TWI599085B - 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照本專利申請案主張於2012年9月28日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案號第10-2012-0108682號之優先權，其全部揭露併入後文作為參考。
實施例係有關於有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法。特別是，實施例有關於具有改進之光學特性之有機發光顯示裝置及製造具有改進之光學特性之有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示(organic light emitting display,OLED)裝置可使用藉由陽極所提供之電洞與陰極所提供之電子於其有機層中之結合所產生之光線而顯示所需之資訊，例如影像(images)、文字(letters)及/或字元(characters)。有機發光顯示裝置可具有一些優點，例如廣視角、短反應時間、薄厚度及低功率損耗，所以有機發光顯示裝置可廣泛地應用於各種電氣及電子裝置中。近年來，有機發光顯示裝置急速地發展成為一種最有希望之顯示裝置。
對於習知之有機發光顯示裝置，電洞注入層(hole injection layer,HIL)、電洞傳輸層(hole transfer layer,HTL)、電子注入層(electron injection layer,EIL)及/或電子傳輸層(electron transfer layer,ETL)可被設置以提升電荷載體(如電洞或電子)之移動。此些層可具有相對較高之傳導性以改善發光效率。然而，當此些層沒有經過圖案化程序即塗佈於基板上時，可能發生干擾現象。亦即，注入選定之像素中之電荷載體可能通過此些層而漏至鄰近之非選定之像素中。
範例實施例提供一種可防止或降低電荷傳遞層之間之干擾現象之有機發光顯示裝置。
範例實施例提供一種製造可防止或降低電荷傳遞層之間之干擾現象之有機發光顯示裝置之方法。
根據範例實施例，提供之有機發光顯示裝置包括基板、第一電極、像素定義層、第一疏水性圖案、至少一電荷傳遞層、第二疏水性圖案、有機發光層及第二電極。基板具有像素區及環繞像素區之非像素區。第一電極係設置於基板上之像素區中。像素定義層係設置於基板上之非像素區中。第一疏水性圖案係設置於像素定義層上。至少一電荷傳遞層係設置於第一電極上。第二疏水性圖案係設置於像素定義層上以覆蓋第一疏水性圖案。有機發光層係設置於此至少一電荷傳遞層上。第二電極係設置於有機發光層上。
於範例實施例中，第一疏水性圖案及第二疏水性圖案可各具有低於約20達因/平方公分(dyne/cm2)之表面能量。
於範例實施例中，第一疏水性圖案可具有之導電率低於電荷傳遞層之導電率。
於範例實施例中，像素定義層可具有約100奈米至約400奈米之厚度。
於範例實施例中，至少一電荷傳遞層可包括電洞傳輸層及電洞注入層。
於範例實施例中，至少一電荷傳遞層可包括電子傳輸層及電子注入層。
於範例實施例中，電荷傳遞層之一部分可重疊於像素定義層，且第二疏水性圖案可覆蓋電荷傳遞層之此部分。
於範例實施例中，第一疏水性圖案及第二疏水性圖案可不重疊於第一電極。
於範例實施例中，第一疏水性圖案之厚度可小於像素定義層之厚度，且第二疏水性圖案之厚度可大於像素定義層之厚度。
於範例實施例中，第一疏水性圖案及第二疏水性圖案可延伸於第一方向及實質垂直於第一方向之第二方向上。
於範例實施例中，第一疏水性圖案可延伸於第一方向及實質垂直於第一方向之第二方向上，而第二疏水性圖案可延伸於第二方向上。
根據範例實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。於此方法中，第一電極形成於基板上。像素定義層形成於基板上且相鄰於第一電極。第一疏水性圖案形成於像素定義層上。至少一電荷傳 遞層形成於第一電極上。第二疏水性圖案形成於像素定義層上以覆蓋第一疏水性圖案。有機發光層形成於此至少一電荷傳遞層上。第二電極形成於有機發光層及第二疏水性圖案上。
於範例實施例中，可藉由執行平板印刷製程(offset printing process)、凹板平板印刷製程(gravure offset printing process)、反凹板平板印刷製程(gravure reverse offset printing process)、噴墨印刷製程(inkjet printing process)、噴嘴印刷製程(nozzle printing process)、T形噴射製程(T-jet process)、壓印製程(stamping process)、電鍍噴佈製程(electro spray process)或雷射引發熱成像製程(laser induced thermal imaging process)，形成第一疏水性圖案，以及可藉由執行平板印刷製程、凹板平板印刷製程、反凹板平板印刷製程、噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、T形噴射製程、壓印製程、電鍍噴佈製程或雷射引發熱成像製程，形成第二疏水性圖案。
於範例實施例中，可藉由執行狹縫塗佈製程(slit coating process)、橫桿塗佈製程(bar coating process)或旋塗製程(spin coating process)，形成至少一電荷傳遞層。此至少一電荷傳遞層可完全覆蓋第一電極，且此至少一電荷傳遞層可部分覆蓋像素定義層。
於範例實施例中，此至少一電荷傳遞層可包括電洞傳輸層及電洞注入層。
於範例實施例中，此至少一電荷傳遞層可包括電子傳輸層及電子注入層。
於範例實施例中，基板可具有複數個像素區及環繞複數個像素區之非像素區，且此複數個像素區佈置於第一方向及實質垂直於第一方向之第二方向上。第一電極可形成於像素區中，且像素定義層、第一疏水性圖案及第二疏水性圖案可形成於非像素區中。
於範例實施例中，電荷傳遞層之一部分可重疊於像素定義層，且第二疏水性圖案可覆蓋電荷傳遞層之此部分。
於範例實施例中，第一疏水性圖案及第二疏水性圖案可部分地或完全地覆蓋像素定義層。
根據一些範例實施例，其提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。於此方法中，第一電極形成於基板上。像素定義層形成於基板上且相鄰於第一電極。第一疏水性圖案形成於像素定義層上。至少一電荷傳遞層形成於第一電極上。有機發光層形成於此至少一電荷傳遞層上。第二電極形成於有機發光層及第一疏水性圖案上。第一疏水性圖案可具有之導電率低於此至少一電荷傳遞層之導電率。
根據範例實施例，具有相對較小之導電率之第一疏水性圖案可設置於像素定義層上，藉以使得每一電洞注入層及每一電洞傳輸層可彼此相互分隔開。因此，可禁止或降低干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)之電洞注入層及電洞傳輸層中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層及電洞傳輸層中。再者，第二疏水性圖案可具有相對較大之厚度，藉以使得每一有機發光層之材料不會彼此相互混合。
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧像素定義層
130‧‧‧第一疏水性圖案
140‧‧‧電洞注入層
150‧‧‧電洞傳輸層
160a‧‧‧第二疏水性圖案
160b‧‧‧第二疏水性圖案
170‧‧‧有機發光層
180‧‧‧第二電極
(I)‧‧‧像素區
(II)‧‧‧非像素區
T1‧‧‧第一厚度
T2‧‧‧第二厚度
T3‧‧‧第三厚度
實施例將藉由參閱附圖結合以下詳細的描述而更清楚的理解。第1圖至第14圖代表在此說明之非限制性實施例。
第1圖係為描繪根據範例實施例之有機發光顯示裝置之平面圖。
第2圖係為描繪根據範例實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖。
第3圖係為描繪根據一些範例實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖。
第4圖至第11圖係為描繪根據範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之剖視圖。
第12圖至第14圖係為描繪根據一些範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之剖視圖。
各種範例實施例現將參照其中繪示本發明實施例之附圖而更充分地說明。然而，本發明可以許多不同形式實施且不應解釋為受此處所述之實施例所限制。相反地，此些實施例係提供以使得本發明揭露透徹且完整，且將充分傳達本發明之範疇予所屬技術領域具有通常知識者。在圖式中，層及區域之尺寸及相對大小可為了清晰起見而誇大。
其將理解的是，當一元件被稱為位於另一元件“上(on)”、“連接(connected to)”或“耦接(coupled to)”於另一元件時，其可直接位於其他元件或層上、直接連接或耦接於其他元件或層，或可存在中介元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接位於其上(directly on)”、“直接 連接(directly connected to)”或“直接耦接(directly coupled to)”於另一元件時，則中介元件或層並不存在。整份說明書中相似之參考符號代表相似之元件。當在此使用時，字詞“及/或(and/or)”係包括一或多個相關條列項目之任何及所有組合。
其將理解的是，儘管於此可使用“第一”、“第二”及“第三”等用語描述各個元件、構件、區域、層及/或部位，但此些元件、構件、區域、層及/或部位並不應受此些用語限制。此些用語僅係用以區分一元件、構件、區域、層或部位與另一元件、構件、區域、層或部位。因此，下述之第一元件、構件、區域、層或部位可描述為第二元件、構件、區域、層或部位，而不脫離本發明之教示。
空間相對用語，例如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等可為了解釋方便而用以描述圖中所示之元件或特徵與其他元件或特徵間之關係。其將理解的是，除了圖式所繪示之定向以外，空間相對用語意圖涵蓋裝置於使用或操作中之不同定向。舉例而言，當翻轉圖式中之裝置時，則原本被描述為位於另一元件或特徵之“下(below)”或“下(beneath)”之元件將被定向為位於另一元件或特徵之“上(above)”。因此，例示性用語“下(below)”可涵蓋上方及下方兩種定向。裝置亦可另外定向(例如，旋轉90度或其他定向)，且在此使用之空間相關用語將據此詮釋。
於此所使用之術語係僅用以描述特定之實施例之目的，且非旨在侷限本發明之實施例。當在此使用時，除非文字有另行清楚表示，否則單數形式“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”係旨在一併包含複數形式。 將進一步理解的是，若在此使用時，用語“包括(comprises)”及/或“包含(comprising)”係指出提及之特徵、數字、步驟、作業、元件及/或構件之存在，但未排除其他一或多個特徵、數字、步驟、作業、元件、構件及/或其組合之存在或增加。
範例實施例參考為本發明之理想範例實施例(及中間結構)之圖式而於此說明。如此一來，例如為製造技術及/或容許誤差產生之與圖示之形狀之差異係為可預期的。因此，範例實施例並不應詮釋為侷限於在此所示的區域之特定形狀，而包含例如來自製造導致之形狀上的差異。舉例而言，繪示為矩形之植入區域可具有圓形或曲型特徵及/或梯度之植入濃度在其邊緣，而非為植入區域至非植入區域之二分製程變化。 同樣地，藉由植入(implantation)所形成之埋植區域可造成此埋植區域與通過其進行植入之面之間之區域中亦有部分植入。因此，圖式中所繪示之區域僅為示意性質，且其形狀非旨在繪示裝置之區域的實際形狀，且並非旨在侷限本發明之實施例之範疇。
除非另行定義，否則在此所使用之用語(包括技術及科學用語)具有與本發明所屬領域具有通常知識者一般理解之相同意思。且將進一步理解的是，那些於一般使用字典中所定義之用語應解釋為具有與相關領域之文獻中之意義相符之意義，且除非於此明確地定義，否則將不予以理想化或過度正式化地詮釋。
第1圖係為根據範例實施例之有機發光顯示裝置之平面圖，而第2圖係為沿第1圖之I-II線段所截取之剖面圖。
參照第1圖及第2圖，有機發光顯示(organic light emitting display,OLED)裝置可包括基板100、第一電極110、像素定義層120、第一疏水性圖案130、至少一電荷傳遞層、第二疏水性圖案160a、有機發光層170及第二電極180。於範例實施例中，該至少一電荷傳遞層可包括電洞注入層(hole injection layer,HIL)140及/或電洞傳輸層(hole transfer layer,HTL)150。
基板100可包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明塑膠基板等。舉例而言，透明塑膠基板可包括聚醯亞胺(polyimide)、丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚(polyether)等。
基板100可包括複數個像素區(I)及一非像素區(II)。此複數個像素區(I)可佈置於第一方向及與第一方向實質垂直之第二方向上，以及非像素區(II)可環繞此複數個像素區(I)。此複數個像素區(I)可對應於用以從有機發光層170產生之光之區域，而非像素區(II)可使得此複數個像素區(I)彼此分隔開。
第一電極110可設置於基板100之像素區(I)上。第一電極110可根據有機發光顯示裝置之發光類型，而為反射電極或透射電極。於範例實施例中，當第一電極110為透射電極時，第一電極110可包括銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鋅錫氧化物(zinc tin oxide,ZTO)、鎵錫氧化物(gallium tin oxide,GTO)、鋅氧化物(zinc oxide,ZnOx)、銦氧化物(indium oxide,InOx)、 錫氧化物(tin oxide,SnOx)、鎵氧化物(gallium oxide,GaOx)或上述氧化物之混合物。於一些範例實施例中，當第一電極110為反射電極時，第一電極110可包括鋁(aluminum,Al)、鎢(tungsten,W)、銅(copper,Cu)、鎳(nickel,Ni)、鉻(chromium,Cr)、鉬(molybdenum,Mo)、鈦(titanium,Ti)、鉑(platinum,Pt)、銀(silver,Ag)、鉭(tantalum,Ta)、釕(ruthenium,Ru)或上述金屬之合金。
當有機發光顯示裝置具有主動矩陣型(active matrix type)，切換結構(未繪示)可設置於基板100與第一電極110之間。此切換結構可包括切換裝置(未繪示)及至少一絕緣層(未繪示)。於範例實施例中，切換裝置可包括薄膜電晶體，且此薄膜電晶體具有包含矽之半導體層。於一些範例實施例中，切換裝置可包括氧化物半導體裝置，且此氧化物半導體裝置具有包含氧化物半導體之主動層。於此情況下，第一電極110可電性連接此切換裝置。
像素定義層120可設置於基板之非像素區(II)上。於範例實施例中，像素定義層120可設置於相鄰於第一電極110，且像素定義層120之一部分重疊於第一電極110。亦或者，像素定義層120可不重疊於第一電極110。於範例實施例中，位於基板110上之像素定義層120可延伸於如第1圖所示之第一方向及第二方向上。舉例而言，像素定義層120可具有約100奈米至約400奈米之第一厚度(T1)。
像素定義層120之側壁相對於基板100之上表面可具有預定角度。舉例而言，像素定義層120之側壁相對於基板100之上表面可具有低於約45度之角度。亦即，像素定義層120可具有相對緩坡。
第一疏水性圖案130可設置於位於非像素區(II)中之像素定義層120上。此第一疏水性圖案130可延伸於第一方向及第二方向上。 於此情況下，第一疏水性圖案130可不重疊於第一電極110。於實施例中，第一疏水性圖案130可部分覆蓋像素定義層120。亦或者，第一疏水性圖案130可充分或完全地覆蓋像素定義層120。
於範例實施例中，第一疏水性圖案130可包括具有相對小之導電率及疏水特性之材料，亦即具有相對較小之表面能量。舉例而言，第一疏水性圖案130可具有約30奈米至約100奈米之第二厚度(T2)。也就是說，第一疏水性圖案130之第二厚度(T2)可小於像素定義層120之第一厚度(T1)。
電洞注入層(hole injection layer,HIL)140可設置於第一電極110及像素定義層120上。電洞注入層140可推動電洞從第一電極110注入有機發光層170中。舉例而言，電洞注入層140可包括銅酞菁(CuPc,cupper phthalocyanine)、聚(3,4)-乙撐二氧噻吩(PEDOT,poly(3,4)-ethylenedioxythiophene)、聚苯胺(PANI,polyaniline)、N，N-二萘N，N'-二苯基聯苯胺(NPD,N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)等，然而，電洞注入層140中之材料並不侷限於此。於範例實施例中，複數個電洞注入層140可根據像素區(I)之配置，而佈置於第一方向及第二方向上。
電洞傳輸層(hole transfer layer,HTL)150可位於電洞注入層140上。電洞傳輸層150可改善來自電洞注入層140之電洞移動。舉例而言，電洞傳輸層150可包括N，N-二萘N，N'-二苯基聯苯胺(NPD, N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)、N，N'-雙-(3-甲基苯基)-N，N'-雙-(苯基)-聯苯胺(TPD,N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine)、s-TAD、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(MTDATA,4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)等，然而，電洞傳輸層150中之材料可不侷限於此。於範例實施例中，複數個電洞傳輸層150可根據像素區(I)之配置，而佈置於第一方向及第二方向上。
於範例實施例中，電洞注入層140及電洞傳輸層150可被設置以不重疊於具有相對較小之表面能量之第一疏水性圖案130。因此，每一電洞注入層140及每一電洞傳輸層150可彼此相互電性分離。
第二疏水性圖案160a可設置於位於非像素區(II)中之像素定義層120、第一疏水性圖案130及/或電洞傳輸層150上。第二疏水性圖案160a可不重疊於第一電極110。於範例實施例中，第二疏水性圖案160a可部分覆蓋像素定義層120。於一些範例實施例中，第二疏水性圖案160a可充分地或完全地覆蓋像素定義層120。
於範例實施例中，如第9A圖所示，第二疏水性圖案160b可延伸於第一方向及第二方向上以形成格子結構(lattice structure)。於一些範例實施例中，如第9B圖所示，第二疏水性圖案160a可延伸於第二方向上。
第二疏水性圖案160a可包括具有低於約20達因/平方公分(dyne/cm2)之表面能量之疏水材料。而且，第二疏水性圖案160a可具有 約500奈米至約3微米之第三厚度(T3)。亦即，第二疏水性圖案160a之第三厚度(T3)可大於像素定義層120之第一厚度(T1)。
有機發光層170可設置於電洞傳輸層150之上表面上、像素定義層120之上表面上、第二疏水性圖案160a之側壁上。位於第二疏水性圖案160a之側壁上之有機發光層170之一部分可具有實質不均勻的厚度。而第一疏水性圖案130及第二疏水性圖案160a可被設置以不重疊於像素區(I)中之第一電極110，藉以使得位於像素區(I)中之電洞傳輸層150上之有機發光層170之一部分可具有實質均勻的厚度。亦即，有機發光層170於像素區(I)中可具有實質均勻的厚度，藉以使得有機發光層170於像素區(I)中可產生具有實質均勻強度的光線。
有機發光層170可包括產生紅色光、綠色光及藍色光之至少其一之有機材料或有機材料與無機材料之混合物。於一些範例實施例中，有機發光層170包括具有用以發出紅色光、綠色光及藍色光之發光層之堆疊結構以產生白色光。
第二電極180可覆蓋位於像素區(I)與非像素區(II)中之有機發光層170及第二疏水性圖案160a。第二電極180可根據第一電極110之型式，而為反射電極或透射電極。當第一電極110為透射電極時，第二電極180可為反射電極。於此情況下，第二電極180可包括鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鉬、鈦、鉑、銀、鉭、釕或上述金屬之合金。亦或者，當第一電極110為反射電極時，第二電極180可為透射電極且可包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵錫氧化物、鋅氧化物、銦氧化物、錫氧化物、鎵氧化物或上述氧化物之混合物。
於實施例中，第一電極110可作為陽極，且如第2圖所示，電洞注入層140及電洞傳輸層150可設置於第一電極110及有機發光層170之間。然而，本發明之發明概念並不侷限於上述之結構。於一些範例實施例中，第一電極110可作為陰極。於此情況下，電子注入層及電子傳輸層可設置於第一電極110及有機發光層170之間。
