DE102018132497A1

DE102018132497A1 - Organische leuchtdioden-anzeige

Info

Publication number: DE102018132497A1
Application number: DE102018132497.9A
Authority: DE
Inventors: Jonghyeok IM; Jaesung Lee; Dohyung Kim; Seungwon YOO
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2018-12-17
Publication date: 2019-06-27
Also published as: CN110010657A; JP6770051B2; US20190198806A1; JP2019121599A; US10971700B2; KR102489043B1; CN110010657B; KR20190079245A

Abstract

Eine organische Leuchtdioden-Anzeige (10) ist offenbart. Die organische Leuchtdioden-Anzeige (10) umfasst ein Substrat (SUB1), das einen Dünnfilmtransistorbereich (TA) in dem ein Dünnfilmtransistor (T) und eine mit dem Dünnfilmtransistor (T) verbundene organische Leuchtdiode (OLE) angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich (AEA) aufweist, in dem eine Hilfselektrode (AE) angeordnet ist; eine auf der Hilfselektrode (AE) angeordnete Barriere (BR); eine in der organischen Leuchtdiode (OLE) enthaltene Kathode (CAT), die durch die Barriere (BR) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt, wobei sich ein Ende der Kathode (CAT) in direktem Kontakt mit der Hilfselektrode (AE) befindet; und eine auf der Kathode (CAT) angeordnete Deckschicht (CL), wobei die Deckschicht (CL) einen durchgehenden Zusammenhang aufweist, um die Barriere (BR) und die Hilfselektrode (AE) zu bedecken.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine organische Leuchtdioden-Anzeige.
Diskussion der artverwandten Technik
Verschiedene Anzeigevorrichtungen haben schwerere und größere Kathodenstrahlröhren (CRTs) ersetzt. Beispiele der Anzeigevorrichtungen können eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Feldemissionsanzeige (FED), ein Plasmaanzeigefeld (PDP) und eine organische Leuchtdioden-Anzeige (OLED) umfassen.
Genauer gesagt, ist eine OLED-Anzeige eine Selbstemissions-Anzeige, die so gestaltet ist, dass sie durch Anregung einer organischen Verbindung Licht emittiert. Die OLED-Anzeige erfordert keine Hintergrundbeleuchtungseinheit, die in einer Flüssigkristallanzeige verwendet wird, und hat somit die Vorteile eines dünnen Profils, eines geringen Gewichts und eines einfacheren Herstellungsprozesses. Das OLED-Display kann auch bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden und hat eine kurze Reaktionszeit von 1ms oder weniger, einen geringen Stromverbrauch, einen großen Betrachtungswinkel und einen hohen Kontrast. Daher wird die OLED-Anzeige häufig verwendet.
Die OLED-Anzeige enthält organische Leuchtdioden (OLEDs), die elektrische Energie in Lichtenergie umwandeln. Die OLED weist eine Anode, eine Kathode und eine organische Verbundschicht zwischen der Anode und der Kathode auf. Die OLED-Anzeige ist so aufgebaut, dass die OLED Licht emittiert, wenn Exzitonen, die durch Vereinigung von Löchern von der Anode, und Elektronen von der Kathode innerhalb einer Emissionsschicht gebildet werden, von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand abfallen, und die OLED-Anzeige auf diese Weise ein Bild anzeigen kann.
Eine großflächige OLED-Anzeige kann jedoch keine gleichmäßige Luminanz über die gesamte Oberfläche eines aktiven Bereichs aufrechterhalten, auf dem ein Eingangsbild angezeigt wird, und erzeugt abhängig von einer Position eine Luminanz-Variation (oder Luminanz-Abweichung). Genauer gesagt, ist eine Kathode, die eine organische Leuchtdiode bildet, so ausgebildet, dass sie den größten Teil des aktiven Bereichs bedeckt, und dabei das Problem besteht, dass eine an die Kathode angelegte Versorgungsspannung keinen über die gesamte Oberfläche des aktiven Bereichs konstanten Spannungswert aufweist. Wenn zum Beispiel ein Unterschied zwischen einem Spannungswert an einem Eingang der Kathode, der mit der Versorgungsspannung versorgt wird, und einem Spannungswert an einer Position, die vom Eingang beabstandet ist, aufgrund eines Widerstands der Kathode anwächst, steigt die Luminanz-Änderung abhängig von der Position.
Das Problem ist größer bei einer Anzeigevorrichtung vom Top-Emissions-Typ. Bei der Anzeigevorrichtung vom Top-Emissions-Typ wird nämlich, weil es notwendig ist, eine Durchlässigkeit einer Kathode sicherzustellen, die an einer oberen Schicht einer organischen Leuchtdiode angeordnet ist, die Kathode aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder einem undurchsichtigen leitfähigen Material mit sehr geringer Dicke gebildet. In diesem Fall nimmt, weil sich der Oberflächenwiderstand der Kathode erhöht, eine Luminanz-Änderung abhängig von einer Position, entsprechend einer Erhöhung des Oberflächenwiderstandes, erheblich zu.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Offenbarung stellt eine organische Leuchtdioden-Anzeige bereit, die in der Lage ist, eine gleichmäßige Luminanz durch Minimieren einer Veränderung in einem Versorgungsspannungs-Niederpotential in Abhängigkeit von einer Position zu erreichen. Verschiedene Ausführungsformen stellen eine organische Leuchtdioden-Anzeige gemäß Anspruch 1 bereit, und verschiedene Ausführungsformen stellen eine organische Leuchtdioden-Anzeige gemäß Anspruch 8 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.
In einem Aspekt wird eine organische Leuchtdioden-Anzeige bereitgestellt, aufweisend ein Substrat, das einen Dünnfilmtransistorbereich, in dem ein Dünnfilmtransistor und eine mit dem Dünnfilmtransistor verbundene organische Leuchtdiode angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich aufweist, in dem eine Hilfselektrode angeordnet ist; eine auf der Hilfselektrode angeordnete Barriere; eine in der organischen Leuchtdiode enthaltene Kathode, die durch die Barriere geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt, wobei sich ein Ende der Kathode in direktem Kontakt mit der Hilfselektrode befindet; und eine auf der Kathode angeordnete Deckschicht, wobei die Deckschicht einen durchgehenden Zusammenhang aufweist, um die Barriere und die Hilfselektrode zu bedecken.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Leuchtdioden-Anzeige ferner eine Schutzschicht auf, die zwischen der Kathode und der Deckschicht angeordnet ist, wobei die Schutzschicht durch die Barriere geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Leuchtdioden-Anzeige ferner eine Versorgungsleitung auf, die mit mindestens einer Isolierschicht dazwischen unter der Hilfselektrode angeordnet ist und eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit empfängt, wobei die Hilfselektrode durch ein Kontaktloch, das die mindestens eine Isolierschicht durchdringt, elektrisch mit der Versorgungsleitung verbunden ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organischen Leuchtdiode eine organische Verbundschicht auf, die durch die Barriere geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt, wobei das Ende der Kathode auf der organischen Verbundschicht sich mehr erstreckt (mit anderen Worten, weiter) als ein Ende der organischen Verbundschicht und die Hilfselektrode direkt kontaktiert.
In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Deckschicht aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet.
In einer oder mehreren Ausführungsformen ist eine Dicke der Deckschicht so eingestellt, dass sie geringer als eine Dicke der Schutzschicht ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen bedeckt die Deckschicht einen offenen Bereich, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht durch die Barriere geteilt wird.
In einem anderen Aspekt wird eine organische Leuchtdioden-Anzeige bereitgestellt, aufweisend ein Substrat das einen Dünnfilmtransistorbereich, in dem ein Dünnfilmtransistor und eine mit dem Dünnfilmtransistor verbundene organische Leuchtdiode angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich aufweist, in der eine Hilfselektrode angeordnet ist; eine auf der Hilfselektrode angeordnete Passivierungsschicht, die mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt; eine auf der Passivierungsschicht angeordnete Dummy-Struktur, wobei die Dummy-Struktur einen Vorsprung aufweist, der in einem die Hilfselektrode überlappenden Bereich weiter vorsteht als die Passivierungsschicht, eine in der organischen Leuchtdiode enthaltene Kathode , die durch den Vorsprung geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt, wobei sich ein Ende der Kathode in direktem Kontakt mit der Hilfselektrode befindet; und eine auf der Kathode angeordnete Deckschicht, wobei die Deckschicht durchgehenden Zusammenhang hat, um den Vorsprung und die Hilfselektrode zu bedecken.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Leuchtdioden-Anzeige ferner eine Schutzschicht auf, die zwischen der Kathode und der Deckschicht angeordnet ist, wobei die Schutzschicht durch den Vorsprung geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt.
In einer oder mehreren Ausführungsformen ist eine Dicke der Deckschicht so eingestellt, dass sie geringer als eine Dicke der Schutzschicht ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen bedeckt die Deckschicht einen offenen Bereich, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht durch den Vorsprung geteilt wird.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Leuchtdioden-Anzeige ferner eine Versorgungsleitung auf, die mit mindestens einer Isolierschicht dazwischen unter der Hilfselektrode angeordnet ist, und ausgebildet ist, um eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit zu empfangen, wobei die Hilfselektrode durch ein Kontaktloch, das die mindestens eine Isolierschicht durchdringt, elektrisch mit der Versorgungsleitung verbunden ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Hilfselektrode so konfiguriert, dass sie eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit empfängt.
In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Leuchtdiode eine organische Verbundschicht, die durch den Vorsprung geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode bloß stellt, wobei das Ende der Kathode auf der organischen Verbundschicht weiter ausgestreckt ist als ein Ende der organischen Verbundschicht und die Hilfselektrode direkt kontaktiert.
In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Deckschicht aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet.
Figurenliste
Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sein können, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen und in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, verschiedene Prinzipien der Offenbarung zu erläutern.

1 ist ein Blockdiagramm, das schematisch eine organische Leuchtdioden(OLED)-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
2 zeigt schematisch den Aufbau eines in 1 gezeigten Pixels.
3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
5 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
7 veranschaulicht Stufenabdeckungs-Eigenschaften eines Atomlagenabscheidungs-Prozesses (ALD).
8 zeigt Querschnittsansichten, die Beispiele für eine Form einer Barriere schematisch darstellen.
9 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
10 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
11A und 11B veranschaulichen zeitlich nacheinander ein Verfahren zum Ausbilden eines Vorsprungs.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Es wird nun detailliert auf Ausführungsformen der Offenbarung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer es möglich ist, werden in allen Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf die gleichen oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen. Detaillierte Beschreibungen bekannter Techniken werden weggelassen, falls diese die Ausführungsformen der Offenbarung verwirren können. Bei der Beschreibung verschiedener Ausführungsformen können die gleichen Komponenten in einer ersten Ausführungsform beschrieben sein, und in weiteren Ausführungsformen kann ihre Beschreibung weggelassen sein.
Die Begriffe „erste“, „zweite“ usw. können verwendet sein, um verschiedene Komponenten zu beschreiben, aber die Komponenten sind nicht durch solche Begriffe beschränkt. Die Begriffe werden nur verwendet, um eine Komponente von anderen Komponenten zu unterscheiden.
1 ist ein Blockdiagramm, das schematisch eine organische Leuchtdioden(OLED)-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 2 zeigt schematisch den Aufbau eines in 1 gezeigten Pixels.
Mit Bezug auf 1 weist eine OLED-Anzeige 10 gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung eine Anzeigetreiberschaltung und ein Anzeigefeld DIS auf.
Die Anzeigetreiberschaltung weist einen Daten-Treiberschaltkreis 12, einen Gate-Treiberschaltkreis 14 und eine Taktsteuerung 16 auf. Die Anzeigetreiberschaltung legt eine Videodatenspannung eines Eingangsbildes an Pixel des Anzeigefelds DIS an. Der Daten-Treiberschaltkreis 12 wandelt die von der Taktsteuerung 16 empfangenen digitalen Videodaten RGB in eine analoge Gamma-Kompensationsspannung um und erzeugt eine Datenspannung. Die von dem Daten-Treiberschaltkreis 12 ausgegebene Datenspannung wird Daten-Leitungen D1 bis Dm zugeführt, wobei m eine positive ganze Zahl ist. Der Gate-Treiberschaltkreis 14 liefert sequentiell ein mit der Datenspannung synchronisiertes Gate-Signal an Gate-Leitungen G1 bis Gn und wählt Pixel aus dem Anzeigefeld DIS aus, an die die Datenspannung angelegt wird, wobei n eine positive ganze Zahl ist.
Die Taktsteuerung 16 empfängt Taktsignale wie ein Vertikal-Synchronisationssignal Vsync, ein Horizontal-Synchronisationssignal Hsync, ein Daten-Freigabesignal DE, einen Haupttakt MCLK usw. von einem Host-System 19 und synchronisiert die Ablaufzeiten des Daten-Treiberschaltkreises 12 und des Gate-Treiberschaltkreises 14. Ein Datentaktsteuersignal zum Steuern des Daten-Treiberschaltkreises 12 weist einen Quellen-Abtasttakt SSC, ein Quellen-Ausgangsfreigabesignal SOE und dergleichen auf. Ein Gate-Zeitsteuersignal zum Steuern des Gate-Treiberschaltkreises 14 weist einen Gate-Startimpuls GSP, einen Gate-Schiebe-Takt GSC, ein Gate-Ausgangsfreigabesignal GOE und dergleichen auf.
Das Host-System 19 kann ein Fernsehsystem, eine Set-Top-Box, ein Navigationssystem, ein DVD-Player, ein Blu-Ray-Player, ein Personal Computer (PC), ein Heimkinosystem oder ein Telefonsystem sein, sowie jedes andere System, das eine Anzeige enthält oder in Verbindung damit arbeitet. Das Host-System 19 weist einen System-On-Chip (SoC) auf, in den ein Skalierer eingebettet ist, und konvertiert die digitalen Videodaten RGB des Eingabebildes in ein Format, das zum Anzeigen des Eingabebildes auf dem Anzeigefeld DIS geeignet ist. Das Host-System 19 überträgt die digitalen Videodaten RGB des Eingangsbildes und die Zeittaktsignale Vsync, Hsync, DE und MCLK an die Taktsteuerung 16.
Das Anzeigefeld DIS weist ein Pixel-Array auf. Das Pixel-Array enthält die durch die Daten-Leitungen D1 bis Dm und die Gate-Leitungen G1 bis Gn definierten Pixel. Jedes Pixel enthält eine organische Leuchtdiode, die als Selbstemissions-Element dient.
Mit Bezug auf 2 weist das Anzeigefeld DIS eine Vielzahl von Daten-Leitungen D, eine Vielzahl von Gate-Leitungen G, die die Daten-Leitungen D überschneiden, und Pixel auf, die jeweils an Schnittpunkten der Daten-Leitungen D und der Gate-Leitungen G in einer Matrix angeordnet sind. Jedes Pixel enthält eine organische Leuchtdiode, einen Treiber-Dünnfilmtransistor (TFT) DT zum Steuern einer durch die organische Leuchtdiode fließenden Stromstärke und eine Programmier-Einheit SC zum Einstellen einer Gate-Source-Spannung des Treiber-Dünnfilmtransistors DT.
Die Programmier-Einheit SC kann mindestens einen schaltenden Dünnfilmtransistor und mindestens einen Speicherkondensator enthalten. Der schaltende Dünnfilmtransistor wird als Reaktion auf ein Gate-Signal von der Gate-Leitung G durchgeschaltet, um dadurch eine Datenspannung von der Daten-Leitung D an eine Elektrode des Speicherkondensators anzulegen. Der Treiber-Dünnfilmtransistor DT steuert eine Stärke des Strom, die der organischen Leuchtdiode zugeführt wird, in Abhängigkeit von einer Höhe der Spannung, die in dem Speicherkondensator gespeichert ist, wodurch eine von der organischen Leuchtdiode emittierte Lichtmenge gesteuert wird. Die von der organischen Leuchtdiode emittierte Lichtmenge ist proportional zu der von dem Treiber-Dünnfilmtransistor DT abgegebenen Stromstärke. Das Pixel ist mit einem Versorgungsspannungs-Hochpotential-Anschluss und einem Versorgungsspannungs-Niederpotential-Anschluss verbunden und empfängt ein Versorgungsspannungs-Hochpotential EVDD und ein Versorgungsspannungs-Niederpotential EVSS von einer Spannungsversorgungseinheit (nicht gezeigt). Die Dünnfilmtransistoren, mit denen die Pixel gebildet sind, können Dünnfilmtransistoren vom Typ P oder vom Typ N sein. Ferner können Halbleiterschichten der Dünnfilmtransistoren, mit denen die Pixel gebildet sind, amorphes Silizium, polykristallines Silizium oder Oxid enthalten. In der folgenden Beschreibung verwenden Ausführungsformen der Offenbarung eine Halbleiterschicht, die zum Beispiel Oxid enthält. Die organische Leuchtdiode weist eine Anode ANO, eine Kathode CAT und eine organische Verbundschicht zwischen der Anode ANO und der Kathode CAT auf. Die Anode ANO ist mit dem Treiber-Dünnfilmtransistor DT verbunden.
<Erste Ausführungsform>
3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich einer OLED-Anzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt.
Mit Bezug auf 3 und 4 weist eine OLED-Anzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung ein Anzeigefeld mit einem ersten Substrat SUB1 und einem zweiten Substrat SUB2 auf, die einander zugewandt sind. Eine Füllstoffschicht FL kann zwischen dem ersten Substrat SUB1 und dem zweiten Substrat SUB2 angeordnet sein.
Das erste Substrat SUB1 ist ein Dünnfilmtransistor-Arraysubstrat, auf dem ein Dünnfilmtransistor T und eine organische Leuchtdiode OLE angeordnet sind. Das zweite Substrat SUB2 ist ein Farbfilter-Arraysubstrat, auf dem ein Farbfilter CF angeordnet ist. Das zweite Substrat SUB2 kann als Einkapselungs-Substrat fungieren. Das erste Substrat SUB1 und das zweite Substrat SUB2 können unter Verwendung eines Dichtungsmittels miteinander verbunden sein. Das Dichtungsmittel SL ist an einer Kante des ersten Substrats SUB1 und an einer Kante des zweiten Substrats SUB2 angeordnet und hält einen vorbestimmten Abstand zwischen dem ersten Substrat SUB1 und dem zweiten Substrat SUB2. Die Füllstoffschicht FL kann innerhalb des Dichtungsmittels SL angeordnet (oder untergebracht) sein.
Das erste Substrat SUB1 kann aus Glasmaterial oder Kunststoffmaterial hergestellt sein. Beispielsweise kann das erste Substrat SUB1 aus einem Kunststoffmaterial wie Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) und Polycarbonat (PC) hergestellt sein und flexible Eigenschaften aufweisen.
Das erste Substrat SUB1 kann in einen Dünnfilmtransistorbereich TA, in dem der Dünnfilmtransistor T und die organische Leuchtdiode OLE angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich AEA, in dem sich eine Hilfselektrode AE befindet, geteilt sein.
Der Dünnfilmtransistor T und die organische Leuchtdiode OLE, die mit dem Dünnfilmtransistor T verbunden ist, sind auf dem Dünnfilmtransistorbereich TA des ersten Substrats SUB1 ausgebildet. Eine Lichtabschirmschicht LS und eine Pufferschicht BUF können zwischen dem ersten Substrat SUB1 und dem Dünnfilmtransistor T ausgebildet sein. Die Lichtabschirmschicht LS ist so angeordnet, dass sie eine Halbleiterschicht, insbesondere einen Kanal des Dünnfilmtransistors T, überlappt, und kann ein Oxidhalbleiterbauelement vor externem Licht schützen. Die Pufferschicht BUF kann Ionen oder Verunreinigungen abhalten, die aus dem ersten Substrat SUB1 diffundieren, und auch das Eindringen von Feuchtigkeit von außen blockieren.
Der Dünnfilmtransistor T weist eine Halbleiterschicht ACT, eine Gate-Elektrode GE, eine Source-Elektrode SE und eine Drain-Elektrode DE auf.
Auf der Halbleiterschicht ACT sind eine Gate-Isolierschicht GI und die Gate-Elektrode GE angeordnet. Die Gate-Isolierschicht GI dient zum Isolieren der Gate-Elektrode GE und kann aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Gate-Elektrode GE ist so angeordnet, dass sie die Halbleiterschicht ACT mit der dazwischen angeordneten Gate-Isolierschicht GI überlappt. Die Gate-Elektrode GE kann als einzelne Schicht oder als Mehrfachschicht unter Verwendung von Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Tantal (Ta), Wolfram (W) oder einer Kombination daraus ausgebildet sein. Die Gate-Isolierschicht GI und die Gate-Elektrode GE können unter Verwendung der gleichen Maske strukturiert werden. In diesem Fall können die Gate-Isolierschicht GI und die Gate-Elektrode GE die gleiche Fläche haben. Obwohl nicht gezeigt, kann die Gate-Isolierschicht GI so ausgebildet sein, dass sie die gesamte Oberfläche des ersten Substrats SUB1 bedeckt.
Eine dielektrische Zwischenschicht IN ist auf der Gate-Elektrode GE positioniert. Die dielektrische Zwischenschicht IN dient dazu, die Gate-Elektrode GE und die Source- und Drain-Elektroden SE und DE voneinander zu isolieren. Die dielektrische Zwischenschicht IN kann aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE sind auf der dielektrischen Zwischenschicht IN angeordnet. Die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE sind um einen vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet. Die Source-Elektrode SE kontaktiert eine Seite der Halbleiterschicht ACT durch ein Source-Kontaktloch, das die dielektrische Zwischenschicht IN durchdringt. Die Drain-Elektrode DE kontaktiert die andere Seite der Halbleiterschicht ACT durch ein Drain-Kontaktloch, das die dielektrische Zwischenschicht IN durchdringt.
Sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE kann als eine einzelne Schicht oder als eine Mehrfachschicht ausgebildet sein. Wenn sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als einzelne Schicht ausgebildet sind, können sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE aus Molybdän (Mo), Aluminium (A1), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder aus eine Kombination davon gebildet sein. Wenn sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als Mehrfachschicht ausgebildet sind, können sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als Doppelschicht aus Mo/Al-Nd, Mo/Al, Ti/Al oder Cu/MoTi oder als Dreifachschicht aus Mo/Al-Nd/Mo, Mo/Al/Mo, Ti/Al/Ti oder MoTi/Cu/MoTi gebildet sein.
Eine Passivierungsschicht PAS ist auf dem Dünnfilmtransistor T angeordnet. Die Passivierungsschicht PAS schützt den Dünnfilmtransistor T und kann aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder einer Mehrfachschicht hiervon gebildet sein.
Auf der Passivierungsschicht PAS ist eine Planarisierungsschicht OC angeordnet. Die Planarisierungsschicht OC kann einen Höhenunterschied (oder Stufenabdeckung) einer darunterliegenden Struktur verringern oder planarisieren und kann aus einem organischen Material wie Photoacryl, Polyimid, einem Harz auf Benzocyclobuten-Basis und einem Harz auf Acrylatbasis gebildet sein. Falls erforderlich oder gewünscht, kann entweder die Passivierungsschicht PAS oder die Planarisierungsschicht OC weggelassen werden.
Die organische Leuchtdiode OLE und die Hilfselektrode AE sind auf der Planarisierungsschicht OC angeordnet. Die organische Leuchtdiode OLE kann in dem Dünnfilmtransistorbereich TA vorgesehen sein, und die Hilfselektrode AE kann in dem Hilfselektrodenbereich AEA vorgesehen sein. Die organische Leuchtdiode OLE weist eine Anode ANO, eine organische Verbundschicht OL und eine Kathode CAT auf.
Genauer gesagt, ist die Anode ANO auf der Planarisierungsschicht OC angeordnet. Die Anode ANO ist durch ein Kontaktloch, das die Passivierungsschicht PAS und die Planarisierungsschicht OC durchdringt, mit der Drain-Elektrode DE des Dünnfilmtransistors T verbunden. Die Anode ANO kann eine reflektierende Schicht aufweisen und damit als reflektierende Elektrode dienen. Die reflektierende Schicht kann aus Aluminium (A1), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder einer Kombination davon gebildet sein. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht aus einer Ag/Pd/Cu-(APC)-Legierung gebildet sein. Die Anode ANO kann als eine Mehrfachschicht, die eine reflektierende Schicht aufweist, ausgebildet sein.
Die Hilfselektrode AE ist auf der Planarisierungsschicht OC angeordnet. Die Hilfselektrode AE kann ein leitfähiges Material mit niedrigem Widerstand enthalten. Wie später noch beschrieben wird, kann die Hilfselektrode AE mit der Kathode CAT verbunden sein und dazu dienen, einen Widerstand der Kathode CAT zu reduzieren. Die Hilfselektrode AE kann aus dem gleichen Material wie die Anode ANO und in der gleichen Schicht wie die Anode ANO gebildet sein. In diesem Fall kann die Anzahl der Prozesse reduziert werden, da kein separater Prozess zum Bilden der Hilfselektrode AE durchgeführt werden muss. Daher können die Herstellungszeit und die Herstellungskosten reduziert werden und die Produktausbeute kann erheblich verbessert werden.
Die Hilfselektrode AE kann mit einer unter der Hilfselektrode AE angeordneten Versorgungsspannungs-Niederpotentialleitung EVL (im Folgenden als „Evss-Leitung“ bezeichnet) elektrisch verbunden sein, wobei mindestens eine Isolierschicht dazwischen angeordnet ist. Die Evss-Leitung EVL kann ein Versorgungsspannungs-Niederpotential von einer (nicht gezeigten) Spannungsversorgungseinheit empfangen und das Versorgungsspannungs-Niederpotential zur Hilfselektrode AE übertragen. Die Hilfselektrode AE und die Evss-Leitung EVL können durch ein Kontaktloch miteinander verbunden sein, das mindestens eine zwischen beiden liegende Isolierschicht durchdringt.
Wie in 3 und 4 gezeigt, kann die Evss-Leitung EVL auf der gleichen Schicht wie die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE unter Verwendung des gleichen Materials wie die beiden ausgebildet sein und mit der Hilfselektrode AE durch ein Hilfskontaktloch AH verbunden sein, das die Planarisierungsschicht OC und die Passivierungsschicht PAS durchdringt. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Evss-Leitung EVL auf der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode GE oder die Lichtabschirmschicht LS unter Verwendung des gleichen Materials wie die Gate-Elektrode GE oder die Lichtabschirmschicht LS ausgebildet sein. In einem anderen Beispiel kann die Evss-Leitung EVL als eine Vielzahl von Schichten ausgebildet sein, die in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, wobei mindestens jeweils eine Isolierschicht dazwischen angeordnet ist, und die Vielzahl von Schichten können durch ein jeweiliges Kontaktloch miteinander verbunden sein, das die mindestens eine Isolierschicht durchdringt.
Die Evss-Leitung EVL enthält ein leitfähiges Material mit niedrigem Widerstand. Zum Beispiel kann die Evss-Leitung EVL aus Molybdän (Mo), Aluminium (A1), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet sein.
Eine Damm-Schicht BN ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Anode ANO und die Hilfselektrode AE ausgebildet sind, und Pixel voneinander abschottet. Die Damm-Schicht BN kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Harz auf Benzocyclobuten-Basis und Acrylat gebildet sein.
Die Dammschicht BN weist eine erste Öffnung auf, die den größten Teil der Anode ANO bloß stellt. Die Dammschicht BN kann so ausgestaltet sein, dass sie einen Mittelbereich der Anode ANO bloß stellt und eine Kante der Anode ANO bedeckt. Der bloßgestellte Teilbereich des Anoden-ANO kann so gestaltet sein, dass er eine möglichst große Fläche aufweist, um ein Öffnungsverhältnis ausreichend sicherzustellen. Der mittlere Bereich der Anode ANO, der von der Dammschicht BN bloßgestellt ist, kann als ein Emissionsbereich definiert sein.
Ferner weist die Dammschicht BN eine zweite Öffnung auf, die den größten Teil der Hilfselektrode AE bloß stellt. Die Dammschicht BN kann so ausgestaltet sein, dass sie einen Mittelbereich der Hilfselektrode AE bloß stellt und eine Kante der Hilfselektrode AE bedeckt.
Die Dammschicht BN und die Planarisierungsschicht OC können strukturiert sein, um nur den Dünnfilmtransistor T und einen Speicherkondensator Cst zu bedecken, der mit dem Dünnfilmtransistor T im Pixel verbunden ist. Wie in 3 und 4 gezeigt, kann der Speicherkondensator Cst eine Dreifachstruktur aufweisen, bei der erste bis dritte Kondensatorelektroden übereinander gestapelt sind. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann der Speicherkondensator Cst bei Bedarf als Vielzahl von Schichten implementiert sein.
Eine Barriere BR ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Dammschicht BN ausgebildet ist. Die Barriere BR ist auf der Hilfselektrode AE ausgebildet. Die Barriere BR dient dazu, sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT, die später gebildet wird, physikalisch zu unterteilen. Mit anderen Worten sind sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT auf der Hilfselektrode AE angeordnet und jeweils durch die Barriere BR physikalisch geteilt. Somit können sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT jeweils diskontinuierlich auf der Hilfselektrode ausgebildet sein.
Die organische Verbundschicht OL ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Dammschicht BN und die Barriere BR gebildet sind. Die organische Verbundschicht OL kann weit erstreckend auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats SUB1 ausgebildet sein. Die organische Verbundschicht OL ist eine Schicht, in der sich Elektronen und Löcher vereinen und Licht emittieren. Die organische Verbundschicht OL weist eine Emissionsschicht EML auf und kann ferner eine oder mehrere von einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer Elektronentransportschicht ETL und einer Elektroneninjektionsschicht EIL aufweisen. Die Emissionsschicht EML kann ein lichtemittierendes Material enthalten, das weißes Licht erzeugt.
Die organische Verbundschicht OL, die weißes Licht emittiert, kann eine Multi-Stapel-Struktur aufweisen, beispielsweise eine n-Stapel-Struktur, wobei n eine ganze Zahl gleich oder größer als 1 ist. Zum Beispiel kann eine 2-Stapel-Struktur eine zwischen der Anode ANO und der Kathode CAT befindliche Ladungserzeugungsschicht CGL und einen ersten Stapel und einen zweiten Stapel aufweisen, von denen einer auf und einer unter der Ladungserzeugungsschicht CGL angeordnet ist. Sowohl der erste Stapel als auch der zweite Stapel enthalten jeweils eine Emissionsschicht und können ferner mindestens eine gemeinsame Schicht enthalten. Die Emissionsschicht des ersten Stapels und die Emissionsschicht des zweiten Stapels können jeweils Emissionsmaterialien unterschiedlicher Farben enthalten.
Die auf der Hilfselektrode AE befindliche organische Verbundschicht OL wird durch die Barriere BR physikalisch geteilt. Die organische Verbundschicht OL ist durch die Barriere BR geteilt und stellt mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE um die Barriere BR herum bloß. Ein Teilbereich der von der Barriere BR geteilten organischen Verbundschicht OL, ist auf der Barriere BR angeordnet.
Die Kathode CAT ist auf der organischen Verbundschicht OL angeordnet. Die Kathode CAT kann weit erstreckend auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats SUB1 ausgebildet sein. Die Kathode CAT kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) gebildet sein. Alternativ kann die Kathode CAT aus einem Material gebildet sein, das dünn genug ist, um Licht durchzulassen, beispielsweise aus Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Aluminium (Al), Silber (Ag) oder eine Kombination davon.
Die Kathode CAT auf der Hilfselektrode AE ist durch die Barriere BR physikalisch geteilt. Die Kathode CAT ist durch die Barriere BR geteilt und stellt mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE um die Barriere BR herum bloß. Ein Teilbereich der durch die Barriere BR geteilten Kathode CAT, ist auf der Barriere BR angeordnet.
Die Kathode CAT bedeckt die organische Verbundschicht OL, und ein Ende der Kathode CAT kontaktiert direkt die Hilfselektrode AE. Ein Ende der Kathode CAT, die durch die Barriere BR geteilt ist und bloßgestellt ist, kontaktiert nämlich direkt eine bloßgestellte obere Oberfläche der Hilfselektrode AE. Eine solche Struktur kann durch einen Stufenabdeckung-Unterschied zwischen Materialien, die die organische Verbundschicht OL und die Kathode CAT bilden, implementiert werden. Da die Kathode CAT beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material mit besserer Stufenabdeckung hergestellt ist, als ein Aufbaumaterial der organischen Verbundschicht OL, kann die Kathode CAT so gestaltet sein, dass sie die Hilfselektrode AE direkt kontaktiert. Um die Struktur zu realisieren, können im Weiteren, die organische Verbundschicht OL und die Kathode CAT unter Verwendung unterschiedlicher Verfahren gebildet werden. Beispielsweise kann die organische Verbundschicht OL unter Verwendung eines thermischen Abscheidungsverfahrens gebildet werden und die Kathode CAT kann unter Verwendung eines Sputterverfahrens gebildet werden. Somit kann sich ein Ende der Kathode CAT mehr (mit anderen Worten, weiter) ausstrecken als ein Ende der organischen Verbundschicht.
Die Ausführungsform der Offenbarung kann eine Spannungsänderung in Abhängigkeit von einer Position durch elektrisches Verbinden der aus niederohmig leitfähigem Material gebildeten Hilfselektrode AE mit der Kathode CAT verringern. Daher kann die Ausführungsform der Offenbarung die Ungleichmäßigkeit der Leuchtdichte minimieren.
Die Kathode CAT ist über die Hilfselektrode AE mit der Evss-Leitung EVL elektrisch verbunden und kann somit das Versorgungsspannungs-Niederpotential empfangen. Die Ausführungsform der Offenbarung kann nämlich einen Stromversorgungspfad bereitstellen, in dem die Evss-Leitung EVL, die Hilfselektrode AE und die Kathode CAT nacheinander angeschlossen sind. Und/oder die Kathode CAT kann das Versorgungsspannungs-Niederpotential direkt von einer Spannungsversorgungseinheit (nicht gezeigt) empfangen. Die Kathode CAT kann nämlich direkt das Versorgungsspannungs-Niederpotential empfangen, das durch eine Kontaktstelle (nicht gezeigt) geliefert wird, die auf einer Seite des ersten Substrats SUB1 vorgesehen ist.
Das Farbfilter CF ist auf dem zweiten Substrat SUB2 ausgebildet, das an dem ersten Substrat SUB1 angebracht ist. Der Farbfilter CF kann rote (R), blaue (B) und grüne (G) Farbfilter aufweisen. Das Pixel kann Subpixel aufweisen, die rotes, blaues und grünes Licht emittieren, und die Farbfilter CF können jeweils den entsprechenden Subpixeln zugeordnet sein. Falls erforderlich oder gewünscht, kann das Pixel ferner ein weißes (W) Subpixel enthalten. Die roten, blauen und grünen Farbfilter CF können durch eine schwarze Matrix BM geteilt sein. Die Schwarzmatrix BM ist zwischen den benachbarten Farbfiltern CF auf dem zweiten Substrat SUB2 vorgesehen und kann das Auftreten eines Fehlers einer Farbmischung verhindern.
Das vervollständigte erste Substrat SUB1 ist mit dem vervollständigten zweite Substrat SUB2 verbunden, wobei die Füllstoffschicht FL dazwischen angeordnet ist. Die Füllstoffschicht FL kann aus einem Harz auf Epoxidbasis und einem Harz auf Acrylbasis gebildet sein. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Auf dem ersten Substrat SUB1 kann eine Schutzschicht PL zum Schutz der Komponenten vorgesehen sein. Die Schutzschicht PL ist auf der Kathode CAT aufgebracht. Die Schutzschicht PL kann weit erstreckend auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats SUB1 ausgebildet sein. Die Schutzschicht PL kann aus einem anorganischen Material wie Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
Genauer gesagt, ist die Schutzschicht PL auf der Kathode CAT angeordnet und kann das Eindringen von Fremdmaterial, das in die organische Leuchtdiode OLE eindringen kann, abhalten. Da zum Beispiel die Kathode CAT, die ein transparentes leitfähiges Material aufweist, eine kristalline Komponente ist und das Eindringen von Ionen und Feuchtigkeit nicht blockieren kann, kann Feuchtigkeit, die von einer Füllstoffschicht eintritt, die Kathode CAT passieren und in die organische Verbundschicht OL eintreten. Die Ausführungsform der Offenbarung weist ferner die Schutzschicht PL auf der organischen Leuchtdiode OLE auf und kann Feuchtigkeit blockieren, die in die organische Leuchtdiode OLE eindringen kann. Somit kann die Ausführungsform der Offenbarung eine Verringerung der Lebensdauer der organischen Leuchtdiode OLE und eine Verringerung der Leuchtdichte verhindern.
Zusätzlich ist die Schutzschicht PL auf der Kathode CAT angeordnet und kann eine auf die Kathode CAT ausgeübte Belastung puffern oder abschwächen, wenn das erste Substrat SUB1 und das zweite Substrat SUB2 aneinander angebracht werden. Da beispielsweise die Kathode CAT, die das transparente leitfähige Material aufweist, spröde Eigenschaften aufweist, kann die Kathode CAT aufgrund einer ausgeübten äußeren Kraft leicht reißen. Die Ausführungsform der Offenbarung weist ferner die Schutzschicht PL auf der Kathode CAT auf und kann die Erzeugung eines Risses in der Kathode CAT verhindern. Ferner kann die Ausführungsform der Offenbarung das Eindringen von Sauerstoff oder Feuchtigkeit durch den Riss verhindern.
Die Schutzschicht PL kann eine Dicke aufweisen, die größer als eine vorbestimmte Dicke ist, um die oben beschriebenen Funktionen auszuführen. Die Schutzschicht PL muss nämlich eine Dicke aufweisen, die größer als eine zuvor eingestellte erste Dicke t1 ist, um eine Feuchtigkeits-Blockierungsfunktion und eine Pufferfunktion problemlos auszuführen. Zum Beispiel kann eine Dicke der Schutzschicht PL auf einige Mikrometer (µm) eingestellt werden. Ein chemischer Gasphasenabscheidungsprozess (CVD-Prozess) kann verwendet werden, um die Schutzschicht PL in der ersten Dicke t1 bereitzustellen.
Die Schutzschicht PL muss weit erstreckend ausgebildet sein, so dass sie die gesamte Oberfläche der organischen Leuchtdiode OLE bedecken kann, um die oben beschriebenen Funktionen auszuführen. Da jedoch die Schutzschicht PL unter Verwendung des CVD-Prozesses mit einer schlechten Stufenabdeckung aufgrund der Dickenbeschränkungen gebildet wird, wird die Schutzschicht PL nicht kontinuierlich gebildet und ist in einem Bereich, in dem die Barriere BR vorgesehen ist, physikalisch geteilt. Mit anderen Worten, wie in 4 gezeigt, ist die Schutzschicht PL auf der Hilfselektrode AE durch die Barriere BR physikalisch geteilt.
In diesem Fall kann Feuchtigkeit zwischen die geteilten Schutzschichten PL eindringen (Penetration), und das lichtemittierende Element kann aufgrund der Feuchtigkeit beeinträchtigt werden. Beispielsweise kann während eines Prozesses zum Aufbringen eines Aufbaumaterials der Füllstoffschicht FL auf dem ersten Substrat SUB1, wenn das erste Substrat SUB1 mit dem zweiten Substrat SUB2 zusammengebracht wird, von außen eindringende Feuchtigkeit zwischen die geteilten Schutzschichten PL eindringen. In einem anderen Beispiel kann Feuchtigkeit, die entlang des Dichtungsmittels SL und der Füllstoffschicht FL eindringt, zwischen die geteilten Schutzschichten PL eindringen.
5 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich gemäß der ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich gemäß der ersten Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 7 veranschaulicht die Stufenabdeckungseigenschaften eines Atomlagenabscheidungs-Prozesses (ALD).
Mit Bezug auf 5 und 6 weist das OLED-Display gemäß der ersten Ausführungsform der Offenbarung ferner eine Deckschicht CL auf dem ersten Substrat SUB1 auf, auf der die Schutzschicht PL ausgebildet ist.
Die Deckschicht CL ist weit erstreckend auf dem ersten Substrat SUB1 ausgebildet, um die gesamte Schutzschicht PL, die Barriere BR, die bloßgestellte Hilfselektrode AE, usw. zu bedecken. Die Deckschicht CL ist vorgesehen, um einen offenen Bereich abzuschirmen, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht PL geteilt wird. Die Deckschicht CL ist als ein einziger Körper ausgebildet, so dass sie auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats SUB1 kontinuierlich ausgebildet ist (oder durchgehenden Zusammenhang aufweist). Die Deckschicht CL ist nämlich nicht durch die Barriere BR geteilt und wird, anders als die Schutzschicht PL, kontinuierlich ausgebildet (oder behält ihren durchgehenden Zusammenhang bei). Daher ist die Deckschicht CL so angeordnet, dass sie eine äußere Oberfläche der Barriere BR bedeckt.
Die erste Ausführungsform der Offenbarung kann das Eindringen von Feuchtigkeit in das lichtemittierende Element wirksam verhindern, indem es die Deckschicht CL miteinbezieht, wodurch die Verschlechterung des lichtemittierenden Elements minimiert wird. Somit kann die erste Ausführungsform der Offenbarung eine OLED-Anzeige mit verbesserter Produktzuverlässigkeit bereitstellen.
Die erste Ausführungsform der Offenbarung kann einen Atomlagenabscheidungs-Prozess (ALD) verwenden, um die oben beschriebene Deckschicht CL bereitzustellen. Die erste Ausführungsform der Offenbarung kann die Deckschicht CL bilden, die in der Lage ist, die gesamte Oberfläche des ersten Substrats SUB1 unter Verwendung des ALD-Prozesses mit guter Stufenabdeckung vollständig zu bedecken. Ferner ist in 7 zu sehen, dass eine Schicht, die nicht mit einer steilen Neigung geteilt ist und kontinuierlich gebildet ist, mit dem ALD-Prozess gebildet werden kann.
Die Deckschicht CL kann aus einem anorganischen Material gebildet sein. Beispielsweise kann die Deckschicht CL aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) und Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein. Da es ausreichend ist, wenn die Deckschicht CL einen schmalen Feuchtigkeits-Durchdringungspfad blockiert, der sich bildet, wenn die Schutzschicht PL geteilt wird, kann die Deckschicht CL relativ dünn ausgebildet sein. Da die Deckschicht CL wie oben beschrieben dünn ausgebildet ist, hat die Ausführungsform der Offenbarung einen Vorteil hinsichtlich ihres Herstellungsverfahrens bei Anwendungen in der (Massen-) Produktion. Eine Dicke der Deckschicht CL kann auf einige Nanometer (nm) eingestellt werden. Beispielsweise kann die Deckschicht CL eine zweite Dicke t2 haben, die dünner ist als die Schutzschicht PL mit der ersten Dicke t1.
8 zeigt Querschnittsansichten, die Beispiele einer Form einer Barriere schematisch darstellen.
Mit Bezug auf 8, kann die Barriere BR als eine Doppelschicht ausgebildet sein, die eine erste Struktur B1 und eine zweite Struktur B2 aufweist. Die erste Struktur B1 kann auf der zweiten Struktur B2 angeordnet sein, und eine Kante der ersten Struktur B1 kann eine Trauf-Form haben. Die Kante der ersten Struktur B1 kann nämlich um einen vorbestimmten Abstand RR von einer Kante der zweiten Struktur B2 nach außen vorstehen. Der Abstand RR zwischen der Kante der ersten Struktur B1 und der Kante der zweiten Struktur B2 kann in geeigneter Weise so gewählt werden, dass die Barriere BR mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE bloß stellen kann, während sowohl die organische Verbundschicht OL (siehe 6) als auch die Kathode CAT (siehe 6) geteilt wird. Mit anderen Worten, sowohl die organische Verbundschicht OL (siehe 6) als auch die Kathode CAT (siehe 6) sind so strukturiert, dass mindestens ein Teilbereich der Hilfselektrode AE bloßgestellt wird, während sie wegen des vorbestimmter Abstand RR zwischen der Kante der ersten Struktur B1 und der Kante der zweiten Struktur B2 um die Barriere BR herum geteilt werden. Die erste Struktur B1 kann eine umgekehrte Kegelform haben, wie in (a) von 8 gezeigt und kann eine Kegelform haben, wie in (b) von 8 gezeigt. Die erste Struktur B1 und die zweite Struktur B2 können aus verschiedenen Materialien gebildet sein.
Die Barriere BR kann als eine einzelne Schicht mit einer ersten Struktur B1 ausgebildet sein. In diesem Fall hat die erste Struktur B1 eine Form, bei der eine Kante einer oberen Seite von einer Kante einer unteren Seite um einen vorbestimmten Abstand RR nach außen vorsteht. Zum Beispiel kann die erste Struktur B1 eine umgekehrte Kegelform haben, wie in (c) von 8 gezeigt. Eine vertikale Querschnittsform der ersten Struktur B1 kann nämlich eine Trapezform haben, die obere Seite kann länger als die untere Seite sein, und ein Ende der oberen Seite kann von einem Ende der unteren Seite um den vorbestimmten Abstand RR nach außen vorstehen. Der Abstand RR zwischen einem Ende der Oberseite und einem Ende der Unterseite kann in geeigneter Weise gewählt werden, so dass die Barriere BR mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE bloß stellen kann, während sowohl die organische Verbundschicht OL (siehe 6) als auch die Kathode CAT (siehe 6) geteilt werden. Mit anderen Worten, sind sowohl die organische Verbundschicht OL (siehe 6) als auch die Kathode CAT (siehe 6) so strukturiert, dass mindestens ein Teilbereich der Hilfselektrode AE bloßgestellt ist, während sie wegen des Abstand RR zwischen einem Ende der oberen Seite und einem Ende der unteren Seite um die Barriere BR herum geteilt sind.
<Zweite Ausführungsform>
9 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Dünnfilmtransistorbereich gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 10 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Hilfselektrodenbereich gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung darstellt. 11A und 11B veranschaulichen in zeitlicher Abfolge ein Verfahren zum Ausbilden eines Vorsprungs. Die Anordnung der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von der Anordnung der ersten Ausführungsform bezüglich des Hilfselektrodenbereich, und daher wird nachstehend die zweite Ausführungsform im Hinblick auf den Hilfselektrodenbereich näher beschrieben.
Unter Bezugnahme auf 9 und 10 weist eine OLED-Anzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung ein Anzeigefeld mit einem ersten Substrat SUB1 und einem zweiten Substrat SUB2 auf, die einander zugewandt sind. Eine Füllstoffschicht FL kann zwischen dem ersten Substrat SUB1 und dem zweiten Substrat SUB2 eingefügt sein.
Das erste Substrat SUB1 ist ein Dünnfilmtransistor-Arraysubstrat, auf dem ein Dünnfilmtransistor T und eine organische Leuchtdiode OLE angeordnet sind. Das zweite Substrat SUB2 ist ein Farbfilter-Arraysubstrat, auf dem ein Farbfilter CF angeordnet ist. Das zweite Substrat SUB2 kann als Einkapselungs-Substrat fungieren. Das erste Substrat SUB1 und das zweite Substrat SUB2 können unter Verwendung eines Dichtungsmittels SL aneinander befestigt sein. Das Dichtungsmittel SL ist an einer Kante des ersten Substrats SUB1 und einer Kante des zweiten Substrats SUB2 angeordnet und hält einen vorbestimmten Abstand zwischen dem ersten Substrat SUB1 und dem zweiten Substrat SUB2. Die Füllstoffschicht FL kann innerhalb des Dichtungsmittels SL angeordnet (oder untergebracht) sein.
Das erste Substrat SUB1 kann in einen Dünnfilmtransistorbereich TA, in dem der Dünnfilmtransistor T und die organische Leuchtdiode OLE angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich AEA, in dem eine Hilfselektrode AE vorgesehen ist, geteilt sein. Der Dünnfilmtransistor T und die organische Leuchtdiode OLE, die mit dem Dünnfilmtransistor T verbunden ist, sind auf dem Dünnfilmtransistorbereich TA des ersten Substrats SUB1 ausgebildet. Die Hilfselektrode AE, die mit einer Kathode CAT verbunden ist, ist auf dem Hilfselektrodenbereich AEA des ersten Substrats SUB1 ausgebildet.
Die Hilfselektrode AE ist auf einer dielektrischen Zwischenschicht IN angeordnet. Die Hilfselektrode AE kann ein leitfähiges Material mit niedrigem Widerstand aufweisen. Wie später beschrieben wird, kann die Hilfselektrode AE mit der Kathode CAT verbunden sein und dazu dienen, einen Widerstand der Kathode CAT zu verringern. Die Hilfselektrode AE kann aus dem gleichen Material wie eine Source-Elektrode SE und eine Drain-Elektrode DE und in der gleichen Schicht wie diese gebildet sein. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Die Hilfselektrode AE kann als eine Evss-Leitung EVL dienen. Die Hilfselektrode AE kann nämlich ein Teil der Evss-Leitung EVL oder ein von der Evss-Leitung EVL abzweigender Teil sein. Die Hilfselektrode AE kann ein Versorgungsspannungs-Niederpotential von einer Spannungsversorgungseinheit (nicht gezeigt) empfangen.
Obwohl nicht gezeigt, kann die Hilfselektrode AE elektrisch mit der Evss-Leitung EVL verbunden sein, die unter der Hilfselektrode AE angeordnet ist, wobei mindestens eine Isolierschicht dazwischen angeordnet ist. Die Evss-Leitung EVL kann das Versorgungsspannungs-Niederpotential von der Spannungsversorgungseinheit empfangen und das Versorgungsspannungs-Niederpotential zur Hilfselektrode AE übertragen. Die Hilfselektrode AE und die Evss-Leitung EVL können durch ein Kontaktloch miteinander verbunden sein, das mindestens eine dazwischen liegende Isolierschicht durchdringt.
Eine Passivierungsschicht PAS und eine Planarisierungsschicht OC sind aufeinander auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Hilfselektrode AE ausgebildet ist. Die Passivierungsschicht PAS stellt mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE bloß.
Die Planarisierungsschicht OC ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist. Die Planarisierungsschicht OC stellt jeweils mindestens einen Teilbereich der bloßgestellten Hilfselektrode AE als auch der Passivierungsschicht PAS bloß.
Eine Dummy-Struktur DP ist auf dem ersten Substrat SUB1 ausgebildet, auf dem die Planarisierungsschicht OC ausgebildet ist. Die Dummy-Struktur DP kann aus dem gleichen Material wie die Anode ANO und in der gleichen Schicht wie die Anode ANO gebildet sein. Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Dummy-Struktur DP ist auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet, die bloßgestellt wird, wenn die Planarisierungsschicht OC in einem Bereich entfernt wird, der die Hilfselektrode AE überlappt. Die Dummy-Struktur DP ist so ausgestaltet, dass ein Ende in dem Bereich, der die Hilfselektrode AE überlappt, weiter vorsteht als die Passivierungsschicht PAS. Das Ende der Dummy-Struktur DP, das über die Passivierungsschicht PAS vorsteht, kann als Vorsprung DPD bezeichnet werden.
Der Vorsprung DPD funktioniert so, dass er sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT, die später gebildet wird, physikalisch teilt. Mit anderen Worten ist sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT jeweils auf der Hilfselektrode AE angeordnet und durch den Vorsprung DPD physikalisch geteilt. Somit können sowohl die organische Verbundschicht OL als auch die Kathode CAT jeweils diskontinuierlich auf der Hilfselektrode AE gebildet sein.
Der Vorsprung DPD kann durch einen Unterschied in der Ätzselektivität zwischen einem Material, das die Passivierungsschicht PAS bildet, und einem Material, das die Dummy-Struktur DP bildet, realisiert werden. In Bezug auf 11A und 11B werden nämlich ein Material PASM, das die Passivierungsschicht PAS bildet, und ein Material DPM, das die Dummy-Struktur DP bildet, auf die Hilfselektrode AE aufgebracht, und ein Ätzprozess zum Strukturieren der Materialien PASM und DPM wird durchgeführt. Da das Material PASM, das die Passivierungsschicht PAS bildet, als ein Material mit einem großen Ätzselektivitätsunterschied in Bezug auf das Material DPM, das das Dummy-Struktur DP bildet, ausgewählt wird, kann eine Ätz-Menge des Materials PASM, das die Passivierungsschicht PAS bildet, relativ größer sein als ein Ätz-Menge des Materials DPM, das die Dummy-Struktur DP bildet. Daher kann die Passivierungsschicht PAS eine hinterschnittene Form aufweisen, die an die Innenseite der Dummy-Struktur DP gedrückt wird. Ein Teilbereich der Dummy-Strukturs DP kann aufgrund der Hinterschneidungsform weiter als die Passivierungsschicht PAS vorstehen und kann somit als Vorsprung DPD realisiert sein.
Eine Dammschicht BN ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Dummy-Struktur DP ausgebildet ist. Die Dammschicht BN weist eine erste Öffnung auf, die den größten Teil der Anode ANO bloß stellt. Ferner weist die Dammschicht BN eine zweite Öffnung auf, die den größten Teil der Hilfselektrode AE und der Dummy-Struktur DP bloß stellt. Die zweite Öffnung stellt gleichzeitig die Hilfselektrode AE und einen Mittelabschnitt der Dummy-Struktur DP bloß.
Die organische Verbundschicht OL ist auf dem ersten Substrat SUB1 angeordnet, auf dem die Dammschicht BN ausgebildet ist. Die organische Verbundschicht OL auf der Hilfselektrode AE wird durch den Vorsprung DPD physikalisch geteilt. Die organische Verbundschicht OL ist durch den Vorsprung DPD geteilt und stellt mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE um den Vorsprung DPD herum bloß. Die durch den Vorsprung DPD geteilte organische Verbundschicht OL ist jeweils auf einem oberen Teilbereich der Dummy-Struktur DP und einem oberen Teilbereich der Hilfselektrode AE angeordnet.
Die Kathode CAT ist auf der organischen Verbundschicht OL angeordnet. Die Kathode CAT auf der Hilfselektrode AE wird durch den Vorsprung DPD physikalisch geteilt. Die Kathode CAT ist durch den Vorsprung DPD geteilt und stellt mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode AE um den Vorsprung DPD herum bloß. Die Kathode CAT, die durch den Vorsprung DPD geteilt ist, ist auf dem oberen Teilbereich der Dummy-Struktur DP und dem oberen Teilbereich der Hilfselektrode AE angeordnet.
Die Kathode CAT bedeckt die organische Verbundschicht OL, und ein Ende der Kathode CAT kontaktiert direkt die Hilfselektrode AE. Ein Ende der Kathode CAT, die durch den Vorsprung DPD geteilt ist und bloßgestellt ist, kontaktiert nämlich direkt eine obere Oberfläche der bloßgestellten Hilfselektrode AE. Mit anderen Worten, ein Ende der Kathode CAT kann ausgedehnter (mit anderen Worten, weiter) sein als ein Ende der organischen Verbundschicht OL und kann die Hilfselektrode AE direkt kontaktieren.
Die Ausführungsform der Offenbarung kann eine Spannungsänderung in Abhängigkeit von einer Position durch elektrisches Verbinden der aus niederohmig leitfähigem Material gebildeten Hilfselektrode AE mit der Kathode CAT verringern. Daher kann die Ausführungsform der Offenbarung die Ungleichmäßigkeit der Leuchtdichte minimieren.
Die Kathode CAT kann mit der Hilfselektrode AE verbunden sein, die ein Teil der Evss-Leitung EVL ist, und kann das Versorgungsspannungs-Niederpotential empfangen. Die Ausführungsform der Offenbarung kann nämlich einen Stromversorgungspfad bereitstellen, in dem die Hilfselektrode AE und die Kathode CAT nacheinander angeschlossen sind.
Alternativ kann die Kathode CAT über die Hilfselektrode AE elektrisch mit der Evss-Leitung EVL verbunden sein, die unter der Hilfselektrode AE angeordnet ist, und kann das Versorgungsspannungs-Niederpotential empfangen. Die Ausführungsform der Offenbarung kann nämlich einen Stromversorgungspfad bereitstellen, in dem die Evss-Leitung EVL, die Hilfselektrode AE und die Kathode CAT nacheinander angeschlossen sind.
Und/oder die Kathode CAT kann das Versorgungsspannungs-Niederpotential direkt von der Spannungsversorgungseinheit (nicht gezeigt) empfangen. Die Kathode CAT kann nämlich direkt das Versorgungsspannungs-Niederpotential empfangen, das durch eine Kontaktstelle (nicht gezeigt) geliefert wird, die auf einer Seite des ersten Substrats SUB1 vorgesehen ist.
Auf der Kathode CAT ist eine Schutzschicht PL angeordnet. Die Schutzschicht PL muss weit erstreckend auf der gesamten Oberfläche ausgebildet sein, um ein lichtemittierendes Element zu schützen. Die Schutzschicht PL ist jedoch durch den Vorsprung DPD physikalisch geteilt und in einem Bereich, in dem der Vorsprung DPD vorgesehen ist, diskontinuierlich ausgebildet. Wie nämlich in 10 gezeigt, ist die Schutzschicht PL auf der Hilfselektrode AE durch den Vorsprung DPD physikalisch geteilt. In diesem Fall kann Feuchtigkeit zwischen die geteilten Schutzschichten PL eindringen, und das lichtemittierende Element kann sich aufgrund der Feuchtigkeit verschlechtern.
Um das Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern, weist das OLED-Display gemäß der zweiten Ausführungsform der Offenbarung ferner eine Deckschicht CL auf der Schutzschicht PL auf. Die Deckschicht CL ist weit erstreckend auf dem ersten Substrat SUB1 ausgebildet, um die gesamte Schutzschicht PL, die bloßgestellte Hilfselektrode AE, usw. zu bedecken. Die Deckschicht CL ist vorgesehen, um einen offenen Bereich abzuschirmen, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht PL geteilt wird. Die Deckschicht CL ist als einziger Körper ausgebildet, so dass sie auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats SUB1 kontinuierlich ausgebildet ist (oder durchgehenden Zusammenhang aufweist). Die Deckschicht CL ist nämlich nicht durch den Vorsprung DPD geteilt und wird, anders als die Schutzschicht PL, kontinuierlich ausgebildet (oder behält ihren durchgehenden Zusammenhang bei). Daher ist die Deckschicht CL so angeordnet, dass sie eine äußere Oberfläche des Vorsprungs DPD bedeckt.
Die zweite Ausführungsform der Offenbarung kann das Eindringen von Feuchtigkeit in das lichtemittierende Element wirksam verhindern, indem es die Deckschicht CL miteinbezieht, wodurch die Verschlechterung des lichtemittierenden Elements minimiert wird. Somit kann die zweite Ausführungsform der Offenbarung eine OLED-Anzeige mit verbesserter Produktzuverlässigkeit bereitstellen.
Obwohl die Ausführungsformen mit Bezug auf eine Anzahl von veranschaulichenden Ausführungsformen davon beschrieben wurden, können vom Fachmann zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen entworfen werden, die in den Bereich der Prinzipien dieser Offenbarung fallen. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der betrachteten Kombinationsanordnung innerhalb des Bereichs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Neben Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen werden alternative Verwendungen für den Fachmann ebenfalls ersichtlich sein.

Claims

Organische Leuchtdioden-Anzeige (10), aufweisend: ein Substrat (SUB1) das einen Dünnfilmtransistorbereich (TA), in dem ein Dünnfilmtransistor (T) und eine mit dem Dünnfilmtransistor (T) verbundene organische Leuchtdiode (OLE) angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich (AEA) aufweist, in dem eine Hilfselektrode (AE) angeordnet ist; eine auf der Hilfselektrode (AE) angeordnete Barriere (BR) ; eine in der organischen Leuchtdiode (OLE) enthaltene Kathode (CAT), die durch die Barriere (BR) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt, wobei sich ein Ende der Kathode (CAT) in direktem Kontakt mit der Hilfselektrode (AE) befindet; und eine auf der Kathode (CAT) angeordnete Deckschicht (CL), wobei die Deckschicht (CL) einen durchgehenden Zusammenhang aufweist, um die Barriere (BR) und die Hilfselektrode (AE) zu bedecken.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 1, ferner aufweisend eine Schutzschicht (PL), die zwischen der Kathode (CAT) und der Deckschicht (CL) angeordnet ist, wobei die Schutzschicht (PL) durch die Barriere (BR) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 2, wobei eine Dicke der Deckschicht (CL) so eingestellt ist, dass sie geringer als eine Dicke der Schutzschicht (PL) ist.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Deckschicht (CL) einen offenen Bereich bedeckt, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht (PL) durch die Barriere (BR) geteilt wird.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner aufweisend eine Versorgungsleitung (EVL), die mit mindestens einer Isolierschicht (PAS, OC) dazwischen unter der Hilfselektrode (AE) angeordnet ist und eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit empfängt, wobei die Hilfselektrode (AE) durch ein Kontaktloch (AH), das die mindestens eine Isolierschicht (PAS, OC) durchdringt, elektrisch mit der Versorgungsleitung (EVL) verbunden ist.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die organische Leuchtdiode (OLE) eine organische Verbundschicht (OL) aufweist, die durch die Barriere (BR) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt; wobei das Ende der Kathode (CAT) auf der organischen Verbundschicht (OL) sich weiter erstreckt als ein Ende der organischen Verbundschicht (OL) und die Hilfselektrode (AE) direkt kontaktiert.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Deckschicht (CL) aus Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid gebildet ist.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10), aufweisend: ein Substrat (SUB1) das einen Dünnfilmtransistorbereich (TA), in dem ein Dünnfilmtransistor (T) und eine mit dem Dünnfilmtransistor (T) verbundene organische Leuchtdiode (OLE) angeordnet sind, und einen Hilfselektrodenbereich (AEA) aufweist, in der eine Hilfselektrode (AE) angeordnet ist; eine auf der Hilfselektrode (AE) angeordnete Passivierungsschicht (PAS), die mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt; eine auf der Passivierungsschicht (PAS) angeordnete Dummy-Struktur (DP), wobei die Dummy-Struktur (DP) einen Vorsprung aufweist, der in einem die Hilfselektrode (AE) überlappenden Bereich weiter vorsteht als die Passivierungsschicht, eine in der organischen Leuchtdiode (OLE) enthaltene Kathode (CAT), die durch den Vorsprung (DPD) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt, wobei sich ein Ende der Kathode (CAT) in direktem Kontakt mit der Hilfselektrode (AE) befindet; und eine auf der Kathode (CAT) angeordnete Deckschicht (CL), wobei die Deckschicht (CL) durchgehenden Zusammenhang hat, um den Vorsprung (DPD) und die Hilfselektrode (AE) zu bedecken.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 8, ferner aufweisend eine Schutzschicht (PL), die zwischen der Kathode (CAT) und der Deckschicht (CL) angeordnet ist, wobei die Schutzschicht (PL) durch den Vorsprung (DPD) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 9, wobei eine Dicke der Deckschicht (CL) so eingestellt ist, dass sie geringer als eine Dicke der Schutzschicht (PL) ist.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Deckschicht (CL) einen offenen Bereich bedeckt, der erzeugt wird, wenn die Schutzschicht (PL) durch den Vorsprung (DPD) geteilt wird.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 8 bis 11, ferner aufweisend eine Versorgungsleitung (EVL), die mit mindestens einer Isolierschicht (PAS, OC) dazwischen unter der Hilfselektrode (AE) angeordnet ist und ausgebildet ist um eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit zu empfangen, wobei die Hilfselektrode (AE) durch ein Kontaktloch (AH), das die mindestens eine Isolierschicht durchdringt, elektrisch mit der Versorgungsleitung verbunden ist.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die Hilfselektrode (AE) so konfiguriert ist, dass sie eine Versorgungsspannung von einer Spannungsversorgungseinheit empfängt.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die organische Leuchtdiode (OLE) eine organische Verbundschicht (OL) aufweist, die durch den Vorsprung (DPD) geteilt ist und mindestens einen Teilbereich der Hilfselektrode (AE) bloß stellt, wobei das Ende der Kathode (CAT) auf der organischen Verbundschicht (OL) weiter ausgestreckt ist als ein Ende der organischen Verbundschicht (OL) und die Hilfselektrode (AE) direkt kontaktiert.
Organische Leuchtdioden-Anzeige (10) nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei die Deckschicht (CL) aus Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid gebildet ist.