CN112366208B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板，包括：基底，基底包括屏下摄像头区域，屏下摄像头区域包括开口区，还包括：柔性层，位于基底一侧，在基底上的正投影与开口区无重叠。背板层，位于柔性层远离基底一侧，包括多层透光膜层，且至少一层透光膜层在基底上的正投影覆盖开口区。发光器件层，位于背板层远离基底一侧，包括阴极，阴极在基底上的正投影与开口区无重叠。这使得开口区内的通孔变为盲孔，开口区位置处开孔的孔深变浅，在进行后续封装时，容易使得有机封装层流平。另外，阴极在基底上的正投影与开口区无重叠，盲孔处没有阴极层，不需要进行阴极去除，采用正常的能量就可以进行激光剥离工艺，分离基底和柔性层。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体为一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着科技不断的进步，人们对智能终端(例如，手机)的需求和要求日益增长，屏下摄像头技术的出现越来越受到用户的欢迎。目前的屏下摄像头显示面板制备工艺采用的是在背板工艺中通过气体刻蚀的方法将屏下摄像头部分未显示区域进行刻蚀，形成开口区(AAHole)，之后，整个显示面板进行正常的发光器件层和封装层制作工艺，之后再进行激光剥离工艺。
但是，本申请的发明人发现，目前的屏下摄像头显示面板制备工艺存在以下三点技术问题：
(1)激光剥离工艺过程中，高能量激光会造成开口区及其附近区域产生较多灰化残留，影响显示面板的透过率；(2)部分开口区位置处会出现膜层剥离风险；(3)封装层制作工艺过程中，导致有机封装层流平困难，影响正常工艺。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用于解决现有技术屏下摄像头显示面板存在的由于灰化残留而影响显示面板透过率、有机封装层流平困难以及存在膜层剥离风险的问题。
为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：
在第一方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，包括：基底，所述基底包括屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括开口区，还包括：
柔性层，位于所述基底一侧，在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠；
背板层，位于所述柔性层远离所述基底一侧，包括多层透光膜层，且至少一层所述透光膜层在所述基底上的正投影覆盖所述开口区；
发光器件层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括阴极，所述阴极在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠。
可选地，所述背板层包括：依次叠层在所述柔性层上的第一透光膜层、有源层、第二透光膜层、栅极、第三透光膜层、源漏极、第四透光膜层、第五透光膜层、阳极、第六透光膜层和第七透光膜层；其中：
所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层为无机膜层；
所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层为有机膜层。
可选地，在所述开口区：所述基底被所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地，在所述开口区：所述基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地，在所述开口区：基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层、所述第四透光膜层、所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地，所述发光器件层包括：依次叠层设置的有机发光层、阴极、光耦合层和光取出层；
所述有机发光层、所述光耦合层和所述光取出层分别在所述基底上的正投影区域均覆盖所述开口区；
所述阴极在所述基底上的正投影区域与所述柔性层在所述基底上的正投影区域部分重叠。
可选地，所述显示面板还包括封装层，位于所述发光器件层远离所述基底的一侧，且在所述基底上的正投影覆盖所述屏下摄像头区域。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面所述的显示面板。
在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示面板的制作方法，包括：
提供一基底，所述基底包括屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括开口区；
在所述基底上依次制作柔性层和背板层，所述背板层包括多层透光膜层，其中，所述柔性层在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠，且至少一层所述透光膜层在所述基底上的正投影覆盖所述开口区；
在所述背板层上制作发光器件层，所述发光器件层包括阴极，所述阴极在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠。
可选地，所述在所述基底上依次制作柔性层和背板层，包括：
在所述基底上制作柔性层；
通过构图工艺在所述柔性层上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极、像素定义层和隔垫层；其中：
在所述开口区，所述基底上制作有所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一层；或，在所述开口区，所述基底上制作有所述平坦层、所述像素定义层和所述隔垫层中的至少一层；或，在所述开口区，所述基底上制作有所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层和所述隔垫层中的至少一层。
可选地，所述在所述背板层上制作发光器件层，包括：
通过构图工艺在背板层上制作有机发光层，所述有机发光层位于所述像素定义层的开口区；
通过构图工艺在所述有机发光层上制作阴极，所述阴极的位置与所述阳极的位置对应，且覆盖对应位置处的所述阳极；
通过构图工艺在所述阴极上依次制作光耦合层和光取出层，所述光耦合层和所述光取出层的位置均与所述有机发光层的位置对应。
可选地，所述在所述背板层上制作发光器件层之后，还包括：
在所述光取出层上制作封装层，所述封装层包括交替叠层的无机封装层和有机封装层。
可选地，在所述光取出层上制作封装层后，还包括：
采用激光剥离工艺，分离所述基底和所述柔性层。
可选地，在所述激光剥离工艺中，激光剥离能量为190mJ/cm2-210mJ/cm2。
借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
由于本申请实施例的显示面板中至少一层透光膜层在基底上的正投影覆盖开口区，与现有技术相比，开口区对应的开孔此时相当于由通孔变为盲孔，开口区位置处透光膜层的设置使得该位置处的开孔的孔深变浅，这样在进行后续封装时，有机封装层更容易流平；且由于开口区位置处透光膜层的设置，使得即便在激光剥离切割工艺过程中存在发光器件层去除不完全的情况，也不会导致发光器件层直接与基底接触，进而可以避免后续将基底去除过程中的撕拉可能导致的膜层剥离风险；另外，由于本申请实施例中阴极在基底上的正投影与开口区无重叠，与现有技术相比，在激光剥离切割工艺过程中不需要去除阴极，故采用正常的激光能量就可以进行激光剥离工艺将柔性层与基底分离，有效避免了现有技术较高的激光能量产生的灰化残留，提升了显示面板的透过率。
上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本申请实施例的显示面板的局部结构示意图；
图2为本申请实施例的显示面板的具体结构示意图；
图3为本申请实施例的显示面板的像素的结构示意图；
图4为本申请实施例的显示面板的制作方法的流程图；
图5为在基底上设置柔性层和第一透光膜层；
图6为在图5的基底上设置第二透光膜层、栅极、第三透光膜层和光刻胶后的结构示意图；
图7为对图6的基底进行曝光工艺时的结构示意图；
图8为对图6的基底进行曝光工艺后的结构示意图；
图9为去掉图8中光刻胶后的结构示意图；
图10为在图9的基底上设置第五透光膜层、第六透光膜层和第七透光膜层后的结构示意图；
图11为在图10的基底上设置通孔后的结构示意图；
图12为在设置有柔性层后的基底上制备通孔的结构示意图；
图13为在图12的基底上设置第一透光膜层、第二透光膜层、栅极和第三透光膜层后的结构示意图；
图14为在图13的基底上设置通孔后的结构示意图；
图15为在图14的基底上设置源漏极后的结构示意图；
图16为在图15的基底上设置第四透光膜层后的结构示意图。
附图标记介绍如下：
2-基底；30-显示区；31-屏下摄像头区域；41-开口区；5-柔性层；6-背板层；7-透光膜层；8-发光器件层；81-像素单元；9-阴极；10-第一透光膜层；11-有源层；12-第二透光膜层；13-栅极；14-第三透光膜层；15-源漏极；16-第四透光膜层；17-第五透光膜层；18-阳极；19-第六透光膜层；20-第七透光膜层；21-有机发光层；24-无机封装层；25-有机封装层；26-光刻胶；27-掩膜板；22-第一过孔；23-第二过孔。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面先详细介绍一下目前的屏下摄像头显示面板的制备工艺。
首先，在玻璃基板上制作一层柔性层，柔性层可以是聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm，PI)，之后在柔性层上制作背板层，背板层包括缓冲层、遮光层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、第一源漏极、钝化层、第一平坦层、第二源漏极、第二平坦层、阳极、像素定义层和隔垫层，背板层包括的各个膜层的具体制作方法这里不再赘述。另外，背板层所有膜层制作完成后，需要通过气体一次刻蚀的方法将屏下摄像头部分未显示区域进行刻蚀，形成开口区，在该开口区位置处暴露出玻璃基板。
接着，进行正常的发光器件层和封装层的制作，发光器件层具体包括空穴传输层、有机发光层、电子传输层、阴极、光耦合层和光取出层，其中阴极采用金属材料制作形成，形成的阴极的透过率较低，发光器件层包括的各个膜层的具体制作方法这里不再赘述。封装层包括交替叠层制作的无机封装层和有机封装层，其中无机封装层一般采用化学气相沉积法制作，有机封装层一般采用喷墨打印法制作，具体制作方法这里不再赘述。
接着，进行激光剥离工艺，激光剥离工艺的目的是用激光将刚性的玻璃基板与柔性层分离开，在激光剥离工艺进行激光扫描时，利用高能量激光将开口区位置处的发光器件层进行激光剥离掉，具体地，激光剥离发光器件层时是从显示面板的背面进行去除的，去除的时候会将空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极去掉，光耦合层和光取出层可以不去除，但具体去除时存在去除不完全的风险，例如存在部分开口区位置处的发光器件层仍与玻璃基板粘粘的问题。
本申请的发明人发现，目前的屏下摄像头显示面板制备工艺存在以下缺点：
第一、对开口区位置处的发光器件层进行激光剥离时，由于开口区位置处存在阴极，而剥离掉阴极材料需要的激光能量较高，较高的激光能量会造成开口区附近其它区域接受的能量也较大，这样会造成开口区及其附近区域产生较多的灰化残留，而影响显示面板的透过率。
第二、由于激光剥离工艺过程中存在部分开口区位置处的发光器件层去除不完全的风险，这样在后续将玻璃基板去除过程中的撕拉可能导致发光器件层去除不完全的位置处出现膜层剥离风险。
第三、由于开口区位置处开口的深度较深，因此在封装层的制作过程中，容易导致有机封装层流平困难，影响正常工艺。
本申请实施例提供一种新的显示面板及其制作方法，以解决现有技术存在的上述缺点。
下面结合附图详细介绍本申请实施例提供的显示面板。
在第一方面中，本申请实施例提供了一种显示面板，如图1至图3所示，显示面板包括：基底2，基底2包括屏下摄像头区域31，屏下摄像头区域31包括开口区41，本申请实施例中开口区41的具体位置设置与现有技术类似，只要布设在屏下摄像头区域31内即可，本申请实施例并不对开口区41的具体位置做限定。
如图1和图2所示，本申请实施例的显示面板1还包括：柔性层5、背板层6和发光器件层8；柔性层5位于基底2一侧，在基底2上的正投影与开口区41无重叠，即柔性层5在开口区41位置处不覆盖基底2。背板层6位于柔性层5远离基底2一侧，包括多层透光膜层7(图1中仅示出了其中一层透光膜层)，且至少一层透光膜层7在基底2上的正投影覆盖开口区41，该透光膜层除了覆盖开口区41还可以覆盖部分或全部显示区，图1仅仅示出了透光膜层7覆盖开口区41的图示。发光器件层8位于背板层6远离基底2一侧，包括阴极9，阴极9在基底2上的正投影与开口区41无重叠，即阴极9在开口区41位置处不覆盖基底2。
具体地，本申请实施例中的基底2可以为玻璃基底，柔性层5可以为PI膜层，背板层6包括的透光膜层7的具体膜层将在下文进行介绍，阴极9采用金属材料制作形成。
由于本申请实施例的显示面板中至少一层透光膜层7在基底2上的正投影覆盖开口区41，与现有技术相比，开口区41对应的开孔此时相当于由通孔变为盲孔，开口区41位置处透光膜层7的设置使得该位置处的开孔的孔深变浅，这样在进行后续封装时，有机封装层更容易流平；且由于开口区41位置处透光膜层7的设置，使得即便在激光剥离工艺过程中存在发光器件层8去除不完全的情况，也不会导致发光器件层8直接与基底2接触，进而可以避免后续将基底2去除过程中的撕拉可能导致的膜层剥离风险；另外，由于本申请实施例中阴极9在基底2上的正投影与开口区41无重叠，与现有技术相比，在激光剥离工艺过程中不需要去除阴极9，故采用比现有技术低的激光能量就可以进行激光剥离工艺将柔性层5与基底2分离，有效避免了现有技术较高的激光能量产生的灰化残留，提升了显示面板的透过率。
具体地，参见图3，在本申请实施例的显示面板包括显示区30，显示区30内设置有屏下摄像头区域31，屏下摄像头区域31是低密度像素区，即屏下摄像头区域31内设置的像素单元81的密度低于显示区30内设置的像素单元81的密度，每一像素单元81包括红色像素单元，蓝色像素单元和绿色像素单元。
