CN113327940A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113327940A CN113327940A CN202110595331.4A CN202110595331A CN113327940A CN 113327940 A CN113327940 A CN 113327940A CN 202110595331 A CN202110595331 A CN 202110595331A CN 113327940 A CN113327940 A CN 113327940A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent conductive
- substrate
- layer
- display panel
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以改善显示面板显示画面不均匀的问题。显示面板包括衬底、绝缘层、第一透明导电线和第二透明导电线。绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸。相邻的凸条和沟槽中,凸条远离衬底的一面中,沿第一方向且靠近沟槽的边界在衬底上的正投影,位于沟槽在衬底上的最大正投影范围内。每条第一透明导电线位于一个凸条远离衬底一面上,且沿第一方向延伸。每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸。本公开所提供的显示面板中,功能器件设置区与主显示区的像素密度差异较小,显示面板显示画面均匀性较佳。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能,逐渐成为显示领域的主流之一。
为了提高显示装置的屏占比,相关技术中将摄像头以及一些感应器放置于显示屏内。然而,显示面板中正对摄像头或感应器的区域的像素密度与显示面板中未对应摄像头或感应器的区域的像素密度之间相差较大,使得显示面板不同区域分辨率不同,画面显示效果不均匀。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,可以改善显示面板不同区域像素密度不同,导致画面显示效果不均匀的问题。
为达到上述目的,本公开一些实施例提供了如下技术方案:
第一方面,提供了一种显示面板,包括功能器件设置区,和围绕所述功能器件设置区的至少部分边界的主显示区;所述显示面板包括衬底、绝缘层、至少一条第一透明导电线和至少一条第二透明导电线。绝缘层,设置于所述衬底上;所述绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸;相邻的凸条和沟槽中,所述凸条远离所述衬底的一面中,沿第一方向且靠近所述沟槽的边界在所述衬底上的正投影,位于所述沟槽在所述衬底上的最大正投影范围内;每条第一透明导电线位于一个凸条远离所述衬底一面上,且沿第一方向延伸;每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸;其中,所述第一透明导电线的宽度与所述凸条远离所述衬底的一面的宽度近似相等,所述第二透明导电线的宽度与所述沟槽远离所述衬底的一侧开口的宽度近似相等。
在一些实施例中,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层。第二绝缘层,位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧;所述第二绝缘层的材料与所述第一绝缘层的材料不同;所述凸条包括位于所述第一绝缘层的第一子凸条,和位于所述第二绝缘层的第二子凸条;沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最小值小于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值;所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值小于或等于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值。
在一些实施例中,所述第一绝缘层的材料为氧化硅,所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
在一些实施例中,显示面板还包括多条转接线、多个第一像素电路和多个第一电极。每条转接线包括位于功能器件设置区的第一部分和位于主显示区的第二部分;每条所述第一透明导电线与一条转接线的第一部分电连接,且每条所述第二透明导电线与一条转接线的第一部分电连接;多个第一像素电路,设置于所述主显示区;每条转接线的第二部分与一个第一像素电路电连接;多个第一电极,设置于所述功能器件设置区;每条第一透明导电线与一个第一电极电连接,且每条第二透明导电线与一个第一电极电连接。
在一些实施例中,显示面板包括像素电路层、连接层和第一电极层。像素电路层,包括所述多个第一像素电路;所述像素电路层包括层叠设置的半导体层、栅导电层和源漏导电层;所述多条转接线设置于所述栅导电层;连接层,位于所述像素电路层远离所述衬底的一侧;所述第一透明导电线和所述第二透明导电线设置于所述连接层;第一电极层,位于所述连接层远离所述衬底的一侧;所述多个第一电极设置于所述第一电极层。
在一些实施例中,显示面板还包括第三绝缘层、钝化层和第一平坦层。第三绝缘层,位于所述栅导电层和所述源漏导电层之间。钝化层,位于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧;第一平坦层,位于所述钝化层与所述连接层之间;所述第一平坦层中设置有开口,所述功能器件设置区位于所述开口在所述衬底上的正投影范围内;其中,所述第三绝缘层和所述钝化层中设置有第一过孔,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线通过相应的第一过孔与相应的转接线的第一部分电连接;所述第三绝缘层中设置有第二过孔,所述转接线的第二部分通过相应的第二过孔与相应的第一像素电路中晶体管的源极或漏极电连接。
在一些实施例中,所述钝化层包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层;或者,所述第三绝缘层作为所述第一绝缘层,所述钝化层作为所述第二绝缘层。
在一些实施例中,用于电连接的所述第一透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度大于用于电连接的所述第二透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度。
在一些实施例中,显示面板,还包括第二平坦层。第二平坦层,位于所述连接层与所述第一电极层之间;其中,所述第二平坦层中设置有第三过孔,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线通过相应的第三过孔与相应的第一电极电连接。
在一些实施例中,所述转接线沿第一方向延伸,且多条所述转接线沿第二方向间隔且并列布置;所述第二方向垂直于所述第一方向。
在一些实施例中,所述至少一个凸条和所述多个沟槽沿第二方向间隔且并列布置;所述第二方向垂直于所述第一方向;所述凸条和所述沟槽沿所述第一方向从所述功能器件设置区的一侧延伸至另一侧;所述凸条上设置的第一透明导电线的长度小于或等于所述凸条的长度;和/或,所述沟槽内设置的第二透明导电线的长度小于或等于所述沟槽的长度。
在一些实施例中,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线的宽度大于或等于1.5μm,且小于或等于3.5μm。
第二方面,提供了一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括功能器件设置区和围绕所述功能器件设置区的至少部分边界的主显示区;所述显示面板的制作方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成绝缘层;所述绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸;相邻的凸条和沟槽中,所述凸条远离所述衬底的一面中,沿第一方向且靠近所述沟槽的边界在所述衬底上的正投影,位于所述沟槽在所述衬底上的最大正投影范围内;沉积透明导电薄膜,刻蚀所述透明导电薄膜,以形成至少一条第一透明导电线和至少一条第二透明导电线;每条第一透明导电线位于一个凸条远离所述衬底一面上,且沿第一方向延伸;每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸;其中,所述第一透明导电线的宽度与所述凸条远离所述衬底的一面的宽度近似相等,所述第二透明导电线的宽度与所述沟槽远离所述衬底的一侧开口的宽度近似相等。
第三方面,提供一种显示装置,包括上述任一实施所述的显示面板。
本公开提供的显示面板及其制作方法、显示装置具有如下有益效果:
本公开所提供的显示面板中,绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,且凸条远离衬底的一面中,沿第一方向且靠近沟槽的边界在衬底上的正投影,位于沟槽在衬底上的最大正投影范围内。在沉积透明导电薄膜的过程中,沉积在凸条上和沟槽内的薄膜自然分开,在凸条上形成第一透明导电线,在沟槽内形成第二透明导电线,所得到的第一透明导电线的宽度与凸条远离衬底的一面的宽度近似相等,第二透明导电线的宽度与沟槽远离衬底的一侧开口的宽度近似相等。这样,可以通过减小凸条远离衬底的一面的宽度和沟槽远离衬底的一侧开口的宽度,使第一透明导电线和第二透明导电线的宽度较小,从而使得功能器件设置区内的第一透明导电线和第二透明导电线的数量增多,进而使得功能器件设置区内发光器件的数量增多,提高了功能器件设置区的像素密度,减小了功能器件设置区和主显示区的像素密度差异,改善了显示面板显示画面不均匀的问题。
本公开所提供的显示面板的制作方法和显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的显示面板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1A为根据一些实施例的一种显示面板的俯视图;
图1B为根据一些实施例的另一种显示面板的俯视图;
图2为图1A位置C处的放大图;
图3为图2在N-N'处的截面示意图;
图4为根据一些实施例的一种功能器件设置区的俯视图;
图5为图2在N-N'处的另一种截面示意图;
图6为图2在M-M'处的截面图;
图7为根据一些实施例的一种显示面板的结构图;
图8为根据一些实施例的另一种显示面板的结构图;
图9为根据一些实施例的再一种显示面板的结构图;
图10为根据一些实施例的又一种显示面板的结构图;
图11为根据一些实施例的又一种显示面板的结构图;
图12为根据一些实施例的一种转接线、第一透明导电线和第二透明导电线的排布图;
图13为根据一些实施例的一种显示面板的制作方法的流程图;
图14为根据一些实施例的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
为便于理解,下面结合说明书附图,对本公开一些实施例提供的技术方案进行详细的描述。显然,所描述的实施例仅仅是所提出的技术方案的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开的一些实施例,本领域技术人员所能获得的所有其他实施例,均属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义,均包括以下A、B和C的组合:仅A,仅B,仅C,A和B的组合,A和C的组合,B和C的组合,及A、B和C的组合。
“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
另外,“基于”的使用意味着开放和包容性,因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样,“大约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值,其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
如图1A和图1B所示,本公开的一些实施例提供了一种显示面板10,该显示面板10包括功能器件设置区A,和围绕功能器件设置区A的至少部分边界的主显示区B。
“主显示区B围绕功能器件设置区A的至少部分边界”,示例性的,可以是如图1A所示,主显示区B围绕功能器件设置区A的全部边界。或者,示例性的,可以是如图1B所示,主显示区B仅围绕功能器件设置区A的部分边界。
其中,功能器件设置区A可以与显示装置中位于显示面板10非显示侧的多个摄像头或者感应器相对应。
参见图2、图3和图4,显示面板10包括衬底1、绝缘层2、至少一条第一透明导电线3和至少一条第二透明导电线4。其中,绝缘层2,设置于衬底1上。绝缘层2包括位于功能器件设置区A,且交替间隔设置的至少一个凸条21和多个沟槽22,凸条21和沟槽22沿第一方向X延伸。相邻的凸条21和沟槽22中,凸条21远离衬底1的一面中,沿第一方向X且靠近沟槽22的边界21A在衬底1上的正投影,位于沟槽22在衬底1上的最大正投影范围D内。每条第一透明导电线3位于一个凸条21远离衬底1一面上,且沿第一方向X延伸。每条第二透明导电线4位于一个沟槽22内,且沿第一方向X延伸。
其中,第一透明导电线3的宽度d1与凸条21远离衬底1的一面的宽度d2近似相等,第二透明导电线4的宽度d3与沟槽22远离衬底1的一侧开口的宽度d4近似相等。
绝缘层2可以仅包括一个凸条21,也可以包括多个凸条。本公开并不对凸条21和沟槽22的数目进行限定。
示例性的,第一透明导电线3和第二透明导电线4的材料可以为氧化铟锡。
本公开一些实施例中,绝缘层2包括位于功能器件设置区A,且交替间隔设置的至少一个凸条21和多个沟槽22,且凸条21远离衬底1的一面中,沿第一方向X且靠近沟槽22的边界21A在衬底1上的正投影,位于沟槽22在衬底1上的最大正投影范围D内。第一透明导电线3的宽度d1与凸条21远离衬底1的一面的宽度d2近似相等,第二透明导电线4的宽度d3与沟槽22远离衬底1的一侧开口的宽度d4近似相等。这样,可以通过调整凸条21远离衬底1的一面的宽度d2和沟槽22远离衬底1的一侧开口的宽度d4的尺寸,调整第一透明导电线3的宽度和第二透明导电线4的宽度。与直接利用湿法刻蚀得到第一透明导电线和第二透明导电线相比,本公开中第一透明导电线3和第二透明导电线4的宽度较小,从而使得功能器件设置区A内可以设置较多的第一透明导电线3和第二透明导电线4的数目较多。
功能器件设置区A同样需要实现显示功能,因此功能器件设置区A内还可以包括设置在第一透明导电线3和第二透明导电线4远离衬底1的一侧的多个发光器件,一个发光器件可以与一条第一透明导电线3相连,也可以与一条第二透明导电线4相连。基于此,功能器件设置区A内设置的第一透明导电线3与第二透明导电线4的数目增多,还可以使得功能器件设置区A内设置的发光器件的数量也可以增多,从而提高了功能器件设置区A的像素密度,有利于减小功能器件设置区A和主显示区B的像素密度差异,提高显示面板10显示的画面的均一性。
在一些实施例中,如图5所示,绝缘层2包括第一绝缘层201和第二绝缘层202。其中,第二绝缘层202位于第一绝缘层201远离衬底1的一侧。第二绝缘层202的材料与第一绝缘层201的材料不同。
示例性的,第一绝缘层201的材料可以是氧化硅,第二绝缘层202的材料可以是氮化硅。
由于第二绝缘层202的材料与第一绝缘层201的材料不同,因此在同时对第一绝缘层201和第二绝缘层202进行刻蚀时,可以通过调整工艺参数的方式,使得第一绝缘层201的刻蚀速率大于第二绝缘层202的刻蚀速率,从而使相邻的凸条21和沟槽22中,凸条21远离衬底1的一面中,沿第一方向X且靠近沟槽22的边界21A在衬底1上的正投影,位于沟槽22在衬底1上的最大正投影范围D内,位于凸条上的第一透明导电线3和第二透明导电线4之间不容易出现电连接,保证显示面板的正常显示。
在一些实施例中,如图5所示,凸条21包括位于第一绝缘层201的第一子凸条211,和位于第二绝缘层202的第二子凸条212。沿垂直于衬底1且远离衬底1的方向,第一子凸条211沿平行于衬底1方向的尺寸的最小值小于第二子凸条212沿平行于衬底1方向的尺寸的最大值,且第一子凸条211沿平行于衬底1方向的尺寸的最大值小于或等于第二子凸条212沿平行于衬底1方向的尺寸的最大值。
示例性的,沿垂直于衬底1且远离衬底1的方向,第一子凸条211的厚度可以与第一绝缘层201的厚度相同。或者,示例性的,沿垂直于衬底1且远离衬底1的方向,第一子凸条211的厚度可以小于第一绝缘层201的厚度(如图5所示)。
通过这样设置,使得在沉积透明导电薄膜,制作第一透明导电线3和第二透明导电线4时,透明导电薄膜能够更好的被凸条21和沟槽22分割开来,从而有利于避免位于凸条21远离衬底21的一面上的第一透明导电线3和位于该凸条21相邻沟槽22内的第二透明导电线4之间出现电连接,导致与第一透明导电线3和第二透明导电线4连接的发光器件不能正常显示的情况发生。
本公开并不对第一子凸条211和第二子凸条212的形状进行限制,只要能够避免第一透明导电线3和第二透明导电线4之间出现电连接即可。示例性的,参见图5,沿垂直于衬底1且远离衬底1的方向,第一子凸条211平行于衬底1方向的尺寸可以先减小后增大,第二子凸条212的平行于衬底1方向的尺寸可以保持不变。
在一些实施例中,参见图2和图6,显示面板10还可以包括多条转接线5、多个第一像素电路6和多个第一电极7。其中,每条转接线5包括位于功能器件设置区A的第一部分51和位于主显示区B的第二部分52。每条第一透明导电线3与一条转接线5的第一部分51电连接,且每条第二透明导电线4与一条转接线5的第一部分51电连接。所述多个第一像素电路6,设置于主显示区B。每条转接线5的第二部分52与一个第一像素电路6电连接。多个第一电极7,设置于功能器件设置区A。每条第一透明导电线3与一个第一电极7电连接,且每条第二透明导电线4与一个第一电极7电连接。
本公开一些实施例将多个第一像素电路6设置在主显示区B内,通过多条转接线5和多条第一透明导电线3,或者通过多条转接线5与多条第二透明导电线4与多个第一电极7相连。这样,一方面,能够利用多个第一像素电路6分别控制多个第一电极7,驱动第一电极7所在的发光器件发光,实现功能器件设置区A的显示功能。另一方面,与将多个第一像素电路6设置在功能器件设置区A内相比,还能够避免第一像素电路6中的金属走线将外界照射至显示面板10内部的光线反射回去,提高功能器件设置区A的光线透过率,保证设置在显示面板非显示侧的摄像头或传感器能够有效的感应到外界光线,实现外界图像采集。
示例性的,第一像素电路6可以为7T1C像素电路。第一电极7可以为阳极。示例性的,第一电极7可以是多层结构,包括依次远离衬底1的氧化铟锡层、银金属层和氧化铟锡层。
示例性的,显示面板还可以包括位于第一电极7远离衬底1的一侧依次设置的有机发光层和阴极层。
在一些实施例中,如图7所示,显示面板10可以包括像素电路层11、连接层12和第一电极层13。其中,像素电路层11包括多个第一像素电路6。像素电路层11包括层叠设置的半导体层111、栅导电层112和源漏导电层113。多条转接线5设置于栅导电层112。连接层12,位于像素电路层11远离衬底1的一侧。第一透明导电线3和第二透明导电线4设置于连接层12。第一电极层13,位于连接层12远离衬底1的一侧。多个第一电极7设置于第一电极层13。
示例性的,转接线5可以与第一像素电路6中的晶体管61的栅极611材料相同。这样,采用一次构图工艺即可得到多条转接线5和多个栅极611,从而减少掩膜板的用量,降低显示面板10制作的成本。
在一些实施例中,如图2和图8所示,像素电路层11还可以包括设置于主显示区B中的多个第二像素电路8,显示面板10还可以包括多个位于主显示区B的多个第二电极9。一个第二像素电路8与一个第二电极9相连,从而使得一个第二像素电路8能够驱动一个第二电极9所在的发光器件90发光,进而实现主显示区B的显示功能。
示例性的,如图8所示,第二电极9所在的发光器件90还可以包括有机发光层91,和阴极层92。为避免发光器件90被水汽或氧气等侵蚀,导致发光器件不能够正常发光的情况发生,显示面板10还可以包括位于阴极层92远离衬底1一侧的封装层93。
示例性的,多个第二电极9可以位于第一电极层13中,第二电极9的材料可以与第一电极7的材料相同,从而可以在制作第一电极7的同时,制作第二电极9。这样仅用一次构图工艺即可得到第一电极7和第二电极9,从而减少掩膜板的使用,降低成本。
在一些实施例中,如图9所示,显示面板10还可以包括第三绝缘层14、钝化层15和第一平坦层16。其中,第三绝缘层14位于栅导电层112和源漏导电层113之间。钝化层15,位于源漏导电层113远离衬底1的一侧。第一平坦层16,位于钝化层15与连接层12之间。第一平坦层16中设置有开口161,功能器件设置区A位于开口161在衬底1上的正投影范围内。其中,第三绝缘层14和钝化层15中设置有第一过孔151,第一透明导电线3和第二透明导电线4通过相应的第一过孔151与相应的转接线5的第一部分51电连接。第三绝缘层14中设置有第二过孔141,转接线5的第二部分52通过相应的第二过孔141与相应的第一像素电路6中晶体管61的源极612或漏极613电连接。
通过设置第三绝缘层14、钝化层15和第一平坦层16,使得栅导电层112和源漏导电层113之间,源漏导电层113和连接层12之间可以相互绝缘。功能器件设置区A位于开口161在衬底1上的正投影范围内,一方面能够使在制作第一透明导电线3和第二透明导电线4时,透明导电薄膜能够直接与钝化层15接触,从而便于透明导电薄膜被凸条21和沟槽22分割开来,有利于减小第一透明导电线3和第二人透明导电线4的宽度,提高功能器件设置区A的像素密度,改善显示面板画面显示效果不均匀的问题。
在一些示例中,如图10所示,钝化层15可以为双层结构,此时,钝化层15可以包括第一绝缘层201和第二绝缘层202。
在另一些示例中,如图9所示,钝化层15可以为单层结构,此时,第三绝缘层14可以作为第一绝缘层201,钝化层15可以作为第二绝缘层202。
这样,刻蚀钝化层15或同时刻蚀钝化层15和第三绝缘层14即可得到至少一个凸条21和多个沟槽22,从而在制作第一透明导电线3和第二透明导电线4时,减小第一透明导电线3和第二透明导电线4的宽度,提高功能器件设置区A的像素密度,改善显示面板画面显示效果不均匀的问题。
在一些实施例中,参见图9和图11,由于第一透明导电线3位于凸条21远离衬底1的一面上,第二透明导电线4位于凹槽内,因此,用于电连接的第一透明导电线3和转接线5的第一部分51的第一过孔151的深度大于用于电连接的第二透明导电线4和转接线5的第一部分51的第一过孔151的深度。
在一些实施例中,如图11所示,显示面板10还包括第二平坦层17。第二平坦层17位于连接层12与第一电极层13之间。其中,第二平坦层17中设置有第三过孔171,第一透明导电线3和第二透明导电线4通过相应的第三过孔171与相应的第一电极7电连接。
通过设置第二平坦层17,不仅能够使第一电极层13和连接层12之间相互绝缘,还能便于第一电极7沉积至第一电极层13远离衬底1的一侧,提高第一电极7的导电均匀性。
在一些实施例中,如图8所示,连接层12中还可以包括多个位于主显示区B的连接线121,连接线121可以通过第二平坦层17上的过孔与第二电极9连接,并通过钝化层15和第一平坦层16上的过孔与第二像素电路8中的晶体管的源极或漏极相连。
在一些实施例中,如图12所示,转接线5沿第一方向X延伸,且多条转接线5沿第二方向Y间隔且并列布置。且第二方向Y垂直于第一方向X。
通过这样设置,一方面能够使得转接线5的布置规则简单,容易制作;另一方面,由于第一透明导电线3和第二透明导电线4同样沿第一方向X延伸,转接线5沿第一方向X延伸,能够使得转接线5与第一透明导电线3和第二透明导电线4的的延伸方向相同,第一透明导电线3和第二透明导电线4与转接线5之间的搭接更加容易,从而简化了显示面板的制作过程,降低了成本。
在一些实施例中,如图12所示,至少一个凸条21和多个沟槽22沿第二方向Y间隔且并列布置。第二方向Y垂直于第一方向。凸条21和沟槽22沿第一方向X从功能器件设置区A的一侧延伸至另一侧。
在一些示例中,凸条21上设置的第一透明导电线3的长度小于或等于凸条21的长度。在另一些示例中,沟槽22内设置的第二透明导电线4的长度小于或等于沟槽22的长度。在又一些示例中,凸条21上设置的第一透明导电线3的长度小于或等于凸条21的长度,且沟槽22内设置的第二透明导电线4的长度小于或等于沟槽22的长度。
通过这样设置,利用第一透明导电线3和第二透明导电线4即可连接位于功能器件设置区A不同位置处的第一电极7,从而使多个第一电极7能够通过第一透明导电线3或者第二透明导电线4与位于主显示区B内的多个第一像素电路6连接,实现功能器件设置区A的正常显示。
在一些实施例中,第一透明导电线3和第二透明导电线4的宽度大于或等于1.5μm,且小于或等于3.5μm。示例性的,第一透明导电线3和第二透明导电线4的宽度可以为1.5μm、1.8μm、2.0μm、2.5μm、3.5μm等。
第一透明导电线3和第二透明导电线4的宽度小于或等于3.5μm,使得功能器件设置区A内设置的第一透明导电线3和第二透明导电线4的数量较多,使得功能器件设置区A内设置的第一电极的数量可以增多,从而有利于提高功能器件设置区A的像素密度,进而减小功能器件设置区A和主显示区B的像素密度差异,提高显示面板10显示的画面的均匀性。
如图13所示,本公开的一些实施例提供了一种显示面板10的制作方法,显示面板10包括功能器件设置区A和围绕功能器件设置区A的至少部分边界的主显示区B。显示面板10的制作方法包括:
S1、提供衬底1;
S2、在衬底1上形成绝缘层2;绝缘层2包括位于功能器件设置区A,且交替间隔设置的至少一个凸条21和多个沟槽22,凸条21和沟槽22沿第一方向X延伸。相邻的凸条21和沟槽22中,凸条21远离衬底1的一面中,沿第一方向X且靠近沟槽22的边界在衬底1上的正投影,位于沟槽22在衬底1上的最大正投影范围D内。
S3、沉积透明导电薄膜,刻蚀透明导电薄膜,以形成至少一条第一透明导电线3和至少一条第二透明导电线4。每条第一透明导电线3位于一个凸条21远离衬底1一面上,且沿第一方向X延伸;每条第二透明导电线4位于一个沟槽22内,且沿第一方向X延伸;其中,第一透明导电线3的宽度d1与凸条21远离衬底1的一面的宽度d2近似相等,第二透明导电线4的宽度d3与沟槽22远离衬底1的一侧开口的宽度d4近似相等。
本公开所提供的显示面板的制作方法所能够达到的有益效果与上述任一实施例所提供的显示面板所能达到的有益效果相同,在此不再赘述。
如图14所示,本公开的一些实施例提供了一种显示装置100,包括上述任一实施例所述的显示面板10。述显示装置可以是电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的部件。本发明提供的显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的显示面板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种显示面板,其特征在于,包括功能器件设置区,和围绕所述功能器件设置区的至少部分边界的主显示区;所述显示面板包括:
衬底;
绝缘层,设置于所述衬底上;所述绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸;相邻的凸条和沟槽中,所述凸条远离所述衬底的一面中,沿第一方向且靠近所述沟槽的边界在所述衬底上的正投影,位于所述沟槽在所述衬底上的最大正投影范围内;
至少一条第一透明导电线,每条第一透明导电线位于一个凸条远离所述衬底一面上,且沿第一方向延伸;
至少一条第二透明导电线,每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸;
其中,所述第一透明导电线的宽度与所述凸条远离所述衬底的一面的宽度近似相等,所述第二透明导电线的宽度与所述沟槽远离所述衬底的一侧开口的宽度近似相等。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括:
第一绝缘层;
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧;所述第二绝缘层的材料与所述第一绝缘层的材料不同;
所述凸条包括位于所述第一绝缘层的第一子凸条,和位于所述第二绝缘层的第二子凸条;沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最小值小于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值;所述第一子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值小于或等于所述第二子凸条沿平行于所述衬底方向的尺寸的最大值。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层的材料为氧化硅,所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多条转接线,每条转接线包括位于功能器件设置区的第一部分和位于主显示区的第二部分;每条所述第一透明导电线与一条转接线的第一部分电连接,且每条所述第二透明导电线与一条转接线的第一部分电连接;
多个第一像素电路,设置于所述主显示区;每条转接线的第二部分与一个第一像素电路电连接;
多个第一电极,设置于所述功能器件设置区;每条第一透明导电线与一个第一电极电连接,且每条第二透明导电线与一个第一电极电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,包括:
像素电路层,包括所述多个第一像素电路;所述像素电路层包括层叠设置的半导体层、栅导电层和源漏导电层;所述多条转接线设置于所述栅导电层;
连接层,位于所述像素电路层远离所述衬底的一侧;所述第一透明导电线和所述第二透明导电线设置于所述连接层;
第一电极层,位于所述连接层远离所述衬底的一侧;所述多个第一电极设置于所述第一电极层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第三绝缘层,位于所述栅导电层和所述源漏导电层之间;
钝化层,位于所述源漏导电层远离所述衬底的一侧;
第一平坦层,位于所述钝化层与所述连接层之间;所述第一平坦层中设置有开口,所述功能器件设置区位于所述开口在所述衬底上的正投影范围内;
其中,所述第三绝缘层和所述钝化层中设置有第一过孔,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线通过相应的第一过孔与相应的转接线的第一部分电连接;
所述第三绝缘层中设置有第二过孔,所述转接线的第二部分通过相应的第二过孔与相应的第一像素电路中晶体管的源极或漏极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述钝化层包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层;或者,
所述第三绝缘层作为所述第一绝缘层,所述钝化层作为所述第二绝缘层。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,用于电连接的所述第一透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度大于用于电连接的所述第二透明导电线和所述转接线的第一部分的第一过孔的深度。
9.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第二平坦层,位于所述连接层与所述第一电极层之间;
其中,所述第二平坦层中设置有第三过孔,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线通过相应的第三过孔与相应的第一电极电连接。
10.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述转接线沿第一方向延伸,且多条所述转接线沿第二方向间隔且并列布置;所述第二方向垂直于所述第一方向。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述至少一个凸条和所述多个沟槽沿第二方向间隔且并列布置;所述第二方向垂直于所述第一方向;
所述凸条和所述沟槽沿所述第一方向从所述功能器件设置区的一侧延伸至另一侧;
所述凸条上设置的第一透明导电线的长度小于或等于所述凸条的长度;和/或,所述沟槽内设置的第二透明导电线的长度小于或等于所述沟槽的长度。
12.根据权利要求1~10中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明导电线和所述第二透明导电线的宽度大于或等于1.5μm,且小于或等于3.5μm。
13.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括功能器件设置区和围绕所述功能器件设置区的至少部分边界的主显示区;所述显示面板的制作方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成绝缘层;所述绝缘层包括位于功能器件设置区,且交替间隔设置的至少一个凸条和多个沟槽,凸条和沟槽沿第一方向延伸;相邻的凸条和沟槽中,所述凸条远离所述衬底的一面中,沿第一方向且靠近所述沟槽的边界在所述衬底上的正投影,位于所述沟槽在所述衬底上的最大正投影范围内;
沉积透明导电薄膜,刻蚀所述透明导电薄膜,以形成至少一条第一透明导电线和至少一条第二透明导电线;
每条第一透明导电线位于一个凸条远离所述衬底一面上,且沿第一方向延伸;每条第二透明导电线位于一个沟槽内,且沿第一方向延伸;
其中,所述第一透明导电线的宽度与所述凸条远离所述衬底的一面的宽度近似相等,所述第二透明导电线的宽度与所述沟槽远离所述衬底的一侧开口的宽度近似相等。
14.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1~12中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110595331.4A CN113327940B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110595331.4A CN113327940B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113327940A true CN113327940A (zh) | 2021-08-31 |
CN113327940B CN113327940B (zh) | 2024-06-18 |
Family
ID=77422422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110595331.4A Active CN113327940B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113327940B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023202584A1 (zh) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 |
WO2024198814A1 (zh) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光晶体管及其驱动和制备方法、显示面板、显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120043565A1 (en) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Sony Corporation | Display device and method of producing the same |
CN105931985A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US20190229152A1 (en) * | 2017-06-21 | 2019-07-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus |
CN111081732A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
CN111384104A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 在显示区域中具有通孔的电致发光显示装置 |
CN111668262A (zh) * | 2019-03-06 | 2020-09-15 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
CN112802979A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-14 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
2021
- 2021-05-28 CN CN202110595331.4A patent/CN113327940B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120043565A1 (en) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Sony Corporation | Display device and method of producing the same |
CN105931985A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US20190229152A1 (en) * | 2017-06-21 | 2019-07-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus |
CN111081732A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
CN111384104A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 在显示区域中具有通孔的电致发光显示装置 |
CN111668262A (zh) * | 2019-03-06 | 2020-09-15 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
CN112802979A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-14 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023202584A1 (zh) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 |
WO2024198814A1 (zh) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光晶体管及其驱动和制备方法、显示面板、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113327940B (zh) | 2024-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108376672B (zh) | 阵列基板及其制备方法,以及显示装置 | |
CN110544714B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN107293593B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
US20210193957A1 (en) | Display panel and display device | |
CN102969329A (zh) | 含具有反射结构的电极的有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN113327940B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN113937236A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US20220208910A1 (en) | Display panel and fabrication method thereof, and display device | |
CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
CN111916485A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN110752247A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN210535668U (zh) | 显示基板、显示面板及显示装置 | |
CN110718572B (zh) | 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置 | |
CN113036057A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
US20240014216A1 (en) | Array substrate and manufacturing method and display panel | |
CN115472655A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN113838996B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN218998737U (zh) | 显示基板、显示面板和显示装置 | |
CN109713014B (zh) | 有机发光显示面板、装置和有机发光显示面板的制造方法 | |
CN115020611A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20220310752A1 (en) | Display Substrate and Display Apparatus | |
CN112490275B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN115148928A (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
WO2021196877A1 (zh) | 阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 | |
CN114927627A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |