JP5235269B2 - 画像表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1−1〜図1−3は、本発明の実施の形態にかかる画像表示装置であり、たとえば携帯情報端末などの表示部に用いられる有機EL表示装置の概略構成を示す図である。図1−1は実施の形態にかかる有機EL表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。また、図1−2は実施の形態にかかる有機EL表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。また、図1−3は本実施の形態にかかる有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。
12 素子基板
14 封止基板
16 封止材
18 回路層
20 下部絶縁膜
22 平坦化膜
22a 絶縁性膜
23 有機EL素子
24 下部電極
24a 導電性膜
26 上部絶縁膜
26a 絶縁膜
28 有機層
30 上部電極
32 回路層
100 露光マスク
100a 露光マスク
100b 露光マスク
100c 露光マスク
102 レジスト
104 露光マスク
106 露光マスク
212 素子基板
218 回路層
220 下部絶縁膜
222 平坦化膜
224 下部電極
224a 導電性膜
224b 導電性膜
302 レジスト
302a レジスト残
304 露光マスク
Claims (6)
- 素子基板上に複数の画素回路を有する回路層を形成する工程と、
前記回路層を覆うように前記回路層上に下部絶縁膜を形成する工程と、
前記下部絶縁膜上に絶縁性膜を形成する工程と、
前記絶縁性膜に露光、現像およびベークを行って、端部に位置する側面の上端部と端部に位置する側面の下端部とを結んだ斜線と前記素子基板の上面とのなす角度αが45°以下の平坦化膜を形成する工程と、
前記下部絶縁膜上および前記平坦化膜上に導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングしたレジストを得るとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上にレジスト残を生じない工程と、
前記パターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて前記導電性膜のエッチングを行い、前記パターニングしたレジストを除去することにより、所定の形状の下部電極を形成するとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上に残存導電性膜を生じない工程と、
前記下部絶縁膜上、前記平坦化膜上および前記下部電極上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングした上部絶縁膜を得る工程と、
前記下部電極上および前記上部絶縁膜上の前記複数の画素回路と重なる領域にそれぞれ発光素子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜の端部に位置する側面の上端部と下端部とを結んだ斜線を基板表面上に投影したときの線分の長さを、前記上端部における前記平坦化膜の膜厚の3倍以上の長さに形成すること
を特徴とする請求項1に記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜の端部に位置する側面は傾斜状または階段状を成すこと
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜は、絶縁性膜を形成する工程と、該絶縁性膜に対して光を照射する工程と、前記絶縁性膜を現像液に浸漬させることにより前記絶縁性膜を光の照射パターンに加工する工程と、を経て形成され、
前記絶縁性膜に対して光を照射する際に、前記平坦化膜の端部に位置する側面に対応する領域の光量を、前記平坦化膜の端部に位置する側面の上端部近傍に対応する領域と、前記平坦化膜の端部に位置する側面の下端部近傍に対応する領域とで異ならせることにより前記角度αを設定したこと
を特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。 - 前記発光素子が有機EL素子であること
を特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1つに記載の画像表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5に記載の画像表示装置の製造方法において、
前記素子基板と、該素子基板に対向する封止基板とを封止材で接着する工程と、
をさらに含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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