insbesondere beinhalten die oberen Schichtabschnitte vorzugsweise Siliziumoxid.
Es ist zu beachten, dass der Brechungsindex der Trennwände zum Beispiel mit einem Ellipsometer gemessen werden kann. Ähnliches gilt für die Brechungsindizes der organischen Schicht und der Füllschicht.
In der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung können die lichtemittierenden Einheiten eine Konfiguration eines Top-Emission-Typs aufweisen. Die lichtemittierenden Einheiten enthalten die organische Schicht, die eine Lochtransportschicht, eine lichtemittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und dergleichen enthält und zwischen den ersten Elektroden und der zweiten Elektrode angeordnet ist. In einem Fall, in dem eine Kathode geteilt wird, dient die zweite Elektrode als eine Kathodenelektrode und die ersten Elektroden dienen als Anodenelektroden.
In der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung mit der oben beschriebenen bevorzugten Konfiguration kann ein Material, das an den Grenzflächen mit den lichtemittierenden Schichten kaum Leckpfade bildet und nicht durch den Brechungsindexwert beschränkt ist, als das Material, das die unteren Schichtabschnitte der Trennwände bildet, ausgewählt werden. Wenn beispielsweise ein Material, dessen Oberfläche dazu neigt, ein negatives Potential aufzuweisen, mit der organischen Schicht in Kontakt kommt, werden Löcher als Träger in der organischen Schicht induziert, was zu Leckpfaden führt. Daher wird als das Material, das die unteren Schichtabschnitte der Trennwände bildet, vorzugsweise ein Material ausgewählt, dessen Oberfläche mit geringerer Wahrscheinlichkeit ein negatives Potential aufweist. Die unteren Schichtabschnitte können beispielsweise ein anorganisches Nitrid oder ein anorganisches Oxinitrid enthalten. Insbesondere beinhalten die unteren Schichtabschnitte vorzugsweise Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid.
Alternativ dazu können die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Harzmaterial enthalten. Insbesondere können die unteren Schichtabschnitte Polyimidharz oder Acrylharz enthalten.
Die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung, die die oben beschriebene bevorzugte Konfiguration enthält, kann eine sogenannte monochrome Anzeigekonfiguration oder eine Farbanzeigekonfiguration aufweisen. Im Fall einer Farbanzeige können die Farben des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert werden soll, vorbestimmte Farben sein, wie beispielsweise Rot, Grün und Blau. Alternativ dazu kann die Farbe des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert werden soll, Weiß sein, und Farbfilter können über den lichtemittierenden Einheiten angeordnet sein. Ein Farbfilter kann beispielsweise unter Verwendung eines ein Pigment oder einen Farbstoff enthaltenden Harzmaterials gebildet werden.
Im Fall einer Farbanzeigekonfiguration kann jedes Pixel mehrere Subpixel enthalten. Insbesondere kann jedes Pixel die drei Subpixel eines roten Anzeigesubpixels, eines grünen Anzeigesubpixels und eines blauen Anzeigesubpixels enthalten. Ferner kann jedes Pixel einen Satz von Subpixeln enthalten, der zusätzlich zu diesen drei Subpixeln ein oder mehrere Subpixel enthält (wie etwa zum Beispiel einen Satz von Subpixeln, der ferner ein weißes Licht emittierendes Subpixel zur Erhöhung der Leuchtdichte enthält, einen Satz von Subpixeln, der ferner ein komplementäres Farblicht emittierendes Subpixel zur Erweiterung des Farbwiedergabebereichs enthält, einen Satz von Subpixeln, der ferner ein gelbes Licht emittierendes Subpixel zur Erweiterung des Farbwiedergabebereichs enthält, oder einen Satz von Subpixeln, der ferner gelbes und cyanfarbenes Licht emittierende Subpixel zur Erweiterung des Farbwiedergabebereichs enthält).
Beispiele für Werte von Pixeln der Anzeigevorrichtung beinhalten einige Auflösungen für die Bildanzeige, wie (1920, 1035), (720, 480) und (1280, 960), sowie VGA (640, 480), S-VGA (800, 600), XGA (1024, 768), APRC (1152, 900), S-XGA (1280, 1024), U-XGA (1600, 1200), HD-TV (1920, 1080) und Q-XGA (2048, 1536). Die Werte der Pixel sind jedoch nicht auf das Obige beschränkt.
In der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung, die die oben beschriebene bevorzugte Konfiguration enthält, enthalten die oberen Schichtabschnitte der Trennwände jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf der Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt, um die Leckpfade an den Grenzflächen mit den lichtemittierenden Schichten weiter zu reduzieren. Der zweite obere Schichtabschnitt kann das gleiche Material wie das die unteren Schichtabschnitte bildende Material enthalten. In diesem Fall kann der erste obere Schichtabschnitt eine Schicht enthalten, die das gleiche Material enthält wie das Material, das die unteren Schichtabschnitte in der Schicht bildet.
Die Trennwände können unter Verwendung eines Materials gebildet werden, das zweckmäßig aus bekannten anorganischen Materialien und organischen Materialien ausgewählt wird, und können durch eine Kombination eines bekannten Filmbildungsverfahrens wie etwa physikalische Gasphasenabscheidung (PVD: Physical Vapor Deposition), das typischerweise eine Vakuumabscheidungstechnik oder eine Sputtertechnik ist, oder chemische Gasphasenabscheidung (CVD: Chemical Vapor Deposition) jeglicher Art, und einer bekannten Strukturierungstechnik, wie etwa beispielsweise eine Ätztechnik oder eine Abhebetechnik gebildet werden. Die die Vertiefungen zwischen den Trennwänden füllende Füllschicht kann auch unter Verwendung eines Materials gebildet werden, das zweckmäßig aus bekannten anorganischen Materialien und organischen Materialien ausgewählt wird.
In der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist die Konfiguration der Ansteuerschaltung oder dergleichen, die die Lichtemission von den lichtemittierenden Einheiten steuert, nicht auf eine bestimmte Konfiguration beschränkt. Beispielsweise können die lichtemittierenden Einheiten in einer bestimmten Ebene auf dem Substrat ausgebildet sein und können über der Ansteuerschaltung angeordnet sein, die die lichtemittierenden Einheiten beispielsweise über eine isolierende Zwischenschicht ansteuert. Die Konfiguration der Transistoren, die die Ansteuerschaltung bilden, ist nicht auf irgendeine bestimmte beschränkt. Die Transistoren können p-Kanal-Feldeffekttransistoren oder n-Kanal-Feldeffekttransistoren sein.
Das Material, das das Substrat bildet, kann beispielsweise ein Halbleitermaterial, ein Glasmaterial oder ein Kunststoffmaterial sein. In einem Fall, in dem die Ansteuerschaltung auf einem Halbleitersubstrat ausgebildete Transistoren enthält, muss ein Wannenbereich lediglich in einem Halbleitersubstrat, das beispielsweise Silizium enthält, bereitgestellt werden und Transistoren müssen lediglich in der Wanne ausgebildet werden. In einem Fall, in dem die Ansteuerschaltung Dünnfilmtransistoren oder dergleichen enthält, wird andererseits ein dünner Halbleiterfilm auf einem Substrat gebildet, das ein Glasmaterial oder ein Kunststoffmaterial enthält, um die Ansteuerschaltung zu bilden. Verschiedene Arten von Verdrahtungsleitungen können herkömmliche Konfigurationen und Strukturen aufweisen.
Die ersten Elektroden sind auf dem Substrat für die jeweiligen lichtemittierenden Einheiten angeordnet und fungieren als Anodenelektroden der lichtemittierenden Einheiten. Die ersten Elektroden können zum Beispiel ein Metall wie etwa Cr, Au, Pt, Ni, Cu, Mo, W, Ti, Ta, Al, Fe oder Ag oder eine Legierung dieser Metalle oder dergleichen enthalten oder können einen Stapel von mehreren Filmen, die diese Metalle beinhalten, enthalten. In einigen Fällen können die ersten Elektroden als transparente Elektroden mit einem transparenten leitenden Material wie etwa Indiumzinkoxid oder Indiumzinnoxid ausgebildet sein. In einem solchen Fall kann eine lichtreflektierende Schicht, die ein Metall oder eine Legierung enthält, zwischen dem Substrat und den ersten Elektroden bereitgestellt sein.
Die organische Schicht enthält ein organisches lichtemittierendes Material und ist als ein gemeinsam genutzter kontinuierlicher Film auf den ersten Elektroden und den Trennwänden bereitgestellt. Die organische Schicht emittiert Licht, wenn eine Spannung zwischen den ersten Elektroden und der zweiten Elektrode angelegt wird. Die organische Schicht kann eine Struktur beinhalten, in der beispielsweise eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine lichtemittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht in dieser Reihenfolge von der Seite der ersten Elektroden aus nacheinander gestapelt sind. Das Lochtransportmaterial, das Lochtransportmaterial, das Elektronentransportmaterial und das organische lichtemittierende Material, die die organische Schicht bilden, sind nicht auf spezielle Materialien beschränkt, und bekannte Materialien können verwendet werden.
Es sei angemerkt, dass die organische Schicht eine sogenannte Tandemstruktur aufweisen kann, bei der mehrere lichtemittierende Schichten über eine Ladungserzeugungsschicht oder Zwischenelektroden verbunden sind. Beispielsweise ist es möglich, eine lichtemittierende Einheit zu bilden, die weißes Licht emittiert, indem eine lichtemittierende Schicht, die rotes Licht emittiert, eine lichtemittierende Schicht, die grünes Licht emittiert, und eine lichtemittierende Schicht, die blaues Licht emittiert, gestapelt werden.
Die zweite Elektrode ist als gemeinsam genutzter kontinuierlicher Film auf der organischen Schicht bereitgestellt. Die zweite Elektrode kann unter Verwendung eines Materials mit hoher Lichtdurchlässigkeit gebildet werden. Beispielsweise kann die zweite Elektrode unter Verwendung eines transparenten leitenden Materials wie Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid, Aluminiumdotiertem Zinkoxid oder Gallium-dotiertem Zinkoxid gebildet werden. Alternativ dazu kann die zweite Elektrode unter Verwendung eines Metalls, einer Legierung oder dergleichen gebildet und so dünn gemacht werden, dass sie Lichtdurchlässigkeit aufweist.
Die Füllschicht ist auf der zweiten Elektrode ausgebildet und verhindert, dass Feuchtigkeit und Sauerstoff in die organische Schicht eindringen. Die Füllschicht kann unter Verwendung eines Materials mit einer hohen Lichtdurchlässigkeit und einer geringen Wasserdurchlässigkeit gebildet werden. Beispielsweise kann die Füllschicht Siliziumoxid (SiO_x), Aluminiumoxid (AlO_x), ein Harzmaterial wie etwa Epoxidharz und Acrylharz oder eine Kombination dieser Materialien enthalten.
Die Bedingungen, die in jedem Ausdruck in dieser Beschreibung gezeigt sind, sind nicht nur in einem Fall erfüllt, in dem der Ausdruck in strenger mathematischer Hinsicht wahr ist, sondern auch in einem Fall, in dem der Ausdruck im Wesentlichen wahr ist. Damit ein Ausdruck wahr ist, dürfen Variationen beim Entwerfen oder Herstellen von Anzeigeelementen, Anzeigetafeln und dergleichen existieren. Ferner sind die in der folgenden Beschreibung zu verwendenden Zeichnungen schematische Zeichnungen. Beispielsweise zeigt 2, die später beschrieben wird, eine Querschnittsstruktur einer Anzeigevorrichtung, gibt jedoch nicht die Verhältnisse von Breite, Höhe, Dicke und dergleichen an.
[Erste Ausführungsform]
Eine erste Ausführungsform betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine elektronische Einrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung.
1 ist eine schematische Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Eine Anzeigevorrichtung 1 ist eine Aktivmatrix-Farbanzeigevorrichtung und ist eine Anzeigevorrichtung, die ein Bild oder dergleichen durch Steuern der Lichtemission von jeder lichtemittierenden Einheit in mehreren lichtemittierenden Einheiten, die in einer Ebene angeordnet sind, anzeigt. Die mehreren lichtemittierenden Einheiten, die in einer Ebene angeordnet sind, bilden zum Beispiel jeweils ein Subpixel 10 für eine Anzeige in roter Farbe, eine Anzeige in grüner Farbe oder eine Anzeige in blauer Farbe, und drei dieser Subpixel 10 bilden ein Pixel.
Wie in der Zeichnung gezeigt, sind die Subpixel 10 in einer Delta-Anordnung angeordnet. Die Größe eines von gestrichelten Linien umgebenen Pixels beträgt beispielsweise fünf Mikrometer × fünf Mikrometer. Es ist zu beachten, dass in 1 die roten Anzeigesubpixel durch „R“ repräsentiert werden, die grünen Anzeigesubpixel durch „G“ repräsentiert werden und die blauen Anzeigesubpixel durch „B“ repräsentiert werden.
Die planare Form der Subpixel 10 oder der lichtemittierenden Einheiten 150, die in 2 gezeigt sind und später beschrieben werden, ist eine runde Form. Es ist zu beachten, dass die Anordnung der Subpixel 10 nicht notwendigerweise eine Delta-Anordnung ist. Beispielsweise kann die Anordnung der Subpixel 10 eine sogenannte Streifenanordnung sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Konfigurationen der Ansteuerschaltung, die die Lichtemission von den Subpixeln 10 steuert, der Leistungsversorgungsschaltung, die die Subpixel 10 mit Leistung versorgt, oder dergleichen nicht auf spezielle Konfigurationen beschränkt. Daher werden hier Veranschaulichungen und detaillierte Erläuterungen bezüglich dieser Konfigurationen bereitgestellt.
2 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
In der Anzeigevorrichtung 1 sind lichtemittierende Einheiten 150, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode 110, einer organischen Schicht 130 und einer zweiten Elektrode 140 gebildet werden, auf einem Substrat 100 ausgebildet und in einer zweidimensionalen Matrix angeordnet.
Das Substrat 100 ist ein Träger, der mehrere der lichtemittierenden Einheiten 150 trägt, die auf einer Oberfläche davon angeordnet sind. Obwohl nicht gezeigt, enthält das Substrat 100 die Ansteuerschaltung zum Steuern der Lichtemission von den Subpixeln 10 (genauer gesagt der Lichtemission von den lichtemittierenden Einheiten 150), die Leistungsversorgungsschaltung zum Zuführen von Leistung zu den Subpixeln 10, Scanleitungen, Datenleitungen und dergleichen. Das Substrat 100 enthält ein Halbleitermaterial, mit dem es einfach ist, einen Transistor oder dergleichen zu bilden.
Die erste Elektrode 110 enthält beispielsweise eine Aluminium-Kupfer-Legierung (AlCu) und ist beispielsweise für jede lichtemittierende Einheit 150 bereitgestellt. Trennwände 120 sind zwischen benachbarten ersten Elektroden 110 ausgebildet. Wie später ausführlich beschrieben wird, enthält jede Trennwand 120 einen Stapel aus zwei oder mehr Schichten.
Die ersten Elektroden 110 fungieren als Anodenelektroden der lichtemittierenden Einheiten 150. Die Trennwände 120 sind zwischen den benachbarten ersten Elektroden 110 angeordnet und trennen die lichtemittierenden Einheiten 150 voneinander. Wenn die Seitenflächen der ersten Elektroden 110 freigelegt sind, neigt die Dicke der auf der ersten Elektrode 110 auszubildenden organischen Schicht 130 dazu, dünn zu sein, was zu einer anormalen Lichtemission führt. Daher sind die Trennwände 120 so ausgebildet, dass sie die Seitenflächen der ersten Elektroden 110 bedecken. Die Querschnittsform der Trennwände 120 ist eine im Wesentlichen trapezförmige Form (eine sich verjüngende Form) mit geneigten Oberflächen. Die Trennwände 120 werden durch Ausbilden von im Wesentlichen kreisförmigen Öffnungen in der Materialschicht der Trennwände 120 ausgebildet, wobei die Seite der ersten Elektroden 110 die Unterseite ist und die der Unterseite gegenüberliegende Seite offen ist.
Die organische Schicht 130 und die zweite Elektrode 140 sind auf der gesamten Oberfläche gestapelt, einschließlich eines Teils über den ersten Elektroden 110 und eines Teils über den Trennwänden 120. Die lichtemittierenden Einheiten 150 enthalten die organische Schicht 130, die eine Lochtransportschicht, eine lichtemittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und dergleichen enthält und zwischen den ersten Elektroden 110 und der zweiten Elektrode 140 angeordnet ist.
Die organische Schicht 130 weist eine Mehrschichtstruktur auf, ist jedoch in der Zeichnung als eine einzelne Schicht gezeigt. Die organische Schicht 130 weist eine Tandemstruktur auf, in der eine rotes Licht emittierende Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht, eine blaues Licht emittierende Schicht und dergleichen gestapelt sind, und emittiert weißes Licht.
Auf der zweiten Elektrode 140 ist eine Füllschicht 160 ausgebildet, die die Vertiefungen zwischen den Trennwänden 120 füllt. Die Anzeigevorrichtung 1 enthält Farbfilter, die über den lichtemittierenden Einheiten 150 angeordnet sind. Insbesondere sind Farbfilter 170, die den Anzeigefarben entsprechen, auf der Füllschicht 160 angeordnet, und ein transparentes Substrat 180 ist darauf angeordnet. Die Subpixel 10 enthalten die oben beschriebenen Stapelstrukturen.
Es sei angemerkt, dass zum Verbessern des Kontrasts beispielsweise eine lichtblockierende Schicht bereitgestellt sein kann, die eine sogenannte Schwarzmatrix bildet. Die blockierende Schicht kann beispielsweise unter Verwendung eines Materials wie etwa Chrom (Cr) oder Graphit gebildet werden. Die blockierende Schicht kann in der gleichen Schicht wie die Farbfilter 170 ausgebildet sein oder kann in einer anderen Schicht als die Farbfilter 170 ausgebildet sein.
Die Trennwände 120 beinhalten jeweils einen Stapel von zwei oder mehr Schichten, einschließlich eines unteren Schichtabschnitts 121, der sich auf der Seite der lichtemittierenden Einheit 150 befindet, und eines oberen Schichtabschnitts 122, der sich über dem unteren Schichtabschnitt 121 befindet. Der obere Schichtabschnitt 122 enthält ein anorganisches Oxid. Insbesondere enthält der obere Schichtabschnitt 122 Siliziumoxid (SiO_x).
Der untere Schichtabschnitt 121 kann unter Verwendung eines anorganischen Nitrids, eines anorganischen Oxinitrids oder eines Harzmaterials gebildet werden. Der in dieser Beschreibung erläuterte untere Schichtabschnitt 121 enthält Siliziumnitrid (SiN_x).
Was die Brechungsindizes der jeweiligen Komponenten betrifft, so betragen die Brechungsindizes der organischen Schicht 130, der Füllschicht 160 und der unteren Schichtabschnitte 121 der Trennwände 120 beispielsweise etwa 1,8 und der Brechungsindex der oberen Schichtabschnitte 122 der Trennwände 120 beträgt beispielsweise etwa 1,4. Wie später unter Bezugnahme auf 7 ausführlich beschrieben wird, wird zumindest ein Teil des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten 150 eintritt, von den Oberflächen der oberen Schichtabschnitte 122 der Trennwände 120 vollständig reflektiert. Die Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform ist eine Top-Emission-Anzeigevorrichtung, die von den lichtemittierenden Einheiten 150 emittiertes Licht von der Seite der Füllschicht 160 aus extrahiert.
Um das Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu erleichtern, wird hier das Problem einer Anzeigevorrichtung eines Referenzbeispiels mit einer Konfiguration beschrieben, bei der die Trennwände nur mit Siliziumoxid (SiO_x) ausgebildet sind.
3 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Referenzbeispiel. 4 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß dem Referenzbeispiel. 5 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung von Leckpfaden zwischen ersten Elektroden in der Anzeigevorrichtung gemäß dem Referenzbeispiel.
Eine Anzeigevorrichtung 9 des in 3 gezeigten Referenzbeispiels unterscheidet sich von der in 1 gezeigten Anzeigevorrichtung 1 darin, dass sie eine Konfiguration aufweist, bei der die gesamten Trennwände zum Beispiel Siliziumoxid (SiO_x) enthalten. In diesem Fall ist der Brechungsindex der Trennwände 920 zum Beispiel ein konstanter Wert von 1,4, unabhängig davon, ob er der Brechungsindex des oberen Schichtabschnitts oder des unteren Schichtabschnitts ist. Ferner beträgt, wie oben beschrieben, der Brechungsindex der organischen Schicht 130 und der Füllschicht 160 beispielsweise etwa 1,8. Daher wird, wie in 4 gezeigt, von Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten 150 emittiert wird, das Licht, das in die Trennwände 920 jenseits des kritischen Winkels eintritt, von den Oberflächen der Trennwände 920 vollständig reflektiert. Dementsprechend wird die Lichtextraktionseffizienz höher.
Wenn jedoch beispielsweise Siliziumoxid (SiO_x) und eine organische Schicht in Kontakt miteinander ausgebildet werden, werden manchmal Ladungsträger in der organischen Schicht induziert. Daher ist es in einer Konfiguration wie der der Anzeigevorrichtung 9 des Referenzbeispiels denkbar, dass Leckpfade an den Abschnitten gebildet werden, an denen sich die Trennwände 920 in Kontakt mit der organischen Schicht 130 befinden. In 5 sind die Leckpfade (bezeichnet mit LP) durch dicke gestrichelte Linien angegeben. In diesem Fall besteht die Möglichkeit, dass ein unerwarteter Kurzschluss aufgrund eines Leckpfads LP zwischen benachbarten ersten Elektroden 110 auftritt, was zu einer Verringerung der Zuverlässigkeit führt.
Das Problem der Anzeigevorrichtung 9 des Referenzbeispiels ist wie oben beschrieben.
Angesichts des obigen Problems beinhalten in der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform die Trennwände 120 jeweils einen Stapel aus zwei oder mehr Schichten, einschließlich des unteren Schichtabschnitts 121 auf der Seite der lichtemittierenden Einheit 150 und des oberen Schichtabschnitts 122, der sich über dem unteren Schichtabschnitt 121 befindet.
6 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung, dass Leckpfade zwischen den ersten Elektroden in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform voneinander getrennt sind.
Ein Vergleich zwischen einem Fall, in dem Siliziumnitrid (SiN_x)mit einer organischen Schicht in Kontakt steht, und einem Fall, in dem Siliziumoxid (SiO_x) mit einer organischen Schicht in Kontakt steht, zeigt, dass im erstgenannten Fall die Wahrscheinlichkeit geringer ist, dass sich Leckpfade bilden. Daher sind, wie in 6 gezeigt, in der Anzeigevorrichtung 1 die Leckpfade LP hauptsächlich auf die Abschnitte beschränkt, an denen die organische Schicht 130 mit den oberen Schichtabschnitten 122 der Trennwände 120 in Kontakt steht, und somit können die Leckpfade zwischen den ersten Elektroden 110 voneinander getrennt werden.
In einem Fall, in dem die unteren Schichtabschnitte 121 der Trennwände 120 Siliziumnitrid (SiN_x) oder dergleichen enthalten, ist der Brechungsindex der unteren Schichtabschnitte 121 im Wesentlichen ähnlich zu dem Brechungsindex der organischen Schicht 130 und der Füllschicht 160. Daher tritt eine Lichtreflexion an den Trennwänden 120 hauptsächlich an den Oberflächen der oberen Schichtabschnitte 122 auf. 7 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
Je dicker die unteren Schichtabschnitte 121 der Trennwände 120 sind, desto höher ist der Effekt, die Leckpfade voneinander zu trennen. Wenn jedoch die unteren Schichtabschnitte 121 dicker als notwendig gemacht werden, würde die Lichtextraktionseffizienz in Abhängigkeit von der Totalreflexion geringer werden. Daher ist es bevorzugt, die Lichtextraktionseffizienz beim Einstellen der Dicke der unteren Schichtabschnitte 121 der Trennwände 120 zu berücksichtigen.
Bei der ersten Ausführungsform sind die unteren Schichtabschnitte 121 der Trennwände 120 in den Gebieten angeordnet, in denen Licht, das von einer Position mit dem weitesten Abstand von den Trennwänden 120 emittiert wird (dieses Licht wird im Folgenden in manchen Fällen einfach als das am weitesten entfernte Licht bezeichnet) von Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten 150 emittiert wird, nicht vollständig reflektiert wird, wenn alle Trennwände das Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet. Dieser Aspekt wird nachstehend unter Bezugnahme auf eine Zeichnung beschrieben.
8 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Bedingungen für die Totalreflexion an einer Trennwand. In der folgenden Beschreibung wird angenommen, dass alle Trennwände das Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet. Beispielsweise beträgt ein Wert des Brechungsindexes der Trennwände unabhängig vom Ort 1,4. Ferner ist der Brechungsindex der Füllschicht und der organischen Schicht ein Wert von 1,8.
In 8 ist Folgendes definiert.
Symbol L: der Durchmesser (die Breite) der Unterseite einer Trennwandöffnung
Symbol H: die Höhe einer Trennwand, in die das am weitesten entfernte Licht eintritt
Symbol A_ein: der Einfallswinkel (Einheit: Grad) zwischen dem am weitesten entfernten Licht und einer geneigten Oberfläche der Trennwand
Symbol A₁: der Winkel (Einheit: Grad) zwischen der unteren Oberfläche der Trennwandöffnung und der geneigten Oberfläche der Trennwand
Ferner repräsentieren die Symbole A₂ und A₃ Innenwinkel (Einheit: Grad) des in 8 gezeigten Dreiecks.
In diesem Fall $SL = H/tan (A_{1})$
$A_{2} = {tan}^{- 1} (H/ (L + SL))$
Aus der Beziehung der Summe der Außenwinkel eines Dreiecks ergibt sich ferner das Folgende: $A_{2} + A_{3} = A_{1}$
Dann, da A₃ = 90 - A_ein (Gleichung 4), wird Folgendes gemäß (Gleichung 3) und (Gleichung 4) erhalten: $A_{2} = A_{ein} + A_{1} - 90$
Hier, $tan (A_{2}) = H / (L + SL)$
Daher wird Folgendes gemäß (Gleichung 6) und (Gleichung 1) erhalten: $\begin{array}{l} H = (L + SL) \times tan (A_{2}) \\ = (L + H / tan (A_{1})) \times tan (A_{2}) \end{array}$
Wenn (Gleichung 7) ferner in Bezug auf H angeordnet wird, wird Folgendes erhalten: $H = L \times tan (A_{2}) / (1 - tan (A_{2}) / tan (A_{1}))$
Wenn ferner (Gleichung 5) in (Gleichung 8) eingesetzt wird, wird Folgendes erhalten: $\begin{array}{l} H = L \times tan (A_{ein} + A_{1} - 90) / (1 - tan (A_{ein} + A_{1} - \\ 90) / tan (A_{1})) \end{array}$
Der kritische Winkel an der Oberfläche der Trennwand wird hier durch das Symbol A_CA repräsentiert. Wenn die Höhe der Trennwand zu einem Zeitpunkt, zu dem das am weitesten entfernte Licht unter dem kritischen Winkel A_CA in die Oberfläche der Trennwand eintritt, durch das Symbol H_CA repräsentiert wird, wird der Wert der Höhe auf der Grundlage von (Gleichung 9) wie folgt ausgedrückt: $\begin{array}{l} H_{CA} = L \times tan (A_{CA} + A_{1} - 90) / (1 - tan (A_{CA} + A_{1} - \\ 90) / tan (A_{1})) \end{array}$
Eine Totalreflexion von Licht tritt in einem Gebiet auf, in dem der Einfallswinkel gleich oder größer als der kritische Winkel ist.
Daher in einem Gebiet, in dem
H ≥ H_CA,
tritt das am weitesten entfernte Licht in einem Winkel ein, der gleich oder größer als der kritische Winkel ist, und wird vollständig reflektiert.
In einem Gebiet, in dem
H < H_CA,
tritt andererseits das am weitesten entfernte Licht in einem kleineren Winkel als dem kritischen Winkel ein und wird nicht vollständig reflektiert.
Wie oben beschrieben, in einem Gebiet, in dem
H < H_CA,
wird das am weitesten entfernte Licht nicht vollständig reflektiert. Mit anderen Worten, die Gebiete, in denen H < H_CA an den Trennwänden ist, beeinträchtigen nicht die Extraktionseffizienz des am weitesten entfernten Lichts. In Anbetracht des Obigen können die unteren Schichtabschnitte der Trennwände so gestaltet sein, dass sie bei der ersten Ausführungsform in den Gebieten angeordnet sind, in denen H < H_CA ist. 9 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung einer Trennwandstruktur in der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
Da die unteren Schichtabschnitte in den Gebieten angeordnet sind, in denen H < H_CA ist, ist es möglich, eine Abnahme der Lichtextraktionseffizienz aufgrund von Totalreflexion zu verhindern, während die Leckpfade voneinander getrennt werden.
Als Nächstes wird der zweckmäßige Wert von H_CA mit einem numerischen Beispiel beschrieben. Wenn der Brechungsindex der Trennwände 1,4 beträgt und der Brechungsindex der Füllschicht 1,8 beträgt, wird der kritische Winkel A_CA gemäß dem Snelliusschen Gesetz wie folgt berechnet:

A_CA = sin^-1 (1,4/1,8)
≈ 51,3 (Grad) Ferner, wenn
Symbol L = 1000 (Nanometer) und
Symbol A₁ = 71 (Grad)

H_CA

Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
Die 10 bis 17 sind schematische partielle Endansichten zur Erläuterung des Verfahrens zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
[Schritt 100] (siehe Figur 10A)
Zunächst werden die ersten Elektroden 110 auf dem Substrat 100 gebildet. Insbesondere wird das Substrat 100 vorbereitet, und eine Materialschicht, die eine Aluminium-Kupfer-Legierung (AlCu) enthält, wird darauf gebildet. Die Abschnitte, die den ersten Elektroden 110 entsprechen, werden dann mit einer Maske bedeckt, und es wird ein Ätzen durchgeführt, um die ersten Elektroden 110 zu bilden.
[Schritt 110] (siehe Figur 10B)
Danach wird eine Materialschicht zum Ausbilden der Trennwände 120 gebildet. Eine Materialschicht 121, die den unteren Schichtabschnitten der Trennwände 120 entspricht und Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 sowie auf den ersten Elektroden 110 gebildet. Eine Materialschicht 122, die den oberen Schichtabschnitten der Trennwände 120 entspricht und Siliziumoxid (SiO_x) enthält, wird dann auf der Materialschicht 121 gebildet.
[Schritt 120] (siehe Figuren 11, 12, 13 und 14)
Danach werden die Trennwände 120 gebildet. Zunächst wird eine Resistmaterialschicht 190 zum Ausbilden eines Maskenabschnitts auf der gesamten Oberfläche der Materialschicht 122 gebildet (11). Dann wird eine Strukturierung auf der Materialschicht 190 durch eine Lithographietechnik durchgeführt, um einen Maskenabschnitt 190 zum Ausbilden der Trennwände 120 zu bilden (12).
Danach wird ein Ätzen durchgeführt. Zunächst wird ein erster Ätzprozess (durch die Bezugsziffer 200A angegeben) durchgeführt, der für die Materialschicht 122 geeignet ist. Zum Beispiel wird Plasmaätzen in einer Atmosphäre durchgeführt, in der einem Gas auf Fluorkohlenbasis (C_xF_y) ein Sauerstoffgas zugesetzt wird. In einem Fall, in dem Plasmaätzen durchgeführt wird, ist es möglich, das Ende eines Ätzprozesses für die Materialschicht 122 durch Detektieren eines sich ändernden Zustands der Plasmaemission zu detektieren (siehe 13). Ein zweiter Ätzprozess (durch die Bezugsziffer 200B angegeben) wird dann durchgeführt, der für die Materialschicht 121 geeignet ist. Wenn das Ende des Ätzprozesses für die Materialschicht 121 detektiert wird, wird das Ätzen beendet (siehe 14). Gleichzeitig wird der Maskenabschnitt 190 entfernt (nicht gezeigt). Es ist zu beachten, dass in einigen Fällen der erste Ätzprozess und der zweite Ätzprozess unter den gleichen Bedingungen durchgeführt werden können. In diesem Fall ist es nicht erforderlich, das Ende eines der Ätzprozesse zu detektieren.
[Schritt 130] (siehe Figur 15)
Die organische Schicht 130 und die zweite Elektrode 140 werden dann nacheinander auf den ersten Elektroden 110 und den gesamten Oberflächen der Trennwände 120 einschließlich der Wandflächen und der oberen Oberflächen davon gebildet.
[Schritt 140] (siehe Figuren 16 und 17)
Danach wird die Füllschicht 160 gebildet, die die Vertiefungen zwischen den Trennwänden 120 füllt ( 16). Die Farbfilter 170 und das transparente Substrat 180 werden dann angeordnet und somit wird die Anzeigevorrichtung 1 erhalten (17).
Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform ist wie oben beschrieben.
Obwohl die unteren Schichtabschnitte in der obigen Beschreibung Siliziumnitrid (SiN_x) enthalten, ist es auch möglich, die unteren Schichtabschnitte zum Beispiel mit einem Harzmaterial wie etwa Siliziumoxinitrid (SiO_xN_y), Polyimidharz oder Acrylharz zu bilden.
[Zweite Ausführungsform]
Eine zweite Ausführungsform ist eine Modifikation der ersten Ausführungsform. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in der Struktur der oberen Schichten der Trennwände. Mit Ausnahme des obigen Aspekts ist die Konfiguration ähnlich zu der der ersten Ausführungsform.
18 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Bei der zweiten Ausführungsform beinhalten die oberen Schichtabschnitte der Trennwände jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf der Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt. Ferner enthält der zweite obere Schichtabschnitt das gleiche Material wie das Material, das den unteren Schichtabschnitt bildet.
In 18 bilden eine Materialschicht 222 und eine Materialschicht 223 den oberen Schichtabschnitt einer Trennwand 220. Hier enthält die Materialschicht 222 ein Material, das dem der Materialschicht 122 der ersten Ausführungsform ähnlich ist, und die Materialschicht 223 enthält ein Material, das dem der Materialschicht 121 der ersten Ausführungsform ähnlich ist.
In dieser Konfiguration ist es weniger wahrscheinlich, dass Leckpfade zwischen den Materialschichten 223 in den Trennwänden 220 und der organischen Schicht 130 auftreten. Dementsprechend wird der Effekt, die Leckpfade voneinander zu trennen, noch größer.
19 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht zur Erläuterung der Lichtreflexion in der Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform.
Bei der zweiten Ausführungsform tritt Totalreflexion hauptsächlich an den Wandflächen der Materialschichten 222 auf. Falls daher die Materialschichten 223 dicker als nötig gemacht werden, würde die Lichtextraktionseffizienz geringer werden. In Anbetracht des Obigen wird bevorzugt, die Dicke der Materialschichten 223 auf den kleinstmöglichen Wert einzustellen, ohne ein Problem zu verursachen.
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
[Schritt 200] (siehe Figur 20A)
Zunächst werden die ersten Elektroden 110 auf dem Substrat 100 wie in [Schritt 100] bei der ersten Ausführungsform gebildet.
[Schritt 210] (siehe Figur 20B)
Danach wird eine Materialschicht zum Ausbilden der Trennwände 220 gebildet. Eine Materialschicht 121, die den unteren Schichtabschnitten der Trennwände 220 entspricht und Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 sowie auf den ersten Elektroden 110 gebildet. Die Materialschicht 222, die den oberen Schichtabschnitten der Trennwände 220 entspricht und Siliziumoxid (SiO_x) enthält, wird darauf gebildet, und die Materialschicht 223, die Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird zusätzlich gebildet.
Die folgenden Schritte sind grundsätzlich ähnlich zu [Schritt 120] bis [Schritt 140] bei der ersten Ausführungsform. Bei dem Ätzprozess für die oberen Schichtabschnitte der Trennwände wird jedoch bevorzugt, die Ätzbedingungen in Abhängigkeit von der Art der Materialschicht zweckmäßig zu ändern.
[Dritte Ausführungsform]
Eine dritte Ausführungsform ist eine Modifikation der zweiten Ausführungsform. Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform darin, dass die ersten oberen Schichtabschnitte jeweils eine Schicht enthalten, die das gleiche Material enthält wie das Material, das die unteren Schichtabschnitte in der Schicht bildet. Mit Ausnahme des obigen Aspekts ist die Konfiguration ähnlich zu der der ersten Ausführungsform.
21 ist eine schematische partielle Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Bei der dritten Ausführungsform beinhalten die oberen Schichtabschnitte der Trennwände 320 auch jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf der Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt. Ferner enthält der zweite obere Schichtabschnitt das gleiche Material wie das Material, das den unteren Schichtabschnitt bildet. Weiterhin enthält der erste obere Schichtabschnitt eine Schicht, die das gleiche Material enthält wie das Material, das den unteren Schichtabschnitt in der Schicht bildet.
In 21 bilden die Materialschichten 322, 323, 324 und 325 den oberen Schichtabschnitt einer Trennwand 320. Hier enthalten die Materialschichten 322 und 324 ein Material, das dem der Materialschicht 122 der ersten Ausführungsform ähnlich ist, und die Materialschichten 323 und 325 enthalten ein Material, das dem der Materialschicht 121 der ersten Ausführungsform ähnlich ist.
In dieser Konfiguration ist es weniger wahrscheinlich, dass Leckpfade zwischen den Materialschichten 323 in den Trennwänden 320 und der organischen Schicht 130 auftreten. Dementsprechend wird der Effekt, die Leckpfade voneinander zu trennen, noch größer.
Bei der zweiten Ausführungsform tritt Totalreflexion hauptsächlich an den Wandflächen der Materialschichten 322 und 324 auf. Falls daher die Materialschichten 323 und 325 dicker als nötig gemacht werden, würde die Lichtextraktionseffizienz geringer werden. In Anbetracht des Obigen wird bevorzugt, die Dicken der Materialschichten 323 und 325 auf die kleinstmöglichen Werte einzustellen, ohne ein Problem zu verursachen.
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung 3 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
[Schritt 300] (siehe Figur 22A)
Zunächst werden die ersten Elektroden 110 auf dem Substrat 100 wie in [Schritt 100] bei der ersten Ausführungsform gebildet.
[Schritt 310] (siehe Figur 22B)
Danach wird eine Materialschicht zum Ausbilden der Trennwände 320 gebildet. Eine Materialschicht 121, die den unteren Schichtabschnitten der Trennwände 320 entspricht und Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 sowie auf den ersten Elektroden 110 gebildet. Die Materialschicht 322, die den oberen Schichtabschnitten der Trennwände 320 entspricht und Siliziumoxid (SiO_x) enthält, wird dann darauf gebildet, die Materialschicht 323, die Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird zusätzlich gebildet, die Materialschicht 324, die (SiO_x) enthält, wird gebildet und die Materialschicht 235, die Siliziumnitrid (SiN_x) enthält, wird zusätzlich gebildet.
Die folgenden Schritte sind grundsätzlich ähnlich zu [Schritt 120] bis [Schritt 140] bei der ersten Ausführungsform. Bei dem Ätzprozess für die oberen Schichtabschnitte der Trennwände wird jedoch bevorzugt, die Ätzbedingungen in Abhängigkeit von der Art der Materialschicht zweckmäßig zu ändern.
[Elektronische Einrichtungen]
Die oben beschriebenen Anzeigevorrichtungen der vorliegenden Offenbarung können als Anzeigeeinheiten (Anzeigevorrichtungen) in elektronischen Einrichtungen in verschiedenen Bereichen verwendet werden, in denen in elektronische Einrichtungen eingegebene Videosignale oder in elektronischen Einrichtungen erzeugte Videosignale als Bilder oder Videobilder angezeigt werden. In einem Beispiel kann eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zum Beispiel als eine Anzeigeeinheit eines Fernsehgeräts, einer digitalen Standbildkamera, eines Notebook-PCs, eines mobilen Endgeräts wie etwa eines Mobiltelefons, einer Videokamera, einer am Kopf angebrachten Anzeige (einer Anzeige, die am Kopf festgemacht werden soll) oder dergleichen verwendet werden.
Eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung kann ein Modultyp mit einer abgedichteten Konfiguration sein. In einem Beispiel ist eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigemodul, das durch Anbringen eines zugewandten Abschnitts, wie etwa transparentem Glas, an der Pixelarrayeinheit gebildet wird. Es sei angemerkt, dass das Anzeigemodul mit einer Schaltungseinheit zum Eingeben/Ausgeben von Signalen von außen zu der Pixelarrayeinheit, einer flexiblen Leiterplatte (FPC) und dergleichen ausgestattet sein kann. In der folgenden Beschreibung werden eine digitale Standbildkamera und am Kopf angebrachte Anzeigen als spezifische Beispiele für elektronische Einrichtungen, die eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung verwenden, erläutert. Die hier beschriebenen spezifischen Beispiele sind jedoch nur ein Beispiel und nicht darauf beschränkt.
(Spezifisches Beispiel 1)
23 ist eine Außenansicht einer digitalen Spiegelreflexkamera mit einem Wechselobjektiv. 23A zeigt eine Vorderansicht der digitalen Standbildkamera, und 23B zeigt eine Rückansicht der digitalen Standbildkamera. Die digitale Spiegelreflexkamera mit einem Wechselobjektiv beinhaltet eine austauschbare Abbildungslinseneinheit (ein Wechselobjektiv) 412 auf der rechten Vorderseite einer Kamerahaupteinheit (Kameragehäuse) 411 und einen Griffabschnitt 413, damit die bildaufnehmende Person zum Beispiel die rechte Vorderseite greifen kann.
Ferner ist ein Monitor 414 fast in der Mitte der Rückseite der Kamerahaupteinheit 411 bereitgestellt. Über dem Monitor 414 ist ein Sucher (Okularfenster) 415 bereitgestellt. Durch das Schauen durch den Sucher 415 kann die bildaufnehmende Person ein optisches Bild des von der Abbildungslinseneinheit 412 geführten Objekts visuell erkennen und die Zusammensetzung bestimmen.
In der digitalen Spiegelreflexkamera mit einem Wechselobjektiv und der obigen Konfiguration kann eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als der Sucher 415 verwendet werden. Das heißt, die digitale Spiegelreflexkamera mit einem Wechselobjektiv gemäß diesem Beispiel wird unter Verwendung einer Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als der Sucher 415 hergestellt.
(Spezifisches Beispiel 2)
24 ist eine Außenansicht einer am Kopf angebrachten Anzeige (Head-Mounted Display). Die am Kopf angebrachte Anzeige beinhaltet Ohrhakenabschnitte 512 auf beiden Seiten einer Anzeigeeinheit 511, beispielsweise in Form einer Brille, und die Ohrhakenabschnitte 512 sind so ausgelegt, dass der Benutzer die am Kopf angebrachte Anzeige am Kopf anbringen kann. Bei dieser am Kopf angebrachten Anzeige kann eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 511 verwendet werden. Das heißt, die am Kopf angebrachte Anzeige gemäß diesem Beispiel wird unter Verwendung einer Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 511 hergestellt.
(Spezifisches Beispiel 3)
25 ist eine Außenansicht einer am Kopf angebrachten See-Through-Anzeige. Eine am Kopf angebrachte See-Through-Anzeige 611 beinhaltet eine Haupteinheit 612, einen Arm 613 und einen Linsentubus 614.
Die Haupteinheit 612 ist mit dem Arm 613 und der Brille 600 verbunden. Insbesondere ist das Ende der Haupteinheit 612 in der Richtung der langen Seite mit dem Arm 613 verbunden, und eine der Seitenflächen der Haupteinheit 612 ist über ein Verbindungsglied mit der Brille 600 verbunden. Es sei angemerkt, dass die Haupteinheit 612 direkt an dem Kopf einer Person angebracht sein kann.
Die Haupteinheit 612 enthält eine Steuerplatine zum Steuern des Betriebs der am Kopf angebrachten See-Through-Anzeige 611 und eine Anzeigeeinheit. Der Arm 613 verbindet die Haupteinheit 612 und den Linsentubus 614 und stützt den Linsentubus 614. Insbesondere ist der Arm 613 mit einem Ende der Haupteinheit 612 und einem Ende des Linsentubus 614 verbunden, um den Linsentubus 614 zu sichern. Ferner enthält der Arm 613 eine Signalleitung zum Übertragen von Daten, die sich auf ein Bild beziehen, das von der Haupteinheit 612 zu dem Linsentubus 614 geliefert wird.
Der Linsentubus 614 projiziert durch ein Okular Bildlicht, das von der Haupteinheit 612 bereitgestellt wird, über den Arm 613 durch das Okular zu einem Auge des Benutzers, der die am Kopf angebrachte See-Through-Anzeige 611 trägt. In dieser am Kopf angebrachten See-Through-Anzeige 611 kann eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit der Haupteinheit 612 verwendet werden.
[Andere Aspekte]
Es ist zu beachten, dass die vorliegende Offenbarung auch die nachstehend beschriebenen Konfigurationen aufweisen kann.

[A1] Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat gebildet und angeordnet sind, wobei
- die erste Elektrode für jede lichtemittierende Einheit bereitgestellt ist,
- Trennwände zwischen benachbarten ersten Elektroden ausgebildet sind,
- die organische Schicht und die zweite Elektrode auf einer gesamten Oberfläche gestapelt sind, einschließlich eines Teils über den ersten Elektroden und eines Teils über den Trennwänden,
- eine Füllschicht, die Vertiefungen zwischen den Trennwänden füllt, auf der zweiten Elektrode ausgebildet ist,
- die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf einer Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, beinhalten und
- zumindest ein Teil des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten eintritt, an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.
[A2] Die Anzeigevorrichtung nach [A1], wobei
- die unteren Schichtabschnitte der Trennwände in Gebieten angeordnet sind, in denen Licht, das von einer Position in größtem Abstand von den Trennwänden emittiert wird, in Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert wird, nicht vollständig reflektiert wird, wenn alle Trennwände ein Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet.
[A3] Die Anzeigevorrichtung nach [A1] oder [A2], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxid enthalten.
[A4] Die Anzeigevorrichtung nach [A3], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxid enthalten.
[A5] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A1] bis [A4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Nitrid enthalten.
[A6] Die Anzeigevorrichtung nach [A5], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumnitrid enthalten.
[A7] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A1] bis [A4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxinitrid enthalten.
[A8] Die Anzeigevorrichtung nach [A7], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxinitrid enthalten.
[A9] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A1] bis [A4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Harzmaterial enthalten.
[A10] Die Anzeigevorrichtung nach [A9], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände Polyimidharz oder Acrylharz enthalten.
[A11] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A1] bis [A10], die ferner Folgendes beinhaltet: Farbfilter, die über den lichtemittierenden Einheiten angeordnet sind.
[A12] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A1] bis [A11], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf einer Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt enthalten, und der zweite obere Schichtabschnitt das gleiche Material enthält wie ein Material, das die unteren Schichtabschnitte bildet.
[A13] Die Anzeigevorrichtung nach [A12], wobei die ersten oberen Schichtabschnitte jeweils eine Schicht enthalten, die das gleiche Material enthält wie das Material, das den unteren Schichtabschnitt in der Schicht bildet.

[B1] Eine elektronische Einrichtung einschließlich einer Anzeigevorrichtung, wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet:
- lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat gebildet und angeordnet sind,
- Trennwände zwischen benachbarten der lichtemittierenden Einheiten ausgebildet sind,
- eine Schutzschicht einen Zwischenraum zwischen den Trennwänden füllt,
- die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf einer Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, enthalten, und der untere Schichtabschnitt ein Material enthält, das einen höheren Brechungsindex aufweist als ein Material, das den oberen Schichtabschnitt bildet, und
- zumindest ein Teil des Lichts von den lichtemittierenden Einheiten an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.
[B2] Die elektronische Einrichtung nach [B1], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände in Gebieten angeordnet sind, in denen Licht, das von einer Position in größtem Abstand von den Trennwänden emittiert wird, in Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert wird, nicht vollständig reflektiert wird, wenn alle Trennwände das Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet.
[B3] Die elektronische Einrichtung nach [B1] oder [B2], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxid enthalten.
[B4] Die elektronische Einrichtung nach [B3], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxid enthalten.
[B5] Die elektronische Einrichtung nach einem von [B1] bis [B4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Nitrid enthalten.
[B6] Die elektronische Einrichtung nach [B5], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumnitrid enthalten.
[B7] Die elektronische Einrichtung nach einem von [B1] bis [B4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxinitrid enthalten.
[B8] Die elektronische Einrichtung nach [B7], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxinitrid enthalten.
[B9] Die elektronische Einrichtung nach einem von [B1] bis [B4], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Harzmaterial enthalten.
[B10] Die elektronische Einrichtung nach [B9], wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände Polyimidharz oder Acrylharz enthalten.
[B11] Die elektronische Einrichtung nach einem von [B1] bis [B10], die ferner Folgendes beinhaltet:
- Farbfilter, die über den lichtemittierenden Einheiten angeordnet sind.
[B12] Die elektronische Einrichtung nach einem von [B1] bis [B11], wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf einer Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt enthalten, und der zweite obere Schichtabschnitt das gleiche Material enthält wie das Material, das die unteren Schichtabschnitte bildet.
[B13] Die elektronische Einrichtung nach [B12], wobei die ersten oberen Schichtabschnitte jeweils eine Schicht enthalten, die das gleiche Material enthält wie ein Material, das den unteren Schichtabschnitt in der Schicht bildet.

Bezugszeichenliste

1, 2, 3, 9: Anzeigevorrichtung
10: Subpixel
100: Substrat
110: Erste Elektrode
120, 220, 320, 920: Trennwand
121: Unterer Schichtabschnitt (Materialschicht)
122: Oberer Schichtabschnitt (Materialschicht)
222, 223, 322, 323, 324, 325: Materialschicht
130: Organische Schicht
140: Zweite Elektrode
150: Lichtemittierende Einheit
160: Füllschicht
170: Farbfilter
180: Transparentes Substrat
190: Maskenabschnitt (die Materialschicht, die den Maskenabschnitt bildet)
200A: Erster Ätzprozess
200B: Zweiter Ätzprozess
411: Kamerahaupteinheit
412: Abbildungslinseneinheit
413: Griffabschnitt
414: Monitor
415: Sucher
511: Brillenförmige Anzeigeeinheit
512: Ohrhakenabschnitt
600: Brille
611: Am Kopf angebrachte See-Through-Anzeige
612: Haupteinheit
613: Arm
614: Linsentubus
R: Rotes Anzeigepixel
G: Grünes Anzeigepixel
B: Blaues Anzeigepixel

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2007248484 [0003]
JP 2013191533 [0003]

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat ausgebildet und angeordnet sind, wobei die erste Elektrode für jede lichtemittierende Einheit bereitgestellt ist, Trennwände zwischen benachbarten der ersten Elektroden ausgebildet sind, die organische Schicht und die zweite Elektrode auf einer gesamten Oberfläche gestapelt sind, einschließlich eines Teils über den ersten Elektroden und eines Teils über den Trennwänden, eine Füllschicht, die Vertiefungen zwischen den Trennwänden füllt, auf der zweiten Elektrode ausgebildet ist, die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf einer Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, beinhalten und zumindest ein Teil des Lichts, das von den lichtemittierenden Einheiten eintritt, an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände in Gebieten angeordnet sind, in denen Licht, das von einer Position in einem größten Abstand von den Trennwänden emittiert wird, in Licht, das von den lichtemittierenden Einheiten emittiert wird, nicht vollständig reflektiert wird, wenn alle Trennwände ein Material enthalten, das die oberen Schichtabschnitte bildet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Nitrid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumnitrid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein anorganisches Oxinitrid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Siliziumoxinitrid enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände ein Harzmaterial enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die unteren Schichtabschnitte der Trennwände Polyimidharz oder Acrylharz enthalten.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner Folgendes umfasst: Farbfilter, die über den lichtemittierenden Einheiten angeordnet sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die oberen Schichtabschnitte der Trennwände jeweils einen ersten oberen Schichtabschnitt auf einer Seite des unteren Schichtabschnitts und einen zweiten oberen Schichtabschnitt über dem ersten oberen Schichtabschnitt enthalten, und der zweite obere Schichtabschnitt das gleiche Material enthält wie ein Material, das die unteren Schichtabschnitte bildet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die ersten oberen Schichtabschnitte jeweils eine Schicht enthalten, die das gleiche Material enthält wie das Material, das den unteren Schichtabschnitt in der Schicht bildet.
Elektronische Einrichtung, die eine Anzeigevorrichtung umfasst, wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet: lichtemittierende Einheiten, die jeweils durch Stapeln einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode gebildet werden, wobei die lichtemittierenden Einheiten in einer zweidimensionalen Matrix auf einem Substrat gebildet und angeordnet sind, Trennwände zwischen benachbarten der lichtemittierenden Einheiten ausgebildet sind, eine Schutzschicht einen Zwischenraum zwischen den Trennwänden füllt, die Trennwände Stapel enthalten, die jeweils mindestens zwei Schichten einschließlich eines unteren Schichtabschnitts auf einer Seite der lichtemittierenden Einheit und eines oberen Schichtabschnitts, der sich über dem unteren Schichtabschnitt befindet, enthalten, und der untere Schichtabschnitt ein Material enthält, das einen höheren Brechungsindex aufweist als ein Material, das den oberen Schichtabschnitt bildet, und zumindest ein Teil des Lichts von den lichtemittierenden Einheiten an Oberflächen der oberen Schichtabschnitte der Trennwände vollständig reflektiert wird.