DE102015119183A1 - Organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben - Google Patents

Organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben Download PDF

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Jongkyung KIM
Taro Hasumi
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben sind offenbart, in der eine organische Licht-emittierende Diode oder eine Kathode davor bewahrt werden können, mittels Ausgasungen, die aufgrund von in einer Planarisierungsschicht verbliebenem Wasser erzeugt werden, beschädigt zu werden. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung weist auf: ein Substrat (10); eine auf dem Substrat (10) bereitgestellte Dünnschichttransistor-Schicht (20); eine zum Einebnen der Dünnschichttransistor-Schicht (20) auf der Dünnschichttransistor-Schicht (20) bereitgestellte Planarisierungsschicht (140); eine Anoden-Leitung (152), die derart auf der Planarisierungsschicht (140) bereitgestellt ist, dass sie die Planarisierungsschicht (140) in einem Nicht-Anzeigebereich (NDA), der einem Peripheriebereich eines Anzeigebereichs (DA) entspricht, teilweise freilegt; und eine organische Wasser-Absorptionsschicht (172), die auf dem freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht (140) derart bereitgestellt ist, dass sie Ausgasungen von der Planarisierungsschicht (140) zumindest teilweise absorbiert.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2014-0154512 , eingereicht am 7. November 2014, die hiermit vollständig durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben.
  • Beschreibung verwandter Technik
  • Mit dem Voranschreiten der Informationsgesellschaft hat eine Nachfrage nach einer Anzeigevorrichtung zum Anzeigen eines Bildes in verschiedener Hinsicht zugenommen. In letzter Zeit sind verschiedene Flachpanel-Anzeigevorrichtungen, wie beispielsweise eine Flüssigkristall-Anzeige (LCD), ein Plasma-Anzeigepanel (PDP) und eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung verwendet worden.
  • Unter den Anzeigevorrichtungen zeichnet sich die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, die eine selbst Licht-emittierende Anzeigevorrichtung ist, hinsichtlich eines Betrachtungswinkels, eines Kontrastverhältnisses etc. gegenüber der LCD aus und kann mit einem geringen Gewicht und einer dünnen Größe hergestellt werden und ist in Bezug auf den Energieverbrauch vorteilhaft, da sie keine separate Hintergrundbeleuchtung benötigt. Ebenso ist die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung im Hinblick auf eine Gleichstromansteuerung mit geringer Spannung, kurze Ansprechzeit und insbesondere geringe Herstellungskosten vorteilhaft.
  • Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung wird mittels mehrerer Prozesse hergestellt, die zum Beispiel Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht auf einem Substrat, Bilden einer Planarisierungsschicht zum Einebnen der Oberfläche auf der Dünnschichttransistor-Schicht, Bilden einer Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht, die eine organische Licht-emittierende Diode aufweist, auf der Planarisierungsschicht, wobei die organische Licht-emittierende Diode eine Anodenelektrode (bspw. eine Anode), eine organische Licht-emittierende Schicht und eine Kathodenelektrode (bspw. eine Kathode) aufweist, aufweisen. Eine Verkapselungsschicht, die mehrlagige organische und anorganische Schichten aufweist, ist auf der Organische-Licht-emittierenden-Diode-Schicht zum Schützen der organischen Licht-emittierenden Diode und der Kathode vor Sauerstoff und Wasser gebildet.
  • Die Planarisierungsschicht kann aus einem Harz, wie beispielsweise Photoacryl und Polyimid, gebildet sein. Da die Planarisierungsschicht Wasser absorbiert, wenn die Planarisierungsschicht der Atmosphäre ausgesetzt ist, wird Wasser innerhalb einer Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung entfernt, bevor das mit der Dünnschichttransistor-Schicht ausgestattete Substrat während eines Prozesses zum Abscheiden der Planarisierungsschicht in die Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung eingeführt wird. Jedoch kann, trotz dieser Bemühungen, Wasser in der Planarisierungsschicht verbleiben. Beispielsweise kann, wenn Wasser in einer kleinen Menge von 150 ppm in der Planarisierungsschicht vorhanden ist, die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode durch Gasabgabe aus der Planarisierungsschicht (beispielsweise in der Planarisierungsschicht erzeugte Ausgasungen oder Entgasungen) beschädigt werden. In diesem Fall kann das Problem auftreten, dass Pixel, deren organische Licht-emittierenden Diode oder Kathode aufgrund des Wassers beschädigt sind, als schwarzer Fleck dargestellt werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend betrifft die vorliegende Erfindung eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben, die im Wesentlichen ein oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der verwandten Technik verhindern.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist es, eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben bereitzustellen, in der es verhindert werden kann, dass eine organische Licht-emittierende Diode oder eine Kathode durch Ausgasungen beschädigt werden, die aufgrund von in einer Planarisierungsschicht verbleibendem Wasser erzeugt werden.
  • Zusätzliche Vorteile und Merkmale der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind dem gewöhnlichen Fachmann aus dem Studium des Folgenden ersichtlich oder können durch Anwendung der Erfindung erlernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung können mittels der in der Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Strukturen realisiert und erreicht werden.
  • Zum Erreichen dieser Aufgaben und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Ziel der Erfindung, wie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben, weist eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung auf: ein Substrat; eine auf dem Substrat bereitgestellte Dünnschichttransistor-Schicht; eine auf der Dünnschichttransistor-Schicht bereitgestellte Planarisierungsschicht zum Planarisieren (beispielsweise Einebnen) der Dünnschichttransistor-Schicht; eine auf der Planarisierungsschicht bereitgestellte Anoden-Leitung, die einen Bereich der Planarisierungsschicht in einem Nicht-Anzeigebereich der Anzeigevorrichtung entsprechend einem Peripheriebereich außerhalb eines Anzeigebereichs der Anzeigevorrichtung freilegt (anders ausgedrückt, nicht bedeckt); und eine organische Wasser-Absorptionsschicht (beispielsweise eine organische Schicht zum Absorbieren von Wasser oder eine organische Schicht zur Wasserabsorption), die auf dem Bereich der Planarisierungsschicht, der von der Anoden-Leitung freigelegt (nicht bedeckt) ist, bereitgestellt ist und ein organisches Material aufweist, das dazu vorgesehen ist (anders ausgedrückt, eingerichtet), dass es mindestens teilweise Ausgasungen aus der Planarisierungsschicht absorbiert.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung ferner auf: einen Wall (anders ausgedrückt, Damm oder Bank) (engl.: „bank“), der von der durch die Anoden-Leitung freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht angeordnet ist, wobei der Wall ein Loch aufweist, das einen Sub-Bereich (anders ausgedrückt, Teilbereich) des Bereichs der Planarisierungsschicht, der von der Anoden-Leitung freigelegt ist, freilegt, und wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht das Loch zum Kontaktieren des genannten Sub-Bereichs auffüllt. Beispielsweise kann die organische Wasser-Absorptionsschicht mittels des Lochs in dem Wall (bspw. durch das Loch in dem Wall hindurch) in direktem mechanischem Kontakt mit der Planarisierungsschicht stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung ferner auf: einen Wall, der auf dem Bereich der Planarisierungsschicht angeordnet ist, der von der Anoden-Leitung freigelegt ist; eine auf dem Wall bereitgestellte anorganische Schicht, die einen Bereich des Walls in dem Nicht-Anzeigebereich freilegt, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht auf dem Bereich des Walls bereitgestellt ist, der von der anorganischen Schicht freigelegt ist. Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann mit dem Bereich des Walls, der von der anorganischen Schicht freigelegt ist, in direktem mechanischen Kontakt stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen überlappt der Bereich des Walls, der von der anorganischen Schicht freigelegt ist, zumindest teilweise den Bereich der Planarisierungsschicht, der von der Anoden-Leitung freigelegt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Anoden-Leitung ein erstes Loch zum Freilegen des Bereichs der Planarisierungsschicht in dem Nicht-Anzeigebereich auf, wobei das erste Loch mittels des Walls aufgefüllt ist (anders ausgedrückt füllt der Wall das erste Loch aus). Der Wall kann mit dem Bereich der Planarisierungsschicht, der mittels des ersten Lochs freigelegt ist, in direktem physischen Kontakt stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die anorganische Schicht ein zweites Loch zum Freilegen des Bereichs des Walls in dem Nicht-Anzeigebereich auf, wobei das zweite Loch mittels der organischen Wasser-Absorptionsschicht aufgefüllt ist (anders ausgedrückt füllt die organische Wasser-Absorptionsschicht das zweite Loch aus). Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann mit dem Bereich des Walls, der mittels des zweiten Lochs freigelegt ist, in direktem physischen Kontakt stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen steht die organische Wasser-Absorptionsschicht in direktem mechanischen Kontakt mit dem Bereich der Planarisierungsschicht, der von der Anoden-Leitung freigelegt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Wasser-Absorptionsschicht ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex auf, wobei ein Verhältnis (z.B. Massenverhältnis) zwischen dem Epoxidharz und dem organometallischen Komplex vorzugsweise 9:1 beträgt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die organische Wasser-Absorptionsschicht in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die organische Wasser-Absorptionsschicht nur in dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung kann ferner eine transparente (beispielsweise durchsichtige) organische Schicht aufweisen, die in dem Anzeigebereich benachbart zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht bereitgestellt ist. Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann eine Wasser-Absorptionsfähigkeit (beispielsweise Wasser-Aufnahmefähigkeit) aufweisen, die höher ist als die der durchsichtigen organischen Schicht. Die durchsichtige organische Schicht kann mindestens eines von Epoxid, Acrylat, Urethanacrylat, Poly-Urea, Polyacrylat, Perylentetracarboxylsäure-dianhydrid (PTCDA), Biphenyl-tetracarboxylsäure-dianhydrid (BPDA) oder Pyromellitsäure-dianhydrid (PMDA) aufweisen.
  • Ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung kann in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen aufweisen: Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht auf einem Substrat; Bilden einer Planarisierungsschicht auf der Dünnschichttransistor-Schicht zum Planarisieren (beispielsweise Einebnen) der Dünnschichttransistor-Schicht; Bilden einer Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht, die in einem Nicht-Anzeigebereich der Anzeigevorrichtung, der einem Peripheriebereich außerhalb eines Anzeigebereichs der Anzeigevorrichtung entspricht, einen Bereich der Planarisierungsschicht freilegt; und Bilden einer organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem von der Anoden-Leitung freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht ein organisches Material aufweist, das vorgesehen ist, zumindest teilweise Ausgasungen der Planarisierungsschicht zu absorbieren.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist das Verfahren ferner auf: Bilden eines Walls auf dem von der Anoden-Leitung freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht; und Bilden einer anorganischen Schicht auf dem Wall, die in dem Nicht-Anzeigebereich einen Bereich des Walls freilegt; wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht auf dem Bereich des Walls gebildet ist, der von der anorganischen Schicht freigelegt ist. Bilden der Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht kann Bilden eines ersten Lochs in der Anoden-Leitung zum Freilegen des Bereichs der Planarisierungsschicht in dem Nicht-Anzeigebereich nach dem Bilden der Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht aufweisen, und Bilden des Walls auf dem von der Anoden-Leitung freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht kann Füllen des ersten Lochs mit dem Wall aufweisen. Bilden der anorganischen Schicht auf dem Wall kann Bilden eines zweiten Lochs in dem Wall zum Freilegen des Bereichs des Walls in dem Nicht-Anzeigebereich nach dem Bilden der anorganischen Schicht auf dem Wall aufweisen, und Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem von der anorganischen Schicht freigelegten Bereich des Walls kann Füllen des zweiten Lochs mit der organischen Wasser-Absorptionsschicht aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht nur in dem Nicht-Anzeigebereich. In diesem Fall kann das Verfahren ferner Bilden einer transparenten (beispielsweise durchsichtigen) organischen Schicht in dem Anzeigebereich angrenzend an die organische Wasser-Absorptionsschicht aufweisen. Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein Wasser-Absorptionsvermögen aufweisen, das höher ist als das der transparenten organischen Schicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische Wasser-Absorptionsschicht ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex auf. Ein Verhältnis zwischen dem Epoxidharz und dem organometallischen Komplex kann 9:1 betragen.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung aufweisen: ein unteres Substrat; eine auf dem unteren Substrat bereitgestellte Dünnschichttransistor-Schicht; eine auf der Dünnschichttransistor-Schicht zum Einebnen der Dünnschichttransistor-Schicht bereitgestellte Planarisierungsschicht; eine Anoden-Leitung, die auf der Planarisierungsschicht derart bereitgestellt ist, dass die Planarisierungsschicht in einem Nicht-Anzeigebereich, der einem Peripheriebereich eines Anzeigebereichs entspricht, teilweise freigelegt ist; einen auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht bereitgestellten Wall; eine derart auf dem Wall bereitgestellte anorganische Schicht, dass der Wall teilweise freigelegt ist; und eine auf dem teilweise freigelegten Wall bereitgestellte organische Wasser-Absorptionsschicht.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein organisches Material aufweisen, das eine Wasser-Absorptionsfähigkeit zum Absorbieren von Ausgasungen aufweist, die mittels der Planarisierungsschicht erzeugt werden.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen.
  • Ein erstes Loch zum Freilegen der Planarisierungsschicht mittels Hindurchreichens durch einen Teil der Anoden-Leitung kann in dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt sein, und der Wall kann auf der mittels des ersten Lochs freigelegten Planarisierungsschicht bereitgestellt sein.
  • Ein zweites Loch zum Freilegen des Walls mittels Hindurchreichens durch einen Teil der ersten anorganischen Schicht kann in dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt sein, und die organische Wasser-Absorptionsschicht kann auf dem mittels des zweiten Lochs freigelegten Wall bereitgestellt sein.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt sein.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann nur in dem Nicht-Anzeigebereich bereitgestellt sein.
  • Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung kann ferner eine auf der ersten anorganischen Schicht in dem Anzeigebereich bereitgestellte durchsichtige (beispielsweise transparente) organische Schicht aufweisen.
  • In einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung die Schritte aufweisen: Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht auf einem unteren Substrat; Bilden einer Planarisierungsschicht auf der Dünnschichttransistor-Schicht zum Einebnen (bspw. Planarisieren) der Dünnschichttransistor-Schicht; Bilden einer Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht derart, dass die Planarisierungsschicht in einem Nicht-Anzeigebereich, der einem Peripheriebereich (beispielsweise einem Außenbereich) eines Anzeigebereichs entspricht, teilweise freigelegt ist; Bilden eines Walls auf der Planarisierungsschicht, die teilweise freigelegt ist; Bilden einer ersten anorganischen Schicht auf dem Wall derart, dass der Wall teilweise freigelegt ist; und Bilden einer organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem Wall, der teilweise freigelegt ist.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein organisches Material aufweisen, das eine Wasser-Absorptionsfähigkeit zum Absorbieren von mittels der Planarisierungsschicht erzeugten Ausgasungen aufweist.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen.
  • Der Schritt des Bildens einer Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht kann Bilden eines ersten Lochs zum Freilegen der Planarisierungsschicht mittels teilweisen Hindurchreichensdurch die Anoden-Leitung nach dem Bilden der Anoden-Leitung auf der Planarisierungsschicht aufweisen, und der Schritt des Bildens eines Walls auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht kann Bilden des Walls auf der Planarisierungsschicht, die mittels des ersten Lochs freigelegt ist, aufweisen.
  • Der Schritt des Bildens einer ersten anorganischen Schicht auf dem Wall kann Bilden eines zweiten Lochs zum Freilegen des Walls mittels teilweisen Hindurchreichens durch die erste anorganische Schicht nach dem Bilden der ersten anorganischen Schicht auf dem Wall aufweisen, und der Schritt des Bildens einer organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem Wall, der teilweise freigelegt ist, kann Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem Wall, der mittels des zweiten Lochs freigelegt ist, aufweisen.
  • Der Schritt des Bildens einer organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem Wall, der teilweise freigelegt ist, kann Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich aufweisen. Der Schritt des Bildens einer organischen Wasser-Absorptionsschicht auf dem Wall, der teilweise freigelegt ist, kann Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht nur in dem Nicht-Anzeigebereich aufweisen.
  • Das Verfahren kann ferner den Schritt des Bildens einer transparenten organischen Schicht auf der ersten anorganischen Schicht in dem Anzeigebereich aufweisen.
  • Es ist zu bemerken, dass beide, die vorgehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Erfindung wie beansprucht bereitzustellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Beschreibung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um das Prinzip der Erfindung zu erklären. Es zeigen:
  • 1 eine exemplarische Ansicht, die kurz eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 2 eine Querschnittansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 3 eine exemplarische detaillierte Ansicht, die eine organische Licht-emittierende Schicht der 2 darstellt;
  • 4 ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 5A bis 5I Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen; und
  • 6 eine Querschnittansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 7 ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • 8A bis 8K Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Bezug wird nun im Detail genommen auf die bevorzugten Ausführungsformen, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wenn möglich, werden die gleichen Referenzzeichen zur Kennzeichnung gleicher oder ähnlicher Teile in allen Zeichnungen verwendet. In der folgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird die detaillierte Beschreibung weggelassen, wenn eine detaillierte Beschreibung von Elementen oder Funktionen, die im Bezug auf die vorliegende Erfindung bekannt sind, dazu führt, dass der Gegenstand der vorliegenden Erfindung unnötigerweise verschleiert wird. Ebenso können Bezeichnungen von Elementen, die in der folgenden Beschreibung verwendet werden, dahingehend ausgesucht sein, dass das Abfassen der Beschreibung erleichtert ist, und können von den Bezeichnungen von Teilen des tatsächlichen Produkts abweichen.
  • 1 zeigt eine exemplarische Ansicht, die kurz eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In 1 ist für eine einfache Beschreibung eine Querschnittansicht einer Seite einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Bezugnehmend auf 1 weist die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein unteres Substrat 10, eine Dünnschichttransistor-Schicht 20, eine Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30, eine Verkapselungsschicht 40, eine Haftschicht 50 und ein oberes Substrat 60 auf.
  • Das untere Substrat 10 kann aus Glas oder Kunststoff gebildet sein. Wenn die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung als eine flexible Anzeigevorrichtung ausgeführt ist, kann das untere Substrat 10 krümmbar (beispielsweise biegbar) sein und kann aus einem Material gebildet sein, das eine hohe Rückstellkraft aufweist.
  • Die Dünnschichttransistor-Schicht 20 ist auf dem unteren Substrat 10 bereitgestellt. Die Dünnschichttransistor-Schicht 20 weist Gate-Leitungen, Datenleitungen und Dünnschichttransistoren auf. Jeder der Dünnschichttransistoren weist eine Gate-Elektrode, eine Halbleiterschicht und Source-Elektroden und Drain-Elektroden auf, wie in 2 und 6 dargestellt. Wenn ein Gate-Ansteuerungsschaltkreis als ein Gate-Ansteuerung-in-Panel (engl.: gate driver in panel; GIP)-Typ ausgeführt ist, kann die Dünnschichttransistor-Schicht 20 in einem Anzeigebereich (engl.: display area; DA) und einem Nicht-Anzeigebereich (engl.: non-display area; NDA) bereitgestellt sein, wie in 1 dargestellt. Alternativ dazu kann die Dünnschichttransistor-Schicht 20 nur in dem Anzeigebereich (DA) bereitgestellt sein, wenn der Gate-Ansteuerungsschaltkreis in einer Klebeband-Trägereinheit (engl.: tape carrier package; TCP) verpackt ist und die Gate-TCP an dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) angebracht ist.
  • Die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 ist auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 bereitgestellt. Die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 weist Anodenelektroden (beispielsweise Anoden), Anoden-Leitungen, organische Licht-emittierende Schichten, eine Kathodenelektrode (beispielsweise eine Kathode) und Wälle auf, wie in 2 und 6 dargestellt. Jede der organischen Licht-emittierenden Schichten kann eine Löcher-Transportschicht, eine Licht-emittierende Schicht und eine Elektronen-Transportschicht aufweisen, wie in 3 dargestellt. In diesem Falle werden, wenn eine Spannung an sowohl die Anode als auch die Kathode angelegt wird, Löcher und Elektronen durch die Löcher-Transportschicht bzw. die Elektronen-Transportschicht hindurch zu der Licht-emittierenden Schicht bewegt und rekombinieren derart in der Licht-emittierenden Schicht miteinander, so dass Licht emittiert wird. In 1 ist der Bereich, in dem die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 bereitgestellt ist, als der Anzeigebereich (DA) bezeichnet (beispielsweise definiert), und ein Peripheriebereich außerhalb des Anzeigebereichs (DA) (beispielsweise ein verbleibender Bereich außerhalb des Anzeigebereichs) ist als der Nicht-Anzeigebereich (NDA) bezeichnet (beispielsweise definiert).
  • Die Verkapselungsschicht 40 ist auf der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 bereitgestellt. Die Verkapselungsschicht 40 dient dazu, das Eindringen von Sauerstoff oder Wasser in die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 hinein zu verhindern. Die Verkapselungsschicht 40 weist mindestens eine organische Schicht und mindestens eine anorganische Schicht auf. Zum Beispiel kann die Verkapselungsschicht 40 eine erste anorganische Schicht, eine organische Wasser-Absorptionsschicht und eine zweite anorganische Schicht aufweisen, wie in 2 und 6 dargestellt. Die organische Wasser-Absorptionsschicht kann ein organisches Material aufweisen, das Wasserabsorption aufweist (anders gesagt, ein organisches Material, das Wasser absorbiert, oder ein organisches Material mit Wasser-Absorptionsfähigkeit).
  • Die Haftschicht (beispielsweise Adhäsionsschicht) 50 ist eine transparente (beispielsweise durchsichtige) Haftschicht 50, die auf der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt ist. Die transparente Haftschicht 50 verbindet das untere Substrat 10, das mit der Dünnschichttransistor-Schicht 20, der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 und der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt ist, mit dem oberen Substrat 60. Die transparente Haftschicht 50 kann eine optisch klare Harz (engl.: optically clear resin; OCR)-Schicht oder eine optisch klare Adhäsions (engl.: optically clear adhesive; OCA)-Schicht sein. Wenn die transparente Haftschicht 50 eine OCA-Schicht ist, ist es vorzuziehen, dass eine vorher festgelegte Planarisierungsschicht zusätzlich auf der Verkapselungsschicht 40 zum festeren Verbinden des oberen Substrats 60 mit dem unteren Substrat 10 bereitgestellt ist, und dann mit dem oberen Substrat 60 verbunden wird. D.h., in diesem Fall kann die Haftschicht 50 (OCA-Schicht) zwischen der Planarisierungsschicht und dem oberen Substrat 60 angeordnet sein.
  • Das obere Substrat 60 dient als ein Abdeckungs-Substrat (beispielsweise ein Gehäuse-Substrat) oder Abdeckungs-Fenster, das das untere Substrat 10 abdeckt. Das obere Substrat 60 kann aus Glas oder Kunststoff gebildet sein.
  • 2 zeigt eine Querschnittansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Der Anzeigebereich DA und der Nicht-Anzeigebereich NDA sind in 2 teilweise dargestellt.
  • Bezugnehmend auf 2 ist die Dünnschichttransistor-Schicht 20 auf dem unteren Substrat 10 bereitgestellt. Die Dünnschichttransistor-Schicht 20 weist Gate-Leitungen (nicht dargestellt), Datenleitungen (nicht dargestellt), Dünnschichttransistoren 110, eine Gate-isolierende Schicht 120 und eine Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 auf. Obwohl es in 2 so dargestellt ist, dass die Dünnschichttransistoren 110 als Top-Gate-Typ gebildet sind, in dem eine Gate-Elektrode auf einer Halbleiterschicht angeordnet ist, ist zu bemerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das Beispiel aus 2 beschränkt ist. D.h., die Dünnschichttransistoren 110 können als Bottom-Gate-Typ, in dem eine Gate-Elektrode unter einer Halbleiterschicht angeordnet ist, ausgebildet sein. Jeder der Dünnschichttransistoren 110 weist eine Halbleiterschicht 111, eine Gate-Elektrode 112, eine Source-Elektrode 113 und eine Drain-Elektrode 114 auf, wie in 2 dargestellt.
  • Die Halbleiterschichten 111 sind auf dem unteren Substrat 10 bereitgestellt. Eine Pufferschicht (nicht dargestellt) kann zwischen dem unteren Substrat 10 und den Halbleiterschichten 111 angeordnet sein. Die Gate-isolierende Schicht 120 kann auf den Halbleiterschichten 111 bereitgestellt sein. Die Gate-Elektroden 112 können auf der Gate-isolierenden Schicht 120 bereitgestellt sein. Die Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 kann auf den Gate-Elektroden 112 bereitgestellt sein. Die Source-Elektroden 113 und die Drain-Elektroden 114 können auf der Zwischenschicht-isolierenden Schicht 130 bereitgestellt sein. Jede der Source-Elektroden 113 und der Drain-Elektroden 114 kann mit der Halbleiterschicht 111 durch ein Kontaktloch hindurch, das durch die Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 und die Gate-isolierende Schicht 120 hindurch führt, mit der Halbleiterschicht 111 verbunden sein.
  • Die Planarisierungsschicht 140 ist auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 bereitgestellt. Genauer gesagt, wenn die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung als ein Top-Emissions-Typ ausgebildet ist, ist die Planarisierungsschicht 140 auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 derart angeordnet, dass mittels Wällen 155 voneinander getrennte Pixel P mit Planarisierung angeordnet sind.
  • Die Planarisierungsschicht 140 kann aus einem Harz, wie beispielsweise Photoacryl und Polyimid, gebildet sein. In diesem Fall wird, da die Planarisierungsschicht 140 Wasser absorbiert, wenn die Planarisierungsschicht 140 der Atmosphäre ausgesetzt wird, Wasser innerhalb einer Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung entfernt, bevor das Substrat zum Abscheiden der Planarisierungsschicht 140 auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 in die Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung eingeführt wird.
  • Die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 ist auf der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt. Die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 weist Anodenelektroden (beispielsweise Anoden) 151, eine Anoden-Leitung 152, organische Licht-emittierende Schichten 153, eine Kathodenelektrode (beispielsweise eine Kathode) 154 und Wälle 155 auf. Die Anoden 151 und die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 können in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt sein, und die Anoden-Leitung 152, die Kathode 154 und die Wälle 155 können in dem Anzeigebereich DA und dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt sein.
  • Die Anoden 151 sind auf der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt. Jede der Anoden 151 ist mit der Drain-Elektrode 140 durch ein Kontaktloch hindurch verbunden, das durch die Planarisierungsschicht 140 hindurch führt.
  • Ebenso ist die Anoden-Leitung 152 auf der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt. Die Anoden-Leitung 152 kann eine Energieversorgung-Leitung zum Zuführen einer Energieversorgungs-Spannung oder eine Ansteuerungsspannungs-Leitung zum Zuführen einer Ansteuerungsspannung zu dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis sein. Zum Beispiel kann die Anoden-Leitung 152 eine Kathoden-Energieversorgungsleitung sein, die mit einer Source-Drain-Struktur 160 und der Kathode 154 zum Zuführen einer (z.B. von einer Kathoden-Spannungsquelle bereitgestellten) Kathoden-Spannung verbunden ist, wie in 2 dargestellt. Die Source-Drain-Struktur 160 ist von der Planarisierungsschicht 140 nach außen freigelegt (anders ausgedrückt, zumindest ein Teil der Source-Drain-Struktur 160 ist nicht von der Planarisierungsschicht 140 bedeckt), und die Energieversorgungsspannung oder die Ansteuerungsspannung können der Source-Drain-Struktur 160 zugeführt werden.
  • Die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 sind auf den Anoden 151, die in dem Anzeigebereich DA zwischen den Wällen 155 freigelegt sind (anders gesagt, die nicht von den Wällen 155 bedeckt sind), bereitgestellt. Da jeder der Wälle 155 höher ist als jede der organischen Licht-emittierenden Schichten 153, sind die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 mittels der Wälle 155 voneinander getrennt. D.h., jede der organischen Licht-emittierenden Schichten 153 ist zwischen den Wällen 155 angeordnet. Unterdessen kann ein Bereich, der die zwischen den Wällen 155 freigelegte Anode 151, die auf der Anode 151 bereitgestellte organische Licht-emittierende Schicht 153 und den Dünnschichttransistor 110, dessen Drain-Elektrode 140 mit der Anode 151 verbunden ist, als ein Pixel P definiert sein, wie in 2 dargestellt.
  • Jede der organischen Licht-emittierenden Schichten 153 kann eine Löcher-Transportschicht 153a, eine Licht-emittierende Schicht 153b und eine Elektronen-Transportschicht 153c aufweisen, wie in 3 dargestellt. In diesem Fall werden, wenn eine Spannung an die Anode 151 und die Kathode 154 angelegt wird, Löcher und Elektronen durch die Löcher-Transportschicht 153a bzw. die Elektronen-Transportschicht 153c hindurch zu der Licht-emittierenden Schicht 153b bewegt und rekombinieren derart in der Licht-emittierenden Schicht 153b miteinander, dass Licht emittiert wird.
  • Die Kathode 154 ist auf den organischen Licht-emittierenden Schichten 153 und den Wällen 155 in dem Anzeigebereich DA derart angeordnet, dass sie die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 und die Wälle 155 bedeckt. Die Kathode 154 kann auf der zwischen den Wällen 155 freigelegten Anoden-Leitung 152 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt sein.
  • Unterdessen ist die Anoden-Leitung 152 dazu eingerichtet, die Planarisierungsschicht 140 in dem Nicht-Anzeigebereich NBA teilweise freizulegen, und der Wall 155 ist auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht bereitgestellt. Anders gesagt kann der Wall 155 auf einem freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht 140 gebildet sein. Weiter anders gesagt kann der Wall 155 auf einem Bereich der Planarisierungsschicht 140 gebildet sein, der nicht von der Anoden-Leitung 152 bedeckt ist. Da die Anoden-Leitung 152 des Nicht-Anzeigebereichs NDA eine Leitung zum Verbinden einer vorher festgelegten Leitung, beispielsweise der Source-Drain-Struktur 160, mit der Kathode 154 ist, sollte die Anoden-Leitung 152, wie in 5C dargestellt, auf der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt sein. Jedoch ist in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Bereitstellen eines Pfades für Ausgasungen aus der Planarisierungsschicht 140 ein erstes Loch H1 zum Freilegen der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt, so dass die Anoden-Leitung 152 teilweise durchbrochen ist. Als ein Resultat kann der Wall 155 auf der mittels des ersten Lochs H1 freigelegten Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt sein. Anders gesagt kann ein erstes Loch H1 innerhalb der die Planarisierungsschicht 140 freilegenden Anoden-Leitung 152 gebildet sein, und der Wall 155 kann auf dem Bereich der Planarisierungsschicht 140 gebildet sein, der mittels des ersten Lochs H1 freigelegt ist. Beispielsweise kann der Wall 155 das erste Loch H1 ausfüllen (bspw. auffüllen).
  • Die Verkapselungsschicht 40 ist auf der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 bereitgestellt. Die Verkapselungsschicht 40 dient dazu zu verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in die Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 eindringt. Zu diesem Zweck kann die Verkapselungsschicht 40 eine erste anorganische Schicht 171, eine organische Wasser-Absorptionsschicht 172 und eine zweite anorganische Schicht 173 aufweisen.
  • Die erste anorganische Schicht 171 ist auf der Kathode 154 derart bereitgestellt, dass sie die Kathode 154 bedeckt. Die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ist auf der ersten anorganischen Schicht 171 dazu bereitgestellt zu verhindern, dass Partikel in die organische Licht-emittierende Schicht 153 und die Kathode 154 eindringen (beispielsweise permeieren), indem sie durch die erste anorganische Schicht 171 hindurch dringen. Die zweite anorganische Schicht 173 ist derart auf der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 bereitgestellt, dass sie die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 bedeckt.
  • Jede der ersten anorganischen Schicht 171 und der zweiten anorganischen Schicht 173 kann aus einem Nitrid-Material oder einem Oxid-Material gebildet sein, beispielsweise Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirconiumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid. Beispielsweise kann jede der ersten anorganischen Schicht 171 und der zweiten anorganischen Schicht 173 aus irgendeinem von SiO2, Al2O3, SiON und SiNx gebildet sein.
  • Wenn die Wasser-Absorptionsschicht 172 in dem Anzeigebereich DA und dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt ist, kann die Wasser-Absorptionsschicht 172 aus einer transparenten (beispielsweise durchsichtigen) und Wasser-absorptionsfähigen (beispielsweise Wasser absorbierenden) organischen Schicht derart gebildet sein, dass Licht, das von den organischen Licht-emittierenden Schichten 153 des Anzeigebereichs DA emittiert wird, hindurch treten kann (beispielsweise hindurch tritt). Zum Beispiel kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen. Vorzugsweise kann ein Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, 9:1 betragen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Das Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex ist ein Gewichtsprozent (wt%)-Verhältnis (beispielsweise das Verhältnis der Gewichtsprozente (wt%) zueinander). D.h. das Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, kann von dem Fachmann innerhalb des Gestaltungsbereiches, der verändert werden kann, modifiziert werden.
  • Unterdessen ist die erste anorganische Schicht 171 dazu vorgesehen, den Wall 155 teilweise freizulegen, der auf der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt ist, die mittels des erste Lochs H1 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA freigelegt ist, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 kann auf dem teilweise freigelegten Wall 155 bereitgestellt sein. Anders gesagt kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 auf einem Bereich des Walls 155 gebildet sein, der nicht von der ersten anorganischen Schicht 171 bedeckt ist. Da die erste anorganische Schicht 171 eine Schicht zum Schützen der organischen Licht-emittierenden Schicht 153 und der Kathode 154 vor Sauerstoff und Wasser ist, sollte die erste anorganische Schicht 171 derart bereitgestellt sein, dass sie den Wall 155 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bedeckt, wie in 5H dargestellt. Jedoch ist in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, um einen Pfad für Ausgasungen der Planarisierungsschicht 140 bereitzustellen, ein zweites Loch H2 zum Freilegen des Walls 155 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA mittels teilweisen Hindurchreichens durch die erste anorganische Schicht 171 bereitgestellt. Als ein Ergebnis daraus kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 auf dem Wall 155 bereitgestellt sein, der mittels des zweiten Lochs H2 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA freigelegt ist. Anders gesagt kann ein zweites Loch H2 innerhalb der ersten anorganischen Schicht 171 gebildet sein, das den Wall 155 freilegt, und die organische Wasser-Adoptionsschicht 172 kann auf dem Bereich des Walls 155, der mittels des zweiten Lochs H2 freigelegt ist, gebildet sein. Beispielsweise kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 das zweite Loch H2 auffüllen (bspw. ausfüllen).
  • Die transparente (beispielsweise durchsichtige) Haftschicht (beispielsweise Adhäsionsschicht) 50 ist auf der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt. Die transparente Haftschicht 50 bindet das untere Substrat 10, das mit der Dünnschichttransistor-Schicht 20, der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 und der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt ist, mit dem oberen Substrat 60.
  • Wie oben beschrieben, ist gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Anoden-Leitung 152 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA derart bereitgestellt, dass sie die Planarisierungsschicht 140 teilweise freilegt, die erste anorganische Schicht 171 ist derart bereitgestellt, dass sie den Wall 155 teilweise freilegt, der auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt ist, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ist auf dem teilweise freigelegten Wall 155 bereitgestellt. Als ein Resultat kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Pfad bereitgestellt sein, wie mittels der Pfeile in 2 dargestellt, durch welchen Ausgasungen, die mittels der Planarisierungsschicht 140 (beispielsweise in der Planarisierungsschicht 140) erzeugt werden, derart zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 geleitet (beispielsweise transferiert) werden können, dass die Ausgasungen von der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 absorbiert werden können, wenn Wasser in der Planarisierungsschicht 140 verbleibt. Hierdurch kann es in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode mittels der Ausgasungen, die von in der Planarisierungsschicht verbleibendem Wasser erzeugt werden, beschädigt werden.
  • In der in 2 dargestellten Ausführungsform ist der Wall 155 zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 angeordnet. Jedoch ist zu bemerken, dass in Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 nicht zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 angeordnet sein muss. Beispielsweise können eine oder mehrere andere Schichten zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 statt des Walls 155 angeordnet sein, beispielsweise solange die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 Ausgasungen, die in der Planarisierungsschicht 140 erzeugt werden (bspw. entstehen), mindestens teilweise absorbieren kann.
  • Ebenso können in einer oder mehreren Ausführungsformen eine oder mehrere andere Schichten zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 zusätzlich zu dem Wall 155 angeordnet sein. Ebenso kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 eine Öffnung (beispielsweise ein Loch) aufweisen, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 kann die Öffnung derart füllen, dass sie die Planarisierungsschicht 140 kontaktiert. Die Öffnung (bzw. das Loch) kann einen Sub-Bereich des Bereichs der Planarisierungsschicht freilegen, der von der Anoden-Leitung 152 freigelegt ist, und wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht das Loch derart füllen kann, dass der genannte Sub-Bereich kontaktiert wird. Beispielsweise kann die organische Wasser-Absorptionsschicht durch das Loch in dem Wall 155 hindurch in direktem mechanischen (beispielsweise physischem) Kontakt mit der Planarisierungsschicht 140 stehen.
  • Ebenso kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 weggelassen werden, und die organische Wasser-Absorptionsschicht kann in direktem mechanischen (beispielsweise physischem, beispielsweise physikalischem) Kontakt mit der Planarisierungsschicht 140 stehen.
  • Anschaulich gesprochen kann gemäß verschiedener Ausführungsformen die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 als eine Feuchtigkeit absorbierende Schicht über der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt sein und kann vorgesehen sein, von der Planarisierungsschicht 140 erzeugte Feuchtigkeit mindestens teilweise zu absorbieren. Zu diesem Zweck kann die Schichtanordnung, die die Planarisierungsschicht 140 und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 (und möglicherweise eine oder mehrere andere Schichten, wie beispielsweise den Wall 155, die erste anorganische Schicht 171 oder andere) aufweist, dazu vorgesehen sein, dass ein Feuchtigkeit transportierender Pfad, der von der Planarisierungsschicht 140 (d.h. der Feuchtigkeit erzeugenden Schicht) zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 (das heißt der Feuchtigkeit absorbierenden Schicht) führt, bereitgestellt ist.
  • 4 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 5A bis 5I sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Im Folgenden wird das Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 5A bis 5I detailliert beschrieben werden.
  • Als erstes wird die Dünnschichttransistor-Schicht 20 auf dem unteren Substrat 10 gebildet, wie in 5A dargestellt. Das untere Substrat 10 kann aus Glas oder Kunststoff gebildet sein. Die Dünnschichttransistor-Schicht 20 weist Gate-Leitungen (nicht dargestellt), Datenleitungen (nicht dargestellt), Dünnschichttransistoren 110, eine Gate-isolierende Schicht 120 und eine Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 auf. Obwohl in 5A dargestellt ist, dass die Dünnschichttransistoren 110 als ein Top-Gate-Typ gebildet sind, in dem eine Gate-Elektrode 112 auf einer Halbleiterschicht 111 angeordnet ist, ist zu bemerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das Beispiel der 5A beschränkt ist. D.h., dass die Dünnschichttransistoren 110 als ein Bottom-Gate-Typ gebildet sein können, in dem eine Gate-Elektrode unter einer Halbleiterschicht angeordnet ist. Die Dünnschichttransistoren 110 werden in dem Anzeigebereich DA gebildet.
  • Die Halbleiterschichten 111 werden auf dem unteren Substrat 10 gebildet. Alternativ dazu können die Halbleiterschichten 111, nachdem eine Pufferschicht (nicht dargestellt) auf dem unteren Substrat 10 gebildet ist, auf der Pufferschicht gebildet werden. Die Gate-isolierende Schicht 120 wird auf den Halbleiterschichten 111 gebildet. Die Gate-isolierende Schicht 120 ist vorgesehen, die Halbleiterschichten 111 von anderen leitfähigen Materialien (beispielsweise Metallen) zu isolieren. Insbesondere ist die Gate-isolierende Schicht 120 vorgesehen, die Halbleiterschichten 111 von den Gate-Elektroden 112 (beispielsweise metallischen Gates) zu isolieren. Die Gate-Elektroden 112 werden auf der Gate-isolierenden Schicht 120 gebildet. Die Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 wird auf den Gate-Elektroden 112 gebildet. Die Source-Elektroden 113 und die Drain-Elektroden 114 werden auf der Zwischenschicht-isolierenden Schicht 130 gebildet. Bevor die Source-Elektroden 113 und die Drain-Elektroden 114 gebildet werden, können Kontaktlöcher gebildet werden zum Freilegen der Halbleiterschichten 111 mittels Hindurchreichens (der Kontaktlöcher) durch die Gate-isolierende Schicht 120 und die Zwischenschicht-isolierende Schicht 130. Aus diesem Grund kann jede der Source-Elektroden 113 und der Drain-Elektroden 114 mit den Halbleiterschichten 111 durch das Kontaktloch hindurch, das durch die Gate-isolierende Schicht 120 und die Zwischenschicht-isolierende Schicht 130 hindurch führt, verbunden werden (Schritt S101 der 4).
  • Als zweites wird, wie in 5B dargestellt, die Planarisierungsschicht 140 auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 gebildet. Wenn die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung als ein Top-Emissions-Typ gebildet wird, ist die Planarisierungsschicht 140 dazu vorgesehen, Pixel P, die mittels der Wälle 155 voneinander getrennt sind, planarisiert (beispielsweise eingeebnet, beispielsweise in einem planarisierten Zustand, beispielsweise in einem eingeebneten Zustand) anzuordnen. Die Planarisierungsschicht 140 kann aus einem Harz, wie beispielsweise Photoacryl und Polyimid, gebildet werden. In diesem Falle ist es vorzuziehen, dass, wenn die Planarisierungsschicht 140 der Atmosphäre ausgesetzt wird, da die Planarisierungsschicht 140 Wasser absorbiert, das Wasser innerhalb einer Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung entfernt wird, bevor das Substrat in die Vakuum-Abscheidungs-Vorrichtung zum Abscheiden der Planarisierungsschicht 140 auf der Dünnschichttransistor-Schicht 20 verbracht wird (Schritt S102 der 4).
  • Als drittes werden, wie in 5C dargestellt, die Anodenelektroden (beispielsweise die Anoden) 151 und die Anoden-Leitung 152 auf der Planarisierungsschicht 140 gebildet. Bevor die Anoden 151 gebildet werden, können Kontaktlöcher gebildet werden zum Freilegen der Drain-Elektroden 114 mittels Hindurchreichens (der Kontaktlöcher) durch die Planarisierungsschicht 140. Aus diesem Grund kann jede der Anoden 151 mit der Drain-Elektrode 114 durch das Kontaktloch zum Durchführen durch die Planarisierungsschicht 140 hindurch verbunden werden.
  • Die Anoden-Leitung 152 kann eine Stromleitung zum Zuführen einer Versorgungsspannung oder eine Ansteuerungsspannungs-Leitung zum Zuführen einer Ansteuerungsspannung, die dem Gate-Ansteuerungsschaltkreis zugeführt wird, sein. Beispielsweise kann, wenn die Versorgungsspannung oder die Ansteuerungsspannung der Source-Drain-Struktur 160 in 5C zugeführt wird, die Anoden-Leitung 152 mit einer vorher festgelegten Source-Drain-Struktur 160 verbunden sein, die nach außen von der Planarisierungsschicht 140 freigelegt ist (anders ausgedrückt, zumindest ein Teil der Source-Drain-Struktur 160 ist nicht von der Planarisierungsschicht 140 bedeckt).
  • Unterdessen kann die in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellte Anoden-Leitung 152 derart gebildet sein, dass sie die Planarisierungsschicht 140 teilweise freilegt, wie in 5D dargestellt. Genauer gesagt wird das erste Loch H1, das durch die in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellte Anoden-Leitung 152 hindurch führt, gebildet. Aus diesem Grund wird die Planarisierungsschicht 140 durch das erste Loch H1 hindurch freigelegt (Schritte S103 und S104 der 4).
  • Als viertes werden, wie in 5E dargestellt, die organischen Licht-emittierenden Schichten 153, die Kathodenelektrode (beispielsweise die Kathode) 154 und die Wälle 155 gebildet. Die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 werden auf der Anode 151, die zwischen den Wällen 155 in dem Anzeigebereich DA freigelegt ist, gebildet. Die Kathode 154 wird auf den organischen Licht-emittierenden Schichten 153 und den Wällen 155 in dem Anzeigebereich DA derart gebildet, dass sie die organischen Licht-emittierenden Schichten 153 und die Wälle 155 bedeckt. Die Kathode 154 kann auf der Anoden-Leitung 152 gebildet werden, die zwischen den Wällen 155 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA freigelegt ist (Schritt S105. 4).
  • Als fünftes wird, wie in 5F dargestellt, die erste anorganische Schicht 171 auf der Kathode 154 des Anzeigebereichs DA und dem Wall 155 des Nicht-Anzeigebereichs NDA gebildet. Die erste anorganische Schicht 171 kann aus einem Nitridmaterial oder einem Oxidmaterial gebildet werden, beispielsweise Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirconiumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid.
  • Unterdessen kann die erste anorganische Schicht 171, die in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt ist, derart gebildet werden, dass sie den Wall 155 teilweise freilegt, der auf der mittels des ersten Lochs H1 freigelegten Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt ist, wie in 5G dargestellt. Genauer gesagt wird das zweite Loch H2, das durch die in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellte erste anorganische Schicht 171 hindurch führt, gebildet. Beispielsweise kann das zweite Loch H2 in der ersten anorganischen Schicht 171 mittels Strukturierung der ersten anorganischen Schicht 171 gebildet werden. Der Wall 155 ist durch das zweite Loch H2 hindurch freigelegt (Schritte S106 und S107 der 4).
  • Als sechstes wird, wie in 5H dargestellt, die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 auf der ersten anorganischen Schicht 171 in dem Anzeigebereich DA gebildet. Die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 wird auf der ersten anorganischen Schicht 171 gebildet, um zu verhindern, dass Partikel in die organische Licht-emittierende Schicht 153 und die Kathode 154 eindringen, indem sie durch die erste anorganische Schicht 171 hindurch treten.
  • Wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 in dem Anzeigebereich DA und dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt ist, kann die Wasser-Absorptionsschicht 172 aus einer transparenten (beispielsweise durchsichtigen) und Wasser absorbierenden (beispielsweise Wasser-absorptionsfähigen) organischen Schicht derart gebildet werden, dass von den organischen Licht-emittierenden Schichten 153 des Anzeigebereichs DA emittiertes Licht hindurch treten kann. Beispielsweise kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen. Ein Verhältnis von dem Epoxidharz zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, beträgt vorzugsweise 9:1, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. D.h. das Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, kann innerhalb des Gestaltungsbereichs, der verändert werden kann, von dem Fachmann modifiziert werden.
  • Ebenso wird, wie in 5H dargestellt, die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 auf dem durch das zweite Loch H2 hindurch freigelegten Wall 155 gebildet. Somit kann ein Pfad bereitgestellt werden, durch den in der Planarisierungsschicht 140 erzeugte Ausgasungen derart zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 hin transferiert (beispielsweise geleitet) werden können, dass die Ausgasungen mittels der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 absorbiert werden können, wenn Wasser in der Planarisierungsschicht 140 verbleibt (bspw. verblieben ist). Deshalb können in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode davor bewahrt werden, mittels der Ausgasungen, die mittels in der Planarisierungsschicht verbliebenem Wasser erzeugt werden, beschädigt zu werden.
  • Außerdem wird, wie in 5H dargestellt, die zweite anorganische Schicht 173 auf der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 gebildet. Die zweite anorganische Schicht 173 kann die erste anorganische Schicht 171 und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 bedecken. Die zweite anorganische Schicht 173 kann aus einem Nitridmaterial oder Oxidmaterial, beispielsweise Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirconiumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid gebildet werden (Schritt S108 der 4).
  • Als siebtes wird, wie in 5F dargestellt, das obere Substrat 60 mit dem unteren Substrat 10 (das mit der Dünnschichttransistor-Schicht 20, der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 und der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt wird) mittels der transparenten Haftschicht 50 verbunden. D.h. die transparente (beispielsweise durchsichtige) Haftschicht (beispielsweise Adhäsionsschicht) 50 wird auf der zweiten anorganischen Schicht 173 abgeschieden, und das obere Substrat 60 wird mit der transparenten Haftschicht 50 verbunden (Schritt S109 der 4).
  • Wie oben beschrieben, wird gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Anoden-Leitung 152 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA derart gebildet, dass sie die Planarisierungsschicht 140 teilweise freilegt, die erste anorganische Schicht 171 ist derart gebildet, dass sie den Wall, der auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt ist, teilweise freilegt, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 wird auf dem teilweise freigelegten Wall gebildet. Als ein Ergebnis kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Pfad bereitgestellt werden, durch den Ausgasungen, die mittels (beispielsweise in) der Planarisierungsschicht 140 erzeugt werden (bspw. entstehen), zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 hin transferiert (bspw. geleitet) werden können, und die Ausgasungen können mittels der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 absorbiert werden, wenn Wasser in der Planarisierungsschicht 140 verbleibt (bspw. verblieben ist). Deshalb kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode mittels der Ausgasungen, die mittels des in der Planarisierungsschicht verbliebenen Wassers erzeugt werden (beispielsweise entstehen), beschädigt werden.
  • 6 zeigt eine Querschnittansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Der Anzeigebereich DA und der Nicht-Anzeigebereich NDA sind in 6 teilweise dargestellt. Da ein unteres Substrat 10, eine Dünnschichttransistor-Schicht 20, eine Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30, eine erste anorganische Schicht 171, eine zweite anorganische Schicht 173, eine transparente Haftschicht 50 und ein oberes Substrat 60 der organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Wesentlichen die gleichen sind wie die der in 2 dargestellten organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung, wird ihre Beschreibung weggelassen.
  • Bezugnehmend auf 6 ist eine transparente (beispielsweise durchsichtige) organische Schicht 174 auf der ersten anorganischen Schicht 171 in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt, und eine organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ist auf einem teilweise freigelegten Wall 155 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt.
  • Zum Beispiel kann die transparente organische Schicht 174 aus Epoxid, Acrylat, Urethanacrylat, Poly-Urea, Polyacrylat, Perylentetracarboxylsäure-dianhydrid (PTCDA), Biphenyl-tetracarboxylsäure-dianhydrid (BPDA) oder Pyromellitsäure-dianhydrid (PMDA) gebildet sein.
  • Die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 weist eine Wasser-Absorptionsfähigkeit (beispielsweise eine Wasser-Absorptionsgeschwindigkeit) auf, die höher ist als die der transparenten organischen Schicht 174. Zum Beispiel kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen. Vorzugsweise beträgt ein Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, 9:1, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. D.h. das Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, kann von dem Fachmann innerhalb des Gestaltungsspielraum, der verändert werden kann, modifiziert werden.
  • Wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 nur in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt ist, wie in 6 dargestellt, kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 undurchsichtig (beispielsweise als undurchsichtige Schicht, beispielsweise als nicht-transparente Schicht) oder mit einer geringeren Durchlässigkeit für sichtbares Licht als die transparente organische Schicht 174 ausgebildet sein. Im anderen Falle, wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 eine geringere Transparenz (beispielsweise Lichtdurchlässigkeit) aufwiese als die transparente organische Schicht 174, könnte die Bildqualität aufgrund der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 verringert sein, wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt würde. Deshalb wird in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die organische Wasser-Absorptionsschicht 172, die eine geringere Durchlässigkeit für sichtbares Licht aufweist oder lichtundurchlässig ist, in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt, während die transparente organische Schicht 174, die eine hohe Lichtdurchlässigkeit aufweist, in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt wird, wodurch eine hohe Bildqualität aufrechterhalten werden kann und gleichzeitig verhindert werden kann, dass die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode mittels Ausgasungen, die mittels in der Planarisierungsschicht verbliebenen Wassers erzeugt werden, beschädigt werden.
  • In der in 6 dargestellten Ausführungsform ist der Wall 155 zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 angeordnet. Es ist jedoch zu bemerken, wie bereits in Verbindung mit der Ausführungsform der 2 beschrieben, dass gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 nicht zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 angeordnet sein muss. Beispielsweise können statt des Walls 155 zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 eine oder mehrere andere Schichten angeordnet (beispielsweise abgeschieden) sein, beispielsweise solange die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 die in der Planarisierungsschicht 140 erzeugten Ausgasungen zumindest teilweise absorbieren kann.
  • Ebenso können in einer oder mehreren Ausführungsformen eine oder mehrere andere Schichten zwischen der Planarisierungsschicht 140 und der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 zusätzlich zu dem Wall 155 angeordnet (beispielsweise abgeschieden) werden. Ebenso kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 eine Öffnung (beispielsweise ein Loch) aufweisen, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 kann die Öffnung derart auffüllen, dass sie die Planarisierungsschicht 140 kontaktiert. Die Öffnung (das Loch) kann einen Sub-Bereich des von der Anoden-Leitung 152 freigelegten Bereichs der Planarisierungsschicht freilegen, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht das Loch derart auffüllt, dass sie den genannten Sub-Bereich berührt (beispielsweise kontaktiert). Zum Beispiel kann die organische Wasser-Absorptionsschicht durch das Loch in dem Wall 155 hindurch in direktem mechanischen (beispielsweise physischen, beispielsweise physikalischen) Kontakt mit der Planarisierungsschicht 140 stehen.
  • Ebenso kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wall 155 weggelassen werden, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 kann in direktem mechanischen Kontakt mit der Planarisierungsschicht 140 stehen.
  • Anschaulich gesagt und wie hierin im Vorangegangenen beschrieben, kann gemäß verschiedener Ausführungsformen die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 als eine Feuchtigkeit absorbierende Schicht über der Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt sein und kann dazu vorgesehen sein, von der Planarisierungsschicht 140 erzeugte Feuchtigkeit zumindest teilweise zu absorbieren. Zu diesem Zweck kann die Schichtanordnung, die die Planarisierungsschicht 140 und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 (und möglicherweise eine oder mehrere andere Schichten, wie beispielsweise den Wall 155, die erste anorganische Schicht 171 oder andere) aufweist, dazu vorgesehen sein, dass ein Pfad zum Abtransportieren der Feuchtigkeit bereitgestellt wird, der von der Planarisierungsschicht 140 (d.h. von der die Feuchtigkeit erzeugenden Schicht) zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 (d.h. der die Feuchtigkeit absorbierenden Schicht) führt.
  • 7 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 8A bis 8K zeigen Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. Im Folgenden wird das Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 8A bis 8K im Detail beschrieben werden.
  • Da die Schritte S201 bis S207 der 7 und die Beschreibung der 8A bis 8G im Wesentlichen die gleichen sind wie die Schritte S101 bis S107 der 4 und die Beschreibung der 5A bis 5G, wird ihre Beschreibung weggelassen.
  • Wie in 8G dargestellt, wird, nachdem das zweite Loch H2, das durch die erste anorganische Schicht 171 hindurch führt, gebildet wird, die transparente (beispielsweise durchsichtige) organische Schicht 174 auf der ersten anorganischen Schicht 171 in dem Anzeigebereich DA gebildet, wie in 8H dargestellt. Die transparente organische Schicht 174 ist dazu vorgesehen zu verhindern, dass Partikel in die Licht-emittierende Schicht 153 und die Kathode 154 eindringen, nachdem sie durch die erste anorganische Schicht 171 hindurch getreten sind. Wie dargestellt, kann ein Bereich der transparenten organischen Schicht 174 in dem Nicht-Anzeigebereich NDA angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann die transparente organische Schicht 174 aus Epoxid, Acrylat, Urethanacrylat, Poly-Urea, Polyacrylat, PTCDA, BPDA oder PMDA gebildet werden (Schritt S208 der 7).
  • Danach wird, wie in 8I dargestellt, die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 auf dem Wall 155, der durch das zweite Loch H2 hindurch freigelegt ist, in dem Nicht-Anzeigebereich NDA gebildet. Die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 kann aus einer absorptionsfähigen organischen Schicht gebildet werden. Zum Beispiel kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweisen. Vorzugsweise kann ein Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, 9:1 betragen, ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Das bedeutet, das Verhältnis des Epoxidharzes zu dem organometallischen Komplex, die in der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 enthalten sind, kann von dem Fachmann innerhalb des Gestaltungsbereichs, der verändert werden kann, modifiziert werden.
  • Wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 nur in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt ist, wie in 8I dargestellt, kann die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 undurchsichtig (beispielsweise nicht transparent) oder mit einer geringeren Durchlässigkeit für sichtbares Licht als die transparente organische Schicht 174 ausgebildet sein. Im anderen Falle, wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 eine geringere Transparenz (beispielsweise Lichtdurchlässigkeit) aufweisen würde als die transparente organische Schicht 174, könnte die Bildqualität aufgrund der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 verringert sein, wenn die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt würde. Deshalb wird in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die organische Wasser-Absorptionsschicht 172, die eine geringe Durchlässigkeit für sichtbares Licht aufweist oder lichtundurchlässig ist, in dem Nicht-Anzeigebereich NDA bereitgestellt, während die transparente organische Schicht 174, die eine hohe Durchlässigkeit (beispielsweise Lichtdurchlässigkeit) aufweist, in dem Anzeigebereich DA bereitgestellt wird, wodurch eine hohe Bildqualität aufrechterhalten werden kann und gleichzeitig verhindert werden kann, dass die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode mittels Ausgasungen, die mittels in der Planarisierungsschicht verbliebenen Wassers erzeugt werden, beschädigt werden (Schritt S209 der 7).
  • Dann wird, wie in 8J dargestellt, die zweite anorganische Schicht 173 auf der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 gebildet. Die zweite anorganische Schicht 173 kann die erste anorganische Schicht 171 und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 bedecken. Die zweite anorganische Schicht 173 kann aus einem Nitridmaterial oder Oxidmaterial, wie beispielsweise Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirconiumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid gebildet werden (Schritt 210 der 7).
  • Danach wird, wie in 8K dargestellt, das obere Substrat 60 mit dem unteren Substrat 10 (das mit der Dünnschichttransistor-Schicht 20, der Organische-Licht-emittierende-Diode-Schicht 30 und der Verkapselungsschicht 40 bereitgestellt ist) mittels der transparenten Haftschicht 50 verbunden. Das bedeutet, dass die transparente (beispielsweise durchsichtige) Haftschicht (beispielsweise Adhäsionsschicht) 50 auf der zweiten anorganischen Schicht 173 abgeschieden wird und das obere Substrat 60 mit der transparenten Haftschicht 50 verbunden wird (Schritt S211 der 7).
  • Wie oben beschrieben, wird die Anoden-Leitung 152 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in dem Nicht-Anzeigebereich NDA derart gebildet, dass sie die Planarisierungsschicht 140 teilweise freilegt, die erste anorganische Schicht 171 wird derart gebildet, dass sie den Wall 155, der auf der teilweise freigelegten Planarisierungsschicht 140 bereitgestellt ist, teilweise freilegt, und die organische Wasser-Absorptionsschicht 172 wird auf dem teilweise freigelegten Wall 155 gebildet. Als ein Ergebnis kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Pfad, durch welchen Ausgasungen, die mittels der Planarisierungsschicht 140 erzeugt werden, zu der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 transferiert (bspw. geleitet) werden, und die Ausgasungen können mittels der organischen Wasser-Absorptionsschicht 172 absorbiert werden, wenn Wasser in der Planarisierungsschicht 140 verbleibt. Folglich kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass die organische Licht-emittierende Diode oder die Kathode mittels der Ausgasungen, die mittels in der Planarisierungsschicht verbleibenden Wassers erzeugt werden, beschädigt werden.
  • Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Grundgedanken oder dem Anwendungsbereich der Erfindungen abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, sofern sie sich innerhalb des Anwendungsbereiches der beigefügten Ansprüche und ihren Äquivalenten befinden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2014-0154512 [0001]

Claims (15)

  1. Eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat (10); eine auf dem Substrat (10) bereitgestellte Dünnschichttransistor-Schicht (20); eine zum Einebnen der Dünnschichttransistor-Schicht (20) auf der Dünnschichttransistor-Schicht (20) bereitgestellte Planarisierungsschicht (140); eine Anoden-Leitung (152), die auf der Planarisierungsschicht (140) bereitgestellt ist und die einen Bereich der Planarisierungsschicht (140) in einem Nicht-Anzeigebereich (NDA) der Anzeigevorrichtung, der einem Peripheriebereich außerhalb eines Anzeigebereichs (DA) der Anzeigevorrichtung entspricht, freilegt; und eine organische Wasser-Absorptionsschicht (172), die auf dem von der Anoden-Leitung (151) freigelegten Bereich der Planarisierungsschicht (140) bereitgestellt ist, und die ein organisches Material aufweist, das vorgesehen ist, Ausgasungen von der Planarisierungsschicht (140) zumindest teilweise zu absorbieren.
  2. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Wall (155), der auf dem Bereich der Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist, der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist; eine anorganische Schicht (171), die auf dem Wall (155) bereitgestellt ist und die einen Bereich des Walls (155) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) freilegt, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) auf dem Bereich des Walls (155) bereitgestellt ist, der von der anorganischen Schicht (171) freigelegt ist, wobei vorzugsweise die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) in direktem mechanischen Kontakt mit dem Bereich des Walls (155) steht, der von der anorganischen Schicht (171) freigelegt ist.
  3. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der Bereich des Walls (155), der von der anorganischen Schicht (171) freigelegt ist, den Bereich der Planarisierungsschicht (140), der von der Anoden-Leitung (151) freigelegt ist, zumindest teilweise überlappt.
  4. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die Anoden-Leitung (152) ein erstes Loch (H1) zum Freilegen des Bereichs der Planarisierungsschicht (140) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) aufweist, wobei das erste Loch (H1) mittels des Walls (155) aufgefüllt ist.
  5. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die anorganische Schicht (171) ein zweites Loch (H2) zum Freilegen des Bereichs des Walls (155) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) aufweist, wobei das zweite Loch (H2) mittels der organischen Wasser-Absorptionsschicht (172) aufgefüllt ist.
  6. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Wall (155), der in dem Bereich der Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist, der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist, wobei der Wall (155) ein Loch aufweist, das einen Sub-Bereich des Bereichs der Planarisierungsschicht (140) freilegt, der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist, und wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) das Loch derart auffüllt, dass sie diesen Sub-Bereich kontaktiert, wobei vorzugsweise die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) durch das Loch in dem Wall (155) hindurch in direktem mechanischen Kontakt mit der Planarisierungsschicht (140) steht.
  7. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) in direktem mechanischen Kontakt mit dem Bereich der Planarisierungsschicht (140) steht, der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist.
  8. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweist, wobei vorzugsweise ein Verhältnis zwischen dem Epoxidharz und dem organometallischen Komplex 9:1 beträgt.
  9. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) in dem Anzeigebereich (DA) und dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) bereitgestellt ist.
  10. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) nur in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) bereitgestellt ist.
  11. Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 10, ferner aufweisend eine transparente organische Schicht (174), die in dem Anzeigebereich (DA) angrenzend an die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) bereitgestellt ist, wobei vorzugsweise die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) eine Wasser-Absorptionsfähigkeit aufweist, die höher ist als die der transparenten organischen Schicht (174), wobei weiter vorzugsweise die transparente organische Schicht (174) mindestens eines von Epoxid, Acrylat, Urethanacrylat, Poly-Urea, Polyacrylat, Perylentetracarboxylsäure-dianhydrid (PTCDA), Biphenyl-tetracarboxylsäure-dianhydrid (BPDA) oder Pyromellitsäure- dianhydrid (PMDA) aufweist.
  12. Ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung, das Verfahren aufweisend: Bilden einer Dünnschichttransistor-Schicht (20) auf einem Substrat (10); Bilden einer Planarisierungsschicht (140) auf der Dünnschichttransistor-Schicht (20) zum Einebnen der Dünnschichttransistor-Schicht (20); Bilden einer Anoden-Leitung (152) auf der Planarisierungsschicht (140), die einen Bereich der Planarisierungsschicht (140) in einem Nicht-Anzeigebereich (NDA) der Anzeigevorrichtung, der einem Peripheriebereich außerhalb des Anzeigebereichs (DA) der Anzeigevorrichtung entspricht, freilegt; und Bilden einer organischen Wasser-Absorptionsschicht (172) auf dem Bereich der Planarisierungsschicht (140), der von der Anoden-Leitung (151) freigelegt ist, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) ein organisches Material aufweist, das vorgesehen ist, Ausgasungen von der Planarisierungsschicht (140) zumindest teilweise zu absorbieren.
  13. Das Verfahren gemäß Anspruch 12, ferner aufweisend: Bilden eines Walls (155) auf dem Bereich der Planarisierungsschicht (140), der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist; und Bilden einer anorganischen Schicht (171) auf dem Wall (155), die einen Bereich des Walls (155) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) freilegt; wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) auf dem Bereich des Walls (155) gebildet ist, der von der anorganischen Schicht (171) freigelegt ist, wobei vorzugsweise: das Bilden der Anoden-Leitung (152) auf der Planarisierungsschicht (140) das Bilden eines ersten Lochs (H1) in der Anoden-Leitung (152) zum Freilegen des Bereichs der Planarisierungsschicht (140) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) aufweist, nachdem die Anoden-Leitung (152) auf der Planarisierungsschicht (140) gebildet ist, und das Bilden des Walls (155) auf dem Bereich der Planarisierungsschicht (140), der von der Anoden-Leitung (152) freigelegt ist, das Auffüllen des ersten Lochs (H1) mit dem Wall (155) aufweist, wobei weiter vorzugsweise: das Bilden der anorganischen Schicht (171) auf dem Wall (155) das Bilden eines zweiten Lochs (H2) in dem Wall (155) zum Freilegen des Bereichs des Walls (155) in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) aufweist, nachdem die anorganische Schicht (171) auf dem Wall (155) gebildet ist, und das Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht (172) auf dem Bereich des Walls (155), der von der anorganischen Schicht (171) freigelegt ist, das Auffüllen des zweiten Lochs (H2) mit der organischen Wasser-Absorptionsschicht (172) aufweist.
  14. Das Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, ferner aufweisend: Bilden der organischen Wasser-Absorptionsschicht (172) nur in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA), und vorzugsweise Bilden einer transparenten organischen Schicht (174) in dem Anzeigebereich (DA) angrenzend an die organische Wasser-Absorptionsschicht (172), wobei weiter vorzugsweise die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) eine Wasser-Absorptionsfähigkeit aufweist, die größer ist als die der transparenten organischen Schicht (174).
  15. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die organische Wasser-Absorptionsschicht (172) ein Epoxidharz und einen organometallischen Komplex aufweist, wobei vorzugsweise ein Verhältnis zwischen dem Epoxidharz und dem organometallischen Komplex 9:1 beträgt.
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