KR20220070769A

KR20220070769A - 전계 발광 표시장치

Info

Publication number: KR20220070769A
Application number: KR1020200157677A
Authority: KR
Inventors: 이금영; 김정오; 이성호; 강성호
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-11-23
Filing date: 2020-11-23
Publication date: 2022-05-31
Also published as: CN114530566A; US20220165990A1

Abstract

이 출원은 수소 입자 침투에 대해 강건한 구조를 갖는 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 이 출원에 따른 전계 발광 표시장치는, 기판, 구동 소자층, 표시층, 봉지층 및 댐 구조체를 포함한다. 소자층은, 기판 위에 배치된다. 표시층은, 구동 소자층 위에 배치된다. 봉지층은, 표시층 위에 배치된다. 댐 구조체는, 표시층의 외곽을 둘러싸고 봉지층과 접촉하며, 유기층과 수소 흡수층을 포함한다.

Description

전계 발광 표시장치{ELECTROLUMINESENCE DISPLAY}

이 출원은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 이 출원은 수소 입자 침투에 대해 강건한 구조를 갖는 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.

표시장치들 중에서 전계 발광 표시장치는 자체 발광형으로서, 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백 라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비 전력이 유리한 장점이 있다. 특히, 전계 발광 표시장치 중 유기발광 표시장치는 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답 속도가 빠르며, 제조 비용이 저렴한 장점이 있다.

전계 발광 표시장치는 다수 개의 전계 발광 다이오드를 포함한다. 전계 발광 다이오드는, 애노드 전극, 애노드 전극 상에 형성되는 발광층, 그리고 발광층 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함한다. 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면, 애노드 전극에서는 정공이 캐소드 전극에서는 전자가 각각 발광층으로 이동된다. 발광층에서 정공과 전자가 결합할 때, 여기 과정에서 여기자(exiton)가 형성되고, 여기자로부터의 에너지로 인해 빛이 발생한다. 전계 발광 표시장치는, 뱅크에 의해 개별적으로 구분되는 다수 개의 전계 발광 다이오드의 발광층에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.

전계 발광 표시장치를 구성하는 여러 소자들을 외부에서 침투하는 산소 및 수분으로부터 보호하기 위한 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지층은 무기막과 유기막이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 특히, 봉지층의 유기막을 이루는 물질은 낮은 점도를 갖기 때문에 도포시에 퍼짐성을 제어해야 한다. 봉지층의 유기막의 퍼짐을 제어하기 위해서 전계 발광 표시장치의 외곽 영역에 댐(Dam)과 같은 구조물을 배치한다.

댐은 유기 물질로 이루어지는데, 유기 물질은 외부로부터 수분이나 수소 입자 침투를 완벽하게 차단하지 못하는 문제가 있다. 여러 가지 방법이 제안되고 있으나, 특히, 수소 입자를 침투하는 것을 방지하는 구조 및 방법이 필요하다.

이 출원은 외부 수분의 침투를 방지하는 구조를 갖는 댐을 구비한 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 또한, 이 출원은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 차단할 수 있는 구조물을 구비한 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

이 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 표시장치는, 기판, 구동 소자층, 표시층, 봉지층 및 댐 구조체를 포함한다. 소자층은, 기판 위에 배치된다. 표시층은, 구동 소자층 위에 배치된다. 봉지층은, 표시층 위에 배치된다. 댐 구조체는, 표시층의 외곽을 둘러싸고 봉지층과 접촉하며, 유기층과 수소 흡수층을 포함한다.

일례로, 댐 구조체는, 제1 유기층, 제2 유기층 및 제3 유기층을 포함한다. 제2 유기층은, 제1 유기층 위에 적층된다. 제3 유기층은 제2 유기층 위에 적층된다. 수소 흡수층은, 제1 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉한다.

일례로, 제2 유기층은, 제1 유기층을 덮으며, 제1 수소 흡수층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉한다.

일례로, 수소 흡수층은, 제2 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제2 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 수소 흡수층은, 제3 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제3 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 댐 구조체는, 제1 유기층, 제1 유기층 위의 제2 유기층, 및 제2 유기층 위의 제3 유기층을 포함한다. 수소 흡수층은, 구동 소자층의 상부에 배치되고, 제1 유기층에 의해 덮인 제1 수소 흡수층을 포함한다.

일례로, 수소 흡수층은, 제1 유기층 위에 배치되고, 제2 유기층에 의해 덮인 제2 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 제1 수소 흡수층과 제2 수소 흡수층을 연결하며, 제1 유기층의 중앙부를 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 수소 흡수층은, 제2 유기층 위에 배치되고, 제3 유기층에 의해 덮인 제3 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 제1 수소 흡수층과 제3 수소 흡수층을 연결하며, 제1 유기층 및 제2 유기층의 중앙부를 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 수소 흡수층은, 제1 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제2 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 수소 흡수층은, 다수 개로 분리된다.

일례로, 수소 흡수층은, 구동 소자층에 포함된 제1 무기막 및 제2 무기막 사이에 배치된 제2 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 제1 수소 흡수층과 제2 수소 흡수층을 연결하며 제2 무기막을 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함한다.

일례로, 댐 구조체는, 표시층과 인접하여 배치된 내측 댐; 및 내측 댐의 외부에 배치된 외측 댐을 포함한다.

일례로, 유기층은, 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면, 하면에서 일정 높이 이격된 상면, 하면과 상면을 연결하는 내측 벽면, 및 하면과 상면을 연결하며 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함한다. 수소 흡수층은, 유기층의 내측 벽면, 상면 및 외측 벽면을 덮는다.

일례로, 유기층은, 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면, 하면에서 일정 높이 이격된 상면, 하면과 상면을 연결하는 내측 벽면, 및 하면과 상면을 연결하며 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함한다. 수소 흡수층은, 하면과 구동 소자층의 상부 표면 사이에 개재된다.

일례로, 유기층은, 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면, 하면에서 일정 높이 이격된 상면, 하면과 상면을 연결하는 내측 벽면, 및 하면과 상면을 연결하며 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함한다. 수소 흡수층은, 상면에서 하면에 이르도록 유기층의 중앙부를 관통하여 구동 소자층의 상부 표면과 접촉한다.

이 출원에 따른 전계 발광 표시장치는 외부로부터 수소 입자 혹은 수분이 침투하는 것을 원천적으로 차단할 수 있는 수소 흡수층을 갖는 댐을 구비한다. 또한, 이 출원에 따른 전계 발광 표시장치는 외부로부터 수소 입자가 침투하더라도, 몰리브덴과 티타늄의 합금으로 이루어진 수소 흡수층에서 수소 입자를 흡수하여 수소 입자가 표시 소자로 전파되는 것을 차단하는 구조를 갖는다. 즉, 외부로부터 수소 입자 및/또는 수분이 침투하여, 유기 소자 및 산화물 반도체 소자들이 손상되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 3은 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 4는 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 5는 이 출원의 제4 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 6은 이 출원의 제5 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 7은 이 출원의 제6 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 8은 이 출원의 제7 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 9는 이 출원의 제8 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 10은 이 출원의 제9 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 11은 이 출원의 제10 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 12는 이 출원의 제11 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 13은 이 출원의 제12 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 14는 이 출원의 제13 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

이 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 이 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 이 출원의 일 예들은 이 출원의 개시가 완전하도록 하며, 이 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 이 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

이 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 이 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 이 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 이 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

이 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 이 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.

이 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 이 출원에 따른 전계 발광 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1은 이 출원의 일 예에 따른 전계 발광 표시장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치는 기판(SUB), 화소(P), 공통 전원 라인(CPL), 게이트 구동 회로(200), 댐 구조물(DM) 및 구동 IC(300)를 포함할 수 있다.

기판(SUB)은 베이스 기판(또는 베이스층)으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률반경으로 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비사각 형태를 갖는 기판(SUB)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부(notch portion)를 포함할 수 있다.

일 예에 따른 기판(SUB)은 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(AA)은 기판(SUB)의 중간 영역에 마련되는 것으로, 영상을 표시하는 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 표시 영역(AA)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률 반경을 가지도록 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비사각 형태를 갖는 표시 영역(AA)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부를 포함할 수 있다.

비표시 영역(IA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 기판(SUB)의 가장자리 영역에 마련되는 것으로, 영상이 표시되는 않는 영역 또는 주변 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 비표시 영역(IA)은 기판(SUB)의 제1 가장자리에 마련된 제1 비표시 영역(IA1), 제1 비표시 영역(IA1)과 나란한 기판(SUB)의 제2 가장자리에 마련된 제2 비표시 영역(IA2), 기판(SUB)의 제3 가장자리에 마련된 제3 비표시 영역(IA3), 및 제3 비표시 영역과 나란한 기판(SUB)의 제4 가장자리에 마련된 제4 비표시 영역(IA4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 비표시 영역(IA1)은 기판(SUB)의 상측(또는 하측) 가장자리 영역, 제2 비표시 영역(IA2)은 기판(SUB)의 하측(또는 상측) 가장자리 영역, 제3 비표시 영역(IA3)은 기판(SUB)의 좌측(또는 우측) 가장자리 영역, 그리고 제4 비표시 영역(IA4)은 기판(SUB)의 우측(또는 좌측) 가장자리 영역일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.

화소(P)는 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에 마련될 수 있다. 일 예에 따른 화소(P)는 복수 개가 매트릭스 방식으로 배열되어 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 내에 배치될 수 있다. 화소(P)는 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL), 구동 전원 라인(PL)에 의해 정의될 수 있다.

스캔 라인(SL)은 제1 방향(X)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 제1 방향(X)과 나란하면서 제2 방향(Y)을 따라 서로 이격된 복수의 스캔 라인(SL)을 포함한다. 여기서, 제1 방향(X)은 기판(SUB)의 가로 방향으로 정의될 수 있고, 제2 방향(Y)은 기판(SUB)의 세로 방향으로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않고 그 반대로 정의될 수도 있다.

데이터 라인(DL)은 제2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 제2 방향(Y)과 나란하면서 제1 방향(X)을 따라 서로 이격된 복수의 데이터 라인(DL)을 포함한다.

구동 전원 라인(PL)은 데이터 라인(DL)과 나란하도록 기판(SUB) 상에 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 데이터 라인(DL)과 나란한 복수의 구동 전원 라인(PL)을 포함한다. 경우에 따라, 구동 전원 라인(PL)은 스캔 라인(SL)과 나란하도록 배치될 수도 있다.

일 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 스트라이프(stripe) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 나아가 하나의 단위 화소는 백색 화소를 더 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 펜타일(pentile) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 평면적으로 다각 형태로 배치된 적어도 하나의 적색 화소, 적어도 2개의 녹색 화소, 및 적어도 하나의 청색 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펜타일 구조를 갖는 하나의 단위 화소는 하나의 적색 화소, 2개의 녹색 화소, 및 하나의 청색 화소가 평면적으로 팔각 형태를 가지도록 배치될 수 있고, 이 경우 청색 화소는 상대적으로 가장 큰 크기의 개구 영역(또는 발광 영역)을 가질 수 있으며, 녹색 화소는 상대적으로 가장 작은 크기의 개구 영역을 가질 수 있다.

화소(P)는 인접한 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL) 및 구동 전원 라인(PL)에 전기적으로 연결된 화소 회로(PC), 및 화소 회로(PC)에 전기적으로 연결된 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.

화소 회로(PC)는 인접한 적어도 하나의 스캔 라인(SL)으로부터 공급되는 스캔 신호에 응답하여 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 기반으로 구동 전원 라인(PL)으로부터 발광 소자(ED)에 흐르는 전류(Ied)를 제어한다.

일 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 2개의 박막 트랜지스터 및 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 데이터 전압을 기반으로 하는 데이터 전류(Ied)를 발광 소자(ED)에 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 스위칭 박막 트랜지스터, 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 저장하는 커패시터를 포함할 수 있다.

발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 전류(Ied)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ied)에 해당하는 휘도의 광을 방출한다. 이 경우, 데이터 전류(Ied)는 화소 구동 전원 라인(PL)으로부터 구동 박막 트랜지스터와 발광 소자(ED)를 통해 공통 전원 라인(CPL)으로 흐를 수 있다.

일 예에 따른 발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소 구동 전극(또는 제 1 전극 혹은 애노드), 화소 구동 전극 상에 형성된 발광층, 및 발광층에 전기적으로 연결된 공통 전극(또는 제 2 전극 혹은 캐소드)(CE)을 포함할 수 있다.

공통 전원 라인(CPL)은 기판(SUB)의 비표시 영역(IA) 상에 배치되고 표시 영역(AA) 상에 배치된 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결된다. 일 예에 따른 공통 전원 라인(CPL)은 일정한 라인 폭을 가지면서 기판(SUB)의 표시 영역(AA)에 인접한 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 따라 배치되고, 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 인접한 표시 영역(AA)의 일부를 제외한 나머지 부분을 둘러싼다. 공통 전원 라인(CPL)의 일단은 제1 비표시 영역(IA1)의 일측 상에 배치되고, 공통 전원 라인(CPL)의 타단은 제1 비표시 영역(IA1)의 타측 상에 배치될 수 있다. 그리고, 공통 전원 라인(CPL)의 일단과 타단 사이는 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 일 예에 따른 공통 전원 라인(CPL)은 평면적으로 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 해당하는 일측이 개구된 '∩'자 형태를 가질 수 있다.

봉지층은 기판(SUB) 상에 형성되어 표시 영역(AA) 및 공통 전원 라인(CPL)의 상부면과 측면을 둘러싸도록 형성할 수 있다. 한편, 봉지층은, 제1 비 표시 영역(IA1)에서는, 공통 전원 라인(CPL)의 일단과 타단을 노출할 수 있다. 봉지층은 산소 또는 수분이 표시 영역(AA) 내에 마련된 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 일 예에 따른 봉지층은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 다른 예에 따른 봉지층은 복수의 무기막 및 복수의 무기막 사이의 유기막을 포함할 수 있다.

이 출원의 일 예에 따른 전계 발광 표시장치는 패드부(PP), 게이트 구동 회로(200) 및 구동 집적 회로(300)를 더 포함할 수 있다.

패드부(PP)는 기판(SUB)의 비표시 영역(IA)에 마련된 복수의 패드를 포함할 수 있다. 일 예에 따른 패드부(PP)는 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 마련된 복수의 공통 전원 공급 패드, 복수의 데이터 입력 패드, 복수의 전원 공급 패드 및 복수의 제어 신호 입력 패드 등을 포함할 수 있다.

게이트 구동 회로(200)는 기판(SUB)의 제3 비표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비표시 영역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA)에 마련된 스캔 라인들(SL)과 일대일로 연결된다. 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)의 제조 공정, 즉 박막 트랜지스터의 제조 공정과 함께 기판(SUB)의 제3 비표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비표시 영역(IA4)에 집적될 수 있다. 이러한 게이트 구동 회로(200)는 구동 집적 회로(300)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 스캔 신호를 생성하여 정해진 순서에 따라 출력함으로써 복수의 스캔 라인(SL) 각각을 정해진 순서에 따라 구동한다. 일 예에 따른 게이트 구동 회로(200)는 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.

댐 구조물(DM)은 기판(SUB)의 제1 비 표시 영역(IA1), 제2 비 표시 영역(IA2), 제3 비 표시 영역(IA3) 및 제4 비 표시 영역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA) 주변을 둘러싸는 폐곡선 구조를 가질 수 있다. 일례로, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)의 외측에 배치됨으로서 기판(200) 위에서 최 외각부에 위치할 수 있다. 패드부(PP)와 구동 집적 회로(300)은 댐 구조물(DM)의 외측 영역에 배치되는 것이 바람직하다.

도 1에서는 댐 구조물(DM)이 최외곽에 배치된 경우를 도시하였지만, 이에 국한하는 것은 아니다. 다른 예로, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)과 게이트 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA)과 게이트 구동 회로(300) 사이에 배치될 수 있다. 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA)의 외측에서 표시 영역(AA)을 완전히 둘러싸는 폐곡선 형상을 갖는 것이 특징이다.

구동 집적 회로(300)는 칩 실장(또는 본딩) 공정을 통해 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 정의된 칩 실장 영역에 실장된다. 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 패드부(PP)에 전기적으로 연결되고, 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 표시 영역(AA)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 복수의 구동 전원 라인(PL)에 전기적으로 연결된다. 구동 집적 회로(300)는 패드부(PP)를 통해 디스플레이 구동 회로부(또는 호스트 회로)로부터 입력되는 각종 전원, 타이밍 동기 신호, 및 디지털 영상 데이터 등을 수신하고, 타이밍 동기 신호에 따라 게이트 제어 신호를 생성하여 게이트 구동 회로(200)의 구동을 제어하고, 이와 동시에 디지털 영상 데이터를 아날로그 형태의 화소 데이터 전압으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL)에 공급한다.

이하, 이 출원의 주요 특징을 설명하기 위해 구조적 특징을 잘 나타내고 있는 단면도들을 참조하여 여러 실시 예들을 상세히 설명한다. 특히, 이하의 실시 예들에서는 댐 구조물(DM)의 구체적인 형상 및 배치 구조를 중심으로 상세히 설명한다.

<제1 실시 예>

도 2를 참조하여, 이 출원의 제1 실시 예에 대해 설명한다. 도 2는 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

이 출원의 제1 실시 예에 따른 전계 발광 표시장치는 기판(SUB), 화소 어레이층(120), 스페이서(SP) 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다. 화소 어레이층(120)은 구동 소자층(100)과 표시층(110)을 포함할 수 있다.

기판(SUB)은 베이스층으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 불투명 또는 유색 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 두께 방향을 기준으로, 기판(SUB)의 후면에 결합된 백 플레이트를 더 포함할 수 있다. 백 플레이트는 기판(SUB)을 평면 상태로 유지시킨다. 일 예에 따른 백 플레이트는 플라스틱 재질, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 재질을 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 기판(SUB)은 플렉서블 유리 기판일 수 있다. 예를 들어, 유리 재질의 기판(SUB)은 100마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박형 유리 기판이거나, 기판 식각 공정에 의해 100마이크로미터 이하의 두께를 가지도록 식각된 유리 기판일 수 있다.

기판(SUB)은 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(IA)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시한 비표시 영역(IA)은 도 1의 제4 비표시 영역(IA4)에 해당할 수 있다.

기판(SUB)의 상부 표면 상에는 버퍼막(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 버퍼막은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해서 화소 어레이 층(120)으로 침투하는 수분을 차단하기 위하여, 기판(SUB)의 일면 상에 형성된다. 일 예에 따른 버퍼막은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘산질화막(SiON) 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 이 출원의 도면에서는 편의상 버퍼막은 생략하였다.

화소 어레이 층(120)은 박막 트랜지스터(T)들이 형성된 구동 소자층(110), 그리고 유기 발광 다이오드(ED)들이 형성된 표시층(120)을 포함할 수 있다. 표시층(120)은, 평탄화 층(PLN), 뱅크 패턴(BN), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.

일 예에 따른 구동 소자층(110)은 박막 트랜지스터(T), 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)을 포함한다. 여기서, 도 2에 도시된 박막 트랜지스터(T)는 발광 소자(ED)에 전기적으로 연결된 구동 박막 트랜지스터일 수 있다.

박막 트랜지스터(T)는 기판(SUB) 또는 버퍼막 상에 형성된 반도체 층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함한다. 도 2에서 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 구조를 도시하였으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 다른 예로, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 구조 또는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 구조를 가질 수 있다.

반도체 층(A)은 기판(SUB) 또는 버퍼막 상에 형성될 수 있다. 반도체 층(A)은 실리콘계 반도체 물질, 산화물계 반도체 물질, 또는 유기물계 반도체 물질을 포함할 수 있으며, 단층 구조 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 버퍼막과 반도체 층(A) 사이에는 반도체 층(A)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 추가로 형성될 수 있다.

게이트 절연막(GI)은 반도체 층(A)을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(G)은 반도체 층(A)과 중첩되도록 게이트 절연막(GI) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(G)은 스캔 라인(SL)과 함께 형성될 수 있다. 일 예에 따른 게이트 전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(G)과 게이트 절연막(GI)을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성될 수 있다. 층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(G)과 게이트 절연막(GI) 상에 평탄면을 제공할 수 있다.

소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 게이트 전극(G)을 사이에 두고 반도체 층(A)과 중첩되도록 층간 절연막(ILD) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 데이터 라인(DL)과 화소 구동 전원 라인(PL) 및 공통 전원 라인(CPL)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 소스 전극(S), 드레인 전극(D), 데이터 라인(DL), 구동 전원 라인(PL) 및 공통 전원 라인(CPL) 각각은 소스 드레인 전극 물질에 대한 패터닝 공정에 의해 동시에 형성된다.

소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 각각은 층간 절연막(ILD)과 게이트 절연막(GI)을 관통하는 전극 컨택홀을 통해 반도체 층(A)에 접속될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 여기서, 도 2에 도시된 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(S)은 화소 구동 전원 라인(PL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

이와 같이, 기판(SUB)의 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터(T)는 화소 회로(PC)를 구성한다. 또한, 도 1에 도시한, 기판(SUB)의 제4 비표시 영역(IA4)에 배치된 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터(T)(도 2에 도시한 것과 같이)와 동일하거나 유사한 박막 트랜지스터를 구비할 수 있다.

평탄화 층(PLN)은 구동 소자층(110)을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성된다. 평탄화 층(PLN)은 구동 소자층(110) 상에 평탄면을 제공한다. 일 예에 따른 평탄화 층(PLN)은 무기막 혹은 유기막으로 형성할 수 있다. 무기막인 경우, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 유기막인 경우, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있다. 경우에 따라 평탄화 층(PLN)은 무기막과 유기막이 적층된 구조를 가질 수 있다. 평탄화 층(PLN)은 화소(P)에 마련된 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(D)을 노출시키기 위한 화소 컨택홀(PH)을 포함할 수 있다.

뱅크 패턴(BN)은 평탄화층(PLN) 상에 배치되어 표시 영역(AA)의 화소(P) 내에 개구 영역(또는 발광 영역)을 정의한다. 이러한 뱅크 패턴(BN)은 화소 정의막으로 표현될 수도 있다.

발광 소자(ED)는 화소 구동 전극(AE), 발광층(EL), 및 공통 전극(CE)을 포함한다. 화소 구동 전극(AE)은 평탄화 층(PLN) 상에 형성되고 평탄화 층(PLN)에 마련된 화소 컨택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(D)에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 화소(P)의 개구 영역과 중첩되는 화소 구동 전극(AE)의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분은 뱅크 패턴(BN)에 의해 덮일 수 있다. 뱅크 패턴(BN)은 화소 구동 전극(AE)의 가장자리 부분을 덮음으로써 화소(P)의 개구 영역을 정의할 수 있다.

일 예에 따른 화소 구동 전극(AE)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 구동 전극(AE)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.

발광층(EL)은 화소 구동 전극(AE)과 뱅크 패턴(BN)을 덮도록 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위해 수직 적층된 2 이상의 발광부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 발광층(EL)은 화소(P)에 설정된 색상과 대응되는 컬러 광을 방출하기 위한, 청색 발광부, 녹색 발광부, 및 적색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예에 따른 발광층(EL)은 유기 발광층, 무기 발광층, 및 양자점 발광층 중 어느 하나를 포함하거나, 유기 발광층(또는 무기 발광층)과 양자점 발광층의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.

추가적으로, 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 발광층(EL)의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다.

공통 전극(CE)은 발광층(EL)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(CE)은 각 화소(P)에 마련된 발광층(EL)과 공통적으로 연결되도록 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다.

일 예에 따른 공통 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있는 투명 전도성 물질 또는 반투과 전도성 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(CE)이 반투과 전도성 물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity) 구조를 통해 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 출광 효율을 높일 수 있다. 일 예에 따른 반투과 전도성 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금 등을 포함할 수 있다. 추가적으로, 공통 전극(CE) 상에는 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 굴절율을 조절하여 광의 출광 효율을 향상시키기 위한 캡핑층(capping layer)이 더 형성될 수 있다.

스페이서(SP)는 표시 영역(AA) 내에서 개구 영역 즉, 발광 소자(ED)가 배치되지 않은 영역에 산포하여 배치될 수 있다. 스페이서(SP)는 발광층(EL)을 증착하는 과정에서 스크린 마스크와 기판이 서로 직접 접촉하지 않도록 하기 위한 것일 수 있다. 스페이서(SP)는 뱅크 패턴(BN) 위에 배치되며, 발광층(EL)과 공통 전극(CE)이 표시 영역(AA) 내측에 배치된 스페이서(SP)를 타고 넘어가도록 도포될 수 있다.

경우에 따라서, 발광층(EL) 및/또는 공통 전극(CE)은 스페이서(SP)를 타고 넘어가지 않을 수 있다. 스페이서(SP)는 표시 영역(AA) 내부에서 뱅크 패턴(BN)의 일부에만 배치되어 있으므로, 공통 전극(CE)이 스페이서(SP)를 타고 넘어가지 않더라도, 공통 전극(CE)은 표시 영역(AA) 전체를 덮으며 연결된 구조를 갖는다.

