CN106783924B - 一种oled显示面板及其制作方法 - Google Patents

一种oled显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106783924B
CN106783924B CN201611225242.6A CN201611225242A CN106783924B CN 106783924 B CN106783924 B CN 106783924B CN 201611225242 A CN201611225242 A CN 201611225242A CN 106783924 B CN106783924 B CN 106783924B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panel
oled display
pixel
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611225242.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106783924A (zh
Inventor
陈亚文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201611225242.6A priority Critical patent/CN106783924B/zh
Publication of CN106783924A publication Critical patent/CN106783924A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106783924B publication Critical patent/CN106783924B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上的发光层、共用功能层、顶电极及TCGDB层，其中所述像素bank层的tape角大于60°，所述TCGDB层采用ALD工艺制作而成。本发明采用大角度tape角像素bank，并结合ALD工艺制作的TCGDB层，不仅可以减小甚至消除器件的横向漏电流，提高面板的对比度以及显示效果；同时由于TCGDB良好导电性，可作为辅助电极提高顶电极的导电性，进而提高面板的发光均匀性，以及TCGDB层可作为一无机水氧阻挡层提高整个面板的稳定性。

Description

一种OLED显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
随着显示面板朝着轻薄、低能耗、便携带的趋势发展，以有机电致发光二极管（OLED）为代表的新一代显示技术受到了越来越广泛的关注。相比于LCD显示技术，OLED具有轻薄、低功耗、低驱动电压、更良好的视角和对比度、以及更快的响应速度等优点。
目前OLED显示面板实现全彩显示的主流方法为：WOLED+CF（带彩色滤光片的白光OLED）或FMM（精密金属掩膜版）或IJP RGB，无论哪种方法，所制备的OLED元器件中都有共用功能层，由于共用功能层一般为电荷传输层，当OLED元器件工作时，由于各个元器件的共用功能层是相连的，共用功能层的良好电荷传输性能，可能引起横向漏电流，进而影响整个显示面板的显示对比度以及显示效果。此外，目前常用的像素bank结构如图1所示，其中1为基板、2为像素电极、3为像素bank、4为发光层、5为共用功能层、6为顶电极，为了保证顶电极具有良好均匀的导电性，一般像素bank采用小角度tape角（倾斜角），防止tape角因过大导致斜面处的顶电极过薄，从而导致断路以及导电均匀性不佳的问题，然而小角度tape角由于角度延伸会降低整个显示面板的开口率。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种OLED显示面板及其制作方法，旨在解决现有小角度tape角由于角度延伸降低整个显示面板的开口率的问题。
本发明的技术方案如下：
一种OLED显示面板，其中，所述OLED显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上的发光层、共用功能层、顶电极及TCGDB层（透明导电气体扩散阻隔层）；其中所述像素bank层的tape角大于60°，所述TCGDB层采用ALD工艺制作而成。
所述的OLED显示面板，其中，所述基板为玻璃基板或柔性基板。
所述的OLED显示面板，其中，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。
所述的OLED显示面板，其中，所述像素bank层的材料为负性光阻材料或正性光阻材料，所述像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。
所述的OLED显示面板，其中，所述发光层为有机发光层，所述有机发光层包括聚合物发光层、小分子发光层、掺杂型发光层中的一层或多层。
所述的OLED显示面板，其中，所述共用功能层为激子阻挡层、电荷阻挡层、电荷传输层、电荷注入层中的一层或多层。
所述的OLED显示面板，其中，所述顶电极为反射电极或透明电极。
所述的OLED显示面板，其中，所述反射电极的材料为Al或Ag，所述透明电极的材料为ITO、IZO、石墨烯或导电聚合物。
所述的OLED显示面板，其中，所述TCGDB层的材料为透明导电金属氧化物。
一种如上任一所述的OLED显示面板的制作方法，其中，包括：
步骤A、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
步骤B、在像素电极周边区域制作像素bank层，其中所述像素bank层的tape角大于60°；
步骤C、在像素电极上制作发光层；
步骤D、在发光层上依次制作共用功能层和顶电极；
步骤E、采用ALD工艺在顶电极上制作TCGDB层，完成OLED显示面板的制作。
有益效果：本发明通过采用大角度tape角的像素bank，并结合顶电极上ALD工艺沉积的TCGDB层，不仅可以有效减小甚至消除器件的横向漏电流，同时由于TCGDB良好的导电性，可以作为辅助电极提高顶电极的导电性，以及由于TCGDB良好的水氧阻挡性，可以作为一层无机水氧阻挡层提高整个面板的稳定性；此外，由于采用大角度tape角的像素bank，还能在一定程度上提高整个显示面板的开口率。
附图说明
图1为现有OLED显示面板的截面示意图。
图2为本发明一种OLED显示面板较佳实施例的截面示意图。
图3为本发明一种OLED显示面板的制作方法较佳实施例的流程图。
图4为图3中经步骤S200后得到的OLED显示面板截面示意图。
图5为图3中经步骤S300后得到的OLED显示面板截面示意图。
图6为图3中经步骤S400和步骤S500后得到的OLED显示面板截面示意图。
具体实施方式
本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明的一种OLED显示面板较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述OLED显示面板从下而上依次包括基板7、位于基板像素电极图案区的像素电极8、像素电极周边区域的像素bank层9、像素电极上的发光层10、共用功能层11、顶电极12及TCGDB层13，其中所述像素bank层9的tape角大于60°，所述TCGDB层采用ALD工艺制作而成。
本发明采用大角度tape角像素bank，甚至倒角状像素bank，这样在制作OLED器件的共用功能层以及顶电极时时，共用功能层以及顶电极（常规蒸镀工艺，台阶覆盖性差）在像素发光区以及像素bank顶部由于大角度tape角导致像素bank斜坡处的薄膜很薄甚至断裂，从而减小甚至消除器件的横向漏电流。进一步地，通过在顶电极上采用ALD工艺沉积一层TCGDB（透明导电气体扩散阻隔层），由于ALD工艺具有良好的台阶覆盖性，因此可以将像素发光区和像素bank顶部的顶电极相连，同时由于TCGDB具有良好的导电性，还能作为辅助电极增加顶电极的导电性，进而提高整个面板的发光均匀性。此外，由于采用大角度tape角的像素bank，还能在一定程度上提高整个显示面板的开口率。
具体地，本发明所述基板可以为玻璃基板或柔性基板，所述基板上具有像素电极图案，所述像素电极图案区用于制作像素电极，当OLED显示面板为PM面板（无源面板）时，其不具有驱动TFT阵列，当OLED显示面板为AM面板（有源面板）时，基板上具有驱动TFT阵列。
具体地，本发明所述像素电极为导电膜层，当OLED显示面板为底发射型面板时，该导电膜层为透明导电膜层，其可选用ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导电有机导电材料；当OLED显示面板为顶发射型面板时，该导电膜层为反光导电膜层，其可选用Al或Ag等高导电金属薄膜。
具体地，本发明所述像素电极周边区域的像素bank层可以为本领域常规材料制备而成，如常规的负性光阻材料或正性光阻材料，其中像素bank层的tape角为大角度tape角，优选的tape角大于60°，甚至tape角可以为倒角，即大于90°，像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。
具体地，本发明所述发光层可以为有机发光层，所述有机发光层包括聚合物发光层、小分子发光层、掺杂型发光层中的一层或多层。根据器件结构的优化，所述发光层还可以包括电荷注入层、电荷传输层、电荷阻挡层以及激子阻挡层中的一层或多层功能层，其中的电荷注入层、电荷传输层、电荷阻挡层以及激子阻挡层位于有机发光层与像素电极之间。且根据OLED器件所采用的结构，即正装结构或倒置结构，功能层各不一样，当OLED器件采用正装结构时，各功能层分别为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层；当OLED器件采用倒置结构时，各功能层分别为电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。
具体地，本发明所述共用功能层为OLED显示面板中所有发光像素单元的共用功能层，其包括激子阻挡层、电荷阻挡层、电荷传输层、电荷注入层中的一层或多层；根据OLED器件所采用的结构的不同，共用功能层的功能各不一样，当OLED器件采用正装结构时，共用功能层为激子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的一层或多层；当OLED器件采用倒置结构时，共用功能层为激子阻挡层、电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层中的一层或多层。
具体地，本发明所述顶电极根据OLED显示面板的出光类型可以为反射电极（底发射型）或透明电极（顶发射型），所述反射电极的材料可以为Al或Ag等高导电金属薄膜，所述透明电极的材料可以为ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导有机导电材料。
具体地，本发明所述TCGDB的材料为透明导电气体扩散阻挡层，其可以为ITO、IZO等透明导电金属氧化物，本发明TCGDB薄膜致密平整，从而保证导电性的同时，有效阻挡水氧等其他的扩散。
基于上述OLED显示面板，本发明还提供一种如上任一所述的OLED显示面板的制备方法较佳实施例的流程图，如图3所示，包括：
步骤S100、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
具体地，在制作像素电极之前，本发明先将该基板进行清洗、干燥。然后在基板的像素电极图案区制作像素电极。
步骤S200、在像素电极周边区域制作像素bank层，其中所述像素bank层的tape角大于60°，如图4所示，图4中14为基板、15为像素电极、16为像素bank层；
步骤S300、在像素电极上制作发光层，如图5所示，像素电极15上制作的发光层17；
本发明所述发光层可采用蒸镀或印刷工艺制备得到。
步骤S400、在发光层上依次制作共用功能层和顶电极，如图6所示，在发光层17上依次制作的共用功能层18和顶电极19；
步骤S500、采用ALD工艺在顶电极上制作TCGDB层，完成OLED显示面板的制作，如图6所示，在顶电极19上制作的TCGDB层20。
本发明所述共用功能层可采用蒸镀工艺制备得到。所述TCGDB层采用ALD工艺沉积得到。这是由于ALD工艺沉积的TCGDB层具有良好的台阶覆盖性，即在器件凹坑的纵向位置有一TCGDB层，将像素发光区和像素bank顶部的顶电极相连；另外，采用ALD工艺沉积能够形成致密平整的薄膜，从而保证导电性的同时，有效阻挡水氧等其他的扩散。
本发明在完成上述OLED显示面板的制作后，将OLED显示面板进行封装。封装的方法可以为手动封装或机器封装。
综上所述，本发明提供的一种OLED显示面板及其制作方法，本发明通过采用大角度tape角的像素bank，并结合顶电极上沉积的TCGDB层，不仅可以有效减小甚至消除器件的横向漏电流，同时由于TCGDB良好的导电性，可以作为辅助电极提高顶电极的导电性，以及由于TCGDB良好的水氧阻挡性，可以作为一层无机水氧阻挡层提高整个面板的稳定性；此外，由于采用大角度tape角的像素bank，还能在一定程度上提高整个显示面板的开口率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上的发光层、共用功能层、顶电极及透明导电气体扩散阻隔层；其中所述像素bank层的tape角大于60°，所述透明导电气体扩散阻隔层采用ALD工艺制作而成。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述基板为玻璃基板或柔性基板。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素bank层的材料为负性光阻材料或正性光阻材料，所述像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述发光层为有机发光层，所述有机发光层包括聚合物发光层、小分子发光层、掺杂型发光层中的一层或多层。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述共用功能层为激子阻挡层、电荷阻挡层、电荷传输层、电荷注入层中的一层或多层。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述顶电极为反射电极或透明电极。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述反射电极的材料为Al或Ag，所述透明电极的材料为ITO、IZO、石墨烯或导电聚合物。
9.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透明导电气体扩散阻隔层的材料为透明导电金属氧化物。
10.一种如权利要求1～9任一所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤A、在基板的像素电极图案区制作像素电极；
步骤B、在像素电极周边区域制作像素bank层，其中所述像素bank层的tape角大于60°；
步骤C、在像素电极上制作发光层；
步骤D、在发光层上依次制作共用功能层和顶电极；
步骤E、采用ALD工艺在顶电极上制作透明导电气体扩散阻隔层，完成OLED显示面板的制作。
CN201611225242.6A 2016-12-27 2016-12-27 一种oled显示面板及其制作方法 Active CN106783924B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611225242.6A CN106783924B (zh) 2016-12-27 2016-12-27 一种oled显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611225242.6A CN106783924B (zh) 2016-12-27 2016-12-27 一种oled显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106783924A CN106783924A (zh) 2017-05-31
CN106783924B true CN106783924B (zh) 2020-10-27

Family

ID=58921029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611225242.6A Active CN106783924B (zh) 2016-12-27 2016-12-27 一种oled显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106783924B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3079909B1 (fr) * 2018-04-05 2022-10-14 Microoled Dispositif electroluminescent a resolution et fiabilite ameliorees
CN109560112B (zh) * 2018-11-30 2022-03-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制备方法
CN110190099B (zh) * 2019-05-28 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095425A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp 成膜方法および機能性膜、並びに電気光学装置
KR100900444B1 (ko) * 2007-06-27 2009-06-02 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US9478591B2 (en) * 2013-12-23 2016-10-25 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and repair method thereof
CN104201289B (zh) * 2014-08-07 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102280162B1 (ko) * 2014-08-31 2021-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널
CN104393192A (zh) * 2014-12-04 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置
CN106252525B (zh) * 2016-08-26 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Highly Robust Transparent and Conductive Gas Diffusion Barriers;Andreas Behrendt,etc;《Advanced Materials》;20151231;5961-5967 *
柔性显示衬底的研究及进展;冯魏良，黄培;《液晶与显示》;20121031;第27卷(第5期);599-607 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106783924A (zh) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9627645B2 (en) Mask plate, organic light-emitting diode (OLED) transparent display panel and manufacturing method thereof
US9111888B2 (en) Organic light emitting diode display device
CN104022139B (zh) 一种有机电致发光显示面板及显示装置
WO2020199445A1 (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
CN100483731C (zh) 包含电致发光装置的影像显示系统及其制造方法
WO2018113019A1 (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN112470287B (zh) 一种显示基板及相关装置
US10665793B2 (en) Pixel definition layer having an incline for an organic light emitting device
WO2020192051A1 (zh) 显示面板及其制备方法
CN107331691A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US9679953B2 (en) WOLED back panel and method of manufacturing the same
CN106856203B (zh) 一种顶发射显示发光器件及其制备方法
CN109755287B (zh) 一种柔性oled器件及其制备方法
WO2016074372A1 (zh) Amoled显示面板及其制作方法、显示装置
CN111430445B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN207165572U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN104485350A (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN106783924B (zh) 一种oled显示面板及其制作方法
JP6373382B2 (ja) 有機発光ダイオードの陽極接続構造の製造方法
CN103247762A (zh) 一种主动式oled显示器件及其制备方法
CN105789479A (zh) Oled及其制备方法、以及oled显示装置
CN114846616A (zh) 一种显示基板及相关装置
WO2020244095A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法
CN111192912A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN203456462U (zh) 一种掩膜板和oled透明显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL technology building, No.17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant