WO2019130400A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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WO2019130400A1
WO2019130400A1 PCT/JP2017/046470 JP2017046470W WO2019130400A1 WO 2019130400 A1 WO2019130400 A1 WO 2019130400A1 JP 2017046470 W JP2017046470 W JP 2017046470W WO 2019130400 A1 WO2019130400 A1 WO 2019130400A1
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WO
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organic
bank
pixels
display device
banks
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/046470
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English (en)
French (fr)
Inventor
幸也 西岡
克彦 岸本
Original Assignee
堺ディスプレイプロダクト株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2018527258A priority patent/JP6378856B1/ja
Priority to US16/076,143 priority patent/US10636845B2/en
Publication of WO2019130400A1 publication Critical patent/WO2019130400A1/ja
Priority to US16/823,277 priority patent/US11094747B2/en

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device.
  • the organic EL display device has at least one organic light emitting diode (OLED) per pixel and at least one thin film transistor (TFT) that controls the current supplied to each OLED.
  • OLED organic light emitting diode
  • TFT thin film transistor
  • Each pixel is defined by a grid-like structure (referred to as a “bank” or “partition”) formed of an insulating material.
  • the bank is provided on a planarizing film formed to cover a circuit including TFTs (referred to as a “drive circuit” or a “backplane circuit”) (see, for example, Patent Document 1).
  • the organic EL element of each pixel is composed of an anode connected to a drive circuit, an organic EL layer provided on the anode, and a cathode provided on the organic EL layer.
  • the organic EL layer has a laminated structure including a plurality of layers formed of an organic semiconductor material.
  • the laminated structure includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the anode side.
  • the organic EL layers of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel each include a light emitting layer that emits red light, a light emitting layer that emits green light, and a light emitting layer that emits blue light.
  • the organic EL layer is formed on the anode located in the area (area to be a pixel) surrounded by the bank using a vacuum evaporation method or a printing method. That is, the method of forming the organic EL layer is roughly classified into the “vapor deposition method” and the “printing method”.
  • the organic EL display device As the definition of the organic EL display device is advanced, the occurrence of color mixture among red, green and blue is becoming remarkable. When color mixing occurs, the color purity of the displayed image is lowered to form a so-called sleepy image, and the display quality is significantly reduced.
  • the cause of color mixture generation is that when the light emitting layer of each color is formed in the corresponding pixel in the manufacturing process of the organic EL display device, the light emitting layer material of the adjacent pixel is mixed and the single color purity of red, green and blue is It is about to decline. Such problems can occur in both printing and deposition systems.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device capable of displaying an image with high color purity while suppressing the occurrence of color mixing.
  • An organic EL display device is an organic EL display device having a plurality of pixels including a red pixel, a green pixel and a blue pixel, the substrate being supported by the substrate, each of the plurality of pixels A plurality of organic EL elements provided in each of the plurality of first portions, and a substantially grid-like first bank defining the plurality of pixels, the plurality of first portions extending in the first direction intersecting the first direction A first bank including a plurality of second portions extending in a second direction, and an intersection of the plurality of first portions of the first bank and the plurality of second portions provided on top of the first bank And a plurality of second banks not formed in the portion, the plurality of second banks having higher liquid repellency than the first bank.
  • the first bank includes a side surface having a tapered shape, and the plurality of second banks do not cover the side surface of the first bank.
  • the plurality of second banks are colored.
  • the first bank is formed of a non-fluorinated non-silicone resin.
  • the first bank is formed of a photosensitive acrylic resin, polyamide or polyimide.
  • the plurality of second banks are formed of a negative photosensitive acrylic resin or polyamide.
  • the plurality of second banks include a liquid repellent material, or the surface is subjected to a liquid repellent treatment.
  • the plurality of second banks include two pixels adjacent to each other among the plurality of pixels and located between two pixels of different colors.
  • the plurality of pixels are arranged to include two pixels adjacent to each other and include two pixels of the same color, and the plurality of second banks have the same color as each other. It includes a second bank located between two pixels.
  • the plurality of pixels are arranged to include two pixels adjacent to each other and include two pixels of the same color, and the plurality of second banks have the same color as each other. It does not include the second bank located between two pixels.
  • each of the plurality of organic EL elements includes a first electrode, an organic EL layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic EL layer,
  • the organic EL layer includes a plurality of stacked printing films.
  • each of the plurality of organic EL elements includes a first electrode, an organic EL layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic EL layer,
  • the organic EL layer includes a plurality of stacked vapor deposition films.
  • an organic EL display device capable of performing image display with high color purity while suppressing the occurrence of color mixing.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the organic EL display device 100, and shows a cross section taken along line 2A-2A 'in FIG.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a first bank 21 and a second bank 22 of the organic EL display device 100.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a first bank 21 and a second bank 22 of the organic EL display device 100.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a first bank 21 and a second bank 22 of the organic EL display device 100.
  • FIGS. 1 and (b) are cross-sectional views schematically showing an LTPS-TFT 7 and an In—Ga—Zn—O-based TFT 8 used in the drive circuit 2 of the organic EL display device 100. It is a figure which shows the other example (pen tile arrangement
  • FIG. 1 is a diagram showing a pixel array of the organic EL display device 100
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the organic EL display device 100, and a cross section taken along line 2A-2A 'in FIG. Is shown.
  • the organic EL display device 100 has a plurality of pixels including a red pixel R, a green pixel G and a blue pixel B, as shown in FIG.
  • the plurality of pixels are arranged in a matrix.
  • One color display pixel is configured by three pixels (red pixel R, green pixel G and blue pixel B) that display different colors.
  • red pixel R, green pixel G and the blue pixel B are the same as each other, but the areas of the red pixel R, the green pixel G and the blue pixel B may not be the same.
  • stripe arrangement is illustrated here, the pixel arrangement is not limited to the stripe arrangement.
  • the organic EL display device 100 includes a substrate 1, a drive circuit 2, a plurality of organic EL elements 10, and a thin film encapsulation (TFE) structure 30.
  • the plurality of organic EL elements 10 are, for example, top emission type.
  • a polarizing plate may be disposed on the TFE structure 30.
  • the substrate 1 is, for example, a polyimide film.
  • the polyimide film is suitably used as a flexible (flexible) substrate 1.
  • a substrate having no flexibility for example, a glass substrate may be used.
  • the drive circuit (backplane circuit) 2 includes a TFT (not shown here) formed on the substrate 1.
  • the drive circuit 2 is covered by a planarization film 3.
  • the plurality of organic EL elements 10 are formed on the planarization film 3 and supported by the substrate 1. Each of the plurality of organic EL elements 10 is provided in each pixel. Each organic EL element 10 includes an anode (first electrode) 11, an organic EL layer 12 provided on the anode 11, and a cathode (second electrode) 13 provided on the organic EL layer 12.
  • the organic EL layer 12 includes the hole injection layer 12a, the hole transport layer 12b, the light emitting layer 12c, the electron transport layer 12d, and the electron injection layer 12e in this order from the anode 11 side.
  • the laminated structure of the organic EL layer 12 is not limited to what was illustrated here.
  • the plurality of organic semiconductor layers constituting the organic EL layer 12 are films (printed films) formed by the printing method. That is, the organic EL layer 12 includes a plurality of stacked printing films.
  • the TFE structure 30 has a configuration in which an inorganic barrier layer and an organic barrier layer are alternately stacked. As a specific configuration of the TFE structure 30, various known configurations can be used.
  • the organic EL display device 100 further includes a first bank 21 defining a plurality of pixels, and a plurality of second banks 22 provided on top 21 t of the first bank 21.
  • the first bank 21 is formed on the planarization film 3.
  • the end (outer edge) of the anode 11 is located below the first bank 21, but the end of the anode 11 may be separated from the lower end of the first bank 21.
  • the first bank 21 and the second bank 22 can be formed of a photosensitive resin material as described later.
  • FIGS. 3 and 4 are a perspective view and a top view schematically showing the first bank 21 and the second bank 22, respectively.
  • the first bank 21 has a substantially grid shape, and a column intersecting (substantially orthogonal) in the row direction with a plurality of portions (hereinafter referred to as “first portion”) 21A extending in the row direction (first direction) And a plurality of portions (hereinafter referred to as "second portions") 21B extending in a direction (second direction).
  • first portion a plurality of portions
  • second portions a plurality of portions
  • Each area surrounded by the first bank 21 is a pixel.
  • the first bank 21 includes a top surface 21t and a side surface 21s having a tapered shape.
  • Each of the plurality of second banks 22 has a substantially rectangular parallelepiped shape.
  • the second bank 22 is provided on the top (top surface) 21 t of the first bank 21 as described above.
  • the second bank 22 is not formed at the crossing portion cr of the first portion 21A of the first bank 21 and the second portion 21B. Further, the second bank 22 does not cover the side surface 21 s of the first bank 21 and is not in contact with the anode 11.
  • the second bank 22 is liquid repellent.
  • the first bank 21 is not liquid repellent but lyophilic. That is, the second bank 22 has higher liquid repellency than the first bank 21.
  • a bank or the like is liquid repellent means that the wettability to a liquid material (ink in the printing method) on the surface of the bank or the like is low.
  • the bank surface has at least water repellency
  • the bank surface has at least oil repellency.
  • the organic EL layer includes a layer formed of a hydrophilic ink and a layer formed of a hydrophobic ink, it means that both water repellency and oil repellency are possessed.
  • a bank or the like being "lyophilic” means that the surface thereof has high wettability to a liquid material.
  • a hydrophilic ink it means that the bank surface has at least hydrophilicity and when using a hydrophobic ink, it means that the bank surface has at least lipophilicity.
  • the organic EL layer includes a layer formed of a hydrophilic ink and a layer formed of a hydrophobic ink, it means that the layer has both hydrophilicity and lipophilicity.
  • the term “low wettability” means that the contact angle of the bank surface with the liquid material is, for example, 90 ° or more, and the term “high wettability” means that the contact angle of the bank surface with the liquid material is eg 40 °. It says that it is the following.
  • the contact angle is generally measured using a liquid flow method.
  • the plurality of second banks 22 having higher liquid repellency than the first banks 21 are provided on the first banks 21. Therefore, when the organic EL layer 12 is formed by the printing method in the manufacturing process of the organic EL display device 100, the organic material (light emitting layer material) dropped into each pixel leaks to the next pixel (satellite droplets Landing on adjacent pixels is prevented. Therefore, in the organic EL display device 100, the occurrence of color mixture is suppressed, and image display with high color purity can be performed.
  • the second bank 22 is not formed at the intersection cr of the first bank 21.
  • the photosensitivity provided on the intersection portion cr Underexposure and patterning defects may occur in the resin material, and it has been found that control of the height of the second bank 22 above the intersection is difficult.
  • the height of the second bank 22 can be suitably controlled.
  • the conductive layer constituting the cathode 13 of each pixel can be discontinuous at the step due to the second bank 22 as illustrated in FIG. 2, it is on the crossing portion cr where the second bank 22 is not formed. It is continuous.
  • the organic EL layer 12 is formed by the printing method
  • the case where the organic EL layer 12 is formed by the vapor deposition method that is, the organic EL layer 12 is stacked
  • the second bank 22 is provided, the height of the structure (bank) separating the adjacent pixels is increased, which blocks the organic material coming from the adjacent pixels by shadowing. can do. Therefore, color mixing can be prevented.
  • the first bank 21 having a substantially grid shape and having no liquid repellency is provided under the second bank 22, and the second bank 22 covers the side surface 21 s of the first bank 21. Since the side surface 21s of the first bank 21 is not exposed (i.e., the side surface 21s of the first bank 21 is exposed), the organic material can be applied cleanly to all the area in the pixel. That is, the pixels are defined by the first bank 21.
  • non-fluorine-based and non-silicone-based resins that do not cause liquid repellency can be used, and specifically, acrylic resins, polyamides or polyimides having photosensitivity can be suitably used.
  • Photosensitive polyamides are disclosed, for example, in WO 2009/151012.
  • an acrylic resin or polyamide having negative photosensitivity can be suitably used as a material of the second bank 22.
  • the resistance to a developing solution of a portion where polymerization is progressed by light irradiation becomes high, and the portion irradiated with light remains as a pattern after development. Therefore, since the degree of polymerization can be controlled by changing the exposure dose, etc., the controllability of the remaining pattern is increased. Therefore, photolithography can be performed with high accuracy by using the above-described resin material, so that the second bank 22 can be suitably formed on the first bank 21.
  • the second bank 22 When the second bank 22 contains a liquid repellent material or the surface of the second bank 22 is subjected to a liquid repellent treatment, the second bank 22 can exhibit liquid repellency.
  • a liquid repellent material for example, a fluorine-based liquid repellent material can be used.
  • the liquid repellent treatment plasma treatment using a fluorine-based gas such as carbon tetrafluoride (CF 4 ) can be used.
  • the second bank 22 may be colorless or colored.
  • the second bank 22 is colored (for example, black or dark brown), it is possible to limit the light obliquely emitted from the pixel, so it is possible to improve the viewing angle characteristics.
  • the height h1 (see FIG. 3) of the first bank 21 is not particularly limited.
  • the height h1 of the first bank 21 is, for example, not less than 1 ⁇ m and not more than 2 ⁇ m.
  • Width w1 B (both see FIG. 4) of the width w1 A and the second portion 21B of the first portion 21A of the first bank 21 is not particularly limited. Width w1 B width w1 A and the second portion 21B of the first section 21A has a first portion 21A and second portion 21B is set so as to overlap below 3 ⁇ m, for example, each 1 ⁇ m or anode 11.
  • the height h2 (see FIG. 3) of the second bank 22 is not particularly limited, but from the viewpoint of preventing the occurrence of color mixture, it is preferably large to some extent, for example, 2 ⁇ m or more. However, if the height h2 of the second bank 22 is too large, it may be difficult to manufacture, so it is preferably 5 ⁇ m or less, for example.
  • Width w2 of the second bank 22 is to be smaller by a predetermined magnitude relative to the width of the first bank 21 (width w1 B of w1 A and the second portion 21B of the first portion 21A) It is set. Specifically, for the width w2 of the second bank 22, the alignment accuracy in the photolithography process when forming the second bank 22, the width of the top 21t of the first bank 21 is the width of the bottom (the above w1 A and w1 B) is set in consideration of the fact that smaller than, 6 [mu] m is set smaller than than a width of the first bank 21 (width w1 B of w1 a and the second portion 21B of the first portion 21A).
  • the length l2 A and l2 B of the second bank 22 (see FIG. 4 both), from the viewpoint of suppressing the occurrence of color mixing, it is preferable to some extent large. It Specifically, the length l2 A of the first portion 21A (row sub extending direction) on the second bank 22 of the first bank 21 is at least 80% of the length along the row direction of the pixels preferably, the length l2 B of the second portion 21B (the portion extending in the column direction) on the second bank 22 of the first bank 21 is preferably at least 80% of the length along the column direction of the pixel .
  • the plurality of second banks 22 on the first bank 21 are the same as the second banks 22 (the second banks 22 on the second portion 21B) located between two pixels of different colors.
  • a second bank 22 (a second bank 22 on the first portion 21A) located between two pixels. Since color mixing does not occur between pixels of the same color, as shown in FIG. 5, the second bank 22 located between two pixels of the same color may be omitted.
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide TFT for example, In (indium), Ga (gallium), Zn (high)
  • LTPS-TFTs and In-Ga-Zn-O-based TFTs are well known and will be described briefly below.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing the LTPS-TFT 7.
  • the TFT 7 can be included in the drive circuit 2 of the organic EL display device 100.
  • the TFT 7 is a top gate TFT.
  • the TFT 7 is formed on the base coat layer 4 on the substrate (for example, a polyimide film) 1.
  • Base coat layer 4 is formed of an inorganic insulating material.
  • the TFT 7 includes a polysilicon layer 7 a formed on the base coat layer 4, a gate insulating layer 5 formed on the polysilicon layer 7 a, a gate electrode 7 g formed on the gate insulating layer 5, and a gate electrode 7 g. And a source electrode 7s and a drain electrode 7d formed on the interlayer insulating layer 6. As shown in FIG. The source electrode 7s and the drain electrode 7d are respectively connected to the source region and the drain region of the polysilicon layer 7a in the contact holes formed in the interlayer insulating layer 6 and the gate insulating layer 5.
  • the gate electrode 7g is included in the same gate metal layer as the gate bus line, and the source electrode 7s and the drain electrode 7d are included in the same source metal layer as the source bus line.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view schematically showing the In—Ga—Zn—O-based TFT 8.
  • the TFT 8 can be included in the drive circuit 2 of the organic EL display device 100.
  • the TFT 8 is a bottom gate TFT.
  • the TFT 8 is formed on the base coat layer 4 on a substrate (for example, a polyimide film) 1.
  • the TFT 8 includes a gate electrode 8 g formed on the base coat layer 4, a gate insulating layer 5 formed on the gate electrode 8 g, an oxide semiconductor layer 8 a formed on the gate insulating layer 5, and an oxide semiconductor layer It has a source electrode 8s and a drain electrode 8d respectively connected to the source region and the drain region of 8a.
  • the source electrode 8 s and the drain electrode 8 d are covered with the interlayer insulating layer 6.
  • the gate electrode 8g is included in the same gate metal layer as the gate bus line, and the source electrode 8s and the drain electrode 8d are included in the same source metal layer as the source bus line.
  • the organic EL display device 100 can be manufactured, for example, as follows.
  • a polyimide film having a thickness of 10 ⁇ m to 20 ⁇ m is prepared as the substrate 1.
  • the polyimide film is formed on a glass plate.
  • the polyimide film may be a single layer, or may be a two-layer configuration in which an inorganic film (SiO 2 film or the like) is sandwiched between two polyimide layers.
  • a laminated inorganic film (for example, SiO 2 film / SiN x film / SiO 2 film) is formed on the substrate 1 as the base coat layer 4.
  • An a-Si film having a thickness of, for example, 50 nm or more and 100 nm or less is formed on the base coat layer 4 by plasma CVD.
  • Dehydrogenation of the a-Si film (for example, annealing at 450 ° C. for 180 minutes) is performed.
  • the a-Si film is converted to polysilicon by excimer laser annealing (ELA).
  • ELA excimer laser annealing
  • An active layer (semiconductor island) is formed by patterning the a-Si film by a photolithography process.
  • a SiO 2 film having a thickness of, for example, 100 nm is formed by plasma CVD.
  • Doping (B + ) is performed on the channel region of the active layer.
  • a Mo film having a thickness of, for example, 250 nm is formed as a gate metal on the gate insulating layer 5 by sputtering, and the gate metal is patterned by a photolithography process to form a gate electrode 7g and a gate bus line. .
  • Doping (P + ) is performed on the source region and the drain region of the active layer.
  • An activation annealing (for example, annealing at 450 ° C. for 45 minutes) is performed. Thereby, the polysilicon layer 7a is obtained.
  • Contact holes are formed in the gate insulating layer 5 and the interlayer insulating layer 6 by wet etching and dry etching.
  • a stacked film of Ti film / Al film / Ti film (thickness: 50 nm / 500 nm / 100 nm, for example) is formed as a source metal on the interlayer insulating layer 6 by sputtering, and the source metal is patterned by photolithography process Thus, the source electrode 7s, the drain electrode 7d and the source bus line are formed. Thus, the TFT 7 is completed.
  • a polyimide film or an acrylic resin film having a thickness of 2 ⁇ m, for example, is formed as a planarizing film 3 by a slit coater or the like so as to cover the TFT 7 and the like.
  • a laminated film of ITO film / Ag or APC film / ITO film (thickness: 5 nm / 100 nm / 5 nm, for example) is formed as the anode 11 and patterned.
  • a substantially lattice-shaped first bank 21 is formed on the planarization film 3.
  • a material of the first bank 21 a photosensitive acrylic resin or polyamide which does not have liquid repellency is used. Alternatively, polyimide may be used.
  • the height of the first bank 21 is, for example, not less than 1 ⁇ m and not more than 2 ⁇ m.
  • a plurality of second banks 22 are formed on the top 21 t of the first bank 21. At this time, the second bank 22 is not formed on the intersection portion cr of the first bank 21.
  • a material of the second bank 22 an acrylic resin or polyamide having negative photosensitivity is used. Thus, a highly accurate photolithography process can be performed.
  • a fluorine-based liquid repellent material is added to the material of the second bank 22.
  • the surface of the second bank 22 may be subjected to liquid repellent treatment (for example, plasma treatment using CF 4 ).
  • the height of the second bank 22 is, for example, 2 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the organic EL layer 12 is formed by the printing method or the vacuum evaporation method, and then the cathode 13 is formed. Thereafter, the TFE structure 30 is formed on the organic EL element 10.
  • the organic EL display device 100 is obtained.
  • the pixel array may be, for example, a pen tile array as shown in FIG.
  • the pen tile array illustrated in FIG. 7 may be referred to as a diamond pen tile array.
  • FIG. 8 shows the configuration of the first bank 21 and the second bank 22 in the organic EL display device 100A of the diamond pen tile arrangement.
  • the extending direction of the plurality of first portions 21A and the plurality of second portions 21B of the first bank 21 is different by approximately 45 ° from the case of the stripe array. There is. Also in this configuration, the same effect can be obtained by providing the plurality of second banks 22 having higher liquid repellency than the first bank 21 on the top 21 t of the first bank 21.
  • an organic EL display device capable of performing image display with high color purity while suppressing the occurrence of color mixing.
  • the embodiment of the present invention can be suitably used for a high definition organic EL display device.
  • Substrate 1: Substrate, 2: Drive circuit, 3: Planarization film, 7: LTPS-TFT, 8: In-Ga-Zn-O-based TFT, 10: Organic EL element, 11: Anode, 12: Organic EL layer, 12a Hole injection layer 12b: hole transport layer 12c: light emitting layer 12d: electron transport layer 12e: electron injection layer 13: cathode 21: first bank 21A: first portion of first bank 21B: Second part of second bank 21t: top (top face) of first bank 21s: side of first bank 22: second bank 30: TFE structure 100: organic EL display R: red pixel , G: green pixel, B: blue pixel, cr: intersection of the first bank

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Abstract

有機ＥＬ表示装置（１００）は、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）および青画素（Ｂ）を含む複数の画素を有し、基板（１）と、基板に支持されそれぞれが複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子（１０）と、複数の画素を規定する略格子状の第１バンク（２１）であって、第１方向に延びる複数の第１部分（２１Ａ）と、第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分（２１Ｂ）とを含む第１バンクと、第１バンクの頂部（２１ｔ）上に設けられ、第１バンクの第１部分と第２部分との交差部（ｃｒ）には形成されていない複数の第２バンク（２２）であって、第１バンクよりも撥液性が高い複数の第２バンクとを備える。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
　近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が実用化され始めた。有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。各画素は、絶縁材料から形成された格子状の構造体（「バンク」または「隔壁」と呼ばれる）によって規定される。バンクは、ＴＦＴを含む回路（「駆動回路」や「バックプレーン回路」と呼ばれる）を覆うように形成された平坦化膜上に設けられる（例えば特許文献１参照）。
　各画素の有機ＥＬ素子は、駆動回路に接続された陽極と、陽極上に設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた陰極とから構成される。有機ＥＬ層は、有機半導体材料から形成された複数の層を含む積層構造を有する。この積層構造は、例えば、陽極側からホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層をこの順で含んでいる。赤画素、緑画素、青画素の有機ＥＬ層は、それぞれ赤色光を発する発光層、緑色光を発する発光層、青色光を発する発光層を含む。
　有機ＥＬ層は、バンクによって包囲された領域（画素となる領域）内に位置する陽極上に、真空蒸着法または印刷法を用いて形成される。つまり、有機ＥＬ層の形成方法は、「蒸着方式」と「印刷方式」とに大別される。
特開２０１６－８５９１３号公報
　有機ＥＬ表示装置の高精細化が進むにつれて、赤、緑、青の各色間の混色の発生が顕著になってきている。混色が発生すると、表示画像の色純度が低下していわゆる眠たい画像となり、表示品位が著しく低下してしまう。
　混色の発生の原因は、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、各色の発光層を対応する画素に形成する際、隣接画素の発光層材料が混入して赤、緑、青の単色の色純度が低下することにある。このような問題は、印刷方式および蒸着方式の両方において発生し得る。
　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
　本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置は、赤画素、緑画素および青画素を含む複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板に支持され、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の画素を規定する略格子状の第１バンクであって、第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分とを含む第１バンクと、前記第１バンクの頂部上に設けられ、前記第１バンクの前記複数の第１部分と前記複数の第２部分との交差部には形成されていない複数の第２バンクであって、前記第１バンクよりも撥液性が高い複数の第２バンクと、を備える。
　ある実施形態において、前記第１バンクは、テーパ形状を有する側面を含み、前記複数の第２バンクは、前記第１バンクの前記側面を覆っていない。
　ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、着色されている。
　ある実施形態において、前記第１バンクは、非フッ素系・非シリコーン系の樹脂から形成されている。
　ある実施形態において、前記第１バンクは、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドから形成されている。
　ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドから形成されている。
　ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、撥液材料を含んでいるか、または、表面に撥液処理が施されている。
　ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、前記複数の画素のうちの互いに隣接する２つの画素であって、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンクを含む。
　ある実施形態において、前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含む。
　ある実施形態において、前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含まない。
　ある実施形態において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、前記有機ＥＬ層は、積層された複数の印刷膜を含む。
　ある実施形態において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、前記有機ＥＬ層は、積層された複数の蒸着膜を含む。
　本発明の実施形態によれば、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置１００の画素配列を示す図である。 有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図１中の２Ａ－２Ａ’線に沿った断面を示している。 有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す斜視図である。 有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。 有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。 （ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に用いられるＬＴＰＳ－ＴＦＴ７およびＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系ＴＦＴ８をそれぞれ模式的に示す断面図である。 画素配列の他の例（ペンタイル配列）を示す図である。 ペンタイル配列の有機ＥＬ表示装置１００Ａの第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
　図１および図２を参照しながら、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００を説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１００の画素配列を示す図であり、図２は、有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図１中の２Ａ－２Ａ’線に沿った断面を示している。
　有機ＥＬ表示装置１００は、図１に示すように、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂを含む複数の画素を有する。複数の画素は、マトリクス状に配列されている。互いに異なる色を表示する３つの画素（赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂ）によって、１つのカラー表示画素が構成される。なお、ここでは、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂの面積が互いに同じである例を示しているが、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂの面積は同じでなくてもよい。また、ここではいわゆるストライプ配列を例示しているが、画素配列はストライプ配列に限定されるものではない。
　有機ＥＬ表示装置１００は、図２に示すように、基板１と、駆動回路２と、複数の有機ＥＬ素子１０と、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）構造３０とを備える。複数の有機ＥＬ素子１０は、例えばトップエミッション型である。ＴＦＥ構造３０の上には、偏光板が配置されてもよい。
　基板１は、例えばポリイミドフィルムである。ポリイミドフィルムは、フレキシブルな（可撓性を有する）基板１として好適に用いられる。なお、基板１として、可撓性を有しない基板（例えばガラス基板）を用いてもよい。
　駆動回路（バックプレーン回路）２は、基板１上に形成されたＴＦＴ（ここでは不図示）を含む。駆動回路２は、平坦化膜３によって覆われている。
　複数の有機ＥＬ素子１０は、平坦化膜３上に形成されており、基板１に支持されている。複数の有機ＥＬ素子１０のそれぞれは、各画素に設けられている。各有機ＥＬ素子１０は、陽極（第１電極）１１と、陽極１１上に設けられた有機ＥＬ層１２と、有機ＥＬ層１２上に設けられた陰極（第２電極）１３とを含む。図示している例では、有機ＥＬ層１２は、陽極１１側からホール注入層１２ａ、ホール輸送層１２ｂ、発光層１２ｃ、電子輸送層１２ｄおよび電子注入層１２ｅをこの順で含む。なお、有機ＥＬ層１２の積層構造は、ここで例示したものに限定されない。また、ここでは、有機ＥＬ層１２を構成する複数の有機半導体層は、それぞれ印刷法によって形成された膜（印刷膜）である。つまり、有機ＥＬ層１２は、積層された複数の印刷膜を含む。
　ＴＦＥ構造３０は、無機バリア層と有機バリア層とが交互に積層された構成を有する。ＴＦＥ構造３０の具体的な構成としては、公知の種々の構成を用いることができる。
　有機ＥＬ表示装置１００は、さらに、複数の画素を規定する第１バンク２１と、第１バンク２１の頂部２１ｔ上に設けられた複数の第２バンク２２とを備える。第１バンク２１は、平坦化膜３上に形成されている。図示している例では、陽極１１の端部（外縁部）は、第１バンク２１の下に位置しているが、陽極１１の端部が第１バンク２１の下端から離隔していてもよい。第１バンク２１および第２バンク２２は、後述するように、感光性の樹脂材料から形成することができる。
　以下、さらに図３および図４も参照しながら、第１バンク２１および第２バンク２２の構成を説明する。図３および図４は、第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す斜視図および上面図である。
　第１バンク２１は、略格子状であり、行方向（第１方向）に延びる複数の部分（以下では「第１部分」と称する）２１Ａと、行方向に交差（ここでは略直交）する列方向（第２方向）に延びる複数の部分（以下では「第２部分」と称する）２１Ｂとを含む。第１バンク２１によって包囲される個々の領域が画素である。第１バンク２１は、頂面２１ｔと、テーパ形状を有する側面２１ｓとを含む。
　複数の第２バンク２２のそれぞれは、略直方体状である。第２バンク２２は、既に説明したように、第１バンク２１の頂部（頂面）２１ｔ上に設けられている。第２バンク２２は、第１バンク２１の第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとの交差部ｃｒには形成されていない。また、第２バンク２２は、第１バンク２１の側面２１ｓを覆っておらず、陽極１１に接していない。
　第２バンク２２は、撥液性である。これに対し、第１バンク２１は、撥液性ではなく、親液性である。つまり、第２バンク２２は、第１バンク２１よりも撥液性が高い。
　ここで、バンクなどが「撥液性である」とは、バンクなどの表面における液状材料（印刷法ではインク）に対する濡れ性が低いことをいう。具体的には、親水性（水分散系）のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも撥水性を有し、疎水性（有機溶媒系）のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも撥油性を有することを意味する。また、有機ＥＬ層が親水性のインクから形成される層と、疎水性のインクから形成される層とを含む場合には、撥水性および撥油性を併せ持つことを意味する。
　一方、バンクなどが「親液性である」とは、その表面が液状材料に対する濡れ性が高いことをいう。具体的には、親水性のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも親水性を有し、疎水性のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも親油性を有することを意味する。また、有機ＥＬ層が親水性のインクから形成される層と、疎水性のインクから形成される層とを含む場合には、親水性および親油性を併せ持つことを意味する。
　また、「濡れ性が低い」とは、バンク表面の液状材料に対する接触角が、例えば９０°以上であり、「濡れ性が高い」とは、バンク表面の液状材料に対する接触角が、例えば４０°以下であることをいう。接触角は、一般に液適法を用いて測定される。
　上述したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、第１バンク２１上に、第１バンク２１よりも撥液性が高い複数の第２バンク２２が設けられている。そのため、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程において、有機ＥＬ層１２を印刷法により形成する際、各画素内に滴下された有機材料（発光層材料）が、隣の画素に漏れ出す（サテライト滴が隣の画素に着弾する）ことが防止される。それ故、有機ＥＬ表示装置１００では、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる。
　また、第２バンク２２は、第１バンク２１の交差部ｃｒには形成されていない。本願発明者の検討によれば、第１バンク２１の交差部ｃｒにも第２バンク２２を形成する（つまり格子状の第２バンク２２を設ける）場合、交差部ｃｒ上に付与された感光性樹脂材料に露光不足やパターニング不良が発生することがあり、交差部上の第２バンク２２の高さの制御が困難であることがわかった。本実施形態のように、第２バンク２２を第１バンク２１の交差部ｃｒには形成しないことにより、第２バンク２２の高さを好適に制御することができる。
　なお、各画素の陰極１３を構成する導電層は、図２に例示しているように第２バンク２２による段差で不連続となり得るが、第２バンク２２が形成されていない交差部ｃｒ上で連続している。
　また、ここでは、有機ＥＬ層１２が印刷方式で形成される場合を例示したが、本発明の実施形態は、有機ＥＬ層１２が蒸着方式で形成される場合（つまり有機ＥＬ層１２が積層された複数の蒸着膜を含む場合）であっても上述した効果を得ることができる。第２バンク２２が設けられていることにより、隣接する画素同士を隔てる構造体（バンク）の高さが大きくなるので、そのことにより、シャドウイングによって隣接する画素から回り込んでくる有機材料を遮断することができる。そのため、混色を防止することができる。
　また、本実施形態では、第２バンク２２の下には略格子状で撥液性を有しない第１バンク２１が設けられており、第２バンク２２は、第１バンク２１の側面２１ｓを覆っていない（つまり第１バンク２１の側面２１ｓが露出している）ので、画素内のすべての領域に有機材料をきれいに塗布することができる。つまり、画素は、第１バンク２１によって規定される。
　第１バンク２１の材料としては、撥液化しない非フッ素系・非シリコーン系の樹脂を用いることができ、具体的には、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドを好適に用いることができる。感光性のポリアミドは、例えば、国際公開第２００９／１５１０１２号に開示されている。