可选地，继续参考图2，本申请实施例中的背板层6包括：依次叠层在柔性层5上的第一透光膜层10、有源层11、第二透光膜层12、栅极13、第三透光膜层14、源漏极15、第四透光膜层16、第五透光膜层17、阳极18、第六透光膜层19和第七透光膜层20；其中：第一透光膜层10、第二透光膜层12、第三透光膜层14和第四透光膜层16为无机膜层；第五透光膜层17、第六透光膜层19和第七透光膜层20为有机膜层。
具体地，本申请实施例中的第一透光膜层10为缓冲层，第二透光膜层12为栅极绝缘层，第三透光膜层14为层间绝缘层，第四透光膜层16为钝化层，第五透光膜层17为平坦层，第六透光膜层19为像素定义层，第七透光膜层20为隔垫层。
在一个可选的实施例中，在开口区41：基底2被第五透光膜层17、第六透光膜层19和第七透光膜层20中的一层或多层覆盖，即在开口区41，基底2可以仅被有机层覆盖。
在另一个可选的实施例中，在开口区41：基底2被第一透光膜层10、第二透光膜层12、第三透光膜层14和第四透光膜层16中的一层或多层覆盖，即在开口区41，基底2可以仅被无机层覆盖。
在又一个可选的实施例中，在开口区41：基底2被第一透光膜层10、第二透光膜层12、第三透光膜层14、第四透光膜层16、第五透光膜层17、第六透光膜层19和第七透光膜层20中的一层或多层覆盖，即在开口区41，基底2可以既被无机层覆盖，又被有机层覆盖，例如在开口区41，基底2被第四透光膜层16、第六透光膜层19和第七透光膜层20覆盖。
可选地，如图2所示，本申请实施例中的发光器件层8包括：依次叠层设置的有机发光层21、阴极9、光耦合层和光取出层。光耦合层和光取出层分别在基底2上的正投影区域均覆盖开口区41。阴极9在基底2上的正投影区域与柔性层5在基底2上的正投影区域部分重叠。
需要说明的是，本申请实施例中的阴极9采用图形化的阴极，阴极9不再覆盖整个基底2，图形化后形成的阴极的具体位置可以与阳极的位置对应，即图形化的阴极9位于阳极18的正上方，且面积较阳极略大。
进一步地，如图1和图2所示，显示面板还包括封装层，封装层位于发光器件层8远离基底2的一侧，且在基底2上的正投影覆盖屏下摄像头区域31。本申请实施例中封装层的具体设置方式与现有技术类似，图1和图2中仅示出了两层无机封装层24和一层有机封装层25。本申请实施例由于开口区41位置处的开孔深度相比于传统开口区位置处的开孔深度浅，因此在形成有机封装层25时，更容易使得有机封装层25流平，进而不影响正常工艺。
另外，本申请的发明人对现有技术屏下摄像头显示面板采用的激光剥离能量、激光剥离后整个显示面板的灰化量和透过率这三个参数与本申请实施例中的显示面板对应的同样的三个参数进行了比较，得到表1所示数据。
表1
从表1中可以看出，与传统显示面板相比，本申请实施例的显示面板1在进行激光剥离工艺时，激光剥离能量从原先的270～280mJ/cm2降低到190～210mJ/cm2；灰化量由原先的较多改变为正常，具体地，本申请实施例采用激光照射后产生的灰化量肉眼几乎不可见，需要在显微镜下才能看到，与现有技术激光照射后产生的肉眼可见的灰化量相比，本申请实施例产生的灰化量几乎不影响显示面板的透过率，且从表1中的透过率实验得到了验证；另外，本申请实施例的显示面板的透过率相比于传统显示面板的透过率得到了较大地提升，即与现有技术相比，在激光剥离工艺过程中可以采用比现有技术的激光能量低的激光能量(如：现有技术采用的激光剥离能量为270～280mJ/cm2，而本申请实施例中采用的激光剥离能量为190～210mJ/cm2)就可以进行激光剥离工艺以将柔性层5与基底2分离。
基于同一发明构思，在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第一方面的显示面板。由于第二方面的显示装置包括了第一方面的显示面板，使得第二方面的显示装置具有与第一方面的显示面板相同的有益效果。因此，第二方面的显示装置的有益效果不再重复赘述。
基于同一发明构思，在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示面板的制作方法，如图4所示，该制作方法包括：
S101：提供一基底2，基底2包括屏下摄像头区域31，屏下摄像头区域31包括开口区41。
S102：在基底2上依次制作柔性层5和背板层6，背板层6包括多层透光膜层7，其中，柔性层5在基底2上的正投影与开口区41无重叠，且至少一层透光膜层7在基底2上的正投影覆盖开口区41。
S103：在背板层6上制作发光器件层8，发光器件层8包括阴极9，阴极9在基底2上的正投影与开口区41无重叠。
本申请实施例在基底2上依次制作柔性层5和背板层6，背板层6包括多层透光膜层7，其中，柔性层5在基底2上的正投影与开口区41无重叠，且至少一层透光膜层7在基底2上的正投影覆盖开口区41，与现有技术相比，开口区41对应的开孔此时相当于由通孔变为盲孔，盲孔相对于通孔的孔深变浅，在进行后续封装时，有机封装层更容易流平。另外，阴极9在基底2上的正投影与开口区41无重叠，即开口区41位置处没有阴极9，在激光剥离工艺时不需要进行阴极9去除，采用比现有技术低的激光能量就可以进行激光剥离工艺，分离基底2和柔性层5，有效避免了现有技术较高的激光能量产生的灰化残留，提升了显示面板的透过率。
可选地，本申请实施例上述S102在基底2上依次制作柔性层5和背板层6，包括：
S1021、在基底2上制作柔性层5，具体地，本申请实施例中的基底2可以为玻璃基板，柔性层5可以为聚酰亚胺膜(Polyimide，PI)层，在制作柔性层5之前需要先将玻璃基板清洗干净，柔性层5的具体方法与现有技术类似，这里不再赘述；
S1022、通过构图工艺在柔性层5上依次制作缓冲层、有源层11、栅极绝缘层13、栅极13、层间绝缘层、源漏极15、钝化层、平坦层、阳极18、像素定义层和隔垫层；其中：
在开口区41，基底2上制作有缓冲层、栅极13绝缘层、层间绝缘层和钝化层中的至少一层；或，在开口区41，基底2上制作有平坦层、像素定义层和隔垫层中的至少一层；或，在开口区41，基底2上制作有缓冲层、栅极13绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦层、像素定义层和隔垫层中的至少一层。
以下通过图5-图16详细介绍本申请实施例上述S1022的具体制作过程，图5-图16示出的区域为屏下摄像头区域31：
在一种实施方式中，本申请实施例在开口区41内仅制作有机层，具体地，如图5所示，首先在柔性层5上制作第一透光膜层10，具体地，第一透光膜层10为缓冲层，本申请实施例中的缓冲层具体可以为一层绝缘膜层，也可以为多层绝缘膜层，例如：可以为一层氧化硅膜层，也可以为氧化硅和氮化硅形成的膜层。
接着，如图6所示，通过构图工艺，在第一透光膜层10远离柔性层5的一侧依次制作有源层11(图中未示出)、第二透光膜层12、栅极13和第三透光膜层14，之后在第三透光膜层14上涂覆光刻胶26，具体地，第二透光膜层12为栅极绝缘层，第三透光膜层14为层间绝缘层，栅极绝缘层和层间绝缘层的材料可以相同。
接着，如图7所示，采用掩膜板27对光刻胶26进行曝光，具体实施时，本申请实施例中采用的光刻胶26可以为正性光刻胶，掩膜板27包括透光区域和遮光区域，透光区域的位置与需要形成开口区41的位置对应，曝光后进行显影，以去除开口区41对应位置处的光刻胶，保留其余位置处的光刻胶。
接着，如图8所示，通过光刻胶作为掩膜进行刻蚀，形成贯穿柔性层5、第一透光膜层10、第二透光膜层12、栅极13和第三透光膜层14的第一过孔22，第一过孔22使基底2暴露在外，之后通过剥离工艺，剥离掉剩余的光刻胶，如图9所示。
具体地，本申请实施例中柔性层5采用单层PI膜层，单层PI膜层的透过率约为74.8％，这样能够保证进行第一过孔刻蚀时可以将柔性层5刻蚀完全。另外，本申请实施例中层间绝缘层的厚度为本申请实施例中的层间绝缘层的厚度比现有传统技术层间绝缘层的厚度/>厚，层间绝缘层厚度增加后能够有效的房子进行第一过孔刻蚀时，刻蚀气体对光刻胶26下面膜层的损伤。
接着，如图10所示，通过构图工艺制作第二过孔23，这里的构图工艺包括涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、去除光刻胶，第二过孔23的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述，第二过孔23需要暴露出有源层，以使得后续制作的源漏极能够与有源层连接。
接着，如图11所示，通过构图工艺在完成图10所示步骤的基底2上依次制作源漏极(图中未示出)、钝化层(图中未示出)、第五透光膜层17、阳极(图中未示出)、第六透光膜层19和第七透光膜层20，具体地，第五透光膜层17为平坦层，第六透光膜层19为像素定义层，第七透光膜层20为隔垫层，具体制作过程中，可以通过构图工艺使得第一过孔22处填充有平坦层、像素定义层和隔垫层中的至少一层，图11中示出了第一过孔22处填充有平坦层、像素定义层和隔垫层的情况，图中仅示出了平坦层、像素定义层和隔垫层填充在第一过孔22位置处，平坦层、像素定义层和隔垫层在除了第一过孔22位置处的设置情况与现有技术类似，不涉及本申请的发明改进点，因此这里不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例中背板层的制作仅以制作一层栅极，一层源漏极为例进行介绍，实际制作过程中，还可以制作双层栅极和双层源漏极，双层栅极和双层源漏极的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
在另一种实施方式中，本申请实施例在开口区41内仅制作无机层，具体地，如图12所示，首先通过构图工艺在柔性层5上制作第三过孔，第三过孔的位置与开口区41的位置对应，这里的构图工艺包括涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀和去除光刻胶的部分或全部过程。
接着，如图13所示，通过构图工艺在柔性层5远离基底2的一侧依次制作第一透光膜层10、有源层11(图中未示出)、第二透光膜层12、栅极13和第三透光膜层14，其中，需要通过构图工艺保证第一透光膜层10、第二透光膜层12和第三透光膜层14填充在第三过孔内，第一透光膜层10、第二透光膜层12和第三透光膜层14在除了第三过孔位置处的设置情况与现有技术类似，不涉及本申请的发明改进点，这里不再赘述。
接着，如图14所示，通过构图工艺制作第二过孔，第二过孔的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述，第二过孔需要暴露出有源层，以使得后续制作的源漏极能够与有源层连接。
接着，如图15所示，通过构图工艺在第三透光膜层14远离栅极13的一侧制作源漏极15，源漏极15通过第二过孔与有源层连接，图中未示出有源层，实际填充在第二过孔内的源漏极15是与有源层进行连接。
接着，如图16所示，通过构图工艺在源漏极15远离第三透光膜层14的一侧制作第四透光膜层16，第四透光膜层16为钝化层，实际制作过程中也可以通过构图工艺使得第四透光膜层16填充在第三过孔内。图16中仅示出了第三过孔内填充有第一透光膜层10、第二透光膜层12、第三透光膜层14和第四透光膜层16的情况，实际制作过程中，也可以通过掩膜板的不同设置方式，使得第三过孔内填充一层、两层或三层的无机层。
接着，通过构图工艺在第四透光膜层16上依次制作平坦层、阳极、像素定义层和隔垫层，该步骤需要通过掩膜板的不同设置方式，使得第三过孔内不填充平坦层、像素定义层和隔垫层，具体实施时，像素定义层和隔垫层可以在同一次构图工艺中制作完成。
另外，本申请实施例对于开口区41位置处对于的过孔内既填充有几层又填充无机层的情况，同样可以通过掩膜板的不同设置方式实现，这里不再赘述。
可选地，本申请实施例上述S103在背板层6上制作发光器件层8，包括：
通过构图工艺在背板层6上制作有机发光层21，有机发光层21位于像素定义层的开口区；
通过构图工艺在有机发光层21上制作阴极9，阴极9的位置与阳极18的位置对应，且覆盖对应位置处的阳极18；
通过构图工艺在阴极9上依次制作光耦合层和光取出层，光耦合层和光取出层的位置均与有机发光层21的位置对应。
具体实施时，有机发光层21、光耦合层和光取出层的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。本申请实施例与现有技术整面制作的阴极不同，本申请实施例中形成的阴极是通过构图工艺图形化后的阴极，图形化后的阴极不再覆盖开口区41。
可选地，本申请实施例在背板层6上制作发光器件层8之后，还包括：在光取出层上制作封装层，封装层包括交替叠层的无机封装层和有机封装层；封装层的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
可选地，本申请实施例在光取出层上制作封装层后，还包括：采用激光剥离工艺，分离基底2和柔性层5。具体地，在本实施例中，在激光剥离工艺中，激光剥离能量为190mJ/cm2-210 mJ/cm2。
应用本申请实施例所获得的有益效果包括：
由于本申请实施例的显示面板中至少一层透光膜层7在基底2上的正投影覆盖开口区41，与现有技术相比，开口区41对应的开孔此时相当于由通孔变为盲孔，开口区41位置处透光膜层7的设置使得该位置处的开孔的孔深变浅，这样在进行后续封装时，有机封装层更容易流平；且由于开口区41位置处透光膜层7的设置，使得即便在激光剥离工艺过程中存在发光器件层8去除不完全的情况，也不会导致发光器件层8直接与基底2接触，进而可以避免后续将基底2去除过程中的撕拉可能导致的膜层剥离风险；另外，由于本申请实施例中阴极9在基底2上的正投影与开口区41无重叠，与现有技术相比，在激光剥离工艺过程中不需要去除阴极9，故采用比现有技术低的激光能量就可以进行激光剥离工艺将柔性层5与基底2分离，有效避免了现有技术较高的激光能量产生的灰化残留，提升了显示面板的透过率。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括：基底，所述基底包括屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括开口区，其特征在于，还包括：
柔性层，位于所述基底一侧，在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠；
背板层，位于所述柔性层远离所述基底一侧，包括多层透光膜层，且至少一层所述透光膜层在所述基底上的正投影覆盖所述开口区；
发光器件层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括阴极，所述阴极在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背板层包括：依次叠层在所述柔性层上的第一透光膜层、有源层、第二透光膜层、栅极、第三透光膜层、源漏极、第四透光膜层、第五透光膜层、阳极、第六透光膜层和第七透光膜层；其中：
所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层为无机膜层；
所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层为有机膜层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述开口区：所述基底被所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述开口区：所述基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层中的一层或多层覆盖。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述开口区：基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层、所述第四透光膜层、所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括：依次叠层设置的有机发光层、阴极、光耦合层和光取出层；
所述有机发光层、所述光耦合层和所述光取出层分别在所述基底上的正投影区域均覆盖所述开口区；
所述阴极在所述基底上的正投影区域与所述柔性层在所述基底上的正投影区域部分重叠。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括封装层，位于所述发光器件层远离所述基底的一侧，且在所述基底上的正投影覆盖所述屏下摄像头区域。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底包括屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括开口区；
在所述基底上依次制作柔性层和背板层，所述背板层包括多层透光膜层，其中，所述柔性层在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠，且至少一层所述透光膜层在所述基底上的正投影覆盖所述开口区；
在所述背板层上制作发光器件层，所述发光器件层包括阴极，所述阴极在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上依次制作柔性层和背板层，包括：
在所述基底上制作柔性层；
通过构图工艺在所述柔性层上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极、钝化层、平坦层、阳极、像素定义层和隔垫层；其中：
在所述开口区，所述基底上制作有所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一层；或，在所述开口区，所述基底上制作有所述平坦层、所述像素定义层和所述隔垫层中的至少一层；或，在所述开口区，所述基底上制作有所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层和所述隔垫层中的至少一层。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述背板层上制作发光器件层，包括：
通过构图工艺在背板层上制作有机发光层，所述有机发光层位于所述像素定义层的开口区；
通过构图工艺在所述有机发光层上制作阴极，所述阴极的位置与所述阳极的位置对应，且覆盖对应位置处的所述阳极；
通过构图工艺在所述阴极上依次制作光耦合层和光取出层，所述光耦合层和所述光取出层的位置均与所述有机发光层的位置对应。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在所述背板层上制作发光器件层之后，还包括：
在所述光取出层上制作封装层，所述封装层包括交替叠层的无机封装层和有机封装层。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述光取出层上制作封装层后，还包括：
采用激光剥离工艺，分离所述基底和所述柔性层。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在所述激光剥离工艺中，激光剥离能量为190mJ/cm2-210 mJ/cm2。
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