JP6444586B2 - 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 148
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 54
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 48
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007667 ZnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/805—Electrodes
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Description
本発明は、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法に関する。より詳細には、向上された光学的特性を有する有機発光表示装置及び向上された光学的特性を有する有機発光表示装置の製造方法に関する。
有機発光表示（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）装置は、陽極（ａｎｏｄｅ）と陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）からそれぞれ提供される正孔と電子が陽極と陰極との間に位置する有機発光層において結合することで生成される光を利用して画像、文字などの情報を現わすことができる表示装置をいう。このような有機発光表示装置は、広い視野角、速い応答速度、薄い厚さ、低消費電力などの色々な長所を有するので、有望な次世代ディスプレイ装置として脚光を浴びている。
従来の有機発光表示装置において、電極と有機発光層との間には、電荷の移動や注入効率を向上させるために、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、及び／または、電子輸送層のような電荷伝達層が配置されることができる。このような電荷伝達層は、電荷の移動効率を向上させるために比較的高い電気伝導性を有することができる。しかし、上記電荷伝達層をパターニング工程なしで全面コーティング方式により形成する場合、選択された画素領域の電荷伝達層に流入された電荷が選択されなかった画素領域の電荷伝達層に移動してクロストーク（ｃｒｏｓｓ ｔａｌｋ）現象が発生する問題点があり、これに伴い、有機発光表示装置のクロストーク現象を減少させるための研究が進行されてきた。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の一目的は、有機発光層の混色を防ぎ、電荷伝達層間のクロストークを防止できる有機発光表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、有機発光層の混色を防ぎ、電荷伝達層間のクロストークを防止できる有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
ただし、本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で多様に拡張されるべきである。
上述した本発明の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置は、基板、第１電極、画素定義膜、第１疎水性層、少なくとも一つの電荷伝達層、第２疎水性層、有機発光層、及び第２電極を含む。前記基板は、画素領域と前記画素領域を囲む周辺領域とを含む。前記第１電極は、前記基板の前記画素領域に配置される。前記画素定義膜は、前記基板の前記周辺領域に配置される。前記第１疎水性層は前記画素定義膜上に配置される。前記電荷伝達層は前記第１電極上に配置される。前記第２疎水性層は前記画素定義膜上で前記第１疎水性層をカバーする。前記有機発光層は前記電荷伝達層上に配置される。前記第２電極は前記有機発光層上に配置される。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、それぞれ約２０ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の表面エネルギを有する物質を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層は、前記電荷伝達層より低い電気伝導性を有してもよい。
例示的な実施形態において、前記画素定義膜は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの厚さを有してもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層は、正孔輸送層または正孔注入層を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層は、電子輸送層または電子注入層を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層の一部は前記画素定義膜と重なるように配置され、前記第２疎水性層は前記電荷伝達層の前記一部を覆ってもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜を全体的に覆ってもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜を部分的に覆ってもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、第１方向及び第２方向に延伸してもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層は、第１方向及び第２方向に延伸し、前記第２疎水性層は前記第１方向または前記第２方向に延伸してもよい。
また、上述した本発明の他の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、基板上に第１電極を形成する。前記基板上に前記第１電極に隣接する画素定義膜を形成する。前記画素定義膜上に第１疎水性層を形成する。前記第１電極上に少なくとも一つの電荷伝達層を形成する。前記画素定義膜上に第１疎水性層をカバーする第２疎水性層を形成する。前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する。前記有機発光層及び前記第２疎水性層上に第２電極を形成する。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層を形成する段階及び前記第２疎水性層を形成する段階は、それぞれオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、グラビアオフセット（ｇｒａｖｕｒｅ ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、グラビア反転オフセット（ｇｒａｖｕｒｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）プリンティング工程、ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）プリンティング工程、Ｔ−ｊｅｔ工程、スタンピング（ｓｔａｍｐｉｎｇ）工程、静電噴霧工程、または、レーザー熱転写（ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ）工程を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層を形成する段階は、スリット（ｓｌｉｔ）コーティング工程、バー（ｂａｒ）コーティング工程または、スピン（ｓｐｉｎ）コーティング工程を含み、前記電荷伝達層は、前記第１電極及び前記画素定義膜を全体的にカバーしてもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層は正孔輸送層または正孔注入層を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層は電子輸送層または電子注入層を含んでもよい。
例示的な実施形態において、前記基板は、第１方向及び第２方向に沿って連続的に配置された画素領域と前記画素領域を囲む周辺領域とを含んでもよく、前記第１電極は画素領域内に形成され、前記画素定義膜、第１疎水性層及び第２疎水性層は、周辺領域に形成されてもよい。
例示的な実施形態において、前記電荷伝達層の一部は、前記画素定義膜に重なるように形成されてもよく、前記第２疎水性層は前記電荷伝達層の前記一部を覆うように形成されてもよい。
例示的な実施形態において、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜を全体的に覆ってもよく、または、前記画素定義膜を部分的に覆ってもよい。
上述した本発明のさらなる他の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、基板上に第１電極を形成する。前記基板上に前記第１電極に隣接する画素定義膜を形成する。前記画素定義膜上に第１疎水性層を形成する。前記第１電極上に少なくとも一つの電荷伝達層を形成する。前記少なくとも一つの電荷伝達層上に有機発光層を形成する。前記有機発光層及び前記第１疎水性層上に第２電極を形成する。前記第１疎水性層は前記電荷伝達層より低い電気伝導性を有してもよい。
本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法においては、画素定義膜上に第１疎水性層を形成することができるので、以後、全面コーティング工程を通じてそれぞれの画素領域に対応する正孔注入層及び正孔輸送層を形成することができる。また、比較的大きい厚さを有する第２疎水性層を形成することができるので、有機発光層を構成する前記有機発光物質がそれぞれの画素領域を抜け出て混色されることを防止できる。
以下、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明は本明細書に記載された実施形態によって制限されるものではない。当該分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明を多様な他の形態で具現することができる。
本明細書において、特定の構造的ないし機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明する目的で例示されたものである。本発明の実施形態は多様な形態で実施されることができ、本明細書に説明された実施形態に限定されると解釈されるべきではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないし代替物を含むと理解されるべきである。ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及された場合には、その他の構成要素に直接的に連結されている、または、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含むと理解されるべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及された場合には、中間に他の構成要素が存在しないと理解されるべきである。構成要素の間の関係を説明する他の表現、即ち、「〜の間に」と「直接〜の間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同じように解釈されるべきである。
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なることがない限り、複数の表現を含む。本明細書で、「含む」、「備える」、または「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものの存在または、付加の可能性を、予め排除するわけではない。また、別に定義しない限り、技術的或いは科学的用語を含む本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的な辞書において定義される用語と同じ用語は、関連技術の文脈上有する意味と同一の意味を有するものと理解されるべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的或いは形式的な意味として解釈してはならない。
第１、第２、第３、第４等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、これらの構成要素はこのような用語によって限定されてはならない。これらの用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せずに第１構成要素を第２、第３、または第４構成要素などと命名することができ、同様に第２、第３、または第４構成要素も交互に命名することができる。
図１は本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置を説明するための平面図であり、図２は図１のＩ−ＩＩラインに沿って切断した断面図である。
図１及び図２を参照すると、例示的な実施形態に係る有機発光表示装置は、基板１００、第１電極１１０、画素定義膜１２０、第１疎水性層１３０、少なくとも一つの電荷伝達層、第２疎水性層１６０ａ、有機発光層１７０及び第２電極１８０を含むことができる。
基板１００は透明基板を含むことができる。例えば、基板１００は、ガラス基板、透明プラスチック基板、透明セラミック基板または、軟性を有する基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を含むことができる。
基板１００は第１方向と第２方向に沿って配列された複数の画素領域（Ｉ）及び画素領域（Ｉ）を囲む周辺領域（ＩＩ）を含むことができる。画素領域（Ｉ）は有機発光層１７０から光が発生する領域に該当し、周辺領域（ＩＩ）は画素領域（Ｉ）を分離する領域に該当することができる。
第１電極１１０は画素領域（Ｉ）内の基板１００上に配置できる。第１電極１１０は前記有機発光表示装置の発光方式に基づいて反射型電極または透過型電極に該当することができる。例示的な実施形態において、第１電極１１０が透過型電極の場合、第１電極１１０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウム錫酸化物（ＧＴＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、ガリウム酸化物（ＧａＯｘ）、錫酸化物（ＳｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）または、これらの合金を含んでもよい。他の例示的な実施形態において、第１電極１１０が反射型電極の場合には、第１電極１１０は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）または、これらの合金を含んでもよい。
図示はしていないが、前記有機発光表示装置が能動型駆動方式を有する場合、基板１００と第１電極１１０との間にスイッチング構造物を配置できる。例えば、前記スイッチング構造物はトランジスタのようなスイッチング素子及び複数の絶縁層を含むことができる。この場合、第１電極１１０は前記スイッチング構造物に電気的に連結することができる。
画素定義膜１２０は周辺領域（ＩＩ）内の基板１００上に配置されてもよい。そこで、画素定義膜１２０は第１電極１１０に隣接するように配置されてもよく、第１電極１１０と部分的に重なってもよい。ただし、画素領域（Ｉ）に配置された第１電極１１０は画素定義膜１２０と重ならなくてもよい。例示的な実施形態において、画素定義膜１２０は、図１に示したように基板１００上で、前記第１方向及び前記第２方向に沿って延伸されてもよい。例えば、画素定義膜１２０は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍ程度の厚さを有してもよい。
画素定義膜１２０の側壁は、基板１００の表面と一定の角度を有してもよい。例えば、画素定義膜１２０の側壁は、基板１００の表面と約４５°以下の角度を成してもよい。