　第２バンク２２の材料としては、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドを好適に用いることができる。ネガ型の感光性樹脂では、光照射によって重合が進むなどした部分の現像液への耐性が高くなり、現像後には光が照射された部分がパターンとして残る。そのため、露光量を変えることなどによって重合の程度を制御できるので、残すパターンの制御性が増す。そのため、上述した樹脂材料を用いることにより、高精度でフォトリソグラフィを行うことが可能であるので、第１バンク２１上に第２バンク２２を好適に形成することができる。
　第２バンク２２が撥液材料を含んでいるか、または、第２バンク２２の表面に撥液処理が施されていることにより、第２バンク２２に撥液性を発現させることができる。撥液材料としては、例えばフッ素系の撥液材料を用いることができる。撥液処理としては、四フッ化炭素（ＣＦ4）等のフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を用いることができる。
　第２バンク２２は、無色であってもよいし、着色されていてもよい。第２バンク２２が着色されている（例えば黒色やこげ茶色である）と、画素から斜め出射する光を制限することができるので、視野角特性を向上させることが可能となる。
　第１バンク２１の高さｈ１（図３参照）に特に制限はない。第１バンク２１の高さｈ１は、例えば１μｍ以上２μｍ以下である。
　第１バンク２１の第１部分２１Ａの幅ｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B（いずれも図４参照）に特に制限はない。第１部分２１Ａの幅ｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１Bは、第１部分２１Ａおよび第２部分２１Ｂが陽極１１に例えばそれぞれ１μｍ以上３μｍ以下重なるように設定される。
　第２バンク２２の高さｈ２（図３参照）に特に制限はないが、混色の発生を防止する観点からは、ある程度大きいことが好ましく、例えば２μｍ以上であることが好ましい。ただし、第２バンク２２の高さｈ２が大きすぎると、製造上の困難さを伴うおそれがあるので、例えば５μｍ以下であることが好ましい。
　第２バンク２２の幅ｗ２（図４参照）は、第１バンク２１の幅（第１部分２１Ａのｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B）に対して所定の大きさだけ小さくなるように設定される。具体的には、第２バンク２２の幅ｗ２は、第２バンク２２を形成する際のフォトリソグラフィプロセスにおけるアライメント精度や、第１バンク２１の頂部２１ｔの幅が底部の幅（上述したｗ１Aおよびｗ１B）よりも小さくなることを考慮して設定され、例えば第１バンク２１の幅（第１部分２１Ａのｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B）よりも６μｍ以上小さく設定される。
　第２バンク２２の長さｌ２Aおよびｌ２B（いずれも図４参照）は、混色の発生を抑制する観点からは、ある程度大きいことが好ましい。具体的には、第１バンク２１の第１部分２１Ａ（行方向に延びる部分）上の第２バンク２２の長さｌ２Aは、画素の行方向に沿った長さの８０％以上であることが好ましく、第１バンク２１の第２部分２１Ｂ（列方向に延びる部分）上の第２バンク２２の長さｌ２Bは、画素の列方向に沿った長さの８０％以上であることが好ましい。
　なお、図１等に例示したストライプ配列の場合、行方向に沿っては異なる色の画素同士が隣接し、列方向に沿っては同じ色の画素同士が隣接する。従って、第１バンク２１上の複数の第２バンク２２は、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンク２２（第２部分２１Ｂ上の第２バンク２２）と、互いに同じ色の２つの画素間に位置する第２バンク２２（第１部分２１Ａ上の第２バンク２２）とを含む。互いに同じ色の画素同士では、混色は発生しないので、図５に示すように、互いに同じ色の２つの画素間に位置する第２バンク２２を省略してもよい。
　次に、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に用いられるＴＦＴの例を説明する。
　高精細で中小型の有機ＥＬ表示装置には、移動度が高い、低温ポリシリコン（「ＬＴＰＳ」と略称する。）ＴＦＴまたは酸化物ＴＦＴ（例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｏ（酸素）を含む４元系（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系）酸化物ＴＦＴ）が好適に用いられる。ＬＴＰＳ－ＴＦＴおよびＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系ＴＦＴの構造および製造方法はよく知られているので、以下では簡単な説明に留める。
　図６（ａ）は、ＬＴＰＳ－ＴＦＴ７を模式的に示す断面図である。ＴＦＴ７は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に含まれ得る。ＴＦＴ７は、トップゲート型のＴＦＴである。
　ＴＦＴ７は、基板（例えばポリイミドフィルム）１上のベースコート層４上に形成されている。ベースコート層４は、無機絶縁材料から形成されている。
　ＴＦＴ７は、ベースコート層４上に形成されたポリシリコン層７ａと、ポリシリコン層７ａ上に形成されたゲート絶縁層５と、ゲート絶縁層５上に形成されたゲート電極７ｇと、ゲート電極７ｇ上に形成された層間絶縁層６と、層間絶縁層６上に形成されたソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄとを有している。ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄは、層間絶縁層６およびゲート絶縁層５に形成されたコンタクトホール内で、ポリシリコン層７ａのソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されている。
　ゲート電極７ｇは、ゲートバスラインと同じゲートメタル層に含まれ、ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄは、ソースバスラインと同じソースメタル層に含まれる。
　図６（ｂ）は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系ＴＦＴ８を模式的に示す断面図である。ＴＦＴ８は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に含まれ得る。ＴＦＴ８は、ボトムゲート型のＴＦＴである。
　ＴＦＴ８は、基板（例えばポリイミドフィルム）１上のベースコート層４上に形成されている。ＴＦＴ８は、ベースコート層４上に形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇ上に形成されたゲート絶縁層５と、ゲート絶縁層５上に形成された酸化物半導体層８ａと、酸化物半導体層８ａのソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄとを有している。ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄは、層間絶縁層６に覆われている。ゲート電極８ｇは、ゲートバスラインと同じゲートメタル層に含まれ、ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄは、ソースバスラインと同じソースメタル層に含まれる。
　続いて、有機ＥＬ表示装置１００の製造方法を説明する。ここでは、駆動回路２がＬＴＰＳ－ＴＦＴ７を含む場合を例として説明を行う。有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
　基板１として、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下の厚さを有するポリイミドフィルムを用意する。ポリイミドフィルムは、ガラス板上に形成されている。ポリイミドフィルムは、１層であってもよいし、２層のポリイミド層の間に無機膜（ＳｉＯ2膜等）を挟んだ２層構成であってもよい。
　基板１上に、ベースコート層４として、積層無機膜（例えばＳｉＯ2膜／ＳｉＮx膜／ＳｉＯ2膜）を形成する。
　ベースコート層４上に、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有するａ－Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
　ａ－Ｓｉ膜の脱水素処理（例えば４５０℃で１８０分間アニール）を行う。
　ａ－Ｓｉ膜をエキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）法によりポリシリコン化する。
　ａ－Ｓｉ膜をフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、活性層（半導体島）を形成する。
　活性層を覆うゲート絶縁層５として、例えば１００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
　活性層のチャネル領域にドーピング（Ｂ+）を行う。
　ゲート絶縁層５上に、ゲートメタルとして、例えば２５０ｎｍの厚さを有するＭｏ膜をスパッタ法により成膜し、ゲートメタルをフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、ゲート電極７ｇおよびゲートバスラインを形成する。
　活性層のソース領域およびドレイン領域にドーピング（Ｐ+）を行う。
　活性化アニール（例えば、４５０℃、４５分間アニール）を行う。これにより、ポリシリコン層７ａが得られる。
　ゲート電極７ｇなどを覆う層間絶縁層６として、例えば厚さ１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＳｉＮx膜またはＳｉＯ2膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
　ゲート絶縁層５および層間絶縁層６にコンタクトホールをウェットエッチングおよびドライエッチングにより形成する。
　層間絶縁層６上に、ソースメタルとして、Ｔｉ膜／Ａｌ膜／Ｔｉ膜の積層膜（厚さは例えば５０ｎｍ／５００ｎｍ／１００ｎｍ）をスパッタ法により成膜し、ソースメタルをフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、ソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄおよびソースバスラインを形成する。このようにして、ＴＦＴ７が完成する。
　ＴＦＴ７などを覆うように、平坦化膜３として、例えば２μｍの厚さを有するポリイミド膜またはアクリル樹脂膜をスリットコータ等により成膜する。
　平坦化膜３上に、陽極１１として、ＩＴＯ膜／ＡｇまたはＡＰＣ膜／ＩＴＯ膜の積層膜（厚さは例えば５ｎｍ／１００ｎｍ／５ｎｍ）を成膜してパターニングする。
　平坦化膜３上に、略格子状の第１バンク２１を形成する。第１バンク２１の材料として、撥液性を有しない、感光性のアクリル樹脂またはポリアミドを用いる。あるいは、ポリイミドを用いてもよい。第１バンク２１の高さは、例えば１μｍ以上２μｍ以下である。
　第１バンク２１の頂部２１ｔ上に、複数の第２バンク２２を形成する。このとき、第１バンク２１の交差部ｃｒ上には第２バンク２２を形成しない。第２バンク２２の材料として、ネガ型感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドを用いる。これにより、高精度のフォトリソグラフィプロセスを行うことができる。第２バンク２２の材料には、フッ素系の撥液材料が添加されている。あるいは、第２バンク２２の表面に撥液処理（例えばＣＦ4を用いたプラズマ処理）を行ってもよい。第２バンク２２の高さは、例えば、２μｍ以上５μｍ以下である。
　その後、有機ＥＬ層１２を、印刷法または真空蒸着法により形成し、続いて、陰極１３を形成する。さらにその後、有機ＥＬ素子１０上に、ＴＦＥ構造３０を形成する。
　このようにして、有機ＥＬ表示装置１００が得られる。
　ここまでの説明では、画素配列がストライプ配列である場合を例示したが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。画素配列は、例えば、図７に示すようなペンタイル配列であってもよい。図７に例示しているペンタイル配列は、ダイヤモンドペンタイル配列と呼ばれることもある。
　図８に、ダイヤモンドペンタイル配列の有機ＥＬ表示装置１００Ａにおける第１バンク２１および第２バンク２２の構成を示す。
　画素配列がダイヤモンドペンタイル配列の場合、図８に示すように、第１バンク２１の複数の第１部分２１Ａおよび複数の第２部分２１Ｂが延びる方向が、ストライプ配列の場合と略４５°異なっている。この構成においても、第１バンク２１の頂部２１ｔ上に、第１バンク２１よりも撥液性の高い複数の第２バンク２２を設けることにより、同様の効果を得ることができる。
　本発明の実施形態によると、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。本発明の実施形態は、高精細な有機ＥＬ表示装置に好適に用いることができる。
　１：基板、２：駆動回路、３：平坦化膜、７：ＬＴＰＳ－ＴＦＴ、８：Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系ＴＦＴ、１０：有機ＥＬ素子、１１：陽極、１２：有機ＥＬ層、１２ａ：ホール注入層、１２ｂ：ホール輸送層、１２ｃ：発光層、１２ｄ：電子輸送層、１２ｅ：電子注入層、１３：陰極、２１：第１バンク、２１Ａ：第１バンクの第１部分、２１Ｂ：第２バンクの第２部分、２１ｔ：第１バンクの頂部（頂面）、２１ｓ：第１バンクの側面、２２：第２バンク、３０：ＴＦＥ構造、１００：有機ＥＬ表示装置、Ｒ：赤画素、Ｇ：緑画素、Ｂ：青画素、ｃｒ：第１バンクの交差部

Claims (12)

  1. 　赤画素、緑画素および青画素を含む複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
    　基板と、
    　前記基板に支持され、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
    　前記複数の画素を規定する略格子状の第１バンクであって、第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分とを含む第１バンクと、
    　前記第１バンクの頂部上に設けられ、前記第１バンクの前記複数の第１部分と前記複数の第２部分との交差部には形成されていない複数の第２バンクであって、前記第１バンクよりも撥液性が高い複数の第２バンクと、を備える有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記第１バンクは、テーパ形状を有する側面を含み、
    　前記複数の第２バンクは、前記第１バンクの前記側面を覆っていない、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　前記複数の第２バンクは、着色されている、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記第１バンクは、非フッ素系・非シリコーン系の樹脂から形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記第１バンクは、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドから形成されている、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記複数の第２バンクは、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドから形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　前記複数の第２バンクは、撥液材料を含んでいるか、または、表面に撥液処理が施されている、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　前記複数の第２バンクは、前記複数の画素のうちの互いに隣接する２つの画素であって、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンクを含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、
    　前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含む、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、
    　前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含まない、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、
    　前記有機ＥＬ層は、積層された複数の印刷膜を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
  12. 　前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、
    　前記有機ＥＬ層は、積層された複数の蒸着膜を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
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