KR102148935B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 주변 영역으로 정의되는 기판, 기판 상에 배치되며, 액티브 층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스위칭 소자, 스위칭 소자 상에 배치되는 제1 절연층, 주변 영역에 오버랩되는 제1 절연층의 일 영역 상에 배치되는 제1 보조 전극, 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층, 표시 영역에 오버랩되는 제2 절연층의 일 영역 상에 배치되고, 스위칭 소자의 제1 전극과 제1 개구를 통해 접촉되는 애노드 전극, 주변 영역에 오버랩되는 제2 절연층의 다른 영역 상에 애노드 전극과 이격되어 배치되고, 제1 보조 전극과 제2 개구를 통해 접촉되며, 제2 개구를 덮는 보호 전극, 제2 절연층 상에 배치되고, 표시 영역과 주변 영역을 구분하는 화소 정의막, 애노드 전극 상에 배치되는 발광층 및 보호 전극, 화소 정의막 및 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 캐소드 보조 전극을 구비하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드(active matrix organic light emitting diode AMOLED) 표시 장치가 널리 사용되고 있다. AMOLED 표시 장치가 대형화됨에 따라, AMOLED 표시 장치의 캐소드 전극의 저항은 높아진다. 캐소드 전극의 저항이 높아질 경우, 전압 강하(IR drop)가 발생되고, 표시 패널의 각각의 화소들에 서로 다른 레벨의 전압이 인가되어 표시 장치의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 야기된다. 이에 따라, AMOLED 표시 장치에 캐소드 보조 전극이 구비될 수 있다. 그러나, 캐소드 보조 전극이 AMOLED 표시 장치에 배치됨에 따라, AMOLED 표시 장치의 개구율이 감소되는 문제점이 발생된다.
본 발명의 일 목적은 절연층들 사이에 보조 전극을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 절연층들 사이에 보조 전극을 구비하는 유기발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 주변 영역으로 정의되는 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 액티브 층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 주변 영역에 오버랩(overlap)되는 상기 제1 절연층의 일 영역 상에 배치되는 제1 보조 전극, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층, 상기 표시 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 일 영역 상에 배치되고, 상기 스위칭 소자의 상기 제1 전극과 제1 개구를 통해 접촉되는 애노드 전극, 상기 주변 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 다른 영역 상에 상기 애노드 전극과 이격되어 배치되고, 상기 제1 보조 전극과 제2 개구를 통해 접촉되며, 상기 제2 개구를 덮는 보호 전극, 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 상기 주변 영역을 구분하는 화소 정의막, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 보호 전극, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 보호 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 제1 보조 전극은 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극은 상기 보호 전극을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 애노드 전극 및 상기 보호 전극은 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 재료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치하는 제2 보조 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극은 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 보조 전극은 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 전극은 상기 제2 보조 전극에 의해 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과 주변 영역으로 정의되는 기판을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 액티브 층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계, 상기 스위칭 소자 상에 제1 절연층을 형성하는 단계, 상기 주변 영역에 오버랩(overlap)되는 상기 제1 절연층의 일 영역 상에 제1 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계, 상기 표시 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 일 영역 상에 상기 스위칭 소자의 상기 제1 전극과 제1 개구를 통해 접촉되는 상기 애노드 전극을 형성하는 단계, 상기 주변 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 다른 영역 상에 상기 애노드 전극과 이격되고, 상기 제2 개구를 통해 상기 제1 보조 전극과 접촉되며, 상기 제2 개구를 덮는 보호 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 절연층 상에 상기 표시 영역과 상기 주변 영역을 구분하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 애노드 전극 상에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 제1 보조 전극, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 보호 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 제1 보조 전극은 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극은 상기 보호 전극을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 애노드 전극 및 상기 보호 전극은 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 재료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 절연층 상에 제1 보조 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 및 상기 애노드 전극 사이에 제2 보조 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극은 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 보조 전극은 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 전극은 상기 제2 보조 전극에 의해 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 캐소드 보조 전극을 보호하는 보호 전극을 구비함으로써, 절연층들 사이에 배치되는 보조 전극이 손상되지 않도록 할 수 있다. 또한, 캐소드 보조 전극이 절연층들 사이에 배치됨으로써, 전압 강하 및 개구율 감소를 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 캐소드 보조 전극 상부에 보호 전극이 배치됨으로써, 캐소드 보조 전극이 손상되지 않도록 할 수 있다. 또한, 캐소드 보조 전극이 절연층들 사이에 배치됨으로써, 전압 강하 및 개구율 감소를 최소화할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 스위칭 소자(130), 제1 절연층(150), 제1 보조 전극(190), 제2 절연층(170), 애노드 전극(210), 보호 전극(220), 화소 정의막(230), 발광층(250) 및 캐소드 전극(270)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)을 정의할 수 있다. 여기서, 주변 영역(II)은 표시 영역(I)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 기판(110)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(250)은 글라스(glass) 기판, 석영(quartz) 기판, 투명 수지 기판 등을 포함할 수 있다.
스위칭 소자(130)는 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 소자(130)는 액티브 층(1), 게이트 절연층(3), 게이트 전극(5), 층간 절연층(7), 제1 전극(11) 및 제2 전극(9) 등을 포함하는 트랜지스터에 해당될 수 있다.
액티브 층(1)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 액티브 층(1)은 비결정질 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon) 또는 유기 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브 층(1)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn) 등으로 구성될 수 있다. 액티브 층(1)은 층간 절연층(7)의 개구들을 통해 제2 전극(9) 및 제1 전극(11)과 접촉될 수 있다.
게이트 절연층(3)은 게이트 전극(5)과 액티브 층(1) 사이에 배치될 수 있고, 게이트 절연층(3)은 액티브 층(1)을 커버할 수 있으며 게이트 전극(5)은 게이트 전극(5)과 액티브 층(1)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(3)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(5)은 게이트 절연층(3) 상에 배치(예를 들어, 상부 게이트 구조)될 수 있다. 게이트 전극(5)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(110)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 전극(5)은 액티브 층(1) 하부에 배치(예를 들어, 하부 게이트 구조)될 수 있다.
층간 절연층(7)은 게이트 절연층(3) 및 게이트 전극(5) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연층(7)은 2개의 개구들을 포함할 수 있다. 층간 절연층(7)은 상기 2개의 개구들을 통해 제2 전극(9) 및 제1 전극(11)을 액티브 층(1)과 접촉시킬 수 있다. 층간 절연층(7)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(7)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 층간 절연층(7)이 유기 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acrylic)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 전극(11) 및 제2 전극(9)은 층간 절연층(7) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(11) 및 제2 전극(9)은 상기 층간 절연층(7)의 상기 개구들을 통해 액티브 층(1)과 접촉될 수 있고, 제1 전극(11)은 제1 개구를 통해 애노드 전극(210)과 접촉될 수 있다. 실시예들에 있어서, 스위칭 소자(130)가 엔모스(N-channel metal oxide semiconductor; NMOS) 트랜지스터에 상응되는 경우, 제1 전극(11)은 소스 전극일 수 있고, 제2 전극(9)은 드레인 전극일 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 스위칭 소자(130)가 피모스(p-channel metal oxide semiconductor; PMOS) 트랜지스터에 상응되는 경우, 제1 전극(11)은 드레인 전극일 수 있고, 제2 전극(9)은 소스 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(11) 및 제2 전극(9)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 절연층(150)은 스위칭 소자(130) 상에 배치될 수 있고, 제2 절연층(170)은 제1 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(150)은 제1 개구를 포함할 수 있고, 제2 절연층(170)은 제1 개구 및 제2 개구를 포함할 수 있다. 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)의 상기 제1 개구를 통해 애노드 전극(210)은 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11)과 접촉될 수 있고, 제2 절연층(170)의 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190)은 보호 전극(220)과 접촉할 수 있다. 제1 절연층(150)과 제2 절연층(170)은 유기 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)이 각각 형성되는 경우, 제1 보조 전극(190)은 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 보조 전극(190)이 애노드 전극(210) 하부에 배치됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 개구율 감소 없이(예를 들어, 유기 발광 표시 장치에서 광이 방출되는 영역의 감소가 없음) 제1 보조 전극(190)은 배치될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 제1 보조 전극(190)은 주변 영역(II)에 오버랩(overlap)되는 제1 절연층(150)의 일 영역 상에 배치될 수 있고, 상술한 바와 같이, 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치될 수 있다. 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치되는 경우, 제1 보조 전극(190)은 상기 제2 개구에 배치되는 보호 전극(220)에 의해 외부로부터 보호될 수 있다. 제1 보조 전극(190)이 외부로부터 보호됨으로써, 애노드 전극(210)이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190)이 외부 물질들(예를 들어, 애노드 전극의 습식 에칭을 수행하는 동안 애노드 전극 상에 사용되는 용액 등)로부터 손상되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190) 상에 보호 전극(220)이 배치되지 않는 경우, 애노드 전극(210)이 형성되는 동안, 상기 외부 물질들은 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190)과 접촉될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)은 상기 외부 물질들에 의해 손상될 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치됨으로써, 제1 보조 전극(190)의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)의 두께가 증가하므로, 제1 보조 전극(190)의 저항은 낮아질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)가 대형화 되는 경우, 전압 강하(IR drop)는 발생되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 또는 화질의 불균일이 발생되지 않을 수 있다.
실시예들에 있어서, 제1 보조 전극(190)은 적어도 2개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190)의 하부는 인듐 주석 산화물(ITO) 등으로 구성될 수 있고, 제1 보조 전극(190)의 상부는 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
애노드 전극(210)은 표시 영역(I)의 오버랩되는 제2 절연층(170)의 일 영역 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(210)은 상기 제1 개구를 통해 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11)과 접촉될 수 있다. 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)은 실질적으로 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(170) 및 제1 보조 전극(190) 상에 예비 전극이 형성 될 수 있고, 습식 에칭 방법, 마스크를 이용하여 패터닝하는 방법 등으로 상기 예비 전극은 표시 영역(I)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 일 영역 상에 배치되는 애노드 전극(210) 및 주변 영역(II)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 다른 영역 상에 애노드 전극(210)과 이격되어 배치되는 보호 전극(220)으로 형성될 수 있다.
실시예들에 있어서, 애노드 전극(210)은 적어도 3개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(210)의 하부 및 상부는 인듐 주석 산화물(ITO) 등으로 구성될 수 있고, 애노드 전극(210)의 중부는 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 보호 전극(220) 주변 영역(II)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 다른 영역 상에 애노드 전극(210)과 이격되어 배치될 수 있다. 보호 전극(220)은 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190) 및 캐소드 전극(270)과 접촉할 수 있고, 보호 전극(220)은 제1 보조 전극(190)과 캐소드 전극(270)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 상기 제2 개구에 배치되는 보호 전극(220)은 보호 전극(220)을 외부로부터 보호할 수 있다. 상술한 바와 같이, 보호 전극(220) 및 애노드 전극(210)은 실질적으로 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(170) 및 제1 보조 전극(190) 상에 예비 전극이 형성 될 수 있고, 습식 에칭 방법, 마스크를 이용하여 패터닝하는 방법 등으로 예비 전극은 표시 영역(I)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 일 영역 상에 배치되는 애노드 전극(210) 및 주변 영역(II)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 다른 영역 상에 애노드 전극(210)과 이격되어 배치되는 보호 전극(220)으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(190)이 보호 전극(220)에 의해 외부로부터 보호됨으로써, 예비 전극이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190)이 외부 물질들(애노드 전극의 습식 에칭을 수행하는 동안 애노드 전극 상에 사용되는 용액 등)로부터 손상되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190) 상에 보호 전극(220)이 배치되지 않는 경우, 애노드 전극(210)이 형성되는 동안, 상기 외부 물질들은 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190)과 접촉될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)은 상기 외부 물질들에 의해 손상될 수 있다.
실시예들에 있어서, 보호 전극(220)은 적어도 3개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호 전극(220)의 하부 및 상부는 인듐 주석 산화물(ITO) 등으로 구성될 수 있고, 보호 전극(220)의 중부는 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(230)은 제2 절연층(170) 상에 배치될 수 있고, 표시 영역(I)과 주변 영역(II)을 구분할 수 있다. 화소 정의막(230)에 의해 발광층(250)이 노출되는 영역을 유기 발광 표시 장치(100)의 표시 영역(I)으로 정의할 수 있고, 이에 인접하는 영역을 유기 발광 표시 장치(100)의 주변 영역(II)으로 정의할 수 있다. 실시예들에 있어서, 화소 정의막(230)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 무기 절연 물질로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 화소 정의막(230)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(230)은 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acrylic)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
발광층(250)은 애노드 전극(210) 상에 배치될 수 있다. 발광층(250)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 유기 발광층(EML), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함할 수 있다. 발광층(250)의 유기 발광층은 유기 발광 표시 장치(100)의 화소들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 발광층(250)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
캐소드 전극(270)은 보호 전극(220), 화소 정의막(230) 및 발광층(250) 상에 배치될 수 있다. 캐소드 전극(270)은 상기 제2 개구에 배치된 보호 전극(220)을 통해 제1 보조 전극(190)과 접촉될 수 있고, 캐소드 전극(270)은 제1 보조 전극(190)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(270) 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190) 상에 배치된 보호 전극(220)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 보조 전극(190) 손상 없이 형성될 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150)과 제2 절연층(170) 사이에 배치됨으로써, 제1 보조 전극(190)의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)의 두께가 증가하므로, 제1 보조 전극(190)의 저항은 낮아질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)가 대형화 되는 경우, 전압 강하(IR drop)는 발생되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 발생되지 않을 수 있다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 표시 영역(I)과 주변 영역(II)으로 정의되는 기판(110)이 형성되고, 기판(110) 상에 액티브 층(1), 게이트 절연층(3), 게이트 전극(5), 층간 절연층(7), 제1 전극(11) 및 제2 전극(9)을 포함하는 스위칭 소자가 형성될 수 있으며, 스위칭 소자(130) 상에 제1 절연층(150)이 형성될 수 있다. 제1 절연층(150)은 제1 개구를 포함할 수 있고, 제1 절연층(150)의 상기 제1 개구를 통해 애노드 전극(210)은 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11)과 접촉될 수 있다. 제1 절연층(150)과 제2 절연층(170)은 유기 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(150)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 이루어 질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)의 기판(110), 액티브 층(1), 게이트 절연층(3), 게이트 전극(5), 층간 절연층(7), 제1 전극(11) 및 제2 전극(9)들은 일반적인 제조 공정에 따라 수득될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 주변 영역(II)에 오버랩되는 제1 절연층(150)의 일 영역 상에 제1 보조 전극(190)이 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 제1 보조 전극(190)은 적어도 2개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190)의 하부는 인듐 주석 산화물 등으로 구성될 수 있고, 제1 보조 전극(190)의 상부는 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 제1 절연층(150) 및 제1 보조 전극(190) 상애 제2 절연층(170)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(170)은 상기 제1 개구 및 제2 개구를 포함할 수 있다. 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)의 상기 제1 개구를 통해 애노드 전극(210)은 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11)과 접촉될 수 있고, 제2 절연층(170)의 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190)은 보호 전극(220)과 접촉할 수 있다. 제2 절연층(170)은 유기 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 이루어 질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170)이 각각 형성되는 경우, 제1 보조 전극(190)은 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 보조 전극(190)이 애노드 전극(210) 하부에 배치됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 개구율 감소 없이(예를 들어, 유기 발광 표시 장치에서 광이 방출되는 영역의 감소가 없음) 제1 보조 전극(190)은 배치될 수 있다.
도 2d 및 도 2e를 참조하면, 제2 절연층(170) 및 제1 보조 전극(190) 상에 예비 전극(310)이 형성될 수 있고, 습식 에칭 방법, 마스크를 이용하여 패터닝하는 방법 등으로 예비 전극(310)은 표시 영역(I)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 일 영역 상에 배치되는 애노드 전극(210) 및 주변 영역(II)에 오버랩되는 제2 절연층(170)의 다른 영역 상에 애노드 전극(210)과 이격되어 배치되는 보호 전극(220)으로 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)은 적어도 3개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)의 하부 및 상부는 인듐 주석 산화물 등으로 구성될 수 있고, 애노드 전극(210)의 중부는 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치되는 경우, 제1 보조 전극(190)은 상기 제2 개구에 배치되는 보호 전극(220)에 의해 외부로부터 보호될 수 있다. 제1 보조 전극(190)이 외부로부터 보호됨으로써, 애노드 전극(210)이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190)이 외부 물질들(예를 들어, 애노드 전극의 습식 에칭을 수행하는 동안 애노드 전극 상에 사용되는 용액 등)로부터 손상되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190) 상에 보호 전극(220)이 배치되지 않는 경우, 애노드 전극(210)이 형성되는 동안, 상기 외부 물질들은 상기 제2 개구를 통해 제1 보조 전극(190)과 접촉될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)은 상기 외부 물질들에 의해 손상될 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(170) 사이에 배치됨으로써, 제1 보조 전극(190)의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)의 두께가 증가하므로, 제1 보조 전극(190)의 저항은 낮아질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)가 대형화 되는 경우, 전압 강하는 발생되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 발생되지 않을 수 있다.
도 2f를 참조하면, 제2 절연층(170) 상에 표시 영역(I)과 주변 영역(II)을 구분하는 화소 정의막이 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 화소 정의막(230)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등의 무기 절연 물질로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 화소 정의막(230)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(230)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)의 화소 정의막(230) 은 일반적인 제조 공정에 따라 수득될 수 있다.
도 2g를 참조하면, 애노드 전극(210) 상에 발광층(250)이 형성될 수 있다. 발광층(250)은 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 발광층(250)의 유기 발광층은 유기 발광 표시 장치(100)의 화소들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 발광층(250)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
도 2h를 참조하면, 제1 보조 전극(190), 화소 정의막(230) 및 발광층(250) 상에 캐소드 전극(270)이 형성될 수 있다. 캐소드 전극(270)은 상기 제2 개구에 배치된 보호 전극(220)을 통해 제1 보조 전극(190)과 접촉될 수 있고, 캐소드 전극(270)은 제1 보조 전극(190)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(270) 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)의 캐소드 전극(270)은 일반적인 제조 공정에 따라 수득될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190) 상에 배치된 보호 전극(220)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 보조 전극(190) 손상 없이 형성될 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(190)이 제1 절연층(150)과 제2 절연층(170) 사이에 배치됨으로써, 제1 보조 전극(190)의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190)의 두께가 증가하므로, 제1 보조 전극(190)의 저항은 낮아질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)가 대형화 되는 경우, 전압 강하는 발생되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 발생되지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3의 유기 발광 표시 장치(300)는, 도 3의 유기 발광 표시 장치(300)가 제2 보조 전극(290)을 더 포함한다는 것을 제외하면, 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 따라서, 도 3의 유기 발광 표시 장치(300)를 설명함에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 3을 참조하면, 제2 보조 전극(290)은 제1 절연층(150) 상에 배치될 수 있고, 제2 보조 전극(290)은 제1 개구를 통해 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11) 및 애노드 전극(210)과 접촉될 수 있으며, 제2 보조 전극(290)은 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11) 및 애노드 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 보조 전극(290)은 제1 보조 전극(190)과 동일한 재료로 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(150) 상에 예비 전극이 형성 될 수 있고, 습식 에칭 방법, 마스크를 이용하여 패터닝하는 방법 등으로 예비 전극은 제2 개구 위치에 형성되는 제1 보조 전극(190) 및 제1 보조 전극(190)과 이격되어 상기 제1 개구 위치에 형성되는 제2 보조 전극(290)으로 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)은 적어도 2개의 층이 적층된 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)의 하부는 인듐 주석 산화물 등으로 구성될 수 있고, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)의 상부는 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 애노드 전극(210) 및 보호 전극(220)이 형성되는 동안, 제1 보조 전극(190) 상에 배치된 보호 전극(220)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 보조 전극(190) 손상 없이 형성될 수 있다. 또한, 제2 보조 전극(290)은 스위칭 소자(130)의 제1 전극(11)과 애노드 전극(210) 사이에 배치됨으로써, 제1 전극(11)의 저항을 낮출 수 있다. 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)이 제1 절연층(150)과 제2 절연층(170) 사이에 배치됨으로써, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)의 두께가 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)의 두께가 증가하므로, 제1 보조 전극(190) 및 제2 보조 전극(290)의 저항은 낮아질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)가 대형화 되는 경우, 전압 강하는 발생되지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 발생되지 않을 수 있다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비하는 모든 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 차량용 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
1: 액티브 층 3: 게이트 절연층
5: 게이트 전극 7: 층간 절연층
9: 제2 전극 11: 제1 전극
100, 300: 유기 발광 표시 장치 110: 기판
130: 스위칭 소자 150: 제1 절연층
170: 제2 절연층 190: 제1 보조 전극
210: 애노드 전극 220: 보호 전극
230: 화소 정의막 250: 발광층
270: 캐소드 전극 290: 제2 보조 전극
310: 예비 전극 I: 표시 영역
II: 주변영역
5: 게이트 전극 7: 층간 절연층
9: 제2 전극 11: 제1 전극
100, 300: 유기 발광 표시 장치 110: 기판
130: 스위칭 소자 150: 제1 절연층
170: 제2 절연층 190: 제1 보조 전극
210: 애노드 전극 220: 보호 전극
230: 화소 정의막 250: 발광층
270: 캐소드 전극 290: 제2 보조 전극
310: 예비 전극 I: 표시 영역
II: 주변영역
Claims (20)
- 표시 영역과 주변 영역으로 정의되는 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 액티브 층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스위칭 소자;
상기 스위칭 소자 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 주변 영역에 오버랩(overlap)되는 상기 제1 절연층의 일 영역 상에 배치되는 제1 보조 전극;
상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 보조 전극의 상면의 일부를 노출시키며, 상기 제1 보조 전극의 양측부를 덮는 제2 절연층;
상기 표시 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 일 영역 상에 배치되고, 상기 스위칭 소자의 상기 제1 전극과 상기 제1 및 제2 절연층들에 형성된 제1 개구를 통해 접촉되는 애노드 전극;
상기 주변 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 다른 영역 상에 상기 애노드 전극과 이격되어 배치되고, 상기 제1 보조 전극과 상기 제2 절연층에 형성된 제2 개구를 통해 접촉되며, 상기 제1 보조 전극이 노출되지 않도록 상기 제2 개구에 의해 상기 상면의 일부가 노출된 상기 제1 보조 전극을 덮는 보호 전극;
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 상기 주변 영역을 구분하며, 상기 제1 보조 전극의 양측부 및 상기 애노드 전극의 양측부를 덮는 화소 정의막;
상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 보호 전극, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보호 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 제1 보조 전극은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극은 상기 보호 전극을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극 및 상기 보호 전극은 동일한 재료로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치하는 제2 보조 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극은 동일한 재료로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제2 보조 전극은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 보조 전극에 의해 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 표시 영역과 주변 영역으로 정의되는 기판을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 액티브 층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 스위칭 소자 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;
상기 주변 영역에 오버랩(overlap)되는 상기 제1 절연층의 일 영역 상에 제1 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층 상에 상기 제1 보조 전극의 상면의 일부를 노출시키며, 상기 제1 보조 전극의 양측부를 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계;
상기 표시 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 일 영역 상에 상기 스위칭 소자의 상기 제1 전극과 상기 제1 및 제2 절연층들에 형성된 제1 개구를 통해 접촉되는 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 주변 영역에 오버랩되는 상기 제2 절연층의 다른 영역 상에 상기 애노드 전극과 이격되고, 상기 제2 절연층에 형성된 제2 개구를 통해 상기 제1 보조 전극과 접촉되며, 상기 제1 보조 전극이 노출되지 않도록 상기 제2 개구에 의해 상기 상면의 일부가 노출된 상기 제1 보조 전극을 덮는 보호 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 절연층 상에 상기 표시 영역과 상기 주변 영역을 구분하며, 상기 제1 보조 전극의 양측부 및 상기 애노드 전극의 양측부를 덮는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 보조 전극, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극은 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 보호 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 제1 보조 전극은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극은 상기 보호 전극을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 애노드 전극 및 상기 보호 전극은 동일한 재료로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 유기 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제1 절연층 상에 제1 보조 전극을 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 및 상기 애노드 전극 사이에 제2 보조 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서, 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극은 동일한 재료로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제2 보조 전극은 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 보조 전극에 의해 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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