CN109560112B - 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，该显示面板包括封装结构和待封装器件，待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与待封装表面相邻设置的待封装凸起，待封装凸起与待封装表面之间包括锐角的倒角区域，封装结构包括交替层叠设置的无机层和有机层，无机层包括第一无机层，第一无机层与待封装区域相邻设置，并且第一无机层完全覆盖待封装区域。本发明实施例所提及的显示面板，不仅有效提高了封装结构与待封装器件之间的粘附力，而且充分保证了封装结构阻隔水氧等物质的能力，降低了显示器件被水氧等物质损坏的风险。

Description

显示面板、显示装置及显示面板制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法。

背景技术

由于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具备自发光、反应时间短、发光效率高、可制作柔性面板、广色域等特性，因此，常应用到具备柔性弯折能力的显示装置中。但是，OLED显示器件受到水氧等物质影响后易失效，所以需要良好的封装结构来进行保护。

然而，由于现有封装结构和OLED显示器件均包括多层膜层，并且现有封装结构与OLED显示器件之间的粘附力较弱，因此，在实际的弯折过程中，现有封装结构和OLED显示器件之间极易出现层间分离现象。此外，由于OLED显示器件的待封装区域并非平整表面，因此，现有封装结构不能很好地覆盖OLED显示器件的待封装区域，以致水氧等物质极易绕过或透过封装结构侵入OLED显示器件的内部，进而造成OLED显示器件的损坏。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，以解决现有显示面板的封装结构和待封装器件之间极易出现层间分离、并且现有封装结构不能很好地覆盖待封装器件的待封装区域的问题。

第一方面，本发明一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括封装结构和待封装器件，待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与待封装表面相邻设置的待封装凸起，待封装凸起与待封装表面之间包括锐角的倒角区域，封装结构包括交替层叠设置的无机层和有机层，无机层包括第一无机层，第一无机层与待封装区域相邻设置，并且第一无机层完全覆盖待封装区域。

在本发明一实施例中，封装结构进一步包括填充层，填充层位于第一无机层和待封装区域之间，并且填充层位于待封装区域的倒角区域内。

在本发明一实施例中，无机层进一步包括第二无机层，有机层层叠设置于第一无机层和第二无机层之间。

在本发明一实施例中，无机层进一步包括第三无机层，第三无机层层叠设置于有机层和第一无机层之间。

在本发明一实施例中，封装结构包括干燥单元，干燥单元设置到待封装区域的倒角区域内。

在本发明一实施例中，待封装器件为包括像素限定层和层叠设置到像素限定层上的隔离柱的显示器件，隔离柱与像素限定层形成倒角区域。

在本发明一实施例中，隔离柱的形状为倒梯形或倒锥形。

第二方面，本发明一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例所提及的显示面板。

第三方面，本发明一实施例还提供一种显示面板的制备方法，该显示面板的制备方法包括制备待封装器件，其中，待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与待封装表面相邻设置的待封装凸起，并且待封装凸起与待封装表面之间包括锐角的倒角区域；在待封装器件的待封装区域上制备封装结构，其中，采用原子层沉积方法将封装结构中的第一无机层制备到待封装区域上，第一无机层与待封装区域相邻且第一无机层完全覆盖待封装区域。

在本发明一实施例中，该显示面板的制备方法还包括在第一无机层远离待封装区域的表面上，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备第三无机层。

本发明实施例所提及的显示面板，通过限定待封装器件的待封装区域包括锐角的倒角区域，并限定第一无机层与待封装区域相邻且第一无机层完全覆盖待封装器件的待封装区域的方式，不仅有效提高了封装结构与待封装器件之间的粘附力，降低了封装结构与待封装器件之间出现层间分离的情况的概率，而且充分保证了封装结构阻隔水氧等物质的能力，降低了显示器件被水氧等物质损坏的风险。此外，本发明实施例所提及的显示面板，通过在封装结构的第一无机层和有机层之间再层叠设置第三无机层，并利用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法进行第三无机层的制备的方式，不仅进一步降低了水氧等物质侵入显示器件的几率，而且相对程度地节省了封装结构的制备时间，提高封装结构的制备效率。

