CN110165079B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110165079B
CN110165079B CN201910458204.2A CN201910458204A CN110165079B CN 110165079 B CN110165079 B CN 110165079B CN 201910458204 A CN201910458204 A CN 201910458204A CN 110165079 B CN110165079 B CN 110165079B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive layer
substrate
light
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910458204.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110165079A (zh
Inventor
金玉
马加力
郑加新
韩兆强
任佳佩
刘伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910458204.2A priority Critical patent/CN110165079B/zh
Publication of CN110165079A publication Critical patent/CN110165079A/zh
Priority to JP2021534680A priority patent/JP7197704B2/ja
Priority to PCT/CN2019/119000 priority patent/WO2020238071A1/zh
Priority to KR1020217017597A priority patent/KR102547608B1/ko
Priority to EP19931277.8A priority patent/EP3876297A4/en
Priority to TW108143105A priority patent/TWI720704B/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110165079B publication Critical patent/CN110165079B/zh
Priority to US17/330,676 priority patent/US20210280816A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及有机发光领域,公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。其中,一种显示面板,包括:基板、设置在基板上的像素限定层、以及位于基板和像素限定层之间的电极层;像素限定层内具有与电极层相对设置的通孔,通孔贯穿像素限定层、并落在电极层上;电极层包括堆叠设置的第一透明导电层和遮光导电层,在沿电极层的堆叠方向上,第一透明导电层在基板上的正投影面积大于遮光导电层在基板上的正投影面积。本发明实施方式所提供的显示面板及其制作方法、显示装置具有在实现提升透光率的同时,减小出现异常发光可能性的优点。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着发光技术的不断发展,发光面板的应用越来越广泛,OLED(Organic LightEmitting Diode,即有机发光二极管)发光器件以其响应速度快、色彩绚丽、轻薄方便等优点成为显示面板行业的后起之秀。
随着显示面板与屏下指纹识别等功能的结合使用,要求显示面板的透光率足够大,为了增大显示面板的透光率,需要减小不透明的电极的面积。
然而,本发明的发明人发现,现有技术中减小不透明的电极的面积后,容易导致显示面板异常发光。
发明内容
为解决上述技术问题,发明实施方式提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,实现提升透光率的同时,减小出现异常发光可能性的目的。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种显示面板,包括:基板、设置在所述基板上的像素限定层、以及位于所述基板和所述像素限定层之间的电极层;所述像素限定层内具有与所述电极层相对设置的通孔,所述通孔贯穿所述像素限定层、并落在所述电极层上;所述电极层包括堆叠设置的第一透明导电层和遮光导电层,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第一透明导电层在所述基板上的正投影面积大于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积。
本发明的实施方式还提供了一种显示装置,包括如上述的显示面板。