第１疎水性層１３０は周辺領域（ＩＩ）内の画素定義膜１２０上に位置してもよい。第１疎水性層１３０は画素定義膜１２０上で前記第１方向及び前記第２方向に沿って延伸してもよい。この時、第１疎水性層１３０は第１電極１１０と重ならなくてもよい。例示的な実施形態において、第１疎水性層１３０は画素定義膜１２０を部分的に覆ってもよい。他の例示的な実施形態によれば、第１疎水性層１３０は画素定義膜１２０を全体的にカバーしてもよい。
例示的な実施形態において、第１疎水性層１３０は相対的に電気伝導性が低くて疎水性である物質を含むことができる。例えば、第１疎水性層１３０は、約３０ｎｍ〜約３，０００ｎｍ程度の厚さを有することができる。
正孔注入層１４０は、第１電極１１０及び画素定義膜１２０上に配置されてもよい。正孔注入層１４０は、第１電極１１０から有機発光層１７０への正孔の注入を円滑にする役割を遂行することができる。例えば、正孔注入層１４０は、ＣｕＰｃ（ｃｕｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ（３，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＡＮＩ（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）などを含むことができる。
正孔輸送層１５０は、正孔注入層１４０または第１電極１１０上に配置されてもよい。正孔輸送層１５０は第１電極１１０からの正孔の輸送を円滑にする役割を遂行することができる。例えば、正孔輸送層１５０は、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ−（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ−（ｐｈｅｎｙｌ）−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ｓ−ＴＡＤ、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−Ｔｒｉｓ（Ｎ−３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などを含むことができる。
例示的な実施形態において、正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０は、相対的に低い表面エネルギを有する第１疎水性層１３０と重ならないように配置されてもよい。例えば、一つの画素領域（Ｉ）に配置された正孔注入層１４０は、他の画素領域（Ｉ）に配置された正孔注入層１４０と電気的に分離されてもよい。
第２疎水性層１６０ａは、周辺領域（ＩＩ）内の画素定義膜１２０、第１疎水性層１３０、及び／または、正孔輸送層１５０上に位置してもよい。この時、第２疎水性層１６０ａは、第１電極１１０と重ならなくてもよい。例示的な実施形態において、第２疎水性層１６０ａは、画素定義膜１２０を部分的にカバーしてもよい。他の例示的な実施形態によると、第２疎水性層１６０ａは画素定義膜１２０を全体的に覆ってもよい。
例示的な実施形態において、第２疎水性層１６０ａは、図９に示したように前記第１方向及び前記第２方向に沿って延伸し格子構造を成すことができる。他の例示的な実施形態によれば、第２疎水性層１６０ｂは、図１０に示したように前記第２方向に沿って延伸してもよい。
第２疎水性層１６０ａは、約２０ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の表面エネルギを有する疎水性物質を含むことができる。例えば、第２疎水性層１６０ａは約５００ｎｍ〜約３μｍ程度の厚さを有してもよい。
有機発光層１７０は、正孔輸送層１５０の表面、画素定義膜１２０の表面及び第２疎水性層１６０ａの側壁上に配置されてもよい。第２疎水性層１６０ａの側壁上に位置する有機発光層１７０は、実質的に不均一な厚さを有してもよい。反面、第１疎水性層１３０及び第２疎水性層１６０ａは、画素領域（Ｉ）の第１電極１１０と重ならないように配置されるので、画素領域（Ｉ）内で正孔輸送層１５０上に配置される有機発光層１７０は実質的に均一な厚さを有してもよい。すなわち、有機発光層１７０が画素領域（Ｉ）内で実質的に均一な厚さを有するので有機発光層１７０から実質的に均一な強度を有する光が放出されることができる。
有機発光層１７０は、それぞれ赤色、緑色、または、青色の光を放出する発光層を含むか、或いは、赤色、緑色または、青色の光を放出する発光層が積層された多層構造を有することができる。例えば、画素領域（Ｉ）内に赤色、緑色及び青色の光を放出する複数の有機発光層１７０がそれぞれ配置されてもよい。
第２電極１８０は画素領域（Ｉ）及び周辺領域（ＩＩ）で有機発光層１７０及び第２疎水性層１６０ａを全体的に覆ってもよい。第２電極１８０は、第１電極１１０の種類によって透過型電極または反射型電極に該当することができる。例示的な実施形態において、第１電極１１０が透過型電極の場合、第２電極１８０は反射型電極であってもよい。この時、第２電極１８０は、アルミニウム、銀、金、白金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウムまたは、これらの合金を含んでもよい。他の例示的な実施形態において、第１電極１１０が反射型電極の場合には第２電極１８０は透過型電極であってもよい。そこで、第２電極１８０はインジウム亜鉛酸化物、インジウム錫酸化物、ガリウム錫酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、錫酸化物、インジウム酸化物または、これらの合金を含んでもよい。
図１において、第１電極１１０は陽極の役割を遂行し、第１電極１１０と有機発光層１７０との間に正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０が配置されていることが示されているが、本発明がこれによって制限されるのではない。例えば、第１電極１１０は陰極として役割を遂行することもでき、この場合には第１電極１１０と有機発光層１７０との間に電子注入層及び電子輸送層が配置されてもよい。
例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法においては、画素定義膜１２０上に相対的に低い電気伝導性を有する第１疎水性層１３０が配置されることができるので、全面コーティング工程を通じて形成された正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０がそれぞれの画素領域（Ｉ）で互いに電気的に分離されることができる。これによって、選択された画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に流入された正孔が選択されていない画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に移動して発生するクロストーク（ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）現象を防止できる。また、比較的大きい厚さを有する第２疎水性層１６０ａが配置されることができるので、有機発光層１７０を構成する前記有機発光物質がそれぞれの画素領域（Ｉ）を抜け出て混色されることを防止できる。
図３は本発明の他の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置を説明するための断面図である。
前記有機発光表示装置は、基板１００、第１電極１１０、画素定義膜１２０、第１疎水性層１３０、正孔注入層１４０、有機発光層１７０及び第２電極１８０を含むことができる。前記有機発光表示装置は、正孔輸送層１５０及び第２疎水性層１６０ａを除けば、図１及び図２を参照して説明した有機発光表示装置と実質的に同一または実質的に類似する構成を有することができる。従って、重複する要素に対しては詳細な説明を省略する。
図３を参照すると、基板１００の画素領域（Ｉ）には第１電極１１０が配置されてもよく、周辺領域（ＩＩ）には画素定義膜１２０が位置されてもよい。
第１疎水性層１３０は画素定義膜１２０を全体的に、または、部分的にカバーするように配置されてもよい。第１疎水性層１３０は相対的に電気伝導性が低く疎水性である物質を含むことができる。例えば、第１疎水性層１３０は、約３０ｎｍ〜約３，０００ｎｍの厚さを有するように形成されてもよい。
正孔注入層１４０は第１電極１１０及び画素定義膜１２０上に配置されてもよく、有機発光層１７０は正孔注入層１４０上に配置されてもよい。図示はしていないが、正孔注入層１４０と有機発光層１７０との間に正孔輸送層が追加的に配置されてもよい。正孔注入層１４０及び有機発光層１７０のそれぞれは、図２を参照して説明した正孔注入層１４０及び有機発光層１７０と実質的に同一または実質的に類似の物質を含むことができる。
第２電極１８０は画素領域（Ｉ）及び周辺領域（ＩＩ）において、有機発光層１７０、第１疎水性層１３０及び画素定義膜１２０を全体的に覆ってもよい。
例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、画素定義膜１２０上に比較的低い電気伝導性を有する第１疎水性層１３０が配置されることができるので、全面コーティング工程を通じて形成された正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０がそれぞれの画素領域（Ｉ）において互いに電気的に分離されることができる。これによって、選択された画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に流入された正孔が選択されていない画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に移動して発生するクロストーク現象を防止することができる。
図４〜図１２は、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。
図４〜図８及び図１１〜図１２は前記有機発光表示装置の製造方法に関する実施形態を説明するための断面図であり、図９及び図１０は前記有機発光表示装置の製造方法に対する相異なる実施形態を説明するための平面図である。
図４を参照すると、基板１００上に第１電極１１０を形成することができる。
基板１００は透明基板を含むことができる。例えば、基板１００は、ガラス基板、透明プラスチック基板、透明セラミック基板などを含んでもよい。他の例示的な実施形態において、基板１００は軟性を有する基板からなることもできる。基板１００は第１方向及び第２方向に沿って配列された画素領域（Ｉ）と画素領域（Ｉ）を囲む周辺領域（ＩＩ）を含んでもよい。
基板１００上に第１電極１１０が形成されてもよい。例示的な実施形態において、第１電極１１０は基板１００上に導電膜を形成した後、前記導電膜をパターニングし形成してもよい。これによって、第１電極１１０は画素領域（Ｉ）に対応する位置に形成してもよい。
第１電極１１０は前記有機発光表示装置の発光方式によって、反射型電極または透過型電極であってもよい。例示的な実施形態において、前記有機発光表示装置が背面発光方式を有する場合、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫酸化物、ガリウム錫酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、錫酸化物、インジウム酸化物または、これらの合金を含む導電膜を形成した後に、前記導電膜をパターニングして第１電極１１０を形成することができる。他の例示的な実施形態において、前記有機発光表示装置が前面発光方式を有する場合、アルミニウム、銀、金、白金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウムまたは、これらの合金を含む導電膜を形成した後に、前記導電膜をパターニングして第１電極１１０を形成してもよい。
図示はしていないが、前記有機発光表示装置が能動型駆動方式を有する場合には、基板１００と第１電極１１０との間にスイッチング構造物が追加的に形成されてもよい。
図５を参照すると、基板１００上に画素定義膜１２０を形成してもよい。画素定義膜１２０は基板１００の周辺領域（ＩＩ）に形成してもよい。この場合、画素定義膜１２０は第１電極１１０に隣接するように形成してもよく、第１電極１１０と部分的に重なってもよい。例示的な実施形態において、画素定義膜１２０は基板１００上で前記第１方向及び前記第２方向に沿って延伸してもよい。例えば、画素定義膜１２０は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍ程度の相対的に薄い厚さを有するように形成してもよい。
画素定義膜１２０の側壁は基板１００の表面に対して所定の角度を有してもよい。例えば、画素定義膜１２０の側壁は基板１００の表面と約４５°以下の角度を有してもよい。
図６を参照すると、画素定義膜１２０上に第１疎水性層１３０を形成してもよい。第１疎水性層１３０はオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、グラビアオフセット（ｇｒａｖｕｒｅ ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、グラビア反転オフセット（ｇｒａｖｕｒｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｏｆｆｓｅｔ）プリンティング工程、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）プリンティング工程、ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）プリンティング工程、Ｔ−ｊｅｔ工程、スタンピング（ｓｔａｍｐｉｎｇ）工程、静電噴霧工程または、レーザー熱転写（ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ）工程を通じて画素定義膜１２０上に形成されてもよい。
第１疎水性層１３０は相対的に電気伝導性が低くて疎水性を有する物質を使って形成されてもよい。例えば、第１疎水性層１３０は後続して形成される電荷伝達層より低い電気伝導性を有することができ、約２０ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の表面エネルギを有してもよい。また、第１疎水性層１３０は約３０ｎｍ〜約３，０００ｎｍの厚さを有するように形成されてもよい。
例示的な実施形態によれば、第１疎水性層１３０は画素定義膜１２０を部分的にカバーしてもよく、または、第１疎水性層１３０が画素定義膜１２０を全体的に覆ってもよい。この場合、第１疎水性層１３０は第１電極１１０と重ならなくてもよい。
図７を参照すると、第１電極１１０上に少なくとも一つの電荷伝達層を形成することができる。前記電荷伝達層は正孔注入層１４０、及び／または、正孔輸送層１５０を含んでもよい。正孔注入層１４０は、スリット（ｓｌｉｔ）コーティング工程、バー（ｂａｒ）コーティング工程、または、スピン（ｓｐｉｎ）コーティング工程を通じて、第１電極１１０及び画素定義膜１２０上に全体的に形成されてもよい。一方、正孔輸送層１５０はスリット（ｓｌｉｔ）コーティング工程、バー（ｂａｒ）コーティング工程、または、スピン（ｓｐｉｎ）コーティング工程を通じて正孔注入層１４０上に全体的に形成されることができる。
例示的な実施形態に係る正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０を形成するコーティング工程において、コーティング液を第１電極１１０及び画素定義膜１２０が形成された基板１００上に全体的に塗布することができる。画素定義膜１２０は約４００ｎｍ以下の比較的薄い厚さを有していて、画素定義膜１２０の側壁は基板１００の表面と約４５°以下の比較的低い角度を成すことができるので、前記コーティング液は第１電極１１０及び画素定義膜１２０上に均一な厚さで塗布することができる。ただし、相対的に低い表面エネルギを有する第１疎水性層１３０上にはコーティング液が塗布されないこともある。これによって、別途のパターニング工程なしで、それぞれの画素領域（Ｉ）に対応する正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０を形成してもよい。また、第１疎水性層１３０は正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０より低い電気伝導性を有することができるので、選択された画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に流入した正孔が選択されていない画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０に移動して発生するクロストーク現象を防止することができる。
図８を参照すると、画素定義膜１２０上に第１疎水性層１３０を覆う第２疎水性層１６０ａを形成してもよい。第２疎水性層１６０ａは、第１疎水性層１３０を形成する工程と実質的に同一または類似の工程を通じて形成することができる。
例示的な実施形態によると、第２疎水性層１６０ａは疎水性を有する物質を利用して形成してもよく、約２０ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の表面エネルギを有してもよい。例えば、第２疎水性層１６０ａは、約５００ｎｍ〜約３μｍ程度の厚さを有するように形成されてもよい。
例示的な実施形態によると、第２疎水性層１６０ａが画素定義膜１２０を部分的に覆ってもよく、または、第２疎水性層１６０ａが画素定義膜１２０を全体的にカバーしてもよい。この時、第２疎水性層１６０ａは第１電極１１０と実質的に重ならなくてもよい。
例示的な実施形態において、第２疎水性層１６０ａは、図９に示したように前記第１方向及び前記第２方向に沿って延伸して格子構造を有してもよい。他の例示的な実施形態によると、第２疎水性層１６０ｂは、図１０に示したように前記第２方向に沿って延伸してもよい。
図１１を参照すると、正孔輸送層１５０上に有機発光層１７０を形成してもよい。有機発光層１７０は、液状パターニング工程を通じて、正孔輸送層１５０の表面、画素定義膜１２０の表面及び第２疎水性層１６０ａの側壁上に形成されてもよい。例えば、前記液状パターニング工程は、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）プリンティング工程、ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）プリンティング工程、Ｔ−ｊｅｔ工程、または、静電噴霧工程を含んでもよい。この時、第２疎水性層１６０ａの側壁上に形成された有機発光層１７０は、実質的に不均一な厚さを有してもよい。反面、第１疎水性層１３０及び第２疎水性層１６０ａは、画素領域（Ｉ）の第１電極１１０と重ならないように配置されたので、画素領域（Ｉ）内で正孔輸送層１５０上に形成された有機発光層１７０は実質的に均一な厚さを有することができる。有機発光層１７０が画素領域（Ｉ）内で実質的に均一な厚さを有する場合には有機発光層１７０から実質的に均一な強度を有する光が放出されてもよい。
有機発光層１７０は、赤色、緑色、または青色の光をそれぞれ放出する発光層、或いは、前記赤色、緑色、または青色の光を放出する発光層が積層された多層構造を有してもよい。例えば、それぞれの画素領域（Ｉ）内に赤色、緑色及び青色の光を放出する有機発光層１７０をそれぞれ形成することができる。有機発光層１７０は図１及び図２を参照して説明した物質と実質的に同一または類似の物質を使って形成してもよい。
例示的な実施形態において、それぞれの画素領域（Ｉ）は相対的に大きい厚さを有する第２疎水性層１６０ａによって分離されているので、前記液状パターニング工程で有機発光物質がそれぞれの画素領域（Ｉ）を抜け出で混色されることを防止することができる。
他の例示的な実施形態によれば、前記第２方向に沿って同じ色の光を放出する画素領域（Ｉ）に配置されるＲ・Ｇ・Ｂタイプの有機発光構造物の場合、図１０に示したように、前記第２方向に沿って延伸した第２疎水性層１６０ｂによって有機発光物質が混色されることを防止することができる。
図１２を参照すると、有機発光層１７０及び第２疎水性層１６０ａ上に第２電極１８０を形成してもよい。第２電極１８０は画素領域（Ｉ）及び周辺領域（ＩＩ）を全体的に覆うように形成してもよい。第２電極１８０は第１電極１１０の種類によって透過型電極または、反射型電極であってもよい。例示的な実施形態により第１電極１１０が透過型電極の場合、第２電極１８０は反射型電極に該当してもよく、アルミニウム、銀、金、白金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウムまたは、これらの合金を使って形成してもよい。他の例示的な実施形態により第１電極１１０が反射型電極の場合、第２電極１８０は、透過型電極に該当してもよく、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫酸化物、ガリウム錫酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、錫酸化物、インジウム酸化物または、これらの合金を使って形成してもよい。
図４〜図１２においては、第１電極１１０は陽極として機能し、第１電極１１０と有機発光層１７０との間に正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０を形成することと示されているが、本発明はこれによって制限されるものではない。例えば、第１電極１１０は陰極の役割を遂行でき、第１電極１１０と有機発光層１７０との間に電子注入層及び電子輸送層が形成されてもよい。
例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、画素定義膜１２０上に第１疎水性層１３０を形成することができるので、以後、全面コーティング工程を通じてそれぞれの画素領域（Ｉ）に対応する正孔注入層１４０及び正孔輸送層１５０を形成してもよい。また、相対的に大きい厚さを有する第２疎水性層１６０ａを形成することができるので、有機発光層１７０を構成する前記有機発光物質がそれぞれの画素領域（Ｉ）を抜け出て混色されることを防止することができる。
図１３〜図１５は本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１３を参照すると、基板１００上に第１電極１１０、画素定義膜１２０、第１疎水性層１３０及び正孔注入層１４０を形成することができる。そこで、第１電極１１０、画素定義膜１２０及び第１疎水性層１３０を形成する工程は、図４〜図６を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似しているのでこれらに対する詳細な説明は省略する。
正孔注入層１４０は、スリット（ｓｌｉｔ）コーティング工程、バー（ｂａｒ）コーティング工程または、スピン（ｓｐｉｎ）コーティング工程を通じて第１電極１１０及び画素定義膜１２０上に全体的に形成されてもよい。この時、相対的に低い表面エネルギを有する第１疎水性層１３０上には正孔注入層１４０が形成されなくてもよい。また、第１疎水性層１３０は、正孔注入層１４０より低い電気伝導性を有してもよいので、選択された画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０に流入した正孔が選択されていない画素領域（Ｉ）の正孔注入層１４０に移動して発生するクロストーク現象を防止することができる。
図１４を参照すると、正孔注入層１４０上に有機発光層１７０を形成することができる。有機発光層１７０はインクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、Ｔ−ｊｅｔ工程または、静電噴霧工程のような液状パターニング工程を通じて、正孔輸送層１５０の表面、画素定義膜１２０の表面、及び第２疎水性層１６０ａの側壁上に形成されてもよい。
例示的な実施形態によると、それぞれの画素領域（Ｉ）は疎水性を有する第１疎水性層１３０によって分離されているので、前記液状パターニング工程で有機発光物質がそれぞれの画素領域（Ｉ）を抜け出て混色されることを防止することができる。
図１５を参照すると、有機発光層１７０及び第１疎水性層１３０上に第２電極１８０を形成してもよい。第２電極１８０は画素領域（Ｉ）及び周辺領域（ＩＩ）を全体的にカバーするように形成されてもよい。第２電極１８０を形成する工程は、図１２を参照して説明した工程と実質的に同一または実質的に類似してもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと理解される。
本発明の例示的な実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法において、画素定義膜上に第１疎水性層を形成できるので、以後、全面コーティング工程を通じてそれぞれの画素領域に対応する正孔注入層及び正孔輸送層を形成してもよい。また、比較的大きい厚さを有する第２疎水性層を形成できるので、有機発光層を構成する前記有機発光物質がそれぞれの画素領域を抜け出て混色されることを防止できる。このような有機発光表示装置は、背面発光方式、前面発光方式、両面発光方式など、多様な発光方式を有するテレビ、モニタ、移動通信機器、ＭＰ３、携帯用ディスプレイ機器などの色々な電気及び電子装置に適用できる。
１００ 基板
１１０ 第１電極
１２０ 画素定義膜
１３０ 第１疎水性層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
１６０ａ、１６０ｂ 第２疎水性層
１７０ 有機発光層
１８０ 第２電極
１１０ 第１電極
１２０ 画素定義膜
１３０ 第１疎水性層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
１６０ａ、１６０ｂ 第２疎水性層
１７０ 有機発光層
１８０ 第２電極
Claims (20)
- 画素領域と前記画素領域を囲む周辺領域とを含む基板と、
前記基板の前記画素領域に配置される第１電極と、
前記基板の前記周辺領域に配置される画素定義膜と、
前記画素定義膜上に配置される第１疎水性層と、
前記第１電極上に配置される少なくとも一つの電荷伝達層と、
前記画素定義膜上で前記第１疎水性層をカバーする第２疎水性層と、
前記電荷伝達層上に配置される有機発光層と、
前記有機発光層上に配置される第２電極と、を含み、
前記第２疎水性層は前記電荷伝達層の少なくとも一部を覆う
ことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、それぞれ２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下の表面エネルギを有する物質を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層は、前記電荷伝達層より低い電気伝導性を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記画素定義膜は、１００ｎｍ〜４００ｎｍの厚さを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記電荷伝達層は、正孔輸送層または正孔注入層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記電荷伝達層は、電子輸送層または電子注入層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記電荷伝達層の前記少なくとも一部は、前記画素定義膜と重なるように配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜を完全に覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜の少なくとも一部を覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、第１方向及び第２方向に延伸する
ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１疎水性層は、第１方向及び第２方向に延伸し、前記第２疎水性層は、前記第１方向または前記第２方向に延伸する
ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。 - 基板上に第１電極を形成する段階と、
前記基板上に前記第１電極に隣接する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜上に第１疎水性層を形成する段階と、
前記第１電極上に少なくとも一つの電荷伝達層を形成する段階と、
前記画素定義膜上に第１疎水性層をカバーする第２疎水性層を形成する段階と、
前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する段階と、 前記有機発光層及び前記第２疎水性層上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記第２疎水性層は、前記電荷伝達層の少なくとも一部を覆うように形成される
ことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第１疎水性層を形成する段階及び前記第２疎水性層を形成する段階は、それぞれオフセットプリンティング工程、グラビアオフセットプリンティング工程、グラビア反転オフセットプリンティング工程、インクジェットプリンティング工程、ノズルプリンティング工程、Ｔ−ｊｅｔ工程、スタンピング工程、静電噴霧工程またはレーザー熱転写工程を含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記電荷伝達層を形成する段階は、スリットコーティング工程、バーコーティング工程、または、スピンコーティング工程を含み、前記電荷伝達層は、前記第１電極及び前記画素定義膜を全体的にカバーする
ことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記電荷伝達層は、正孔輸送層または正孔注入層を含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記電荷伝達層は、電子輸送層または電子注入層を含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記基板は、第１方向及び第２方向に沿って連続的に配置された画素領域と前記画素領域を囲む周辺領域とを含み、
前記第１電極は前記画素領域内に形成され、前記画素定義膜、前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記周辺領域に形成される
ことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記電荷伝達層の前記少なくとも一部は、前記画素定義膜に重なるように形成される
ことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第１疎水性層及び前記第２疎水性層は、前記画素定義膜を完全に覆うか、または、前記画素定義膜の少なくとも一部を覆う
ことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 基板上に第１電極を形成する段階と、
前記基板上に前記第１電極に隣接する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜上に第１疎水性層を形成する段階と、
前記第１電極上に少なくとも一つの電荷伝達層を形成する段階と、
前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層及び前記第１疎水性層上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記第１疎水性層は、前記電荷伝達層より低い電気伝導性を有し、
前記第１疎水性層は、第１方向及び第２方向に延伸され、
前記第１疎水性層及び前記電荷伝達層は、前記画素定義膜の少なくとも一部を覆い、且つ前記画素定義膜上で前記第１疎水性層と前記電荷伝達層とが平面視上で互いに物理的に接する、
ことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0108682 | 2012-09-28 | ||
| KR1020120108682A KR101941178B1 (ko) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014072186A JP2014072186A (ja) | 2014-04-21 |
| JP6444586B2 true JP6444586B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=50384316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013121546A Active JP6444586B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-06-10 | 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20140091285A1 (ja) |
| JP (1) | JP6444586B2 (ja) |
| KR (1) | KR101941178B1 (ja) |
| CN (1) | CN103715221B (ja) |
| TW (1) | TWI599085B (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9614191B2 (en) * | 2013-01-17 | 2017-04-04 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods |
| JP2016103395A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN104659287B (zh) * | 2015-03-12 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
| KR102457536B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2022-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR102326301B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2021-11-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2017054723A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 住友化学株式会社 | バンク付き基板 |
| CN105355644B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-05-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素单元及其制作方法、显示装置 |
| CN112117318A (zh) * | 2016-07-29 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制作方法、oled显示面板 |
| CN107978618B (zh) * | 2016-10-24 | 2020-10-30 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
| CN106328825B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-01-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN106409877B (zh) | 2016-11-21 | 2019-06-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
| CN106654070A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled器件及其制作方法 |
| CN106920828B (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
| CN107123751B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-04-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 |
| CN110603642B (zh) * | 2017-05-17 | 2022-07-22 | 苹果公司 | 具有减少的侧向泄漏的有机发光二极管显示器 |
| CN107240599A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、oled显示面板及其制造方法 |
| CN107369702B (zh) * | 2017-08-16 | 2020-03-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
| CN107742676B (zh) * | 2017-09-12 | 2019-04-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| KR102431686B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-08-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| WO2019130400A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-04 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN108400153B (zh) * | 2018-04-03 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110164909B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN108598123A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
| CN108630734B (zh) * | 2018-05-11 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置 |
| CN109616586A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-04-12 | 华南理工大学 | 一种高分辨率oled显示屏的制备方法 |
| US11730017B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| KR20200135682A (ko) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN111312766B (zh) * | 2020-02-21 | 2022-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN111739920B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及制备方法、显示设备 |
| CN111969116B (zh) * | 2020-07-31 | 2022-09-06 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| US11910654B1 (en) | 2020-08-18 | 2024-02-20 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with active leakage-reducing structures |
| WO2022085097A1 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| CN112864338A (zh) | 2021-01-12 | 2021-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示设备及制作方法 |
| CN114725179B (zh) * | 2022-04-25 | 2024-03-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
| CN115666173A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-01-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100834344B1 (ko) | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100426680B1 (ko) | 2002-02-26 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 잉크젯 프린팅 방식 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR20050051683A (ko) | 2002-10-07 | 2005-06-01 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 발광 디스플레이 제조 방법 |
| KR20050087115A (ko) | 2004-02-25 | 2005-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4175273B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2008-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 積層型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び表示装置 |
| US8018152B2 (en) * | 2004-05-20 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including intermediate conductive layer having a hole-injection layer with an island-like structure |
| KR100699998B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP4752341B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| GB2432256B (en) * | 2005-11-14 | 2009-12-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectrical device |
| JPWO2007069593A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタ用隔壁の製造方法、カラーフィルタ用隔壁付基板、表示素子用カラーフィルタ、及び表示装置 |
| KR100671643B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2007242592A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器 |
| KR100959466B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-05-25 | 파나소닉 주식회사 | 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 |
| JP4975064B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| WO2011024331A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
| JP2011096376A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Seiko Epson Corp | 光学装置、その製造方法、および電子機器 |
| JP5343815B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| KR101213491B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 |
| KR101097319B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101084191B1 (ko) * | 2010-02-16 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20110101771A (ko) * | 2010-03-09 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| JP2011204524A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| KR101255537B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2013-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP5982146B2 (ja) | 2011-06-16 | 2016-08-31 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法 |
| KR101803724B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2017-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 구조물, 유기 발광 구조물의 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 제조 방법 |
-
2012
- 2012-09-28 KR KR1020120108682A patent/KR101941178B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-06-10 JP JP2013121546A patent/JP6444586B2/ja active Active
- 2013-06-17 US US13/919,343 patent/US20140091285A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-05 CN CN201310282070.6A patent/CN103715221B/zh active Active
- 2013-07-19 TW TW102125848A patent/TWI599085B/zh active
-
2015
- 2015-06-29 US US14/754,654 patent/US9818811B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9818811B2 (en) | 2017-11-14 |
| CN103715221A (zh) | 2014-04-09 |
| JP2014072186A (ja) | 2014-04-21 |
| KR101941178B1 (ko) | 2019-01-23 |
| CN103715221B (zh) | 2018-09-28 |
| US20140091285A1 (en) | 2014-04-03 |
| KR20140042223A (ko) | 2014-04-07 |
| TWI599085B (zh) | 2017-09-11 |
| US20150303243A1 (en) | 2015-10-22 |
| TW201414039A (zh) | 2014-04-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161130 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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