DE102019134084A1 - Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch im Anzeigebereich - Google Patents

Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch im Anzeigebereich Download PDF

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Abstract

Eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die ein Durchgangsloch in einem Anzeigebereich umfasst, wird erörtert. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Substrat, das einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich, der in der Nähe des Anzeigebereichs angeordnet ist, aufweist; eine Leuchtdiode in dem Anzeigebereich; eine Einkapselungsschicht auf der Leuchtdiode; ein Durchgangsloch, das innerhalb des Anzeigebereichs angeordnet ist, um das Substrat zu durchdringen; einen inneren Damm, der das Durchgangsloch umgibt; einen Graben, der zwischen dem inneren Damm und dem Durchgangsloch angeordnet ist; und einen Ätzstopper, der zwischen dem Graben und dem Durchgangsloch auf einer Isolierschicht angeordnet ist.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0173299 , die am 31. Dezember 2018 eingereicht wurde.
  • Hintergrund
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch in einem Anzeigebereich und insbesondere auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die mit einer Vorrichtung wie etwa einem Kameraloch zum Empfangen von Licht durch Durchlaufen eines Substrats oder mit einem Durchgangsloch, in das eine durch ein Substrat verlaufende, zusätzliche Vorrichtung eingeführt werden kann und das in einem Anzeigebereich angeordnet ist, versehen ist.
  • Erörterung des Standes der Technik
  • Unter Anzeigevorrichtungen ist eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung eine selbstleuchtende Vorrichtung und hat den Vorteil, dass ein Betrachtungswinkel und ein Kontrastverhältnis besser sind als die anderer Anzeigevorrichtungen. Da die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung keine separate Hintergrundbeleuchtung benötigt, besteht ferner der Vorteil, dass die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung dünn und leicht gemacht werden kann und einen geringen Energieverbrauch aufweist. Darüber hinaus hat eine organische Leuchtanzeigevorrichtung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung insofern Vorteile, als sie mit einer niedrigen Gleichspannung betrieben werden kann, eine schnelle Ansprechgeschwindigkeit hat und niedrige Herstellungskosten aufweist.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung umfasst mehrere Elektrolumineszenzdioden. Die Elektrolumineszenzdiode umfasst eine Anodenelektrode, eine auf der Anodenelektrode ausgebildete Leuchtschicht und eine auf der Leuchtschicht ausgebildete Kathodenelektrode. Wenn eine Hochpotentialspannung an die Anodenelektrode angelegt wird und eine Niederpotentialspannung an die Kathodenelektrode angelegt wird, bewegen sich Löcher in der Anodenelektrode und Elektronen in der Kathodenelektrode jeweils zu der Leuchtschicht. Wenn Löcher und Elektronen in der Leuchtschicht miteinander kombiniert werden, wird während eines Anregungsprozesses ein Exziton gebildet und aufgrund der Energie des Exzitons Licht erzeugt. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung zeigt ein Bild an, indem sie die Lichtmenge, die von den Leuchtschichten der mehreren durch Bänke unterteilten Elektrolumineszenzdioden erzeugt wird, elektrisch steuert.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung wird aufgrund ihres ultradünnen Profils und ihrer ausgezeichneten Flexibilität für verschiedene Produkte in verschiedenen Bereichen eingesetzt. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung hat jedoch den Nachteil, dass sie gegenüber Wasser und Sauerstoff anfällig ist. Aus diesem Grund ist ein Verfahren zum Abschirmen gegen das Eindringen von Wasser und Sauerstoff in die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung wichtig, damit die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung auf verschiedene Bereiche angewendet werden kann und als verschiedene Arten von Anzeigevorrichtungen entwickelt werden kann. Insbesondere dann, wenn sich ein Durchgangsloch innerhalb eines Anzeigebereichs befindet, ist die Entwicklung einer Struktur wichtig, die vor dem Eindringen von Wasser und Sauerstoff in den Umfang des Durchgangslochs schützen kann.
  • Zusammenfassung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung zu schaffen, die eine Fläche eines Anzeigebereichs maximal macht, in der eine zusätzliche Vorrichtung wie beispielsweise ein Kameraloch zum Empfangen von Licht durch Durchlaufen eines Substrats oder ein Durchgangsloch zum Bereitstellen von Komponenten durch Erstreckung durch ein Substrat in dem Anzeigebereich zum Anzeigen eines Bildes angeordnet ist. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einer Struktur zu schaffen, die das Eindringen von Wasser in eine Leuchtdiode eines Anzeigeelements vermeiden kann, die in der Nähe eines Durchgangslochs angeordnet ist, obwohl das Durchgangsloch in einem Anzeigebereich bereitgestellt ist.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Um die obigen Aufgaben zu lösen, umfasst eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat, das einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich, der in der Nähe des Anzeigebereichs angeordnet ist, aufweist; eine Leuchtdiode in dem Anzeigebereich; eine Einkapselungsschicht auf der Leuchtdiode; ein Durchgangsloch, das innerhalb des Anzeigebereichs so angeordnet ist, dass es das Substrat durchdringt; einen inneren Damm, der das Durchgangsloch umgibt; einen Graben, der zwischen dem inneren Damm und dem Durchgangsloch angeordnet ist; und einen Ätzstopper, der zwischen dem Graben und dem Durchgangsloch angeordnet ist.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung kann ferner eine Isolierschicht umfassen, auf der der Ätzstopper angeordnet ist.
  • Beispielsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner die Isolierschicht umfassen, die auf dem Anzeigebereich angeordnet ist und mit Ausnahme des Durchgangslochs unter dem inneren Damm und dem Graben verläuft.
  • Beispielsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner einen oberen Passivierungsfilm umfassen, der auf dem Anzeigebereich angeordnet ist. Der obere Passivierungsfilm kann den inneren Damm, den Graben und eine obere Oberfläche des Ätzstoppers bedecken.
  • Beispielsweise kann der Anzeigebereich Pixel umfassen, die die Leuchtdiode zum Ausdrücken von Bildinformationen und ein Ansteuerelement zum Ansteuern der Leuchtdiode umfassen. Die Pixel können in einer Matrixanordnung angeordnet sein. Das Durchgangsloch kann ein Bereich sein, in dem das Substrat, die Leuchtdiode und das Ansteuerelement nicht bereitgestellt sind.
  • Zum Beispiel kann der Graben einen ausgesparten Abschnitt aufweisen, der ausgespart ist, um eine obere Oberfläche des Substrats zwischen dem Durchgangsloch und dem inneren Damm zu erreichen.
  • Beispielsweise kann der Graben eine untere Oberfläche, eine obere Oberfläche und eine Seitenwand umfassen. Die untere Oberfläche kann durch die obere Oberfläche des Substrats definiert sein, die durch den ausgesparten Abschnitt des Grabens freigelegt ist. Die obere Oberfläche des Grabens kann auf der obersten Schicht nahe dem ausgesparten Abschnitt des Grabens definiert sein. Die Seitenwand des Grabens kann die untere Oberfläche des Grabens mit der obere Oberfläche des Grabens verbinden. Eine Blind-Leuchtschicht der Leuchtdiode kann auf der unteren Oberfläche des Grabens angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann eine Leuchtschicht auf der oberen Oberfläche des Grabens angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann eine gemeinsame Blind-Elektrode auf der Blind-Leuchtschicht angeordnet sein und mit der Seitenwand des Grabens in Kontakt kommen.
  • Beispielsweise kann die Seitenwand des Grabens aufgrund eines Unterschieds in der Ätzrate von Dünnfilmschichten, die an der Seitenwand des Grabens freigelegt sind, eine Sägezahnform aufweisen.
  • Beispielsweise kann die Isolierschicht einen ersten Isolierfilm und einen zweiten Isolierfilm umfassen. Ein Intervall zwischen der durch den ersten Isolierfilm definierten Seitenwand kann größer sein als ein Intervall zwischen der durch den zweiten Isolierfilm definierten Seitenwand.
  • Beispielsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine Dünnfilmschicht umfassen, die den inneren Damm und den Graben in dem Anzeigebereich bedeckt.
  • Beispielsweise kann die Einkapselungsschicht eine erste anorganische Einkapselungsschicht, eine zweite anorganische Einkapselungsschicht und eine organische Einkapselungsschicht, die zwischen der ersten und der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht angeordnet ist, umfassen.
  • Beispielsweise kann die Dünnfilmschicht die erste anorganische Einkapselungsschicht und die zweite anorganische Einkapselungsschicht umfassen.
  • Beispielsweise kann die Dünnfilmschicht ferner eine Leuchtschicht der Leuchtdiode umfassen.
  • Beispielsweise kann ein Ende der Isolierschicht zwischen einem Ende der Dünnfilmschicht und einem Ende des Durchgangslochs angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann das Ende der Isolierschicht näher an dem Durchgangsloch angeordnet sein als ein Ende des Ätzstoppers. Das Ende des Ätzstoppers kann näher an dem Durchgangsloch angeordnet sein als ein Ende der ersten anorganischen Einkapselungsschicht.
  • Beispielsweise kann der obere Passivierungsfilm eine Seitenfläche des Ätzstoppers neben dem Durchgangsloch bedecken. Der obere Passivierungsfilm kann ferner einen Teil der oberen Oberfläche des Ätzstoppers bedecken.
  • Beispielsweise kann der obere Passivierungsfilm abgestufte Abschnitte bedecken, die durch die Dünnfilmschicht, den Ätzstopper und die Isolierschicht gebildet werden.
  • Beispielsweise kann der obere Passivierungsfilm bis zu einem Ende des Durchgangslochs reichen.
  • Beispielsweise kann die Leuchtschicht einen Teil des Ätzstoppers in dem Anzeigebereich bedecken und am Graben abgetrennt sein. Die erste anorganische Einkapselungsschicht und die zweite anorganische Einkapselungsschicht können einen Teil des Ätzstoppers in dem Anzeigebereich bedecken. Der obere Passivierungsfilm kann die zweite anorganische Einkapselungsschicht, die erste anorganische Einkapselungsschicht, eine gemeinsame Elektrode, die Leuchtschicht und/oder den Ätzstopper bedecken.
  • Beispielsweise kann die Dünnfilmschicht einen Teil der oberen Oberfläche des Ätzstoppers bedecken.
  • Beispielsweise kann eine Berührungselektrode auf dem oberen Passivierungsfilm angeordnet sein. Die Berührungselektrode und der Berührungspufferfilm, die in einem Berührungssensor enthalten sind, können auf der Einkapselungsschicht angeordnet sein. Die Berührungselektrode kann auf dem Berührungspufferfilm in Kontakt mit der Einkapselungsschicht angeordnet sein. Alternativ kann die Berührungselektrode ohne den Berührungspufferfilm auf der Einkapselungsschicht angeordnet sein. Die Berührungselektrode kann ohne den Berührungspufferfilm auf der Einkapselungsschicht angeordnet sein. In diesem Fall werden der Berührungspufferfilm und die Berührungselektrode aufeinanderfolgend auf der Einkapselungsschicht ausgebildet. Und dann kann eine organische Deckschicht auf der Berührungselektrode angeordnet werden.
  • Beispielsweise kann der Ätzstopper aus organischen Materialien bestehen. Zusätzlich können ein dielektrischer Berührungsfilm und/oder der Berührungspufferfilm, die in dem Gegenkapazitätsberührungssensor mit der ersten und zweiten Berührungselektrode enthalten sind, so ausgebildet sein, dass sie sich zu mindestens einem des inneren Damms erstrecken.
  • Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist, da das Durchgangsloch in dem Anzeigebereich bereitgestellt ist, ein Flächenanteil, das von der Nichtanzeigefläche eingenommen wird, minimiert und ein Flächenanteil der Anzeigefläche maximal macht. Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist, da der Graben in der Nähe des Durchgangslochs bereitgestellt ist, die Durchgängigkeit der Leuchtschicht teilweise unterbrochen, wodurch verhindert wird, dass Wasser in die Leuchtdiode eindringt. Zudem ist ein oberer Passivierungsfilm bereitgestellt, der einen Abschnitt von Dünnfilmen bedeckt, die in einem Abschnitt des Durchgangslochs geätzt sind, wodurch verhindert wird, dass Wasser oder Sauerstoff in einen Pixelbereich eindringen. Darüber hinaus sind freiliegende Abschnitte der Dünnfilme, die in dem Abschnitt des Durchgangslochs abgeschieden sind, nicht auf derselben vertikalen Oberfläche angeordnet, sondern auf mehreren vertikalen Oberflächen, die um einen bestimmten Abstand voneinander beabstandet sind, wodurch eine Struktur zum Verbessern eines Einkapselungsleistung und einer Haftleistung des oberen Passivierungsfilms bereitgestellt wird. Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist die Anwendbarkeit der Anzeigevorrichtung hoch und die Anzeigevorrichtung kann auf verschiedene Produkte angewendet werden, da im Anzeigebereich ein Loch bereitgestellt ist, das durch die Anzeigetafel verläuft. Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung werden das Eindringen und Diffundieren von externem Wasser und Teilchen in das Anzeigeelement verhindert, obwohl das durch die Anzeigeplatte verlaufende Loch in dem Anzeigebereich ausgebildet ist, wodurch der Stabilität und Haltbarkeit des Produkts sichergestellt werden können.
  • Zusätzlich zu den Wirkungen der vorliegenden Offenbarung, wie sie oben erwähnt sind, werden zusätzliche Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Offenbarung für Fachleute aus der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung klar ersichtlich.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein besseres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen, in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Implementierungen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien von Ausführungsformen der Offenbarung zu erläutern.
    • 1 ist eine ebene Ansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch in einem Anzeigebereich gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 2 ist eine vergrößerte eben Ansicht, die eine Struktur eines Durchgangslochs darstellt, das in einem Anzeigebereich in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts darstellt, in dem ein Durchgangsloch in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 1, die eine Struktur eines Grenzabschnitts eines Anzeigebereichs und eines Nichtanzeigebereichs in der Elektroluminenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die speziell einen Grabenabschnitt in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts darstellt, in dem ein Durchgangsloch in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist; und
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts zeigt, in dem ein Durchgangsloch in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist.
  • Genaue Beschreibung der Offenbarung
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und Implementierungsverfahren davon werden durch die folgenden Ausführungsformen verdeutlicht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben wurden. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt sein und sollte nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen bereitgestellt, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und Fachleuten den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig vermittelt. Ferner ist die vorliegende Offenbarung nur durch Schutzumfänge von Ansprüchen definiert.
  • Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel und Zahlen, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich Beispiele und daher ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die dargestellten Einzelheiten beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich in der gesamten Beschreibung auf gleiche Elemente. Wenn festgestellt wird, dass die detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration den essentiellen Punkt der vorliegenden Offenbarung in der folgenden Beschreibung unnötig verunklart, wird die detaillierte Beschreibung weggelassen.
  • In einem Fall, in dem „umfassen“, „haben“ und „aufweisen“, die in der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind, verwendet werden, kann ein weiterer Teil hinzugefügt werden, sofern nicht „nur“ verwendet wird. Begriffe in Singularform können Pluralformen umfassen, sofern nichts anderes angegeben ist.
  • Beim Auslegen eines Elements wird das Element so ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich umfasst, obwohl es keine explizite Beschreibung gibt.
  • Wenn beim Beschreiben einer Positionsbeziehung beispielsweise die Positionsbeziehung als „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Abschnitte zwischen zwei anderen Abschnitten angeordnet sein, es sei denn, „nur“ oder „direkt“ wird verwendet.
  • Wenn eine Positionsbeziehung wie „auf“, „oben“, „unter“, „unten“ oder dergleichen verwendet wird, insbesondere wenn die gegenseitige Positionsbeziehung eines ersten Elements in Bezug auf ein zweites Element beschrieben wird, ist ein solcher Ausdruck nicht so zu verstehen, dass er sich auf eine absolute Orientierung dieses ersten und zweiten Elements im Raum beschränkt, sondern nur relative Orientierungen des ersten und zweiten Elements zueinander beschreibt.
  • Wenn beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung beispielsweise die zeitliche Reihenfolge als „nach“, „anschließend“, „als Nächstes“ und „vor“ beschrieben wird, kann ein Fall sein, der nicht durchgehend ist, enthalten sein, sofern nicht „nur“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ usw. hierin verwendet sein können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als zweites Element bezeichnet werden und ebenso könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
  • Der Begriff „mindestens eine/r/s“ sollte so verstanden werden, dass er alle Kombinationen eines oder mehrerer der zugehörigen aufgelisteten Elemente umfasst. Beispielsweise bezeichnet die Bedeutung von „mindestens eines von einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ die Kombinationen aller vorgeschlagenen Elemente aus zwei oder mehr des ersten Elements, des zweiten Elements und des dritten Elements sowie das erste Element, das zweite Element oder das dritte Element.
  • Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder miteinander kombiniert werden und können auf verschiedene Weise miteinander interagieren und technisch angesteuert werden, wie Fachleute ausreichend verstehen können. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt sein oder können in einer voneinander abhängigen Beziehung zusammen ausgeführt sein.
  • Nachfolgend ist ein Beispiel einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben. Wo immer möglich, werden in allen Zeichnungen dieselben Bezugszeichen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile zu verweisen.
  • Nachfolgend ist eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben. 1 ist eine ebene Ansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch in einem Anzeigebereich gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. Alle Komponenten der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß allen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind betriebstechnisch gekoppelt und konfiguriert.
  • Unter Bezugnahme auf 1 umfasst die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, ein Pixel P, eine gemeinsame Leistungsleitung CPL, einen äußeren Damm DMO, Ansteuerabschnitte PP 200 und 300 und ein Durchgangsloch TH.
  • Das Substrat SUB ist ein Basissubstrat (oder eine Basisschicht) und enthält ein Kunststoffmaterial oder ein Glasmaterial. In Anbetracht der Eigenschaften einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt, dass das Substrat SUB transparent ist. Wie dies beispielsweise im Fall einer Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach oben der Fall sein kann, kann jedoch ein intransparentes Material als Substrat SUB verwendet werden.
  • Das Substrat SUB gemäß einem Beispiel kann eine rechteckige Form in einer Ebene, eine abgerundete rechteckige Form, deren Eckabschnitte mit einem bestimmten Krümmungsradius abgerundet sind, oder eine nichtrechteckige Form mit mindestens sechs Seiten aufweisen. In diesem Fall kann das Substrat SUB mit einer nichtrechteckigen Form mindestens einen Vorsprung oder mindestens einen Kerbabschnitt aufweisen.
  • Das Substrat SUB gemäß einem Beispiel kann in einen Anzeigebereich AA und einen Nichtanzeigebereich eingeteilt sein. Der Anzeigebereich AA ist am Großteil der Mittelabschnitte des Substrats SUB bereitgestellt und kann als Bereich zum Anzeigen eines Bildes definiert sein. Der Anzeigebereich AA gemäß einem Beispiel kann eine rechteckige Form in einer Ebene, eine abgerundete rechteckige Form, deren Eckabschnitte mit einem bestimmten Krümmungsradius abgerundet sind, oder eine nichtrechteckige Form mit mindestens sechs Seiten aufweisen. In diesem Fall kann der Anzeigebereich AA mit einer nichtrechteckigen Form mindestens einen Vorsprung oder mindestens einen Kerbabschnitt aufweisen.
  • Der Nichtanzeigebereich ist auf einem Randbereich des Substrats SUB so bereitgestellt, dass er den Anzeigebereich AA umgibt, und kann als ein Bereich, in dem ein Bild nicht angezeigt wird, oder als ein Randbereich definiert sein. Der Nichtanzeigebereich IA gemäß einem Beispiel kann einen ersten Nichtanzeigebereich IA1, der an einer ersten Kante des Substrats SUB bereitgestellt ist, einen zweiten Nichtanzeigebereich IA2, der an einer zweiten Kante des Substrats SUB parallel zu dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 bereitgestellt ist, einen dritten Nichtanzeigebereich IA3, der an einer dritten Kante des Substrats SUB bereitgestellt ist, und einen vierten Nichtanzeigebereich IA4, der an einer vierten Kante des Substrats SUB parallel zu dem dritten Nichtanzeigebereich IA3 bereitgestellt ist, umfassen. Beispielsweise kann der erste Nichtanzeigebereich IA1 ein unterer (oder oberer) Randbereich des Substrats SUB sein, ist aber nicht darauf beschränkt, der zweite Nichtanzeigebereich IA2 kann ein oberer (oder unterer) Randbereich des Substrats SUB sein, ist aber nicht darauf beschränkt, der dritte Nichtanzeigebereich IA3 kann ein linker (oder rechter) Randbereich des Substrats SUB sein, ist aber nicht darauf beschränkt, und der vierte Nichtanzeigebereich IA4 kann ein rechter (oder linker) Randbereich des Substrats SUB sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Zur Vereinfachung der Beschreibung können der erste bis vierte Nichtanzeigebereich als „Nichtanzeigebereich“ bezeichnet werden, ohne als Nichtanzeigebereich eines bestimmten Bereichs bezeichnet zu werden. In diesem Fall können die Nichtanzeigebereiche mit dem Bezugszeichen „IA“ gekennzeichnet sein.
  • Das Pixel P ist auf dem Anzeigebereich AA des Substrats SUB angeordnet. Das Pixel P kann gemäß einem Beispiel aus mehreren Pixeln bestehen, die in einer Matrixanordnung angeordnet sind, und kann in dem Anzeigebereich AA des Substrats SUB angeordnet sein. Das Pixel P kann in jedem der Bereiche angeordnet sein, die durch Abtastleitungen SL, Datenleitungen DL und Pixelansteuerleistungsleitungen PL definiert sind.
  • Die Abtastleitung SL erstreckt sich in Längsrichtung entlang einer ersten Richtung X und ist entlang einer zweiten Richtung Y, die die erste Richtung X schneidet, in einem bestimmten Intervall angeordnet. Der Anzeigebereich AA des Substrats SUB weist mehrere Abtastleitungen SL auf, die entlang der zweiten Richtung Y parallel zu der ersten Richtung X voneinander beabstandet sind. In diesem Fall kann die erste Richtung X ohne Einschränkung auf diesen Fall als horizontale Richtung des Substrats SUB definiert sein und die zweite Richtung Y kann als vertikale Richtung des Substrats SUB definiert sein oder umgekehrt.
  • Die Datenleitung DL erstreckt sich in Längsrichtung entlang der zweiten Richtung Y und ist in einem bestimmten Intervall entlang der ersten Richtung X angeordnet. Der Anzeigebereich AA des Substrats SUB weist mehrere Datenleitungen DL auf, die entlang der ersten Richtung X parallel zu der zweiten Richtung Y voneinander beabstandet sind.
  • Die Pixelansteuerleistungsleitung PL kann auf dem Substrat SUB so angeordnet sein, dass sie parallel zu der Datenleitung DL ist. Der Anzeigebereich AA des Substrats SUB weist mehrere Pixelansteuerleistungsleitungen PL parallel zu den Datenleitungen DL auf. Optional können die Pixelansteuerleistungsleitungen PL so angeordnet sein, dass sie parallel zu den Abtastleitungen SL sind.
  • Ein Einheitspixel kann ein rotes Unterpixel, ein grünes Unterpixel und ein blaues Unterpixel umfassen. Darüber hinaus kann ein Einheitspixel ferner ein weißes Unterpixel umfassen. Die Pixel P können gemäß einem Beispiel auf dem Anzeigebereich AA so angeordnet sein, dass sie eine Streifenstruktur haben. Die Streifenstruktur bedeutet, dass Unterpixel derselben Farbe durchgehend in einer Zeile oder Spalte angeordnet sind und Unterpixel unterschiedlicher Farben abwechselnd angeordnet sind. Beispielsweise können die roten Unterpixel so angeordnet sein, dass sie eine erste Spalte bilden, die grünen Unterpixel können so angeordnet sein, dass sie eine zweite Spalte bilden, die blauen Unterpixel können so angeordnet sein, dass sie eine dritte Spalte bilden, und eine rote Spalte, eine grüne Spalte und eine blaue Spalte können wiederholt angeordnet sein.
  • Die Pixel P können gemäß einem weiteren Beispiel auf dem Anzeigebereich AA so angeordnet sein, dass sie eine Pentile-Struktur aufweisen. In diesem Fall kann ein Einheitspixel mindestens ein rotes Unterpixel, mindestens zwei grüne Unterpixel und mindestens ein blaues Unterpixel, die zweidimensional in einer polygonalen Form angeordnet sind, umfassen. Beispielsweise kann ein Einheitspixel mit einer Pentile-Struktur so angeordnet sein, dass ein rotes Unterpixel, zwei grüne Unterpixel und ein blaues Unterpixel zweidimensional eine achteckige Form haben. In diesem Fall kann das blaue Unterpixel einen Öffnungsbereich (oder einen lichtemittierenden Bereich) aufweisen, der relativ am größten ist, und das grüne Unterpixel kann einen Öffnungsbereich aufweisen, der relativ am kleinsten ist. In der folgenden Beschreibung wird „Pixel“ möglicherweise nicht als Einheitspixel oder Unterpixel identifiziert. Der Einfachheit halber kann ein Unterpixel als „Pixel“ beschrieben sein.
  • Das Pixel P kann eine Pixelschaltung PC, die elektrisch mit ihrer benachbarten Abtastleitung SL, Datenleitung DL und Pixelansteuerleistungsleitung PL verbunden ist, und eine Leuchtdiode ED, die elektrisch mit der Pixelschaltung PC verbunden ist, umfassen.
  • Die Pixelschaltung PC steuert einen Datenstrom Ied, der von der Pixelansteuerleistungsleitung PL zu der Leuchtdiode ED fließt, basierend auf einer Datenspannung, die von ihrer benachbarten Datenleitung DL geliefert wird, als Antwort auf ein von mindestens einer dazu benachbarten Abtastleitung SL geliefertes Abtastsignal.
  • Die Pixelschaltung PC kann gemäß einem Beispiel mindestens zwei Dünnschichttransistoren und einen Kondensator aufweisen. Beispielsweise kann die Pixelschaltung PC gemäß einem Beispiel einen ansteuernden Dünnschichttransistor, der den Datenstrom Ied basierend auf der Datenspannung an die Leuchtdiode ED liefert, einen schaltenden Dünnschichttransistor, der die von der Datenleitung DL gelieferte Datenspannung an den ansteuernden Dünnschichttransistor liefert, und einen Kondensator, der eine Gate-Source-Spannung des ansteuernden Dünnschichttransistors speichert, umfassen.
  • Die Pixelschaltung PC gemäß einem weiteren Beispiel kann mindestens drei Dünnschichttransistoren und mindestens einen Kondensator aufweisen. Beispielsweise kann die Pixelschaltung PC gemäß einem weiteren Beispiel eine Stromversorgungsschaltung, eine Datenversorgungsschaltung und eine Kompensationsschaltung gemäß einem Betrieb (oder einer Funktion) jedes von mindestens drei Dünnschichttransistoren aufweisen. In diesem Fall kann die Stromversorgungsschaltung einen ansteuernden Dünnschichttransistor umfassen, der den Datenstrom Ied basierend auf der Datenspannung an die Leuchtdiode ED liefert. Die Datenversorgungsschaltung kann mindestens einen schaltenden Dünnschichttransistor umfassen, der die von der Datenleitung DL gelieferte Datenspannung als Antwort auf mindestens ein Abtastsignal an die Stromversorgungsschaltung liefert. Die Kompensationsschaltung kann mindestens einen Kompensations-Dünnschichttransistor umfassen, der eine Änderung eines charakteristischen Wertes (Schwellenspannung und/oder Mobilität) des ansteuernden Dünnschichttransistors als Antwort auf mindestens ein Abtastsignal kompensiert.
  • Die Leuchtdiode ED emittiert Licht mittels des von der Pixelschaltung PC gelieferten Datenstroms Ied, um Licht von einer Luminanz zu emittieren, die dem Datenstrom Ied entspricht. In diesem Fall kann der Datenstrom Ied von der Pixelansteuerleistungsleitung PL durch den ansteuernden Dünnschichttransistor und die Leuchtdiode ED zu der gemeinsamen Leistungsleitung CPL fließen.
  • Die Leuchtdiode ED kann gemäß einem Beispiel eine anorganische Leuchtdiode oder eine organische Leuchtdiode umfassen. Beispielsweise kann die Leuchtdiode ED eine Pixelansteuerelektrode AE (oder eine erste Elektrode oder Anode), die elektrisch mit der Pixelschaltung PC verbunden ist, eine auf der Pixelansteuerelektrode ausgebildete Leuchtschicht EL und eine gemeinsame Elektrode CE (oder eine zweite Elektrode oder Kathode), die elektrisch mit der Leuchtschicht verbunden ist, umfassen.
  • Die gemeinsame Leistungsleitung CPL ist auf dem Nichtanzeigebereich IA des Substrats SUB angeordnet und elektrisch mit der gemeinsamen Anzeigeelektrode CE verbunden, die auf dem Anzeigebereich AA angeordnet ist. Die gemeinsame Leistungsleitung CPL ist gemäß einem Beispiel entlang des zweiten bis vierten Nichtanzeigebereichs IA2, IA3 und IA4 benachbart zu dem Anzeigebereich AA des Substrats SUB angeordnet, wobei sie eine bestimmte Leitungsbreite aufweist, und umgibt den anderen Teil mit Ausnahme eines Abschnitts des Anzeigebereichs AA, der zu dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 des Substrats SUB benachbart ist. Ein Ende der gemeinsamen Leistungsleitung CPL kann auf einer Seite des ersten Nichtanzeigebereichs IA1 angeordnet sein und das andere Ende der gemeinsamen Leistungsleitung CPL kann auf der anderen Seite des ersten Nichtanzeigebereichs IA1 angeordnet sein. Das eine Ende und das andere Ende der gemeinsamen Leistungsleitung CPL können so angeordnet sein, dass sie den zweiten bis vierten Nichtanzeigebereich IA2, IA3 und IA4 umgeben. Daher kann die gemeinsame Leistungsleitung CPL gemäß einem Beispiel zweidimensional eine „∩“ -Form haben, deren eine Seite, die dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 des Substrats SUB entspricht, geöffnet ist.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ferner eine Einkapselungsschicht zum Schützen der Leuchtdiode ED umfassen. Die Einkapselungsschicht kann so auf dem Substrat SUB ausgebildet sein, dass sie eine obere Oberfläche und eine Seite des Anzeigebereichs AA und die gemeinsame Leistungsleitung CPL umgibt. Unterdessen kann die Einkapselungsschicht ein Ende und das andere Ende der CPL der gemeinsamen Leistungsleitung in dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 freilegen. Die Einkapselungsschicht kann verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die in dem Anzeigebereich AA bereitgestellte Leuchtdiode ED eindringt. Die Einkapselungsschicht gemäß einem Beispiel kann mindestens einen anorganischen Film umfassen. Die Einkapselungsschicht gemäß einem weiteren Beispiel kann mehrere anorganische Filme und einen organischen Film, der zwischen den mehreren anorganischen Filmen angeordnet ist, umfassen.
  • Der Ansteuerabschnitt gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen Kontaktstellenabschnitt PP, eine Gate-Ansteuerschaltung 200 und eine integrierte Ansteuerschaltung 300 umfassen.
  • Der Kontaktstellenabschnitt PP kann mehrere Kontaktstellen aufweisen, die in dem Nichtanzeigebereich IA des Substrats SUB bereitgestellt sind. Der Kontaktstellenabschnitt kann gemäß einem Beispiel mehrere gemeinsame Leistungsversorgungskontaktstellen, mehrere Dateneingabekontaktstellen, mehrere Leistungsversorgungskontaktstellen und mehrere Steuersignaleingabekontaktstellen, die in dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 des Substrats SUB bereitgestellt sind, umfassen.
  • Die Gate-Ansteuerschaltung 200 ist in dem dritten Nichtanzeigebereich IA3 und/oder dem vierten Nichtanzeigebereich IA4 des Substrats SUB bereitgestellt und mit den Abtastleitungen SL, die in dem Anzeigebereich AA bereitgestellt sind, in einer Einszu-eins-Beziehung verbunden. Die Gate-Ansteuerschaltung 200 kann als integrierte Schaltung in dem dritten Nichtanzeigebereich IA3 und/oder dem vierten Nichtanzeigebereich IA4 des Substrats SUB zusammen mit einem Herstellungsprozess des Pixels P, d. h. einem Herstellungsprozess des Dünnschichttransistors, ausgebildet werden. Die Gate-Ansteuerschaltung 200 erzeugt ein Abtastsignal basierend auf einem Gate-Steuersignal, das von der integrierten Ansteuerschaltung 300 geliefert wird, und gibt das Abtastsignal gemäß einer gegebenen Reihenfolge aus, wodurch jede der mehreren Abtastleitungen SL gemäß einer gegebenen Reihenfolge angesteuert wird. Die Gate-Ansteuerschaltung 200 kann gemäß einem Beispiel ein Schieberegister umfassen.
  • Das äußere Damm DMO kann eine Struktur einer geschlossenen Kurve aufweisen, in der es in dem ersten Nichtanzeigebereich IA1, dem zweiten Nichtanzeigebereich IA2, dem dritten Nichtanzeigebereich IA3 und dem vierten Nichtanzeigebereich IA4 des Substrats SUB so bereitgestellt ist, dass er den Umfang des Anzeigebereichs AA umgibt. Beispielsweise kann der äußere Damm DMO außerhalb der gemeinsamen Leistungsleitung CPL angeordnet sein und sich daher oberhalb des Substrats SUB am weitesten außen befinden. Vorzugsweise sind der Kontaktstellenabschnitt PP und die integrierte Ansteuerschaltung 300 in einem Außenbereich des äußeren Damms DMO angeordnet.
  • Obwohl 1 zeigt, dass der äußere Damm DMO am weitesten außen angeordnet ist, ist der äußere Damm DMO nicht auf das Beispiel von 1 beschränkt. Als weiteres Beispiel kann der äußere Damm DMO zwischen der gemeinsamen Leistungsleitung CPL und der Gate-Ansteuerschaltung 200 angeordnet sein. Als weiteres Beispiel kann der äußere Damm DMO zwischen dem Anzeigebereich AA und der Gate-Ansteuerschaltung 200 angeordnet sein.
  • Die integrierte Ansteuerschaltung 300 ist in einem Chipbaugruppenbildungsbereich, der in dem ersten Nichtanzeigebereich IA1 des Substrats SUB definiert ist, durch einen Chipbaugruppenbildungsprozess (Bondprozess) ausgebildet. Eingangsanschlüsse der integrierten Ansteuerschaltung 300 sind direkt mit dem Kontaktstellenabschnitt PP verbunden und daher elektrisch mit den mehreren Datenleitungen DL und den mehreren Pixelansteuerleistungsleitungen PL, die in dem Anzeigebereich AA bereitgestellt sind, verbunden. Die integrierte Ansteuerschaltung 300 empfängt verschiedene Leistungsquellen, Zeitsynchronisationssignale und digitale Bilddaten, die von einem Anzeigeansteuerschaltungsabschnitt (oder einer Hostschaltung) eingegeben werden, über den Kontaktstellenabschnitt PP und steuert die Ansteuerung der Gate-Ansteuerschaltung 200 durch Erzeugen eines Gate-Steuersignals gemäß den Zeitsynchronisationssignalen und setzt gleichzeitig die digitalen Bilddaten in eine Pixeldatenspannung vom analogen Typ um, um die umgesetzte Datenspannung an die entsprechende Datenleitung DL zu liefern.
  • Das Durchgangsloch TH verläuft physisch durch die Anzeigevorrichtung. Beispielsweise kann das Durchgangsloch TH so ausgebildet sein, dass es nur durch eine Anzeigetafel verläuft, die die Anzeigevorrichtung bildet. In diesem Fall kann ein Polarisator oder Deckglas, das mit einer oberen Oberfläche der Anzeigetafel verbunden ist, eine Struktur zum Abdecken des Durchgangslochs TH aufweisen, ohne von dem Durchgangsloch TH durchlaufen zu werden. Wenn ein Durchgangsloch TH ein Loch zur Lichtübertragung wie etwa ein Kameraloch oder ein Lichtsensorloch ist, kann das Durchgangsloch TH nur durch die Anzeigetafel verlaufen, ohne durch den Polarisator oder das Deckglas zu verlaufen. Wenn bei einem weiteren Beispiel eine zusätzliche Vorrichtung so bereitgestellt werden soll, dass sie vollständig durch die Anzeigevorrichtung verläuft, kann das Durchgangsloch TH so bereitgestellt sein, dass es sowohl die Anzeigetafel, einen optischen Film, der mit einem oberen Abschnitt der Anzeigetafel verbunden ist, und das Deckglas öffnet.
  • Da das Durchgangsloch TH eine Struktur zum Öffnen eines Teilbereichs der Anzeigetafel, ohne ein Anzeigeelement darin anzuordnen, aufweist, ist es wahrscheinlich, dass das Durchgangsloch TH nicht in der Anzeigetafel AA angeordnet ist, sondern in dem Nichtanzeigebereich IA angeordnet ist. In diesem Fall ist eine Breite oder ein Breitenbereich des Anzeigebereichs AA, der einer Breite oder einem Breitenbereich des Durchgangslochs TH entspricht, sowie ein Bereich des Durchgangslochs TH reduziert, wodurch ein Flächenanteil auf der Anzeigetafel belegten Anzeigebereichs AA reduziert ist. Die vorliegende Offenbarung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Durchgangsloch TH in dem Anzeigebereich AA angeordnet ist. Daher ist das Anzeigeelement nicht in dem Bereich, der mit dem Durchgangsloch TH innerhalb des Anzeigebereichs AA in Zusammenhang steht, sondern in der Nähe des Durchgangslochs TH angeordnet, wodurch der Flächenanteil des Anzeigebereichs AA, der in der Anzeigetafel belegt ist, maximal macht werden kann.
  • Nachfolgend wird eine strukturelle Charakteristik des Durchgangslochs, die ein Hauptmerkmal der vorliegenden Offenbarung ist, unter Bezugnahme auf 1 genauer beschrieben. 2 ist eine vergrößerte ebene Ansicht, die eine Struktur eines Durchgangslochs darstellt, das in einem Anzeigebereich in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist.
  • Unter Bezugnahme auf 2 ist das Durchgangsloch TH innerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet. Die Pixel P sind nahe dem Durchgangsloch TH angeordnet. Unter den Pixeln P können die Pixel P, die so angeordnet sind, dass sie nahe an dem Durchgangsloch TH liegen, als benachbarte Pixel P' definiert sein. Ein Lochgrenzabschnitt THB kann zwischen den benachbarten Pixeln P' und dem Durchgangsloch TH definiert sein. Die benachbarten Pixel P' sind Pixel zum Anzeigen von Bildinformationen auf die gleiche normale Weise wie die anderen Pixel P. Da die benachbarten Pixel P' jedoch so angeordnet sind, dass sie nahe an dem Durchgangsloch TH liegen, werden sie als benachbarte Pixel P' bezeichnet.
  • Ein innerer Damm DMI, ein Graben TR und ein Ätzstopper ES sind in dem Lochgrenzabschnitt THB angeordnet. Insbesondere ist der innere Damm DMI zwischen dem Durchgangsloch TH und den benachbarten Pixeln P' angeordnet. Der innere Damm DMI hat eine Form einer geschlossenen Kurve, die das Durchgangsloch TH umgibt und gleichzeitig der Form des Durchgangslochs TH entspricht. Obwohl der innere Damm DMI eine Form einer geschlossenen Kurve aufweisen kann, die sich von der des Durchgangslochs TH unterscheidet, kann der innere Damm DMI die gleiche Form wie die des Durchgangslochs TH haben und eine Form einer geschlossenen Kurve aufweisen, die sich von der des Durchgangslochs TH in der Größe unterscheidet. Beispielsweise können der innere Damm DMI und das Durchgangsloch TH eine konzentrische Kreisform haben und so angeordnet sein, dass sie um ein bestimmtes Intervall voneinander beabstandet sind.
  • Der Graben TR kann zwischen dem Durchgangsloch TH und dem inneren Damm DMI angeordnet sein. Der Graben TR hat auch eine Form einer geschlossenen Kurve, die das Durchgangsloch TH umgibt und gleichzeitig der Form des Durchgangslochs TH entspricht. Obwohl der Graben TR eine Form einer geschlossenen Kurve aufweisen kann, die sich von der des Durchgangslochs TH unterscheidet, kann der Graben TR die gleiche Form wie die des Durchgangslochs TH haben und eine Form einer geschlossenen Kurve aufweisen, die sich von der des Durchgangslochs TH in der Größe unterscheidet. Zum Beispiel können der Graben TR und das Durchgangsloch TH wie in 2 gezeigt eine konzentrische Kreisform haben und können so angeordnet sein, dass sie um ein bestimmtes Intervall voneinander beabstandet sind.
  • Der Ätzstopper ES ist zwischen dem Durchgangsloch TH und dem Graben TR angeordnet. Der Ätzstopper ES soll ermöglichen, dass ein oberer Passivierungsfilm zum Verhindern des Eindringens von Wasser eine bestimmte Dicke aufweist, und seine Struktur und Funktion werden unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsformen zusammen mit den folgenden Querschnittsansichten im Einzelnen beschrieben.
  • <Erste Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird eine Querschnittstruktur der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die ein Durchgangsloch in einem Anzeigebereich umfasst, unter Bezugnahme auf 3 bis 5 beschrieben. 3 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts zeigt, in dem ein Durchgangsloch in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist. 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 1, die eine Struktur eines Grenzabschnitts eines Anzeigebereichs und eines Nichtanzeigebereichs in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf die 3 und 4 kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, einen Pufferfilm BUF, eine Pixelmatrixschicht 120, einen Abstandshalter SP, einen inneren Damm DMI, einen äußeren Damm DMO, eine Einkapselungsschicht 130, einen oberen Passivierungsfilm PAS, einen Ätzstopper ES und ein Durchgangsloch TH umfassen.
  • Das Substrat SUB kann einen Anzeigebereich AA und einen Nichtanzeigebereich IA, der den Anzeigebereich AA umgibt, umfassen. Das Substrat SUB ist eine Basisschicht und enthält ein Kunststoffmaterial oder ein Glasmaterial. Das Substrat SUB kann gemäß einem Beispiel ein opakes oder gefärbtes Polyimidmaterial aufweisen. Das Substrat SUB kann ein flexibles Substrat oder ein starres Substrat sein. Beispielsweise kann das flexible Substrat SUB aus einem Glasmaterial ein dünnes Glassubstrat mit einer Dicke von 100 Mikrometern oder weniger oder ein Glassubstrat, das durch einen Substratätzprozess so geätzt wird, dass es eine Dicke von 100 Mikrometern oder weniger hat, sein.
  • Der Pufferfilm BUF wird auf einer oberen Oberfläche des Substrats SUB so abgeschieden, dass er eine gesamte Oberfläche des Substrats SUB bedeckt. Der Pufferfilm BUF wird auf der oberen Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, um vor dem Eindringen von Wasser in die Pixelmatrixschicht durch das Substrat SUB zu schützen, das für das Eindringen von Wasser anfällig ist. Der Pufferfilm BUF kann gemäß einem Beispiel aus mehreren abwechselnd abgeschiedenen anorganischen Filmen bestehen. Beispielsweise kann der Pufferfilm BUF aus einem Mehrschichtfilm aus einem oder mehreren anorganischen Filmen von einem Siliziumoxidfilm (SiOx), einem Siliziumnitridfilm (SiNx) und einem Siliziumoxynitridfilm (SiON), die abwechselnd abgeschieden sind, gebildet sein. Der Pufferfilm BUF kann eine abgeschiedene Struktur aus mindestens zwei oder mehr organischen Pufferfilmen und anorganischen Pufferfilmen aufweisen. Bei Bedarf kann der Pufferfilm BUF auch weggelassen werden.
  • Die Pixelmatrixschicht 120, der innere Damm DMI, der äußere Damm DMO, die Einkapselungsschicht 130, der Ätzstopper ES und der obere Passivierungsfilm PAS sind aufeinanderfolgend auf einer oberen Oberfläche des Pufferfilms BUF ausgebildet. Das Durchgangsloch TH ist innerhalb des Anzeigebereichs AA des Substrats SUB angeordnet. Das Durchgangsloch TH ist von dem inneren Damm DMI umgeben und ist ein offener Bereich, in dem das Substrat SUB, die Pixelmatrixschicht 120, der Abstandshalter SP, die Einkapselungsschicht 130, der Ätzstopper ES und der obere Passivierungsfilm PAS alle entfernt oder nicht ausgebildet sind. Ein Polarisator und/oder ein Deckglas können ferner auf dem oberen Passivierungsfilm PAS angeordnet oder angebunden sein. In diesem Fall kann das Durchgangsloch TH in einem Beispiel so ausgebildet sein, dass es den Polarisator und das Deckglas durchdringt. Alternativ kann das Durchgangsloch TH eine Struktur aufweisen, deren oberer Abschnitt blockiert ist, da der Polarisator und das Deckglas das Durchgangsloch TH bedecken.
  • Die Pixelmatrixschicht 120 ist auf dem Pufferfilm BUF oder dem Substrat SUB abgeschieden. Die Pixelmatrixschicht 120 kann eine Dünnfilmtransistorschicht, eine Planarisierungsschicht PLN, eine Bank BN, einen Abstandshalter SP und eine Leuchtdiode ED umfassen.
  • Die Dünnfilmtransistorschicht ist jeweils in mehreren Pixeln P, die in dem Anzeigebereich AA des Substrats SUB definiert sind, und einer Gate-Ansteuerschaltung 200, die in einem vierten Nichtanzeigebereich IA4 des Substrats SUB definiert ist, bereitgestellt.
  • Die Dünnschichttransistorschicht gemäß einem Beispiel umfasst einen Dünnschichttransistor T, einen Gate-Isolierfilm GI, einen ersten Isolierfilm IL1 und einen zweiten Isolierfilm IL2. In diesem Fall kann der in 3 gezeigte Dünnschichttransistor T ein ansteuernder Dünnschichttransistor sein, der elektrisch mit der Leuchtdiode ED verbunden ist.
  • Der Dünnschichttransistor T umfasst eine Halbleiterschicht A, eine Gate-Elektrode G, eine Source-Elektrode S und eine Drain-Elektrode D, die auf dem Substrat SUB oder dem Pufferfilm BUF ausgebildet sind. 3 und 4 zeigen, ohne darauf beschränkt zu sein, eine Gate-oben-Struktur des Dünnfilmtransistors T, bei der die Gate-Elektrode G über der Halbleiterschicht A angeordnet ist. Bei einem weiteren Beispiel kann der Dünnfilmtransistor T eine Gate-unten-Struktur, bei der die Gate-Elektrode G unterhalb der Halbleiterschicht A angeordnet ist, oder eine Doppel-Gate-Struktur, bei der die Gate-Elektrode G oberhalb und unterhalb der Halbleiterschicht A angeordnet ist, aufweisen.
  • Die Halbleiterschicht A kann auf dem Substrat SUB oder dem Pufferfilm BUF ausgebildet sein. Die Halbleiterschicht A kann ein Halbleitermaterial auf Siliziumbasis, ein Halbleitermaterial auf Oxidbasis oder ein Halbleitermaterial auf organischer Basis enthalten und kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen.
  • Der Gate-Isolierfilm GI kann auf dem gesamten Substrat SUB ausgebildet werden, um die Halbleiterschicht A zu bedecken. Der Gate-Isolierfilm GI kann aus einem anorganischen Film wie beispielsweise einem Siliciumoxidfilm (SiOx-Film), einem Siliciumnitridfilm (SiNx-Film) oder einem mehrschichtigen Film aus SiOx und SiNx ausgebildet sein.
  • Die Gate-Elektrode G kann auf dem Gate-Isolierfilm GI so ausgebildet sein, dass sie mit der Halbleiterschicht A überlappt. Die Gate-Elektrode G kann zusammen mit der Abtastleitung SL ausgebildet sein. Die Gate-Elektrode G gemäß einem Beispiel kann aus einer Einzelschicht oder einer Mehrfachschicht aus Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd, Cu und ihren Legierungen bestehen.
  • Der erste Isolierfilm IL1 und der zweite Isolierfilm IL2 können nacheinander auf dem gesamten Substrat SUB abgeschieden sein, um die Gate-Elektrode G und den Gate-Isolierfilm GI abzudecken. Auf die gleiche Weise wie der Gate-Isolierfilm GI können der erste Isolierfilm IL1 und der zweite Isolierfilm IL2 aus einem anorganischen Film wie beispielsweise einem Siliciumoxidfilm (SiOx-Film), einem Siliciumnitridfilm (SiNx-Film) oder einem mehrschichtigen Film aus SiOx und SiNx ausgebildet sein. Der erste Isolierfilm IL1 und der zweite Isolierfilm IL2 können aus einem einzigen Isolierfilm ausgebildet sein.
  • Die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode D können auf dem zweiten Isolierfilm IL2 so ausgebildet sein, dass sie die Halbleiterschicht A überlappen, indem die Gate-Elektrode G dazwischen angeordnet wird. Die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode D können zusammen mit der Datenleitung DL, der Pixelansteuerleistungsleitung PL und der gemeinsamen Leistungsleitung CPL ausgebildet werden. Das heißt, die Source-Elektrode S, die Drain-Elektrode D, die Datenleitung DL, die Pixelansteuerleistungsleitungen PL und die gemeinsame Leistungsleitung CPL werden jeweils gleichzeitig durch einen Strukturierungsprozess für ein Source-Drain-Elektrodenmaterial ausgebildet.
  • Die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode D können jeweils durch ein Elektrodenkontaktloch, das durch den ersten Isolierfilm IL1, den zweiten Isolierfilm IL2 und den Gate-Isolierfilm GI verläuft, mit der Halbleiterschicht A verbunden sein. Die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode D können aus einer einzelnen Schicht oder einer Mehrfachschicht aus Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd, Cu und ihren Legierungen bestehen. In diesem Fall kann die Source-Elektrode S des in 3 gezeigten Dünnschichttransistors T mit der Pixelansteuerleistungsleitung PL elektrisch verbunden sein.
  • Wie es oben beschrieben ist, bildet der Dünnfilmtransistor T, der in dem Pixel P des Substrats SUB bereitgestellt ist, eine Pixelschaltung PC. Die Gate-Ansteuerschaltung 200, die in dem vierten Nichtanzeigebereich IA4 des Substrats SUB angeordnet ist, kann auch einen Dünnfilmtransistor umfassen, der dem Dünnfilmtransistor T, der in dem Pixel P bereitgestellt ist, entspricht oder ähnelt.
  • Die Planarisierungsschicht PLN ist auf dem gesamten Substrat SUB ausgebildet, um die Dünnfilmtransistorschicht zu bedecken. Die Planarisierungsschicht PLN stellt eine Planarisierungsfläche auf der Dünnschichttransistorschicht bereit. Die Planarisierungsschicht PLN kann gemäß einem Beispiel aus einem organischen Film wie Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz ausgebildet sein.
  • Die Planarisierungsschicht PLN kann gemäß einem weiteren Beispiel ein Pixelkontaktloch PH zum Freilegen der Drain-Elektrode D des in dem Pixel P bereitgestellten ansteuernden Dünnschichttransistors aufweisen.
  • Die Bank BN (oder das Bankmuster) ist auf der Planarisierungsschicht PLN angeordnet und definiert einen Öffnungsbereich (oder einen lichtemittierenden Bereich) innerhalb des Pixels P des Anzeigebereichs AA. Die Bank BN kann als pixeldefinierender Film bezeichnet werden.
  • Die Leuchtdiode ED umfasst eine Pixelansteuerelektrode AE, eine Leuchtschicht EL und eine gemeinsame Elektrode CE. Die Pixelansteuerelektrode AE ist auf der Planarisierungsschicht PLN ausgebildet und mit der Drain-Elektrode D des Ansteuer-Dünnschichttransistors durch das in der Planarisierungsschicht PLN bereitgestellte Pixelkontaktloch PH elektrisch verbunden. In diesem Fall kann der andere Randabschnitt mit Ausnahme eines Mittelabschnitts der Pixelansteuerelektrode AE, der mit dem Öffnungsbereich des Pixels P überlappt, von der Bank BN bedeckt sein. Die Bank BN kann einen Öffnungsbereich des Pixels P definieren, indem sie den Randabschnitt der Pixelansteuerelektrode AE bedeckt.
  • Die Pixelansteuerelektrode AE gemäß einem Beispiel kann ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen enthalten. Beispielsweise kann die Pixelansteuerelektrode AE aus einer mehrschichtigen Struktur wie einer abgeschiedenen Struktur (Ti/Al/Ti) aus Aluminium (Al) und Titan (Ti), einer abgeschiedenen Struktur (ITO/Al/ITO) aus Al und ITO, einer APC-Legierung (Ag/Pd/Cu) und einer abgeschiedenen Struktur (ITO/APC/ITO) aus APC-Legierung und ITO ausgebildet sein oder kann eine einschichtige Struktur aus einem Material aus einem Element oder einem Legierungsmaterial aus zwei oder mehr Elementen ausgewählt aus Ag, Al, Mo, Au, Mg, Ca und Ba aufweisen.
  • Die Leuchtschicht EL ist vollständig auf dem Anzeigebereich AA des Substrats SUB ausgebildet, um die Pixelansteuerelektrode AE und die Bank BN abzudecken. Die Leuchtschicht EL gemäß einem Beispiel kann zwei oder mehr Leuchtabschnitte umfassen, die vertikal gestapelt oder abgeschieden sind, um weißes Licht zu emittieren. Die Leuchtschicht EL gemäß einem Beispiel kann einen ersten Leuchtabschnitt und einen zweiten Leuchtabschnitt zum Emittieren eines ersten Lichts und eines zweiten Lichts umfassen, so dass die Leuchtschicht EL das weiße Licht durch Kombination des ersten Lichts und des zweiten Lichts emittieren kann. In diesem Fall emittiert der erste Leuchtabschnitt das erste Licht und kann einen von einem blauen Leuchtabschnitt, einem grünen Leuchtabschnitt, einem roten Leuchtabschnitt, einem gelben Leuchtabschnitt und einem gelbgrünen Leuchtabschnitt umfassen. Der zweite Leuchtabschnitt kann einen von dem blauen Leuchtabschnitt, dem grünen Leuchtabschnitt, dem rot Leuchtabschnitt, dem gelben Leuchtabschnitt und dem gelbgrünen Leuchtabschnitt umfassen, wobei der zweite Leuchtabschnitt das zweite Licht zur optischen Kompensation des ersten Lichts emittiert.
  • Die Leuchtschicht EL kann gemäß einem weiteren Beispiel einen von einem blauen Leuchtabschnitt, einem grünen Leuchtabschnitt und einem roten Leuchtabschnitt umfassen, um ein Farblicht zu emittieren, das einer in dem Pixel P festgelegten Farbe entspricht. Beispielsweise kann die Leuchtschicht EL eine organische Leuchtschicht, eine anorganische Leuchtschicht und eine Quantenpunkt-Leuchtschicht umfassen oder kann eine abgeschiedene oder kombinierte Struktur aus der organischen Leuchtschicht (oder der anorganischen Leuchtschicht) und der Quantenpunkt-Leuchtschicht umfassen.
  • Zusätzlich kann die Leuchtdiode ED gemäß einem Beispiel ferner eine Funktionsschicht zur Verbesserung des Lichtemissionswirkungsgrads und/oder der Lebensdauer der Leuchtschicht EL umfassen.
  • Die gemeinsame Elektrode CE ist so ausgebildet, dass sie mit der Leuchtschicht EL elektrisch verbunden ist. Die gemeinsame Elektrode CE ist auf dem gesamten Anzeigebereich AA des Substrats SUB ausgebildet und daher gemeinsam mit den in den jeweiligen Pixeln P bereitgestellten Leuchtschichten EL verbunden.
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann gemäß einem Beispiel ein transparentes leitfähiges Material oder ein halbdurchlässiges leitfähiges Material, das Licht durchlassen kann, enthalten. Wenn die gemeinsame Elektrode CE aus einem halbdurchlässigen leitfähigen Material besteht, kann der Lichtemissionswirkungsgrad des von der Leuchtdiode ED emittierten Lichts durch eine Mikrohohlraumstruktur verbessert werden. Das halbdurchlässige leitfähige Material kann gemäß einem Beispiel Mg, Ag oder eine Legierung von Mg und Ag enthalten. Zudem kann auf der gemeinsamen Elektrode CE eine Deckschicht zur Verbesserung des Emissionswirkungsgrads von Licht durch Steuern eines Brechungsindex von Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, ausgebildet sein.
  • Der Abstandshalter SP kann so angeordnet sein, dass er in einem Nichtöffnungsbereich innerhalb des Anzeigebereichs AA verteilt ist, d. h. in einem Bereich, in dem die Leuchtdiode ED nicht angeordnet ist. Der Abstandshalter SP soll ermöglichen, dass eine Bildschirmmaske und ein Substrat während eines Abscheidungsprozesses der Leuchtschicht EL nicht miteinander in Kontakt sind. Der Abstandshalter SP ist auf der Bank BN angeordnet und kann so abgeschieden sein, dass die Leuchtschicht EL und die gemeinsame Elektrode CE den innerhalb des Anzeigebereichs AA angeordneten Abstandshalter SP überspannen (oder dem Profil folgende bedecken) können.
  • Es kann der Fall sein, das die Leuchtschicht EL und/oder die gemeinsame Elektrode CE den Abstandshalter SP möglicherweise nicht überspannen. Da der Abstandshalter SP nur in einem Teil der Bank BN innerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet ist, weist die gemeinsame Elektrode CE eine Struktur auf, die mit dem Anzeigebereich AA verbunden ist und gleichzeitig den Anzeigebereich AA abdeckt, obwohl die gemeinsame Elektrode CE den Abstandshalter SP nicht überspannt.
  • Die Einkapselungsschicht 130 ist so ausgebildet, dass sie eine obere Oberfläche und eine Seite der Pixelmatrixschicht 120 umgibt. Die Einkapselungsschicht 130 dient dazu, zu verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die Leuchtdiode ED eindringt.
  • Die Einkapselungsschicht 130 kann gemäß einem Beispiel eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1, eine organische Einkapselungsschicht PCL auf der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1 und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf der organischen Einkapselungsschicht PCL umfassen. Die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 dienen dazu, vor dem Eindringen von Wasser oder Sauerstoff in die Leuchtdiode ED zu schützen. Die erste anorganische Einkapselungsschichten PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 können jeweils aus einem anorganischen Material wie einem Siliziumnitrid, einem Aluminiumnitrid, einem Zirkoniumnitrid, einem Titannitrid, einem Hafniumnitrid, einem Tantalnitrid, einem Siliciumoxid, einem Aluminiumoxid oder einem Titanoxid ausgebildet sein. Die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 können durch ein Verfahren chemischer Dampfabscheidung (CVD-Verfahren) oder ein Atomlagenabscheidungsverfahren (ALD-Verfahren) ausgebildet werden.
  • Die organische Einkapselungsschicht PCL hat durch die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 eine versiegelte Struktur. Die organische Einkapselungsschicht PCL kann so ausgebildet sein, dass sie relativ dicker ist als die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und/oder die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2, um Partikel, die während eines Herstellungsprozesses auftreten können, zu adsorbieren und/oder abzuschirmen. Die organische Einkapselungsschicht PCL hat durch die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 eine versiegelte Struktur. Die organische Einkapselungsschicht PCL kann aus einem organischen Material wie SiOCz-Acryl oder Epoxidharz bestehen. Die organische Einkapselungsschicht PCL kann durch ein Beschichtungsverfahren wie beispielsweise ein Tintenstrahlbeschichtungsverfahren oder ein Schlitzbeschichtungsverfahren ausgebildet werden.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner eine Dammstruktur aufweisen. Die Dammstruktur umfasst einen äußeren Damm DMO, der außerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet ist, und einen inneren Damm DMI, der innerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet ist. Der äußere Damm DMO ist in dem Nichtanzeigebereich IA des Substrats SUB angeordnet, um zu verhindern, dass die organische Einkapselungsschicht PCL aus dem Anzeigebereich AA heraus überläuft. Das innere Damm DMI ist so angeordnet, dass er das Durchgangsloch TH innerhalb des Anzeigebereichs AA umgibt. Der äußere Damm DMO ist nur in 4 gezeigt und der innere Damm DMI ist nur in 3 gezeigt.
  • Das äußere Damm DMO kann gemäß einem Beispiel außerhalb des Anzeigebereichs AA angeordnet sein. Im Einzelnen kann der äußere Damm DMO außerhalb der Gate-Ansteuerschaltung 200 angeordnet sein, die außerhalb des Anzeigebereichs angeordnet ist, und die gemeinsame Leistungsleitung CPL kann außerhalb der Gate-Ansteuerschaltung 200 angeordnet sein. Je nach Fall kann der äußere Damm DMO so angeordnet sein, dass er mit einer Außenseite der gemeinsamen Leistungsleitung CPL überlappt. In diesem Fall kann eine Breite des Nichtanzeigebereichs IA, in dem die Gate-Ansteuerschaltung 200 und die gemeinsame Leistungsleitung CPL angeordnet sind, verringert sein, um eine Einfassungsbreite zu verringern.
  • Die Dammstruktur gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die den inneren Damm DMI und den äußeren Damm DMO umfasst, kann eine dreischichtige Struktur aufweisen, bei der die entsprechenden Schichten so ausgebildet sind, dass sie senkrecht zu dem Substrat SUB sind. Beispielsweise kann die Dammstruktur eine erste Schicht aus einer Planarisierungsschicht PLN, eine zweite Schicht aus einer Bank BN und eine dritte Schicht aus einem Abstandshalter SP umfassen.
  • Die erste Schicht kann eine trapezförmige Querschnittsstruktur der Planarisierungsschicht PLN aufweisen. Die zweite Schicht kann eine trapezförmige Querschnittsstruktur aufweisen, die auf der ersten Schicht abgeschieden ist. Die dritte Schicht kann eine trapezförmige Querschnittsstruktur aufweisen, die auf der zweiten Schicht abgeschieden ist. Wenn die organische Einkapselungsschicht PCL dünn ist, muss die Dammstruktur möglicherweise nicht hoch sein, um die Ausbreitung der organischen Einkapselungsschicht PCL leicht zu steuern. In diesem Fall kann die dritte Schicht entfallen.
  • Die Dammstruktur ist vollständig von der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS 1 und/oder der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2 bedeckt. Die Dammstruktur soll die organische Einkapselungsschicht PCL in einem Innenraum einschließen und ist nicht von der organischen Einkapselungsschicht PCL bedeckt. Die organische Einkapselungsschicht PCL kann mit einem Abschnitt einer Innenwand der Dammstruktur in Kontakt sein. Beispielsweise kann eine Höhe von einem Randbereich der organischen Einkapselungsschicht PCL bis zu einer oberen Oberfläche höher als die erste Schicht der Dammstruktur und niedriger als die zweite Schicht der Dammstruktur sein. Alternativ kann die Höhe von dem Randbereich der organischen Einkapselungsschicht PCL bis zu der oberen Oberfläche höher als die zweite Schicht der Dammstruktur und niedriger als die dritte Schicht der Dammstruktur sein.
  • Vorzugsweise kann die Höhe von dem Randbereich der organischen Einkapselungsschicht PCL bis zu der oberen Oberfläche kleiner sein als die gesamte Höhe der Dammstruktur. Infolgedessen stehen die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS 1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf der oberen Oberfläche und der äußeren Seitenwand der Dammstruktur in Oberflächenkontakt miteinander.
  • Eine Struktur des inneren Damms DMI gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird genauer beschrieben. Der inneren Damm DMI gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist zwischen dem Durchgangsloch TH und den benachbarten Pixeln P', die das Durchgangsloch TH innerhalb des Anzeigebereichs AA umgeben, angeordnet. Daher können im Gegensatz zu dem äußeren Damm DMO einige Elemente der Leuchtdiode ED auf dem inneren Damm DMI abgeschieden sein. Beispielsweise können die Leuchtschicht EL und die gemeinsame Elektrode CE so abgeschieden sein, dass sie den inneren Damm DMI überspannen.
  • Der innere Damm DMI kann eine sich nach vorne verjüngende Form haben. Wenn der innere Damm DMI eine sich nach vorne verjüngende Form aufweist, kann die Leuchtschicht EL, obwohl verhindert werden kann, dass die organische Einkapselungsschicht PCL in der Nähe des Durchgangslochs TH verloren geht, von der Seitenwand des Durchgangslochs TH freigelegt werden und kann dies daher anfällig für das Eindringen von Wasser sein. Um dies zu vermeiden, kann der innere Damm DMI eine sich invers verjüngende Form haben. Wenn der innere Damm DMI eine sich invers verjüngende Form hat, kann die Leuchtschicht EL an einem unteren Ende des inneren Damms DMI eine Unterbrechungsstruktur aufweisen. In diesem Fall kann verhindert werden, dass Wasser, das durch den Abschnitt dringt, der durch das Durchgangsloch TH der Leuchtschicht EL freigelegt ist, in die benachbarten Pixeln P', die nahe dem Durchgangsloch TH angeordnet sind, diffundiert.
  • Um einen Anzeigeflächenanteil des Anzeigebereichs AA in dem Maximalbereich sicherzustellen, ist es bevorzugt, dass der innere Damm DMI so angeordnet ist, dass er sehr nahe an dem Durchgangsloch TH liegt. Daher kann das Eindringen von Wasser durch den inneren Damm DMI mit der sich invers verjüngenden Form nicht vollständig abgeschirmt werden. In der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Graben TR ferner bereitgestellt, um Wasser, das durch die an der Seite des Durchgangslochs TH freiliegende Leuchtschicht EL gedrungen ist, unabhängig von der sich nach vorne verjüngenden Form oder der sich invers verjüngenden Form des inneren Damms DMI vollständig davor abzuschirmen, in die benachbarten Pixeln P' zu diffundieren.
  • Nachfolgend wird der Graben gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 5 genauer beschrieben. 5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die speziell einen Grabenabschnitt in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Unter Bezugnahme auf 5 hat der Graben TR eine Form einer geschlossenen Kurve, die der Form des Durchgangslochs TH entspricht. Wenn das Durchgangsloch TH beispielsweise eine Kreisform hat, kann der Graben TR eine Kreisform haben. Alternativ kann der Graben TR eine ovale Form haben, die das Durchgangsloch TH unabhängig von der Form des Durchgangslochs TH umgibt. Wenn bei einem anderen Beispiel das Durchgangsloch TH eine rechteckige Form, eine sechseckige Form oder eine achteckige Form hat, kann der Graben TR eine polygonale Form, eine Kreisform und eine ovale Form haben, die das Durchgangsloch TH umgibt. Im Folgenden wird der Einfachheit halber eine Beschreibung gegeben, die darauf basiert, dass das Durchgangsloch TH eine Kreisform hat und der Graben TR eine Kreisform hat, die das Durchgangsloch TH umgibt, und gleichzeitig einen konzentrischen Kreis mit dem Durchgangsloch TH aufweist.
  • Vorzugsweise ist der Graben TR zwischen dem inneren Damm DMI und dem Durchgangsloch TH angeordnet. In Anbetracht einer Querschnittsstruktur kann der Graben TR eine Vertiefung oder ausgesparte Form aufweisen, aus der Isolierfilme, die in der auf dem Pufferfilm BUF abgeschiedenen Pixelmatrixschicht 120 enthalten sind, bis zu einer bestimmten Breite entfernt sind. Genauer kann der Graben TR durch Ätzen des in der Pixelmatrixschicht 120 enthaltenen anorganischen Isolierfilms ausgebildet werden, nachdem die Pixelmatrixschicht 120 auf dem Substrat SUB ausgebildet ist, die Pixelansteuerelektrode AE abgeschieden ist und die Bank BN zum Definieren des Leuchtbereichs strukturiert ist.
  • Beispielsweise kann die Planarisierungsschicht PLN, nachdem der Dünnfilmtransistor T während des Prozesses des Bildens der Pixelmatrixschicht 120 und der Planarisierungsschicht PLN abgeschieden wurde, so strukturiert werden, dass die Planarisierungsschicht PLN aus einem bestimmten Bereich in der Nähe des Durchgangslochs TH entfernt werden kann. Zu diesem Zeitpunkt kann der Bereich, aus dem die Planarisierungsschicht PLN entfernt ist, eine Form einer geschlossenen Kurve aufweisen, die das Durchgangsloch TH umgibt.
  • Vorzugsweise wird der Graben TR ausgebildet, bevor die Leuchtdiode ED auf dem Bereich abgeschieden wird, aus dem die Planarisierungsschicht PLN entfernt ist. Beispielsweise wird der Graben TR zum Freilegen der oberen Oberfläche des zweiten Isolierfilms IL2 durch Entfernen des ersten Isolierfilms IL1, des zweiten Isolierfilms IL2 und des Gate-Isolierfilms Gl, die in der Dünnfilmtransistorschicht enthalten sind, gebildet.
  • Der Graben TR umfasst eine untere Oberfläche BS, eine obere Oberfläche US und eine Seitenwand SW, die die untere Oberfläche BS mit der oberen Oberfläche US verbindet. Die untere Oberfläche BS kann als eine Oberfläche des Substrats SUB oder des Pufferfilms BUF definiert sein, der durch Durchdringen des ersten Isolierfilms IL1, des zweiten Isolierfilms IL2 und des Gate-Isolierfilms GI freigelegt wird. Die obere Oberfläche US kann als eine Oberfläche des zweiten Isolierfilms IL2 in der Nähe des Grabens TR definiert sein. Die Seitenwand SW kann als eine innere Seitenwand des Grabens TR, der die untere Oberfläche BS mit der oberen Oberfläche US verbindet, definiert sein.
  • Die Seitenwand SW des Grabens TR weist eine Sägezahnoberfläche auf, die aufgrund eines Unterschieds in der Ätzrate während des Ätzprozesses der Dünnschichttransistoren mit unterschiedlichen Eigenschaften, insbesondere ihren jeweiligen Ätzverhältnissen in Bezug auf eine bestimmte Ätzlösung, ungleichmäßig ist. Wenn beispielsweise, wie es in 5 gezeigt ist, der Gate-Isolierfilm GI und der zweite Isolierfilm IL2 aus dem gleichen anorganischen Material bestehen und der erste Isolierfilm IL1 aus einem anderen anorganischen Material, insbesondere einem Material mit einer hohen Ätzrate in Bezug auf eine bestimmte Ätzlösung, besteht, kann eine Seitenwand des ersten Isolierfilms IL1 innerhalb des Grabens TR überätzt werden.
  • Nachdem der Graben TR mit einer Sägezahnform ausgebildet wurde, wird die Leuchtschicht EL abgeschieden. Die Leuchtschicht EL wird auf der unteren Oberfläche BS des Grabens TR und der oberen Oberfläche US des Grabens TR abgeschieden. Da die Seitenwand SW des Grabens TR eine Sägezahnoberfläche aufweist, ist die Leuchtschicht EL auf der Seitenwand SW des Grabens TR nicht durchgehend abgeschieden, sondern weist eine Unterbrechungsstruktur auf, wie sie in 5 gezeigt ist. Beispielsweise ist eine Blind-Leuchtschicht ELD, die durch Ablösen eines Rückstands der Leuchtschicht von der Leuchtschicht EL erhalten wird, auf der unteren Oberfläche BS des Grabens TR abgeschieden. Daher kann Wasser von der Diffusion in die benachbarten Pixel P', die in der Nähe des Durchgangslochs TH angeordnet sind, durch den Graben TR vollständig abgeschirmt werden, obwohl das Wasser in die Leuchtschicht EL eingedrungen ist, die an der Seite des Durchgangslochs TH freigelegt ist,.
  • Die gemeinsame Elektrode CE ist auf der Leuchtschicht EL abgeschieden. Die gemeinsame Elektrode CE ist auf der oberen Oberfläche US und der unteren Oberfläche BS des Grabens TR abgeschieden. Wie es der Fall sein kann, ist die gemeinsame Elektrode CE teilweise auf der Seitenwand SW des Grabens TR abgeschieden. Da die Seitenwand SW des Grabens TR jedoch eine Sägezahnoberfläche aufweist, bedeckt die gemeinsame Elektrode CE die Seitenwand SW nicht vollständig und hat die Form einer gemeinsamen Blind-Elektrode CED, die die Blind-Lichtemissionsschicht ELD bedeckt, die ein Rückstand der Leuchtschicht in dem Innenraum des Grabens TR ist.
  • Die Einkapselungsschicht 130 ist auf der gemeinsamen Elektrode CE abgeschieden. Insbesondere ist die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 der Einkapselungsschicht 130 zuerst abgeschieden. Die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 ist auf der oberen Oberfläche US und der unteren Oberfläche BS des Grabens TR abgeschieden. Die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 kann auch auf der Seitenwand SW des Grabens TR abgeschieden sein. Da die Blind-Leuchtschicht ELD und die gemeinsame Blind-Elektrode CED auf der unteren Oberfläche BS des Grabens TR abgeschieden sind, um die untere Oberfläche BS zu füllen, kann die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 eine Form aufweisen, um das Innere des Grabens Tr beinahe zu füllen.
  • Die organische Einkapselungsschicht PCL ist auf der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1 abgeschieden. Da die organische Einkapselungsschicht PCL auf einem Raum zwischen dem inneren Damm DMI und dem äußeren Damm DMO abgeschieden ist, ist die organische Einkapselungsschicht PCL nicht auf dem Graben TR abgeschieden.
  • Die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 ist auf der organischen Einkapselungsschicht PCL abgeschieden. Da die organische Einkapselungsschicht PCL nicht auf dem Graben TR abgeschieden ist, ist die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1 auf dem Graben TR in direktem Kontakt mit dem Graben TR abgeschieden. Die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 kann so abgeschieden sein, dass sie den Graben TR vollständig bedeckt.
  • Der Graben TR gemäß der vorliegenden Offenbarung kann eine Querschnittsform mit einer sich nach vorne verjüngenden Form oder einer sich invers verjüngenden Form aufweisen. Da die Seitenwand des Grabens TR eine Sägezahnform aufweist, ist die Leuchtschicht EL nicht durchgehend auf der Seitenwand SW abgeschieden. Daher muss der Graben TR keine sich invers verjüngende Querschnittsform aufweisen, um die Durchgängigkeit der Leuchtschicht EL zu unterbrechen. Die Sägezahnoberfläche der Seitenwand SW kann mit verschiedenen darauf abgeschiedenen Isolierschichten versehen werden, indem Materialien mit ihren jeweiligen Ätzraten jeweils für jede Isolierschicht als Ätzlösung gewählt werden.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 3 wird eine Struktur eines Endes HL des Durchgangslochs TH beschrieben. Das Ende HL des Durchgangslochs TH bezeichnet einen Rand, der eine Form des Durchgangslochs TH bestimmt. Der Ätzstopper ES, ein Ende TL einer ersten Dünnfilmschicht und ein Ende EPL einer zweiten Dünnfilmschicht sind zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und dem Graben TR angeordnet.
  • Die erste Dünnfilmschicht besteht aus anorganischen Dünnfilmschichten, die in der Dünnfilmtransistorschicht enthalten sind. Beispielsweise kann die erste Dünnfilmschicht einen Pufferfilm BUF, einen Gate-Isolierfilm GI, einen ersten Isolierfilm IL1 und einen zweiten Isolierfilm IL2 umfassen. Daher ist das Ende TL der ersten Dünnfilmschicht eine Grenzlinie, die definiert ist, um den Pufferfilm BUF, den Gate-Isolierfilm GI, den ersten Isolierfilm IL1 und den zweiten Isolierfilm IL2 von dem Durchgangsloch TH zu entfernen oder darin nicht zu bilden. Vorzugsweise ist das Ende TL der ersten Dünnfilmschicht zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und dem Graben TR definiert.
  • Der Ätzstopper ES ist zwischen dem Ende TL der ersten Dünnfilmschicht und dem Graben TR ausgebildet. Der Ätzstopper ES ist auf der Dünnschichttransistorschicht, insbesondere der oberen Oberfläche des zweiten Isolierfilms IL2, ausgebildet und weist vorzugsweise eine Ringform auf, die eine Form einer geschlossenen Kurve ist, die das Durchgangsloch TH umgibt. Der Ätzstopper ES ist mit einer bestimmten Breite zwischen dem Ende TL der ersten Dünnfilmschicht und dem Graben TR ausgebildet. Der Ätzstopper ES kann zusammen mit der Bildung der Planarisierungsschicht PLN, der Bank BN und/oder des Abstandshalters SP ausgebildet werden.
  • Das Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht ist auf der unteren Oberfläche des Ätzstoppers ES angeordnet. Die zweite Dünnfilmschicht besteht aus Dünnfilmschichten, die auf der Planarisierungsschicht PLN abgeschieden sind. Beispielsweise kann die zweite Dünnfilmschicht eine Leuchtschicht EL, eine gemeinsame Elektrode CE, eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS 1 und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 umfassen. Die erste Dünnfilmschicht weist Dünnfilme aus anorganischen Materialien auf, während die zweite Dünnfilmschicht eine Leuchtschicht EL aus einem organischen Material aufweist. Wenn die Leuchtschicht EL, die gemeinsame Elektrode CE, die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf dem Ätzstopper ES abgeschieden werden und dann durch einen Ätzprozess strukturiert werden, wird unter Verwendung des Ätzstoppers ES ein Ätzende festgelegt. Daher kann durch den Ätzstopper ES verhindert werden, dass die ersten Dünnfilmschichten, die unter dem Ätzstopper ES angeordnet sind, überätzt oder beschädigt werden.
  • Da die erste Dünnfilmschicht und die zweite Dünnfilmschicht jeweils basierend auf der Grenze des Ätzstoppers ES strukturiert sind, sin das Ende TL der ersten Dünnfilmschicht und das Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht an ihren jeweiligen voneinander unterschiedlichen Positionen angeordnet. Daher sind bei der abgeschiedenen Struktur der zweiten Dünnfilmschicht, des Ätzstoppers ES und der ersten Dünnfilmschicht drei Stufendifferenzabschnitte vorgesehen. Wenn bei dieser Struktur ein oberer Passivierungsfilm PAS abgeschieden wird, kann der obere Passivierungsfilm PAS, der auf den drei Stufendifferenzabschnitten abgeschieden ist, eine gleichmäßige Dicke ohne Abweichung über einen gesamten abgeschiedenen Bereich aufrechterhalten. Der obere Passivierungsfilm PAS ist ohne Dickenänderung oder -verlust auf einem Einzelschichtabschnitt der Leuchtschicht EL abgeschieden, wodurch das Eindringen von Wasser oder Sauerstoff wirksam blockiert werden kann.
  • Vorzugsweise ist ein Ende des oberen Passivierungsfilms PAS so ausgebildet, dass es mit dem Ende des Durchgangslochs TH übereinstimmt, um alle Enden der zwischen dem Durchgangsloch TH und dem Graben TR ausgebildeten Dünnfilmschichten, insbesondere das freiliegende Ende der Leuchtschicht EL, vollständig abzudecken. Im Einzelnen bedeckt der obere Passivierungsfilm PAS alle Enden der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht PAS2, der ersten anorganischen Einkapselungsschicht PAS1, der gemeinsamen Elektrode CE und der Leuchtschicht EL, die einige Abschnitte der oberen Oberfläche des Ätzstoppers ES bedecken, und den anderen Abschnitt des Ätzstoppers ES und reicht bis zu dem Ende HL des Durchgangslochs TH.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts, in dem ein Durchgangsloch in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist.
  • Unter Bezugnahme auf 6 hat die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Ausnahme einer Struktur zwischen dem Ätzstopper ES und dem Durchgangsloch TH beinahe eine gleiche Struktur wie die der ersten Ausführungsform. Daher wird eine Beschreibung der gleichen Elemente weggelassen oder eine Beschreibung basierend auf Hauptteilen gegeben. Da eine Struktur eines Abschnitts, in dem ein äußerer Damm DMO ausgebildet ist, die gleiche wie die der ersten Ausführungsform ist, kann sie auch ohne gesonderte Beschreibung unter Bezugnahme auf die erste Ausführungsform auf der Basis von 4 leicht verstanden werden.
  • Unter Bezugnahme auf 6 kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, einen Pufferfilm BUF, eine Pixelmatrixschicht 120, einen Abstandshalter SP, einen inneren Damm DMI, einen äußeren Damm DMO, eine Einkapselungsschicht 130, einen oberen Passivierungsfilm PAS, einen Ätzstopper ES und ein Durchgangsloch TH umfassen.
  • Nachfolgend wird eine wiederholte Beschreibung von Elementen, die denen der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gleichen oder ähneln, in der Beschreibung der zweiten Ausführungsform weggelassen. Eine Beschreibung der zweiten Ausführungsform wird basierend auf einer Endstruktur des Durchgangslochs TH gegeben, die ein charakteristischer Abschnitt ist, der sich von der ersten Ausführungsform unterscheidet.
  • Ein Ende HL des Durchgangslochs TH bezeichnet einen Rand, der eine Form des Durchgangslochs TH bestimmt. Der Ätzstopper ES, ein Ende TL1 einer unteren Dünnfilmschicht und ein Ende TL2 einer oberen Dünnfilmschicht, die eine erste Dünnfilmschicht bilden, und ein Ende EPL einer zweiten Dünnfilmschicht sind zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und einem Graben TR angeordnet.
  • Die erste Dünnfilmschicht besteht aus anorganischen Dünnfilmschichten, die in einer Dünnfilmtransistorschicht enthalten sind. Beispielsweise kann die erste Dünnfilmschicht einen Pufferfilm BUF, einen Gate-Isolierfilm GI, einen ersten Isolierfilm IL1 und einen zweiten Isolierfilm IL2 umfassen. Insbesondere kann die erste Dünnfilmschicht eine untere Dünnfilmschicht und eine obere Dünnfilmschicht umfassen. Beispielsweise kann die untere Dünnfilmschicht aus einem Pufferfilm BUF und einem Gate-Isolierfilm GI bestehen und die obere Dünnfilmschicht kann aus einem ersten Isolierfilm IL1 und einem zweiten Isolierfilm IL2 bestehen. Daher ist das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht eine Grenzlinie, die definiert ist, um den Pufferfilm BUF und den Gate-Isolierfilm GI von dem Durchgangsloch TH zu entfernen oder darin nicht zu bilden. Ebenso ist das Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht eine Grenzlinie, die definiert ist, um den ersten Isolierfilm IL1 und den zweiten Isolierfilm IL2 von dem Durchgangsloch TH zu entfernen oder darin nicht zu bilden.
  • Das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht kann an einer Position zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und dem Graben TR definiert sein, die dem Durchgangsloch TH am nächsten liegt. Unterdessen kann das Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht zwischen dem Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht und dem Graben TR definiert sein. Das heißt, die obere Dünnfilmschicht und die untere Dünnfilmschicht können an dem Abschnitt des Durchgangslochs TH eine Stufenform aufweisen.
  • Der Ätzstopper ES ist zwischen dem Ende TL der ersten Dünnfilmschicht und dem Graben TR ausgebildet. Der Ätzstopper ES ist auf der oberen Dünnfilmschicht, insbesondere der oberen Oberfläche des zweiten Isolierfilms IL2, ausgebildet und weist vorzugsweise eine Ringform auf, die eine Form einer geschlossenen Kurve ist, die das Durchgangsloch TH umgibt. Der Ätzstopper ES ist mit einer bestimmten Breite zwischen dem Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht und dem Graben TR ausgebildet. Der Ätzstopper ES kann zusammen mit der Bildung der Planarisierungsschicht PLN, der Bank BN oder des Abstandshalters SP ausgebildet werden.
  • Das Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht ist auf der oberen Oberfläche des Ätzstoppers ES angeordnet. Die zweite Dünnfilmschicht besteht aus Dünnfilmschichten, die auf der Planarisierungsschicht PLN abgeschieden sind. Beispielsweise kann die zweite Dünnfilmschicht eine Leuchtschicht EL, eine gemeinsame Elektrode CE, eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS 1 und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 umfassen. Die obere Dünnfilmschicht und die untere Dünnfilmschicht weisen Dünnfilme aus anorganischen Materialien auf, während die zweite Dünnfilmschicht eine Leuchtschicht EL aus einem organischen Material aufweist. Wenn die Leuchtschicht EL, die gemeinsame Elektrode CE, die erste anorganische Einkapselungsschicht PAS 1 und die zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 auf dem Ätzstopper ES abgeschieden werden und dann durch einen Ätzprozess strukturiert werden, wird unter Verwendung des Ätzstoppers ES ein Ätzende festgelegt. Daher kann durch den Ätzstopper ES verhindert werden, dass die obere Dünnfilmschicht und/oder die untere Dünnfilmschicht, die unter dem Ätzstopper ES angeordnet sind, überätzt oder beschädigt wird.
  • Da die obere Dünnfilmschicht und die zweite Dünnfilmschicht jeweils basierend auf der Grenze des Ätzstoppers ES strukturiert sind, sind also das Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht und das Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht an ihren jeweiligen voneinander verschiedenen Positionen angeordnet. Daher sind in der abgeschiedenen Struktur aus der zweiten Dünnfilmschicht, dem Ätzstopper ES, der oberen Dünnfilmschicht und der unteren Dünnfilmschicht vier Stufendifferenzabschnitte vorgesehen. Wenn bei dieser Struktur ein oberer Passivierungsfilm PAS abgeschieden wird, kann der obere Passivierungsfilm PAS, der auf den vier Stufendifferenzabschnitten abgeschieden ist, ohne Abweichung eine gleichmäßige Dicke über einen gesamten abgeschiedenen Bereich aufrechterhalten. Der obere Passivierungsfilm PAS wird ohne Dickenänderung oder -verlust auf einem Einzelschichtabschnitt der Leuchtschicht EL abgeschieden, wodurch das Eindringen von Wasser oder Sauerstoff wirksam blockiert werden kann.
  • Der obere Passivierungsfilm PAS ist auf der Einkapselungsschicht 130 abgeschieden und reicht vorzugsweise bis zu dem Ende des Durchgangslochs TH, um Schnitte der Dünnfilmschichten vollständig abzudecken. Im Einzelnen ist das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht zwischen dem Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht und dem Ende HL des Durchgangslochs TH angeordnet. Das Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht ist zwischen dem Ende EPL der zweiten Dünnfilmschicht und dem Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht angeordnet. Daher bedeckt der obere Passivierungsfilm PAS das Ende TL2 der oberen Dünnfilmschicht.
  • Zudem ist in 6 das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht so angeordnet, dass es weiter innen ist als das Ende HL des Durchgangslochs TH. In diesem Fall bedeckt der obere Passivierungsfilm PAS das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht und ist so ausgebildet, dass er zu dem Ende HL des Durchgangslochs TH passt. Ohne Einschränkung auf dieses Beispiel kann jedoch das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht so ausgebildet sein, dass es zu dem Ende HL des Durchgangslochs TH passt. In diesem Fall kann der obere Passivierungsfilm PAS so ausgebildet sein, dass das Ende TL1 der unteren Dünnfilmschicht zu dem Ende HL des Durchgangslochs TH passen kann.
  • Wie es oben beschrieben ist, ist dann, wenn die Dünnfilme an dem Grenzabschnitt des Durchgangslochs TH eine Stufenform von mehreren Schichten aufweisen, die Kohäsion der Dünnfilme erhöht, wodurch keine Schichtentrennung entsteht. Daher weist bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten und zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Durchgangsloch TH eine Struktur zum Verhindern des Auftretens von Schäden und zum Abschirmen gegen das Eindringen von Wasser und Sauerstoff auf.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1, die eine Struktur eines Abschnitts zeigt, in dem ein Durchgangsloch in einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet ist. Bei einer Struktur der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die meisten Elemente die gleichen wie die der ersten und zweiten Ausführungsform, mit Ausnahme einer Struktur zwischen dem Graben TR und dem Durchgangsloch TH. Daher wird eine Beschreibung basierend auf einem unterschiedlichen Teil gegeben.
  • Unter Bezugnahme auf 7 bezeichnet ein Ende HL des Durchgangslochs TH einen Rand, der eine Form des Durchgangslochs TH bestimmt. Ein Ende TL einer Dünnfilmschicht ist zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und dem Graben TR angeordnet. In diesem Fall besteht die Dünnfilmschicht aus Dünnfilmen, die auf einer Dünnfilmtransistorschicht und einer Bank BN abgeschieden sind. Beispielsweise umfasst die Dünnfilmschicht einen Pufferfilm BUF, einen Gate-Isolierfilm GI und einen Zwischenschicht-Dielektrikumfilm (ILD-Film) und umfasst eine Leuchtschicht EL, eine gemeinsame Elektrode CE, eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2, die auf der Planarisierungsschicht PLN abgeschieden sind.
  • Das Ende TL der Dünnfilmschicht ist eine Grenzlinie, die definiert ist, um den Pufferfilm BUF und den Gate-Isolierfilm GI von dem Durchgangsloch TH zu entfernen oder darin nicht zu bilden. Das Ende TL der Dünnfilmschicht kann zwischen dem Ende HL des Durchgangslochs TH und dem Graben TR definiert sein.
  • Ein Einzelschichtabschnitt der Dünnfilmschichten ist an dem Ende TL der Dünnfilmschicht freigelegt. Insbesondere ist der Abschnitt der Leuchtschicht EL freigelegt. Ein oberer Passivierungsfilm PAS ist abgeschieden, um zu verhindern, dass Wasser und/oder Sauerstoff durch den Abschnitt der Leuchtschicht EL dringen. Vorzugsweise ist der obere Passivierungsfilm PAS ein anorganischer Materialfilm, der auf der Einkapselungsschicht 130 abgeschieden ist. Beispielsweise kann das Ende TL der Dünnfilmschicht, die einen Gate-Isolierfilm GI, einen Zwischenschicht-Dielektrikumfilm (ILD-Film), eine Leuchtschicht EL, eine erste anorganische Einkapselungsschicht PAS1 und eine zweite anorganische Einkapselungsschicht PAS2 umfasst, so ausgebildet sein, dass es in einem bestimmten Abstand weit von dem Ende HL des Durchgangslochs TH entfernt ist. Es ist bevorzugt, dass der obere Passivierungsfilm PAS auf der Einkapselungsschicht 130 so ausgebildet ist, dass er eine Einzelschichtfläche bedeckt, die das Ende TL der Dünnfilmschicht bildet. Vorzugsweise passt das Ende des oberen Passivierungsfilms PAS zu dem Ende des Durchgangslochs TH.
  • Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist das Durchgangsloch TH innerhalb des Anzeigebereichs AA bereitgestellt. Insbesondere ist ein innerer Damm DMI nahe dem Durchgangsloch TH so bereitgestellt, dass die Enden der anorganischen Leuchtschichten und der Leuchtschicht an dem Ende des Durchgangslochs TH freigelegt sind. Um zu verhindern, dass bis zu dem Ende der Leuchtschicht eingedrungenes Wasser in das Pixel P diffundiert, ist der Graben TR zum Unterbrechen der Leuchtschicht EL zwischen dem Durchgangsloch TH und dem inneren Damm DMI angeordnet. Zudem ist der Abschnitt der Leuchtschicht EL, der an dem Ende TL der Dünnfilmschicht freigelegt ist, die die Leuchtschicht EL umfasst, das weiter innen als das Ende HL des Durchgangslochs TH definiert ist, von dem oberen Passivierungsfilm PAS bedeckt, um das Eindringen von Wasser zu verhindern und abzuschirmen.
  • Der an dem Ende TL der Dünnfilmschicht gebildete Einzelschichtabschnitt ist jedoch ein Abschnitt, in dem mehrere Dünnfilmschichten kontinuierlich abgeschieden sind und der einen Gradienten aufweisen, der sehr steil ist. In diesem Zustand kann, wenn der obere Passivierungsfilm PAS abgeschieden wird, der obere Passivierungsfilm PAS auf einer geneigten Oberfläche sehr dünn abgeschieden werden oder es kann ein teilweiser Defekt auftreten. Da Wasser oder Sauerstoff in den Defektabschnitt eindringen können, ist es bevorzugt, dass der obere Passivierungsfilm PAS dick abgeschieden werden kann oder eine abgeschiedene Struktur mit einer Doppel- oder Dreifachschicht aufweist.
  • Bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gibt es keinen Ätzstopper ES, da das Ende TL der Dünnfilmschicht in einer Position festgelegt ist. Daher ist sie insofern vorteilhafter als die erste und zweite Ausführungsform, als ein Grenzabschnitt des Durchgangslochs TH minimiert werden kann. Unterdessen sind in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der ersten und zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Enden der Dünnfilmschichten aufgrund des Ätzstoppers ES so angeordnet, dass sie in einem bestimmten Abstand voneinander beabstandet sind, ohne sich gegenseitig zu überlappen, wodurch die Dicke des oberen Passivierungsfilms PAS gleichmäßig gehalten werden kann.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß den bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann auf verschiedene Produkte wie einen Fernseher, einen Notebook-Computer, einen Monitor, einen Kühlschrank, einen Mikrowellenherd, eine Waschmaschine und eine Kamera sowie tragbare elektronische Vorrichtungen wie ein elektronisches Tagebuch, ein elektronisches Buch, einen PMP (tragbaren Multimedia-Spieler), einen Navigator, einen UMPC (Ultramobilen PC), ein Smartphone, ein mobiles Kommunikationsendgerät, ein Mobiltelefon, einen Tablet-PC, eine Smartwatch, ein Uhrentelefon und eine am Körper tragbare Vorrichtung angewendet werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020180173299 [0001]

Claims (15)

  1. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (SUB), das einen Anzeigebereich (AA) und einen Nichtanzeigebereich (IA), der nahe dem Anzeigebereich (AA) angeordnet ist, aufweist; eine Leuchtdiode (ED) in dem Anzeigebereich (AA); eine Einkapselungsschicht (130) auf der Leuchtdiode (ED); ein Durchgangsloch (TH), das innerhalb des Anzeigebereichs (AA) angeordnet ist, um das Substrat (SUB) zu durchdringen; einen inneren Damm (DMI), der das Durchgangsloch (TH) umgibt; einen Graben (TR), der zwischen dem inneren Damm (DMI) und dem Durchgangsloch (TH) angeordnet ist; und einen Ätzstopper (ES), der zwischen dem Graben (TR) und dem Durchgangsloch (TH) angeordnet ist.
  2. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine Isolierschicht umfasst, auf der der Ätzstopper (ES) angeordnet ist, wobei die Isolierschicht auf dem Anzeigebereich (AA) angeordnet ist und mit Ausnahme des Durchgangslochs (TH) unter dem inneren Damm (DMI) und dem Graben (TR) verläuft.
  3. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, die ferner einen oberen Passivierungsfilm (PAS), der auf dem Anzeigebereich (AA) angeordnet ist und den inneren Damm (DMI), den Graben (TR) und eine obere Oberfläche des Ätzstoppers (ES) bedeckt, umfasst.
  4. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Anzeigebereich (AA) Pixel (P) umfasst, die die Leuchtdiode (ED) zum Ausdrücken von Bildinformationen und ein Ansteuerelement zum Ansteuern der Leuchtdiode (ED) aufweisen, wobei die Pixel (P) in einer Matrixanordnung angeordnet sind, und wobei das Durchgangsloch (TH) ein Bereich ist, in dem das Substrat (SUB), die Leuchtdiode (ED) und das Ansteuerelement nicht bereitgestellt sind.
  5. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Graben (TR) einen ausgesparten Abschnitt aufweist, der so ausgespart ist, dass er eine obere Oberfläche des Substrats (SUB) zwischen dem Durchgangsloch (TH) und dem inneren Damm erreicht.
  6. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Graben (TR) umfasst: eine untere Oberfläche (BS), die durch die obere Oberfläche des Substrats (SUB) definiert ist, die durch den ausgesparten Abschnitt des Grabens (TR) freigelegt ist; eine obere Oberfläche (US), die auf der obersten Oberfläche in der Nähe des ausgesparten Abschnitts des Grabens (TR) definiert ist; und eine Seitenwand (SW), die die untere Oberfläche (BS) des Grabens (TR) mit der oberen Oberfläche (US) des Grabens (TR) verbindet, und wobei die Leuchtdiode (ED) eine Blind-Leuchtschicht (ELD) umfasst und die Blind-Leuchtschicht (ELD) der Leuchtdiode (ED) auf der unteren Oberfläche (BS) des Grabens (TR) angeordnet ist.
  7. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Leuchtschicht (EL) auf der oberen Oberfläche (US) des Grabens (TR) angeordnet ist.
  8. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, wobei eine gemeinsame Blind-Elektrode (CED) auf der Blind-Leuchtschicht (ELD) angeordnet ist und mit der Seitenwand (SW) des Grabens (TR) in Kontakt kommt.
  9. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die Seitenwand des Grabens (TR) aufgrund eines Unterschieds in der Ätzrate von Dünnfilmschichten, die an der Seitenwand (SW) des Grabens (TR) freigelegt sind, eine Sägezahnform aufweist.
  10. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die Isolierschicht einen ersten Isolierfilm (IL1) und einen zweiten Isolierfilm (IL2) umfasst, und wobei ein Intervall zwischen der durch den ersten Isolierfilm (IL1) definierten Seitenwand (SW) größer ist als ein Intervall zwischen der durch den zweiten Isolierfilm (IL2) definierten Seitenwand (SW).
  11. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, die ferner eine Dünnfilmschicht umfasst, die den inneren Damm (DMI) und den Graben (TR) in dem Anzeigebereich (AA) bedeckt.
  12. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Einkapselungsschicht (130) eine erste anorganische Einkapselungsschicht (PAS1), eine zweite anorganische Einkapselungsschicht (PAS2) und eine organische Einkapselungsschicht, die zwischen der ersten anorganischen Einkapselungsschicht (PAS1) und der zweiten anorganischen Einkapselungsschicht (PAS2) angeordnet ist, umfasst.
  13. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Dünnfilmschicht die erste anorganische Einkapselungsschicht (PAS1) und die zweite anorganische Einkapselungsschicht (PAS2) umfasst.
  14. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Dünnfilmschicht ferner eine Leuchtschicht der Leuchtdiode (ED) umfasst.
  15. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei ein Ende der Isolierschicht zwischen einem Ende der Dünnfilmschicht und einem Ende des Durchgangslochs (TH) angeordnet ist.
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