附图说明

图1所示为本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图2所示为本发明另一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图3所示为本发明又一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图4所示为本发明再一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图5所示为本发明再一实施例提供的显示面板的结构示意图。

图6所示为本发明一实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在现有技术中，显示面板的封装结构和待封装器件(即显示器件)之间主要利用粘合材料实现粘合，因此，在实际的弯折过程中，封装结构与待封装器件之间极易发生层间分离的情况，进而使封装结构的封装能力极大降低。

图1所示为本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供的显示面板包括显示器件2(即待封装器件)和层叠设置到显示器件2上的封装结构1，也就是说，图1所示为封装结构1应用至显示器件2的实际应用情况，其中，显示器件2包括但不限于为OLED显示器件等显示器件。

如图1所示，封装结构1包括依次层叠设置的第一无机层11、有机层12和第二无机层13，显示器件2层叠设置于衬底基板3上，并且显示器件2包括层叠设置到衬底基板3上的阳极层21，以及层叠设置于阳极层21上的多个像素限定层23，其中，像素限定层23用于限定阳极层21的显示区域；显示器件2还包括设置到相邻像素限定层23之间并层叠设置到阳极层21上的发光层22，其中，发光层22用于发射显示光线；此外，显示器件2还包括层叠设置到像素限定层23上的隔离柱24(即待封装凸起)。

继续参照图1所示，像素限定层23纵截面的形状为梯形，隔离柱24纵截面的形状为倒梯形，其中，纵截面指的是沿图1所示方位的垂直方向进行裁切所形成的截面；并且，隔离柱24在衬底基板3上的正投影完全被像素限定层23在衬底基板3上的正投影所覆盖。此外，封装结构1中的第一无机层11采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)等方法进行制备。

需要说明的是，由于隔离柱24的纵截面的形状为倒梯形，像素限定层23的纵截面的形状为梯形，并且隔离柱24在衬底基板3上的正投影完全被像素限定层23在衬底基板3上的正投影所覆盖，因此，隔离柱24和像素限定层23之间存在锐角的倒角区域，即显示器件2的待封装区域存在倒角区域。也就是说，倒角区域指的是，在如图1所示的隔离柱24的纵截面中，与像素限定层23相邻的边缘长度小于远离像素限定层23的边缘长度，即隔离柱24的两侧边缘分别与像素限定层23的纵截面的边缘形成锐角夹角，即锐角的倒角区域。

更进一步地，由于隔离柱24的形状为倒梯形，因此，隔离柱24的侧表面会借助与封装结构1之间的接触连接关系产生向下(如图1所示方位的下方向)的反作用力，进而达到增强隔离柱24与封装结构1之间的粘附力的目的，进而达到增强显示器件2与封装结构1之间的粘附力的目的，因而降低显示器件2与封装结构1之间出现层间分离现象的几率。

应当理解，隔离柱24的形状包括但不限于为倒梯形、倒锥形等形状，只要隔离柱24的纵截面的形状为倒梯形、隔离柱24和像素限定层23之间能够存在锐角的倒角区域即可，本发明实施例对此不进行统一限定。

此外，需要说明的是，第一无机层11和第二无机层13的作用主要为用于阻隔外界水氧等物质，其组成材料包括但不限于为氮化硅(SiNx)、氮化钛、氧化硅(SiOx)、氧化铝等水氧阻隔能力较好的材料中的任意一种或任意几种的组合；有机层12的作用主要为减小第一无机层11和第二无机层13的缺陷和弯折应力，其组成材料包括但不限于为丙烯酸系等材料。

然而，由于封装结构1中的第一无机层11是采用PVD或CVD等沉积方法进行制备的，PVD或CVD等沉积方法的成膜速率较快且覆盖性差，因此，封装结构1中的第一无机层11不能完全覆盖显示器件2的待封装区域，尤其是隔离柱24(即待封装凸起)的侧表面。具体地，由于隔离柱24的侧表面与像素限定层23临近隔离柱24的表面之间形成锐角的倒角区域，而现有封装结构1中的第一无机层11是采用PVD或CVD等沉积方法由上至下(即如图1所示方位的由上至下方向)沉积到显示器件2的待封装区域上，又由于现有PVD或CVD等沉积方法的覆盖性较差，因此，形状为倒梯形的隔离柱24的侧表面不能被第一无机层11所覆盖，在这种情况下，水氧等物质可能从未被第一无机层11覆盖的隔离柱24的侧表面进入到显示器件2中，进而引起显示器件2的损坏。

图2所示为本发明另一实施例提供的显示面板的结构示意图。在本发明图1所示实施例基础上延伸出本发明图2所示实施例，下面着重叙述图2所示显示面板和图1所示显示面板的不同之处，相同之处不再赘述。

如图2所示，在本发明实施例提供的显示面板中，封装结构1中的第一无机层11采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)的沉积方法制备。

需要说明的是，原子层沉积技术是原子级别的成膜沉积技术，与图1所示实施例所提及的物理气相沉积技术和化学气相沉积技术相比，同等条件下，原子层沉积技术的沉积速率慢且覆盖性好，相对而言，物理气相沉积技术和化学气相沉积技术的沉积速率快且覆盖性差。除此之外，就沉积均匀性参数而言，原子层沉积技术的沉积均匀性由表面化学饱和吸附、自限制生长机制决定，即原子层沉积技术对沉积均匀性的控制是表面控制；物理气相沉积技术和化学气相沉积技术的沉积均匀性由反应室的具体设计、气流和温度均匀性决定，即物理气相沉积技术和化学气相沉积技术对沉积均匀性的控制是工艺参数控制，因此，与物理气相沉积技术和化学气相沉积技术相比，原子层沉积技术具备更好地沉积均匀性。

基于此可知，由于本发明实施例提及的封装结构1中的第一无机层11是采用原子层沉积技术制备的，因此，封装结构1中的第一无机层11能够完全覆盖显示器件2的待封装区域，包括显示器件2的待封装区域中的若干隔离柱24(即待封装凸起)，第一无机层11不仅能够完全覆盖隔离柱24的上表面(如图2所示方位的上表面)，而且能够完全覆盖隔离柱24的侧表面(如图2所示方位的侧表面)。

本发明实施例提供的显示面板，不仅通过限定显示器件中的隔离柱的纵截面为倒梯形的方式，增强了封装结构与显示器件之间的粘附力，降低了封装结构与显示器件之间出现层间分离的情况的几率，而且通过利用原子层沉积方法来制备封装结构中与显示器件的待封装区域相邻的第一无机层的方式，实现了第一无机层对显示器件的待封装区域的完全覆盖，尤其是倒梯形隔离柱的侧表面，充分避免了水氧等物质从隔离柱的侧表面侵入到隔离柱继而侵入到显示器件的情况。也就是说，与图1所示实施例提供的显示面板相比，本发明实施例所提供的显示面板的稳定性更强，即，进一步保证了封装结构阻隔水氧等物质的能力，降低了显示器件被水氧等物质损坏的风险，从而提升了封装结构的封装可靠性以及显示面板的弯折可靠性。

需要说明的是，封装结构1中的第一无机层11亦可以不完全紧邻显示器件的待封装区域，即，只要第一无机层11设置到待封装区域的预设范围内即可。具体地，预设范围不仅包括第一无机层11完全覆盖且相邻待封装区域中的待封装表面和待封装凸起的情况，还包括待封装区域的倒角区域内填充有填充层，第一无机层11完全覆盖且相邻所填充的填充层以及未被填充层覆盖的待封装表面和待封装凸起的情况。其中，填充层包括但不限于为有机材料和/或干燥材料等，干燥材料包括但不限于为透明吸水性树脂、透明水凝胶、透明薄活性金属膜等材料中的任意一种或任意几种的组合，例如聚丙烯酰胺聚合物、聚丙烯酸聚合物等。

比如，在本发明一实施例中，先在显示器件2的待封装区域的倒角区域内填充有机材料，形成填充层，然后在填充有有机材料的待封装区域进行第一无机层11的制备，也就是说，倒角区域内填充的有机材料位于显示器件2的待封装区域与第一无机层11之间。应当理解，通过在待封装区域的倒角区域内填充有机材料的方式，能够有效保持第一无机层11的连续性，充分防止当倒角区域过大时，第一无机层11断裂的情况的发生。

此外，需要说明的是，有机材料的填充量可根据倒角区域的尺寸等实际情况自行设定，只要所填充的有机材料能够起到有效保持第一无机层11的连续性的目的即可，本发明实施例对此不进行统一限定。

图3所示为本发明又一实施例提供的显示面板的结构示意图。在本发明图2所示实施例基础上延伸出本发明图3所示实施例，下面着重叙述图3所示显示面板和图2所示显示面板的不同之处，相同之处不再赘述。

如图3所示，像素限定层23纵截面的形状为倒梯形，隔离柱24纵截面的形状为倒锥形，其中，纵截面指的是沿图1所示方位的垂直方向进行裁切所形成的截面；并且，隔离柱24在衬底基板3上的正投影完全被像素限定层23在衬底基板3上的正投影所覆盖。

也就是说，隔离柱24与像素限定层23之间形成锐角的倒角区域，像素限定层23与阳极层21、发光层22之间亦形成锐角的倒角区域。

需要说明的是，在本发明实施例中，封装结构1中的第一无机层11不仅完全覆盖了隔离柱24与像素限定层23之间的倒角区域，并且完全覆盖了像素限定层23与阳极层21、发光层22之间的倒角区域，从而充分降低了显示器件2被水氧等物质损坏的风险。

图4所示为本发明再一实施例提供的显示面板的结构示意图。在本发明图2所示实施例基础上延伸出本发明图4所示实施例，下面着重叙述图4所示显示面板和图2所示显示面板的不同之处，相同之处不再赘述。

如图4所示，在本发明实施例提供的显示面板中，封装结构1进一步包括层叠设置于第一无机层11和有机层12之间的第三无机层14，其中，第三无机层14采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法进行制备。

与图2所示实施例相比，本发明实施例通过在第一无机层和有机层之间再层叠设置第三无机层的方式，进一步提高了封装结构的封装可靠性，进一步降低了水氧等物质侵入显示器件的几率。此外，由于本发明实施例采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法进行第三无机层的制备，与利用原子层沉积方法制备第三无机层相比，同等条件下，物理气相沉积方法或化学气相沉积方法的沉积速率更快，因此，本发明实施例通过采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法进行第三无机层的制备，既能够在一定程度上进一步提高封装结构的封装可靠性，降低水氧等物质侵入显示器件的几率，此外，与采用原子层沉积方法制备第三无机层相比，本发明实施例又能够较大程度地节省封装结构的制备时间，提高封装结构的制备效率。

需要说明的是，在本发明上述实施例所提及的显示面板中，封装结构中所包含的无机层和有机层的具体层数以及层叠方式，可根据实际情况自行设定，包括但不限于本发明上述实施例所提及的情况。比如，在本发明图3所示实施例的基础上延伸出本发明另一新的实施例，在本发明实施例中，封装结构中的第二无机层13远离有机层12的表面还依次层叠设置有一层有机层和一层无机层。

此外，需要说明的是，在本发明上述实施例所提及的显示面板中，显示面板中的封装结构亦可以应用到其他待封装器件中，只要所应用的待封装器件包括不能被采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备的无机层完全覆盖的待封装区域(比如包括锐角的倒角区域)即可。也就是说，本发明上述实施例所提及的显示面板，通过利用原子层沉积方法制备与待封装器件的待封装区域相邻的无机层的方式，提高了封装结构中的与待封装器件的待封装区域相邻的无机层对待封装区域的覆盖性，进而提高了封装结构的水氧阻隔能力，因此，最终提高了封装结构对待封装器件的封装可靠性。

在本发明实施例中，第一无机层11以及第三无机层14的组成材料为氧化铝、氮化硅中的任意一种。

图5所示为本发明再一实施例提供的显示面板的结构示意图。在本发明图2所示实施例基础上延伸出本发明图5所示实施例，下面着重叙述图5所示显示面板和图2所示显示面板的不同之处，相同之处不再赘述。

如图5所示，在本发明实施例提供的显示面板中，封装结构1包括多个干燥单元4，并且多个干燥单元4均设置到显示器件2的待封装区域的倒角区域内。

具体地，封装结构1的有机层12中包括至少多个干燥单元4，其中，干燥单元4的作用主要为吸收通过孔隙侵入的水氧等物质(即可能对显示器件2产生不良影响的破坏物)，以进一步提升本发明实施例所提供的封装结构1的封装能力(即阻隔水氧等物质的能力)，干燥单元4的组成材料包括但不限于为透明吸水性树脂、透明水凝胶、透明薄活性金属膜等材料中的任意一种或任意几种的组合，例如聚丙烯酰胺聚合物、聚丙烯酸聚合物等。

此外，需要说明的是，干燥单元4的具体数量、具体形状以及具体排布方式可根据实际情况自行设定，只要干燥单元4能够起到吸收水氧等物质的作用即可，本发明实施例对此不进行统一限定。比如，更优选地，干燥单元4设置到倒角区域中的隔离柱24侧表面的预设范围内，以便干燥单元4能够更好地吸收隔离柱24侧表面的水氧等物质。

在本发明一实施例中，还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例所提及的显示面板。具体地，该显示装置包括但不限于为手机、平板电脑等显示装置。

图6所示为本发明一实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。如图6所示，本发明实施例提供的显示面板制备方法包括：

步骤S10：制备待封装器件，其中，待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与待封装表面相邻设置的待封装凸起，并且待封装凸起与待封装表面之间包括锐角的倒角区域。

步骤S20：在待封装器件的待封装区域上制备封装结构，其中，采用原子层沉积方法将封装结构中的第一无机层制备到待封装区域上，第一无机层与待封装区域相邻且第一无机层完全覆盖待封装区域。

本发明实施例提供的显示面板制备方法，通过在包括锐角的倒角区域的待封装区域上沉积第一无机层，并且采用原子层沉积方法制备第一无机层的方式，实现了第一无机层对显示器件的待封装区域的完全覆盖，充分避免了水氧等物质从待封装凸起的侧表面侵入到待封装器件中的情况。

在本发明另一实施例中，该显示面板制备方法还包括：在第一无机层远离待封装区域的表面上，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备第三无机层。应当理解，第三无机层能够进一步提高封装结构的封装可靠性，降低水氧等物质侵入显示器件的几率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，包括封装结构和待封装器件，所述待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与所述待封装表面相邻设置的待封装凸起，所述待封装凸起与所述待封装表面之间包括锐角的倒角区域，其中，所述待封装器件为包括像素限定层和层叠设置到所述像素限定层上的所述待封装凸起的显示器件，所述待封装凸起与所述像素限定层之间形成所述锐角的倒角区域；

所述封装结构包括交替层叠设置的无机层和有机层，所述无机层包括第一无机层，所述第一无机层与所述待封装区域相邻设置，并且所述第一无机层完全覆盖所述待封装区域，其中，所述第一无机层采用原子层沉积的沉积方法制备，并且，所述封装结构进一步包括填充层，所述填充层位于所述第一无机层和所述待封装区域之间，并且所述填充层位于所述待封装区域的所述倒角区域内；

并且，所述封装结构包括干燥单元，所述干燥单元设置到所述待封装区域的所述倒角区域内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机层进一步包括第二无机层，所述有机层层叠设置于所述第一无机层和所述第二无机层之间。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述无机层进一步包括第三无机层，所述第三无机层层叠设置于所述有机层和所述第一无机层之间。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述待封装凸起的形状为倒梯形或倒锥形。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4任一所述的显示面板。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

制备待封装器件，其中，所述待封装器件的待封装区域包括待封装表面和与所述待封装表面相邻设置的待封装凸起，并且所述待封装凸起与所述待封装表面之间包括锐角的倒角区域，其中，所述待封装器件为包括像素限定层和层叠设置到所述像素限定层上的所述待封装凸起的显示器件，所述待封装凸起与所述像素限定层之间形成所述锐角的倒角区域；

在所述倒角区域内填充有机材料以形成填充层；

在所述待封装器件的所述待封装区域上制备封装结构，其中，采用原子层沉积方法将所述封装结构中的第一无机层制备到所述待封装区域上，所述第一无机层与所述待封装区域相邻且所述第一无机层完全覆盖所述待封装区域，并且，所述封装结构包括干燥单元，所述干燥单元设置到所述待封装区域的所述倒角区域内。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一无机层远离所述待封装区域的表面上，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备第三无机层。

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