CN111668272B

CN111668272B - 显示基板及其制备方法

Info

Publication number: CN111668272B
Application number: CN202010544366.0A
Authority: CN
Inventors: 郝艳军; 屈财玉; 李彦松; 杜小波
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2020-06-15
Filing date: 2020-06-15
Publication date: 2023-07-14
Anticipated expiration: 2040-06-15
Also published as: CN111668272A

Abstract

提供了一种显示基板及其制备方法，该显示基板的制备方法包括：在衬底之上形成像素支撑层；在所述像素支撑层上放置掩膜版，通过所述掩膜版在所述衬底之上形成发光结构层；移除所述掩膜版；去除所述像素支撑层；以解决由于像素支撑层导致的显示基板出现多暗点不良的问题。

Description

显示基板及其制备方法

技术领域

本发明涉及触控技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称：OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低功耗、宽色域、轻薄化、可异形化等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示和透明显示中。透明显示是显示技术的一个重要分支，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可实现虚拟现实/增强现实(Virtual Reality/Augmented Reality，VR/AR)和3D显示功能。目前，有机发光二极管显示基板的显示区域容易出现多暗点不良的问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法，以解决由于像素支撑层导致的显示基板出现多暗点不良的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底之上形成像素支撑层；

在所述像素支撑层上放置掩膜版，通过所述掩膜版在所述衬底之上形成发光结构层；

移除所述掩膜版；

去除所述像素支撑层。

在一些可能的实现方式中，去除所述像素支撑层之后，还包括：

在所述发光结构层上形成封装层。

在一些可能的实现方式中，所述在衬底之上形成像素支撑层，包括：

在所述衬底之上沉积光刻胶薄膜；

通过光源照射，使所述光刻胶薄膜的部分区域形成曝光区域，使所述光刻胶薄膜另一部分区域形成未曝光区域；

通过显影工艺，将所述未曝光区域的光刻胶薄膜去除，将所述曝光区域的光刻胶薄膜保留，所述曝光区域的光刻胶薄膜形成所述像素支撑层。

在一些可能的实现方式中，所述像素支撑层的材料采用负性感光光刻胶。

在一些可能的实现方式中，所述像素支撑层的竖截面呈倒梯形。

在一些可能的实现方式中，所述发光结构层在所述像素支撑层处断裂，使所述像素支撑层至少一侧的侧壁暴露。

在一些可能的实现方式中，去除所述像素支撑层，包括：

将所述像素支撑层浸入剥离液中，使所述剥离液与所述像素支撑层暴露的侧壁接触，将所述像素支撑层从所述衬底之上剥离。

在一些可能的实现方式中，所述形成发光结构层，包括：

在所述衬底之上形成空穴注入层；

在所述空穴注入层之上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层之上形成电子阻挡层；

在所述电子阻挡层之上形成发光层；

在所述发光层之上形成空穴阻挡层；

在所述空穴阻挡层之上形成电子传输层；

在所述电子传输层之上形成电子注入层；

在所述电子注入层之上形成阴极；

在所述阴极之上形成光提取层；

在所述光提取层之上形成氟化锂层；

所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子阻挡层、所述发光层、所述空穴阻挡层、所述电子传输层、所述电子注入层、所述阴极、所述光提取层以及所述氟化锂层组成所述发光结构层。

在一些可能的实现方式中，在形成所述发光层之后，去除所述像素支撑层；或者，在形成所述空穴阻挡层之后，去除所述像素支撑层；或者，在形成所述电子传输层之后，去除所述像素支撑层；或者，在形成所述阴极之后，去除所述像素支撑层；或者，在形成所述光提取层之后，去除所述像素支撑层；或者，在形成所述氟化锂层之后，去除所述像素支撑层。

本发明实施例还提供了一种显示基板，包括衬底，所述衬底包括多个显示区以及位于相邻所述显示区之间的非显示区，所述显示区之上形成有发光结构层，所述非显示区在相邻所述发光结构层之间形成凹槽。

在一些可能的实现方式中，所述发光结构层之上设置有将所述发光结构层和所述凹槽覆盖的封装层。

本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法，在形成发光结构层之后，去除像素支撑层，从而避免由于像素支撑层引起的显示基板出现多暗点不良的问题。

本发明实施例显示基板的制备方法通过去除像素支撑层之后，再形成封装层，从而避免像素支撑层的损伤导致封装失效，进而提高封装效果。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明实施例显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例显示基板形成光刻胶薄膜后的示意图；

图3为本发明实施例显示基板形成曝光区域和未曝光区域的示意图；

图4为本发明实施例显示基板形成像素支撑层后的示意图；

图5为本发明实施例显示基板形成像素支撑层后的俯视图；

图6为本发明实施例显示基板形成发光结构薄膜后的示意图；

图7为本发明实施例显示基板去除像素支撑层后的示意图；

图8为本发明实施例显示基板形成封装层后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

有机发光二极管基板中通常会包含像素支撑层(Photo Spacer，简称：PS)，主要用于支撑掩膜版(Fine Metal Mask，简称：FMM)。像素支撑层高约1.5um。像素支撑层采用有机材料的光刻胶制作，可以防止掩膜版刮伤蒸镀后的膜层，同时防止掩膜版与显示基板贴合过于紧密产生吸附静电，损伤掩膜版。

如果显示基板上不形成像素支撑层，通过掩膜版蒸镀形成发光结构层后，将掩膜版与玻璃基板分离，掩膜版在分离过程中，与玻璃基板吸附在一起，掩膜版在拉起时，会使掩膜版从中间撕裂，造成损伤。

经过研究人员发现：显示基板出现多暗点不良的问题，原因主要是：一、磁场强度过大，导致掩膜版与显示基板贴合过于紧密，压伤像素支撑层。二、形成封装层时，像素支撑层已存在损伤。比如，像素支撑层表面被损伤后，形成凸起，在通过化学气相沉积形成封装层(比如SiNOx)时，像素支撑层的损伤会使封装层出现间隙，导致封装失效，使显示基板宏观表现多暗点不良。目前，量产线中有许多项目因像素支撑层损伤导致封装失效。

为了解决像素支撑层导致显示基板出现多暗点不良等问题。本发明提供一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底之上形成像素支撑层；

移除所述掩膜版；

去除所述像素支撑层。

本发明实施例显示基板的制备方法，在形成发光结构层之后，去除像素支撑层，从而避免由于像素支撑层引起的显示基板出现多暗点不良的问题。

下面通过本实施例触控基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在衬底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

图1至图8为本实施例显示基板制备过程的示意图。本实施例显示基板的制备方法包括：

(1)形成衬底和有源层图案。形成衬底和有源层图案包括：先在玻璃基板上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成衬底10，随后在衬底10上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖整个衬底10的阻挡层11图案。然后，在阻挡层11上面形成一层多晶硅薄膜，通过构图工艺对该多晶硅薄膜进行构图，形成设置在阻挡层11上同层的两个有源层12图案，如图1所示。

(2)形成第一栅电极图案和第二栅电极图案。形成第一栅电极图案和第二栅电极图案包括：在形成前述图案的衬底10上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，形成覆盖有源层12图案的第一绝缘层13，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14和第二栅电极15，第一栅电极14和第二栅电极15分别位于两个有源层12的上方，如图1所示。

(3)形成第三栅电极图案。形成第三栅电极图案包括：在形成前述图案的衬底10上，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，形成覆盖第一栅电极14图案和第二栅电极15图案的第二绝缘层16，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成设置在第二绝缘层16上的第三栅电极17，第三栅电极17位于第二栅电极15的上方，如图1所示。

(4)形成层间介质层。形成层间介质层图案包括：在形成前述图案的衬底10上，形成设置在第三栅电极17、第一绝缘层13和第二绝缘层16上的层间介质层18图案，如图1所示。

(5)形成源漏电极图案。形成源漏电极图案包括：在形成前述图案的衬底10上，通过构图工艺在第一绝缘层13和第二绝缘层16上开设暴露出有源层12的第一过孔，通过构图工艺在第二绝缘层16上开设暴露出第二栅电极15的第二过孔。随后，在第一绝缘层13和第二绝缘层16上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第一绝缘层13和第二绝缘层16上形成源漏电极19以及连接电极28，源漏电极19通过第一过孔与有源层12两侧的掺杂区连接，连接电极28通过第二过孔与第二栅电极15连接，如图1所示。

(6)形成阳极图案。形成阳极图案包括：在形成前述图案的衬底10上，在源漏电极19和连接电极28上形成平坦化层20，通过构图工艺在平坦化层20上开设暴露出源漏电极19的第三过孔。随后，在平坦化层20上沉积第四金属薄膜，对第四金属薄膜进行构图，在平坦化层20上形成阳极21，阳极21通过第三过孔与源漏电极19连接，如图1所示。

(7)形成像素界定层。形成像素界定层包括：在形成前述图案的衬底10上，形成像素定义层22，像素定义层22中形成像素开口区，像素开口区将阳极21暴露，如图1所示。

(8)形成像素支撑层。形成像素支撑层包括：

在形成前述图案的衬底10上，在像素定义层22上沉积光刻胶薄膜23，如图2所示。其中，光刻胶薄膜23的材料采用负性感光光刻胶，进而使光刻胶薄膜23形成的像素支撑层的材料为负性感光光刻胶。

随后，通过光源照射掩膜版24，使光刻胶薄膜23的部分区域形成曝光区域，使光刻胶薄膜23另一部分区域形成未曝光区域，如图3所示。

随后，通过显影工艺，将未曝光区域的光刻胶薄膜去除，将曝光区域的光刻胶薄膜保留，曝光区域的光刻胶薄膜形成像素支撑层25。由于，光刻胶薄膜的材料采用负性感光光刻胶，从而使形成的像素支撑层25的竖截面呈倒梯形，如图4所示。

在一些可能的实现方式中，像素支撑层也可以采用其他形状，比如，矩形、菱形、六边形等规则形状或其他不规则形状，本实施例在此不再赘述。

如图5所示，本发明实施例中衬底10包括显示区域26，显示区域26之上形成发光结构层，以用于发出光线。像素支撑层25位于显示区域26的两侧，以用于支撑掩膜版。通过像素支撑层25上的掩膜版在显示区域26之上形成发光结构层。

(9)形成发光结构层。形成发光结构层包括：在像素支撑层25上放置掩膜版，通过掩膜版，蒸镀形成覆盖像素定义层22和像素支撑层25的发光结构薄膜26，发光结构薄膜26在像素定义层22的像素开口区中形成发光结构层。由于像素支撑层25的竖截面呈倒梯形，发光结构薄膜26在像素支撑层25处断裂，即发光结构层在像素支撑层25处断裂。使像素支撑层25至少一侧的侧壁暴露，如图6所示。

(10)去除像素支撑层。去除像素支撑层包括：将掩膜版从像素支撑层上移除；随后，将像素支撑层浸入剥离液中，使剥离液与像素支撑层暴露的侧壁接触，将像素支撑层从衬底之上剥离，如图7所示。

(11)形成封装层。形成封装层包括：在发光结构层上沉积无机材料层，将无机材料层形成封装层27，如图8所示。

在一些可能的实现方式中，本发明实施例显示基板的制备方法中，形成发光结构层包括：

在所述衬底之上形成空穴注入层；

在所述空穴注入层之上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层之上形成电子阻挡层；

在所述电子阻挡层之上形成发光层；

在所述发光层之上形成空穴阻挡层；

在所述空穴阻挡层之上形成电子传输层；

在所述电子传输层之上形成电子注入层；

在所述电子注入层之上形成阴极；

在所述阴极之上形成光提取层；

在所述光提取层之上形成氟化锂层；

在一些可能的实现方式中，本发明实施例显示基板的制备方法中，在最后一次使用掩膜版后，进行封装工艺之前，进行去除像素支撑层工艺。比如，在形成发光层之后，去除像素支撑层。或者，在形成空穴阻挡层之后，去除像素支撑层。或者，在形成电子传输层之后，去除像素支撑层。或者，在形成阴极之后，去除像素支撑层。或者，在形成光提取层之后，去除像素支撑层。或者，在形成氟化锂层之后，去除像素支撑层。

本发明实施例还提供了一种显示基板，包括包括衬底，所述衬底包括多个显示区以及位于相邻显示区之间的非显示区，所述显示区之上形成有发光结构层，所述非显示区在相邻发光结构层之间形成凹槽。

本发明实施例显示基板在形成发光结构层之后，将像素支撑层去除，使相邻发光结构层之间的非显示区形成凹槽，从而避免显示基板出现多暗点不良的问题。

本发明实施例显示基板中发光结构层与封装层之间不设置像素支撑层，从而避免由于像素支撑层的损伤导致封装失效。在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但在本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底之上形成像素支撑层，所述像素支撑层用于支撑掩膜版；

在所述像素支撑层上放置掩膜版，通过所述掩膜版在所述衬底之上形成发光结构层；形成发光结构层包括：依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层；

移除所述掩膜版；

去除所述像素支撑层；

依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层、阴极、光提取层和氟化锂层；

在所述发光结构层上形成封装层。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底之上形成像素支撑层，包括：

在所述衬底之上沉积光刻胶薄膜；

3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述像素支撑层的材料采用负性感光光刻胶。

4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述像素支撑层的竖截面呈倒梯形。

5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述发光结构层在所述像素支撑层处断裂，使所述像素支撑层至少一侧的侧壁暴露。

6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，去除所述像素支撑层，包括：

7.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板由上述权利要求1至6任一所述的显示基板的制备方法制备而成，所述显示基板包括衬底，所述衬底包括多个显示区以及位于相邻显示区之间的非显示区，所述显示区之上形成有发光结构层，所述非显示区在相邻发光结构层之间形成凹槽。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层之上设置有将所述发光结构层和所述凹槽覆盖的封装层。