CN110148619A - 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 - Google Patents
一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110148619A CN110148619A CN201910556437.6A CN201910556437A CN110148619A CN 110148619 A CN110148619 A CN 110148619A CN 201910556437 A CN201910556437 A CN 201910556437A CN 110148619 A CN110148619 A CN 110148619A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- photodissociation
- base plate
- display base
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 141
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 150000004654 triazenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- -1 benzene compound Chemical class 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置。制备方法包括:在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层;在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层;在形成有所述可光解层的基底上形成空穴注入层;采用光解光线对所述可光解层对应位置进行照射,所述可光解层光解使得所述空穴注入层在与所述可光解层对应位置形成隔断。制备出的显示基板,空穴注入层在与可光解层对应的位置形成有隔断,隔断位于相邻像素区域之间,从而,隔断可以阻挡空穴注入层上载流子的横向传输,避免了像素间的串扰不良,提高了显示装置的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板因其自发光、驱动电压低、响应快、宽视角等而备受业界关注。OLED显示面板包括多个由像素界定层界定的OLED器件,OLED器件包括阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极等。
现有技术中,通常采用蒸镀的方法形成OLED器件。为了达到成本控制和高效生产,在形成空穴注入层时一般不采用精细金属掩膜进行蒸镀,而是使用可以覆盖有源区域的大开孔掩膜进行蒸镀以形成各子像素的公共层使用,也就是说,多个OLED像素的空穴注入层为相互连接的一体结构。在使用过程中发现,OLED显示面板在工作过程中,会出现像素串扰,例如,当显示某像素特性时,该像素周边的一个或多个像素也会发亮,出现像素间的串扰不良,影响了显示面板的显示品质。
发明内容
本发明实施例的目的是,提供一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置,以解决像素间的串扰不良,提高显示装置的显示品质。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层;
在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层;
在形成有所述可光解层的基底上形成空穴注入层;
采用光解光线对所述可光解层对应位置进行照射,所述可光解层光解使得所述空穴注入层在与所述可光解层对应位置形成隔断。
可选地,所述可光解层的材质包括三氮烯类聚合物。
可选地,所述可光解层的厚度d为50nm~200nm。
可选地,在相邻像素区域之间,所述可光解层的宽度小于所述像素界定层的宽度。
可选地,在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层,包括:
在形成有像素界定层的所述基底上涂覆可光解薄膜;
采用单色调掩膜板对所述可光解薄膜进行曝光,在所述可光解层位置形成未曝光区域,在其它位置形成完全曝光区域;
显影,完全曝光区域无可光解薄膜,未曝光区域的可光解薄膜保留而形成可光解层。
可选地,对所述可光解薄膜进行曝光的光线的波长小于400nm。
可选地,所述光解光线的波长大于400nm。
可选地,所述光解光线包括脉冲激光或光波。
可选地,所述脉冲激光的波长为500nm~550nm。
可选地,所述方法还包括:在形成有所述隔断的空穴注入层上形成电极层。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种显示基板,包括基底以及设置在所述基底上用于界定出多个像素区域的像素界定层,所述显示基板还包括设置在所述像素界定层上且位于相邻像素区域之间的可光解层。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种显示基板,采用上述方法制备而成。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括以上所述的显示基板。
本实施例提出的显示基板的制备方法,空穴注入层在与可光解层对应的位置形成有隔断,隔断位于相邻像素区域之间,从而,隔断可以阻挡空穴注入层上载流子的横向传输,避免了像素间的串扰不良,提高了显示装置的显示品质。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明第一实施例显示基板的制备方法的示意图;
图2为显示基板中形成像素界定层后的结构示意图;
图3a为显示基板中对可光解薄膜曝光的示意图;
图3b为显示基板中形成可光解层后的结构示意图;
图3c为显示基板中形成可光解层后的俯视结构示意图;
图4为显示基板中形成空穴注入层后的结构示意图;
图5a为显示基板中对可光解层进行照射的示意图;
图5b为显示基板中可光解层光解后的结构示意图。
附图标记说明:
10—基底; 11—第一电极; 12—像素界定层;
13—可光解层; 14—空穴注入层; 15—隔断;
100—像素区域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
经发明人研究发现,作为公共层的空穴注入层具有较高的导电性,空穴注入层中的载流子横向传输速率较高,从而,在高分辨率显示面板中,当显示某像素特性时,该像素区域的空穴载流子浓度较高,从而,该像素区域的空穴载流子会沿着空穴注入层横向传输至周边的其它像素,导致该像素周边的一个或多个像素也会发亮,出现像素间的串扰不良,影响了显示装置的显示品质。
为了解决像素间的串扰不良,本发明实施例提出了一种显示基板的制备方法。该方法包括:在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层;在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层;在形成有所述可光解层的基底上形成空穴注入层;采用光解光线对所述可光解层对应位置进行照射,所述可光解层光解使得所述空穴注入层在与所述可光解层对应位置形成隔断。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。涂覆可采用已知的涂覆工艺,在此不做具体的限定。
第一实施例:
