KR100936881B1 - 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100936881B1
KR100936881B1 KR1020080118052A KR20080118052A KR100936881B1 KR 100936881 B1 KR100936881 B1 KR 100936881B1 KR 1020080118052 A KR1020080118052 A KR 1020080118052A KR 20080118052 A KR20080118052 A KR 20080118052A KR 100936881 B1 KR100936881 B1 KR 100936881B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
auxiliary electrode
auxiliary
light emitting
organic light
Prior art date
Application number
KR1020080118052A
Other languages
English (en)
Inventor
방현철
서미숙
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020080118052A priority Critical patent/KR100936881B1/ko
Priority to US12/566,653 priority patent/US8188473B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100936881B1 publication Critical patent/KR100936881B1/ko
Priority to US13/458,967 priority patent/US8318521B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Abstract

본 발명은 전면 발광형 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터와 연결된 복수의 제 1 전극, 복수의 제 1 전극 사이에 메쉬 구조로 형성된 보조 전극, 전체 면에 형성되며 제 1 전극 및 보조 전극이 노출되도록 패터닝된 화소 정의막, 노출된 제 1 전극 및 보조 전극을 포함하는 전체 면에 형성된 유기 발광층, 및 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 하부의 단차에 의해 보조 전극에 단차가 형성되고, 단차에 의해 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 제 2 전극이 보조 전극과 연결된다.
캐소드 전극, 공통 전극, 전압 강하, 보조 전극, 단차, 콘택부

Description

유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 {Organic light emitting display and method of manufacturing the same}
본 발명은 전면 발광형 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 캐소드 전극이 화소 영역의 전면에 공통으로 형성되는 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기전계발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 갖는 표시 장치로서, 화소가 배열된 기판, 기판과 대향하도록 배치된 봉지 기판, 그리고 화소를 밀봉하는 밀봉재를 포함한다.
이와 같이 구성되는 유기전계발광 표시 장치는 화소의 유기 발광층으로부터 광이 방출되는 방향에 따라 전면 발광 구조와 배면 발광 구조로 구분된다. 봉지 기판 방향으로 광이 방출되는 전면 발광 구조는 화소가 배열된 기판 방향으로 광이 방출되는 배면 발광 구조에 비하여 개구율이 높은 장점이 있다.
전면 발광 구조의 유기전계발광 표시 장치는 봉지 기판 방향으로 광이 방출되기 때문에 캐소드 전극이 ITO, IZO 등과 같은 투명전극 물질로 형성되어야 한다. 그러나 투명전극 물질은 비저항이 높기 때문에 공통 전극 형태로 화소 영역의 전면 에 형성되는 캐소드 전극의 경우 위치에 따라 전압 차이가 발생하여 화질이 불균일해지는 문제점이 있다. 즉, 외부의 전원과 가까운 위치와 외부의 전원으로부터 멀리 떨어진 위치의 전압 차이(전압 강하)로 인해 화소 간의 휘도 차이가 발생되기 때문에 화질이 저하된다.
본 발명의 목적은 캐소드 전극의 전압을 일정하게 유지하기 위하여 메쉬(mesh) 구조의 보조 전극을 구비하는 유기전계발광 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 제조 공정을 용이하게 하기 위하여 하부의 단차에 의해 발생되는 콘택부를 통해 보조 전극과 캐소드 전극이 접촉되도록 한 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터, 상기 복수의 박막 트랜지스터와 연결된 복수의 제 1 전극, 상기 복수의 제 1 전극 사이에 메쉬 구조로 형성된 보조 전극, 전체 면에 형성되며 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극이 노출되도록 패터닝된 화소 정의막, 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 포함하는 전체 면에 형성된 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 하부의 단차에 의해 상기 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 보조 전극과 연결된다.
본 발명의 다른 일측면에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하는 활성층을 형성하는 단계, 전체 면에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 보조 배 선을 형성하는 단계, 전체 면에 층간 절연막을 형성한 후 상기 소스 및 드레인 영역과 상기 보조 배선을 노출시키는 단계, 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극과 상기 보조 배선과 연결되는 제 1 보조 전극을 형성하는 단계, 전체 면에 평탄화층을 형성한 후 상기 소스 또는 드레인 전극과 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계, 상기 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극 및 상기 제 1 보조 전극과 교차되는 제 2 보조 전극을 형성하는 단계, 전체 면에 화소 정의막을 형성한 후 상기 제 1 전극 및 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계, 및 전체 면에 유기 발광층 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 보조 배선 및 층간 절연막의 단차에 의해 상기 제 1 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 제 1 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 1 보조 전극과 연결되도록 한다.
본 발명의 또 다른 일측면에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하는 활성층을 형성하는 단계, 전체 면에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 보조 배선을 형성하는 단계, 전체 면에 층간 절연막을 형성한 후 상기 소스 및 드레인 영역과 상기 보조 배선을 노출시키는 단계, 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극과 상기 보조 배선과 연결되는 제 1 보조 전극을 형성하는 단계, 전체 면에 평탄화층을 형성한 후 상기 소스 또는 드레인 전극과 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계, 상기 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 보조 전극과 교차되는 제 2 보조 전극 및 상기 제 1 보조 전극과 중첩되 는 제 3 보조 전극을 형성하는 단계, 전체 면에 화소 정의막을 형성한 후 상기 제 1 전극 및 상기 제 3 보조 전극을 노출시키는 단계, 및 전체 면에 유기 발광층 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 보조 배선 및 상기 층간 절연막의 단차에 의해 상기 제 1 및 제 3 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 제 3 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 3 보조 전극과 연결되도록 한다.
본 발명의 유기전계발광 표시 장치는 화소 영역에 메쉬 구조의 보조 전극이 형성되고, 보조 전극이 하부의 단차에 의해 형성되는 콘택부를 통해 캐소드 전극과 연결된다. 메쉬 구조의 보조 전극에 의해 캐소드 전극의 전압이 위치에 관계없이 일정하게 유지됨으로써 화소 간의 휘도 차이가 발생되지 않으며, 하부의 단차에 의해 형성되는 콘택부를 통해 보조 전극이 캐소드 전극과 접촉됨으로써 제조 공정이 용이해진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)은 화소 영역(12)과, 화소 영역(12) 주변의 비화소 영역(14)을 포함한다. 화소 영역(12)에는 주사 라인(22) 및 데이터 라인(24) 사이에 매트릭스 형태로 연결된 복수의 화소(30)가 배열되고, 비화소 영역(14)에는 주사 라인(22) 및 데이터 라인(24)으로 신호를 제공하는 구동부(42 및 44)와, 외부로부터 신호를 공급받는 패드부(50)가 배치된다.
화소(30)는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 포함하며, 스위치 역할을 하는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 캐소드 전극(113)은 화소 영역(12)의 전면에 공통 전극 형태로 배치된다. 또한, 캐소드 전극(113)은 하부에 배치된 보조 전극(120)과 연결되고, 비화소 영역(14)에 형성된 버스 라인(26)을 통해 패드부(50)에 연결된다. 보조 전극(120)은 제 1 보조 전극(106c)과 제 2 보조 전극(109b)의 메쉬 구조로 이루어지며, 제 1 보조 전극(106c)에 형성되는 콘택부를 통해 캐소드 전극(113)과 연결된다.
도 3은 도 2에 도시된 화소 영역(12)의 부분 확대도이며, 도 4는 도 3의 A1 - A2 부분을 절취한 단면도로서, 메쉬 구조의 보조 전극(120)은 일 방향(X 방향)으로 배열된 제 1 보조 전극(106c)과 다른 일 방향(Y 방향)으로 배열된 제 2 보조 전극(109b)으로 이루어지며, 제 1 보조 전극(106c)과 제 2 보조 전극(109b)은 서로 교차하는 부분에서 적층 구조로 연결된다. 메쉬 구조의 보조 전극(120)은 복수의 화소(30) 사이에 배열되며, 하부의 단차로 인해 제 1 보조 전극(106c)이 노출되는 콘택부(112)를 통해 캐소드 전극(113)과 연결된다.
그러면 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 5a 내지 도 5e는 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(101)을 형성하고, 버퍼층(101) 상에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하는 반도체 활성층(102)을 형성한다. 활성층(102)을 포함하는 전체 면에 게이트 절연막(103) 및 도전층을 형성하고, 채널 영역의 게이트 절연막(103) 상에는 게이트 전극(104a)이 형성되고, 화소(30) 사이의 영역에는 보조 배선(104b)이 형성되도록 도전층을 패터닝한다.
도 5b를 참조하면, 전체 면에 층간 절연막(105)을 형성하고, 소스 및 드레인 영역의 활성층(102)과 보조 배선(104b)의 소정 부분이 노출되도록 층간 절연막(105)과 게이트 절연막(103)을 패터닝하여 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀이 매립되도록 층간 절연막(105) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역의 활성층(102)과 연결되는 소스 및 드레인 전극(106a 및 106b)과, 보조 배선(104b)과 연결되는 제 1 보조 전극(106c)을 형성한다. 제 1 보조 전극(106c)은 일 방향(X 방향)으로 배열되는 스트라이프 형태로 형성한다. 이 때 보조 배선(104b)을 노출시키는 콘택홀보다 제 1 보조 전극(106c)을 넓게 형성하여 콘택홀의 단차가 제 1 보조 전극(106c)에도 그대로 유지되도록 해야 한다.
도 5c를 참조하면, 전체 면에 보호막(107) 및 평탄화막(108)을 형성한 후 패터닝하여 소스 또는 드레인 전극(106a 또는 106b)과 제 2 배선(106c)의 소정 부분 이 노출되도록 비아홀을 형성한다. 비아홀이 매립되도록 평탄화막(108) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 비아홀을 통해 소스 또는 드레인 전극(106a 또는 106b)과 연결되는 애노드 전극(109a) 및 제 1 보조 전극(106c)과 교차되는 제 2 보조 전극(109b)을 형성한다. 제 2 보조 전극(109b)은 다른 일 방향(Y 방향)으로 배열되는 스트라이프 형태로 형성한다.
도 5d를 참조하면, 애노드 전극(109a)을 포함하는 전체 면에 화소 정의막(110)을 형성한다. 애노드 전극(109a)의 소정 부분(발광 영역)과 제 1 보조 전극(106c)이 노출되도록 화소 정의막(110)을 패터닝하고, 전체 면에 유기 발광층(111)을 형성한다. 이 때 보조 배선(104b)과 층간 절연막(105)의 콘택홀에 의해 제 1 보조전극(106c)에 단차가 형성되기 때문에 단차의 모서리부에서 유기 발광층(111)의 층덮힘이 불량해져 제 2 보조 전극(106c)이 노출되는 콘택부(112)가 형성된다.
도 5e를 참조하면, 전체 면에 캐소드 전극(113)을 형성한다. 캐소드 전극(113)은 콘택부(112)를 통해 제 1 보조 전극(106c)과 연결되고, 비화소 영역(14)에 형성된 버스 라인(26)을 통해 패드부(50)와 연결된다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 평면도로서, 도 2에 도시된 화소 영역(12)의 부분 확대도이다. 도 7은 도 6의 B1 - B2 부분을 절취한 단면도이다.
상기 제 1 실시예에 따르면, 일 방향(X 방향)으로 형성되는 제 1 보조 전극(106c)이 박막 트랜지스터를 구성하는 소스 및 드레인 전극(106a 및 106b) 물질 로 형성된다. 그러나 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 일 방향(X 방향)으로 형성되는 보조 전극이 박막 트랜지스터를 구성하는 소스 및 드레인 전극(106a 및 106b) 물질과 화소(30)를 구성하는 애노드 전극(109a) 물질의 적층 구조로 형성된다. 적층 구조의 보조 전극에 의해 제 1 실시예보다 많은 수의 콘택부가 형성되기 때문에 캐소드 전극과 보조 전극의 접촉이 보다 효과적으로 이루어질 수 있다.
도 8a 내지 도 8e는 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도로서, 제 1 실시예와 다른 부분에 대해서만 설명하기로 한다.
도 8a를 참조하면, 도 5a 및 도 5b의 공정을 진행한 다음, 도 5c의 공정에서 소스 또는 드레인 전극(106a 또는 106b)과 연결되는 애노드 전극(109a) 및 제 1 보조 전극(106c)과 교차되는 제 2 보조 전극(109b)을 형성할 때 제 1 보조 전극(106c) 상에도 제 1 보조 전극(106c)과 중첩되는 제 3 보조 전극(109c)이 형성되도록 한다.
도 8b를 참조하면, 애노드 전극(109a)을 포함하는 전체 면에 화소 정의막(110)을 형성한 후 애노드 전극(109a)의 소정 부분(발광 영역)과 제 3 보조 전극(109c)이 노출되도록 화소 정의막(110)을 패터닝한다. 이 때 제 3 보조 전극(109c)과 소정 거리 이격되도록 화소 정의막(110)을 패터닝하여 제 3 보조 전극(109c)의 측벽이 노출되도록 한다.
도 8c를 참조하면, 전체 면에 유기 발광층(111)을 형성한다. 이 때 보조 배선(104b)과 층간 절연막(105)의 콘택홀에 의해 형성된 제 1 보조 전극(106c)의 단 차가 제 3 보조 전극(109c)에도 그대로 유지되기 때문에 단차의 모서리부에서 유기 발광층(111)의 층덮힘이 불량해지고, 제 3 보조 전극(109c) 측벽의 단차로 인해 단차의 모서리부에서 유기 발광층(111)의 층덮힘이 불량해짐으로써 제 3 보조 전극(109c)이 노출되는 복수의 콘택부(112)가 형성된다. 즉, 보조 배선(104b)과 층간 절연막(105)의 콘택홀에 의해 제 3 보조 전극(109c)에 형성되는 단차로 인해 형성되는 콘택부(112)와, 제 3 보조 전극(109c) 측벽의 단차로 인해 형성되는 콘택부(112)를 포함한다.
도 8d를 참조하면, 전체 면에 캐소드 전극(113)을 형성한다. 캐소드 전극(113)은 콘택부(112)를 통해 제 3 보조 전극(109c)과 연결되고, 비화소 영역(14)에 형성된 버스 라인(26)을 통해 패드부(50)와 연결된다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 평면도.
도 2는 본 발명의 보조 전극과 캐소드 전극을 설명하기 위한 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예를 설명하기 위한 화소 영역의 확대 평면도.
도 4는 도 3의 A1 - A2 부분을 절취한 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예를 설명하기 위한 화소 영역의 확대 평면도.
도 7은 도 6의 B1 - B2 부분을 절취한 단면도.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 12: 화소 영역
14: 비화소 영역 22: 주사 라인
24: 데이터 라인 26: 버스 라인
30: 화소 42 및 44: 구동부
50: 패드부 101: 버퍼층
102: 활성층 103: 게이트 절연막
104a: 게이트 전극 104b: 보조 배선
105: 층간 절연막 106a 및 106b: 소스 및 드레인 전극
106c: 제 1 보조 전극 107: 보호막
108: 평탄화막 109a: 애노드 전극
109b: 제 2 보조 전극 109c: 제 3 보조 전극
110: 화소 정의막 111: 유기 발광층
112: 콘택부 113: 캐소드 전극
120: 보조 전극

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터;
    상기 복수의 박막 트랜지스터와 연결된 복수의 제 1 전극;
    상기 복수의 제 1 전극 사이에 메쉬 구조로 형성된 보조 전극;
    전체 면에 형성되며 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극이 노출되도록 패터닝된 화소 정의막;
    노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 포함하는 전체 면에 형성된 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,
    하부의 단차에 의해 상기 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 보조 전극과 연결되는 유기전계발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 보조 전극은 일 방향으로 형성된 제 1 보조 전극과, 상기 제 1 보조 전극과 교차하도록 형성된 제 2 보조 전극의 메쉬 구조인 유기전계발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 보조 전극은 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 물질로 형성되고, 상기 제 2 보조 전극은 상기 제 1 전극 물질로 형성되며, 상기 제 1 보조 전극과 상기 제 2 보조 전극은 교차하는 부분에서 서로 연결되는 유기전계발광 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 단차는 상기 제 1 보조 전극 하부에 형성된 층간 절연막; 및
    상기 층간 절연막 하부에 형성되며 상기 제 1 보조 전극과 연결된 보조 배선에 의해 형성되는 유기전계발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 콘택부는 상기 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되는 유기전계발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보조 전극은 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 물질과 상기 제 1 전극 물질의 적층 구조로 형성되고, 상기 제 2 보조 전극은 상기 제 1 전극 물질로 형성되며, 상기 제 1 보조 전극과 상기 제 2 보조 전극은 교차하는 부분에서 서로 연결되는 유기전계발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 보조 전극과 이격되도록 패터닝되는 유기전계발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 콘택부는 상기 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되는 콘택부와, 상기 보조 전극 측벽의 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되는 콘택부를 포함하는 유기전계발광 표시 장치.
  9. 기판 상에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하는 활성층을 형성하는 단계;
    전체 면에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 보조 배선을 형성하는 단계;
    전체 면에 층간 절연막을 형성한 후 상기 소스 및 드레인 영역과 상기 보조 배선을 노출시키는 단계;
    상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극과 상기 보조 배선과 연결되는 제 1 보조 전극을 형성하는 단계;
    전체 면에 평탄화층을 형성한 후 상기 소스 또는 드레인 전극과 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계;
    상기 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극 및 상기 제 1 보조 전극과 교차되는 제 2 보조 전극을 형성하는 단계;
    전체 면에 화소 정의막을 형성한 후 상기 제 1 전극 및 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계; 및
    전체 면에 유기 발광층 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 보조 배선 및 층간 절연막의 단차에 의해 상기 제 1 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 제 1 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 1 보조 전극과 연결되도록 하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 콘택부는 상기 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되도록 하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
  11. 기판 상에 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하는 활성층을 형성하는 단계;
    전체 면에 게이트 절연막을 형성한 후 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 보조 배선을 형성하는 단계;
    전체 면에 층간 절연막을 형성한 후 상기 소스 및 드레인 영역과 상기 보조 배선을 노출시키는 단계;
    상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인 전극과 상기 보조 배선과 연결되는 제 1 보조 전극을 형성하는 단계;
    전체 면에 평탄화층을 형성한 후 상기 소스 또는 드레인 전극과 상기 제 1 보조 전극을 노출시키는 단계;
    상기 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 보조 전극과 교차되는 제 2 보조 전극 및 상기 제 1 보조 전극과 중첩되는 제 3 보조 전극을 형 성하는 단계;
    전체 면에 화소 정의막을 형성한 후 상기 제 1 전극 및 상기 제 3 보조 전극을 노출시키는 단계; 및
    전체 면에 유기 발광층 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 보조 배선 및 상기 층간 절연막의 단차에 의해 상기 제 1 및 제 3 보조 전극에 단차가 형성되고, 상기 단차에 의해 상기 제 3 보조 전극이 노출되는 콘택부를 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 3 보조 전극과 연결되도록 하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 콘택부는 상기 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되도록 하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 3 보조 전극을 노출시키는 단계에서 상기 제 3 보조 전극과 상기 화소 정의막이 이격되도록 하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 콘택부는 상기 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되는 콘택부와, 상기 제 3 보조 전극 측벽의 단차에 의해 상기 유기 발광층의 층덮힘이 불량해짐으로써 형성되는 콘택부를 포함하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법.
KR1020080118052A 2008-11-26 2008-11-26 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 KR100936881B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118052A KR100936881B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US12/566,653 US8188473B2 (en) 2008-11-26 2009-09-24 Organic light emitting display
US13/458,967 US8318521B2 (en) 2008-11-26 2012-04-27 Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118052A KR100936881B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100936881B1 true KR100936881B1 (ko) 2010-01-14

Family

ID=41809795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080118052A KR100936881B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8188473B2 (ko)
KR (1) KR100936881B1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140142547A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150011236A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR20150058757A (ko) * 2013-11-21 2015-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160047110A (ko) * 2014-10-22 2016-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20160062661A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160096790A (ko) * 2015-02-05 2016-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160119301A (ko) * 2015-04-02 2016-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20190022584A (ko) * 2010-09-03 2019-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN110010641A (zh) * 2017-12-05 2019-07-12 乐金显示有限公司 用于照明装置的有机发光二极管面板及其制造方法
KR20220075207A (ko) * 2015-06-26 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220159328A (ko) * 2014-11-10 2022-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101521676B1 (ko) * 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
WO2014178547A1 (ko) * 2013-04-29 2014-11-06 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR102090703B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
TWI523217B (zh) * 2013-09-12 2016-02-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
KR102312557B1 (ko) * 2014-10-22 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP3240036B1 (en) * 2016-04-29 2024-05-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR102387343B1 (ko) * 2017-12-20 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102498288B1 (ko) * 2017-12-22 2023-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
CN108598291B (zh) * 2018-04-24 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109147654A (zh) * 2018-10-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN109411522A (zh) * 2018-11-06 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置
CN109239955A (zh) * 2018-11-20 2019-01-18 惠科股份有限公司 一种显示面板的测量方法、系统及显示装置
CN109560117B (zh) * 2018-12-21 2022-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110112201B (zh) * 2019-05-22 2021-01-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN113826233B (zh) * 2020-04-21 2023-07-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR20220064456A (ko) * 2020-11-11 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662557B1 (ko) 2005-11-15 2006-12-28 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR20080003057A (ko) * 2006-06-30 2008-01-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 표시소자
KR20080025500A (ko) * 2006-09-18 2008-03-21 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP2008084837A (ja) * 2006-08-30 2008-04-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7427783B2 (en) * 2004-04-07 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode
KR101122228B1 (ko) * 2004-10-26 2012-03-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101054344B1 (ko) * 2004-11-17 2011-08-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2006294421A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 発光ディスプレイパネルの製造方法
KR100707613B1 (ko) 2005-05-02 2007-04-13 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100739144B1 (ko) 2005-09-28 2007-07-13 엘지전자 주식회사 전면 발광형 ｏｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법
JP4256884B2 (ja) 2006-06-23 2009-04-22 東京エレクトロン株式会社 気化器への原料液供給ユニット

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662557B1 (ko) 2005-11-15 2006-12-28 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR20080003057A (ko) * 2006-06-30 2008-01-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 표시소자
JP2008084837A (ja) * 2006-08-30 2008-04-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20080025500A (ko) * 2006-09-18 2008-03-21 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190022584A (ko) * 2010-09-03 2019-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102209874B1 (ko) * 2010-09-03 2021-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20140142547A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101654232B1 (ko) * 2013-06-04 2016-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150011236A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102069193B1 (ko) * 2013-07-22 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR20150058757A (ko) * 2013-11-21 2015-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102148935B1 (ko) 2013-11-21 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160047110A (ko) * 2014-10-22 2016-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102294626B1 (ko) * 2014-10-22 2021-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20220159328A (ko) * 2014-11-10 2022-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102573920B1 (ko) * 2014-11-10 2023-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20160062661A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102411565B1 (ko) * 2014-11-25 2022-06-22 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160096790A (ko) * 2015-02-05 2016-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102426691B1 (ko) 2015-02-05 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20160119301A (ko) * 2015-04-02 2016-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20220075207A (ko) * 2015-06-26 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102534050B1 (ko) 2015-06-26 2023-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110010641A (zh) * 2017-12-05 2019-07-12 乐金显示有限公司 用于照明装置的有机发光二极管面板及其制造方法
CN110010641B (zh) * 2017-12-05 2023-09-19 乐金显示有限公司 用于照明装置的有机发光二极管面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120208311A1 (en) 2012-08-16
US8188473B2 (en) 2012-05-29
US8318521B2 (en) 2012-11-27
US20100127264A1 (en) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100936881B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102648422B1 (ko) 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR102067966B1 (ko) 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9590212B2 (en) Organic EL display device and method for manufacturing the organic EL display device
KR102050434B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR100963075B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치
KR102304104B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100846711B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9853096B1 (en) Display with inactive area surrounded by active area
KR102113616B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100696479B1 (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
US10608070B2 (en) Organic EL display device
US10256285B2 (en) Organic electroluminescence display device with improved brightness evenness and manufacturing method thereof
WO2008004348A1 (en) El display device
US11758770B2 (en) Display panel and display device with pixel electrode overlapping transparent wires configured to reduce laser-etching damage
WO2021121095A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN110649069B (zh) 显示面板及显示面板的制作方法
KR102076620B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
CN110867474B (zh) Oled显示面板
KR100669715B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
CN112086487B (zh) 一种显示面板及显示设备
US11296153B2 (en) OLED pixel structure and OLED display panel
WO2023231004A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN115666165A (zh) 显示基板、显示设备及显示基板制作方法
CN116887633A (zh) 显示面板、其制作方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 10