봉지층(130)은 화소 어레이층(120)의 상면과 측면을 모두 둘러싸도록 형성된다. 봉지층(130)은 산소 또는 수분이 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.

일 예에 따른 봉지층(130)은 제1 무기 봉지층(PAS1), 제1 무기 봉지층(PAS1) 상의 유기 봉지층(PCL) 및 유기 봉지층(PCL) 상의 제2 무기 봉지층(PAS2)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 한다. 일 예에 따른 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기물로 이루어질 수 있다. 이러한 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.

유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 둘러싸인다. 유기 봉지층(PCL)은 제조 공정 중 발생할 수 있는 이물들(particles)을 흡착 및/또는 차단할 수 있도록 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2) 대비 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 실리콘옥시카본(SiOCz) 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 코팅 공정, 예를 들어 잉크젯 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다.

이 출원의 제1 실시 예에 따른 전계 발광 표시장치는 댐 구조물(DM)을 더 포함할 수 있다. 댐 구조물(DM)은 유기 봉지층(PCL)의 흘러 넘침을 방지할 수 있도록 기판(SUB)의 비표시 영역(IA)에 배치된다. 또한, 댐 구조물(DM)은 봉지층(130)의 하면 측부에서 침투할 수 있는 수소 가스 혹은 수소 입자의 침투를 방지할 수도 있다.

일 예에 따른 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA), 표시 영역(AA) 외측에 배치된 게이트 구동 회로(200) 및 게이트 구동 회로(200) 외측에 배치된 공통 전원 라인(CPL)의 외측에 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)의 외측부와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 게이트 구동 회로(200) 및 공통 전원 라인(CPL)이 배치되는 비 표시 영역(IA)의 폭을 줄여 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있다.

댐 구조물(DM)은 유기층(OM)과 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다. 일례로, 유기층(SP)은 구동 소자층(100)의 맨 위에 배치되는 중간 절연막(ILD) 위에 형성될 수 있다. 다른 예로, 구동 소자층(100) 위에 평탄화 막(PLN)을 도포하기 전에 버퍼층을 하나 더 적층할 수도 있다. 이 경우, 유기층(OM)은 버퍼층 위에 형성될 수 있다. 여기서, 유기층(OM)은 표시 영역(AA)에 형성되는 스페이서(SP)와 동일한 물질로 형성할 수 있다. 다른 예로, 평탄화 막(PLN) 및/또는 뱅크(BN)와 동일한 물질로 형성할 수 있다.

유기층(OM)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 구동 소자층(100)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 유기층(OM)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)을 덮도록 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 수소 흡수층(MT)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

댐 구조물(DM)은 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 모두 덮인다. 유기 봉지층(PCL)은 댐 구조물(DM)의 내측 벽면 일정 높이까지 도포될 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 유기층(SP)의 상면보다 낮게 도포될 수 있다. 그 결과, 댐 구조물(DM)의 상면과 외측 측벽에서는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 서로 면 접촉을 이루는 구조를 갖는다.

이 출원의 제1 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 유기층(OM)을 덮는 수소 흡수층(MT)에 의해 외부에서 침투하는 수소 입자를 흡착하여 표시 영역(AA)으로 전파되는 것을 차단한다. 따라서, 수소 입자에 의해 표시 영역(AA)에 배치된 유기 발광층(EL) 및/또는 산화물 반도체 물질을 포함하는 반도체 층(A)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 표시 소자의 수명이 길어지며, 고 품질을 오래동안 유지할 수 있다.

<제2 실시 예>

이하, 도 3을 참조하여 이 출원의 제2 실시 예에 대해 설명한다. 도 3은 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

도 3을 참조하면, 이 출원의 제2 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 유기층(OM)과 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다. 유기층(OM)은 표시 영역(AA)에 형성되는 스페이서(SP)와 동일한 물질로 형성할 수 있다. 다른 예로, 평탄화 막(PLN) 및/또는 뱅크(BN)와 동일한 물질로 형성할 수 있다.

수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)과 구동 소자층(100)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)의 하면과 구동 소자층(100)의 상부 표면 사이에 배치되며, 유기층(OM)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다. 수소 흡수층(MT)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

이 출원의 제2 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 유기층(OM)의 하부에 배치된 수소 흡수층(MT)에 의해 외부에서 침투하는 수소 입자를 흡착하여 표시 영역(AA)으로 전파되는 것을 차단한다. 특히, 외부에서 침투하는 가스 형태의 이물질은 중간 절연막(ILD)과 유기층(OM)의 계면의 측부에서 침투될 확률이 매우 높다. 따라서, 수소 입자가 침투하기 쉬운 위치에 수소 흡수층(MT)을 배치함으로써, 효과적으로 침투하는 수소 입자를 흡착하여 표시 영역(AA)에 배치된 소자들을 보호할 수 있다.

<제3 실시 예>

이하, 도 4를 참조하여 이 출원의 제3 실시 예에 대해 설명한다. 도 4는 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제3 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 유기층(OM)과 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다. 유기층(OM)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 구동 소자층(100)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 유기층(OM)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)의 중심부를 관통하는 수직 격벽 형상을 가질 수 있다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 유기층(OM)의 상면에서 하면까지 관통하는 수직 관통 홀의 내부 공간을 채우는 얇은 박막일 수 있다. 수소 흡수층(MT)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

이 출원의 제3 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 유기층(OM)의 중앙부를 관통하는 수직 격벽 형상의 수소 흡수층(MT)에 의해 외부에서 침투하는 수소 입자를 흡착하여 표시 영역(AA)으로 전파되는 것을 차단한다.

<제4 실시 예>

이하, 도 5를 참조하여 이 출원의 제4 실시 예에 대해 설명한다. 도 5는 이 출원의 제4 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제4 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제4 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 순차 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제4 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3) 및 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다.

제1 유기층(OM1)은 평탄화 막(PLN)으로 형성할 수 있다. 제1 유기층(OM1)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 구동 소자층(100)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제1 유기층(OM1)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

수소 흡수층(MT)은 제1 유기층(OM1)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 수소 흡수층(MT)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제2 유기층(OM2)은 뱅크 패턴(BN)으로 형성할 수 있다. 제2 유기층(OM2)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 수소 흡수층(MT)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제2 유기층(OM2)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

제3 유기층(OM3)은 스페이서(SP)로 형성할 수 있다. 제3 유기층(OM3)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 제2 유기층(OM2)의 상면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제3 유기층(OM3)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

댐 구조물(DM)을 형성하는 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2) 및 제3 유기층(OM3)은 그 단면 크기가 순차적으로 작아서, 전체 단면 형상이 아래는 넓고 윗면은 좁은 구조를 가질 수 있다.

댐 구조물(DM)은 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 모두 덮인다. 예를 들어, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제1 유기층(OM1) 높이 보다 높고 제2 유기층(OM2) 높이 보다 낮을 수 있다. 또는 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제2 유기층(OM2) 높이보다 높고 제3 유기층(OM3)의 높이보다 낮을 수 있다.

유기 봉지층(PCL)의 두께가 얇아서 유기 봉지층(PCL)의 퍼짐성을 제어하기가 용이한 경우에는 댐 구조물(DM)의 높이가 높지 않아도 충분할 수 있다. 이 경우에는 제3 유기층(OM3)은 생략될 수 있다.

<제5 실시 예>

이하, 도 6을 참조하여 이 출원의 제5 실시 예에 대해 설명한다. 도 6은 이 출원의 제5 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제5 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제5 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 형성된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제5 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(MT3)을 포함할 수 있다.

제1 수소 흡수층(MT1)은 제1 유기층(OM1)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 제1 수소 흡수층(MT1)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 제1 수소 흡수층(MT1)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제2 유기층(OM2)은 뱅크 패턴(BN)으로 형성할 수 있다. 제2 유기층(OM2)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 제1 수소 흡수층(MT1)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제2 유기층(OM2)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

제2 수소 흡수층(MT2)은 제2 유기층(OM2)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 제2 수소 흡수층(MT2)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 제2 수소 흡수층(MT2)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제3 유기층(OM3)은 스페이서(SP)로 형성할 수 있다. 제3 유기층(OM3)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 제2 수소 흡수층(MT2)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제3 유기층(OM3)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

제3 수소 흡수층(MT3)은 제3 유기층(OM3)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 제3 수소 흡수층(MT3)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 제3 수소 흡수층(MT3)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

다른 예로, 제2 수소 흡수층(MT2)와 제3 수소 흡수층(MT3) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 이 두 가지 경우, 제2 유기층(OM2)과 제3 유기층(OM3)은 모두 포함될 수 있다.

<제6 실시 예>

이하, 도 7을 참조하여 이 출원의 제6 실시 예에 대해 설명한다. 도 7은 이 출원의 제6 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제6 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제6 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1) 및 제2 수소 흡수층(MT2)을 포함할 수 있다.

제1 수소 흡수층(MT1)은 제1 유기층(OM1)과 구동 소자층(100)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 제1 수소 흡수층(MT1)은 제1 유기층(OM1)의 하면과 구동 소자층(100)의 상부 표면 사이에 배치되며, 제1 유기층(OM1)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다.

제2 수소 흡수층(MT2)은 제1 유기층(OM1)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘도록 접촉하면서 적층될 수 있다. 제1 수소 흡수층(MT1) 및 제2 수소 흡수층(MT2)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 제1 및 제2 수소 흡수층들(MT1, MT2)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

<제7 실시 예>

이하, 도 8을 참조하여 이 출원의 제7 실시 예에 대해 설명한다. 도 8은 이 출원의 제7 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제7 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제7 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 순차 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제7 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3) 및 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다.

제2 유기층(OM2)은 뱅크 패턴(BN)으로 형성할 수 있다. 제2 유기층(OM2)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 제2 유기층(OM2) 수소 흡수층(MT)을 완전히 덮는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 유기층(OM2)은 제1 유기층(OM1)의 내측 벽멱, 상면 및 외측 벽면을 타고 넘으면서, 수소 흡수층(MT)과 접촉하도록 적층될 수 있다. 제2 유기층(OM2)의 하면은 구동 소자층(100)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제2 유기층(OM2)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

<제8 실시 예>

이하, 도 9를 참조하여 이 출원의 제8 실시 예에 대해 설명한다. 도 9는 이 출원의 제8 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제8 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제8 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 순차 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제8 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은, 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3) 및 수소 흡수층(MT)을 포함할 수 있다.

수소 흡수층(MT)은 제1 유기층(OM1)과 구동 소자층(100)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 특히, 수소 흡수층(MT)은 서로 분리된 다수 개의 섬 모양으로 형성할 수 있다. 단면 구조에서 섬 모양을 갖지만, 평면도에서는 다수 개의 폐곡선 형상들을 갖는다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 제1 유기층(OM1)의 하면과 구동 소자층(100)의 상부 표면 사이에 배치되며, 제1 유기층(OM1)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다.

이와 같이, 수소 흡수층(MT)이 분리된 섬 모양으로 다수 개로 분리된 형상을 갖는 경우, 수소 흡수층(MT)과 제1 유기층(OM1)이 접촉하는 계면의 경로가 길어지는 효과가 있다. 이는, 측면에서 수소 입자가 구동 소자층(100)과 제1 유기층(OM1)의 계면을 따라 침투할 경우, 침투 경로가 지그재그 형태가 되어 매우 길어진다. 따라서, 수소의 전파 속도를 늦출 수 있다. 또한, 수소 흡수층(MT)이 한개로 형성된 경우보다 수소와 접촉하는 표면적이 더 넓어진다. 따라서, 수소가 전파되면서 분리된 수소 흡수층(MT)들에 의해 흡착되어 전파 되는 수소의 양을 점차 줄여 완전히 제거할 수 있다.

수소 흡수층(MT)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층(MT)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제8 실시 예에서, 다수 개로 분리된 수소 흡수층(MT)은, 추가로, 제1 유기층(OM1)과 제2 유기층(OM2) 사이에 더 배치될 수 있다. 제2 유기층(OM2)과 제3 유기층(OM3) 사이에 더 배치될 수 있다. 한편, 제3 유기층(OM3) 상면에 더 배치될 수도 있다.

<제9 실시 예>

이하, 도 10을 참조하여 이 출원의 제9 실시 예에 대해 설명한다. 도 10은 이 출원의 제9 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제9 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제9 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(MT2)을 포함할 수 있다.

제2 수소 흡수층(MT2)은 제1 유기층(OM1)과 제2 유기층(OM1)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 제2 수소 흡수층(MT2)은 제2 유기층(OM2)의 하면과 제1 유기층(OM1)의 상면 사이에 배치되며, 제2 유기층(OM2)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다.

제3 유기층(OM3)은 스페이서(SP)로 형성할 수 있다. 제3 유기층(OM3)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 제2 유기층(OM2)의 상부 표면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제3 유기층(OM3)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

제3 수소 흡수층(MT3)은 제2 유기층(OM2)과 제3 유기층(OM3)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 제3 수소 흡수층(MT3)은 제3 유기층(OM3)의 하면과 제2 유기층(OM2)의 상면 사이에 배치되며, 제3 유기층(OM3)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다.

제9 실시 예에서는, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 2 개만으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 수소 흡수층(MT1)과 제3 수소 흡수층(MT3)만으로 구성될 수 있다. 다른 예로, 제2 수소 흡수층(MT2)과 제3 수소 흡수층(MT3)만으로 구성될 수도 있다.

<제10 실시 예>

이하, 도 11을 참조하여 이 출원의 제10 실시 예에 대해 설명한다. 도 11은 이 출원의 제10 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제10 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제10 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2), 제3 수소 흡수층(MT2) 및 수직 수소 흡수층(MTV)을 포함할 수 있다.

수직 수소 흡수층(MTV)은 제1 수소 흡수층(MT1)과 제3 수소 흡수층(MT3) 사이에서 제1 유기층(OM1)과 제2 유기층(OM2)의 중앙부를 관통하는 수직 격벽 형상을 가질 수 있다. 일례로, 수직 수소 흡수층(MTV)은 제2 유기층(OM2)의 상면에서 제1 유기층(OM1)의 하면까지 관통하는 수직 관통 홀의 내부 공간을 채우는 얇은 박막일 수 있다. 제1 내지 제3 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3) 그리고 수직 수소 흡수층(MTV)은 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 일례로, 수직 수소 흡수층(MTV)은 제1 수소 흡수층(MT1)과 제2 수소 흡수층(MT2)을 연결하는 하부 수직부와 제2 수소 흡수층(MT2)과 제3 수소 흡수층(MT3)을 연결하는 상부 수직부를 구비할 수 있다.

제1 내지 제3 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3)과 수직 수소 흡수층(MTV)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3, MTV)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제10 실시 예에서는, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 2 개만으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 수직 수소 흡수층(MTV)는 선택된 2 개의 수소 흡수층들 사이에 배치될 수 있다.

<제11 실시 예>

이하, 도 12를 참조하여 이 출원의 제11 실시 예에 대해 설명한다. 도 12는 이 출원의 제11 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제11 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제11 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2), 제3 수소 흡수층(MT2) 및 제4 수소 흡수층(MT4)을 포함할 수 있다.

제2 유기층(OM2)은 뱅크 패턴(BN)으로 형성할 수 있다. 제2 유기층(OM2)은 그 단면이 하면, 상면, 내측 벽면 및 외측 벽면으로 이루어진 사다리 꼴 형상을 가질 수 있다. 일례로, 하면은 제1 수소 흡수층(MT1)의 상부 표면 및 제1 유기층(OM1)의 상면과 접촉한다. 상면은 하면과 평행하며, 하면으로부터 일정 높이 이격되어 있다. 상면과 하면의 거리가 제2 유기층(OM2)의 높이에 해당한다. 내측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 표시 영역(AA)을 향해 배치되어 있다. 외측 벽면은 하면과 상면을 연결하면서, 내측 벽면과 대향하도록 외부를 향해 배치되어 있다.

제2 수소 흡수층(MT2)은 제1 유기층(OM1)과 제2 유기층(OM2)의 사이에 적층된 얇은 박막일 수 있다. 일례로, 제2 수소 흡수층(MT2)은 제2 유기층(OM2)의 하면과 제1 유기층(OM1)의 상면 사이에 배치되며, 제2 유기층(OM2)에 의해 완전히 덮인 구조를 가질 수 있다.

제4 수소 흡수층(MT4)은 구동 소자층(100)에 포함된 두 개의 박막들 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제4 수소 흡수층(MT4)은 구동 소자층(100)의 게이트 절연막(GI)과 중간 절연막(ILD) 사이에 적층된 박막 형상일 수 있다. 특히, 제1 수소 흡수층(MT1)과 중첩하는 위치에 배치되는 것이 바람직하다.

제11 실시 예에서는, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 어느 하나와, 제4 수소 흡수층(MT4)만으로 구성될 수도 있다. 또한, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 2 개와 제4 수소 흡수층(MT4)만으로 구성될 수도 있다.

<제12 실시 예>

이하, 도 13을 참조하여 이 출원의 제12 실시 예에 대해 설명한다. 도 13은 이 출원의 제12 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제12 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

이 출원의 제12 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2), 제3 유기층(OM3), 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2), 제3 수소 흡수층(MT2), 제4 수소 흡수층(MT4), 제5 수소 흡수층(MT5) 및 수직 수소 흡수층(MTV)을 포함할 수 있다.

제5 수소 흡수층(MT5)은 제3 유기층(OM3)의 상면에 배치된 얇은 박막 형상을 가질 수 있다. 일례로, 제5 수소 흡수층(MT5)은 제3 유기층(OM3)의 상면과 봉지층(130)의 제1 무기층(PAS1) 사이에 개재된 박막일 수 있다.

수직 수소 흡수층(MTV)은 제5 수소 흡수층(MT5)과 제4 수소 흡수층(MT4) 사이에서 제1 유기층(OM1), 제2 유기층(OM2) 및 제3 유기층(OM3)의 중앙부를 관통하며, 중간 절연막(ILD)을 관통하는 수직 격벽 형상의 박막일 수 있다. 일례로, 수직 수소 흡수층(MTV)은 제3 유기층(OM3)의 상면에서 중간 절연막(ILD)의 하면까지 관통하는 수직 관통 홀의 내부 공간을 채우는 얇은 박막일 수 있다.

제1 내지 제5 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3, MT4, MT5) 그리고 수직 수소 흡수층(MTV)은 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 일례로, 수직 수소 흡수층(MTV)은 제1 수소 흡수층(MT1)과 제2 수소 흡수층(MT2)을 연결하는 제1 수직부, 제2 수소 흡수층(MT2)과 제3 수소 흡수층(MT3)을 연결하는 제2 수직부, 제3 수소 흡수층(MT3)과 제4 수소 흡수층(MT4)을 연결하는 제3 수직부 그리고 제4 수소 흡수층(MT4)과 제5 흡수층(MT5)을 연결하는 제4 수직부를 구비할 수 있다. 다른 예로, 제1 내지 제4 수직부들 중에서 일부는 생략될 수 있다.

제1 내지 제5 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3, MT4, MT5)과 수직 수소 흡수층(MTV)은 외부로부터 수소 입자가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 수소 입자를 흡수하는 성질이 우수한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 수소 흡수층들(MT1, MT2, MT3, MT4, MT5, MTV)은 몰리브덴(Mo)과 티타늄(Ti)의 합금으로 형성할 수 있다.

제12 실시 예에서는, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 어느 하나와, 제4 수소 흡수층(MT4) 그리고, 수직 수소 흡수층(MTV)만으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 수직 수소 흡수층(MTV)은, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 어느 하나와 제4 수소 흡수층(MT4)의 중심부 사이를 연결하는 구조를 갖는다. 또한, 제1 수소 흡수층(MT1), 제2 수소 흡수층(MT2) 및 제3 수소 흡수층(M3)들 중에서 선택된 2 개와 제4 수소 흡수층(MT4)만으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 수직 수소 흡수층(MTV)은, 제일 위에 있는 수소 흡수층과 제4 수소 흡수층(MT4)의 중심부 사이를 연결하는 구조를 갖는다.

<제13 실시 예>

이하, 도 14를 참조하여 이 출원의 제13 실시 예에 대해 설명한다. 도 14는 이 출원의 제13 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

제13 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는 기본적인 구조가 제1 실시 예에 의한 것과 동일하다. 차이가 있다면, 댐 구조물(DM)의 형상에서 차이가 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 댐 구조물(DM)의 형상을 중심으로 설명하고, 제1 실시 예와 동일한 다른 부분에 대한 설명은 생략한다. 필요한 경우, 제1 실시 예의 설명과 동일하게 인용한다.

제13 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 내측 댐(DMI)과 외측 댐(DMO)를 구비한다. 내측 댐(DMI)은 표시 영역(AA)에 인접하여 배치되어 표시 영역(AA)을 둘러싸는 형상을 갖는다. 또한, 외측 댐(DMO)은 내측 댐(DMI)의 외부에서 내측 댐(DMI)을 둘러싸는 형상을 갖는다.

도 14에 도시한 내측 댐(DMI)과 외측 댐(DMO) 각각은 도 6에 도시한 이 출원의 제5 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)의 형상과 동일하다. 하지만, 이에 국한하는 것은 아니며, 내측 댐(DMI)과 외측 댐(DMO) 각각은 이 출원의 제1 실시 예 내지 제12 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)의 형상을 가질 수 있다. 또는 제1 실시 예 내지 제12 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)의 특징을 조합한 구성을 가질 수 있다.

상술한 이 출원의 다양한 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 이 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 이 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 이 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 이 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

이상에서 설명한 이 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 이 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 이 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 이 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 이 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

SUB: 기판 T: 박막 트랜지스터
PLN: 평탄화 층 BN: 뱅크 패턴
SP: 스페이서 DM: 댐 구조물
DMI: 내측 댐 DAE: 더미 전극
200: 게이트 구동 회로 300: 구동 집적 회로
120: 화소 어레이층 130: 봉지층
ED: 발광 소자 AE: 화소 구동 전극
EL: 발광층 CE: 공통 전극
CPL: 공통 전원 라인

Claims

기판;
상기 기판 위에 배치된 구동 소자층;
상기 구동 소자층 위에 배치된 표시층;
상기 표시층 위에 배치된 봉지층; 그리고
상기 표시층의 외곽을 둘러싸며 상기 봉지층과 접촉하고, 유기층과 수소 흡수층을 포함하는 댐 구조체를 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 댐 구조체는,
제1 유기층;
상기 제1 유기층 위의 제2 유기층; 및
상기 제2 유기층 위의 제3 유기층을 포함하고,
상기 수소 흡수층은, 상기 제1 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제1 수소 흡수층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 제2 유기층은,
상기 제1 유기층을 덮으며,
상기 제1 수소 흡수층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 전계 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 제2 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제2 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 2 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 제3 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제2 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 댐 구조체는,
제1 유기층;
상기 제1 유기층 위의 제2 유기층; 및
상기 제2 유기층 위의 제3 유기층을 포함하고,
상기 수소 흡수층은,
상기 구동 소자층의 상부에 배치되고, 상기 제1 유기층에 의해 덮인 제1 수소 흡수층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 제1 유기층 위에 배치되고, 상기 제2 유기층에 의해 덮인 제2 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 수소 흡수층과 상기 제2 수소 흡수층을 연결하며, 상기 제1 유기층의 중앙부를 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 제2 유기층 위에 배치되고, 상기 제3 유기층에 의해 덮인 제3 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 수소 흡수층과 상기 제3 수소 흡수층을 연결하며, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층의 중앙부를 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 제1 유기층의 내측 벽면, 상부면 및 외측 벽면과 접촉하는 제2 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
다수 개로 분리된 전계 발광 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 수소 흡수층은,
상기 구동 소자층에 포함된 제1 무기막 및 제2 무기막 사이에 배치된 제2 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 수소 흡수층과 상기 제2 수소 흡수층을 연결하며 상기 제2 무기막을 관통하는 수직 수소 흡수층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 댐 구조체는,
상기 표시층과 인접하여 배치된 내측 댐; 및
상기 내측 댐의 외부에 배치된 외측 댐을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층은,
상기 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면;
상기 하면에서 일정 높이 이격된 상면;
상기 하면과 상기 상면을 연결하는 내측 벽면; 및
상기 하면과 상기 상면을 연결하며 상기 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함하고,
상기 수소 흡수층은,
상기 유기층의 상기 내측 벽면, 상기 상면 및 상기 외측 벽면을 덮는 전계발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층은,
상기 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면;
상기 하면에서 일정 높이 이격된 상면;
상기 하면과 상기 상면을 연결하는 내측 벽면; 및
상기 하면과 상기 상면을 연결하며 상기 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함하고,
상기 수소 흡수층은,
상기 하면과 상기 구동 소자층의 상부 표면 사이에 개재된 전계발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층은,
상기 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 하면;
상기 하면에서 일정 높이 이격된 상면;
상기 하면과 상기 상면을 연결하는 내측 벽면; 및
상기 하면과 상기 상면을 연결하며 상기 내측 벽면과 대향하는 외측 벽면을 포함하고,
상기 수소 흡수층은,
상기 상면에서 상기 하면에 이르도록 상기 유기층의 중앙부를 관통하여 상기 구동 소자층의 상부 표면과 접촉하는 수직 격벽 형상을 갖는 전계발광 표시장치.