DE102016123001B4 - Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben - Google Patents

Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben Download PDF

Info

Publication number
DE102016123001B4
DE102016123001B4 DE102016123001.4A DE102016123001A DE102016123001B4 DE 102016123001 B4 DE102016123001 B4 DE 102016123001B4 DE 102016123001 A DE102016123001 A DE 102016123001A DE 102016123001 B4 DE102016123001 B4 DE 102016123001B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solar cell
cell layer
organic solar
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102016123001.4A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016123001A1 (de
Inventor
Jang Jo
Yeonsuk KANG
Hye-Jin GONG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of DE102016123001A1 publication Critical patent/DE102016123001A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016123001B4 publication Critical patent/DE102016123001B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/87Light-trapping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung, aufweisend:lichtemittierende Bereiche (RE, GE, BE), die auf einem unteren Substrat (111) bereitgestellt sind; undeine Solarzellschicht (300), die auf einem oberen Substrat (112), das dem unteren Substrat (111) gegenüberliegend angeordnet ist, bereitgestellt ist und die bereitgestellt ist, mittels Absorbierens von Licht Energie zu erzeugen,wobei die lichtemittierenden Bereiche (RE, GE, BE) einen ersten lichtemittierenden Bereich (RE), einen zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und einen dritten lichtemittierenden Bereich (BE) aufweisen, undwobei die Solarzellschicht (300) aufweist:eine erste Elektrode (310), die auf dem oberen Substrat (112) auf einer gesamten Oberfläche eines Anzeigebereichs (DA) des unteren Substrats (111) bereitgestellt ist;eine Löcher-Transportschicht (320), die auf der ersten Elektrode (310) auf der gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt ist;eine erste organische Solarzellschicht (331), eine zweite organische Solarzellschicht (332) und eine dritte organische Solarzellschicht (333), die auf der Löchertransportschicht (320) in Bereichen angeordnet sind, die dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), dem zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) respektive dem dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entsprechen;eine Schwarzmatrix (340), die auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) und dritten organischen Solarzellschicht (333) bereitgestellt ist und auf Kanten der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) respektive dritten organischen Solarzellschicht (333) angeordnet ist;eine Elektronentransportschicht (350), die auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), der zweiten organischen Solarzellschicht (332), der dritten organischen Solarzellschicht (333) und der Schwarzmatrix (340) bereitgestellt ist; undeine zweite Elektrode (360), die auf der Elektronentransportschicht (350) bereitgestellt ist und in den Bereichen, die der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) respektive dritten organischen Solarzellschicht (333) entsprechen, angeordnet ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Beschreibung verwandter Technik
  • Mit dem Voranschreiten einer Informations-orientierten Gesellschaft steigen verschiedene Anforderungen an die Anzeigevorrichtung bezüglich des Anzeigens eines Bildes. Folglich liegen verschiedene Anzeigevorrichtungen vor, wie beispielsweise Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtungen, Plasmaanzeigepanel (PDP)-Vorrichtungen, Organische-Licht-emittierende-Anzeige (OLED)-Vorrichtungen etc.
  • In letzter Zeit wurden Anzeigevorrichtungen bei tragbaren Vorrichtungen, wie beispielsweise Smartphone, Tablet, Notebook-Computer etc. angewendet. Für gewöhnlich wird eine tragbare Vorrichtung verwendet, während ein Nutzer, der die tragbare Vorrichtung trägt, sich bewegt. Somit ist es schwierig, der tragbaren Vorrichtung zusätzlich von außen Energie zuzuführen. Das bedeutet, dass die tragbare Vorrichtung eine interne Batterie als eine Energieversorgungsquelle verwendet. Aus diesem Grunde haben die Hersteller tragbarer Vorrichtungen nach einem Verfahren gesucht, die Kapazität der internen Batterie zu verbessern oder den Energieverbrauch in der Anzeigevorrichtung zu minimieren, so dass die tragbare Vorrichtung für lange Zeitdauern verwendet werden kann, ohne zusätzlich von außen Energie zuzuführen.
  • US 2012/0187394 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung des Lichtenergie wiederverwendenden Typs, eine lichtemittierend Vorrichtung und eine Beleuchtungsvorrichtung mit geringem Energieverbrauch, die von einer Lichtquelle emittiertes Licht (inklusive Lichtemission von einem lichtemittierenden Element) in elektrische Energie umwandelt, wobei eine photoelektrisches Umwandlungselement zwischen zwei Substraten angeordnet ist und als ein Farbfilter wirkt.
  • Dementsprechend betreffen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eine Anzeigevorrichtung, die im Wesentlichen eines oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der verwandten Technik verhindert, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Ein Aspekt von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die eine Solarzelle aufweist, um derart Energie zu verwenden, die mittels Solarenergie erzeugt ist, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Zusätzliche Vorteile und Merkmale von Ausführungsformen der Erfindung werden teilweise in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind teilweise dem gewöhnlichen Fachmann aus dem Studium des Folgenden ersichtlich oder können durch Anwendung von Ausführungsformen der Erfindung erlernt werden. Die Ziele und anderen Vorteile der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können mittels der in der Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Strukturen realisiert und erreicht werden.
  • Zum Erreichen dieser und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Ziel von Ausführungsformen der Erfindung, wie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben, ist eine Anzeigevorrichtung gemäß dem Hauptanspruch und ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung gemäß dem Nebenanspruch 7 bereitgestellt.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Es ist zu bemerken, dass beide, die vorhergehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Erfindung wie beansprucht bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Beschreibung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um das Prinzip von Ausführungsformen der Erfindung zu erklären. Es zeigen:
    • 1 ein Blockdiagramm, das eine Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 2 eine beispielhafte Ansicht, die ein unteres Substrat, Source-Treiber-ICs, flexible Source-Filme (z.B. Folien), eine Leiterplatte, eine Zeitablaufsteuerung (engl.: Timing Controller), eine System-Leiterplatte, eine erste Batterie und eine zweite Batterie in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 3 eine Querschnittansicht, die Teile der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail darstellt;
    • 4A und 4B beispielhafte Ansichten, die Akzeptoren, die in der ersten organischen Solarzellschicht, der zweiten organischen Solarzellschicht und der dritten organischen Solarzellschicht enthalten sind, darstellen;
    • 5A und 5B beispielhafte Ansichten, die Donatoren, die in der ersten organischen Solarzellschicht, zweiten organischen Solarzellschicht und dritten organischen Solarzellschicht enthalten sind, darstellen;
    • 6 einen Graphen, der einen Lichtabsorptions-Wellenlängenbereich von P2, das in 5B dargestellt ist, darstellt;
    • 7 ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
    • 8A bis 8H Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Bezug wird nun im Detail genommen auf die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wenn möglich, werden die gleichen Referenzzeichen zur Kennzeichnung gleicher oder ähnlicher Teile in allen Zeichnungen verwendet.
  • Vorteile und Merkmale der Erfindung und ihre Implementierungsverfahren werden mittels folgender Ausführungsformen bekannt gemacht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Erfindung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht verstanden werden, als dass sie auf die hierin beschriebenen Ausführungsformen beschränkt sei. Diese Ausführungsformen sind vielmehr dafür bereitgestellt, dass diese Offenbarung sorgfältig und vollständig sein wird, und werden dem Fachmann den Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung vollständig vermitteln.
  • Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Anzahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel, und somit ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese dargestellten Details beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich durchweg auf gleiche Teile. In der folgenden Beschreibung wird die detaillierte Beschreibung weggelassen werden, wenn festgestellt wird, dass die detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Anordnung den wichtigen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung unnötigerweise verschleiert.
  • In einem Fall, in dem „aufweisen“, „haben“, „umfassen“ und „enthalten“ in der vorliegenden Anmeldung verwendet werden, kann ein weiteres Teil hinzugefügt werden, außer wenn „nur ~“ verwendet wird. Die Bezeichnung in der Einzahl kann die Mehrzahl umfassen, außer wenn das Gegenteil bestimmt ist.
  • Beim Auslegen eines Elements wird das Element derart ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich aufweist, auch wenn dafür keine ausdrückliche Beschreibung vorhanden ist.
  • Beim Beschreiben einer räumlichen Abhängigkeit, zum Beispiel wenn die räumliche Abfolge als „auf-“, „über-“, „unter-“ und „neben-“ beschrieben ist, ist ein Fall, bei dem kein (mechanischer) Kontakt vorliegt, eingeschlossen, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Beim Beschreiben einer zeitlichen Abhängigkeit, zum Beispiel wenn die zeitliche Abfolge als „nach ∼“, „nachfolgend -“, „nächstes ∼“ und „vor ∼“ beschrieben ist, ist ein Fall, der nicht kontinuierlich stattfindet, eingeschlossen, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Es ist zu bemerken, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ etc. hierin zum Beschreiben verschiedener Elemente (beispielsweise Bauteile) verwendet werden können, diese Elemente durch diese Begriffe nicht eingeschränkt sein sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element (beispielsweise Bauteil) von einem anderen Element zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element (beispielsweise Bauteil) als ein zweites Element bezeichnet werden, und ein zweites Element könnte auf ähnliche Weise als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne dabei den Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Auch sind die Begriffe „x-Achsen-Richtung“, „y-Achsen-Richtung“ und „z-Achsen-Richtung“ nicht auf eine rechtwinklige geometrische Konfiguration beschränkt. Dies bedeutet, dass „x-Achsen-Richtung“, „y-Achsen-Richtung“ und „z-Achsen-Richtung“ einen weiten Anwendungsbereich einer funktionalen Konfiguration einschließen kann.
  • Außerdem ist zu bemerken, dass die Wendung „mindestens eine/einer/ein“ alle Kombinationen bezüglich eines Elements (beispielsweise Bauteils) einschließt. Beispielsweise kann „mindestens eines aus einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ alle Kombinationen von zwei oder mehr Elementen (beispielsweise Bauteilen), die aus den ersten Elementen (beispielsweise Bauteilen), den zweiten Elementen (beispielsweise Bauteilen) und den dritten Elementen (beispielsweise Bauteilen) ausgewählt sind, sowie jedes Element (beispielsweise Bauteil) des ersten Elements (beispielsweise Bauteils), des zweiten Elements (beispielsweise Bauteils) und des dritten Elements (beispielsweise Bauteils) einschließen. Ebenso ist zu bemerken dass, wenn angemerkt ist, dass ein erstes Element (beispielsweise Bauteil) „auf“ oder „über“ einem zweiten Element (beispielsweise Bauteil) angeordnet ist, das erste Element (beispielsweise Bauteil) und das zweite Element (beispielsweise Bauteil) einander kontaktieren können oder dass ein drittes Element (beispielsweise Bauteil) zwischen dem ersten Element (beispielsweise Bauteil) und dem zweiten Element (beispielsweise Bauteil) eingefügt sein kann.
  • Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder miteinander kombiniert sein und können auf verschiedene Weisen miteinander betrieben und technisch angesteuert werden, wie dem Fachmann hinreichend verständlich ist. Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können unabhängig voneinander ausgeführt werden, oder können zusammen in wechselseitig abhängiger Beziehung ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird eine Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ein Verfahren zum Herstellen derselben unter Bezugnahme auf die angefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
  • 1 zeigt eine beispielhafte Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 2 zeigt eine beispielhafte Ansicht, die ein unteres Substrat, Source-Treiber-ICs, flexible Source-Leiterplatten (beispielsweise flexible Source-Folien), eine Leiterplatte, eine Zeitablaufsteuerung, eine System-Leiterplatte, eine erste Batterie und eine zweite Batterie in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jegliche Anzeigevorrichtung mit einer Zeilenabtastung zum Zuführen von Gate-Signalen zu Gate-Leitungen (G1-Gn) aufweisen, d.h. eine Anzeigevorrichtung mit einer Zeilenabtastung zum Zuführen von Datenspannungen zu Pixeln. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung als eine beliebige von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, organischer lichtemittierender Anzeigevorrichtung, Feldemissions-Anzeigevorrichtung und Elektrophorese-Anzeigevorrichtung umgesetzt (beispielsweise implementiert) werden. Im Folgenden ist zugunsten der Beschreibung ein Fall dargestellt, in dem die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung als die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung realisiert (beispielsweise implementiert) ist.
  • Bezugnehmend auf 1 und 2 kann die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Anzeigepanel 10, einen Gate-Treiber 11, einen Daten-Treiber 20, eine Zeitablaufsteuerung 30, eine System-Leiterplatte 40, eine erste Batterie 50 und eine zweite Batterie 60 aufweisen.
  • Das Anzeigepanel 10 kann ein unteres Substrat 111 und ein oberes Substrat 112 aufweisen. Auf dem unteren Substrat 111 ist ein Anzeigebereich (DA) angeordnet, der Datenleitungen (D1-Dm, wobei „m“ eine Integer-Zahl (ganze Zahl) von 2 oder mehr als 2 ist), Gate-Leitungen (G1-G n, wobei „n“ eine Integer-Zahl (ganze Zahl) von 2 oder mehr als 2 ist) und lichtemittierende Bereiche, die an jeder Überkreuzung der Datenleitungen (D1-Dm) und der Gate-Leitungen (G1-Gn) angeordnet sind, aufweist. Das Anzeigepanel 10 ist in einen Anzeigebereich (DA) und eine Nicht-Anzeigebereich (NDA) unterteilt. Der Anzeigebereich (DA) ist ein Bereich zum Anzeigen eines Bildes mittels der lichtemittierenden Bereiche. Der Nicht-Anzeigebereich (NDA) ist ein Bereich, der in der Peripherie des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt ist, wobei ein Bild nicht in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) angezeigt wird. Jeder der lichtemittierenden Bereiche weist eine organische lichtemittierende Vorrichtung auf. Der lichtemittierende Bereich wird unter Bezugnahme auf 3 detailliert beschrieben werden.
  • Eine Solarzellschicht ist in dem oberen Substrat (beispielsweise auf dem oberen Substrat) 112 des Anzeigepanels 10 bereitgestellt (beispielsweise gebildet), wobei die Solarzellschicht einfallendes Licht in Energie umwandeln kann. Die Solarzellschicht kann eine Mehrzahl von organischen Solarzellschichten aufweisen. Die Solarzellschicht wird unter Bezugnahme auf 3 detailliert beschrieben werden.
  • Der Gate-Treiber 11 führt den Gate-Leitungen (G1-Gn) Gate-Signale zu. Genauer gesagt empfängt der Gate-Treiber 11 ein Gate-Kontrollsignal (GCS), erzeugt die Gate-Signale in Übereinstimmung mit dem Gate-Kontrollsignal (GCS) und führt die erzeugten Gate-Signale den Gate-Leitungen (G1-Gn) zu.
  • Der Gate-Treiber 11 kann in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) mittels eines Gate-Treibers-im-Panel (engl.: gate driver in panel; GIP)-Verfahrens bereitgestellt sein. In 1 ist der Gate-Treiber 11 in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) außerhalb einer Seite des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt, ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Zum Beispiel kann der Gate-Treiber 11 in dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) außerhalb beider Seiten des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt sein.
  • Der Gate-Treiber 11 kann eine Mehrzahl von Gate-Ansteuerungs-integrierten Schaltkreisen (im Folgenden als „Gate-Ansteuerungs-IC“ bezeichnet) (beispielsweise eine Mehrzahl von Gate-Treiber-ICs) aufweisen. Die Gate-Ansteuerungs-ICs können auf den flexiblen Gate-Filmen (z.B. Folien) angeordnet sein. Jeder der flexiblen Gate-Filme kann eine Gate-Trägereinheit (engl.: Gate Carrier Package) oder ein Chip-auf-Film sein. Die flexiblen Gate-Filme (z.B. Folien) können an den Nicht-Anzeigebereich (NDA) des Anzeigepanels 10 mittels eines Tape-Automated-Bonding (TAB)-Verfahrens unter Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films (beispielsweise einer anisotropen leitfähigen Schicht) angebracht (beispielsweise befestigt) werden, wodurch die Gate-Ansteuerungs-ICs mit den Gate-Leitungen (G1-Gn) verbunden werden können.
  • Der Datentreiber 20 empfängt digitale Videodaten (DATA) und Daten-Kontrollsignale (GCS) von der Zeitablaufsteuerung 30 und wandelt in Übereinstimmung mit dem Daten-Kontrollsignal (DCS) die digitalen Videodaten (DATA) in analoge Datenspannungen um. Der Datentreiber 20 führt die analogen Datenspannungen den Datenleitungen (D1-Dm) zu. Der Datentreiber 20 kann mindestens einen Source-Ansteuerungs-IC (beispielsweise Source-Treiber-IC) 21 aufweisen.
  • Jeder der Source-Ansteuerungs-ICs 21 kann in einem Ansteuerungs-Chip hergestellt sein. Jeder der Source-Ansteuerungs-ICs 21 kann auf einer flexiblen Source-Film (z.B. Folie) 70 aufgebracht sein. Jeder flexible Source-Film 70 kann als eine Band-Trägereinheit (engl.: Tape Carrier Package) oder ein Chip-auf-Film realisiert (beispielsweise implementiert) sein, und jeder flexible Source-Film 70 kann gebogen oder gekrümmt sein. Jeder flexible Source-Film 70 kann an dem Nicht-Anzeigebereich (NDA) des Anzeigepanels 10 mittels eines Tape-Automated-Bonding (TAB)-Verfahrens unter Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films angebracht (beispielsweise befestigt) werden, wodurch die Source-Ansteuerungs-ICs 21 mit den Datenleitungen (D1-Dm) verbunden werden können.
  • Jeder der Source-Ansteuerungs-ICs 21 kann direkt an dem unteren Substrat mittels eines Chip-auf-Glas (COG)-Verfahrens oder eines Chip-auf-Plastik (COP)-Verfahrens befestigt sein und kann mit den Datenleitungen (D1-Dm) verbunden sein.
  • Die flexiblen Source-Filme 70 können an der Leiterplatte 80 befestigt sein. Die Leiterplatten 80 können flexible Leiterplatten sein, die gebogen oder gekrümmt werden können. In diesem Falle kann eine Leiterplatte 80 oder eine Mehrzahl von Leiterplatten 80 bereitgestellt sein.
  • Die Zeitablaufsteuerung 30 empfängt Videodaten (DATA) und Zeitablaufsignale (TS) von der System-Leiterplatte 40. Die Zeitablaufsignale können ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal, ein Daten-Freigabesignal (engl.: data enable signal), einen Pixeltakt (engl.: dot clock) etc. aufweisen.
  • Die Zeitablaufsteuerung 30 erzeugt das Gate-Kontrollsignal (GCS) zum Kontrollieren einer Betriebszeit des Gate-Treibers 11 und erzeugt das Daten-Kontrollsignal (DCS) zum Kontrollieren einer Betriebszeit des Datentreibers 20 auf der Basis der Ansteuerungs-Zeitablaufinformation, die in einem Speicher, wie beispielsweise einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Nur-Lese-Speicher (EEPROM), gespeichert wird. Die Zeitablaufsteuerung 30 gibt das Gate-Kontrollsignal (GCS) an den Gate-Treiber 11 aus. Die Zeitablaufsteuerung 30 gibt die Videodaten (DATA) und das Daten-Kontrollsignal an den Datentreiber 20 aus.
  • Die Zeitablaufsteuerung 30 kann auf der Leiterplatte 80 angeordnet sein, wie in 2 dargestellt. Die Leiterplatte 80 kann mit der System-Leiterplatte 40 mittels eines flexiblen Kabels (FC), wie beispielsweise einem flexiblen flachen Kabel (FFC) oder einer flexiblen gedruckten Schaltung (FPC) verbunden sein. Das flexible Kabel (FC) verbindet einen auf der Leiterplatte 80 bereitgestellten Connector (C1) mit einem zweiten Connector (C2), der auf der System-Leiterplatte 40 bereitgestellt ist.
  • Die System-Leiterplatte 40 kann einen Anwendungsprozessor (engl.: application processor; AP) oder einer grafischen Prozesseinheit (GPU) zum Zuführen der Videodaten (DATA) und Zeitablaufsignale (TS) an die Zeitablaufsteuerung 30 aufweisen. Die grafische Prozesseinheit (GPU) oder der Anwendungsprozessor (AP) wandelt die extern bereitgestellten Videodaten (DATA) in einen Typus um, der für das Anzeigepanel 10 geeignet ist, und gibt den umgewandelten Typus, der für das Anzeigepaneel 10 geeignet ist, aus.
  • Die erste Batterie 50 dient als eine erste Spannungsquelle (beispielsweise Stromversorgung, beispielsweise Energieversorgung) zum Zuführen einer ersten Versorgungsspannung (englisch: power voltage) über eine erste Versorgungsspannungsleitung (PSL1) zu der System-Leiterplatte 40. Die zweite Batterie 60 dient als eine zweite Spannungsquelle zum Zuführen einer zweiten Versorgungsspannung über eine zweite Versorgungsspannungsleitung (PSL2) zu der System-Leiterplatte 40, wenn die erste Batterie 50 entladen ist.
  • Die zweite Batterie 60 empfängt einen Ladestrom (englisch:charging current; CV) von der Solarzellschicht des Anzeigepanels 10. Die zweite Batterie 60 kann mit dem Ladestrom (CV) der Solarzellschicht geladen werden. Zum Beispiel ist eine Anode der zweiten Batterie 60 mit einer ersten Elektrode zum Sammeln von Löchern der Solarzellschicht verbunden, und eine Kathode der zweiten Batterie 60 ist mit einer zweiten Elektrode zum Sammeln von Elektronen der Solarzellschicht verbunden, wodurch die zweite Batterie 60 geladen wird.
  • Dabei ist es möglich, die zweite Batterie 60 wegzulassen. In diesem Falle kann der Ladestrom (CV) von der Solarzellschicht des Anzeigepanels 10 der ersten Batterie 50 zugeführt werden. Der Ladestrom (CV) kann von dem Anzeigepanel 10 der zweiten Batterie 60 durch den flexiblen Source-Film 70, die Leiterplatte 80, das flexible Kabel (FC), die System-Leiterplatte 40 und die Ladeleitung (CL) hindurch zugeführt werden.
  • Wie oben beschrieben, weist die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Solarzellschicht zum Umwandeln von einfallendem Licht in Energie auf, wobei die zweite Batterie 60 mit dem Ladestrom (CV) von der Solarzellschicht geladen wird. Als ein Ergebnis wird, wenn die erste Batterie 50 entladen ist, die zweite Batterie 60 als eine Hilfs-Spannungsquelle (beispielsweise eine zusätzliche Spannungsquelle; beispielsweise eine zusätzliche Stromquelle; beispielsweise eine zusätzliche Energiequelle) verwendet. Im Folgenden wird die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 3 im Detail beschrieben werden.
  • 3 zeigt eine Querschnittansicht, die Teile der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail darstellt.
  • Bezugnehmend auf 3, werden Dünnschichttransistoren 210 auf dem unteren Substrat 111 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Jeder der Dünnschichttransistoren 210 kann eine Halbleiterschicht 211, eine Gate-Elektrode 212, eine Source-Elektrode 215 und eine Drain-Elektrode 214 aufweisen. In 3 sind die Dünnschichttransistoren 210 gemäß einem Top-Gate-Verfahren gebildet, wobei die Gate-Elektrode 212 oberhalb der Halbleiterschicht 211 angeordnet ist, jedoch ist das Bilden der Dünnschichttransistoren 210 nicht auf dieses Verfahren beschränkt. Zum Beispiel können die Dünnschichttransistoren 210 gemäß einem Bottom-Gate-Verfahren gebildet werden, wobei die Gate-Elektrode 212 unterhalb der Halbleiterschicht 211 angeordnet ist, oder gemäß einem Doppel-Gate-Verfahren, wobei die Gate-Elektrode 212 sowohl oberhalb als auch unterhalb der Halbleiterschicht 211 angeordnet ist.
  • Auf dem unteren Substrat 111 sind die Halbleiterschichten 211 angeordnet (beispielsweise gebildet, beispielsweise abgeschieden). Eine Pufferschicht (nicht dargestellt) kann zwischen dem unteren Substrat 111 und den Halbleiterschichten 211 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein. Ebenso kann eine isolierende Zwischenschicht 220 auf den Halbleiterschichten 211 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein, die Gate-Elektroden 212 können auf der isolierenden Zwischenschicht 220 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein, und eine Gate-isolierende Schicht 230 kann auf den Gate-Elektroden 212 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein. Dann können die Source-Elektrode 215 und Drain-Elektrode 214 auf der Gate-isolierenden Schicht 230 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein. Sowohl die Source-Elektroden 215 als auch die Drain-Elektroden 214 können über ein jeweiliges Kontaktloch, das durch die isolierende Zwischenschicht 220 und die Gate-isolierende Schicht 230 hindurchtritt, mit der Halbleiterschicht 211 verbunden sein.
  • Eine Planarisierungsschicht 240 kann auf den Source-Elektroden 215 und den Drain-Elektroden 214 angeordnet sein. Die Planarisierungsschicht 240 ist bereitgestellt, um in Pixeln, die mittels Dämmen 255 (anders ausgedrückt, Bänken) unterteilt sind, Flachheit (beispielsweise eine flache Oberfläche, beispielsweise eine ebene Oberfläche) zu erhalten (beispielsweise zu erzielen). Die Planarisierungsschicht 240 kann aus Harz, wie beispielsweise Photoacryl oder Polyimid, gebildet sein.
  • Dann sind organische lichtemittierende Vorrichtungen (beispielsweise eine Mehrzahl von organischen lichtemittierenden Vorrichtungen) auf der Planarisierungsschicht 240 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Jede der organischen lichtemittierenden Vorrichtungen kann eine Anodenelektrode 251, eine organische lichtemittierende Schicht 253 und eine Kathodenelektrode 254 aufweisen. Die organischen lichtemittierenden Vorrichtungen sind mittels des Damms 255 (beispielsweise mittels eines Damms 255; beispielsweise mittels einer Mehrzahl von Dämmen 255) unterteilt.
  • Die Anodenelektroden 251 sind auf der Planarisierungsschicht 240 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Jede der Anodenelektroden 251 ist mit der Drain-Elektrode 214 (beispielsweise mit einer Drain-Elektrode 214 eines darunter angeordneten Dünnschichttransistors 210) mittels eines Kontaktlochs, das durch die Planarisierungsschicht 240 hindurchtritt, verbunden.
  • Der Damm 255 (beispielsweise die Mehrzahl der Dämme 255) ist bereitgestellt zum Unterteilen der Anodenelektroden 251 (beispielsweise zum Abgrenzen der Anodenelektrode 251 einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung von der Anodenelektrode 251 einer benachbarten organischen lichtemittierenden Vorrichtung). Der Damm 255 (anders ausgedrückt, die Bank) bedeckt jeweils Kanten der Anodenelektroden 251. (Beispielsweise ist jeder der Dämme 255 derart angeordnet, dass er auf beiden Seiten jeweils eine Anodenelektrode 251 von jeweiligen benachbarten Dünnschichttransistoren 210 teilweise bedeckt, beispielsweise derart, dass er die nebeneinander angeordneten Kanten benachbarter Anodenelektroden 251 von jeweiligen benachbarten Dünnschichttransistoren 210 bedeckt.)
  • Die organische lichtemittierende Schicht 253 (beispielsweise eine Mehrzahl von organischen lichtemittierenden Schichten 253) ist auf den Anodenelektroden 251 und den Dämmen 255 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Jede organische lichtemittierende Schicht 253 kann eine Löcher-Transportschicht, eine lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht aufweisen. In diesem Falle werden, wenn eine Spannung an die Anodenelektrode 251 und die Kathodenelektrode 254 angelegt wird, ein Loch und ein Elektron durch die Löcher-Transportschicht bzw. die Elektrontransportschicht hindurch zu der lichtemittierenden Schicht übertragen und rekombinieren (miteinander) in der lichtemittierenden Schicht, so dass hierbei Licht emittiert wird.
  • Die organische lichtemittierende Schicht 253 kann nur weiße lichtemittierende Schicht zum Emittieren von weißem Licht aufweisen. In diesem Falle kann die weiße lichtemittierende Schicht auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet) sein. Die organische lichtemittierende Schicht 253 kann eine rote lichtemittierende Schicht zum Emittieren von rotem Licht, eine grüne lichtemittierende Schicht zum Emittieren von grünem Licht und eine blaue lichtemittierende Schicht zum Emittieren von blauem Licht aufweisen. In diesem Falle ist die rote lichtemittierende Schicht nur in roten lichtemittierenden Bereichen (RE) gebildet, die grüne lichtemittierende Schicht ist nur in grünen lichtemittierenden Bereichen (GE) gebildet, und die blaue lichtemittierende Schicht ist nur in blauen lichtemittierenden Bereichen (BE) gebildet.
  • Die Kathodenelektrode 254 ist auf den organischen lichtemittierenden Schichten 253 und den Dämmen 255 derart bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet), dass hierbei die organischen lichtemittierenden Schichten 253 und die Dämme 255 überdeckt (beispielsweise bedeckt; beispielsweise vollständig bedeckt) sind.
  • Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann in dem Top-Emissions-Verfahren gebildet sein. Im Falle des Top-Emissions-Verfahrens breitet sich von der organischen lichtemittierenden Schicht 253 emittiertes Licht in Richtung des oberen Substrats 122 aus, wobei die Dünnschichttransistoren 210 größtenteils unter dem Damm 255 und der Anodenelektrode 251 bereitgestellt sind. Das bedeutet, dass ein Gestaltungsbereich des Transistors 210 in dem Top-Emissions-Verfahren im Verhältnis größer ist als ein Gestaltungsbereich des Transistors in dem Bottom-Emissions-Verfahren. Im Falle des Top-Emission-Verfahrens ist die Anodenelektrode 251 vorzugsweise aus einem metallischen Material mit einem großen Reflexionsvermögen, zum Beispiel Aluminium (AI) oder eine Abscheidungsstruktur aus Aluminium (AI) und Indiumzinnoxid (ITO), zum Erzielen eines Mikro-Kavitäts-Effekts, gebildet. Ebenso kann im Falle des Top-Emissions-Verfahrens, da das Licht der organischen lichtemittierenden Schicht 253 sich in Richtung des oberen Substrats 122 ausbreitet, die Kathodenelektrode 150 aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) Material, das in der Lage ist, Licht hindurchtreten zu lassen, beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), gebildet sein oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb durchlässigen, beispielsweise halb lichtdurchlässigen) metallischen Material, zum Beispiel Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung aus Magnesium (Mg) und Silber (Ag) gebildet sein.
  • Eine Verkapselungsschicht 260 ist auf der Kathodenelektrode 254 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Die Verkapselungsschicht 260 verhindert, dass Sauerstoff oder Feuchtigkeit in die organische lichtemittierende Schicht 253 eindringen können. Zu diesem Zwecke kann die Verkapselungsschicht 260 eine erste anorganische Schicht 261, eine organische Schicht 262 und eine zweite anorganische Schicht 263 aufweisen.
  • Die erste anorganische Schicht 261 ist derart auf der Kathodenelektrode 254 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet), dass hierbei die Kathodenelektrode 254 bedeckt (beispielsweise überdeckt, beispielsweise vollständig bedeckt) ist. Die organische Schicht 262 ist derart auf der ersten anorganischen Schicht 261 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet), dass hierdurch verhindert wird, dass Partikel durch die erste anorganische Schicht 261 hindurch in die organische lichtemittierende Schicht 253 und die Kathodenelektrode 254 eindringen können. Die zweite anorganische Schicht 263 ist auf der organischen Schicht 262 derart bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet), dass hierbei die organische Schicht 262 bedeckt (beispielsweise überdeckt, beispielsweise vollständig bedeckt) ist.
  • Jede der ersten anorganischen Schicht 261 und der zweiten anorganischen Schicht 263 kann aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid gebildet sein. Beispielsweise kann sowohl die erste anorganische Schicht 261 als auch die zweite anorganische Schicht 263 aus SiO2, Al2O3, SiON oder SiNx gebildet sein. Die organische Schicht 262 ist aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) Material gebildet, so dass das von der organischen lichtemittierenden Schicht 253 emittierte Licht durch die organische Schicht 262 hindurch tritt (sich beispielsweise durch die organische Schicht 262 hindurch ausbreitet).
  • Die Solarzellschicht 300 ist auf dem oberen Substrat 112 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Die Solarzellschicht 300 kann eine erste Elektrode 310, eine Löcher-Transportschicht 320, erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333, eine Elektronentransportschicht 350, eine Schwarzmatrix 340 und eine zweite Elektrode 360 aufweisen.
  • Die erste Elektrode 310 ist auf dem oberen Substrat 112, das dem unteren Substrat 111 gegenüberliegend angeordnet ist, bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Die erste Elektrode 310 kann aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) metallischen Material, wie beispielsweise ITO oder IZO, die eine Lichtausbreitung ermöglichen (beispielsweise zulassen, dass Licht durch sie hindurchtritt), gebildet sein oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb durchlässigen, beispielsweise halb lichtdurchlässigen) metallischen Material, wie beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Mischung (beispielsweise einer Legierung) von Magnesium (Mg) und Silber (Ag) gebildet sein. Die erste Elektrode 310 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet) sein.
  • Die Löcher-Transportschicht 320 kann auf der ersten Elektrode 310 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein. Die Löcher-Transportschicht 320 ermöglicht einen sanften Übertritt des Lochs von der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 zu der ersten Elektrode 310. Die Löcher-Transportschicht 320 kann aus TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-Methylphenyl)-1,1'-bi-Phenyl-4,4'-Diamin) oder NPB (N,N'-di(Naphthalen-1-yl)-N,N'-Diphenyl-Benzidin) gebildet sein, ist jedoch nicht auf diese Materialien beschränkt. Die Löcher-Transportschicht 320 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein.
  • Die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 sind auf der Löcher-Transportschicht 320 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Die erste organische Solarzellschicht 331 ist in den roten lichtemittierenden Bereichen (RE) angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet), die zweite organische Solarzellschicht 332 ist in den grünen lichtemittierenden Bereichen (GE) angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet), und die dritte organische Solarzellschicht 333 ist in den blauen lichtemittierenden Bereichen (BE) angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet).
  • Jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann in einer DoppelSchicht oder in einer gemischten Schichtstruktur von Donor-Material und Akzeptor-Material gebildet sein. Jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann in einer Struktur gebildet sein, bei der die gemischte Schicht zwischen der Donor-Materialschicht und der Akzeptor-Materialschicht angeordnet (beispielsweise gebildet, beispielsweise abgeschieden) ist. Das Donor-Material stellt das Elektron bereit, und das Akzeptor-Material empfängt das Elektron (beispielsweise nimmt es das Elektron auf). Um die photoelektrische Effizienz in jeder der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 zu verbessern, weist das Donor-Material eine hohe Lichtabsorptionseffizienz und hohe Ladungsmobilität auf, und das Akzeptor-Material weist relativ hohe Elektronenaffinität und relativ hohe Ladungsmobilität im Vergleich zu dem Donor-Material auf.
  • Das Donor-Material von jeder der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann aus Poly(-para-Phenylen-Vinylen) (PPV)-basiertem Material, Derivaten von Polythiophen (PT), Polyfluoren (PF)-basiertem Material oder ihren Copolymeren oder löslichem Polythiophen (P3HT) von kristallinem Polymer gebildet sein.
  • Das Akzeptor-Material für jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann aus C60, wie in 4A dargestellt, gebildet sein oder kann aus C60-Derivaten (Fulleren-Derivaten), wie in 4B dargestellt, gebildet sein, die derart gestaltet sind, dass C60 in einem organischen Lösungsmittel gelöst ist. In diesem Falle können C60-Derivate PCBM sein. Wenn die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 mittels eines Abscheidungsvorgangs gebildet sind, ist das Akzeptor-Material aus C60 gebildet. Unterdessen ist, wenn die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 mittels eines Lösungsvorgangs gebildet sind, das Akzeptor-Material aus PCBM gebildet.
  • In jeder der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 können sich das (bzw. die) mittels Absorption von Sonnenstrahlen erzeugte(n) Loch und Elektron (bzw. Löcher und Elektronen) bewegen (beispielsweise driften), das Loch (bzw. die Löcher) kann (können) durch die Löcher-Transportschicht 320 hindurch in der ersten Elektrode 310 gesammelt werden (beispielsweise sich dort ansammeln), und das Elektron (bzw. die Elektronen) kann (können) durch die Elektronentransportschicht 350 hindurch in der zweiten Elektrode 360 gesammelt werden (beispielsweise sich dort ansammeln). Die erste Elektrode 310 ist mit der Anode der zweiten Batterie 60 verbunden (beispielsweise elektrisch verbunden), und die zweite Elektrode 360 ist mit der Kathode der zweiten Batterie 60 verbunden (beispielsweise elektrisch verbunden), wodurch die zweite Batterie 60 mittels der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 aufgeladen wird.
  • Jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 absorbiert Licht mit vorher festgelegten Wellenlängen sichtbarer Strahlung, wobei jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 als ein Farbfilter wirkt (beispielsweise dient). Zu diesem Zwecke können die jeweilige erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 unterschiedliche lichtabsorbierende Wellenlängenbereiche und Licht-Weiterleitungs-Wellenlängenbereiche aufweisen.
  • Das Donor-Material der ersten organischen Solarzellschicht 331 kann den Wellenlängenbereich aufweisen, der Licht außer rotem Licht absorbiert, d.h. das Donor-Material der ersten organischen Solarzellschicht 331 kann den Wellenlängenbereich aufweisen, dass rotes Licht hindurchtreten kann (beispielsweise hindurchgelassen wird). In diesem Falle kann die erste organische Solarzellschicht 331 als ein rotes Farbfilter wirken. Ebenso kann das Donor-Material der zweiten organischen Solarzellschicht 332 den Wellenlängenbereich aufweisen, der Licht außer grünem Licht absorbiert, d.h., das Donor-Material der zweiten organischen Solarzellschicht 332 kann den Wellenlängenbereich aufweisen, dass grünes Licht hindurchtreten kann (beispielsweise hindurchgelassen wird). In diesem Falle kann die zweite organische Solarzellschicht 132 als ein grünes Farbfilter wirken. Ebenso kann das Donor-Material der dritten organischen Solarzellschicht 333 den Wellenlängenbereich aufweisen, dass Licht außer blauem Licht absorbiert wird, d.h., das Donor-Material der dritten organischen Solarzellschicht 333 kann den Wellenlängenbereich aufweisen, dass blaues Licht hindurchtreten kann (beispielsweise hindurchgelassen wird). In diesem Falle kann die dritte organische Solarzellschicht 333 als ein blaues Farbfilter wirken.
  • Zum Beispiel kann das Donor-Material der ersten organischen Solarzellschicht 331 P3HT, wie in 5A dargestellt, aufweisen. Das Donor-Material der zweiten organischen Solarzellschicht 332 kann JR4-193 aufweisen. Das Donor-Material der dritten organischen Solarzellschicht 333 kann P2, wie in 5B dargestellt, aufweisen.
  • Wenn die dritte organische Solarzellschicht 333 das Akzeptor-Material aus PCBM und das Donor-Material aus P2 aufweist, liegt der Lichtabsorptions-Wellenlängenbereich innerhalb eines Bereichs von 600 nm bis 800 nm, wie in 6 dargestellt. Dementsprechend absorbiert die dritte organische Solarzellschicht 333 Licht der Wellenlänge von 600 nm bis 800 nm und lässt Licht der Wellenlänge von 400 nm bis 600 nm hindurchtreten. Folglich lässt die dritte organische Solarzellschicht 333 Licht, das die Wellenlänge von 400 nm bis 600 nm aufweist, hindurchtreten, wobei die dritte organische Solarzellschicht 333 als ein blaues Farbfilter oder Cyan-Farbfilter wirkt.
  • Die Schwarzmatrix 340 ist auf der ersten organischen Solarzellschicht 331, der zweiten organischen Solarzellschicht 332 und der dritten organischen Solarzellschicht 333 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet), und die Schwarzmatrix 340 überlappt mit den Dämmen 255 (beispielsweise überlappt die Schwarzmatrix 340 jeden der Dämme 255; beispielsweise ist die Schwarzmatrix 340 in denselben Bereichen angeordnet wie die der Damm 255; beispielsweise ist die Schwarzmatrix 340 in Bereichen gebildet, die der Mehrzahl von Dämmen 255 entsprechen). In diesem Falle kann die Schwarzmatrix 340 an Kanten der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 angeordnet sein. (Beispielsweise kann die Schwarzmatrix 340 derart gebildet sein, dass jeweils aneinander angrenzende Kanten zweier benachbarter organischer Solarzellschichten überlappt (beispielsweise überdeckt) sind.) Die Schwarzmatrix 340 weist ein Material auf, das in der Lage ist, Licht zu absorbieren. Die Schwarzmatrix 340 verhindert, dass sich das von benachbarten lichtemittierenden Bereichen emittierte Licht mischt.
  • Die Elektronentransportschicht 350 kann auf der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 und der Schwarzmatrix 340 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) sein. Die Elektronentransportschicht 350 ist für einen sanften Übertritt des Elektrons von der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 zu der zweiten Elektrode 360 bereitgestellt. Die Elektronentransportschicht 350 kann aus PBD (2-(4-Biphenyl)-5-(4-Tert-Butylphenyl)-1,3,4-Oxadiazol), TAZ (3-(4-Biphenyl)-4-Phenyl-5-Tertbutylphenyl-1,2,4-Triazol), Liq (8-Hydroxychinolinolato-Lithium), BAIq (Bis(2-Methyl-8-chinolinolat)-4-(Phenylphenolato)aluminium), TPBi (2,2'2'-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-Phenyl-1-H-Benzimidazol) und anderen gebildet sein, ist jedoch nicht auf diese Materialien beschränkt. Die Elektronentransportschicht 350 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt sein.
  • Die zweite Elektrode 360 ist auf der Elektronentransportschicht 350 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet), und die zweite Elektrode 360 ist entsprechend der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 angeordnet (beispielsweise gebildet). (Beispielsweise ist die zweite Elektrode 360 auf der Elektronentransportschicht 350 in einem Bereich, der der ersten organischen Solarzellschicht 331 entspricht, einem Bereich, der der zweiten organischen Solarzellschicht 332 entspricht, und einem Bereich, der der dritten organischen Solarzellschicht 333 entspricht, gebildet.) In diesem Falle kann die zweite Elektrode 360 mit dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und dritten lichtemittierenden Bereich (BE) überlappen. (Beispielsweise ist die zweite Elektrode 360 in einem Bereich, der dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE) entspricht, in einem Bereich, der dem zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) entspricht, und einem Bereich, der dem dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entspricht, gebildet (beispielsweise angeordnet)). Die zweite Elektrode 360 kann aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) metallischen Material, das eine Lichtausbreitung ermöglicht, gebildet sein, zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb-durchlässigen, beispielsweise halb-lichtdurchlässigen) metallischen Material gebildet sein, zum Beispiel Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Mischung (beispielsweise Legierung) von Magnesium (Mg) und Silber (Ag).
  • Die erste Elektrode 310 kann mittels einer Verbindungsleitung (LL), die in dem unteren Substrat 111 bereitgestellt ist, durch ein leitfähiges adhäsives Bauteil 410 hindurch verbunden sein. Das leitfähige adhäsive Bauteil 410 kann eine anisotrope leitfähige Folie (beispielsweise eine anisotrope leitfähige Schicht, beispielsweise ein anisotroper leitfähiger Film) oder anisotrope leitfähige Paste sein (beispielsweise daraus gebildet sein). Die Verbindungsleitung (LL) kann eine Verbindungseinheit (CU), die in der gleichen Schicht bereitgestellt ist wie die Source-Elektrode 215 und die Drain-Elektrode 214 und aus dem gleichen Material gebildet ist wie das der Source-Elektrode 215 und der Drain-Elektrode 214 und die elektrisch mit der ersten Elektrode 310 durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch verbunden ist, und eine Querverbindungseinheit (LU) (beispielsweise ein Bindeglied), die in der gleichen Schicht bereitgestellt ist wie die Gate-Elektrode 212 und aus dem gleichen Material gebildet ist wie das der Gate-Elektrode 212, aufweisen. Die Verbindungseinheit (CU) ist mit der Querverbindungseinheit (LU) (beispielsweise dem Bindeglied (LU)) via ein Kontaktloch verbunden (beispielsweise mittels eines Kontaktlochs, beispielsweise durch ein Kontaktloch hindurch), das durch die Gate-isolierende Schicht 220 hindurchführt. Die Querverbindungseinheit (LU) ist mit einem Pad verbunden. Dementsprechend kann die erste Elektrode 310 mit der zweiten Batterie 60 durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410, die Verbindungsleitung (LL) und das Pad hindurch verbunden sein.
  • Dabei zeigt 3 zugunsten einer erleichterten Erklärung nur, dass die erste Elektrode 310 mit der Verbindungsleitung (LL) des unteren Substrats 111 durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch verbunden ist. In der gleichen Weise wie die erste Elektrode 310 kann die zweite Elektrode 360 ebenso mit einer anderen Verbindungsleitung des unteren Substrats 111 durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch verbunden sein.
  • Das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 sind miteinander unter Verwendung einer transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) adhäsiven Schicht 400 verbunden. (Beispielsweise sind das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 unter Verwendung der transparenten adhäsiven Schicht 400 aneinander gebondet, beispielsweise aneinander befestigt). Die transparente adhäsive Schicht 400 kann aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) adhäsiven Harz bestehen. Genauer gesagt befestigt die transparente adhäsive Schicht 400 die zweite anorganische Schicht 263 des unteren Substrats 111 an der zweiten Elektrode 360 und der Elektronentransportschicht 350 des oberen Substrats 112 derart, dass das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 miteinander verbunden (beispielsweise aneinander gebondet, beispielsweise aneinander befestigt) sind.
  • Wie oben beschrieben, sind die erste Elektrode 310, die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 und die zweite Elektrode 360 auf dem oberen Substrat 112 der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Als ein Ergebnis davon können das Loch und Elektron, die mittels Absorption von Sonnenstrahlen in der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 erzeugt werden, der ersten Elektrode 310 und der zweiten Elektrode 360 bereitgestellt (beispielsweise ihnen zugeführt) werden, wodurch die zweite Batterie 60 geladen werden kann. Dementsprechend kann die mittels der Solarenergie erzeugte Energie als die Hilfs-Energie (beispielsweise zusätzliche Energie) verwendet werden. (Beispielsweise kann die zweite Batterie 60 durch die mittels Solarenergie erzeugte Energie als die Hilfs-Energiequelle (beispielsweise zusätzliche Energiequelle) verwendet werden.)
  • Ebenso kann das externe Licht in der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 absorbiert werden. Als ein Ergebnis daraus ist es möglich zu verhindern, dass die Sichtbarkeit mittels der Reflexion von externem Licht in dem Top-Emission-Verfahren verringert wird. Ebenso liegt keine Notwendigkeit vor, eine polarisierende Platte (beispielsweise eine polarisierende Schicht, beispielsweise eine Polarisationsschicht) an dem oberen Substrat 112 anzubringen, die bereitgestellt wird, um die Reflexion von externem Licht zu reduzieren.
  • Ebenso sind die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 232 und dritte organische Solarzellschicht 333 in Bereichen angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet), die dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entsprechen, und die entsprechende erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 weisen die unterschiedlichen Lichtabsorptions-Wellenlängenbereiche und Licht-Transmissions-Wellenlängenbereiche auf. Als ein Ergebnis dienen (beispielsweise wirken) die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 als die Farbfilter.
  • 7 zeigt ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 8A bis 8H sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. Im Folgenden wird das Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf 7 und 8A bis 8H beschrieben werden.
  • Zuerst, wie in 8A dargestellt, werden die Gate-Leitungen, die Datenleitungen, die Dünnschichttransistoren 210, die Anodenelektroden 221, die Dämme 255, die organische lichtemittierende Schicht 153, die Kathodenelektrode 254 und die Verkapselungsschicht 260 auf dem unteren Substrat 111 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet).
  • Das untere Substrat 111 kann aus Glas oder Plastik gebildet sein. 8A zeigt, dass die Dünnschichttransistoren 210 in dem Top-Gate-Verfahren gebildet werden, wobei die Gate-Elektrode oberhalb der Halbleiterschicht positioniert (beispielsweise angeordnet) ist, jedoch sind sie nicht auf dieses Verfahren beschränkt. D.h. dass die Dünnschichttransistoren 210 in dem Bottom-Gate-Verfahren gebildet werden können, wobei die Gate-Elektrode unterhalb der Halbleiterschicht positioniert (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet) ist. Die Dünnschichttransistoren 210 werden in dem Anzeigebereich (DA) bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet).
  • Die Halbleiterschichten 211 werden auf dem unteren Substrat 111 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Nach dem Bilden einer Pufferschicht (nicht dargestellt) auf dem unteren Substrat 111 können die Halbleiterschichten 211 auf der Pufferschicht (nicht dargestellt) gebildet werden. Die isolierende Zwischenschicht 220 wird auf den Halbleiterschichten 211 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet), wobei die isolierende Zwischenschicht 220 zum Isolieren der Halbleiterschichten 211 von den anderen metallischen Materialien bereitgestellt wird. Die Gate-Elektroden 212 werden auf der isolierenden Zwischenschicht 220 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Die Gate-isolierende Schicht 230 wird auf den Gate-Elektroden 212 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Die Source-Elektrode 215 und Drain-Elektrode 214 werden auf der Gate-isolierenden Schicht 230 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet). Vor dem Formen der Source-Elektrode 215 und Gate-Elektrode 214 können die Kontaktlöcher, die durch die isolierende Zwischenschicht 220 und die Gate-isolierende Schicht 230 hindurch führen, derart gebildet werden, dass die Halbleiterschichten 211 freiliegen (beispielsweise freigelegt werden). Dementsprechend können sowohl die Source-Elektrode 215 als auch die Drain-Elektrode 214 mit der Halbleiterschicht 211 via die Kontaktlöcher, die durch die isolierende Zwischenschicht 220 und die Gate-isolierende Schicht 230 hindurch führen, verbunden werden.
  • Die Planarisierungsschicht 240 wird auf der Source-Elektrode 215 und Drain-Elektrode 214 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Die Planarisierungsschicht 240 wird zum Erreichen von Flachheit in den mittels der Dämme 250 unterteilten Pixeln bereitgestellt. Die Planarisierungsschicht 240 kann aus Harz, wie beispielsweise Photoacryl oder Polyimid, gebildet werden.
  • Die Anodenelektroden 251 (beispielsweise die Mehrzahl von Anodenelektroden 251) werden auf der Planarisierungsschicht 240 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Vor dem Bilden der Anodenelektroden 251 können die Kontaktlöcher zum Freilegen der Drain-Elektroden 214 durch die Planarisierungsschicht 240 hindurch gebildet werden, wodurch jede der Anodenelektroden 251 via das durch die Planarisierungsschicht 240 hindurchtretende Kontaktloch (beispielsweise durch das durch die Planarisierungsschicht 240 hindurchtretende Kontaktloch hindurch) mit der Drain-Elektrode 214 verbunden werden kann. Im Falle des Top-Emissions-Verfahrens kann die Anodenelektrode 251 vorzugsweise aus dem metallischen Material mit hohem Reflexionsvermögen gebildet werden, zum Beispiel Aluminium (Al) oder eine Abscheidungsstruktur aus Aluminium (Al) und Indiumzinnoxid (ITO), um einen Mikro-Kavitäts-Effekt zu erzielen.
  • Der Damm 255 (beispielsweise die Mehrzahl der Dämme 255) wird zum Unterteilen der Anodenelektroden 251 bereitgestellt (beispielsweise gebildet). Der Damm 255 bedeckt jede Kante der Anodenelektroden 251. (Beispielsweise bedeckt jeder Damm 255 der Mehrzahl von Dämmen 255 jeweils Kanten zweier benachbarter Anodenelektroden 251. Beispielsweise bedeckt jeder Damm 255 jeweils eine Kante der Anodenelektrode 251.)
  • Die organische lichtemittierende Schicht 253 wird auf den Anodenelektroden 251 (beispielsweise der Mehrzahl von Anodenelektroden 251) und den Dämmen 255 (beispielsweise der Mehrzahl von Dämmen 255) bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Jede organische lichtemittierende Schicht 253 kann die Löcher-Transportschicht, die lichtemittierende Schicht und die Elektronentransportschicht aufweisen. Die organische lichtemittierende Schicht 253 kann nur eine weiße lichtemittierende Schicht zum Emittieren von weißem Licht aufweisen. In diesem Falle kann die weiße lichtemittierende Schicht auf der gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise gebildet) werden. Die organische lichtemittierende Schicht 253 kann die rote lichtemittierende Schicht zum Emittieren von rotem Licht, die grüne lichtemittierende Schicht zum Emittieren von grünem Licht und die blaue lichtemittierende Schicht zum Emittieren von blauem Licht aufweisen. In diesem Falle wird die rote lichtemittierende Schicht nur in roten lichtemittierenden Bereichen (RE) gebildet, die grüne lichtemittierende Schicht ist nur in grünen lichtemittierenden Bereichen (GE) gebildet, und die blaue lichtemittierende Schicht ist nur in blauen lichtemittierenden Bereichen (BE) gebildet.
  • Die Kathodenelektrode 254 wird auf den organischen lichtemittierenden Schichten 253 und den Dämmen 255 (beispielsweise der Mehrzahl von Dämmen 255) derart bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet), dass hierbei die organischen lichtemittierenden Schichten 253 (beispielsweise die organische lichtemittierende Schicht 253) und die Dämme 255 (beispielsweise die Mehrzahl von Dämmen 255) bedeckt (beispielsweise überdeckt, beispielsweise vollständig bedeckt) werden. Im Falle des Top-Emission-Verfahrens kann die Kathodenelektrode 250 aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) metallischen Material gebildet werden, zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb-durchlässigen, beispielsweise halb-lichtdurchlässigen) metallischen Material gebildet werden, zum Beispiel Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Mischung (beispielsweise Legierung) von Magnesium (Mg) und Silber (Ag).
  • Die Verkapselungsschicht 260, die die Mehrzahl von anorganischen Schichten und mindestens eine organische Schicht aufweist, wird auf der Kathodenelektrode 255 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Die erste anorganische Schicht 261 kann auf der Kathodenelektrode 255 bereitgestellt (beispielsweise gebildet) werden, die organische Schicht 262 wird auf der ersten anorganischen Schicht 261 bereitgestellt (beispielsweise gebildet), und die zweite anorganische Schicht 263 wird auf der organischen Schicht 262 bereitgestellt (beispielsweise gebildet). Die erste anorganische Schicht 261 und zweite anorganische Schicht 263 können aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumnitrid, Titannitrid, Hafniumnitrid, Tantalnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Titanoxid gebildet werden. Beispielsweise kann sowohl die erste anorganische Schicht 261 als auch die zweite anorganische Schicht 263 aus SiO2, Al2O3, SiON oder SiNx gebildet werden. Die organische Schicht 262 wird aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) Material gebildet, so dass das von der organischen lichtemittierenden Schicht 253 emittierte Licht durch die organische Schicht 262 hindurchtritt (sich beispielsweise durch die organische Schicht 262 hindurch ausbreitet). (S101 aus 7)
  • Als Zweites, wie in 8 B dargestellt, wird die erste Elektrode 310 auf dem oberen Substrat 112, das dem unteren Substrat 111 gegenüberliegend angeordnet wird, bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet).
  • Die erste Elektrode 310 kann aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) metallischen Material, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), das Lichttransmission erlaubt, gebildet werden oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb-durchlässigen, beispielsweise halb-lichtdurchlässigen) metallischen Material, wie beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Mischung (beispielsweise Legierung) von Magnesium (Mg) und Silber (Ag), gebildet werden. Die erste Elektrode 310 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) werden. (S102 aus 7)
  • Als Drittes, wie in 8C dargestellt, kann die Löcher-Transportschicht 320 auf der ersten Elektrode 310 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) werden.
  • Die Löcher-Transportschicht 320 ermöglicht einen sanften Übertritt des Loches aus der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 zu der ersten Elektrode 310. Die Löcher-Transportschicht 320 kann aus TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-Methylphenyl)-1,1'-bi-Phenyl-4,4'-Diamin) oder NPB (N,N'-di(Naphthalen-1-yl)-N,N'-Diphenyl-Benzidin) gebildet werden, ist jedoch nicht auf diese Materialien beschränkt. Die Löcher-Transportschicht 320 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) werden. (S103 aus 7)
  • Als Viertes, wie in 8D dargestellt, werden die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 auf der Löcher-Transportschicht 320 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet).
  • Die erste organische Solarzellschicht 331 wird in den roten lichtemittierenden Bereichen (RE) angeordnet (beispielsweise gebildet, beispielsweise abgeschieden), die zweite organische Solarzellschicht 332 wird in den grünen lichtemittierenden Bereichen (GE) angeordnet (beispielsweise gebildet, beispielsweise abgeschieden), und die dritte organische Solarzellschicht 333 wird in den blauen lichtemittierenden Bereichen (BE) angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet).
  • Jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann das Donor-Material und Akzeptor-Material aufweisen. Das Donor-Material führt das Elektron zu (beispielsweise stellt es das Elektron bereit), und das Akzeptor-Material empfängt das Elektron (beispielsweise nimmt es das Elektron auf). Wenn die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 mittels eines Abscheidungsvorgangs gebildet werden, wird das Akzeptor-Material aus C60 gebildet. Unterdessen, wenn die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 132 und dritte organische Solarzellschicht 333 mittels eines Lösungsvorgangs gebildet werden, wird das Akzeptor-Material aus PCBM gebildet. Das Donor-Material für jede der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 kann aus Poly(-para-Phenylen-Vinylen) (PPV)-basiertem Material, Derivaten von Polythiophen (PT), Polyfluoren (PF)-basiertem Material oder ihren Copolymeren oder löslischem Polythiophen (P3HT) von kristallinem Polymer gebildet werden. (S104 aus 7)
  • Als Fünftes, wie in 8E dargestellt, wird die Schwarzmatrix 340 auf der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 bereitgestellt (beispielsweise angeordnet, beispielsweise gebildet).
  • Die Schwarzmatrix 340 wird auf der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet), und die Schwarzmatrix 340 überlappt den Damm 255 (beispielsweise überlappt die Schwarzmatrix 340 jeden der Dämme 255; beispielsweise wird die Schwarzmatrix 340 in Bereichen gebildet, die der Mehrzahl der Dämme 255 entsprechen). In diesem Falle kann die Schwarzmatrix 340 an Kanten der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielweise angeordnet) werden. (Beispielsweise kann die Schwarzmatrix 340 derart gebildet werden, dass jeweils aneinander angrenzende Kanten zweier benachbarter organischer Solarzellschichten überlappt (beispielsweise überdeckt) werden.) Die Schwarzmatrix 340 weist ein Material auf, das in der Lage ist, das Licht zu absorbieren. Die Schwarzmatrix 340 verhindert, dass das Licht, das von benachbarten lichtemittierenden Bereichen emittiert wird, miteinander gemischt wird. (S105aus 7)
  • Als Sechstes, wie in 8F dargestellt, kann die Elektronentransportschicht 350 auf der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 und der Schwarzmatrix 340 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) werden.
  • Die Elektronentransportschicht 350 wird für einen sanften Übertritt des Elektrons von der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 zu der zweiten Elektrode 360 bereitgestellt (beispielsweise gebildet). Die Elektronentransportschicht 350 kann aus PBD (2-(4-Biphenyl)-5-(4-Tert-Butylphenyl)-1,3,4-Oxadiazol), TAZ (3-(4-Biphenyl)-4-Phenyl-5-Tertbutylphenyl-1,2,4-Triazol), Liq (8-Hydroxychinolinolato-Lithium), BAIq (Bis(2-Methyl-8-chinolinolat)-4-(Phenylphenolato)aluminium), TPBi (2,2'2'-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-Phenyl-1-H-Benzimidazol) und anderen gebildet werden, ist jedoch nicht auf dieses Material beschränkt. Die Elektronentransportschicht 350 kann auf einer gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt werden. (S106 aus 7)
  • Als Siebtes, wie in 8G dargestellt, wird die zweite Elektrode 360 auf der Elektronentransportschicht 350 strukturiert.
  • Die zweite Elektrode 360 wird auf der Elektronentransportschicht 350 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet), und die zweite Elektrode wird entsprechend der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 angeordnet (beispielsweise abgeschieden, beispielsweise gebildet). In diesem Falle kann die zweite Elektrode 360 mit dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und dritten lichtemittierenden Bereich (BE) überlappen. (Beispielsweise kann die zweite Elektrode 360 in Bereichen gebildet werden, die dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), dem zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und dem dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entsprechen.) Die zweite Elektrode 360 kann aus einem transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) metallischen Material, das Lichttransmission (beispielsweise das Hindurchtreten von Licht, beispielsweise die Ausbreitung von Licht) ermöglicht, gebildet werden, zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), oder kann aus einem semi-transparenten (beispielsweise halb-durchlässigen, beispielsweise halb-lichtdurchlässigen) metallischen Material gebildet werden, zum Beispiel Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Mischung (beispielsweise Legierung) von Magnesium (Mg) und Silber (Ag). (S107 aus 7)
  • Als Achtes, wie in 8H dargestellt, werden das untere Substrat 111 und das oberen Substrat 112 mittels der transparenten (beispielsweise lichtdurchlässigen) adhäsiven Schicht 400 miteinander verbunden (beispielsweise aneinander gebondet, beispielsweise aneinander befestigt).
  • Die transparente (beispielsweise lichtdurchlässige) adhäsive Schicht 400 kann ein transparentes adhäsives Harz sein (beispielsweise aus einem transparenten adhäsiven Harz bestehen). Genauer gesagt befestigt die transparente adhäsive Schicht 400 die zweite anorganische Schicht 173 des unteren Substrats 111 mit der zweiten Elektrode 360 und der Elektronentransportschicht 350 des oberen Substrats 112 derart, dass hierdurch das untere Substrat 111 und das obere Substrat 112 miteinander verbunden (beispielsweise aneinander gebondet, beispielsweise aneinander befestigt) werden.
  • Die erste Elektrode 310 kann durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch (beispielsweise mittels des leitfähigen adhäsiven Bauteils 410) mit der Verbindungsleitung (LL), die in dem unteren Substrat 111 bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet) wird, verbunden werden. Das leitfähige adhäsive Bauteil 410 kann eine anisotrope leitfähigen Folie (beispielsweise eine anisotrope leitfähige Schicht, beispielsweise ein anisotroper leitfähiger Film) oder anisotrope leitfähige Paste sein (beispielsweise aus diesen bestehen). Zugunsten einer erleichterten Erklärung zeigt 8H nur, dass die erste Elektrode 310 durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch (beispielsweise mittels des leitfähigen adhäsiven Bauteils 410) mit der Verbindungsleitung (LL) des unteren Substrats 111 verbunden wird. In der gleichen Weise wie die erste Elektrode 310 kann die zweite Elektrode 360 ebenso durch das leitfähige adhäsive Bauteil 410 hindurch (beispielsweise mittels des leitfähigen adhäsiven Bauteils 410) mit einer anderen Verbindungsleitung des unteren Substrats 111 verbunden werden.
  • Mittels Zusammenfassung und Rückblick werden die erste Elektrode 310, die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 und die zweite Elektrode 360 auf dem oberen Substrat 112 der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bereitgestellt (beispielsweise gebildet, beispielsweise angeordnet). Als ein Ergebnis davon kann das Loch und Elektron, die mittels Absorption von Sonnenstrahlung in der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 erzeugt werden, der ersten Elektrode 310 bzw. der zweiten Elektrode 360 derart bereitgestellt (beispielsweise diesen entsprechend zugeführt) werden, dass es möglich ist, die zweite Batterie 60 aufzuladen. Folglich kann die Energie, die mittels der Sonnenstrahlung erzeugt wird, als Hilfsenergie (beispielsweise als zusätzliche Energie, beispielsweise als zusätzliche Energie einer Hilfs-Energiequelle) verwendet werden.
  • Ebenso wird das externe Licht (beispielsweise das von außen einfallende Licht) in der ersten organischen Solarzellschicht 331, zweiten organischen Solarzellschicht 332 und dritten organischen Solarzellschicht 333 der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung absorbiert. Als ein Ergebnis ist es möglich zu verhindern, dass die Sichtbarkeit mittels der Reflexion von externem Licht (beispielsweise von von außen einfallendem Licht) in dem Top-Emissions-Verfahren verringert wird. Ebenso gibt es keine Notwendigkeit, eine polarisierende Platte (beispielsweise eine polarisierende Schicht, beispielsweise eine Polarisationsschicht), die zum Reduzieren der Reflexion von externem Licht bereitgestellt (beispielsweise gebildet) wird, an dem oberen Substrat 112 zu befestigen.
  • Ebenso werden die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 in Bereichen angeordnet (beispielsweise gebildet, beispielsweise abgeschieden), die dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entsprechen, und die entsprechende erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 weisen die unterschiedlichen Lichtabsorptions-Wellenlängenbereiche und Lichttransmissions-Wellenlängenbereiche auf. Als ein Ergebnis dienen (beispielsweise wirken) die erste organische Solarzellschicht 331, zweite organische Solarzellschicht 332 und dritte organische Solarzellschicht 333 als die Farbfilter.

Claims (7)

  1. Eine Anzeigevorrichtung, aufweisend: lichtemittierende Bereiche (RE, GE, BE), die auf einem unteren Substrat (111) bereitgestellt sind; und eine Solarzellschicht (300), die auf einem oberen Substrat (112), das dem unteren Substrat (111) gegenüberliegend angeordnet ist, bereitgestellt ist und die bereitgestellt ist, mittels Absorbierens von Licht Energie zu erzeugen, wobei die lichtemittierenden Bereiche (RE, GE, BE) einen ersten lichtemittierenden Bereich (RE), einen zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) und einen dritten lichtemittierenden Bereich (BE) aufweisen, und wobei die Solarzellschicht (300) aufweist: eine erste Elektrode (310), die auf dem oberen Substrat (112) auf einer gesamten Oberfläche eines Anzeigebereichs (DA) des unteren Substrats (111) bereitgestellt ist; eine Löcher-Transportschicht (320), die auf der ersten Elektrode (310) auf der gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs (DA) bereitgestellt ist; eine erste organische Solarzellschicht (331), eine zweite organische Solarzellschicht (332) und eine dritte organische Solarzellschicht (333), die auf der Löchertransportschicht (320) in Bereichen angeordnet sind, die dem ersten lichtemittierenden Bereich (RE), dem zweiten lichtemittierenden Bereich (GE) respektive dem dritten lichtemittierenden Bereich (BE) entsprechen; eine Schwarzmatrix (340), die auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) und dritten organischen Solarzellschicht (333) bereitgestellt ist und auf Kanten der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) respektive dritten organischen Solarzellschicht (333) angeordnet ist; eine Elektronentransportschicht (350), die auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), der zweiten organischen Solarzellschicht (332), der dritten organischen Solarzellschicht (333) und der Schwarzmatrix (340) bereitgestellt ist; und eine zweite Elektrode (360), die auf der Elektronentransportschicht (350) bereitgestellt ist und in den Bereichen, die der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) respektive dritten organischen Solarzellschicht (333) entsprechen, angeordnet ist.
  2. Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die erste organische Solarzellschicht (331), zweite organische Solarzellschicht (332) und dritte organische Solarzellschicht (333) unterschiedliche Lichtabsorptions-Wellenlängenbereiche aufweisen.
  3. Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die erste organische Solarzellschicht (331), zweite organische Solarzellschicht (332) und dritte organische Solarzellschicht (333) unterschiedliche Lichttransmissions-Wellenlängenbereiche aufweisen.
  4. Die Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sowohl die erste Elektrode (310) als auch die zweite Elektrode (360) mittels eines leitfähigen adhäsiven Bauteils (410) mit einer auf dem unteren Substrat (111) bereitgestellten Verbindungsleitung (LL) elektrisch verbunden sind.
  5. Die Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei jeder der ersten lichtemittierenden Bereiche (RE), zweiten lichtemittierenden Bereiche (GE) und dritten lichtemittierenden Bereiche (BE) eine organische lichtemittierende Vorrichtung aufweist, wobei die organische lichtemittierende Vorrichtung aufweist: eine Anodenelektrode (251); eine organische lichtemittierende Schicht (253), die auf der Anodenelektrode (251) bereitgestellt ist; und eine Kathodenelektrode (254), die auf der organischen lichtemittierenden Schicht (253) bereitgestellt ist.
  6. Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 5, ferner aufweisend: eine Verkapselungsschicht (260) zum Bedecken der Kathodenelektrode (254); und eine Adhäsionsschicht (400), die zwischen der Verkapselungsschicht (260) und der Solarzellschicht (300) bereitgestellt ist.
  7. Ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, aufweisend: Bilden lichtemittierender Bereiche (RE, GE, BE) zum Emittieren von vorher festgelegtem Licht auf einem unteren Substrat (111); Bilden einer ersten Elektrode (310) auf einem oberen Substrat (112), das dem unteren Substrat (111) gegenüberliegend angeordnet wird; Bilden einer Löcher-Transportschicht (320) auf der ersten Elektrode (310); Bilden einer ersten organischen Solarzellschicht (331), einer zweiten organischen Solarzellschicht (332) und einer dritten organischen Solarzellschicht (333) auf der Löcher-Transportschicht (320); Bilden einer Schwarzmatrix (340) auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) und dritten organischen Solarzellschicht (333), wobei die Schwarzmatrix (330) auf Kanten der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) respektive dritten organischen Solarzellschicht (333) angeordnet ist; Bilden einer Elektronentransportschicht (350) auf der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) und dritten organischen Solarzellschicht (333) und der Schwarzmatrix (340); und Bereitstellen einer zweiten Elektrode (360) auf der Elektronentransportschicht (350), wobei die zweite Elektrode (360) in Bereichen angeordnet ist, die der ersten organischen Solarzellschicht (331), zweiten organischen Solarzellschicht (332) und dritten organischen Solarzellschicht (333) entsprechen.
DE102016123001.4A 2015-11-30 2016-11-29 Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben Active DE102016123001B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0169355 2015-11-30
KR1020150169355A KR101730537B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 표시장치와 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016123001A1 DE102016123001A1 (de) 2017-06-01
DE102016123001B4 true DE102016123001B4 (de) 2021-01-21

Family

ID=58073226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016123001.4A Active DE102016123001B4 (de) 2015-11-30 2016-11-29 Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10141375B2 (de)
KR (1) KR101730537B1 (de)
CN (1) CN107017280B (de)
DE (1) DE102016123001B4 (de)
GB (1) GB2545097B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152257A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6595444B2 (ja) * 2016-08-31 2019-10-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
KR20180100013A (ko) 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6633716B1 (ja) * 2018-10-26 2020-01-22 株式会社Joled 有機el素子及び有機el素子の製造方法、並びに有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機el表示装置、電子機器
CN109713025A (zh) * 2019-02-12 2019-05-03 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109841758B (zh) * 2019-03-29 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN112447791A (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 北京小米移动软件有限公司 显示面板及终端设备
CN110718581B (zh) * 2019-11-20 2022-06-03 西华大学 一种oled显示模组以及制备方法
KR20210076293A (ko) * 2019-12-13 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN117255588A (zh) * 2023-11-17 2023-12-19 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120187394A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Device, Light-Emitting Device, Lighting Device, and Electronic Appliance

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0169355B1 (ko) 1995-01-06 1999-03-20 김광호 백라이트를 장착한 액정 표시장치
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
US7498084B2 (en) 2001-09-05 2009-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Macromolecular structure, functional device having the same, transistor, and display apparatus using the same
EP1760798B1 (de) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiteranordnung und deren Herstellungsverfahren
US8044390B2 (en) * 2007-05-25 2011-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display
US8294858B2 (en) 2009-03-31 2012-10-23 Intel Corporation Integrated photovoltaic cell for display device
CN101577313A (zh) * 2009-06-19 2009-11-11 吉林大学 反型结构聚合物太阳能电池及其制备方法
US8629472B2 (en) * 2010-12-02 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
DE102012203637B4 (de) * 2012-03-08 2020-06-04 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements
CN102540565B (zh) 2012-03-20 2015-04-08 友达光电(苏州)有限公司 具有太阳能电池功能的彩色滤光基板及显示面板
JP5591860B2 (ja) * 2012-03-28 2014-09-17 株式会社東芝 有機半導体およびそれを用いた太陽電池
KR101946391B1 (ko) * 2012-05-31 2019-02-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9362522B2 (en) * 2012-10-26 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for bonding substrates, method for manufacturing sealing structure, and method for manufacturing light-emitting device
KR102160829B1 (ko) * 2012-11-02 2020-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 밀봉체의 제작 방법
KR101976829B1 (ko) * 2012-12-21 2019-05-13 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
JP6194233B2 (ja) * 2013-01-08 2017-09-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
US8981374B2 (en) * 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102037377B1 (ko) * 2013-04-15 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102292148B1 (ko) * 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
JP6596224B2 (ja) * 2014-05-02 2019-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び入出力装置
JP2015228367A (ja) * 2014-05-02 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、入出力装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) * 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR20170066340A (ko) * 2014-09-30 2017-06-14 도레이 카부시키가이샤 디스플레이용 지지 기판, 그것을 이용한 컬러 필터 및 그 제조 방법, 유기 el 소자 및 그 제조 방법, 및 플렉시블 유기 el 디스플레이
KR102500994B1 (ko) * 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102456654B1 (ko) * 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US20170084248A1 (en) * 2015-09-22 2017-03-23 Pixtronix, Inc. Systems and methods for improving angular distribution of light and total light throughput in a display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120187394A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Device, Light-Emitting Device, Lighting Device, and Electronic Appliance

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016123001A1 (de) 2017-06-01
CN107017280A (zh) 2017-08-04
GB2545097B (en) 2019-11-06
US20170154927A1 (en) 2017-06-01
US10141375B2 (en) 2018-11-27
US10741612B2 (en) 2020-08-11
GB2545097A (en) 2017-06-07
GB201620354D0 (en) 2017-01-11
US20190051704A1 (en) 2019-02-14
CN107017280B (zh) 2020-09-08
KR101730537B1 (ko) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016123001B4 (de) Anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
DE102016125807B4 (de) Optisches Element zum Verbessern der Leuchtdichte und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung mit demselben
DE102016111712B4 (de) Biegsame organische lichtemitierende Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018130713B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE102019120006A1 (de) Dehnbare Anzeigetafel und dehnbare Anzeigevorrichtung, die sie enthält
DE102019132961A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018132477A1 (de) Flexible anzeigevorrichtung und rollbare anzeigevorrichtung mit derselben
DE102018128492B4 (de) Organische leuchtdioden-anzeige
DE102018132095A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE112015000866T5 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Ablöseverfahren
DE112015001780B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102016125743A1 (de) Organische Licht emittierende Anzeigetafel und organische Licht emittierende Anzeigevorrichtung
DE102019117932A1 (de) Organische lichtemittierende mehrtafel-anzeigevorrichtung
DE102015119183A1 (de) Organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE102020135114A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung und damit versehene Mehrbildschirmanzeigevorrichtung
DE102010013262A1 (de) Integrierte photovoltaische Zelle für ein Anzeigegerät
DE102020133363B4 (de) Anzeigetafel und damit versehene Anzeigevorrichtung
DE102019120820B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018128483A1 (de) Anzeigevorrichtung und aufrollbares Anzeigesystem
DE102020122038A1 (de) Faltrahmen und faltbare anzeige
DE102019135199A1 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102020117502A1 (de) Lichtdurchlässige anzeigevorrichtung
DE102022129098A1 (de) Lichtemittierende anzeigevorrichtung und mehrbildschirmanzeigevorrichtung, welche dieselbe aufweist
DE102021006461A1 (de) Anzeigegerät und dasselbe aufweisendes multi-screen-anzeigegerät
DE102021115479A1 (de) Flexible anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027320000

Ipc: H10K0059000000