图1为本发明第一实施例显示基板的制备方法的示意图,如图1所示,该方法包括:
S1:在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层;
S2:在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层;
S3:在形成有所述可光解层的基底上形成空穴注入层;
S4:采用光解光线对所述可光解层对应位置进行照射,所述可光解层光解使得所述空穴注入层在与所述可光解层对应位置形成隔断。
在一个实施例中,S2可以包括:
在形成有像素界定层的所述基底上涂覆可光解薄膜;
采用单色调掩膜板对所述可光解薄膜进行曝光,在所述可光解层位置形成未曝光区域,在其它位置形成完全曝光区域;
显影,完全曝光区域无可光解薄膜,未曝光区域的可光解薄膜保留而形成可光解层。
其中,对所述可光解薄膜进行曝光的光线的波长小于400nm。
下面通过显示基板的制备过程详细说明本发明实施例的技术方案。
S1:在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层,具体可以包括:在基底10上涂覆像素界定薄膜;采用单色调掩膜板对像素界定薄膜进行曝光,在像素区域形成完全曝光区域,在其它位置形成未曝光区域;显影后,像素区域无像素界定薄膜,未曝光区域保留像素界定薄膜而形成像素界定层12,像素界定层12界定出多个像素区域100,如图2所示,图2为显示基板中形成像素界定层后的结构示意图。
容易理解的是,在形成像素界定层11之前,要在基底10上形成第一电极11,第一电极11位于像素区域100,如图2所示。在OLED显示基板中,第一电极11通常为阳极。
S2:在像素界定层12上形成位于相邻像素区域100之间的可光解层13,具体包括:在形成有像素界定层12的基底10上涂覆可光解薄膜13’;采用单色调掩膜板1对可光解薄膜13’进行曝光,在可光解层位置形成未曝光区域,在其它位置形成完全曝光区域,如图3a所示;显影后,未曝光区域的可光解薄膜保留而形成可光解层13,完全曝光区域无可光解薄膜而暴露出像素区域,如图3b所示,图3a为显示基板中对可光解薄膜曝光的示意图,图3b为显示基板中形成可光解层后的结构示意图。
在一个实施例中,可光解薄膜包括可光解物质和树脂。可光解物质包括三氮烯类聚合物,树脂包括共轭程度较高的二氨基二苯化合物和二胺。将二氨基二苯化合物和二胺作为反应底物,将可光解物质例如三氮烯类聚合物溶于由二氨基二苯化合物和二胺形成的反应底物中,得到可光解胶状物质。将得到的可光解胶状物质涂覆在形成有像素界定层12的基底10上,便形成可光解薄膜。容易理解的是,还可以选择其它类胶状物质形成反应底物。
在一个实施例中,可光解物质可以在400nm以上的光照射下迅速光解。为了避免曝光光线对可光解层产生影响,对可光解薄膜13’曝光时采用的曝光光线为波长小于400nm的紫外光。由于可光解物质在400nm以上的光照射下才会光解,所以,在对可光解薄膜曝光过程中,曝光光线不会导致可光解薄膜分解,曝光光线不会对可光解层产生影响。
如图3b所示,在相邻像素区域100之间,可光解层13的宽度w1小于像素界定层12的宽度w2。可光解层13的厚度d为50nm~200nm。
图3c为显示基板中形成可光解层后的俯视结构示意图,如图3c所示,相邻像素区域之间设置有可光解层13,从而,从显示基板的俯视方向看,可光解层呈网状结构,像素区域通过可光解层13上的镂空暴露出来。
S3:在形成有可光解层13的基底上形成空穴注入层,具体包括:采用蒸镀方法形成空穴注入层14,如图4所示,图4为显示基板中形成空穴注入层后的结构示意图。
S4:采用光解光线对可光解层进行照射,可光解层13光解使得空穴注入层14在与可光解层13对应的位置形成隔断15,具体包括:
采用光解光线对可光解层13对应位置进行照射,如图5a所示,图5a为显示基板中对可光解层对应位置进行照射的示意图。在一个实施例中,光解光线的波长大于400nm。光解光线可以包括脉冲激光或波长大于400nm的光波。脉冲激光的波长为500nm~560nm,通过合理控制脉冲激光的脉冲宽度、频率和能量(<3mJ),可以将激光损伤阈值控制在≤20mJ/cm2的范围内,从而,当脉冲激光照射可光解层时不会对其它膜层造成损伤。当光解光线为波长大于400nm的光波时,通过合理控制光波的照射能量,可以避免光波对其它膜层造成损伤。在光解光线对可光解层13对应位置照射过程中,由于光解光线的能量较低,光解光线不会对其它膜层造成烧蚀,不会影响OLED器件性能。
在一个实施例中,为了避免光解光线照射到可光解层之外的区域,可以在空穴注入层上设置遮挡,遮挡上具有与可光解层位置对应的镂空,光解光线通过镂空照射在可光解层对应位置上。
当采用光解光线对可光解层13对应位置照射时,可光解层13会吸收光解光线发生光解。可光解层13在光解过程中释放的冲击波会将覆盖在可光解层上的空穴注入层14推移开来,使得空穴注入层14在与可光解层对应的位置形成隔断15,如图5b所示,图5b为显示基板中可光解层光解后的结构示意图,可光解层光解后无残留。隔断15阻断了空穴注入层中载流子的横向传输,避免了像素间的串扰不良,提升了显示面板的显示品质。
为了使得可光解层13光解过程中释放的冲击波会将覆盖在可光解层上的空穴注入层14完全推移开来,如图3b所示,可光解层13的厚度d可以为50nm~200nm,这个厚度的可光解层13在光解过程中可以产生足够能量的冲击波,从而可以将覆盖在可光解层上的空穴注入层14完全推移开来。并且,这个厚度的可光解层13不会对后期形成的膜层造成影响。
为了避免隔断15形成在像素区域,如图3b所示,在相邻像素区域100之间,可光解层13的宽度w1小于像素界定层12的宽度w2。从而,形成的隔断15不会对像素区域产生影响,不会影响后续膜层的制备和性能。
在光解光线对可光解层13照射过程中,由于光解光线的能量较低,光解光线不会对其它膜层造成烧蚀,不会影响OLED器件性能。
在一个实施例中,该显示基板为OLED显示基板,在形成隔断15后,显示基板的制备方法还可以包括:在空穴注入层上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极,其中,有机发光层设置在OLED像素区域,空穴传输层、电子传输层、电子注入层和第二电极均为相互连接的一体结构。第二电极可以为OLED器件的阴极。
在一个实施例中,在形成隔断15后,在空穴注入层上形成第二电极,从而,可以避免可光解层光解过程对第二电极造成影响,保证了第二电极的性能。
容易理解的是,在其它实施例中,可以在形成空穴传输层之后,采用光解光线对可光解层进行照射以使得空穴注入层在与可光解层对应的位置形成隔断;或者,可以在形成有机发光层之后,采用光解光线对可光解层进行照射以使得空穴注入层在与可光解层对应的位置形成隔断;或者,可以在形成电子传输层或电子注入层之后,采用光解光线对可光解层进行照射以使得空穴注入层在与可光解层对应的位置形成隔断。
第二实施例:
基于前述实施例的发明构思,本发明第二实施例提出了一种显示基板,该显示基板采用上述实施例的制备方法制备而成,该显示基板,如图5b所示,包括基底10以及设置在基底10上用于界定出多个像素区域的像素界定层12。显示基板还包括设置在像素界定层12上的有空穴注入层14,空穴注入层14上设置有位于相邻像素区域之间的隔断15。
第三实施例:
基于前述实施例的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成用于界定出多个像素区域的像素界定层;
在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层;
在形成有所述可光解层的基底上形成空穴注入层;
采用光解光线对所述可光解层对应位置进行照射,所述可光解层光解使得所述空穴注入层在与所述可光解层对应位置形成隔断。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述可光解层的材质包括三氮烯类聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述可光解层的厚度d为50nm~200nm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在相邻像素区域之间,所述可光解层的宽度小于所述像素界定层的宽度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述像素界定层上形成位于相邻像素区域之间的可光解层,包括:
在形成有像素界定层的所述基底上涂覆可光解薄膜;
采用单色调掩膜板对所述可光解薄膜进行曝光,在所述可光解层位置形成未曝光区域,在其它位置形成完全曝光区域;
显影,完全曝光区域无可光解薄膜,未曝光区域的可光解薄膜保留而形成可光解层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,对所述可光解薄膜进行曝光的光线的波长小于400nm。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的方法,其特征在于,所述光解光线的波长大于400nm。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述光解光线包括脉冲激光或光波。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述脉冲激光的波长为500nm~550nm。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在形成有所述隔断的空穴注入层上形成电极层。
11.一种显示基板,其特征在于,包括基底以及设置在所述基底上用于界定出多个像素区域的像素界定层,所述显示基板还包括设置在所述像素界定层上且位于相邻像素区域之间的可光解层。
12.一种显示基板,其特征在于,采用权利要求1~10中任意一项所述方法制备而成。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的显示基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910556437.6A CN110148619B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
US17/058,858 US20210288255A1 (en) | 2019-06-25 | 2020-04-09 | Method for Manufacturing Display Substrate, Display Substrate and Display Device |
PCT/CN2020/083977 WO2020258984A1 (zh) | 2019-06-25 | 2020-04-09 | 显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910556437.6A CN110148619B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110148619A true CN110148619A (zh) | 2019-08-20 |
CN110148619B CN110148619B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=67596430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910556437.6A Active CN110148619B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210288255A1 (zh) |
CN (1) | CN110148619B (zh) |
WO (1) | WO2020258984A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111668272A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法 |
WO2020258984A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
CN113594219A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制备方法和显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1195024A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Asahi Glass Co Ltd | カラーフィルタ付き基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
JP2010003635A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
CN106967215A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-21 | 广东工业大学 | 一种新型可光解的三氮烯聚合物 |
CN107240599A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、oled显示面板及其制造方法 |
CN107731883A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
CN108598123A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN109346505A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01102567A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Denshi Ltd | 露光マスクの製造方法 |
US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
JP5787015B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-09-30 | 大日本印刷株式会社 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP6571585B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 |
CN106653805A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种避免混色的有机发光显示器件及其制造方法 |
CN106449726B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-04-26 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种oled显示装置及其制作方法 |
CN110148619B (zh) * | 2019-06-25 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
-
2019
- 2019-06-25 CN CN201910556437.6A patent/CN110148619B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-09 US US17/058,858 patent/US20210288255A1/en not_active Abandoned
- 2020-04-09 WO PCT/CN2020/083977 patent/WO2020258984A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1195024A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Asahi Glass Co Ltd | カラーフィルタ付き基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
JP2010003635A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
CN106967215A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-21 | 广东工业大学 | 一种新型可光解的三氮烯聚合物 |
CN107240599A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、oled显示面板及其制造方法 |
CN107731883A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
CN108598123A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN109346505A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020258984A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 |
CN111668272A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法 |
CN111668272B (zh) * | 2020-06-15 | 2023-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法 |
CN113594219A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110148619B (zh) | 2023-04-07 |
WO2020258984A1 (zh) | 2020-12-30 |
US20210288255A1 (en) | 2021-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110148619A (zh) | 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 | |
CN108172605B (zh) | 有机发光二极管基板及其制备方法、显示面板 | |
CN110783491B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN107689389B (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
JP6444586B2 (ja) | 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法 | |
US8530922B2 (en) | Organic EL device and method for manufacturing same | |
KR101296656B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법 | |
KR101997571B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2021523524A (ja) | 補助電極を提供するための方法および補助電極を含むデバイス | |
CN107369778B (zh) | 电致发光器件及其制作方法 | |
US7932113B1 (en) | Method of fabricating organic light emitting diode display | |
TW200403873A (en) | Organic electroluminescence panel and method for manufacturing thereof | |
CN109616587B (zh) | 显示基板及其制造方法和显示装置 | |
US11139457B2 (en) | OLED, method for fabricating the same, display device | |
US20130126845A1 (en) | Organic electroluminescence device | |
US20110285326A1 (en) | Display device substrate and manufacturing method therefor | |
CN112259694A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
CN110867526B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN110534552A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示面板及掩模板 | |
US11723261B2 (en) | Light-emitting component, manufacturing method therefor, mask, and display device | |
EP1628353A2 (en) | Organic electroluminescent device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
JP2009025453A (ja) | 表示パネル及びその製造方法 | |
KR20160056581A (ko) | 유기발광 소자 및 이의 제조방법 | |
TW201214835A (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
US9484538B2 (en) | Manufacturing method of organic semiconductor film, organic semiconductor film, thin film transistor, active matrix device, electro-optical device, and electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |