CN109616587A - 显示基板及其制造方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极；在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。本发明中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置中，柔性显示装置正在呈现越来越重要的地位。同时，全面屏的概念被提出之后，一直处于不断改进和实现的过程中。在此过程中，摄像头区域是一个实现全面屏非常难以绕过的区域。
其中，摄像头区域对应的阴极膜层(Cathode)在光路中对于光的穿透率有较大的影响，一般而言需要将摄像头区域对应的阴极膜层去除。现有的工艺中，直接在薄膜封装(Thin Film Encapsulation，简称TFE)工艺后，采用掩膜板(Mask)保护下等离子体蚀刻的方式对于阴极膜层相应的区域进行处理，由于掩膜板(Mask)的曝光间距(Gap)有限，且受等离子体扩散的影响，摄像头区域对应的阴极膜层周边的非需要蚀刻区域的膜层也易受到损伤，进而导致整个显示装置的显示不良。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置，用于降低显示装置的显示不良。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极；
在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。
可选地，所述第二电极为阴极。
可选地，所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方包括：
在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层；
在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域，其中，所述开孔和所述去除区域通过金属掩膜板紧密贴附所述保护层而形成。
可选地，所述金属掩膜板包括第二金属掩膜板；所述在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域包括：
通过第二金属掩膜板对所述保护层的第一区域和所述第二电极的与第一区域对应的第二区域进行等离子体处理或者化学腐蚀处理，在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域，所述第二金属掩膜板上形成有开孔区域，所述开孔区域用于形成所述开孔和所述去除区域。
可选地，所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方包括：
在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔，其中，所述开孔通过金属掩膜板紧密贴附所述第二电极而形成；
去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域。
可选地，所述金属掩膜板包括第三金属掩膜板；所述在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔包括：
通过第三金属掩膜板并采用化学气相沉积工艺在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层和位于所述保护层上的所述开孔，所述第三金属掩膜板上形成有阻挡结构，所述阻挡结构用于形成所述开孔。
可选地，所述去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域包括：
通过第二金属掩膜板对所述开孔下方的第二电极进行等离子体轰击或者化学腐蚀去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域，所述第二金属掩膜板上形成有开孔区域，所述开孔区域用于形成所述去除区域。
可选地，所述保护层的材料为无机材料。
可选地，所述保护层的厚度范围为10nm至600nm。
可选地，还包括：
在所述保护层的远离所述衬底基板的一侧形成第一封装层，所述第一封装层填充于所述开孔和所述去除区域中。
可选地，所述第一封装层的材料为无机材料。
可选地，所述第一封装层的厚度范围为50nm至800nm。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板和在所述衬底基板上依次设置的第一电极、发光层和第二电极；
在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。
可选地，所述开孔与所述开孔的周边区域相比，所述开孔被刻蚀越多，所述开孔的周边区域被刻蚀越少。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
可选地，所述显示装置包括OLED显示装置。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图3a为形成第一电极的示意图；
图3b为形成发光层的示意图；
图3c为形成第二电极的示意图；
图3d为形成保护层的示意图；
图3e为形成开孔和去除区域的示意图；
图3f为第二金属掩膜板的示意图；
图3g为形成第一封装层的示意图；
图3h为形成第二封装层的示意图；
图3i为形成第三封装层的示意图；
图4为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图5a为形成保护层和开孔的示意图；
图5b为第三金属掩膜板的一种示意图；
图5c为第三金属掩膜板的另一种示意图；
图5d为形成去除区域的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图1所示，该方法包括：
步骤101、在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极。
步骤102、在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。
本实施例提供的显示基板的制造方法的技术方案中，在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，去除区域位于开孔的下方，本实施例中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤201、在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、平坦层、第一电极、像素定义层和支撑层。
图3a为形成第一电极的示意图，如图3a所示，在衬底基板1上依次形成薄膜晶体管、平坦层、第一电极2、像素定义层和支撑层。其中，薄膜晶体管可包括形成于衬底基板1上方的有源层、第一栅极、第二栅极和源漏极，有源层位于衬底基板1之上，第一栅极和第二栅极位于有源层的远离衬底基板1的一侧，源漏极位于第一栅极和第二栅极的远离衬底基板1的一侧，且源漏极与有源层电连接。有源层的远离衬底基板1的一侧形成有绝缘层，第一栅极和第二栅极位于绝缘层的远离衬底基板1的一侧，第一栅极和第二栅极的远离衬底基板1的一侧形成有层间电介质(interlevel dielectric，简称ILD)，源漏极位于层间电介质的远离衬底基板1的一侧。平坦化层位于源漏极的远离衬底基板1的一侧，第一电极2位于平坦化层的远离衬底基板1的一侧，像素定义层(Pixel Define Layer，简称PDL)位于第一电极2的远离衬底基板1的一侧，支撑层(Photo Spacer，简称PS)位于像素定义层的远离衬底基板1的一侧。优选地，第一电极2为阳极。优选地，有源层的材料可以为P-Si。
本实施例中，优选地，薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管。但本实施例的薄膜晶体管不限于此，在实际应用中薄膜晶体管还可以采用其它类型的薄膜晶体管，例如，单栅薄膜晶体管。
需要说明的是：图3a中仅示出了衬底基板1和第一电极2，其余结构在图中未具体画出。
步骤202、在衬底基板上形成发光层。
图3b为形成发光层的示意图，如图3b所示，具体地，在衬底基板1上蒸镀发光层3。优选地，发光层3可包括依次形成的空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层，其中，空穴注入层靠近第一电极2。其中，发光层3位于像素定义层定义出的区域。
步骤203、在衬底基板上形成第二电极，第二电极位于发光层的远离衬底基板的一侧。
图3c为形成第二电极的示意图，如图3c所示，在发光层3的远离衬底基板1的一侧形成第二电极4。优选地，第二电极4为阴极。
步骤204、在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层。
图3d为形成保护层的示意图，如图3d所示，在第二电极4的远离衬底基板1的一侧形成保护层5。具体地，在第二电极4的远离衬底基板1的一侧通过第一金属掩膜板并采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)工艺形成保护层5。优选地，保护层5的材料为无机材料，保护层5的厚度范围为10nm至600nm。优选地，第一金属掩膜板为化学气相沉积掩膜板(CVD Mask)，在进行无机层镀膜工艺时，会采用化学气相沉积掩膜板对衬底基板1进行遮挡，从而对衬底基板1上的有效区域(图3d所示)进行镀膜。本实施例中，是通过化学气相沉积工艺形成保护层5，而并非采用曝光-蚀刻的工艺实现。
本实施例中，第二电极4的厚度范围包括1nm至25nm。第二电极(阴极)4的厚度很薄，因此在工艺过程中无法和第一金属掩膜板直接接触。
步骤205、在保护层上形成开孔以及在第二电极上形成去除区域，去除区域位于开孔的下方。
图3e为形成开孔和去除区域的示意图，图3f为第二金属掩膜板的示意图，如图3e和图3f所示，通过第二金属掩膜板6对保护层5的第一区域和第二电极4的与第一区域对应的第二区域进行等离子体处理，在保护层5上形成开孔7以及在第二电极4上形成去除区域8，开孔7和去除区域8通过金属掩膜板紧密贴附所述保护层而形成。其中，第一区域与开孔7对应设置，去除第一区域后即形成开孔7；第二区域与去除区域8对应设置，去除第二区域后即形成去除区域8。具体地，金属掩膜板包括第二金属掩膜板6，则将第二金属掩膜板6放置于保护层5的上方，在第二金属掩膜板6的保护下使用等离子体进行处理以在保护层5上形成开孔7以及在第二电极4上形成去除区域8。其中，第二金属掩膜板6紧密贴附保护层5。其中，在等离子体处理过程中保护层5对第二电极4起到保护作用，保护层5对于第二电极4起到了掩膜板的作用。如图3f所示，第二金属掩膜板6上形成有开孔区域61，开孔区域61对应于开孔7和去除区域8，开孔区域61用于形成开孔7和去除区域8。优选地，第二金属掩膜板6为化学气相沉积掩膜板。在实际应用中，可选地，还可通过第二金属掩膜板6对保护层5的第一区域和第二电极4的第二区域进行化学腐蚀处理，在保护层5上形成开孔7以及在第二电极4上形成去除区域8。
本步骤中，从第二金属掩膜板6的开孔区域61进入的等离子体，主要被开孔区域61限制在开孔7的位置，而向开孔7的周边区域扩展的面积较小。开孔7与7开孔7的周边区域相比，开孔7被刻蚀越多，开孔7的周边区域被刻蚀越少。由于保护层5的保护，形成一个开孔7被蚀刻较多而开孔7的周边区域蚀刻较少的分布，在通过等离子体对开孔7下方的第二电极4进行膜层处理时，只有开孔7下方的第二电极4被等离子体处理，从而达到去除开孔7下方的第二电极4而不损伤其他区域蒸镀膜层的目的。本实施例中使得只有所需去除区域的第二电极4被去除，避免了损伤到其他区域的蒸镀膜层而导致的发光器件失效的问题，提高了发光器件局部的光透过率以及产品整体良率。
本实施例中，开孔7可与显示装置的摄像头区域对应设置，因此第二电极4的去除区域为与摄像头区域对应的第二电极4的区域，该去除区域被移除后，提高了摄像头区域的光透过率。
步骤206、在保护层的远离衬底基板的一侧形成第一封装层。
图3g为形成第一封装层的示意图，如图3g所示，在保护层5的远离衬底基板1的一侧形成第一封装层9，第一封装层9填充于开孔7和去除区域8中。优选地，第一封装层9的材料为无机材料，第一封装层9的厚度范围为50nm至800nm。本步骤中，可采用与步骤204中形成保护层5的工艺形成第一封装层9，此处不再重复描述。本实施例中，第一封装层9的厚度大于保护层5的厚度。
步骤207、在第一封装层的远离衬底基板的一侧形成第二封装层。
图3h为形成第二封装层的示意图，如图3h所示，在第一封装层9的远离衬底基板1的一侧形成第二封装层10。具体地，在第一封装层9的远离衬底基板1的一侧通过喷墨打印(Ink Jet Printer，简称IJP)工艺形成第二封装层10。优选地，第二封装层10的材料为有机材料。
步骤208、在第二封装层的远离衬底基板的一侧形成第三封装层。
图3i为形成第三封装层的示意图，如图3i所示，在第二封装层10远离衬底基板1的一侧形成第三封装层11。优选地，第三封装层11的材料为无机材料。本步骤中，可采用与步骤204中形成保护层5的工艺形成第三封装层11，此处不再重复描述。至此，在形成保护层5至第三封装层11之后，完成了TFE工艺。
本实施例提供的显示基板的制造方法的技术方案中，在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，去除区域位于开孔的下方，本实施例中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
图4为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图4所示，该方法包括：
步骤301、在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、平坦层、第一电极、像素定义层和支撑层。
对步骤301的具体描述可参见上述实施例二中的步骤201，此处不再重复描述。
步骤302、在衬底基板上形成发光层。
对步骤302的具体描述可参见上述实施例二中的步骤202，此处不再重复描述。
步骤303、在衬底基板上形成第二电极，第二电极位于发光层的远离衬底基板的一侧。
对步骤303的具体描述可参见上述实施例二中的步骤203，此处不再重复描述。
步骤304、在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔。
图5a为形成保护层和开孔的示意图，如图5a所示，通过第三金属掩膜板在第二电极4的远离衬底基板1的一侧形成保护层5和位于保护层5上的开孔7。具体地，通过第三金属掩膜板并采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)工艺形成保护层5和开孔7。优选地，保护层5的材料为无机材料，保护层5的厚度范围为10nm至600nm。优选地，第三金属掩膜板为化学气相沉积掩膜板。
本实施例中，第二电极4的厚度范围包括1nm至25nm。第二电极(阴极)4的厚度很薄，因此在工艺过程中无法和第三金属掩膜板直接接触。
图5b为第三金属掩膜板的一种示意图，如图5b所示，第三金属掩膜板包括显示区域62、非显示区域63和阻挡结构64，非显示区域63位于显示区域62的周边。显示区域62为镂空区域，显示区域62用于形成保护层5。阻挡结构64位于显示区域62的靠近非显示区域63的位置，则该第三金属掩膜板还包括连接结构65，阻挡结构64通过连接结构65与非显示区域63连接，阻挡结构64对应于开孔7，阻挡结构64用于形成开孔7，开孔7位置的无机材料较薄或者未形成无机材料。也就是说，本步骤中在保护层5的过程中同时形成了开孔7。其中，由于显示区域62为镂空结构，而阻挡结构64位于显示区域62中，因此设置连接结构65的目的是为了将阻挡结构64固定于周边结构63上。在实际制造过程中，通过设置连接结构65的尺寸，从而使得连接结构65不会影响形成的开孔7的形状和尺寸。
图5c为第三金属掩膜板的另一种示意图，如图5c所示，第三金属掩膜板包括显示区域62、非显示区域63和阻挡结构64，非显示区域63位于显示区域62的周边。显示区域62为镂空区域，显示区域62用于形成保护层5。阻挡结构64与非显示区域63连接，阻挡结构64对应于开孔7，阻挡结构64用于形成开孔7，开孔7位置的无机材料较薄或者未形成无机材料。也就是说，本步骤中在保护层5的过程中同时形成了开孔7。
本实施例中，图5b和图5c中的阻挡结构64与显示装置的摄像头区域对应设置，因此第三金属掩膜板上的阻挡结构64的位置需根据显示装置的摄像头区域的位置进行设置，例如，图5b和图5c中示出了两种不同位置的摄像头区域对应的第三金属掩膜板。
本实施例中，开孔7可与显示装置的摄像头区域对应设置，因此第二电极4的去除区域为与摄像头区域对应的第二电极4的区域，该去除区域被移除后，提高了摄像头区域的光透过率。
步骤305、去除开孔下方的第二电极以在第二电极上形成去除区域。
图5d为形成去除区域的示意图，如图5d所示，对开孔7下方的第二电极4进行等离子体轰击或者化学腐蚀去除开孔7下方的第二电极4，以在第二电极4上形成去除区域8。具体地，可通过第二金属掩膜板对开孔7下方的第二电极4进行等离子体轰击或者化学腐蚀去除开孔7下方的第二电极4；或者，也可不采用任何掩膜板，而是直接对开孔7下方的第二电极4进行等离子体轰击或者化学腐蚀去除开孔7下方的第二电极4。
步骤306、在保护层的远离衬底基板的一侧形成第一封装层。
对步骤306的具体描述可参见上述实施例二中的步骤206，此处不再重复描述。
步骤307、在第一封装层的远离衬底基板的一侧形成第二封装层。
对步骤307的具体描述可参见上述实施例二中的步骤207，此处不再重复描述。
步骤308、在第二封装层的远离衬底基板的一侧形成第三封装层。
对步骤308的具体描述可参见上述实施例二中的步骤208，此处不再重复描述。
本实施例提供的显示基板的制造方法的技术方案中，在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，去除区域位于开孔的下方，本实施例中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
本发明实施例四提供了一种显示基板，如图3e和图3i所示，该显示基板包括：衬底基板1和在衬底基板1上依次设置的第一电极2、发光层3和第二电极4，在第二电极4的远离衬底基板1的一侧设置有保护层5、保护层5上的开孔7以及第二电极4上的去除区域8，去除区域8位于开孔7的下方。
进一步地，该显示基板还包括第一封装层9，第一封装层9位于保护层5的远离衬底基板1的一侧，第一封装层9填充于开孔7和去除区域8中。
进一步地，该显示基板还包括第二封装层10，第二封装层10位于第一封装层9的远离衬底基板1的一侧。
进一步地，该显示基板还包括第三封装层11，第三封装层11位于第二封装层10的远离衬底基板1的一侧。
本实施例中，显示基板可以为OLED显示基板。优选地，该显示基板为柔性显示基板。
本实施例中显示基板可通过上述实施例一、实施例二或者实施例三提供的显示基板的制造方法制造，对显示基板中各结构的具体描述可参见上述实施例一、实施例二或者实施例三中的描述，此处不再赘述。
本实施例提供的显示基板技术方案中，在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，去除区域位于开孔的下方，本实施例中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
本发明实施例五提供了一种显示装置，该显示装置包括显示基板，该显示基板可包括实施例四中的显示基板。
进一步地，该显示装置还包括保护结构，保护结构和显示基板相对设置。其中，保护结构可包括盖板或者保护膜层。
本实施例中，显示装置可以为OLED显示装置。优选地，该显示装置为柔性显示装置。
本实施例提供的显示装置的技术方案中，在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域，去除区域位于开孔的下方，本实施例中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除，避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤，当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤，从而降低了显示装置的显示不良。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极；
在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述第二电极为阴极。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方包括：
在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层；
在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域，其中，所述开孔和所述去除区域通过金属掩膜板紧密贴附所述保护层而形成。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述金属掩膜板包括第二金属掩膜板；所述在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域包括：
通过第二金属掩膜板对所述保护层的第一区域和所述第二电极的与第一区域对应的第二区域进行等离子体处理或者化学腐蚀处理，在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域，所述第二金属掩膜板上形成有开孔区域，所述开孔区域用于形成所述开孔和所述去除区域。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方包括：
在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔，其中，所述开孔通过金属掩膜板紧密贴附所述第二电极而形成；
去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述金属掩膜板包括第三金属掩膜板；所述在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔包括：
通过第三金属掩膜板并采用化学气相沉积工艺在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层和位于所述保护层上的所述开孔，所述第三金属掩膜板上形成有阻挡结构，所述阻挡结构用于形成所述开孔。
7.根据权利要求5所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域包括：
通过第二金属掩膜板对所述开孔下方的第二电极进行等离子体轰击或者化学腐蚀去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域，所述第二金属掩膜板上形成有开孔区域，所述开孔区域用于形成所述去除区域。
8.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为无机材料。
9.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为10nm至600nm。
10.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述保护层的远离所述衬底基板的一侧形成第一封装层，所述第一封装层填充于所述开孔和所述去除区域中。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述第一封装层的材料为无机材料。
12.根据权利要求10所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述第一封装层的厚度范围为50nm至800nm。
13.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和在所述衬底基板上依次设置的第一电极、发光层和第二电极；
在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧设置有保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域，所述去除区域位于所述开孔的下方。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述开孔与所述开孔的周边区域相比，所述开孔被刻蚀越多，所述开孔的周边区域被刻蚀越少。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13或14所述的显示基板。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括OLED显示装置。
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