JP6096390B2 - 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 - Google Patents
有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6096390B2 JP6096390B2 JP2016532197A JP2016532197A JP6096390B2 JP 6096390 B2 JP6096390 B2 JP 6096390B2 JP 2016532197 A JP2016532197 A JP 2016532197A JP 2016532197 A JP2016532197 A JP 2016532197A JP 6096390 B2 JP6096390 B2 JP 6096390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- metal
- emitting diode
- short circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 39
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は有機発光ダイオード表示装置の領域に関し、特に有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法に関する。
有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode；OLED）表示装置は自発光、低消費電力及び広視野角という特徴を有しており、そのため将来成長する可能性が大きい表示装置として考えられている。
図1及び図2を参照すると、図1は従来技術における有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図であり、図2は図１における線分AA'に沿った断面図である。
前記有機発光ダイオード表示装置を製造するプロセスは、先ず、基板（未図示）上に複数の薄膜トランジスターを製造してスイッチング素子とし、次に、有機発光ダイオードを製造して発光素子とするというものである。
薄膜トランジスターと有機発光ダイオードを製造する主なステップは以下を含む。先ず、前記基板（未図示）の上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成し、次に無機層100を形成し、さらに前記無機層100上に金属層を形成する。前記金属層は金属配線102、104を含んでおり、それぞれ独立信号を伝送し、すなわち異なる信号の伝送に用いられる。続いて、前記金属配線102、104上に有機層106を形成し、次に前記有機層106上に酸化インジウムスズ層（Indium Tin Oxide；ITO）108を形成する。前記酸化インジウムスズ層108は、有機発光ダイオードの陽極とされる。続いて、前記酸化インジウムスズ層108上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成する。
しかし、前記有機発光ダイオード表示装置の製造プロセスにおいて、前記酸化インジウムスズ層108を堆積させ、且つ前記酸化インジウムスズ層108においてフォトレジスト層（未図示）を形成するが、前記有機層106の厚さが大きすぎるため、露光ステップを実施する際に、前記酸化インジウムスズ層108の底部は前記有機層106の頂部によって遮られて光線が届かない、すなわち前記有機層106にシャドー効果が発生するため、エッチングステップを実施し、さらに前記フォトレジスト層（未図示）を除去した後、図2に示すように、前記酸化インジウムスズ層108が残留し、それによって図1に示す金属配線102、104のショートを引き起こす。
したがって、従来技術において酸化インジウムスズ層108が残留することによって、金属配線102、104がショートするという問題に対する解決方法を提供する必要がある。
本発明の目的は、有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避するための方法を提供することであって、それは従来技術において酸化インジウムスズ層が残留することによって、金属配線のショートが引き起こされるという問題を解決することである。
本発明が提供する有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記フォトマスクの前記光透過領域の幅は前記フォトマスクの解像度であり、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記フォトマスクの前記光透過領域の幅は前記フォトマスクの解像度であり、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は１〜２ミクロンである。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はソースとされる。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属の配線はドレインとされる。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成される。
上記問題を解決するため、本発明が提供する有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は１〜２ミクロンである。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はソースとされる。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はドレインとされる。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う。
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成される。
従来技術と比較して、本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、光非透過性材料を配置し、しかも前記光非透過性材料の幅は前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭いので、エッチングステップを行う際に、前記有機層の厚さを低減させることができ、そのため前記酸化インジウムスズ層は完全にエッチングされて残留しなくなり、それによって前記2本の金属配線がショートするという状況の発生を回避することができる。
本発明の上記内容をより分かり易くするために、以下に実施例を挙げ、且つ図面と組み合わせて詳細な説明を行う。
以下の各実施例に対する説明では図を参考にしており、それによって本発明の実施可能な特定の実施例を例示する。本発明で言及している方向に関する用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、及び「側面」等は、図を参考するための方向を示すものである。したがって、使用されている方向に関する用語は、本発明に対する理解と説明のために用いられているものであり、本発明を制限するものではない。
図3〜図6を参照すると、図3は、本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法のフローチャートであり、図4は本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図であり、図5は図4に本発明の方法を適用した平面図であり、図6は図５における線分BB'に沿った断面図である。
ステップS300では、基板410を提供する。
ステップS302では、前記基板410上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成する。
ステップS302では、前記基板410上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成する。
なお、前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）の形成方式は従来技術と同じであり、且つ本発明の重点ではないので、図示していない。
ステップS304では、前記基板410上に無機層400を形成する。なお、前記無機層400が前記基板410上に形成する領域と前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）が前記基板410上に形成する領域は異なる。
ステップS306では、前記無機層400上に金属層を形成し、前記金属層は少なくとも2本の金属配線402、404を含み、該金属配線402、404はソース又はドレインとして、それぞれ独立信号を伝送し、すなわちそれぞれ異なる信号の伝送に用いられている。
前記2本の金属配線402、404は、例えば、ウェットエッチング（wet etching）方法を用いて形成されてもよいが、これに制限されない。
ステップS308では、前記金属層の金属配線402、404上に有機層406を形成する。前記有機層406は少なくとも前記金属配線402、404の一部分を覆う。前記有機層406と前記無機層400は絶縁層として使用されており、それは平坦化機能を有し、それによって後続の有機発光ダイオードを製造する際の品質を高める。
ステップS310では、前記有機層406上に酸化インジウムスズ層（Indium Tin Oxide；ITO）408を形成し，前記酸化インジウムスズ層408は有機発光ダイオードの陽極とされる。
なお、有機発光ダイオードの位置は前記基板410の発光領域（未図示）に形成されるが、図4及び図5には薄膜トランジスター領域を示しており、そのため、前記酸化インジウムスズ層408（有機発光ダイオードの陽極とされる）は発光領域（未図示）のみに形成する必要があるが、図4及び図5に示されている薄膜トランジスター領域は前記酸化インジウムスズ層408を必要としないので、薄膜トランジスター領域に位置する前記酸化インジウムスズ層408を必ず除去しなければならない。
ステップS310では、フォトレジスト層（未図示）を塗布する。
ステップS312では、フォトマスク（未図示）によって前記フォトレジスト層（未図示）に対して露光を行い、前記フォトマスク（未図示）に対応する前記金属配線402、404の両者の間は光透過領域Cを有し、前記光透過領域C内には光非透過性材料420が配置され、前記光非透過性材料420の幅W1は前記フォトマスクの前記光透過領域Cの幅W2より狭く、前記光透過領域Cの幅W2は、前記フォトマスク（未図示）の解像度、すなわち露光機の解像度である。前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420は前記無機層400の一部分と前記有機層の一部分に対応する。
ステップS312では、フォトマスク（未図示）によって前記フォトレジスト層（未図示）に対して露光を行い、前記フォトマスク（未図示）に対応する前記金属配線402、404の両者の間は光透過領域Cを有し、前記光透過領域C内には光非透過性材料420が配置され、前記光非透過性材料420の幅W1は前記フォトマスクの前記光透過領域Cの幅W2より狭く、前記光透過領域Cの幅W2は、前記フォトマスク（未図示）の解像度、すなわち露光機の解像度である。前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420は前記無機層400の一部分と前記有機層の一部分に対応する。
Canon社の露光機を例にすると、その解像度は2.5ミクロン（micrometer；μm）であるので，前記光非透過性材料420の幅W1は0より大きく、かつ２ミクロンより小さく設計しなければならないが、検証の結果によると、前記光非透過性材料420の幅W1は１〜2ミクロンであることが好ましい。
ステップS314では、前記フォトレジスト層（未図示）に対して現像を行う。
ステップS316では、エッチングを行って前記酸化インジウムスズ層408及び前記有機層406の一部分を除去する。前記光非透過性材料420の幅W1は前記光透過領域Cの幅W2より狭いので、エッチングステップを経た後に、前記有機層406に対応する前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420の両者の間の領域は除去されており、その除去された部分は図６に示されている点線領域であり、前記有機層406に対応する前記光非透過性材料420の領域は除去されることはない。
ステップS316では、エッチングを行って前記酸化インジウムスズ層408及び前記有機層406の一部分を除去する。前記光非透過性材料420の幅W1は前記光透過領域Cの幅W2より狭いので、エッチングステップを経た後に、前記有機層406に対応する前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420の両者の間の領域は除去されており、その除去された部分は図６に示されている点線領域であり、前記有機層406に対応する前記光非透過性材料420の領域は除去されることはない。
図6に示すように、前記有機層406と前記無機層400の境界部分の厚さが減少するので（即ち点線領域が除去される）、前記有機層406のシャドー効果を消去することができ、前記酸化インジウムスズ層408は光が届かないことで、完全に除去できないことはなく、前記無機層400と前記有機層406の境界部分に前記酸化インジウムスズ層408が残留せず、したがって、図4の前記金属配線402、404の間がショートするという状況の発生を回避できる。
ステップS318では、前記フォトレジスト層の余剰部分を除去する。
ステップS320では、順次発光領域（未図示）の酸化インジウムスズ層上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成して、有機発光ダイオードの製造を完了する。
ステップS320では、順次発光領域（未図示）の酸化インジウムスズ層上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成して、有機発光ダイオードの製造を完了する。
なお、前記発光層（未図示）及び前記陰極（未図示）の形成方法と従来技術は同じであり且つ本発明の重点ではないので、図示していない。
本発明は光非透過性材料420を配置し、しかも前記光非透過性材料420の幅W1は前記フォトマスクの前記光透過領域Cの幅W2より狭いので（ステップS314）、前記酸化インジウムスズ層408及び前記有機層406の一部をエッチングして除去する際に（ステップS320）、図6に示すように前記有機層406の厚さを減少することができ、したがって、前記酸化インジウムスズ層408は完全にエッチングされて残留することがなく、それによって図4に示す前記金属配線402、404の間がショートするという状況の発生を回避できる。
以上説明したように、本発明は既に実施例を上述のように挙げているが、上述の実施例は本発明を限定するためのものではなく、当業者は本発明の精神と範囲を逸脱しない前提で、様々な修正及び変更を行うことができるので、本発明の保護範囲は特許請求の範囲に記載された範囲を基準とする。
Claims (16)
- 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法であって、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記フォトマスクの前記光透過領域の幅は前記フォトマスクの解像度であり、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。 - エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記光非透過性材料の幅は１〜2ミクロンである、ことを特徴とする請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線をソースとする、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線をドレインとする、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを防止する方法であって、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。 - エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を除去するステップを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記光非透光性材料の幅は2ミクロンより小さい、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記光非透過性材料の幅は１〜2ミクロンである、ことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線をソースとする、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線をドレインとする、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
- 前記2本の金属配線をウェットエッチング方法によって形成する、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310361689.6A CN103426820B (zh) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
| CN201310361689.6 | 2013-08-19 | ||
| PCT/CN2013/088056 WO2015024321A1 (zh) | 2013-08-19 | 2013-11-28 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016527692A JP2016527692A (ja) | 2016-09-08 |
| JP6096390B2 true JP6096390B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=49651372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016532197A Active JP6096390B2 (ja) | 2013-08-19 | 2013-11-28 | 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9076992B2 (ja) |
| JP (1) | JP6096390B2 (ja) |
| KR (1) | KR101790104B1 (ja) |
| CN (1) | CN103426820B (ja) |
| EA (1) | EA031170B9 (ja) |
| GB (1) | GB2534055B (ja) |
| WO (1) | WO2015024321A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103441099B (zh) * | 2013-08-19 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法 |
| CN104868224B (zh) * | 2014-02-21 | 2018-07-06 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备 |
| WO2017146058A1 (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP7220320B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2023-02-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| CN111430435B (zh) * | 2020-04-15 | 2022-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN112635493B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-09-20 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3305235B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2002-07-22 | 松下電器産業株式会社 | アクティブ素子アレイ基板 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| KR100413668B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| JP4869497B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TW548862B (en) * | 2002-05-30 | 2003-08-21 | Au Optronics Corp | Method of preventing anode of active matrix organic light emitting diode from breaking |
| JP2004030977A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法 |
| KR100858802B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자의 제조방법 |
| CA2412379A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-22 | Luxell Technolgies Inc. | Transparent-cathode for top-emission organic light-emitting diodes |
| JP4193170B2 (ja) | 2003-01-09 | 2008-12-10 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 表示素子の欠陥修復方法 |
| JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| KR100903101B1 (ko) | 2005-02-07 | 2009-06-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP5235269B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2013-07-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US20080258138A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and fabricating method thereof, and flat panel display with the same |
| JP2008309985A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2009110793A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Kyocera Corp | 画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスク |
| JP5046915B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-10-10 | 京セラ株式会社 | 表示装置用基板、表示装置、及び表示装置用基板の製造方法 |
| JP5565047B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-08-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR101212225B1 (ko) * | 2010-05-06 | 2012-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN102034935B (zh) * | 2010-09-27 | 2012-07-04 | 南京邮电大学 | 高对比度顶发光型有机发光二极管 |
| JP2012235310A (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Sony Corp | 信号処理装置および方法、プログラム、並びにデータ記録媒体 |
| KR20140007688A (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| CN102751312B (zh) * | 2012-07-27 | 2015-10-28 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种oled显示器及其制造方法 |
-
2013
- 2013-08-19 CN CN201310361689.6A patent/CN103426820B/zh active Active
- 2013-11-28 WO PCT/CN2013/088056 patent/WO2015024321A1/zh active Application Filing
- 2013-11-28 JP JP2016532197A patent/JP6096390B2/ja active Active
- 2013-11-28 EA EA201690385A patent/EA031170B9/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-11-28 US US14/129,992 patent/US9076992B2/en active Active
- 2013-11-28 KR KR1020167004497A patent/KR101790104B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-28 GB GB1603702.0A patent/GB2534055B/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015024321A1 (zh) | 2015-02-26 |
| KR20160034381A (ko) | 2016-03-29 |
| CN103426820A (zh) | 2013-12-04 |
| EA201690385A1 (ru) | 2016-07-29 |
| CN103426820B (zh) | 2015-04-22 |
| US9076992B2 (en) | 2015-07-07 |
| KR101790104B1 (ko) | 2017-10-25 |
| JP2016527692A (ja) | 2016-09-08 |
| EA031170B1 (ru) | 2018-11-30 |
| EA031170B9 (ru) | 2019-03-29 |
| GB2534055B (en) | 2019-01-02 |
| US20150140714A1 (en) | 2015-05-21 |
| GB201603702D0 (en) | 2016-04-20 |
| GB2534055A (en) | 2016-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6096390B2 (ja) | 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 | |
| KR102178196B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| US10644037B2 (en) | Via-hole connection structure and method of manufacturing the same, and array substrate and method of manufacturing the same | |
| US10109654B2 (en) | Manufacturing method of display substrate, display substrate and display device | |
| WO2015110027A1 (zh) | 像素结构及其制作方法和显示面板 | |
| US9165830B1 (en) | Array substrate and method of fabricating the same, and liquid crystal display device | |
| JP6188793B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法、表示装置 | |
| WO2016015415A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US8658480B2 (en) | Method for manufacturing active array substrate | |
| US20150140728A1 (en) | Method for avoiding short circuit of metal circuits in oled display device | |
| JP2014140033A (ja) | 薄膜トランジスタ及びアレイ基板の製造方法 | |
| TWI471948B (zh) | 氧化物薄膜電晶體製程方法 | |
| US9741861B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| US9798227B2 (en) | Methods of forming patterns using photomask layout | |
| JP6122553B2 (ja) | 有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法 | |
| TWI417966B (zh) | 畫素結構的製作方法 | |
| US20160268443A1 (en) | Thin Film Transistor, Array Substrate and Method of Fabricating the Same, and Display Device | |
| TWI720704B (zh) | 顯示面板及其製作方法、顯示裝置 | |
| JP2014235353A (ja) | 表示パネル及びその製造方法、並びに、液晶表示パネル | |
| WO2014077201A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および表示装置 | |
| US8603844B2 (en) | Pixel structure and manufacturing method thereof | |
| KR102259278B1 (ko) | 표시장치와 그 제조 방법 | |
| US9530808B2 (en) | TFT array substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
| US9012251B2 (en) | Method for preventing short circuit between metal wires in organic light emitting diode display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6096390 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |