DE102018129923B4 - Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung sowie Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

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Abstract

Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (10), aufweisend:eine Niederpegel-Spannungsleitung (VSS), die so eingerichtet ist, dass sie eine Niederpegel-Spannung (EVSS) empfängt;eine Mehrzahl von Isolierschichten (PAS, OC), die über der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) liegen;eine Hilfselektrode (AE), die auf einer obersten Isolierschicht (OC) von den Isolierschichten (PAS, OC) liegt und durch die Isolierschichten (PAS, OC) hindurch gebildet und elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) verbunden ist;eine Dammschicht (BN), die über der Hilfselektrode (AE) liegt und einen Lichtemissionsbereich definiert, dort wo sich eine organische Leuchtdiode (OLED) befindet; unddie Kathode (CAT) der organischen Leuchtdiode (OLED), die auf der Dammschicht (BN) liegt und zumindest die Seite der Hilfselektrode (AE) kontaktiert;wobei die Isolierschichten (PAS, OC) aufweisen:eine Passivierungsschicht (PAS), die über der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) liegt; undeine Planarisierungsschicht (OC), die die Passivierungsschicht (PAS) bedeckt,wobei die Dammschicht (BN) über der Planarisierungsschicht (OC) liegt, um einen Teil des Endes der Hilfselektrode (AE) freizulassen;wobei die organische Leuchtdiode (OLED) ferner eine Anode (ANO) aufweist, die auf der Planarisierungsschicht (OC) liegt,wobei die Hilfselektrode (AE) aus dem gleichen Material wie die Anode (ANO) besteht;wobei die organische Leuchtdiode (OLED) ferner eine organische Emissionsschicht (OL) aufweist, die die Anode (ANO) und die Dammschicht (BN) abdeckt und unter der Kathode (CAT) liegt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Artverwandte Technik
  • Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen, die eine Art von Flachbildschirmen darstellen, sind selbstleuchtende Anzeigen, die durch Anregung organischer Verbindungen Licht emittieren. Im Gegensatz zu LCDs arbeiten die organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen ohne Hintergrundbeleuchtung; daher können organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen leichter und dünner sein und in einem vereinfachten Verfahren hergestellt werden. Die organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen sind weit verbreitet, da sie bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden können, eine kurze Ansprechzeit von 1ms oder weniger haben und einen geringen Energieverbrauch, einen großen Betrachtungswinkel sowie einen hohen Kontrast bieten.
  • In einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung weist eine organische Leuchtdiode eine Anode, die eine zu einer Daten-Spannung proportionale Spannung empfängt, und eine Kathode auf, die eine Niederpegel-Spannung empfängt und als Reaktion auf einen Ansteuerstrom, der zwischen der Anode und der Kathode fließt, Licht emittiert. Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung zeigt Helligkeit proportional zu einem Ansteuerstrom an, und der Ansteuerstrom ist proportional zu dem Spannungswert über Anode und Kathode. Die Kathode in jedem Pixel, das eine organische Leuchtdiode aufweist, kann als transparente Elektrode ausgeführt sein, die an der Vorderseite eines Substrats angeordnet ist. In diesem Fall empfängt die Kathode eine Niederpegel-Spannung durch eine Kontaktstelle, die sich am Rand eines Anzeigefeldes befindet. Somit variiert der an die Kathode angelegte Spannungspegel mit der Position des Pixels aufgrund eines Spannungsabfalls. Infolgedessen zeigen selbst Pixel, die dieselbe Daten-Spannung empfangen, Abweichungen in der Helligkeit in Abhängigkeit von ihrer Position auf dem Anzeigefeld.
  • Eine weitere Gestaltung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung und eines Herstellungsverfahrens dafür ist in der EP 2 996 151 A1 offenbart.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereit, aufweisend: eine Niederpegel-Spannungsleitung, die so eingerichtet ist, dass sie eine Niederpegel-Spannung empfängt; eine Mehrzahl von Isolierschichten, die über der Niederpegel-Spannungsleitung liegen; eine Hilfselektrode, die auf einer obersten Isolierschicht von den Isolierschichten liegt und durch die Isolierschichten hindurch gebildet und elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung verbunden ist; eine Dammschicht, die über der Hilfselektrode liegt und einen Lichtemissionsbereich definiert, dort wo sich eine organische Leuchtdiode befindet; und die Kathode der organischen Leuchtdiode, die auf der Dammschicht liegt und zumindest die Seite der Hilfselektrode kontaktiert.
  • Die Isolierschichten weisen auf: eine Passivierungsschicht, die über der Niederpegel-Spannungsleitung liegt; und eine Planarisierungsschicht, die die Passivierungsschicht bedeckt, wobei die Dammschicht über der Planarisierungsschicht liegt, um einen Teil des Endes der Hilfselektrode freizulassen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Kathode mit der Seite eines vorstehenden Abschnitts verbunden, dort wo die Hilfselektrode von der Dammschicht vorsteht.
  • Die organische Leuchtdiode weist weiterhin eine Anode auf, die auf der Planarisierungsschicht liegt, wobei die Hilfselektrode aus dem gleichen Material wie die Anode besteht.
  • Die organische Leuchtdiode weist des Weiteren eine organische Emissionsschicht auf, die die Anode und die Dammschicht bedeckt und unter der Kathode liegt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen befindet sich die Niederpegel-Spannungsleitung in dem Lichtemissionsbereich. Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Herstellungsverfahren für eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereit, wobei das Verfahren aufweist: Bilden einer Mehrzahl von Isolierschichten über einer Niederpegel-Spannungsleitung, die eine Niederpegel-Spannung empfängt; Ausbilden einer Hilfselektrode, die durch die Isolierschichten hindurch gebildet und elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung verbunden ist; Ausbilden einer Dammschicht über der Hilfselektrode, um einen Lichtemissionsbereich zu definieren, in dem sich die organische Leuchtdiode befindet; und Ausbilden der Kathode der organischen Leuchtdiode, die die Dammschicht bedeckt und zumindest die Seite der Hilfselektrode kontaktiert.
  • Das Ausbilden der Isolierschichten weist auf: Bilden einer Passivierungsschicht über der Niederpegel-Spannungsleitung; und bilden einer Planarisierungsschicht auf der Passivierungsschicht, wobei die Dammschicht auf der Planarisierungsschicht gebildet wird, um einen Teil des Endes der Hilfselektrode freizulassen.
  • Das Verfahren weist ferner auf: Bilden der Anode der organischen Leuchtdiode auf der Planarisierungsschicht unter Verwendung des gleichen Materials wie für die Hilfselektrode vor dem Bilden der Kathode; und Bilden einer organischen Emissionsschicht der organischen Leuchtdiode, um die Anode und die Dammschicht zu bedecken.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen wird die Kathode unter Verwendung eines transparenten Metallmaterials mit besserer Stufenabdeckung als die organische Emissionsschicht gebildet.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu ermöglichen und in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen:
    • 1 ist eine Ansicht, die den Aufbau einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zeigt;
    • 2 ist eine Ansicht, die schematisch die den Aufbau eines Pixels zeigt;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; und
    • 4 bis 6 sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren für eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • BESCHREIBUNG BEISPIELHAFTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. In der gesamten Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugszeichen im Wesentlichen gleiche Komponenten. Bei der Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird eine detaillierte Beschreibung bekannter Funktionen oder Anordnungen, die sich auf die vorliegende Erfindung beziehen, weggelassen, wenn davon ausgegangen wird, dass sie den Gegenstand der vorliegenden Erfindung unnötig unklar macht. Bei der Beschreibung verschiedener beispielhafter Ausführungsformen werden Beschreibungen von gleichen oder ähnlichen Komponenten am Anfang erfolgen, in weiteren beispielhaften Ausführungsformen jedoch weggelassen.
  • Obwohl Begriffe, die Ordnungszahlen wie „erste“ und „zweite“ enthalten, zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden können, sind die Komponenten nicht durch die Begriffe beschränkt. Die Begriffe werden nur verwendet, um eine Komponente von anderen Komponenten zu unterscheiden. 1 ist eine Ansicht, die die Anordnung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zeigt. 2 ist eine Ansicht, die schematisch den Aufbau eines Pixels von 1 zeigt.
  • Mit Bezug auf 1 weist eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Erfindung eine Anzeigetreiberschaltung und ein Anzeigefeld DIS auf.
  • Die Anzeigetreiberschaltung weist einen Daten-Treiberschaltkreis 12, einen Gate-Treiberschaltkreis 14 und eine Taktsteuerung 16 auf, und schreibt eine Video-Datenspannung eines Eingangsbildes in die Pixel auf dem Anzeigefeld DIS. Der Daten-Treiberschaltkreis 12 wandelt von der Taktsteuerung 16 empfangene digitale Videodaten RGB in eine analoge gamma-kompensierte Spannung um und erzeugt eine Datenspannung. Die von dem Daten-Treiberschaltkreis 12 ausgegebene Datenspannung wird den Daten-Leitungen D1 bis Dm zugeführt. Der Gate-Treiberschaltkreis 14 liefert sequentiell ein mit der Datenspannung synchronisiertes Gate-Signal an die Gate-Leitungen G1 bis Gn und wählt Pixel aus dem Anzeigefeld DIS zum Schreiben der Datenspannung aus.
  • Die Taktsteuerung 16 empfängt Taktsignale wie ein Vertikal-Synchronisationssignal Vsync, ein Horizontal-Synchronisationssignal Hsync, ein Daten-Freigabesignal DE, einen Haupttakt MCLK usw. von einem Host-System 19 und synchronisiert die Ablaufzeiten des Daten-Treiberschaltkreises 12 und des Gate-Treiberschaltkreises 14. Datentaktsteuersignale zum Steuern des Daten-Treiberschaltkreises 12 umfassen einen Quellen-Abtasttakt SSC, ein Quellen-Ausgangsfreigabesignal SOE, usw.. Gate-Zeitsteuersignale zum Steuern des Gate-Treiberschaltkreises 14 umfassen einen Gate-Startimpuls GSP, einen Gate-Schiebe-Takt GSC, ein Gate-Ausgangsfreigabesignal GOE, usw..
  • Das Host-System 19 kann als eines der folgenden realisiert sein: ein Fernsehsystem, eine Set-Top-Box, ein Navigationssystem, ein DVD-Player, ein Blue-Ray-Player, ein Personal-Computer-PC, ein Heimkinosystem und ein Telefonsystem. Das Host-System 19 weist ein System-on-Chip (SoC) mit einem eingebauten Skalierer auf und konvertiert digitale Videodaten RGB eines Eingangsbildes in ein Format, das zur Anzeige auf dem Anzeigefeld DIS geeignet ist. Das Host-System 19 überträgt die Taktsignale Vsync, Hsync, DE und MCLK zusammen mit den digitalen Videodaten an die Taktsteuerung 16.
  • Das Anzeigefeld DIS weist Pixel P auf, die durch die Daten-Leitungen D1 bis Dm (m ist eine positive ganze Zahl) und die Gate-Leitungen G1 bis Gn (n ist eine positive ganze Zahl) definiert sind. Jedes Pixel P weist eine organische Leuchtdiode auf, die ein selbstleuchtendes Element ist.
  • Wie in 2 gezeigt, weist jedes Pixel P eine organische Leuchtdiode OLED, einen Treibertransistor DT, der die in der organischen Leuchtdiode OLED fließende Strommenge steuert, und ein Programmier-Teil SC auf, das den Betrieb des Treibertransistors DT steuert. Der Programmier-Teil SC besteht aus einem oder mehreren Transistoren und einem oder mehreren Kondensatoren und steuert Spannungen an Primärknoten, beispielsweise der Gate- und Source-Elektroden des Treibertransistors DT. In einem Beispiel schreibt das Programmier-Teil SC eine von einer Daten-Leitung D empfangene Datenspannung als Reaktion auf einen Gate-Impuls, der an einer Gate-Leitung G angelegt wird. Der Treibertransistor DT liefert einen Treiberstrom zu der organischen Leuchtdiode OLED, der proportional zu der Höhe der Datenspannung ist, mit der in den Programmier-Teil SC geschrieben wird. Die organische Leuchtdiode OLED emittiert Licht proportional zu der Höhe des von dem Treibertransistor DT zugeführten Treiberstroms. Die organische Leuchtdiode OLED weist eine Anode ANO, eine Kathode CAT und eine organische Verbindungsschicht auf, die zwischen der Anode ANO und der Kathode CAT angeordnet ist. Die Anode ANO ist mit dem Treibertransistor DT verbunden.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Mit Bezug auf 3 umfasst die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung Transistoren T, die auf einem Substrat SUB gebildet sind, und organische Leuchtdioden OLED.
  • Das Substrat SUB kann aus Glas oder Kunststoff bestehen. Beispielsweise kann das Substrat SUB aus einem Kunststoffmaterial wie PI (Polyimid), PET (Polyethylenterephthalat), PEN (Polyethylennaphthalat) und PC (Polycarbonat) hergestellt sein und Flexibilität aufweisen. Auf dem Substrat SUB befinden sich eine Lichtsperrschicht LS und eine Niederpegel-Spannungsleitung VSS. Die Lichtsperrschicht LS ist so angeordnet, dass sie mit einer Halbleiterschicht, insbesondere dem Kanal, des Transistors T auf der Ebene überlappt, und dazu dient, Oxid-Halbleiterbauelemente vor externem Licht zu schützen.
  • Eine Pufferschicht BUF befindet sich auf dem Substrat SUB, um die Lichtsperrschicht LS und die Niederpegel-Spannungsleitung VSS zu bedecken. Die Pufferschicht BUF dient dazu, aus dem Substrat SUB diffundierte Ionen oder Verunreinigungen zu blockieren und das Eindringen von Feuchtigkeit von außen zu verhindern.
  • Auf der Pufferschicht BUF befindet sich eine Halbleiterschicht ACT. Eine Isolierschicht, die auf der Pufferschicht BUF ausgebildet ist, um die Halbleiterschicht ACT zu bedecken, ist so strukturiert, dass sich eine Gate-Isolierschicht GI dort befindet, wo eine Gate-Elektrode GE ausgebildet ist. Die Gate-Isolierschicht GI dient zum Isolieren der Gate-Elektrode GE und kann aus einer Siliziumoxidschicht SiOx bestehen.
  • Die Gate-Elektrode GE befindet sich auf der Gate-Isolierschicht GI. Die Gate-Elektrode GE ist so angeordnet, dass sie der Halbleiterschicht ACT gegenüberliegt, wobei sich die Gate-Isolationsschicht GI dazwischen befindet. Die Gate-Elektrode GE kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten bestehen, die aus einem Element der Gruppe bestehend aus Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Tantal (Ta) und Wolfram (W) oder einer Kombination daraus gemacht sind. Eine Zwischen-Isolierschicht IN ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet, um die Gate-Elektrode zu überdecken. Die Zwischen-Isolierschicht IN dient zum Isolieren der Gate-Elektrode GE und der Source- und Drain-Elektroden SE und DE und kann aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder mehreren Schichten davon bestehen.
  • Die Source- und Drain-Elektroden SE und DE und ein zweiter Hilfsverbindungsabschnitt CN2 sind über der Zwischen-Isolierschicht IN angeordnet. Die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE sind um einen vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet. Die Source-Elektrode SE kommt mit einer Seite der Halbleiterschicht ACT über ein Source-Kontaktloch in Kontakt, das durch die Zwischen-Isolierschicht IN hindurch gebildet ist. Die Drain-Elektrode DE kommt mit der anderen Seite der Halbleiterschicht ACT über ein durch die Zwischen-Isolierschicht IN hindurch gebildetes Drain-Kontaktloch in Kontakt. Die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE können aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten bestehen. Wenn die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE aus einer einzigen Schicht bestehen, können sie aus einem Element der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan bestehen (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu) oder eine Kombination davon, gemacht sein. Wenn die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE aus mehreren Schichten bestehen, können sie aus zwei Schichten aus Molybdän/Aluminium-Neodym, Molybdän/Aluminium, Titan/Aluminium oder Kupfer/Molytitan oder aus drei Schichten aus Molybdän/Aluminium-Neodym/Molybdän, Molybdän/Aluminium/Molybdän, Titan/Aluminium/Titan oder Molytitan/Kupfer/Molytitan zusammengesetzt sein.
  • Der zweite Hilfsverbindungsabschnitt CN2 ist mit dem ersten Hilfsverbindungsabschnitt CN1 verbunden. Auch ist der zweite Hilfsverbindungsabschnitt CN2 durch die Pufferschicht BUF und die Zwischen-Isolierschicht IN hindurch gebildet und mit der Niederpegel-Spannungsleitung VSS verbunden.
  • Die Halbleiterschicht ACT, die Gate-Elektrode GE und die Source- und Drain-Elektroden SE und DE bilden den Transistor T.
  • Eine Passivierungsschicht PAS ist so angeordnet, dass sie den Transistor T und den zweiten Hilfsverbindungsabschnitt CN2 bedeckt. Die Passivierungsschicht PAS dient zum Schutz des Transistors T und kann aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder mehreren Schichten davon bestehen.
  • Auf der Passivierungsschicht PAS liegt eine Planarisierungsschicht OC. Die Planarisierungsschicht OC dient zum Ausgleich der Höhenunterschiede in der darunterliegenden Struktur und kann aus einem organischen Material wie Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz oder Acrylatharz bestehen. Bei Bedarf kann entweder die Passivierungsschicht PAS oder die Planarisierungsschicht OC weggelassen werden.
  • Die Anode ANO und eine Hilfselektrode AE sind auf der Planarisierungsschicht OC angeordnet.
  • Die Anode ANO ist mit der Drain-Elektrode DE des Transistors T über ein Kontaktloch verbunden, das durch die Passivierungsschicht PAS und die Planarisierungsschicht OC hindurch gebildet ist. Die Hilfselektrode AE ist mit dem zweiten Hilfsverbindungsabschnitt CN2 über ein Kontaktloch verbunden, das durch die Passivierungsschicht PAS hindurch gebildet ist. Die Hilfselektrode AE kann aus demselben Material auf derselben Schicht wie die Anode ANO hergestellt sein. In diesem Fall ist es nicht erforderlich, einen separaten Prozess zum Bilden der Hilfselektrode AE durchzuführen, wodurch die Herstellungszeit und Kosten reduziert werden.
  • Eine Dammschicht BN, die den Rand des Pixels P definiert, liegt auf dem Substrat, dort wo die Anode ANO und die Hilfselektrode AE ausgebildet sind. Die Dammschicht BN kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Benzocyclobutenharz oder Acrylatharz bestehen.
  • Die Dammschicht BN kann angeordnet sein, um die Mitte der Anode ANO freizulassen und die Seitenkante der Anode ANO zu bedecken. Es ist wünschenswert, dass die Anode ANO so ausgelegt ist, dass sie eine möglichst große freiliegende Fläche aufweist, um ein ausreichend hohes Öffnungsverhältnis sicherzustellen. Darüber hinaus bedeckt die Dammschicht BN den oberen Bereich der Hilfselektrode AE, lässt aber das Ende der Hilfselektrode AE frei. Als Ergebnis hat die Hilfselektrode AE einen hervorstehenden Abschnitt ed, der nicht von der Dammschicht BN bedeckt ist.
  • Eine organische Emissionsschicht OL ist so angeordnet, dass sie die Anode ANO und die Dammschicht BN bedeckt. Auch bedeckt die organische Emissionsschicht OL die Seite der Dammschicht BN und steht mit der Oberseite des vorstehenden Abschnitts ed der Hilfselektrode AE in Kontakt. Darüber hinaus liegt die Kathode CAT über der organischen Emissionsschicht OL. Die Kathode CAT kann breit über die gesamte Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet sein. Die Kathode CAT kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) gebildet sein und kann aus Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Aluminium (Al), Silber (Ag) oder einer Legierung daraus bestehen, die dünn genug ist, um Licht durchzulassen.
  • Die Kathode CAT ist auf der organischen Emissionsschicht OL angeordnet und kontaktiert die Seite des vorstehenden Abschnitts ed der Hilfselektrode AE.
  • Wie zuvor erläutert wurde, ist die Hilfselektrode AE über ein Kontaktloch, das durch die Passivierungsschicht PAS hindurch gebildet ist, mit dem zweiten Hilfsverbindungsabschnitt CN2 verbunden. Der zweite Hilfsverbindungsabschnitt CN2 ist über den ersten Hilfsverbindungsabschnitt CN1 elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung VSS verbunden. Die Niederpegel-Spannungsleitung VSS empfängt eine Niederpegel-Spannung EVSS. Als Ergebnis empfängt die Kathode CAT die Niederpegel-Spannung EVSS von der Niederpegel-Spannungsleitung VSS durch die Hilfselektrode AE.
  • Im Allgemeinen ist die Kathode CAT über die gesamte Oberfläche des Anzeigefeldes DIS ausgebildet, und die Niederpegel-Spannung EVSS, die über eine an der Außenkante des Anzeigefeldes DIS angeordnete Kontaktstelle (nicht gezeigt) zugeführt wird, wird jedem Pixel P zugeleitet. Da sich die Kontaktstelle am Rand des Anzeigefeldes DIS befindet, variiert die Niederpegel-Spannung EVSS, die jedes Pixel von der Kathode CAT empfängt. Die Spannungsänderung der Kathode CAT bewirkt eine Helligkeitsänderung. Im Gegensatz dazu empfängt bei der vorliegenden Erfindung der Pixel-Bereich P eine zusätzliche Niederpegel-Spannung EVSS durch die Hilfselektrode AE, die mit der Niederpegel-Spannungsleitung VSS verbunden ist. Infolgedessen kann das Problem der Ungleichmäßigkeit der Helligkeit, das durch die Verschiedenheit der Niederpegel-Spannung EVSS zwischen den Pixeln P verursacht wird, verbessert werden.
  • Insbesondere erfordert die vorliegende Erfindung weder einen zusätzlichen Prozess noch eine zusätzliche Struktur zum Verbinden der Kathode CAT mit der Hilfselektrode AE. Durch Nutzung der strukturellen Eigenschaften der Dammschicht BN, die die Ränder zwischen den Pixeln P und der Hilfselektrode AE definiert, sowie des Unterschieds in der Stufenabdeckung zwischen der organischen Emissionsschicht OL und dem Material der Kathode CAT, kann die vorliegende Erfindung die Kathode CAT mit der Hilfselektrode AE zusammenbringen. In der vorliegenden Erfindung wird keine zusätzliche Struktur auf der Planarisierungsschicht OC gebildet, um die Kathode CAT und die Hilfselektrode AE zu verbinden; somit ist es möglich, eine Verringerung der Lichtemissionsfläche wegen einer Struktur zum Verbinden der Hilfselektrode AE und der Kathode CAT zu verhindern.
  • Ein Verfahren zum Bilden einer Kathode gemäß der vorliegenden Erfindung wird in spezifischen Details beschrieben.
  • 4 bis 6 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Bilden einer Kathode gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Mit Bezug auf 4 wird die Planarisierungsschicht OC auf der Passivierungsschicht PAS gebildet, nachdem die Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist, um den zweiten Hilfsverbindungsabschnitt CN2 zu bedecken. Anschließend wird durch die Planarisierungsschicht OC und die Passivierungsschicht PAS hindurch ein Kontaktloch gebildet, und die Hilfselektrode AE wird so ausgebildet, dass sie das Kontaktloch ausfüllt. Die Hilfselektrode AE kann aus demselben Material in demselben Prozess wie die Anode ANO gebildet sein, die über der Planarisierungsschicht OC liegt.
  • Die Dammschicht BN ist so ausgebildet, dass sie das Ende der Anode ANO und der Hilfselektrode AE bedeckt. Die Dammschicht BN bedeckt die Hilfselektrode AE nicht vollständig, sondern lässt das Ende der Hilfselektrode AE frei. Als Ergebnis hat das Ende der Hilfselektrode AE einen hervorstehenden Abschnitt ed, der von der Dammschicht BN bloßgestellt ist.
  • Mit Bezug auf 5 ist die organische Emissionsschicht OL so ausgebildet, dass sie die Dammschicht BN bedeckt. Die organische Emissionsschicht OL weist eine Emissionsschicht auf, die aus einem Material besteht, das rotes, grünes oder blaues Licht emittiert. Die Emissionsschicht kann aus einem phosphoreszierenden oder fluoreszierenden Material hergestellt sein. Auf oder unter der Emissionsschicht kann eine Loch-Injektionsschicht, eine Loch-Transportschicht, eine Elektronen-Transportschicht oder eine Elektronen-Injektionsschicht ausgebildet sein. Die Loch-Injektionsschicht, Loch-Transportschicht, Elektronen-Transportschicht oder Elektronen-Injektionsschicht kann unter Verwendung eines oder mehrerer organischer Materialien hergestellt sein. Die organischen Materialien, die die organische Emissionsschicht OL bilden, haben schlechte Stufenabdeckungs-Eigenschaften. Daher ist die organische Emissionsschicht OL so angeordnet, dass sie die Oberseite der Dammschicht BN und die Oberseite des vorstehenden Abschnitts ed bedeckt.
  • Mit Bezug auf 6 wird die Kathode CAT gebildet, nachdem die organische Emissionsschicht OL gebildet ist. Die Kathode CAT kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) gebildet sein und kann aus Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Aluminium (Al), Silber (Ag) bestehen, oder einer Legierung davon, die dünn genug ist, um Licht durchzulassen. Die Kathode CAT kann unter Verwendung eines Sputterprozesses gebildet werden. Die für die Kathode CAT verwendeten Metallmaterialien haben im Gegensatz zu der organischen Emissionsschicht OL gute Abdeckungseigenschaften. Somit wird die Kathode CAT so abgeschieden, dass sie die Seite des vorstehenden Abschnitts ed sowie den oberen Bereich der organischen Emissionsschicht OL bedeckt. Infolgedessen kann die Kathode CAT elektrisch mit der Hilfselektrode AE verbunden werden.
  • In der vorliegenden Erfindung wird eine Niederpegel-Spannungsleitung innerhalb des Anzeigefeldes gebildet, und eine Niederpegel-Spannung wird unter Verwendung der Hilfselektrode an die Kathode geliefert. Daher kann die Variation der Kathodenspannung zwischen Pixeln verbessert werden.
  • Das Herstellungsverfahren einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung erfordert keine zusätzliche Struktur zum Verbinden der Kathode CAT und der Hilfselektrode AE. Bei der vorliegenden Erfindung kann die Hilfselektrode AE in dem Prozess des Ausbildens der Dammschicht BN über die Planarisierungsschicht OC herausragend gemacht werden, die in einer typischen organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aufgeschichtet ist; und die Kathode CAT kann mit der Hilfselektrode AE verbunden sein unter Verwenden des Unterschieds in der Stufenabdeckung zwischen der organischen Emissionsschicht OL, die die Dammschicht BN bedeckt, und der Kathode CAT. Infolgedessen kann der Prozess vereinfacht werden und jede Verringerung der Lichtemissionsfläche aufgrund einer zusätzlichen Struktur kann verhindert werden.
  • Obwohl die vorliegende Offenbarung unter Bezugnahme auf eine Anzahl von veranschaulichenden Ausführungsformen der Offenbarung beschrieben wurde, versteht es sich, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachleuten entworfen werden können, die in den Bereich der Prinzipien der Offenbarung fallen. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der betrachteten Kombinationsanordnung innerhalb des Bereichs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Neben Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen werden alternative Verwendungen für den Fachmann ebenfalls ersichtlich sein.

Claims (5)

  1. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (10), aufweisend: eine Niederpegel-Spannungsleitung (VSS), die so eingerichtet ist, dass sie eine Niederpegel-Spannung (EVSS) empfängt; eine Mehrzahl von Isolierschichten (PAS, OC), die über der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) liegen; eine Hilfselektrode (AE), die auf einer obersten Isolierschicht (OC) von den Isolierschichten (PAS, OC) liegt und durch die Isolierschichten (PAS, OC) hindurch gebildet und elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) verbunden ist; eine Dammschicht (BN), die über der Hilfselektrode (AE) liegt und einen Lichtemissionsbereich definiert, dort wo sich eine organische Leuchtdiode (OLED) befindet; und die Kathode (CAT) der organischen Leuchtdiode (OLED), die auf der Dammschicht (BN) liegt und zumindest die Seite der Hilfselektrode (AE) kontaktiert; wobei die Isolierschichten (PAS, OC) aufweisen: eine Passivierungsschicht (PAS), die über der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) liegt; und eine Planarisierungsschicht (OC), die die Passivierungsschicht (PAS) bedeckt, wobei die Dammschicht (BN) über der Planarisierungsschicht (OC) liegt, um einen Teil des Endes der Hilfselektrode (AE) freizulassen; wobei die organische Leuchtdiode (OLED) ferner eine Anode (ANO) aufweist, die auf der Planarisierungsschicht (OC) liegt, wobei die Hilfselektrode (AE) aus dem gleichen Material wie die Anode (ANO) besteht; wobei die organische Leuchtdiode (OLED) ferner eine organische Emissionsschicht (OL) aufweist, die die Anode (ANO) und die Dammschicht (BN) abdeckt und unter der Kathode (CAT) liegt.
  2. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (10) nach Anspruch 1, wobei die Kathode (CAT) mit der Seite eines vorstehenden Abschnitts verbunden ist, dort wo die Hilfselektrode (AE) von der Dammschicht (BN) vorsteht.
  3. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) in dem Lichtemissionsbereich angeordnet ist.
  4. Herstellungsverfahren für eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (10), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Mehrzahl von Isolierschichten über einer Niederpegel-Spannungsleitung (VSS), die eine Niederpegel-Spannung (EVSS) empfängt; Ausbilden einer Hilfselektrode (AE), die durch die Isolierschichten hindurch gebildet und elektrisch mit der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS) verbunden ist; Ausbilden einer Dammschicht (BN) über der Hilfselektrode (AE), um einen Lichtemissionsbereich zu definieren, in dem sich die organische Leuchtdiode (OLED) befindet; und Ausbilden der Kathode (CAT) der organischen Leuchtdiode (OLED), die die Dammschicht (BN) bedeckt und zumindest die Seite der Hilfselektrode (AE) kontaktiert; wobei das Bilden der Isolierschichten (PAS, OC) umfasst: Bilden einer Passivierungsschicht (PAS) über der Niederpegel-Spannungsleitung (VSS); und Bilden einer Planarisierungsschicht (OC) auf der Passivierungsschicht (PAS), wobei die Dammschicht (BN) auf der Planarisierungsschicht (OC) ausgebildet wird, um einen Teil des Endes der Hilfselektrode (AE) freizulassen; wobei das Verfahren ferner umfasst: Ausbilden der Anode (ANO) der organischen Leuchtdiode (OLED) auf der Planarisierungsschicht (OC) unter Verwendung des gleichen Materials wie die Hilfselektrode (AE) vor dem Ausbilden der Kathode (CAT); und Ausbilden einer organischen Emissionsschicht (OL) der organischen Leuchtdiode (OLED), um die Anode (ANO) und die Dammschicht (BN) zu bedecken.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Kathode (CAT) unter Verwendung eines transparenten Metallmaterials ausgebildet wird, das eine bessere Stufenabdeckung als die organische Emissionsschicht (OL) hat.
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