根據範例實施例，具有相對小之導電率之第一疏水性圖案130可設置於像素定義層120上，藉以使得每一電洞注入層140及每一電洞傳輸層150可彼此相互分隔開。因此，可禁止或降低干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)中之電洞注入層140及電洞傳輸層150中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層140及電洞傳輸層150中。再者，第二疏水性圖案160a可具有相對較大之厚度，藉以使得每一有機發光層170之材料不會彼此相互混合。
第3圖係為描繪根據一些範例實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖。
參照第3圖，有機發光顯示裝置可包括基板100、第一電極110、像素定義層120、第一疏水性圖案130、電洞注入層140、有機發光層170及第二電極180。第3圖所示之有機發光顯示裝置可具有與參照第1圖及第2圖所述之有機發光顯示裝置實質相同或實質類似之結構，除了電洞傳輸層150及第二疏水性圖案160a外。
第一電極110可設置於基板100之像素區(I)上，而像素定義層120可設置於基板100之非像素區(II)上。
第一疏水性圖案130可被設置以部分地或完全地覆蓋像素定義層120。第一疏水性圖案130可包括具有相對小之導電率及具有疏水特性之材料。並且，第一疏水性圖案130可具有約30奈米至約100奈米之厚度。
電洞注入層140可設置於第一電極110及像素定義層120上，且有機發光層170可設置於電洞注入層140上。電洞傳輸層(未繪示)更可設置於電洞注入層及有機發光層170之間。此電洞注入層140及有機發光層170可包括實質相同或實質相似於第2圖所示之電洞注入層140及有機發光層170之材料。
第二電極180可覆蓋位於像素區(I)及非像素區(II)中之有機發光層170及第一疏水性圖案130上。
根據範例實施例，具有相對小之導電率之第一疏水性圖案130可設置於像素定義層120上，藉以使得每一電洞注入層140可彼此相互分隔開。因此，可禁止或降低干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)之電洞注入層140中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層140中。
第4圖至第11圖係為描繪根據範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之剖視圖。第12圖至第14圖係為描繪根據不同範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之剖視圖。
參照第4圖，第一電極110可設置於基板100上。
於範例實施例中，基板100可包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明塑膠基板等。更甚者，基板100可包括可撓性基板。 基板100可包括複數個像素區(I)及一非像素區(II)。此複數個像素區(I)可佈置於第一方向及與第一方向實質垂直之第二方向上，而非像素區(II)可環繞此複數個像素區(I)。
第一電極110可設置於基板100之像素區(I)上。於形成導電層於基板上後，此導電層可被圖案化以形成第一電極110。因此，複數個第一電極110可被形成以對應於複數個像素區(I)。
第一電極110可根據有機發光顯示裝置之發光類型，而為反射電極或透射電極。當此有機發光顯示裝置具有底部發射類型時，可使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵錫氧化物、鋅氧化物、銦氧化物、錫氧化物、鎵氧化物或上述氧化物之混合物形成導電層。當此有機發光顯示裝置具有頂部發射類型時，可使用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鉬、鈦、鉑、銀、鉭、釕或上述金屬之合金形成導電層。
當有機發光顯示裝置具有主動矩陣型時，切換結構(未繪示)可形成於基板100與第一電極110之間。此切換結構可電性連接第一電極110。
參照第5圖，像素定義層120可形成於基板100上。此像素定義層120可被形成以對應於基板100之非像素區(II)。於此情況下，像素定義層120可設置於相鄰於第一電極110，且像素定義層120之一部分重疊於第一電極110。於實施例中，像素定義層120可擴張於第一方向及第二方向上。舉例而言，像素定義層120可具有約100奈米至約400奈米之相對小之厚度。
像素定義層120之側壁相對於基板100之上表面可具有一預定角度。舉例而言，像素定義層120之側壁相對於基板100之上表面可具有小於約45度之角度。亦即，像素定義層120可具有相對緩坡。
參照第6圖，第一疏水性圖案130可形成於像素定義層120上。其中，可藉由平板印刷製程(offset printing process)、凹板平板印刷製程(gravure offset printing process)、反凹板平板印刷製程(gravure reverse offset printing process)、噴墨印刷製程(inkjet printing process)、噴嘴印刷製程(nozzle printing process)、T形噴射製程(T-jet process)、壓印製程(stamping process)、電鍍噴佈製程(electro spray process)或雷射引發熱成像(laser induced thermal imaging process)，形成第一疏水性圖案130。
第一疏水性圖案130可使用具有相對小之導電率及具有疏水特性之材料形成。舉例而言，第一疏水性圖案130可具有導電率小於形成於第一電極110上之電荷傳遞層之導電率。而且，第一疏水性圖案130可具有低於約20達因/平方公分(dyne/cm2)之表面能量，且可具有約30奈米至約100奈米之厚度。
於範例實施例中，第一疏水性圖案130可部分覆蓋像素定義層120，或完全地覆蓋像素定義層120。於此情況下，第一疏水性圖案130可不重疊於第一電極110。
參照第7圖，至少一電荷傳遞層可形成於第一電極110上。於範例實施例中，電荷傳遞層可包括電洞注入層140及/或電洞傳輸層150。電洞注入層140可藉由狹縫塗佈製程(slit coating process)、橫桿 塗佈製程(bar coating process)或旋塗製程(spin coating process)，形成於第一電極110及像素定義層120上。另一方面，電洞傳輸層150可藉由狹縫塗佈、橫桿塗佈製程或旋塗製程，形成於電洞注入層140上。
於範例實施例中，在形成電洞注入層140及電洞傳輸層150之塗佈程序期間，可將塗佈溶液充分地塗佈於具有第一電極110及像素定義層120之基板100上。像素定義層120可具有低於約400奈米之相對小之厚度，且像素定義層120之側壁相對於基板100之上表面可具有小於約45度之角度，藉以使得塗佈溶液可保形地塗佈於第一電極110及像素定義層120上。然而，塗佈溶液可不塗佈於具有相對小之表面能量之第一疏水性圖案130上。因此，電洞注入層140及電洞傳輸層150可不需經過圖案化程序，即被形成以對應於此複數個像素區(I)。再者，第一疏水性圖案130之導電率可小於電洞注入層140及電洞傳輸層之導電率，藉以禁止或降低干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)之電洞注入層140及電洞傳輸層150中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層140及電洞傳輸層150中。
參照第8圖，第二疏水性圖案160a可形成於像素定義層120上以覆蓋第一疏水性圖案130。第二疏水性圖案160a可藉由實質相同或實質相似於形成第一疏水性圖案130之方法而形成。
於範例實施例中，第二疏水性圖案160a可使用具有低於約20達因/平方公分(dyne/cm2)之表面能量之疏水材料形成。舉例而言，第二疏水性圖案160a可具有約500奈米至約3微米之厚度。
於範例實施例中，第二疏水性圖案160a可部分地或完全地覆蓋像素定義層120。第二疏水性圖案160a可不重疊於第一電極110。
於範例實施例中，如第9A圖所示，第二疏水性圖案160b可延伸於第一方向及第二方向上以形成格子結構(lattice structure)。於另外之範例實施例中，如第9B圖所示，第二疏水性圖案160a可延伸於第二方向上。
參照第10圖，有機發光層170可形成於電洞傳輸層150上。
有機發光層170可藉由液相圖案化程序，形成於電洞傳輸層150之上表面以及第二疏水性圖案160a之側壁上。舉例而言，液相圖案化程序可包括噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、T形噴射製程、壓印製程或電鍍噴佈製程。位於第二疏水性圖案160a之側壁上之有機發光層170之一部分可具有實質不均勻的厚度。而第一疏水性圖案130及第二疏水性圖案160a可被設置以不重疊於像素區(I)中之第一電極110，藉以使得位於像素區(I)中之電洞傳輸層150上之有機發光層170之一部分可具有實質均勻的厚度。亦即，有機發光層170於像素區(I)中可具有實質均勻的厚度，藉以使得有機發光層170於像素區(I)中可產生具有實質均勻強度的光線。
有機發光層170可包括產生紅色光、綠色光及藍色光之至少其一之有機材料或有機材料與無機材料之混合物。於一些範例實施例中，有機發光層170包括具有用以發出紅色光、綠色光及藍色光之發光層之堆疊結構以產生白色光。
於範例實施例中，每一像素區(I)可藉由具有相對較大之厚度之第二疏水性圖案160a而相互分隔開，藉以使得於液相圖案化程序中，像素區(I)中之有機材料不會與其他像素區(I)中之有機材料相互混合。
於其他範例實施例中，當有機發光顯示裝置具有傳統RGB類型之像素佈置時，亦即相同顏色之像素區係排列於第二方向，則延伸於第二方向之第二疏水性圖案160b可防止或降低有機材料之混合。
參照第11圖，第二電極可形成於像素區(I)與非像素區(II)中之有機發光層170及第二疏水性圖案160a上。
第二電極180可根據第一電極110之型式，而為反射電極或透射電極。當第一電極110為透射電極時，第二電極180可為反射電極。 於此情況下，可使用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鉬、鈦、鉑、銀、鉭、釕或上述金屬之合金，以形成第二電極180。亦或者，當第一電極110為反射電極時，第二電極180可為透射電極，且可使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵錫氧化物、鋅氧化物、銦氧化物、錫氧化物、鎵氧化物或上述氧化物之混合物，以形成第二電極180。
於範例實施例中，第一電極110可作為陽極，且電洞注入層140及電洞傳輸層150可設置於第一電極110及有機發光層170之間。然而，本發明之發明概念並不侷限於上述之結構。於一些範例實施例中，第一電極110可作為陰極。於此情況下，電子注入層及電子傳輸層可設置於第一電極110及有機發光層170之間。
根據範例實施例，具有相對小之導電率之第一疏水性圖案130可設置於像素定義層120上，藉以使得每一電洞注入層140及每一電洞傳輸層150可彼此相互分隔開。因此，可禁止干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)之電洞注入層140及電洞傳輸層150中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層140及電洞傳輸層150中。再者，第二疏水性圖案160a可具有相對較大之厚度，藉以使得每一有機發光層170之材料不會彼此相互混合。
第12圖至第14圖係為根據一些範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之剖視圖。
參照第12圖，第一電極110、像素定義層120、第一疏水性圖案130及電洞注入層140可形成於基板100上。用以形成此第一電極110、像素定義層120、第一疏水性圖案130及電洞注入層140之程序可實質相同或實質相似於那些用以形成如第4圖至第6圖所示之第一電極110、像素定義層120、第一疏水性圖案130及電洞注入層140之程序。
電洞注入層140可藉由狹縫塗佈製程、橫桿塗佈製程或旋塗製程，形成於第一電極110及像素定義層120上。於此情況下，電洞注入層140可不形成於具有相對小之表面能量之第一疏水性圖案130上。再者，第一疏水性圖案130之導電率可小於電洞注入層140導電率，藉以禁止干擾現象。亦即，注入選定之像素區(I)之電洞注入層140中之電洞不會遷移至非選定之像素區(I)之電洞注入層140中。
參照第13圖，有機發光層170可形成於電洞注入層140上。
有機發光層170可藉由噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、T形噴射製程、壓印製程或電鍍噴佈製程形成於電洞注入層140之上表面上。
有機發光層170可被設置以不重疊於第一疏水性圖案130，藉以使得位於像素區(I)中之電洞注入層140上之有機發光層170之一部分可具有實質均勻的厚度。亦即，有機發光層170於像素區(I)中可具有實質均勻的厚度，藉以使得有機發光層170於像素區(I)中可產生具有實質均勻強度的光線。
於範例實施例中，每一像素區(I)可藉由第一疏水性圖案130相互分隔開，藉以使得對於像素區(I)之有機發光層170不會與其他像素區(I)之其他有機發光層170相互混合。
參照第14圖，第二電極180可形成於像素區(I)與非像素區(II)中之有機發光層170及第一疏水性圖案130上。第二電極180可完全地覆蓋像素區(I)及非像素區(II)。第二電極180可藉由實質相同或實質相似於第11圖所示之程序而形成。
以上所述為範例實施例之說明，而非解釋為其限制。雖然本發明已描述部分範例實施例，其將為所屬技術領域具有通常知識者所了解的是，在未顯著地脫離本發明之教示與優點下，實施例中之各種修改是可能的。因此，所有的修改係包含於如申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。於申請專利範圍中，手段功能條款係用以涵蓋於此所述結構作為執行所述功能，不僅包含結構性等效物，更包含任何可執行此功能之等效結構。因此，將理解的是，以上所述之各個實施例僅為舉 例性，而非為限制所揭露之特定實施例，且所揭露之實施例及其他實施例之修改，均應包含於後附申請專利範圍之範疇中。
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧像素定義層
130‧‧‧第一疏水性圖案
140‧‧‧電洞注入層
150‧‧‧電洞傳輸層
160a‧‧‧第二疏水性圖案
170‧‧‧有機發光層
180‧‧‧第二電極
(I)‧‧‧像素區
(II)‧‧‧非像素區
T1‧‧‧第一厚度
T2‧‧‧第二厚度
T3‧‧‧第三厚度

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板，具有一像素區及環繞該像素區之一非像素區；一第一電極，設置於該基板上之該像素區中；一像素定義層，設置於該基板上之該非像素區中；一第一疏水性圖案，設置於該像素定義層上；至少一電荷傳遞層，設置於該第一電極上；一第二疏水性圖案，設置於該像素定義層上以覆蓋該第一疏水性圖案；一有機發光層，設置於該至少一電荷傳遞層上；以及一第二電極，設置於該有機發光層上；其中該第一疏水性圖案具有小於該像素定義層的厚度的一厚度，且該第一疏水性圖案的該厚度小於該第二疏水性圖案的厚度；其中該第一疏水性圖案係在該像素定義層以及該第二疏水性圖案彼此重疊的一區域中與該電荷傳遞層接觸；其中該至少一電荷傳遞層並沒有設置在該第一疏水性圖案以及該第二疏水性圖案之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案及該第二疏水性圖案各具有低於約20達因/平方公分(dyne/cm2)之表面能量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案具有之導電率低於該至少一電荷傳遞層之導電率。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層具有約100奈米至約400奈米之厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一電荷傳遞層包括一電洞傳輸層及一電洞注入層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一電荷傳遞層包括一電子傳輸層及一電子注入層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該電荷傳遞層之一部分重疊於該像素定義層，且其中該第二疏水性圖案可覆蓋該電荷傳遞層之該部分。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案及該第二疏水性圖案不重疊於該第一電極。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案之厚度小於該像素定義層之厚度，且該第二疏水性圖案之厚度可大於該像素定義層之厚度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案及該第二疏水性圖案延伸於一第一方向及實質垂直於該第一方向之一第二方向上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一疏水性圖案延伸於一第一方向及實質垂直於該第一方向之一第二方向上，且該第二疏水性圖案延伸於該第二方向上。
  12. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含：形成一第一電極於一基板上；形成一像素定義層於該基板上，且相鄰於該第一電極； 形成一第一疏水性圖案於該像素定義層上；形成至少一電荷傳遞層於該第一電極上；形成一第二疏水性圖案於該像素定義層上以覆蓋該第一疏水性圖案；形成一有機發光層於該至少一電荷傳遞層上；以及形成一第二電極於該有機發光層及該第二疏水性圖案上；其中該第一疏水性圖案具有小於該像素定義層的厚度的一厚度，且該第一疏水性圖案的該厚度小於該第二疏水性圖案的厚度；其中該第一疏水性圖案係在該像素定義層以及該第二疏水性圖案彼此重疊的一區域中與該電荷傳遞層接觸；其中該至少一電荷傳遞層並沒有設置在該第一疏水性圖案以及該第二疏水性圖案之間。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該第一疏水性圖案之步驟係藉由執行選自於平板印刷製程、凹板平板印刷製程、反凹板平板印刷製程、噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、T形噴射製程、壓印製程、電鍍噴佈製程及雷射引發熱成像之族群中之一製程所形成，而形成該第二疏水性圖案之步驟係藉由執行選自於平板印刷製程、凹板平板印刷製程、反凹板平板印刷製程、噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、T形噴射製程、壓印製程、電鍍噴佈製程及雷射引發熱成像之族群中之一製程所形成。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該至少一電荷傳遞層之步驟係藉由執行選自於狹縫塗佈製程、橫桿塗佈製程 及旋塗製程之族群中之一製程所形成，該至少一電荷傳遞層完全覆蓋該第一電極，該至少一電荷傳遞層部分覆蓋該像素定義層。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該至少一電荷傳遞層包括一電洞傳輸層及一電洞注入層。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該至少一電荷傳遞層包括一電子傳輸層及一電子注入層。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該基板具有複數個像素區及環繞該複數個像素區之一非像素區，且該複數個像素區係佈置於一第一方向及實質垂直於該第一方向之一第二方向上，且其中該第一電極形成於該複數個像素區中，且該像素定義層、該第一疏水性圖案及該第二疏水性圖案形成於該非像素區中。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該電荷傳遞層之一部分重疊於該像素定義層，且該第二疏水性圖案覆蓋該電荷傳遞層之該部分。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一疏水性圖案及該第二疏水性圖案部分地或完全地覆蓋該像素定義層。
  20. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含：形成一第一電極於一基板上；形成一像素定義層於該基板上，且相鄰於該第一電極；形成一第一疏水性圖案於該像素定義層上；形成至少一電荷傳遞層於該第一電極上； 形成一第二疏水性圖案於該像素定義層上以覆蓋該第一疏水性圖案；形成一有機發光層於該至少一電荷傳遞層上；以及形成一第二電極於該有機發光層及該第一疏水性圖案上，其中該第一疏水性圖案具有之導電率低於該至少一電荷傳遞層之導電率；其中該第一疏水性圖案具有小於該像素定義層的厚度的一厚度，且該第一疏水性圖案的該厚度小於一第二疏水性圖案的厚度；其中該第一疏水性圖案係在該像素定義層以及該第二疏水性圖案彼此重疊的一區域中與該電荷傳遞層接觸；其中該至少一電荷傳遞層並沒有設置在該第一疏水性圖案以及該第二疏水性圖案之間。
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