CN111886926B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

包括设置在树脂基板层(7)上的第一导电层(70)、设置在第一导电层上的平坦化膜(16)以及设置在平坦化膜上的有机EL元件(9)，且在显示区域(2)周围的边框区域中设置有第二导电层(75)，该第二导电层在平坦化膜上与有机EL元件的第二电极接触，并且在平坦化膜的外侧与第一导电层接触，第二电极经由第二导电层与第一导电层电连接，在平坦化膜中的位于边框区域的部分形成有沟槽(49)，第一导电层在沟槽的内部从平坦化膜露出，第二电极在沟槽的内部经由第二导电层与第一导电层电连接。

Description

显示装置
技术领域
本公开的技术关于一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(E ElectroLuminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。有机EL显示装置包括通过有机EL元件的发光来进行图像显示的显示区域以及设置在该显示区域周围的边框区域。在有机EL显示装置中，为了改良外观并实现节省空间化，期望使边框区域减小即窄边框化。
有机EL元件包括例如作为阳极的第一电极、作为阴极的第二电极以及设置在该第一电极和第二电极之间的有机EL层。在边框区域设置有用于与外部电路、电源连接的端子部。此外，在边框区域中的显示区域与端子部之间设置有多个边框配线。第二电极经由边框配线与设置在端子部的端子电连接(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-89436号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在有机EL显示装置中，由于第二电极与构成边框配线的第一导电层电连接，因此，采用如下结构：例如，使用由与第一电极相同的材料形成在同一层的第二导电层，且使第二电极与第二导电层接触，并使第二导电层与第一导电层接触。但是，为了满足上述窄边框化的期望，需要使第一导电层和第二导电层的宽度变窄，并且难以确保第二电极与第二导电层之间的接触面积以及第一导电层与第二导电层之间的接触面积。如果因而第二电极与第一导电层(引绕配线)之间的电阻变高，则无法进行稳定的图像显示，有机EL显示装置的显示品质下降。
本公开的技术是鉴于这样的观点而完成的，其目的在于，减小有机EL元件等的发光元件的电极与第一导电层之间的电阻，确保显示装置的显示品质。
用于解决技术问题的技术方案
本公开的技术的显示装置包括：基板；第一导电层，其设置在所述基板上；平坦化膜，其设置在所述第一导电层上；以及多个发光元件，其设置在所述平坦化膜上，设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的功能层以及隔着所述功能层与所述第一电极重叠的第二电极，在所述边框区域中设置有第二导电层，所述第二导电层在所述平坦化膜上与所述第二电极接触并且在所述平坦化膜的外周与所述第一导电层接触，所述第二电极经由所述第二导电层与所述第一导电层电连接，在所述平坦化膜中的位于所述边框区域的部分，贯通所述平坦化膜的沟槽以在所述边框区域将所述平坦化膜区划成内侧和外侧的方式形成，所述第一导电层也设置在与所述沟槽对应的位置，并在所述沟槽的内部从所述平坦化膜露出，所述第二电极在所述沟槽的内部与所述第二导电层接触，并且经由所述第二导电层与所述第一导电层电连接。
有益效果
根据上述显示装置，除了在边框区域的平坦化膜上形成沟槽，将发光元件的电极在平坦化膜的外侧与第一导电层电连接之外，由于在沟槽的内部，经由第二导电层电连接到从平坦化膜露出的第一导电层，因此，可以确保发光元件的电极与第二导电层之间的接触面积以及第一导电层与第二导电层之间的接触面积。由此，可以降低发光元件的电极与第一导电层之间的电阻，并且可以确保显示装置的显示品质。
附图说明
图1是示出实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是由图1的有机EL显示装置的II包围的显示区域的一部分的俯视图。
图3是示出实施方式涉及的构成有机EL显示装置的TFT层的一部分的等效电路图。
图4为图2的显示区域沿IV－IV线的位置处的截面图。
图5是示出有机EL显示装置的有机EL层的结构截面图。
图6是示出由图1的有机EL显示装置的VI包围的部分的俯视图。
图7为图6的有机EL显示装置沿VII－VII线的位置处的截面图。
图8是示出实施方式的第一变形例的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图9是示出由图8的有机EL显示装置的IX包围的部分的俯视图。
图10为图9的有机EL显示装置沿X－X线的位置处的截面图。
图11是实施方式的第二变形例的有机EL显示装置的与图6对应的图。
图12是实施方式的第三变形例的有机EL显示装置的与图6对应的图。
图13是实施方式的第四变形例的有机EL显示装置的与图1对应的图。
图14为图13的有机EL显示装置沿XIV－XIV线的位置处的截面图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明例示的实施方式。
在该实施方式中，以有机EL显示装置为例说明本公开的技术涉及的显示装置。
图1是示出有机EL显示装置1的概略构成的俯视图。图2是表示图1的有机EL显示装置1的由II包围的显示区域的一部分的俯视图。图3是构成有机EL显示装置1的TFT层8的一部分的等效电路图。图4是图2的显示区域2沿着IV-IV线的位置处的截面图。图5是构成有机EL显示装置1的有机EL层30的构成的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置1包括进行图像显示的矩形显示区域2和设置在显示区域2周围的矩形条状的边框区域3。然后，在构成边框区域3的一边的部分设置用于与外部电路、电源连接的端子部4。尽管未图示出，但是FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路)的配线基板的一端部连接到端子部4。
进一步地，在边框区域3中，在构成与设置有端子部4的边相邻的边(图1的左右的各边)的部分分别包含作为控制电路的栅极驱动器电路51和发光控制电路52(参照图6)单片地形成在基板上的控制电路区域53。此外，在边框区域3中的显示区域2与端子部4之间设置有多个边框配线15f。每条边框配线15f构成在端子部4处电连接到配线基板的配线端子15t。这些多个配线端子15t以规定的图案排列在端子部4处。
多个边框配线15f包括低压电源配线60(在图1中标注阴影示出)。低压电源配线60包括以包围显示区域2的方式设置的外侧配线61和设置在外侧配线61与显示区域2之间的内侧配线62。这些外侧配线61和内侧配线62由构成边框区域3中的除了设置有端子部4的边以外的三边的部分来分离设置。
外侧配线61配置在边框区域3的外侧。此外，内侧配线62被配置成与外侧配线61之间隔开间隔，并且沿着外侧配线61延伸。这些外侧配线61和内侧配线62在设置有端子部4的边侧相互一体地连接，并引绕到端子部4。低压电源配线60经由设置在端子部4中的配线端子15t电连接至低压电源(ELVSS)65。
有机EL显示装置1采用有源矩阵驱动方式。如图2所示，在显示区域2中，多个子像素5呈矩阵状配置。各像素5被构成为包括例如由进行红色显示的子像素6r、进行绿色显示的子像素6g和进行蓝色显示的子像素6b构成的三色的子像素6。这三种颜色的子像素6r，6g，6b例如以并排的方式排列，并以条状彼此相邻。
如图4所示，有机EL显示装置1包括：作为基板的树脂基板层7、设置在树脂基板层7上的TFT(Thin Film Transistor)层8、设置在TFT层8上并作为发光元件的有机EL元件9以及覆盖有机EL元件9的密封膜10。
树脂基板层7由例如聚酰亚胺树脂等形成，并具有可挠性。
TFT层8包括：设置在树脂基板层7上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT 12A、多个第二TFT 12B、多个第三TFT 12C和多个电容器14以及各种显示用配线15；以及覆盖这些第一TFT 12A、第二TFT 12B、第三TFT 12C和电容器14以及显示用配线15的平坦化膜16。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等构成的无机绝缘层的单层膜或层叠膜构成。在每个子像素6设置第一TFT 12A、第二TFT 12B、第三TFT 12C以及电容器14。
如图2和图3所示，作为显示用配线15，设置有用于传输栅极信号的多个栅极配线15g、用于传输发光控制信号的多个发光控制配线15e、用于传输源极信号的多个源极配线15s以及用于将电流供给给有机EL元件9的多条高压电源配线15p。多条的多条栅极配线15g彼此平行地延伸。多条发光控制配线15e沿着栅极配线15g相互平行地延伸。多条源极配线15s在与栅极配线15g和发光控制配线15e交叉的方向上相互平行地延伸。多条高压电源配线15p沿着源极配线15s相互平行地延伸。这些栅极配线15g、发光控制配线15e、源极配线15s以及高压电源配线15p彼此绝缘，并且作为整体形成为格子状并区画各子像素6。
各源极配线15s和各高压电源配线15p作为边框配线15f从显示区域2被引绕到端子部4。各高压电源配线15p经由设置在端子部4上的端子与高电压电源(ELVDD)66电连接。各栅极配线15g连接到控制电路区域53中的栅极驱动器电路51，并且由栅极驱动器电路51依次驱动。各发光控制配线15e连接到控制电路区域53中的发光控制电路52，并且由发光控制电路52依次驱动。尽管未图示出，但是时钟信号配线等多条控制配线连接至这些栅极驱动器电路51和发光控制电路52，并且这些控制配线作为边框配线15f被引绕至端子部4。
第一TFT 12A、第二TFT 12B以及第三TFT 12C是有效元件的示例，并且例如采用顶部栅极型的结构。具体地，如图4所示，第一TFT 12A和第三TFT 12C包括：呈岛状设置在底涂膜11上的半导体层17、覆盖半导体层17的栅极绝缘膜18以及隔着栅极绝缘膜18与半导体层17的一部分(沟道区域)重叠的栅极19、覆盖栅极19的层间绝缘膜20、以及设置在层间绝缘膜20上的源极21和漏极22。尽管在图4中未图示出，但是第二TFT 12B具有与第一TFT12A和第三TFT 12C相同的结构。
栅极19由与多个栅极配线15g相同的材料形成在同一层。层间绝缘膜20由第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24的层叠膜构成。这些第一层间绝缘膜23以及第二层间绝缘膜24和栅极绝缘膜18，分别由例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
源极21和漏极22彼此分离，且经由形成在栅极绝缘膜18以及层间绝缘膜20上的接触孔25分别连接到半导体层17的不同部分(源极区域、漏极区域)。源极21在显示区域2中由与多条源极配线15s相同的材料形成在同一层。
在第一TFT 12A中，栅极19与对应的栅极配线15g一体设置，源极21与对应的源极配线15s一体设置，漏极22与第二TFT的栅极19和电容器14电连接。在第二TFT 12B中，源极21与高压电源配线15p电连接，漏极22与第三TFT 12C的源极21电连接。此外，第三TFT 12C的栅极19与发光控制配线15e电连接。
电容器14与对应的第一TFT 12A及高压电源配线15p连接。该电容器14包括设置在栅极绝缘膜18上的下部导电层26、覆盖下部导电层26的第一层间绝缘膜23以及隔着第一层间绝缘膜23与下部导电层26重叠的上部导电层27。下部导电层26由与栅极19相同的材料形成在同一层。上部导电层27经由形成在第二层间绝缘膜24的接触孔28连接到高压电源配线15p。
在显示区域2中，通过平坦化膜16覆盖除第三TFT 12C的漏极22的一部分以外，TFT层8的表面被平坦化，使得源极配线15s、高压电源配线15p、第一TFT 12A、第二TFT 12B和第三TFT 12C的表面形状不被反射。该平坦化膜16例如由聚酰亚胺树脂等无色透明的有机树脂材料形成。
有机EL元件9设置在平坦化膜16上。显示区域2由该有机EL元件9构成。该有机EL元件9采用顶发射型的结构。具体地，有机EL元件9包括设置在平坦化膜16的表面上的多个第一电极29、设置在各第一电极29上的作为功能层的有机EL层30以及隔着有机EL层30与第一电极29重叠的第二电极31。
第一电极29设置在各子像素6并呈矩阵状配置，并经由形成在平坦化膜16中的接触孔32连接到对应的子像素6中的第三TFT 12C的漏极22上。第一电极29具有向有机EL层30注入空穴(hole)的功能，并优选由功函数大的材料形成，以提高到有机EL层30的空穴注入效率。
在此，作为形成第一电极29的材料可以例举例如：银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等金属材料。
此外，第一电极29的材料例如也可以为镁(Mg)与铜(Cu)、镁(Mg)与银(Ag)、钠(Na)与钾(K)、砹(At)与氧化砹(AtO2)、锂(Li)与铝(Al)、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)等合金。
此外，第一电极29的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极29也可以通过层叠多个由上述材料构成的层来形成。另外，作为功函数大的材料，例如可例举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
相邻的子像素6的第一电极29彼此由边缘罩33划分。边缘罩33形成为格子状并且覆盖各第一电极29的周缘部。作为边缘罩33的材料的可以例举例如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等无机化合物，以及聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机树脂材料。
有机EL层30设置在每个子像素6上。该有机EL层30具有如图5所示的空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37和电子注入层38依次层叠在第一电极29上的结构。
空穴注入层34也称为阳极缓冲层，其使第一电极29与有机EL层30之间的能级接近，具有改善空穴从第一电极29被注入到有机EL层30的效率的功能。作为空穴注入层34的材料，例如可例举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴传输层35具有提高空穴从第一电极29到有机EL层30的传输效率的功能。在此，作为空穴传输层35的材料，例如可例举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
当通过第一电极29和第二电极31施加电压时，发光层36具有使从第一电极29注入的空穴和从第二电极31注入的电子重组来发光的功能。在各个子像素6中，发光层36由根据有机EL器件9的发光颜色(例如，红色、绿色或蓝色)而不同的材料形成。
作为发光层36的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层37具有使电子高效地迁移至发光层36的功能。作为电子传输层37的材料，例如可例举恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层38也称为阴极缓冲层，其使第二电极31与有机EL层30之间的能级接近，具有改善从第二电极31向有机EL层30注入空穴的效率的功能。作为电子注入层38的材料，例如可例举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这种无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图4所示，第二电极31共通设置在多个第一电极29上(即，在多个子像素6上共通)，并覆盖有机EL层30。该第二电极31与低压电源配线60电连接，并通过设置在端子部4的配线端子15t经由该低压电源配线60与低电压电源(ELVSS)65导通。第二电极31具有将电子注入到有机EL层30中的功能，并且优选地由具有功函数小的材料形成，以便提高将电子到有机EL层30中的注入效率。
作为第二电极31的材料，例如可例举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。
此外，第二电极31的材料例如也可以为镁(Mg)与铜(Cu)的合金、镁(Mg)与银(Ag)的合金、钠(Na)与钾(K)的合金、砹(At)与氧化砹(AtO2)的合金、锂(Li)与铝(Al)的合金、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)的合金、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)的合金等。
此外，第二电极31例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极31例如也可以是多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可例举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)与铜(Cu)的合金、镁(Mg)与银(Ag)的合金、钠(Na)与铜(Cu)的合金、镁(Mg)和银(Ag)的合金、钠(Na)与钾(K)的合金、锂(Li)与铝(Al)的合金、锂(Li)与钙(Ca)与铝(Al)的合金、氟化锂(LiF)与钙(Ca)与铝(Al)的合金等。
密封膜10具有保护有机EL层9免受水分、氧的功能。如图4所示，该密封膜10包括覆盖第二电极31的第一无机层39、设置在第一无机层39上的有机层40和覆盖有机层40的第二无机层41。
第一无机膜39以及第二无机膜41例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)等无机材料形成。有机膜40由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机树脂材料构成。
图6是表示图1的有机EL显示装置1的由VI包围的部分的俯视图。此外，图7是图6的有机EL显示装置1的沿着VII-VII线的位置中的截面图。另外，在图6中，将点添加到形成平坦化膜16、第一阻挡壁45和第二阻挡壁46的区域。此外，省略了构成密封膜10的第一无机层39和第二无机层41的图示，有机层40的周端缘40e由粗线表示。这在后述的变形例中参照的图8、图10和图11中也相同。
第一无机层39、有机层40和第二无机层41设置在整个显示区域2的同时，也设置在如图6和图7所示地在边框区域3上。第一无机层39、有机层40和第二无机层41的各周缘均位于边框区域3中。有机层40的周端缘40e位于在边框区域3中比第一无机层39和第二无机层41的周端缘更靠近显示区域2侧。
边框区域3设置有阻挡结构44，该阻挡结构44用于在有机EL显示装置1的制造过程中阻挡成为有机层40的有机树脂材料在涂布时的扩展。阻挡结构44包括包围显示区域2的第一阻挡壁45和包围第一阻挡壁45的第二阻挡壁46。第一阻挡壁45和第二阻挡壁46设置在平坦化膜16的整个外周。
第一阻挡壁45和第二阻挡壁46形成为彼此相似的矩形框状，并且在边框区域3的宽度方向上相互隔开间隔配置。这第一阻挡壁45和第二阻挡壁46均具有层叠了第一壁层47和第二壁层48的结构。第一壁层47由与平坦化膜16相同的材料形成在同一层。第二壁层48由与边缘罩33相同的材料形成在同一层。
在平坦化膜16的外侧形成有狭缝50，该狭缝50在该平坦化膜16的侧方使平坦化膜16的下层露出。具体地，在平坦化膜16与第一阻挡壁45之间形成第一狭缝50a作为该狭缝50。此外，在第一阻挡壁45和第二阻挡壁46之间形成第二狭缝50b作为该狭缝50。
此外，平坦化膜16形成有贯通该平坦化膜16的一个沟槽49。如图1所示，该沟槽49以包围显示区域2的方式设置在边框区域3中的一部分，该部分构成除了设置有端子部4的那一边之外的三边。该沟槽49在俯视时沿着边框区域3的各边呈直线状地延伸，并在边框区域3将平坦化膜16分割成内侧和外侧，以起到防止水分浸入到显示区域2中的作用。
然后，沟槽49位于边框区域3中的控制电路区域53中。控制电路区域53中的栅极驱动器电路51和发光控制电路52在边框区域3以沟槽49为边界分别形成在两侧。具体而言，栅极驱动电路51形成在沟槽49与显示区域2之间，发光控制电路52形成在沟槽49与第一狭缝50a之间。
从显示区域2至少到第一阻挡壁45设置有有机层40，该有机层40与第一阻挡壁45接触，与第一狭缝50a重叠。在图6和图7所示的示例中，有机层40设置成占满第一阻挡壁45的内侧，被第一阻挡壁45阻挡而没有设置到第一阻挡壁45的外侧。这样的有机层40覆盖有机EL元件9、栅极驱动电路51以及发光控制电路52等各种元件、电路，且起到在这些各种元件、电路的形成位置存在异物时，作为覆盖该异物并将其完全包裹，并防止在密封膜10中发生缺陷的缓冲层的作用。
第一无机层39和第二无机层41覆盖第一阻挡壁45和第二阻挡壁46两者。这些第一无机层39和第二无机层41的周端缘部彼此之间在第一阻挡壁45的外侧相互连接。即，有机层40被第一无机层39和第二无机层41包围，并且被封入在第一无机层39和第二无机层41之间。
在边框区域3中比平坦化膜16更下层设置有第一导电层70，该第一导电层70构成低压电源配线60。该第一导电层70包括构成外侧配线61的宽度相对宽的外侧导电层71和构成内侧配线62的宽度相对窄的内侧导电层72。这些外侧导电层71和内侧导电层72由与显示区域2中的源极配线15s、源极21以及漏极22相同的材料形成在同一层，并设置在层间绝缘膜20上。
从与平坦化膜16重叠的位置到第二阻挡壁46设置有外侧导电层71。该外侧导电层71在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部从平坦化膜16、第一阻挡壁45和第二阻挡壁46露出。另一方面，内侧导电层72在控制电路区域53中从以沟槽49作为边界的一方侧到另一方侧设置，并且具有与沟槽49的整个宽度方向对应的位置关系。该内侧导电层72与设置在控制电路区域53中的栅极驱动器电路51和发光控制电路52电绝缘，并且在沟槽49内部，具体地在沟槽49的底部从平坦化膜16露出，构成沟槽49的底表面。
此外，在边框区域3中的平坦化膜16的上层设置有第二导电层75，该第二导电层75将有机EL元件9的第二电极31与第一导电层70电连接。第二导电层75由与有机EL元件9的第一电极29相同的材料形成在同一层，并设置在平坦化膜16上。从平坦化膜16上到第二阻挡壁46设置有该第二导电层75，第二导电层75位于构成第一阻挡壁45以及第二阻挡壁46的第一壁层47和第二壁层48之间。然后，第二导电层75在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部与外侧导电层71重叠并接触，并且在平坦化膜16的外侧与外侧导电层71电连接。
此外，在平坦化膜16中，从比沟槽49更靠平坦化膜16的外侧到比沟槽49更靠显示区域2侧设置有第二导电层75，第二导电层75覆盖沟槽49的内表面，并与在沟槽49的内部露出的内侧导电层72电连接。在平坦化膜16上从比沟槽49更靠显示区域2侧到比沟槽49更靠平坦化膜16的外侧设置有第二电极31，且第二电极31与第二导电层75一起覆盖沟槽49的内表面。如上所述，用第二导电层75和第二电极31覆盖沟槽49的内表面，可以防止来自有机EL显示装置1中的外部环境的水分穿过沟槽49浸入到显示区域2。
第二电极31和第二导电层75在沟槽49的内部重叠并接触，并且彼此电连接。结果，第二电极31在沟槽49内部经由第二导电层75与内侧导电层72电连接。如上所述，第二电极31在平坦化膜16的外侧电连接到外侧导电层71的同时，在控制电路区域53通过沟槽49与内侧导电层72电连接，与低压电源配线60电连接。
在上述构成的有机EL显示装置1中，在各子像素6中，通过经由栅极配线15g将栅极信号输入到第一TFT 12A使第一TFT 12A成为导通状态，通过将与源极信号对应的规定的电压经由源极配线15s写入到第二TFT 12B的栅极19及电容器14，发光控制信号经由发光控制配线15e输入到第三TFT 12C时使第三TFT 12C成为导通状态，且与第二TFT 12B的栅极电压对应的电流从高压电源配线15p供给到有机EL元件9，由此，有机EL层30的发光层36发光，从而进行图像显示。另外，在有机EL显示装置1中，即使第一TFT 12成为截止状态，由于第二TFT 12B的栅极电压通过电容器14被保持，因此，在每个子像素6中有机EL层30(发光层36)的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。
这样的有机EL显示装置1例如在形成在玻璃基板表面的树脂基板层7上，使用已知的方法形成TFT层8、有机EL元件9以及密封膜10之后，可以通过从树脂基板层7剥离玻璃基板来制造。
但是，在形成TFT层8的过程中在形成源极21和漏极22的工序中，例如通过溅射法在形成有层间绝缘膜20的基板上形成金属膜(Ti层/Al层/Ti层的层叠膜等)之后，通过对该金属膜进行光刻处理、蚀刻处理、抗蚀剂剥离，并对该金属膜进行图案化，与源极21和漏极22一起形成第一导电层70(外侧导电层71和内侧导电层72)。
此外，在形成平坦化膜16的工序中，由丙烯酸树脂等构成的感光性有机树脂膜通过例如旋涂等已知涂布方法形成在形成有源极21和漏极22的基板上之后，通过对该有机树脂膜进行光刻处理，并对该有机树脂膜进行图案化，在控制电路区域53设置有沟槽49的平坦化膜16。
此外，在形成有机EL元件9的过程中，在形成第一电极29的工序中，通过例如溅射法在形成有TFT层8的基板上形成金属膜(ITO层/MgAg层/ITO层等)之后，通过对该金属膜进行光刻处理、蚀刻处理和抗蚀剂剥离处理，并对该金属膜进行图案化，与多个第一电极29一起形成第二导电层75。
此时，第二导电层75在平坦化膜16的外侧，以在第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部与外侧导电层71重叠并接触，并覆盖沟槽49的内表面的方式设置，并在沟槽49的内部与内侧导电层72接触。然后，在形成第二电极31的工序中，在平坦化膜16上以与第二导电层75重叠的方式形成第二电极31。这样，第二电极31在平坦化膜16的外侧与外侧导电层71电连接的同时，在控制电路区域53穿过沟槽49与内侧导电层72电连接。
根据本实施方式的有机EL显示装置1，除了在边框区域3的平坦化膜16上形成沟槽49，将有机EL元件9的第二电极31在平坦化膜16外侧与外侧导电层71电连接之外，由于在沟槽49的内部，经由第二导电层75电连接到从平坦化膜16露出的内侧导电层72，因此，可以确保第二电极31与第二导电层75之间的接触面积以及第一导电层70与第二导电层75之间的接触面积。由此，可以降低第二电极31与第一导电层70之间的电阻，并且可以确保有机EL显示装置1的显示品质。
〈实施方式的第一变形例〉
图8是表示该第一变形例的有机EL显示装置1的概略构成的俯视图。图9是表示图8的有机EL显示装置1的由IX包围的部分的俯视图。图10是图9的有机EL显示装置1的沿着X-X线的位置处的截面图。另外，在图8中，为了方便，比图1更夸张地并宽度更宽地图示了内侧导电层72。
在上述实施方式的有机EL显示装置1中，在平坦化膜16上形成有一个沟槽49，但是在该第一变形例的有机EL显示装置1中，如图8～图10所示，在平坦化膜16上以彼此相邻地延伸的方式形成有两个沟槽49A、49B。即，沟槽49A、49B以包围显示区域2的方式设置成两层。这两个沟槽49A、49B在边框区域3中设置有端子部4的一边侧上相互连接。
第一导电层70中的内侧导电层72被设置成横跨从比设置显示区域2侧的一方的沟槽49相比更靠显示区域2侧的位置到比设置在边框区域3的外周侧的另一方的沟槽49B相比更靠边框区域3的外周侧的位置，并相对于相邻的两个沟槽49A、49B具有与它们两个对应于的位置关系。即，内侧导电层72被设置成在相邻的两个沟槽49A、49B共用。
第二导电层75覆盖沟槽49A、49B两者的内表面，并且与在各沟槽49A、49B内部露出的内侧导电层72连接。然后，第二电极31在平坦化膜16上以及各沟槽49A、49B的内部与第二导电层75重叠并接触，在平坦化膜16的外周上的第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部以及彼此相邻的两个沟槽49的内部，经由第二导电层75与内侧导电层72电连接。
根据该第一变形例的有机EL显示装置1，由于在边框区域3中的平坦化膜16形成两个沟槽49A、49B，有机EL元件9的第二电极31在沟槽49A、49B两者的内部经由第二导电层75电连接到从平坦化膜16露出的内侧导电层72，因此，可以使第二电极31与第二导电层75之间的接触面积比第一导电层70与第二导电层75之间的接触面积更大。由此，可以很好地降低第二电极31与第一导电层70之间的电阻，并且可以提高有机EL显示装置1的显示品质。
〈实施方式的第二变形例〉
图11是表示该第二变形例的有机EL显示装置1的与图6对应的图。在上述实施方式的有机EL显示装置1中，沟槽49在俯视时沿着边框区域3的各边呈直线状地延伸，但是，在该第二变形例的有机EL显示装置1中，如图11所示，沟槽49在俯视时沿着边框区域3的各边在平坦化膜16的内侧和外侧形成为交替地呈曲柄状弯曲并延伸的线状。
第一导电层70中的内侧导电层72被设置成在俯视时，横跨从在沟槽49中的比向显示区域2侧突出的凸状部分49a更靠近显示区域2侧的位置到向边框区域3的外周侧突出的凸状部分49b更靠近边框区域3的外周侧的位置，相对于曲柄状的沟槽49具有与其整个宽度方向对应的位置关系。这样，内侧导电层72构成曲柄状的沟槽49的整个底表面，并且在沟槽49的内部露出。
第二导电层75横跨整体并覆盖曲柄状的沟槽49的内表面，并且在该沟槽49的内部与露出的内侧导电层72电连接。然后，第二电极31在平坦化膜16上以及曲柄状的沟槽49的内部与第二导电层75重叠并接触，在平坦化膜16的外周的第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部以及曲柄状的沟槽49的内部，经由第二导电层75与内侧导电层72电连接。
根据该第二变形例的有机EL显示装置1，由于沟槽49形成为呈曲柄状弯曲并延伸的线状，因此，在沟槽49的内部，从平坦化膜16露出的内侧导电层72的面积增大，并且第二导电层75和内侧导电层72之间的接触面积可以增加相应的量。此外，由于沟槽49的内表面变宽，因此，可以增加在沟槽49的内部的第二导电层75和第二电极31之间的接触面积。由此，可以适当地降低第二电极31与第一导电层70之间的电阻，并且可以提高有机EL显示装置1的显示品质。
〈实施方式的第三变形例〉
图12是表示该第三变形例的有机EL显示装置1的与图6对应的图。在上述第二变形例2的有机EL显示装置1中，沟槽49在俯视时为呈曲柄状弯曲并延伸的线状，但是，在该第三变形例的有机EL显示装置1中，如图12所示，沟槽49在俯视时沿着边框区域3的各边在平坦化膜16的内侧和外侧形成为交替地呈锯齿状弯曲并延伸的线状。
第一导电层70中的内侧导电层72被设置成，在俯视时，横跨从在沟槽49中的比向显示区域2侧突出的角部分49c更靠近显示区域2侧到向边框区域3的外周侧突出的角部分49d更靠近边框区域3的外周侧的位置，相对于锯齿状的沟槽49具有与其整个宽度方向对应的位置关系。这样，内侧导电层72构成锯齿状的沟槽49的整个底表面，并且在沟槽49的内部露出。
第二导电层75覆盖锯齿状的沟槽49的内表面，在该沟槽49的内部与露出的内侧导电层72连接。然后，第二电极31在平坦化膜16上以及呈锯齿状延伸的沟槽49内部与第二导电层75重叠并接触，在平坦化膜16的外周上的第一狭缝50a的内部和第二狭缝50b的内部以及呈锯齿状的沟槽49的内部经由第二导电层75与内侧导电层72电连接。
根据该第三变形例的有机EL显示装置1，可以获得与上述第二变形例的有机EL显示装置1同样的效果。
〈实施方式的第四变形例〉
图13是该第四变形例的有机EL显示装置1的与图1对应的图。图14是图13的有机EL显示装置1的沿着XIV－XIV线的位置处的截面图。在上述实施方式的有机EL显示装置1中例示了以下构成，外侧导电层71和内侧导电层72在边框区域3中的控制电路区域53所在的一边侧和端子部4所在的一边侧以各自相同程度的宽度设置，但是，在第四变形例的有机EL显示装置1中，如图13和图14所示，外侧导电层71和内侧导电层72在设置有控制电路区域53的一边侧分离，但是在设置有端子部4的一边侧连续地形成。
由于在边框区域3中，在控制电路区域53所在的一边侧存在栅极驱动器电路51、发光控制电路52，因此，外侧导电层71和内侧导电层72连接且难以增宽第一导电层70的宽度，但是，由于在端子部4所处的一边侧不存在这些电路，因此，外侧导电层71和内侧导电层72连接且可以增宽第一导电层70的宽度。根据该第四变形例的有机EL显示装置1，可以降低第一导电层70的电阻，并且可以提高有机EL显示装置1的显示品质。
如上所述，作为本公开的技术的示例，对优选实施方式及其变形例进行了说明。但是，本发明的技术不限于此，也可以适用于适当地进行了变更、置换、附加、省略等的实施方式。此外，也可以将上述实施方式及变形例中说明的各构成要素组合为新的实施方式。此外，在附图和详细说明中记载的构成要素中，可以包括对于解决问题不是必需的构成要素。因此，不应立即通过在附图或详细说明中记载这些非必要的构成要素来认定这些非必要的构成要素是必需的。
在上述实施方式中，尽管第一导电层70中的外侧导电层71与第二导电层75在第一狭缝50a的内部重叠，但本公开的技术不限于此。例如，外侧导电层71也可以仅设置在边框区域3中的比第一阻挡壁45更外侧的区域中，第二导电层75可以从平坦化膜16上设置到第二阻挡壁46，仅在第一阻挡壁45的外侧与外侧导电层71重合并接触。
此外，在上述实施方式中，有机层40设置为从显示区域2到第一阻挡壁45，但是本发明的技术不限于此。例如，也可以构成为从显示区域2到第二阻挡壁46设置有机层40，也可以设置在第二阻挡壁46的外侧为止。
此外，在上述实施方式中，尽管有机EL层30单独地形成在各子像素6上，但本公开的技术的应用范围不限于此。有机EL层30也可以被共通设置在多个子像素6上。在这种情况下，有机EL显示装置1可以具备滤色器等来进行各子像素6的色调显示。
此外，在本实施方式中，尽管例示了使用树脂基板层7作为基板的有机EL显示装置1，但是本公开的技术的适用范围不限于此。作为基板，也可以使用由玻璃、石英等无机材料、聚对苯二甲酸乙二酯等塑料、氧化铝等陶瓷构成的基板。此外，基板也可以是用硅胶、有机绝缘材料等涂覆铝、铁等金属基板的一个表面获得的基板，或者是通过阳极氧化等方法对金属基板的表面进行绝缘处理获得的基板。
此外，在上述实施方式中，第一TFT 12A、第二TFT 12B以及第三TFT 12C采用顶栅型的结构，但是本公开的技术的应用范围不限于此。第一TFT 12A、第二TFT 12B以及第三TFT12C也可以采用底栅型的结构。
此外，在上述实施方式中，例示了将第一电极29作为阳极、将第二电极31作为阴极的有机EL显示装置1，但是本公开的技术的适用范围不限于此。在本公开的技术中，也可以应用于例如，将有机EL层30的层叠结构反转，将第一电极29作为阴极，将第二电极31作为阳极的有机EL显示装置1。
此外，在上述实施方式中，例示了有机EL显示装置1作为显示装置，但并不限定于此。本发明的技术可适用于具有多个由电流驱动的发光元件的显示装置，例如，具有QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)的显示装置，该QLED是使用量子点含有层的发光元件。
工业上的实用性
如上所述，本公开的技术对于发光元件的电极和构成边框配线的导电层在边框区域中电连接的显示装置是有用的。
附图标记说明
1有机EL显示装置
2 显示区域
3 边框区域
4 端子部
5 像素
6，6r，6g，6b子像素
7树脂基板层(基板)
8TFT层
9有机EL元件(发光元件)
10 密封膜
11 底涂膜
12A第一TFT
12B第二TFT
12C第三TFT
14 电容器
15 显示用配线
15g 栅极配线
15s 源极配线
15p 高压电源配线
15f 边框配线
15t 配线端子
16 平坦化膜
17 半导体层
18 栅极绝缘膜
19 栅极
20 层间绝缘膜
21 源极
22 漏极
25，28，32接触孔
26 下部导电层
27 上部导电层
29 第一电极
30有机EL层(功能层)
31 第二电极
33 边缘罩
34 空穴注入层
35 空穴传输层
36 发光层
37 电子输送层
38 电子注入层
39 第一无机层
40 有机层
41 第二无机层
44 阻挡结构
45 第一阻挡壁
46 第二阻挡壁
47 第一壁层
48 第二壁层
49，49A，49B沟槽
49a，49b凸状部分
49c，49d角部分
50 狭缝
50a 第一狭缝
50b 第二狭缝
51 栅极驱动器电路
52 发光控制电路
53 控制电路区域
60 低压电源配线
61 外侧配线
62 内侧配线
65 低电压电源
66 高电压电源
70 第一导电层
71 外侧导电层
72 内侧导电层
75 第二导电层

Claims (11)

1.一种显示装置，其包括：
基板；
第一导电层，其设置在所述基板上；
平坦化膜，其设置在所述第一导电层上；以及
多个发光元件，其设置在所述平坦化膜上，
设置有通过所述发光元件的发光进行图像显示的显示区域以及位于所述显示区域的周围的边框区域，
所述发光元件包括第一电极、设置在所述第一电极上的功能层以及隔着所述功能层与所述第一电极重叠的第二电极，
在所述边框区域中设置有第二导电层，所述第二导电层在所述平坦化膜上与所述第二电极接触并且在所述平坦化膜的外周与所述第一导电层接触，所述第二电极经由所述第二导电层与所述第一导电层电连接，所述显示装置的特征在于，
在所述平坦化膜中的位于所述边框区域的部分，贯通所述平坦化膜的沟槽以在所述边框区域将所述平坦化膜区划成内侧和外侧的方式形成，
所述第一导电层也设置在与所述沟槽对应的位置，并在所述沟槽的内部从所述平坦化膜露出，
所述第二电极在所述沟槽的内部与所述第二导电层接触，并且经由所述第二导电层与所述第一导电层电连接，
在所述边框区域，在所述平坦化膜的外周设置有包围所述显示区域的阻挡壁，所述阻挡壁横跨整个外周设置，
所述第一导电层和所述第二导电层在狭缝的内部接触，所述狭缝形成在所述平坦化膜和所述阻挡壁之间，
所述第二电极和所述第二导电层在所述平坦化膜上接触，
所述阻挡壁包括第一阻挡壁和第二阻挡壁，
所述狭缝包括第一狭缝和第二狭缝，
所述第一导电层在所述第一阻挡壁的下层以从所述第一狭缝向所述第二狭缝连续的方式设置，在所述第一狭缝及所述第二狭缝二者的内部，所述第一导电层与所述第二导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述边框区域包括控制电路单片地形成在所述基板上的控制电路区域，
所述控制电路在所述边框区域以所述沟槽为边界分别形成在两侧。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述边框区域中的与设置有所述控制电路区域的边不同的边侧设置有端子部，
设置在所述平坦化膜的外周的所述第一导电层和在所述沟槽的内部从所述平坦化膜露出的所述第一导电层且在设置有所述控制电路区域的边侧分离，在设置有所述端子部的边侧连续地形成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电层电连接到低电压电源。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
以彼此相邻地延伸的方式形成有多个所述沟槽。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电层被设置成在相邻的所述沟槽共用，
所述第二电极在相邻的所述沟槽的内部经由所述第二导电层与所述第一导电层分别电连接。
7.根据权利要求1～3中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述沟槽形成为在俯视时沿着所述边框区域的边延伸的直线状。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述沟槽形成为在俯视时沿着所述边框区域的边在所述平坦化膜的内侧和外侧交替地弯曲并延伸的线状。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域设置有用于传输源极信号的源极配线，
所述第一导电层由与所述源极配线相同的材料形成在同一层，
所述第二导电层由与所述第一电极相同的材料形成在同一层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，在所述第一电极和所述第二电极之间形成有边缘罩，
所述阻挡壁包括第一壁层以及第二壁层，所述第一壁层由与所述平坦化膜相同的材料形成在同一层，所述第二壁层由与所述边缘罩相同的材料形成在所述第一壁层上。
11.根据权利要求1或10所述的显示装置，其特征在于，
进一步包括密封膜，所述密封膜覆盖所述多个发光元件，
所述密封膜包括设置在所述发光元件上的第一无机层、设置在所述第一无机层上的有机层以及设置在所述有机层上的第二无机层，
所述有机层被所述阻挡壁阻挡。
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