JP2020502722A - Oledディスプレイ基板、oledディスプレイ装置およびoledディスプレイ基板の製造方法 - Google Patents
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
Description
本発明は2016年12月16日中国特許局に出願し、出願番号はNo.201611176024.8で、すべての内容は引用により本願に記載したものである。
前記複数の突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と仕切られており、
前記突起層の前記ベース基板に対する高さは前記絶縁媒質層の高さより小さい。
前記第1開口領域の前記ベース基板上での投影は前記第2開口領域の投影を覆い、
前記第2開口領域の前記ベース基板上での投影は基本的前記複数の突起構造の1つが取り囲んでいる前記サブピクセル領域の投影と重なる。
Claims (20)
- ベース基板上にピクセル定義層を形成するステップであって、前記ピクセル定義層はサブピクセル間領域に形成してかつ前記OLEDディスプレイ基板のサブピクセル領域を規定するものである前記形成ステップと、
前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に絶縁媒質層を形成し、および前記絶縁媒質層を形成した後、前記絶縁媒質層に設置したフォトマスクを使ってそれぞれのサブピクセル領域に有機発光層を形成するステップであって、前記絶縁媒質層は前記サブピクセル領域より広い第1開口領域を規定するために形成するためのものである前記形成ステップと
を備え、
前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層は前記第1開口のベース基板上での投影が前記サブピクセル領域の投影を覆うように形成され、
前記フォトマスクに複数の開口があり、前記複数開口のそれぞれの開口の縁にサブピクセル領域が取り囲んでおり、および
前記第1開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記フォトマスクの1部と前記第1開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記ピクセル定義層の一部は隙間を通じて仕切られていることを特徴とする、前記サブピクセル領域と前記サブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。 - 前記隙間は前記絶縁媒質層の厚さと基本的同じ厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 前記有機発光層を形成する前に、
前記サブピクセル間領域に複数の突起構造を含む突起層を形成し、前記複数の突起構造それぞれは基板のサブピクセル領域を取り囲むように形成し、
前記複数の突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と遮るように形成し、前記突起層の前記基板に対する相対的高さは前記絶縁媒質層の高さより小さいことを特徴とする、請求項1に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。 - 前記複数突起構造それぞれは第2開口領域を規定するために形成し、
前記第1開口領域の前記ベース基板上での投影は前記第2開口領域の投影を覆い、および
第2開口領域の前記ベース基板上での投影は基本的前記複数突起構造の1つに取り囲まれている前記サブピクセル領域の投影と重なることを特徴とする、請求項3に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。 - 前記第1開口領域の広さは前記サブピクセル領域の広さより少なくとも1μm広いことを特徴とする、請求項1に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層を形成することを特徴とする、請求項1に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層と前記突起層を形成することを特徴とする、請求項3に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記絶縁媒質層と前記突起層を形成することを特徴とする、請求項3に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層、前記絶縁媒質層と前記突起層を形成することを特徴とする、請求項3に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。
- 前記ピクセル間領域に前記薄膜トランジスターを形成し、
前記ベース基板に第1電極を形成し、
前記第1電極の前記ベース基板に遠く離れている片側に有機層を形成し、
前記有機層の前記第1電極に遠く離れている片側に第2電極を形成し、
また、前記薄膜トランジスターの形成はドレインを形成することと、
前記ドレインが前記OLEDの前記第1電極と接続することを含むことを特徴とする、請求項1に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板の製造方法。 - ベース基板と、
前記ピクセル定義層は前記サブピクセル間領域に位置しかつ前記OLEDディスプレイ基板の前記サブピクセル領域を規定するピクセル定義層と、
前記絶縁媒質層は前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に位置し、前記サブピクセル領域より広い第1開口領域を規定するための絶縁媒質層と
を備え、
前記第1開口領域の前記ベース基板上での投影は前記サブピクセル領域の投影を覆うことを特徴とする、サブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。 - 前記絶縁媒質層は前記ピクセル定義層に隣接していることを特徴とする、請求項11に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。
- 前記絶縁媒質層は前記ピクセル定義層の全体部分であることを特徴とする、請求項11に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。
- 前記サブピクセル間領域に複数突起構造の突起層を含み、前記複数突起構造のそれぞれの基板にサブピクセル領域が取り囲んでおり、
前記複数突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と仕切られており、
前記突起層の前記ベース基板に対する相対的高さは前記絶縁媒質層の高さより小さいことを特徴とする、請求項11に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。 - 前記複数の突起構造それぞれは第2開口領域を規定し、
前記第1開口領域の前記ベース基板での投影は前記第2開口領域の投影を覆い、
第2開口領域の前記ベース基板上での投影は基本的前記複数の突起構造の1つに取り囲まれている前記サブピクセル領域の投影と重なることを特徴とする、請求項14に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。 - 前記突起層は前記ピクセル定義層に隣接していることを特徴とする、請求項14に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。
- 前記突起層は前記ピクセル定義層の全体部分であることを特徴とする、請求項14に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。
- 前記サブピクセル間領域の薄膜トランジスターと、OLEDとを含み、
また、前記OLEDは、
前記ベース基板上の前記第1電極と、
前記第1電極の前記ベース基板に遠く離れている片側の有機層と、
前記有機層の前記第1電極に遠く離れている片側の第2電極とを含み、
前記有機層は有機発光層を含み、
前記薄膜トランジスターは前記OLEDに電気的接続している前記第1電極のドレインを含むことを特徴とする、請求項11に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。 - 前記絶縁媒質層の厚さは約1μmから約5μmまでの範囲内にあることを特徴とする、請求項11に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するOLEDディスプレイ基板。
- 請求項11ないし請求項19のいずれかの1項に記載した前記OLEDディスプレイ基板を備えるOLEDディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611176024.8 | 2016-12-16 | ||
CN201611176024.8A CN108231824B (zh) | 2016-12-16 | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
PCT/CN2017/090688 WO2018107722A1 (en) | 2016-12-16 | 2017-06-29 | Organic light emitting diode display substrate, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating organic light emitting diode display substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020502722A true JP2020502722A (ja) | 2020-01-23 |
JP6980645B2 JP6980645B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=62558184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018504738A Active JP6980645B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-06-29 | Oledディスプレイ基板、oledディスプレイ装置およびoledディスプレイ基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10741622B2 (ja) |
EP (1) | EP3555922A4 (ja) |
JP (1) | JP6980645B2 (ja) |
KR (1) | KR102035708B1 (ja) |
WO (1) | WO2018107722A1 (ja) |
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US10741622B2 (en) | 2020-08-11 |
EP3555922A1 (en) | 2019-10-23 |
KR20180086404A (ko) | 2018-07-31 |
CN108231824A (zh) | 2018-06-29 |
KR102035708B1 (ko) | 2019-10-24 |
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---|---|---|---|
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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