CN110211972A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110211972A
CN110211972A CN201910434553.0A CN201910434553A CN110211972A CN 110211972 A CN110211972 A CN 110211972A CN 201910434553 A CN201910434553 A CN 201910434553A CN 110211972 A CN110211972 A CN 110211972A
Authority
CN
China
Prior art keywords
blind hole
layer
array substrate
routing region
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910434553.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110211972B (zh
Inventor
郑敏
周阳
欧阳齐
高洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910434553.0A priority Critical patent/CN110211972B/zh
Publication of CN110211972A publication Critical patent/CN110211972A/zh
Priority to US16/629,568 priority patent/US11031445B2/en
Priority to PCT/CN2019/107652 priority patent/WO2020232938A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110211972B publication Critical patent/CN110211972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示装置，包括衬底基板，以及依次制备于所述衬底基板上的薄膜晶体管层、平坦化层以及像素界定层；所述衬底基板对应于显示区域的范围内设置有摄像头区域，所述摄像头区域包括第一盲孔和所述第一盲孔外围的走线区域；所述第一盲孔用于露出设置于所述衬底基板背面的摄像头，所述走线区域内设置有信号走线和第二盲孔；其中，所述第二盲孔避开所述信号走线设置，用于增加所述走线区域的光透过率，从而减少所述摄像头区域的不透光面积，提升屏占比。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
如何提高屏占比从而实现全面屏已成为当下热点，现有设计一般将摄像模组置于屏下，并采用在显示区内开孔露出摄像头的设计，由此来提高屏占比，但是，由于开孔边缘的黑色走线区域无法消除，依然制约着屏占比的提高。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示装置，能够解决现有屏下摄像头的显示装置的摄像头区域孔径较大，影响屏占比的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种阵列基板，包括衬底基板，以及依次制备于所述衬底基板上的薄膜晶体管层、平坦化层以及像素界定层，所述像素界定层用于界定出像素开口区；
所述衬底基板对应于显示区域的范围内设置有摄像头区域，所述摄像头区域包括第一盲孔和所述第一盲孔外围的走线区域；
所述第一盲孔用于露出设置于所述衬底基板背面的摄像头，所述走线区域内设置有信号走线和第二盲孔；
其中，所述第二盲孔避开所述信号走线设置，用于增加所述走线区域的光透过率。
在本申请提供的阵列基板中，所述第二盲孔对应设置于相邻两所述像素开口区之间的位置，所述第二盲孔呈网格状分布或间隔分布。
在本申请提供的阵列基板中，所述第二盲孔贯穿或部分贯穿所述像素界定层、所述平坦化层、所述薄膜晶体管层中的一者或一者以上。
在本申请提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管层包括层叠的无机膜层以及间隔分布的薄膜晶体管，所述第二盲孔对应相邻两所述薄膜晶体管之间的间隔位置设置。
在本申请提供的阵列基板中，所述第二盲孔与所述信号走线以及所述薄膜晶体管之间以所述无机膜层和/或有机膜层隔开。
在本申请提供的阵列基板中，所述第二盲孔内填充有透明材料。
在本申请提供的阵列基板中，所述衬底基板背向所述像素界定层的一侧表面在对应所述走线区域的位置设置有凹槽，使得所述衬底基板对应所述凹槽位置的厚度小于其余位置的厚度。
在本申请提供的阵列基板中，所述凹槽对应所述第二盲孔的位置设置，且所述凹槽沿所述第二盲孔的延伸方向延伸。
为解决上述技术问题，本申请还提供一种包括上述阵列基板的显示装置，所述显示装置还包括：
有机发光层，对应所述像素开口区设置于所述阵列基板上；
薄膜封装层，制备于所述有机发光层表面；
摄像头，对应所述摄像头区域设置于所述阵列基板背向所述有机发光层的一侧；
其中，所述摄像头区域的所述第一盲孔用于露出所述摄像头，所述走线区域的所述第二盲孔内填充有透明材料，用于增加所述走线区域的光透过率。
在本申请提供的显示装置中，所述薄膜封装层至少包括层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第二盲孔内填充有所述第一无机封装层。
本申请的有益效果为：相较于现有的屏下摄像头的显示装置，本申请提供的阵列基板及显示装置，在用于露出摄像头的第一盲孔外围的走线区域设置第二盲孔，且第二盲孔位于走线区域的相邻信号走线之间，不会对信号走线的排布造成影响，通过在第二盲孔内填充透明材料，可用于增加走线区域的光透过率，从而减少所述摄像头区域的不透光面积，进而提升屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的局部俯视图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板走线区域的信号走线示意图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的走线区域的剖面图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请针对现有的屏下摄像头的显示装置，存在摄像头区域占用空间较大，影响屏占比的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请实施例提供的阵列基板的局部俯视图。所述阵列基板对应于显示区域10的范围内设置有摄像头区域20，即所述显示区域10围绕所述摄像头区域20设置，所述摄像头区域20包括第一盲孔21和所述第一盲孔21外围的走线区域22，所述第一盲孔21用于露出设置于所述阵列基板背面的摄像头(未图示)，所述走线区域22内设置有信号走线和第二盲孔；其中，所述第二盲孔避开所述信号走线设置，所述第二盲孔采用挖空或填充透明材料的设计，从而增加所述走线区域22的光透过率，使得所述摄像头区域20的不透光面积减小，进而提升屏占比。
请参照图2所示，为本申请实施例提供的阵列基板走线区域的信号走线示意图。如图中所示，由于所述摄像头区域20设置有用于露出所述摄像头的所述第一盲孔21，因此，所述阵列基板上的所述信号走线220需绕过所述第一盲孔21进行排布，由此便在所述第一盲孔21的外围形成用于布线的所述走线区域22。在图中，所述信号走线220包括绕过所述第一盲孔21并沿第一方向延伸的第一信号走线221，以及绕过所述第一盲孔21并沿第二方向延伸的第二信号走线222。其中，所述第一信号走线221与所述第二信号走线222相互绝缘设置。
在一种实施例中，所述第一信号走线221包括但不限于数据线，所述第二信号走线222包括但不限于扫描线。
如图3所示，为本申请实施例提供的阵列基板的走线区域的剖面图。所述阵列基板包括：衬底基板101，所述衬底基板101包括但不限于聚酰亚胺薄膜；以及依次制备于所述衬底基板101上的阻挡层102、缓冲层103、薄膜晶体管层、平坦化层107以及像素界定层108，所述像素界定层108用于界定出像素开口区111；在所述像素界定层108上形成有图案化的间隔垫110。
其中，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的无机膜层以及间隔分布于所述无机膜层中的薄膜晶体管113，所述无机膜层包括但不限于第一栅绝缘层104、第二栅绝缘层105、层间绝缘层106。所述阵列基板上还设置有图案化的阳极109，所述阳极109对应所述像素开口区111设置，并与所述薄膜晶体管113的漏极电连接。
结合图2和图3所示，所述走线区域22内设置有所述信号走线220和所述第二盲孔112，所述第二盲孔112避开所述信号走线220设置，并且所述第二盲孔112对应设置于相邻两所述像素开口区111之间的位置，不影响像素的正常排布。
在一种实施例中，所述第二盲孔112位于相邻两所述像素开口区111之间并呈网格状分布，其中，所述第二盲孔112围成的一个网格中可以包括一个所述像素开口区111，也可以包括多个所述像素开口区111，此处不做限制。
在另一种实施例中，所述第二盲孔112呈间隔的分布于相邻两所述像素开口区111之间的位置，其中，本实施例不对所述第二盲孔112的长度和宽度做出限定，只要能提高所述走线区域22的光透过率即可。
其中，所述第二盲孔112贯穿或部分贯穿所述像素界定层108、所述平坦化层107、所述薄膜晶体管层中的一者或一者以上。也就是说，所述第二盲孔112可以部分贯穿或完全贯穿所述像素界定层108；或者所述第二盲孔112由所述像素界定层108贯穿至部分所述平坦化层107；或者所述第二盲孔112贯穿所述像素界定层108以及所述平坦化层107，并与所述薄膜晶体管层接触；亦或者，所述第二盲孔112由所述像素界定层108贯穿至所述薄膜晶体管层中的某一膜层或将所述薄膜晶体管层完全贯穿。
其中，所述第二盲孔112与所述信号走线220以及所述薄膜晶体管113之间以所述无机膜层和/或有机膜层隔开，即所述第二盲孔112不暴露所述信号走线220以及所述薄膜晶体管113，从而保证所述第二盲孔112处隔绝水氧的性能。
本实施例提供的所述薄膜晶体管层的所述无机膜层均为透光膜层，其中透光率可根据实际制程及选材而定，由于所述无机膜层不影响光线的透过，因此，图中的所述第二盲孔112贯穿所述像素界定层108与所述平坦化层107，并且所述第二盲孔112对应相邻两所述薄膜晶体管113之间的间隔位置设置。使得光线透过所述无机膜层并穿过所述第二盲孔112射出，从而增加所述走线区域22的光透过率，进而使所述摄像头区域20的不透光面积减小。也就是说，原本阵列基板对应所述第一盲孔21以及所述走线区域22的位置均不透光，采用此设计，使得所述阵列基板的不透光面积缩减至所述第一盲孔21对应的区域，从而提升了屏占比。
在一种实施例中，所述第二盲孔112内填充有透明材料，从而增加所述走线区域22的光透过率，采用此设计由于在不影响光透过率的基础上将所述第二盲孔112填满，从而有利于后续膜层的制备。
在本实施例中，所述衬底基板101背向所述像素界定层108的一侧表面在对应所述走线区域22的位置设置有凹槽114，使得所述衬底基板101对应所述凹槽114位置的厚度小于其余位置的厚度，即对所述衬底基板101对应所述走线区域22位置的厚度进行减薄处理，从而进一步增加光透过率。其中，所述凹槽114的深度可根据实际需求设定。
在一种实施例中，所述凹槽114对应所述第二盲孔112的位置设置，且所述凹槽114沿所述第二盲孔112的延伸方向延伸。也就是说，所述凹槽114在所述衬底基板101上的分布与所述第二盲孔112的分布方式一致。
本实施例对所述第一盲孔21不做具体限定，所述第一盲孔21也可以为通孔，即贯穿整个所述阵列基板，也可以只贯穿所述阵列基板上的多个膜层，只要不影响所述摄像头的拍摄性能即可，此处不做限制。另外，所述衬底基板101的背面对应所述第一盲孔21的位置也可以进行减薄处理，此处不再赘述。
本申请还提供一种包括上述阵列基板的显示装置，结合图1～图3所示，所述显示装置还包括：有机发光层，对应所述像素开口区111设置于所述阵列基板上；阴极层，设置于所述有机发光层上；薄膜封装层，制备于所述阴极层表面；摄像头组件，对应所述摄像头区域20设置于所述阵列基板背向所述有机发光层的一侧；所述摄像头组件中包括摄像头；其中，所述摄像头区域20的所述第一盲孔21用于漏出所述摄像头，所述走线区域22的所述第二盲孔112内填充有透明材料，用于增加所述走线区域22的光透过率。
在一种实施例中，所述薄膜封装层至少包括层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第二盲孔112内填充有所述第一无机封装层，此设计可不用增加透明材料的制备工艺，直接利用所述薄膜封装层进行填充，从而简化工艺。
综上所述，本申请提供的阵列基板及显示装置，在用于露出摄像头的第一盲孔外围的走线区域设置第二盲孔，且第二盲孔位于走线区域的相邻信号走线之间，不会对信号走线的排布造成影响，通过在第二盲孔内填充透明材料，可用于增加走线区域的光透过率，从而减少所述摄像头区域的不透光面积，进而提升屏占比。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，以及依次制备于所述衬底基板上的薄膜晶体管层、平坦化层以及像素界定层，所述像素界定层用于界定出像素开口区；
所述衬底基板对应于显示区域的范围内设置有摄像头区域，所述摄像头区域包括第一盲孔和所述第一盲孔外围的走线区域；
所述第一盲孔用于露出设置于所述衬底基板背面的摄像头，所述走线区域内设置有信号走线和第二盲孔；
其中，所述第二盲孔避开所述信号走线设置，用于增加所述走线区域的光透过率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二盲孔对应设置于相邻两所述像素开口区之间的位置，所述第二盲孔呈网格状分布或间隔分布。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二盲孔贯穿或部分贯穿所述像素界定层、所述平坦化层、所述薄膜晶体管层中的一者或一者以上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括层叠的无机膜层以及间隔分布的薄膜晶体管，所述第二盲孔对应相邻两所述薄膜晶体管之间的间隔位置设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二盲孔与所述信号走线以及所述薄膜晶体管之间以所述无机膜层和/或有机膜层隔开。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二盲孔内填充有透明材料。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板背向所述像素界定层的一侧表面在对应所述走线区域的位置设置有凹槽，使得所述衬底基板对应所述凹槽位置的厚度小于其余位置的厚度。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽对应所述第二盲孔的位置设置，且所述凹槽沿所述第二盲孔的延伸方向延伸。
9.一种包括权利要求1-8任一权利要求所述的阵列基板的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
有机发光层，对应所述像素开口区设置于所述阵列基板上；
薄膜封装层，制备于所述有机发光层表面；
摄像头，对应所述摄像头区域设置于所述阵列基板背向所述有机发光层的一侧；
其中，所述摄像头区域的所述第一盲孔用于露出所述摄像头，所述走线区域的所述第二盲孔内填充有透明材料，用于增加所述走线区域的光透过率。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层至少包括层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第二盲孔内填充有所述第一无机封装层。
CN201910434553.0A 2019-05-23 2019-05-23 一种阵列基板及显示装置 Active CN110211972B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910434553.0A CN110211972B (zh) 2019-05-23 2019-05-23 一种阵列基板及显示装置
US16/629,568 US11031445B2 (en) 2019-05-23 2019-09-25 Array substrate and display device with backside camera
PCT/CN2019/107652 WO2020232938A1 (zh) 2019-05-23 2019-09-25 一种阵列基板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910434553.0A CN110211972B (zh) 2019-05-23 2019-05-23 一种阵列基板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110211972A true CN110211972A (zh) 2019-09-06
CN110211972B CN110211972B (zh) 2021-02-02

Family

ID=67788482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910434553.0A Active CN110211972B (zh) 2019-05-23 2019-05-23 一种阵列基板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11031445B2 (zh)
CN (1) CN110211972B (zh)
WO (1) WO2020232938A1 (zh)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600516A (zh) * 2019-09-10 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组以及显示装置
CN110868573A (zh) * 2019-11-29 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 摄像头组件与显示装置
CN110992823A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
CN111211156A (zh) * 2020-03-23 2020-05-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN111261641A (zh) * 2020-01-22 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN111312778A (zh) * 2020-02-26 2020-06-19 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板及其制作方法、电子设备
CN111509013A (zh) * 2020-04-27 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 支撑基板及其制备方法、显示面板
CN111584566A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
CN111697043A (zh) * 2020-06-22 2020-09-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示面板的制备方法
WO2020232938A1 (zh) * 2019-05-23 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN112151692A (zh) * 2020-09-27 2020-12-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN112198699A (zh) * 2020-10-28 2021-01-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其薄化方法
CN112366208A (zh) * 2020-11-09 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112436036A (zh) * 2020-11-20 2021-03-02 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN112466920A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制作方法、显示设备
EP3800667A1 (en) * 2019-10-02 2021-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN112768474A (zh) * 2021-01-05 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN112909024A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113035901A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 云谷（固安）科技有限公司 透光显示面板及其制备方法、显示面板
WO2021155630A1 (zh) * 2020-02-07 2021-08-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN113327961A (zh) * 2021-05-21 2021-08-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2021203917A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021203351A1 (zh) * 2020-04-09 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、开孔精度检测方法和显示装置
CN113745297A (zh) * 2021-08-31 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板、像素修复方法及移动终端
CN113838903A (zh) * 2021-09-26 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN114141833A (zh) * 2021-11-24 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及显示模组的制备方法
CN114464752A (zh) * 2020-11-09 2022-05-10 上海和辉光电股份有限公司 Oled面板及其点胶方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111106259B (zh) * 2019-12-04 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏
CN110993675B (zh) * 2019-12-20 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
KR20220027357A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220037550A (ko) * 2020-09-17 2022-03-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170214003A1 (en) * 2016-01-22 2017-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107946341A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 上海天马微电子有限公司 显示装置和显示装置的制造方法
CN108550584A (zh) * 2018-05-14 2018-09-18 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法
CN109061968A (zh) * 2018-07-27 2018-12-21 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN109143645A (zh) * 2018-09-13 2019-01-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN109459879A (zh) * 2018-11-29 2019-03-12 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR102490891B1 (ko) * 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10191577B2 (en) * 2016-02-16 2019-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device
KR102587736B1 (ko) * 2016-09-02 2023-10-12 삼성전자주식회사 카메라 모듈, 카메라 모듈이 적용된 전자 장치 및 이의 운용 방법
CN107703689B (zh) * 2017-09-18 2021-01-01 上海天马微电子有限公司 一种透明显示面板及显示装置
CN110596928B (zh) * 2018-06-13 2022-03-22 夏普株式会社 显示装置
US10694010B2 (en) * 2018-07-06 2020-06-23 Apple Inc. Cover sheet and incorporated lens for a camera of an electronic device
CN109378316B (zh) * 2018-09-30 2020-10-20 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110211972B (zh) * 2019-05-23 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170214003A1 (en) * 2016-01-22 2017-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107946341A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 上海天马微电子有限公司 显示装置和显示装置的制造方法
CN108550584A (zh) * 2018-05-14 2018-09-18 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法
CN109061968A (zh) * 2018-07-27 2018-12-21 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN109143645A (zh) * 2018-09-13 2019-01-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN109459879A (zh) * 2018-11-29 2019-03-12 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020232938A1 (zh) * 2019-05-23 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110600516A (zh) * 2019-09-10 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组以及显示装置
US11930692B2 (en) 2019-09-10 2024-03-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel, display module, and display device
CN110600516B (zh) * 2019-09-10 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组以及显示装置
EP3800667A1 (en) * 2019-10-02 2021-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11581514B2 (en) 2019-10-02 2023-02-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a rear cover layer
CN110868573A (zh) * 2019-11-29 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 摄像头组件与显示装置
CN110992823A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
CN110992823B (zh) * 2019-11-29 2022-03-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
CN113035901B (zh) * 2019-12-25 2023-04-18 云谷（固安）科技有限公司 透光显示面板及其制备方法、显示面板
CN113035901A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 云谷（固安）科技有限公司 透光显示面板及其制备方法、显示面板
CN111261641A (zh) * 2020-01-22 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
US11937464B2 (en) 2020-02-07 2024-03-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
WO2021155630A1 (zh) * 2020-02-07 2021-08-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111312778A (zh) * 2020-02-26 2020-06-19 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板及其制作方法、电子设备
US11751469B2 (en) 2020-03-23 2023-09-05 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel, manufacturing method thereof, and OLED display device
CN111211156A (zh) * 2020-03-23 2020-05-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2021203917A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113785402A (zh) * 2020-04-09 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、开孔精度检测方法和显示装置
US11901246B2 (en) 2020-04-09 2024-02-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof, method for detecting hole accuracy and display device
WO2021203351A1 (zh) * 2020-04-09 2021-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、开孔精度检测方法和显示装置
CN111509013A (zh) * 2020-04-27 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 支撑基板及其制备方法、显示面板
CN111509013B (zh) * 2020-04-27 2022-07-19 京东方科技集团股份有限公司 支撑基板及其制备方法、显示面板
CN111584566A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
US11805665B2 (en) 2020-05-11 2023-10-31 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and mask plate group
CN111697043B (zh) * 2020-06-22 2023-09-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示面板的制备方法
CN111697043A (zh) * 2020-06-22 2020-09-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示面板的制备方法
CN112151692B (zh) * 2020-09-27 2022-09-13 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN112151692A (zh) * 2020-09-27 2020-12-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN112198699A (zh) * 2020-10-28 2021-01-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其薄化方法
CN114464752A (zh) * 2020-11-09 2022-05-10 上海和辉光电股份有限公司 Oled面板及其点胶方法
CN112366208A (zh) * 2020-11-09 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112366208B (zh) * 2020-11-09 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112436036B (zh) * 2020-11-20 2023-06-30 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN112436036A (zh) * 2020-11-20 2021-03-02 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN112466920B (zh) * 2020-11-25 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制作方法、显示设备
CN112466920A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制作方法、显示设备
CN112768474A (zh) * 2021-01-05 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN112909024A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113327961A (zh) * 2021-05-21 2021-08-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN113745297A (zh) * 2021-08-31 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板、像素修复方法及移动终端
CN113838903A (zh) * 2021-09-26 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN113838903B (zh) * 2021-09-26 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN114141833B (zh) * 2021-11-24 2023-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及显示模组的制备方法
CN114141833A (zh) * 2021-11-24 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及显示模组的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210083023A1 (en) 2021-03-18
WO2020232938A1 (zh) 2020-11-26
CN110211972B (zh) 2021-02-02
US11031445B2 (en) 2021-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110211972A (zh) 一种阵列基板及显示装置
TWI670846B (zh) 終端及顯示幕
CN108389879A (zh) 显示屏以及电子设备
CN108336117A (zh) 显示屏以及电子设备
CN108364957B (zh) 显示屏及显示装置
TWI670848B (zh) 顯示幕、顯示裝置及製備顯示幕的方法
CN111029381A (zh) 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN103227186B (zh) 双面发光显示面板
CN108365123A (zh) 显示屏以及电子设备
CN110459175A (zh) 显示面板及显示装置
CN108365122A (zh) 显示屏以及电子设备
CN104635967B (zh) 有机发光二极管触控显示设备
KR102344331B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108122946A (zh) 有机发光显示器
TWI514561B (zh) 主動式矩陣有機發光二極體
CN109216417A (zh) 显示装置
US10833141B2 (en) Display device
JP7053858B2 (ja) 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末
US20220310768A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof
KR20090005541A (ko) 유기전계발광표시장치
CN114089873B (zh) 显示面板和电子装置
CN113113452A (zh) 显示面板及其制备方法
KR20180077752A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11877465B2 (en) Display device and repairing method thereof
WO2022061639A1 (zh) 显示面板、显示装置及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant