CN113035901A - 透光显示面板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 246
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种透光显示面板及其制备方法、显示面板。该透光显示面板包括:衬底;器件层,设置于衬底的一侧,器件层包括布线集中区以及布线连接区,布线集中区包括至少一个像素电路,相邻布线集中区彼此间隔,布线连接区包括连接相邻布线集中区的像素电路的连接线,布线集中区、布线连接区相互连接围合形成布线镂空区,布线镂空区包括沿厚度方向贯穿器件层的通孔;透明填充层,填充于通孔。本发明公开的透光显示面板能够改善透光率不足的问题,进而可以提高整个透光显示面板的透光率。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种透光显示面板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中,可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔,外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。
发明内容
本发明实施例提供了一种透光显示面板及其制备方法、显示面板,旨在实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示,便于感光组件的屏下集成。
第一方面,本发明提供一种透光显示面板,包括:衬底;器件层,设置于衬底的一侧,器件层包括布线集中区以及布线连接区,布线集中区包括至少一个像素电路,相邻布线集中区彼此间隔,布线连接区包括连接相邻布线集中区的像素电路的连接线,布线集中区、布线连接区相互连接围合形成布线镂空区,布线镂空区包括沿厚度方向贯穿器件层的通孔;透明填充层,填充于通孔。
根据本发明的一个方面,衬底在对应于通孔的位置设置有凹入部,透明填充层填充于通孔以及凹入部。
根据本发明的一个方面,透明填充层的透明度大于衬底的透明度。
根据本发明的一个方面,每个布线集中区包括至少两个像素电路;
优选的,布线集中区、布线连接区的面积之和与布线镂空区的面积比为0.8:1~1.2:1;优选的,衬底的厚度为10μm~15μm;凹入部的深度为4μm~8μm。
根据本发明的一个方面,器件层为像素电路层,像素电路层包括多个像素电路,通孔贯穿像素电路层设置;优选的,透光显示面板还包括设置于像素电路层背离衬底一侧的平坦化层,平坦化层至少部分复用为透明填充层;优选的,透光显示面板还包括像素层,像素层设置于平坦化层背离衬底的一侧,像素层包括多个第一子像素,第一子像素在器件层上的正投影位于布线集中区内,像素电路与第一子像素一一对应电连接。
根据本发明的一个方面,器件层包括依次层叠设置的像素电路层和像素层,像素电路层相对于像素层靠近衬底一侧设置,像素电路层包括多个像素电路,像素层包括位于布线集中区的多个第一子像素,第一子像素与像素电路一一对应电连接,通孔贯穿像素层与像素电路层设置。
根据本发明的一个方面,进一步包括薄膜封装层,薄膜封装层覆盖于像素层背离衬底的一侧;优选的,透光显示面板还包括保护层,保护层设置于衬底的背离器件层的一侧。
第二方面,本发明提供一种显示面板,包括:具有相互邻接的第一显示区和第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,其中,显示面板的第一显示区配置为根据上述任一实施例的透光显示面板。
第三方面,本发明提供一种透光显示面板的制备方法,包括:提供衬底;在衬底上形成器件层,包括形成布线集中区以及布线连接区,布线集中区、布线连接区相互连接围合形成布线镂空区,在衬底上形成器件层还包括在布线镂空区形成沿厚度方向贯穿器件层的通孔;以及形成透明填充层,透明填充层填充于通孔内。
根据本发明的一个方面,在衬底上形成器件层的步骤之后还包括:经由通孔图案化衬底,在衬底上形成与通孔的位置对应的凹入部;形成透明填充层的步骤中,透明填充层还填充于凹入部。
本发明实施例中,器件层包括布线集中区和布线连接区,布线集中区和布线连接区相互连接形成布线镂空区,将像素电路设置在布线集中区,可以对像素电路进行集中设置,以增加器件层的布线镂空区的面积。采用透明填充层填充于器件层的布线镂空区的通孔内,能够改善透光显示面板透光率较低的问题,可以提高整个透光显示面板的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的透光显示面板的俯视结构示意图;
图2是图1所示的透光显示面板的一种A-A剖视图;
图3是本发明一实施例提供的衬底的结构示意图;
图4是图1所示的透光显示面板的另一种A-A剖视图;
图5是图1所示的透光显示面板的又一种A-A剖视图;