本发明的实施方式还提供了一种显示面板的制作方法,包括以下步骤:提供基板;在所述基板上形成电极层;在所述电极层上形成像素限定层,所述像素限定层内具有与所述电极层相对设置的通孔,所述通孔贯穿所述像素限定层、并落在所述电极层上;其中,所述在所述基板上形成电极层,具体为,在所述基板上堆叠形成第一透明导电层和遮光导电层,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第一透明导电层在所述基板上的正投影面积大于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积。
本发明实施方式相对于现有技术而言,电极层由第一透明导电层和遮光导电层堆叠形成,且在沿电极层的堆叠方向上,第一透明导电层在所述基板上的正投影面积大于遮光导电层在所述基板上的正投影面积;因此,在与现有技术具有相同的透光率的条件下,本发明实施方式中的电极层整体面积更大,使得通孔在与电极层配合设置时,更大面积的电极层可以保证通孔更不容易落在电极层以外的位置,从而减小出现异常发光可能性。
优选地,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述遮光导电层在所述基板上的正投影位于所述第一透明导电层在所述基板上的正投影内部;或者,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述遮光导电层在所述基板上的正投影与所述第一透明导电层在所述基板上的正投影部分重合。在沿电极层的堆叠方向上,遮光导电层在基板上的正投影位于第一透明导电层在基板上的正投影内部,即遮光导电层整体设置在第一透明导电层的表面上,增大第一透明导电层与遮光导电层的接触面积,使得第一透明导电层可以对遮光导电层起到更好的保护作用;或者,在沿电极层的堆叠方向上,遮光导电层在基板上的正投影与第一透明导电层在基板上的正投影部分重合,从而进一步的增大电极层在沿电极层的堆叠方向上的面积,进一步的减小出现异常发光可能性。
优选地,所述第一透明导电层夹设于所述基板和所述遮光导电层之间。遮光导电层通过第一透明导电层与基板连接,可以有效的增大各个部件之间结合的牢固程度,提升显示面板的可靠性。
优选地,所述遮光导电层夹设于所述基板和所述第一透明导电层之间。遮光导电层夹设于基板和第一透明导电层之间,第一透明导电层可以对遮光导电层起到保护作用,防止遮光导电层被氧化。
优选地,所述电极层还包括第二透明导电层,所述遮光导电层夹设于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。遮光导电层夹设于第一透明导电层和第二透明导电层之间,既可以有效的增大各个部件之间结合的牢固程度,提升显示面板的可靠性;又可以对遮光导电层起到保护作用,防止遮光导电层被氧化。
优选地,所述通孔的侧壁至少部分落在所述第一透明导电层上、或者所述通孔的侧壁至少部分落在所述遮光导电层上、或者所述通孔的侧壁至少部分落在所述第二透明导电层上。
优选的,所述在所述基板上形成电极层,还包括,在所述遮光导电层远离所述第一透明导电层的表面形成第二透明导电层。
优选的,所述在所述基板上形成电极层,具体包括:S1:在所述基板上形成第一透明导电层,在所述第一透明导电层上形成遮光导电层、在所述遮光导电层上形成第二透明导电层、在所述第二透明导电层上形成光刻胶层;S2:图形化所述光刻胶层,在所述第二透明导电层上形成第一光刻胶区域、第二光刻胶区域以及无光刻胶区域,其中,所述第二光刻胶区域表面的光刻胶层厚度小于所述第一光刻胶区域表面的光刻胶层厚度;S3:去除所述无光刻胶区域的所述第一透明导电层、所述遮光导电层以及所述第二透明导电层;S4:去除所述第二光刻胶区域表面的光刻胶层;S5:去除所述第二光刻胶区域的所述遮光导电层以及所述第二透明导电层;S6:去除所述第一光刻胶区域表面的光刻胶层。
优选的,所述图形化所述光刻胶层,在所述第二透明导电层上形成第一光刻胶区域、第二光刻胶区域以及无光刻胶区域,具体包括:利用掩膜板图形化所述光刻胶层;其中,所述掩膜板包括全透光区域、半透光区域和不透光区域,所述半透光区域的透明度大于所述不透光区域的透明度且小于所述全透光区域的透明度,所述无光刻胶区域形成于所述全透光区域下方、所述第二光刻胶区域形成于所述半透光区域下方、所述第一光刻胶区域形成于所述不透光区域下方。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。此外,这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
图1是本发明第一实施方式所提供的显示面板的结构示意图;
图2是本发明第一实施方式所提供的显示面板沿第一电极板堆叠方向、在基板上的正投影示意图;
图3是本发明另一实施方式所提供的显示面板沿第一电极板堆叠方向、在基板上的正投影示意图;
图4是本发明第二实施方式所提供的显示面板的结构示意图;
图5是本发明另一实施方式所提供的显示面板的结构示意图;
图6是本发明又一实施方式所提供的显示面板的结构示意图;
图7是本发明第四实施方式所提供的显示面板的制备方法的程序流程图;
图8是本发明第五实施方式所提供的显示面板的制备方法的程序流程图;
图9至图13为本发明第五实施方式所提供的显示面板的制造方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
现有技术中的OLED显示器件存在减小不透明的电极的面积后,容易导致显示面板异常发光的问题。经发明人研究发现,出现这种问题的原因在于,现有技术中的OLED显示器件通常在像素限定层上设置有通孔,而为了保证正常发光,现有技术中的通孔需要落在不透明的电极上,而随着不透明的电极的减小,由于工艺误差的存在,会出现通孔不完全落在电极上的情况,此时就会出现显示异常的问题。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板,如图1所示,包括:基板10、设置在基板10上的像素限定层20、以及位于基板10和像素限定层20之间的电极层30。其中,像素限定层20包括与电极层30相对设置的通孔21,通孔21贯穿像素限定层20、并落在电极层30上;电极层30包括堆叠设置的第一透明导电层31和遮光导电层32,在沿电极层30的堆叠方向上,第一透明导电层31在基板上的正投影面积大于遮光导电层32在基板上的正投影面积。
与现有技术相比,电极层30由第一透明导电层31和遮光导电层32堆叠形成,且沿在电极层30的堆叠方向上,第一透明导电层31在基板上的正投影面积大于遮光导电层32在基板上的正投影面积;因此,在与现有技术中具有相同的透光率、即不透明的部分的面积相同的条件下,本发明实施方式中的电极层30在沿电极层30堆叠方向上的整体面积更大,更大面积的电极层30使得通孔21在与电极层30配合设置时,更不容易落在电极层30以外的位置,从而减小显示面板出现异常发光可能性。
优选地,如图2所示,在本实施方式中,在沿电极层30的堆叠方向上,遮光导电层32在基板10上的正投影位于第一透明导电层31在基板10上的正投影内部。即遮光导电层32与第一透明导电层31贴合的面积至少为遮光导电层32在基板10上的正投影面积,使得第一透明导电层31与遮光导电层32的接触面积较大,第一透明导电层31可以对遮光导电层32起到更好的保护作用。
可以理解的是,遮光导电层32在基板10上的正投影位于第一透明导电层31在基板10上的正投影内部,仅为本实施方式中第一透明导电层31和遮光导电层32设置状态的一种具体的举例说明,在本发明的其他实施方式中,如图3所示,在沿电极层30的堆叠方向上,也可以是遮光导电层32在基板10上的正投影与第一透明导电层31在基板10上的正投影部分重合。在沿电极层30的堆叠方向上,遮光导电层32在基板10上的正投影与第一透明导电层31在基板10上的正投影部分重合,使得电极层30整体的面积较之第一透明导电层31的面积更大,从而进一步的增大电极层30整体的面积,进一步的减小出现异常发光可能性。
优选地,在本实施方式中,第一透明导电层31的材质为ITO或IZO,遮光导电层32的材质为金属或石墨。可以理解的是,第一透明导电层31的材质为ITO或IZO仅为本实施方式中第一透明导电层31的材质的具体的举例说明,并不构成限定,在本发明的其他实施方式中,第一透明导电层31也可以是具有透明和导电两个性质的其他材料,如ZnO基TCO等,在此不进行一一列举。此外,遮光导电层32的材质为金属或石墨同样仅为本实施方式中遮光导电层32的材质的具体的举例说明,并不构成限定,在本发明的其他实施方式中,遮光导电层32也可以是具有遮光和导电两个性质的其他材料,如不透明的导电塑料等,在此不进行一一列举,具体可以根据实际需要进行灵活的选用。
优选地,在本实施方式中,第一透明导电层31夹设于基板10和遮光导电层32之间。由于金属等材质的遮光导电层32与基板10之间的结合性较差,在本实施方式中,将ITO或IZO材质的第一透明导电层31夹设于基板10和遮光导电层32之间,可以使得显示面板中各层之间的结合更加牢固,提升显示面板的可靠性。
可以理解的是,上述将第一透明导电层31夹设于基板10和遮光导电层32之间仅为本实施方式中第一透明导电层31、基板10以及遮光导电层32三者之间位置关系的一种举例说明,并不构成限定,在本发明的其他实施方式中,也可以是遮光导电层32夹设于基板10和第一透明导电层31之间。将金属或石墨等材质的遮光导电层32夹设于基板10和第一透明导电层31之间,使得第一透明导电层31可以对遮光导电层32起到保护作用,防止遮光导电层32被氧化。
优选地,在本实施方式中,通孔21落在电极层30上。设置通孔21落在电极层30上,可以彻底的消除显示面板出现发光异常的可能性。可以理解的是,为了防止由于技术误差导致实际制作的通孔21落在电极层30以外的区域,在本实施方式中设计通孔21与电极层30位置关系时,预先在电极层30的边缘设置误差预留区域,即将电极层30靠近边缘的部分设置为误差预留区域,设计通孔21与电极层30的位置关系时,不将通孔21的位置设置到误差预留区域上。
优选地,误差预留区域为与电极层30边缘距离小于2微米的区域。可以理解的是,上述仅为本实施方式中对误差预留区域的一种具体的举例说明,在本发明的其他实施方式中,误差预留区域也可以是其他的尺寸,具体可以根据实际需要进行灵活的设定。
进一步的,在本实施方式中,通孔21的侧壁至少部分落在第一透明导电层31上。可以理解的是,通孔21的侧壁至少部分落在第一透明导电层31上仅为本实施方式中一种具体的位置的举例说明,并不构成限定。在本发明的其他实施方式中,通孔21的侧壁也可以是不落在第一透明导电层31上,而落在电极层30的其他部分,如全部落在遮光导电层32上,在此不进行一一列举。优选地,在本实施方式中,电极层30为阳极层。
具体的,在本实施方式中,基板10依次包括衬底11、形成于衬底11上方的阻隔层12、形成于阻隔层12上方的缓冲层13、形成于缓冲层13上方的沟道14、覆盖沟道14的第一栅极绝缘层15、设置于第一栅极绝缘层15上方的栅极16和贯穿第一栅极绝缘层15的源极17和漏极18、位于第一栅极绝缘层15上方且覆盖栅极16的第二栅极绝缘层19、覆盖第二栅极绝缘层19的中间绝缘层10a、覆盖中间绝缘层10a的填充层10b、位于第一栅极绝缘层15和第二栅极绝缘层19之间的电容下极板10c、以及位于中间绝缘层10a和第二栅极绝缘层19之间的电容上极板10d。
其中,电极层30设置在填充层10b上、并穿过填充层10b与漏极18电连接;
进一步的,在本实施方式中,填充层10b的材质为聚乳酸。可以理解的是,填充层10b的材质为聚乳酸仅为本实施方式中的一种具体的举例说明,在本发明的其它实施方式中,填充层10b也可以是其它材质,如聚乙烯等,在此不进行一一列举,具体可以根据实际需要进行灵活的设置。
本发明第二实施方式涉及一种显示面板,第二实施方式与第一实施方式大致相同,同样包括基板10、设置在基板10上的像素限定层20、以及位于基板10和像素限定层20之间的电极层30。其中,像素限定层20包括与电极层30相对设置的通孔21,通孔21贯穿像素限定层20、并落在电极层30上;主要区别之处在于:在第一实施方式中,电极层30包括第一透明电极层31和遮光导电层32,而在第二实施方式中,如图4所示,电极层30除包括第一透明电极层31和遮光导电层32之外,还包括第二透明导电层33。
具体的,在本实施方式中,第一透明导电层31夹设于遮光导电层32与基板10之间,遮光导电层32夹设于第一透明导电层31和第二透明导电层33之间。
与现有技术相比,本发明第二实施方式所提供的显示面板在保留第一实施方式所提供的显示面板的全部技术效果的同时,还设置电极层30包括第二透明导电层33且遮光导电层32夹设于第一透明导电层31和第二透明导电层33之间。既可以有效的增大各个部件之间结合的牢固程度,提升显示面板的可靠性;又可以对遮光导电层32起到保护作用,防止遮光导电层32被氧化。
进一步的,在本实施方式中,通孔21的侧壁至少部分落在第一透明导电层31上。可以理解的是,通孔21的侧壁至少部分落在第一透明导电层31上仅为本实施方式中一种具体的位置的举例说明,并不构成限定。在本发明的其他实施方式中,通孔21的侧壁也可以是不落在第一透明导电层31上,而落在电极层30的其他部分,如全部落在第二透明导电层33上或全部落在遮光导电层上;或者通孔21的侧壁也可以是至少部分落在遮光导电层32上;或者通孔21的侧壁也可以是至少部分落在第二透明导电层33上,在此不进行一一列举。
具体的,在本实施方式中,在沿电极层30的堆叠方向上,第二透明导电层33的面积与遮光导电层32的面积相等。可以理解的是,第二透明导电层33的面积与遮光导电层32的面积相等仅为本实施方式中的一种具体的应用举例,并不构成限定,在本发明的其它实施方式中,如图5所示,第二透明导电层33的面积也可以是大于遮光导电层32的面积,或者是如图6所示,第二透明导电层33的面积也可以是小于遮光导电层32的面积。
优选地,在本实施方式中,第一透明导电层31和第二透明导电层33的厚度均为大于或等于8纳米且小于或等于15纳米。可以理解的是,在本实施方式中,第一透明导电层31与第二透明导电层33的厚度可以相同也可以不同。
更优的,在本实施方式中,第一透明导电层31与第二透明导电层33的厚度均为10纳米。
优选地,在本实施方式中,遮光导电层32的厚度大于或等于80纳米且小于或等于120纳米。
更优的,在本实施方式中,遮光导电层32的厚度为100纳米。
本发明第三实施方式涉及一种显示器件,包括本发明其他实施方式所提供的显示面板。
与现有技术相比,本发明第三实施方式所提供的显示器件包括如本发明其他实施方式所提供的显示面板,因此,第三实施方式所提供的显示器件具有本发明其它实施方式所提供的显示面板的全部技术效果,在此不进行赘述。
本发明第四实施方式涉及一种显示面板的制作方法,如图7所示,包括以下步骤:
步骤S701:提供基板。
步骤S702:在基板上形成电极层,电极层包括堆叠形成的第一透明导电层和遮光导电层。
具体的,在本实施方式中,在基板上堆叠形成第一透明导电层和遮光导电层作为电极层,在电极层的堆叠方向上,第一透明导电层的投影面积大于遮光导电层的投影面积。
步骤S703:在电极层上形成像素限定层。
具体的,在本步骤中,像素限定层内具有与电极层相对设置的通孔,通孔贯穿像素限定层、并落在电极层上。通孔落在电极层上,即通孔的侧壁全部落在电极层上。
可以理解的是,为了防止由于技术误差导致实际制作的通孔的边缘落在电极层以外的区域,在本实施方式中设计通孔的位置时,预设通孔的位置为远离电极层边缘预设距离的区域。
进一步的,在本实施方式中,预设距离小于3微米。优选的,在本实施方式中,预设距离为2微米。可以理解的是,预设距离为2微米仅为本实施方式中的一种具体的举例说明,并不构成限定,在本发明的其他实施方式中,预设距离也可以是其它值,在此不进行一一列举,具体可以根据实际需要进行灵活的设定。
不难发现,本实施方式为与第一实施方式相对应的显示面板的制作方法实施例,本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
与现有技术相比,本发明第四实施方式所提供的显示面板的制作方法所制备的显示面板具有与本发明第一实施方式所提供的显示面板相同的技术效果,在此不进行赘述。
本发明第五实施方式涉及一种显示面板的制作方法,如图8所示,包括以下步骤:
步骤S801:提供基板。
步骤S802:在基板上形成电极层,电极层包括堆叠形成的第一透明导电层、遮光导电层和第二透明导电层。
具体的,在本实施方式中,在基板上形成电极层,具体包括以下步骤:
如图9所示,在基板上形成第一透明导电层31,在第一透明导电层31上形成覆盖第一透明导电层31的遮光导电层32,在遮光导电层32上形成覆盖遮光导电层32的第二透明导电层33,在第二透明导电层33上形成覆盖第二透明导电层33的光刻胶层40。
如图10所示,图形化光刻胶层,在第二透明导电层33上形成相互并列的第一光刻胶区域331、第二光刻胶区域332以及无光刻胶区域333。
具体的,使用半透光掩模板50经过曝光和显影工艺图形化光刻胶层,半透光掩模板50包括全透光区域51、半透光区域52和不透光区域53,半透光区域52的透明度大于不透光区域53的透明度且小于全透光区域51的透明度,第一光刻胶区域331形成于不透光区域53下方、第二光刻胶区域332形成于半透光区域52下方、无光刻胶区域333形成于全透光区域51下方。
其中,第二光刻胶区域332表面的光刻胶层厚度小于第一光刻胶区域331表面的光刻胶层厚度。
如图11所示,去除所述无光刻胶区域的第一透明导电层31、遮光导电层32以及第二透明导电层33。
具体的,第一透明导电层31和第二透明导电层33使用草酸类刻蚀液进行刻蚀;遮光导电层32使用HNO3、CH3COOH、H3PO4混酸刻蚀液进行刻蚀。
如图12所示,去除所述第二光刻胶区域332表面的光刻胶层。
具体的,通过干法Ashing工艺使用SF6+O2气体进行反应,去除第一光刻胶区域332表面的光刻胶层。此外,第二光刻胶区域333表面的光刻胶层40同样发生反应并减少,导致第二光刻胶区域333表面的光刻胶层40厚度减小。
如图13所示,去除第二光刻胶区域的遮光导电层32以及第二透明导电层33,并去除第一光刻胶区域331表面的光刻胶层。
具体的,在本步骤中通过两步湿法刻蚀去除无光刻胶层遮挡的第二透明导电层和遮光导电层。
进一步的,第二透明导电层33使用草酸类刻蚀液进行刻蚀;遮光导电层32使用HNO3、CH3COOH、H3PO4混酸刻蚀液进行刻蚀。
具体的,通过干法Ashing工艺去除所述第二光刻胶区域表面的光刻胶层。
步骤S803:在电极层上形成像素限定层。
由于本实施方式中的步骤S801和步骤S803与第四实施方式中的步骤S701和步骤S703大致形同,具体可以参照第四实施方式的具体内容,在此不再进行赘述。
不难发现,本实施方式为与第二实施方式相对应的显示面板的制作方法实施例,本实施方式可与第二实施方式互相配合实施。第二实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第二实施方式中。
与现有技术相比,本发明第五实施方式所提供的显示面板的制作方法所制备的显示面板具有与本发明第二实施方式所提供的显示面板相同的技术效果,在此不进行赘述。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本发明的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (7)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板、设置在所述基板上的像素限定层、以及位于所述基板和所述像素限定层之间的电极层;
所述像素限定层内具有与所述电极层相对设置的通孔,所述通孔贯穿所述像素限定层、并落在所述电极层上;
所述电极层包括堆叠设置的第一透明导电层和遮光导电层,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第一透明导电层在所述基板上的正投影面积大于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积;
所述电极层还包括第二透明导电层,所述遮光导电层夹设于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间;
其中,所述第一透明导电层形成在所述基板上,所述遮光导电层形成在所述第一透明导电层上、所述第二透明导电层形成在所述遮光导电层上,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第二透明导电层在所述基板上的正投影面积小于或等于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述遮光导电层在所述基板上的正投影位于所述第一透明导电层在所述基板上的正投影内部;或者,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述遮光导电层在所述基板上的正投影与所述第一透明导电层在所述基板上的正投影部分重合。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述通孔的侧壁至少部分落在所述第一透明导电层上、或者所述通孔的侧壁至少部分落在所述遮光导电层上、或者所述通孔的侧壁至少部分落在所述第二透明导电层上。
4.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至3中任一项所述的显示面板。
5.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成电极层;
在所述电极层上形成像素限定层,所述像素限定层内具有与所述电极层相对设置的通孔,所述通孔贯穿所述像素限定层、并落在所述电极层上;
其中,所述在所述基板上形成电极层,具体为,在所述基板上堆叠形成第一透明导电层和遮光导电层,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第一透明导电层在所述基板上的正投影面积大于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积;
所述在所述基板上形成电极层,还包括,在所述遮光导电层远离所述第一透明导电层的表面形成第二透明导电层;
其中,所述第一透明导电层形成在所述基板上,所述遮光导电层形成在所述第一透明导电层上、所述第二透明导电层形成在所述遮光导电层上,在沿所述电极层的堆叠方向上,所述第二透明导电层在所述基板上的正投影面积小于或等于所述遮光导电层在所述基板上的正投影面积。
6.根据权利要求5所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述在所述基板上形成电极层,具体包括:
S1:在所述基板上形成第一透明导电层,在所述第一透明导电层上形成遮光导电层、在所述遮光导电层上形成第二透明导电层、在所述第二透明导电层上形成光刻胶层;
S2:图形化所述光刻胶层,在所述第二透明导电层上形成第一光刻胶区域、第二光刻胶区域以及无光刻胶区域,其中,所述第二光刻胶区域表面的光刻胶层厚度小于所述第一光刻胶区域表面的光刻胶层厚度;
S3:去除所述无光刻胶区域的所述第一透明导电层、所述遮光导电层以及所述第二透明导电层;
S4:去除所述第二光刻胶区域表面的光刻胶层;
S5:去除所述第二光刻胶区域的所述遮光导电层以及所述第二透明导电层;
S6:去除所述第一光刻胶区域表面的光刻胶层。
7.根据权利要求6所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述图形化所述光刻胶层,在所述第二透明导电层上形成第一光刻胶区域、第二光刻胶区域以及无光刻胶区域,具体包括:
利用掩膜板图形化所述光刻胶层;
其中,所述掩膜板包括全透光区域、半透光区域和不透光区域,所述半透光区域的透明度大于所述不透光区域的透明度且小于所述全透光区域的透明度,所述无光刻胶区域形成于所述全透光区域下方、所述第二光刻胶区域形成于所述半透光区域下方、所述第一光刻胶区域形成于所述不透光区域下方。
CN201910458204.2A 2019-05-29 2019-05-29 显示面板及其制作方法、显示装置 Active CN110165079B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910458204.2A CN110165079B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 显示面板及其制作方法、显示装置
JP2021534680A JP7197704B2 (ja) 2019-05-29 2019-11-15 表示パネル及びその製作方法
PCT/CN2019/119000 WO2020238071A1 (zh) 2019-05-29 2019-11-15 显示面板及其制作方法、显示装置
KR1020217017597A KR102547608B1 (ko) 2019-05-29 2019-11-15 디스플레이 패널, 그 제조 방법, 및 디스플레이 장치
EP19931277.8A EP3876297A4 (en) 2019-05-29 2019-11-15 DISPLAY BOARD AND METHOD FOR PREPARING IT, AND DISPLAY DEVICE
TW108143105A TWI720704B (zh) 2019-05-29 2019-11-27 顯示面板及其製作方法、顯示裝置
US17/330,676 US20210280816A1 (en) 2019-05-29 2021-05-26 Display panel and method for producing same, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910458204.2A CN110165079B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 显示面板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110165079A CN110165079A (zh) 2019-08-23
CN110165079B true CN110165079B (zh) 2020-08-25

Family

ID=67630073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910458204.2A Active CN110165079B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 显示面板及其制作方法、显示装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210280816A1 (zh)
EP (1) EP3876297A4 (zh)
JP (1) JP7197704B2 (zh)
KR (1) KR102547608B1 (zh)
CN (1) CN110165079B (zh)
TW (1) TWI720704B (zh)
WO (1) WO2020238071A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165079B (zh) * 2019-05-29 2020-08-25 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機el素子および有機elパネル
KR100714011B1 (ko) * 2005-11-30 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100796618B1 (ko) 2007-01-04 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP5411469B2 (ja) 2008-08-28 2014-02-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法
CN102668706B (zh) * 2009-11-17 2015-03-25 联合创新技术有限公司 有机el显示器
JP2014078536A (ja) 2010-03-15 2014-05-01 Pioneer Electronic Corp 有機el装置
WO2011114424A1 (ja) 2010-03-15 2011-09-22 パイオニア株式会社 有機elパネル及びその製造方法
CN103474448A (zh) 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及显示装置
KR102148935B1 (ko) * 2013-11-21 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015138612A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP6204209B2 (ja) 2014-01-27 2017-09-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR102313362B1 (ko) * 2014-12-02 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2016149191A (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP6517597B2 (ja) * 2015-06-10 2019-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105552249B (zh) * 2016-03-16 2017-11-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN106531768A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
WO2018173465A1 (ja) 2017-03-21 2018-09-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
CN107706209B (zh) * 2017-08-09 2019-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法
CN109742114B (zh) * 2019-01-08 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示背板制作方法及显示背板、显示装置
CN110165079B (zh) * 2019-05-29 2020-08-25 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7197704B2 (ja) 2022-12-27
CN110165079A (zh) 2019-08-23
KR20210078562A (ko) 2021-06-28
WO2020238071A1 (zh) 2020-12-03
US20210280816A1 (en) 2021-09-09
EP3876297A4 (en) 2022-01-12
KR102547608B1 (ko) 2023-06-26
TWI720704B (zh) 2021-03-01
EP3876297A1 (en) 2021-09-08
JP2022514563A (ja) 2022-02-14
TW202013715A (zh) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103365007B (zh) 显示器件及其制造方法
TWI515910B (zh) 薄膜電晶體基板與其製作方法、顯示器
US20190181161A1 (en) Array substrate and preparation method therefor, and display device
KR101701229B1 (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
US20190034012A1 (en) Touch substrate, manufacturing method thereof and touch device
US11429213B2 (en) Touch display device, display panel and manufacturing method of the same
US11508177B2 (en) Display panel including light shield layer and optical processing film, manufacturing method thereof and display device
WO2017202188A1 (zh) 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
US20150185904A1 (en) Method for manufacturing touch substrate
JP6096390B2 (ja) 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法
WO2022027741A1 (zh) 阵列基板、其制备方法以及显示面板
CN110165079B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US8743328B2 (en) Manufacturing method for a liquid crystal display device wherein each side of a metal pattern and a semiconductor pattern facing an etched space is contacted by an insulating layer
CN114975477A (zh) 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置
JP5241966B2 (ja) 半導体装置、tft基板、ならびに半導体装置およびtft基板の製造方法
KR20170107122A (ko) 표시장치의 제조 방법
CN115050787A (zh) 显示面板、制作方法和显示装置
CN111477636B (zh) 元件基板及其制造方法
CN113629079A (zh) 一种显示基板及其制造方法、显示装置
JP6122553B2 (ja) 有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法
US20200105627A1 (en) Thin Film Transistor, Display Substrate and Repairing and Manufacturing Methods Thereof, and Display Device
CN216213459U (zh) 一种显示基板及显示装置
US20160307930A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN107179644B (zh) 一种显示基板、其制作方法及显示装置
KR102259278B1 (ko) 표시장치와 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant