CN111584725A - Oled的面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED的面板及其制造方法，所述OLED的面板供设置在一摄像头上方，所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上；其中，在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除而形成有一中空部，藉此减薄在摄像头上方的阴极的厚度，以提高光线的透过率，进而提升拍照质量。

Description

OLED的面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED的面板及其制造方法。
背景技术
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，包括有机发光显示装置(OLED,Organic Light Emitting Display)。
OLED具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，已开始逐渐取代传统液晶显示装置，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。0LED显示技术无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层及玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。
随着技术的发展，各大面板厂商均正在尝试使用屏下摄像头的技术来提屏幕的高屏占比。所谓屏下摄像头是将前置的摄像头“埋进”手机屏幕下方，因此，不需要特别在屏幕上为摄像头专门预留位置，而提升屏占比。然而，相较于打孔、盲孔，屏下摄像头更需要解决透光率问题。
故，有必要提供一种OLED的面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED的面板及其制造方法，通过减薄在摄像头上方阴极的厚度，以提高光线的透过率，进而保障拍照质量。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种OLED的面板，供设置在一摄像头上方，所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上；其中，在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除而形成有一中空部。
根据本发明一实施例，更包含一TFE结构，形成在所述CPL层及所述高N值无机盐层的表面。
根据本发明一实施例，所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。
根据本发明一实施例，所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。
本发明还提供一种OLED的面板的制造方法，所述OLED的面板供设置在一摄像头上方，所述制造方法包含以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上由下至上依序形成一发光层及一阴极；
在所述发光层及所述阴极表面形成一高N值无机盐层；
在对应所述摄像头的位置处，移除所述阴极上方的部分的所述高N值无机盐层，以暴露部分的所述阴极；
移除部分的所述经暴露的阴极；以及
形成一CPL层在所述高N值无机盐层上。
根据本发明一实施例，所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。
根据本发明一实施例，所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。
根据本发明一实施例，在所述移除部分的所述经暴露的阴极的步骤中，通过干蚀刻以移除所述部分的所述经暴露的阴极。
根据本发明一实施例，在所述发光层及所述阴极表面形成所述高N值无机盐层的步骤中，通过化学气相沉积以形成所述高N值无机盐层。
根据本发明一实施例，在形成所述CPL层在所述阴极上的步骤之后，还包含形成一TFE结构在所述CPL层及所述高N值无机盐层的表面。
本发明的有益效果为：通过所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上，其中在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除所形成的一中空部，而减薄在摄像头上方的阴极的厚度，以提高光线的透过率，进而提升拍照质量。
附图说明
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
图1是本发明的实施例的OLED的面板的示意图。
图2是本发明的OLED的面板的制造方法的第一步骤示意图。
图3是本发明的OLED的面板的制造方法的第二步骤示意图。
图4是本发明的OLED的面板的制造方法的第三步骤示意图。
图5是本发明的OLED的面板的制造方法的第四步骤示意图。
图6是本发明的OLED的面板的制造方法的第五步骤示意图。
图7是本发明的OLED的面板的制造方法的第六步骤示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1，根据本发明的实施例的一种OLED的面板100，供设置在一摄像头C上方，所述OLED的面板100由上至下依序包含：一基板1；一发光层2，设置在所述基板1上；一阴极3，设置在所述发光层2上；一高N值无机盐层4，设置在所述阴极3及所述发光层2的表面；一CPL层5，即光提取层，设置在所述高N值无机盐层4上；以及一TFE结构6，形成在所述CPL层5及所述高N值无机盐层4的表面；其中，在对应所述摄像头C上方位置处的所述面板100的所述高N值无机盐层4的整个厚度及所述阴极3的部分厚度经移除而形成有一中空部H。可选地，在本实施例中，所述中空部H为一个。然而，本发明不以此为限。在其他实施方式中，所述中空部H的数量可对应摄像头的数量而作增减，进而改善拍照图片的质量，以及提高摄像的范围。
优选地，所述高N值无机盐层4的材料选自于二氧化硅，具有硬度较大、耐磨损的特性，用以保护所述发光层2及所述阴极3。
优选地，所述CPL层5的材料选自于一高N值材料，即高折射率(2.0～2.5)的材料，可改善出光。优选地，在本实施例中，所述CPL层5的材料选自于高N值无机材料。
请参照图2至图7，是本发明的OLED的面板100的制造方法的各个步骤的结构示意图，所述OLED的面板100供设置在一摄像头C上方(如图1)，本发明的一种OLED的面板的制造方法包含以下步骤：
提供一基板1，并在所述基板1上由下至上依序形成一发光层2及一阴极3(图2)。
在所述发光层2及所述阴极3表面形成一高N值无机盐层4，藉由其硬度较大、耐磨损的特性，以保护所述发光层2及所述阴极3。在本实施例中，所述高N值无机盐层4形成在所述发光层2及所述阴极3的上表面及侧面。此外，在对应所述摄像头C的位置处(参照第1图)，移除所述阴极3上方部分的所述高N值无机盐层4，以暴露部分的所述阴极3(图3)。优选地，所述高N值无机盐层4的材料选自于二氧化硅。
以蚀刻的方式，移除部分的所述经暴露的阴极3(图4及图5)，以使所述阴极3减薄。优选地，在本实施例中，通过干刻方式移除部分的所述阴极3。
通过化学气相沉积形成一CPL层5，即光提取层在所述高N值无机盐层4上(图6)，以改善出光，且被移除所述高N值无机盐层4及所述阴极3的区域形成有一中空部H。优选地，所述CPL层5的材料选自于一高N值材料，即高折射率(2.0至2.5)的材料，可改善出光效率。优选地，在本实施例中，所述CPL层5的材料选自于高N值无机材料。
最后，形成一薄膜封装(thin film encapsulation,TFE)结构6在所述CPL层5及所述高N值无机盐层4的表面(图7)，以保护整体结构。一般而言，TFE结构由两层或以上的多层薄膜堆迭结构形成，包括无机薄膜层及平坦化层，可通过蒸镀、丝网印刷、喷墨打印等方式来形成。
据此，本发明的OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上，其中在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除所形成的一中空部，藉此减薄在摄像头上方的阴极的厚度，以提高光线的透过率，进而提升拍照质量。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例幷非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种OLED的面板，供设置在一摄像头上方，其特征在于，所述OLED的面板由上至下依序包含：
一基板；
一发光层，设置在所述基板上；
一阴极，设置在所述发光层上；
一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及
一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上，
其中，在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除而形成有一中空部。
2.如权利要求1所述的面板，其特征在于：更包含一TFE结构，形成在所述CPL层及所述高N值无机盐层的表面。
3.如权利要求1所述的面板，其特征在于：所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。
4.如权利要求1所述的面板，其特征在于：所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。
5.一种如权利要求1的OLED的面板的制造方法，所述OLED的面板供设置在一摄像头上方，其特征在于：所述制造方法包含以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上由下至上依序形成一发光层及一阴极；
在所述发光层及所述阴极表面形成一高N值无机盐层；
在对应所述摄像头的位置处，移除所述阴极上方的部分的所述高N值无机盐层，以暴露部分的所述阴极；
移除部分的所述经暴露的阴极；以及
形成一CPL层在所述高N值无机盐层上。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在所述移除部分的所述经暴露的阴极的步骤中，通过干蚀刻以移除所述部分的所述经暴露的阴极。
9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在所述发光层及所述阴极表面形成所述高N值无机盐层的步骤中，通过化学气相沉积以形成所述高N值无机盐层。
10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在形成所述CPL层在所述阴极上的步骤之后，还包含形成一TFE结构在所述CPL层及所述高N值无机盐层的表面。
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