图6是本发明实施例提供的一种布线集中区的子像素的结构示意图;
图7是图1所示的透光显示面板的再一种A-A剖视图;
图8是本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图;
图9是本发明一实施例提供的透光显示面板的制备方法流程图;
图10a~10c是本发明实施例的透光显示面板制备过程中的结构示意图。
图中:
100-透光显示面板;110-衬底;111-凹入部;120-器件层;121-布线集中区;1210-像素层;1211-像素电路;122-布线连接区;123-布线镂空区;124-通孔;130-透明填充层;140-平坦化层;150-像素层;151-第一子像素;160-薄膜封装层;170-保护层;1000-显示面板;AA1-第一显示区;AA2-第二显示区。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将感光组件设置在透光显示区背面,在保证感光组件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。
为保证透光显示区的显示效果,需要提高透光显示区的透光特性,以满足集成的感光组件的要求。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种透光显示面板及其制作方法、显示面板,以下将结合附图对透光显示面板及其制作方法、显示面板的各实施例进行说明。
本发明实施例提供一种透光显示面板,该透光显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板。
本文中,“透光显示面板”指显示面板的透光率大于等于15%。为确保透光显示面板的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本发明实施例中透光显示面板的至少部分功能膜层的透光率大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率大于90%。
下面结合图1至图10对本发明实施例的透光显示面板及其制备方法、显示面板进行详细描述。为了清楚的示出与本发明相关的结构,图中对一些公知的结构进行了隐藏或透明绘制。
图1是本发明一实施例提供的透光显示面板的俯视图,图2是图1所示的透光显示面板的A-A剖视图。本实施例的透光显示面板100包括衬底110、器件层120和透明填充层130。
衬底110可以为透明的硬性衬底或柔性衬底。对于衬底110的类型以及材料本发明不做限制。
器件层120设置于衬底110的一侧,器件层120包括布线集中区121以及布线连接区122。相邻的布线集中区121彼此间隔设置,每个布线集中区121包括至少一个像素电路1211。布线连接区122包括连接相邻布线集中区121的像素电路1211的连接线。布线集中区121、布线连接区122相互连接围合形成布线镂空区123,布线镂空区123包括沿厚度方向贯穿器件层120的通孔124。
可以理解的是,本实施例中,通过布线集中区121的像素电路1211以及布线连接区122的连接线实现对透光显示面板100的像素的发光控制。器件层120包括布线结构,布线结构包括像素电路1211以及连接像素电路1211的连接线,器件层120还可以包括绝缘层或介质层。器件层120的布线镂空区123是指该区域的器件层120中不设置有像素电路1211以及连接线等布线结构,布线镂空区123可以具有绝缘层也可以不具有绝缘层。
透明填充层130填充于器件层120的通孔124。
根据本发明实施例的透光显示面板100,器件层120包括布线集中区121和布线连接区122,布线集中区121和布线连接区122相互连接形成布线镂空区123,将像素电路1211设置在布线集中区121,可以对像素电路1211进行集中设置,以增大器件层120的布线镂空区123的面积。采用透明填充层130填充于器件层120的布线镂空区123的通孔124内,能够改善透光显示面板100透光率较低的问题,可以提高整个透光显示面板100的透光率。
在一些可选的实施例中透明填充层130可以采用透明的有机材料制成,例如,可以选用透明聚酰亚胺。
在一些可选的实施例中,请参阅图3和图4所示,图3是本发明一实施例提供的衬底的结构示意图;图4是图1所示的透光显示面板的另一种A-A剖视图。在衬底110上设置有阵列排布的凹入部111,以对衬底110的部分区域减薄,进而可以增加衬底110的该区域的透光率。凹入部111对应设置于器件层120的通孔124下方,通孔124与凹入部111在厚度方向上至少部分交叠。透明填充层130填充于器件层120的通孔124以及衬底110的凹入部111。本实施例中,在衬底110上设置有凹入部111,能够对衬底110的部分区域减薄,以增大衬底110的该部分的透光率,改善衬底110由于透明度不高而导致的透过率较低的问题。
在一些可选的实施例中,透明填充层130的透明度大于衬底110的透明度。这样,采用透明填充层130填充于衬底110的凹入部111,能够增加衬底110的对应布线镂空区123的透光率,进而增大整个透光显示面板100的透光率。
在一些可选的实施例中,衬底110可以为柔性衬底,考虑到在衬底110上形成其他层结构对衬底的影响,通常柔性衬底110例如可以采用普通的聚酰亚胺(polyimide,PI),以防止后续工艺损伤衬底110。由于柔性衬底采用上述普通PI材料制备形成,普通PI材料偏黄,透明度不高,从而影响透光显示面板100整体的透光率。本实施例中,通过在衬底110的对应布线镂空区123设置凹入部111,以减薄布线镂空区123的衬底110的厚度,从而可以增加整个衬底110的平均透光率,再通过透明填充130填充该凹入部111,增加了整个透光显示面板100的透光率。
在一些可选的实施例中,衬底110厚度的为10μm~15μm。凹入部111的深度为4μm~8μm,例如,可以为6μm。衬底110可以对位于其上的器件层120起到承载支撑作用,凹入部111的深度控制在4μm~8μm,既可以保证衬底110有效的透明度,还可以保证在衬底110上沉积其他结构时,衬底110不易损坏。
在一些可选的实施例中,请参阅图4和图5所示,图5是图1所示的透光显示面板的又一种A-A剖视图,器件层120可以为像素电路层1210,像素电路层1210包括多个像素电路1211。通孔贯穿像素电路层1210设置。
进一步的,本实施例的透光显示面板100还包括设置于像素电路层1210背离衬底110一侧的平坦化层140,平坦化层140可以采用透明材料,以使平坦化层140复用为透明填充层130。本实施例中,将平坦化层140复用为透明填充层130填充于布线镂空区123的通孔124或者填充于布线镂空区123的通孔124以及衬底110的凹入部113,能够简化制备工艺,节省成本,提高透明显示面板100的制备效率。
进一步的,本实施例的透光显示面板100还可以包括像素层150,像素层150层叠设置于平坦化层140背离衬底110的一侧,像素层150可以包括多个第一子像素151。第一子像素151在器件层120上的正投影位于布线集中区121内。
器件层120的像素电路1211与像素层150的第一子像素151一一对应电连接,用于对各第一子像素151进行发光控制。本文中的像素电路1211是指对第一子像素151进行发光控制的电路结构,像素电路1211可以包括多个薄膜晶体管、电容等结构。像素电路1211具体可以包括7T1C或2T1C的电路结构,此处“T”是指薄膜晶体管,“C”是指电容,数字是指薄膜晶体管或电容的数量。当然,也可以采用其他电路结构,对此本发明不做限制。位于布线连接区122的连接线与对应的像素电路1211电连接,用于提供信号。连接线例如可以包括扫描线、数据线、供电线等,供电线例如可以为电源电压线。进一步的,连接线还可以包括参考电压线、发光控制信号线等。
在一些可选的实施例中,每个布线集中区121包括至少两个像素电路1211,以对位于同一个布线集中区121的第一子像素151进行发光控制。本实施例中,将至少两个像素电路1211设置在同一个布线集中区121,能够减小布线所占用的面积,进而可以增加布线镂空区123的面积,相应的可以增加衬底110的凹入部111的面积,以增加整个透光显示面板100的透光率。示例性的,在一具体实施例中,布线集中区121正上方可以包括同一像素的三个不同颜色的第一子像素151。可以参照图6所示,图6是本发明实施例提供的布线集中区的结构示意图,布线集中区121可以包括分别驱动红色第一子像素的像素电路R、驱动绿色第一子像素的像素电路G和驱动蓝色第一子像素的像素电路B,可以理解的是,对应的第一子像素151位于像素电路1211的上方,且在器件层120的正投影位于布线集中区121内。
在一些可选的实施例中,布线集中区121、布线连接区122的面积之和与布线镂空区123的面积比为0.8:1~1.2:1,在保证显示效果的前提下,可以增加透光显示面板的透光率。相关技术中,由于像素电路1211以及连接线的走线较为分散,各走线与透光显示面板100的透光区域的面积的比值通常大于0.8:1,透光区域面积较小,而本实施例的透光显示面板100,可以减小像素电路1211以及连接线所占用的面积,因此,可以相应的增大布线镂空区123的面积,相应的可以增加衬底110的凹入部111的面积,以增加整个透光显示面板100的透光率。
在一些可选的实施例中,布线连接区122的连接线采用透明导线。进一步可选的,像素电路1211的各走线也可以采用透明导线。通过将透光显示区的连接线和像素电路1211的各走线采用透明导线,能够进一步增加透光显示面板100的透光率。透明导线例如可以采用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)或氧化铟锌等材料制成。
在另一些可选的实施例中,请参阅图7所示,图7是图1所示的透光显示面板的再一种A-A剖视图。器件层120包括依次层叠设置的像素电路层1210和像素层150,像素电路层1210相对于像素层150靠近衬底110一侧设置。像素电路层1210包括多个像素电路1211,像素层150包括多个位于布线集中区的第一子像素151,第一子像素151与像素电路1211一一对应电连接。
在一些可选的实施例中,请参阅图4、图5和图7所示,透光显示面板100还包括薄膜封装层160,薄膜封装层160覆盖于像素层150背离衬底的一侧。薄膜封装层160用于对像素层150的各第一子像素151进行保护,以防止水氧入侵。本实施例中,对于薄膜封装层160的具体层结构不做限制,例如,薄膜封装层160可以包括依次层叠设置的无机薄膜、有机薄膜和无机薄膜。
上述部分实施例中,以衬底上110具有凹入部111的结构为例进行说明,可以理解的是,对于衬底110上不具有凹入部111的结构,上述实施例也同样适用,在此不再赘述。
进一步的,在一些可选的实施例中,透光显示面板100还包括保护层170,保护层170设置于衬底110背离器件层120的一侧,以对衬底110的不具有凹入部111的一侧进行保护,防止由于衬底110的凹入部111处较薄,水氧从该处入侵至像素层150,以对显示造成影响。保护层可以采用透明的柔性薄膜封装材料,例如可以采用透明PI。
本发明实施例还提供了一种显示面板1000,该显示面板1000可以是OLED显示面板。
请参阅图8所示,图8是本发明一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。该显示面板1000具有相互邻接的第一显示区AA1和第二显示区AA2,其中,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。显示面板1000的第一显示区AA1配置为上述任一实施例的透光显示面板100。
由于本实施例的显示面板1000包括上述任一实施例的透光显示面板100,因此,具有上述实施例的透光显示面板100的有益效果,在此不再赘述。
根据本发明实施例的显示面板1000,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板1000在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件,实现如摄像头的感光组件的屏下集成,同时,第一显示区AA1能够显示画面,提高显示面板1000的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
在一些可选的实施例中,第二显示区AA2包括第二像素层,第二像素层包括阵列排布的多个第二子像素。其中,第一显示区AA1的第一子像素的子像素密度小于第二显示区AA2的第二子像素的子像素密度。以进一步提高第一显示区AA1的透光率。
上述实施例的显示面板1000,第二显示区AA2与第一显示区AA1可以包括同一衬底110,第二显示区AA2与第一显示区AA1的各同层的层结构可以采用相同的材料在同一制备工艺中形成。对于其具体形成过程,本发明不做限制。
本发明实施例还提供了一种透光显示面板的制备方法,根据该制备方法能够制得上述任一实施例的透光显示面板100。
请参阅图9所示并结合图10a~10c,图9是本发明实施例提供一种透光显示面板的制备方面流程图,图10a~10c本发明实施例的透光显示面板制备过程中的结构示意图。该透光显示面板100的制备方法包括步骤101至步骤103。
步骤101,提供衬底。
提供的衬底110例如可以为柔性衬底。柔性衬底例如可以为PI衬底110。可以通过涂布的方式,将PI材料涂覆在支撑板上。
步骤102,在衬底上形成器件层。
该步骤具体包括形成布线集中区121以及布线连接区122,其中,布线集中区121、布线连接区122相互围合形成布线镂空区123。该步骤还包括在布线镂空区123形成沿厚度方向贯穿器件层120的通孔124。
步骤103,形成透明填充层。
该步骤中,在上一步骤102中器件层120的通孔124中填充透明填充层130。
本实施例中,在器件层120上形成布线集中区121和布线连接区122,布线集中区121和布线连接区122相互连接形成布线镂空区123,在布线镂空区123形成沿厚度方向贯穿器件层120的通孔,采用透明填充层130填充于器件层120的布线镂空区123的通孔124内,通过本实施例的透光显示面板的制备方法形成的透光显示面板100,能够改善透光显示面板100透光率较低的问题,可以提高整个透光显示面板100的透光率。
在一些可选的实施例中,在步骤103之后还可以包括在衬底110上形成凹入部111的步骤,具体包括:经由器件层120的通孔124图案化衬底110,在衬底110上形成与通孔124的位置对应的凹入部111。经过该步骤,形成的结构请参阅图10c所示。
进一步的,对于步骤103中,透明填充层130还填充于衬底110的凹入部111。
本文中所说的“图案化”可以包括光刻工艺、刻蚀工艺等。光刻工艺可以包括成膜、曝光、显影等工艺过程,利用光刻胶、掩膜板、曝光机等形成图形的工艺;刻蚀可以为干法刻蚀也可以为湿法刻蚀,可以根据需要对图案化的具体工艺进行选择。
本实施例中,先在器件层120的布线镂空区123形成沿厚度方向贯穿器件层120的通孔124,之后再经由器件层120的通孔124对衬底110进行减薄处理,以在衬底110的与通孔124对应的位置形成凹入部111。形成凹入部111的步骤在形成通孔124的步骤之后,相较于相关技术中,先在衬底110上形成凹入部111之后,再在具有凹入部111的衬底110上形成器件层120,由于凹入部111深度较大,器件层120的像素电路1211以及连接线等结构在形成过程中,在接近凹入部111的位置由于应力作用易造成走线断裂,进而影响显示效果,本实施例的透明显示面板100的制备方法在形成器件层120的过程中不存在衬底110的凹入部111,凹入部111在形成器件层120之后再经由器件层120的通孔124处进行图案化处理形成,能够防止对器件层120的走线造成影响,提高了透光显示面板100的制备良率。
在一些可选的实施例中,上述步骤102包括如下步骤:
在衬底上形成半导体层。该步骤中,半导体层例如可以采用P-Si材料,该层可以用于形成薄膜晶体管的有源层。
之后,图案化半导体层,使得半导体层在布线镂空区镂空。该步骤中,对半导体层进行图案化处理,以除去布线镂空区123的半导体层。
之后,在半导体层上依次形成第一绝缘层、第一导体层。该步骤中,第一绝缘层对第一半导体层和第一导体层进行绝缘,第一导体层可以用于形成像素电路的薄膜晶体管的栅极以及扫描线等结构。
之后,图案化第一导体层,使得第一导体层在布线镂空区镂空。该步骤中,对第一导体层进行图案化处理,以除去布线镂空区123的第一导体层。可以理解的是,该步骤之后,器件层120的布线镂空区123具有设置在衬底110上的第一绝缘层。
之后,在第一导体层上依次形成第二绝缘层、第二导体层。该步骤中,第二绝缘层对第一导体层和第二导体层进行绝缘,第二导体层可以用于形成像素电路中电容的一个极板。
之后,图案化第二导体层,使得第二导体层在布线镂空区镂空。该步骤中,对第二导体层进行图案化处理,以除去布线镂空区123的第二导体层。可以理解的是,该步骤之后,器件层120的布线镂空区123具有依次层叠设置在衬底110上的第一绝缘层和第二绝缘层。
之后,在第二导体层上依次形成第三绝缘层、第三导体层。该步骤中,第三绝缘层对第二导体层和第三导体层进行绝缘,第三导体层可以用于形成薄膜晶体管的源漏电极以及数据线、电源线等。
之后,图案化第三导体层,使得第三导体层在布线镂空区镂空。该步骤中,对第三导体层进行图案化处理,以除去布线镂空区123的第三导体层。可以理解的是,该步骤之后,器件层120的布线镂空区123具有依次层叠设置在衬底110上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。经过该步骤,形成的结构请参阅图10a所示。
之后,图案化布线镂空区的第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层,以在布线镂空区123形成沿厚度方向贯穿第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层的通孔124。该步骤中,由于在布线镂空区123仅具有层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,对布线镂空区123的这些绝缘层进行一次图案化处理,可以形成贯穿器件层120的通孔124。经过该步骤,形成的结构请参阅图10b所示。
本实施例中,由于在形成器件层120的各膜层过程中,衬底110上未形成凹入部111,则,镂空区与其周侧不会出现较大的高度差,不会对器件层120的各走线的形成造成影响,提高了透光显示面板100的良率。
对于上述实施例的显示面板1000的制备方法,由于显示面板1000的第一显示区AA1配置有上述任一实施例的透光显示面板100,则显示面板1000的第一显示区AA1的透光显示面板100可以采用上述制备方法形成。对于显示面板1000的第二显示区AA2的制备方法本发明不做限制。在一些可选的实施例中,第一显示区AA1与第二显示区AA2的同种材料的同一层结构,可以采用同一制备工艺同时形成,以便于简化制备过程,节省时间成本,提高整个显示面板1000的制备效率。
依照本发明如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种透光显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
器件层,设置于所述衬底的一侧,所述器件层包括布线集中区以及布线连接区,所述布线集中区包括至少一个像素电路,相邻所述布线集中区彼此间隔,所述布线连接区包括连接相邻所述布线集中区的所述像素电路的连接线,所述布线集中区、所述布线连接区相互连接围合形成布线镂空区,所述布线镂空区包括沿厚度方向贯穿所述器件层的通孔;
透明填充层,填充于所述通孔。
2.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述衬底在对应于所述通孔的位置设置有凹入部,所述透明填充层填充于所述通孔以及所述凹入部。
3.根据权利要求2所述的透光显示面板,其特征在于,所述透明填充层的透明度大于所述衬底的透明度。
4.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,每个所述布线集中区包括至少两个像素电路;
优选的,所述布线集中区、所述布线连接区的面积之和与所述布线镂空区的面积比为0.8:1~1.2:1;
优选的,所述衬底的厚度为10μm~15μm;所述凹入部的深度为4μm~8μm。
5.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述器件层为像素电路层,所述像素电路层包括多个所述像素电路,所述通孔贯穿所述像素电路层设置;
优选的,所述透光显示面板还包括设置于所述像素电路层背离所述衬底一侧的平坦化层,所述平坦化层至少部分复用为所述透明填充层;
优选的,所述透光显示面板还包括像素层,所述像素层设置于所述平坦化层背离所述衬底的一侧,所述像素层包括多个第一子像素,所述第一子像素在所述器件层上的正投影位于所述布线集中区内,所述像素电路与所述第一子像素一一对应电连接。
6.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述器件层包括依次层叠设置的像素电路层和像素层,所述像素电路层相对于所述像素层靠近所述衬底一侧设置,所述像素电路层包括多个所述像素电路,所述像素层包括位于所述布线集中区的多个第一子像素,所述第一子像素与所述像素电路一一对应电连接,所述通孔贯穿所述像素层与所述像素电路层设置。
7.根据权利要求5或6所述的透光显示面板,其特征在于,进一步包括薄膜封装层,所述薄膜封装层覆盖于所述像素层背离所述衬底的一侧;
优选的,所述透光显示面板还包括保护层,所述保护层设置于所述衬底的背离所述器件层的一侧。
8.一种显示面板,其特征在于,具有相互邻接的第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,其中,所述显示面板的所述第一显示区配置为根据权利要求1至7任一项所述的透光显示面板。
9.一种透光显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成器件层,包括形成布线集中区以及布线连接区,所述布线集中区、所述布线连接区相互连接围合形成布线镂空区,所述在所述衬底上形成器件层还包括在所述布线镂空区形成沿厚度方向贯穿器件层的通孔;以及
形成透明填充层,所述透明填充层填充于所述通孔内。
10.根据权利要求9所述的透光显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成器件层的步骤之后还包括:
经由所述通孔图案化所述衬底,在所述衬底上形成与所述通孔的位置对应的凹入部;
所述形成透明填充层的步骤中,所述透明填充层还填充于所述凹入部。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911358326.0A CN113035901B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 透光显示面板及其制备方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201911358326.0A CN113035901B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 透光显示面板及其制备方法、显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113035901A true CN113035901A (zh) | 2021-06-25 |
CN113035901B CN113035901B (zh) | 2023-04-18 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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