CN105097868B - 有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种有机发光器件(OLED)，该有机发光器件包括：其上形成有驱动晶体管的基板；形成在基板上的为像素区域提供边界的堤坝；形成在基板上并与驱动晶体管电连接的第一电极，第一电极包括均沿垂直于基板的竖直方向的方向取向的第一截面区和第二截面区，第一截面区与堤坝相邻，第二截面区被第一截面区包围；形成在第一电极上堤坝由所提供的边界内的有机层；以及形成在有机层上的第二电极，其中在OLED操作期间，第一电极的第一截面区与第二电极之间的第一电场大于第一电极的第二截面区与第二电极之间的第二电场。

Description

有机发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年5月20日提交的韩国专利申请第10-2014-0060217号的优先权和权益，通过引用将其如在本文中完全阐述的那样并入本文以用于所有目的。
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件及其制造方法。
背景技术
在平板显示器领域中，目前为止低功耗的液晶显示器(LCD)已广泛使用。然而，由于液晶显示器件是本身不能发光的非发射器件，所以在亮度、对比度视野角(contrastratio viewing angle)、大面积等方面存在许多缺点。
液晶显示器通过使用电场控制液晶的透光率来显示图像。液晶显示器包括以矩阵形式布置有液晶单元的液晶面板和用于驱动液晶面板的驱动电路。
有机发光器件利用电致发光现象发光，当电流在两电极之间流过时，置于电极之间的有机化合物发光。此外，有机发光显示器件是一种用于通过控制流至有机化合物的电流量以调节所发出的光的量来显示图像的器件。
有机发光显示器件的优点在于：可以通过使用电极之间的薄的有机化合物进行发光而使有机发光显示器件轻薄化。
然而，当包括器件的层通过溶液工艺形成的情况下，存在发光均匀性下降和发光效率降低的问题。
发明内容
为解决现有技术中的上述问题在本申请中作了详细描述，并且本公开内容的一个方面是提供一种防止发光均匀性下降并且提高发光效率的有机发光器件。
根据一个实施方案，显示器件包括有机发光器件(OLED)，有机发光器件本身包括：其上形成有驱动晶体管的基板；形成在基板上的为像素区域提供边界的堤坝(bank)；形成在基板上并与驱动晶体管电连接的第一电极，第一电极包括第一截面区和第二截面区，第一截面区和第二截面区均沿垂直于基板的竖直方向的方向取向，第一截面区与堤坝相邻，第二截面区被第一截面区包围；形成在第一电极上堤坝由所提供的边界内的有机层；以及形成在有机层上的第二电极，其中在OLED操作期间，第一电极的第一截面区与第二电极之间的第一电场大于第一电极的第二截面区与第二电极之间的第二电场。
如本示例性实施方案所示，本发明各种实施方案能够在有机发光器件中防止发光均匀性下降并且提高发光效率。
附图说明
图1是示出应用示例性实施方案的有机发光显示器件的系统构造的图。
图2是示意性地示出根据一个实施方案的有机发光器件的平面图。
图3是示出根据一个实施方案的有机发光器件的一个实施例的沿着图2中的线A-A′所取的截面图。
图4是示出根据一个实施方案的有机发光器件的另一实施例的沿着图2中的线A-A′所取的截面图。
图5是示出根据一个实施方案的有机发光器件的另一实施例的沿着图2中的线A-A′所取的截面图。
图6是示出根据一个实施方案的有机发光器件的又一实施例的沿图2中的线A-A′所取的截面图。
图7A至图7G是示出根据另一实施方案的用于制造图3中的有机发光器件的方法的截面图。
图8A至图8G是示出根据另一实施方案的用于制造图3中的有机发光器件的方法的截面图。
图9A至图9G是示出根据又一实施方案的用于制造图5中的有机发光器件的方法的截面图。
图10A至图10G是示出根据另一实施方案的用于制造图5中的有机发光器件的方法的截面图。
图11是示意性示出根据又一实施方案的有机发光器件的平面图。
图12是图11的电路图。
图13是示出根据又一实施方案的有机发光器件的一个实施例的沿着图11中的线B-B′所取的截面图。
图14是示出根据又一实施方案的有机发光器件的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图对本发明的几个实施方案进行描述。在下面的描述中，相同的元件将用相似的附图标记表示，即使它们在不同的附图中示出也是如此。此外，在本发明的以下描述中，为避免可能使本发明的主题不清楚，本文中所并入的公知功能和构造的详细描述有时将会被省略。
另外，在本文中当描述本发明的部件时可以使用术语例如第一、第二、A、B、(a)、(b)等。这些专门术语中的每个都不是用于限定相应部件的实质、次序或数量，而仅仅用于使相应部件与其他部件区分。应当注意的是，如果在说明书中描述有一个部件“连接”、“耦合”或“接合”到另一元件，则虽然第一部件可以直接连接、耦合或接合到第二部件，但是第一部件与第二部件之间可以“连接”，“耦合”和“接合”有第三部件。
图1是示出应用示例性实施方案的有机发光显示器件的系统构造的图。
参照图1，有机发光显示器件100可以包括时序控制器110、数据驱动单元120、栅极驱动单元130和有机发光部件140。
时序控制器110对从外部系统14接收的与液晶显示面板16的分辨率相符合的数字视频数据RGB进行重置并将重置后的数字视频数据RGB供给到数据驱动电路12。时序控制器110还通过使用外部时序信号(例如水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync)、图像数据RGB、来自外部系统的时钟信号DCLK来生成用于控制数据驱动电路120操作时序的数据控制信号DCS和用于控制栅极驱动电路130操作时序的栅极控制信号GCS。时序控制器110还可以将来自外部系统的图像数据(数据)转换成能够使用数据驱动器120的数据信号格式并将转换后的图像数据RGB′供给到数据驱动器120。
数据驱动器120可以响应于转换后的视频数据(数据′)和从时序控制器110接收到的数据控制信号而将视频数据RGB转换成数据信号(模拟像素信号或数据电压)例如对应于灰度的电压并且将其供给到数据线。
栅极驱动器130可以响应于来自时序控制器110的栅极控制信号而将扫描信号(栅极脉冲、扫描脉冲或栅极导通信号)供给到栅极线并且将其供给到栅极线。
显示面板140上的各个像素被以矩阵形式限定在第一基板上的各个相交区域处，在相交区域处沿一个方向延伸的多个数据线D1至Dn与沿另一个方向延伸的多个栅极线G1至Gn相交。显示面板140上的各个像素可以是包括作为第一电极的阳极、作为第二电极的阴极和有机发光层的至少一个有机发光器件。
图2是示意性示出根据一个实施方案的有机发光器件的平面图。
参照图2，有机发光器件200可以包括：基板202；形成在基板202上的驱动晶体管212；形成在基板202上并且对像素区域的边界进行限定的堤坝或像素限定层218；形成在基板202上并与驱动晶体管212电连接的第一电极214，其中流过与堤坝相邻的第一截面区214a的电流的量大于流过第二截面区214b的电流的量；形成在基板202上的对应于像素区域的有机层(未示出)以及形成在有机层上的第二电极(未示出)。第一电极214的边缘与堤坝218部分交叠。
第一电极214中的第一截面区214a包括包含ITO(铟锡氧化物)、FTO(氟掺杂氧化锡)、ATO(锑锡氧化物)、AZO(铝掺杂氧化锌)和IZO(铟锌氧化物)中的之一的单层或包含ITO、FTO、ATO、AZO和IZO中的两者或更多者的多层。在第一截面区214a包括多层的情况下，第一绝缘层216还包括在第一电极和有机层之间的至少台阶部分。
有机发光器件200可以包含多条电线。该多条电线包括：沿一个方向即图2中的竖直方向延伸并且分别传输扫描信号或栅极信号的扫描线；沿另一个方向即图2的水平方向延伸并且分别传输数据信号的数据线；以及供给高压电力的电源线(在下文中称为“VDD线”)。VDD线与扫描线平行地隔开。扫描线沿竖直方向延伸到栅极焊盘(未示出)并且数据线沿图2中的水平方向延伸到数据焊盘(未示出)。
数据线206和VDD线208可以利用Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu、ALND、MoTi等中的至少一种金属或合金的单层或多层形成。
有机发光器件200可以包括电极214和在像素区处的有机层，该像素区被限定在扫描线204和数据线206之间的各个相交部分处，并且该有机层根据从形成在基板202上的晶体管209和晶体管212供给的电流而发射光。
第一电极214通过第一接触孔242连接到驱动晶体管212的一端，驱动晶体管212的另一端连接到VDD线208，并且VDD线208连接到存储电容器210。存储电容器210通过第三接触孔246连接到开关晶体管209的一端，并且开关晶体管209的另一端通过第二接触孔244连接到数据线206。扫描线204连接到开关晶体管209的栅极。
从有机发光器件200的电功能来看，开关晶体管209通过经由扫描线204供给的扫描信号而导通，使得通过数据线206供给的数据信号被发送到驱动晶体管212的栅电极。存储电容器210可以存储通过开关晶体管209供给的数据信号并且在预定时间期间保持上述导通状态。驱动晶体管212响应于存储在存储电容器210中的数据信号而被驱动。驱动晶体管212可以响应于数据信号来控制供给到第一电极214的驱动电流或驱动电压。
如果驱动晶体管被驱动，则有机层的发光层可以通过经由VDD线供给的电流而发射光。当通过驱动晶体管212供给的驱动电流被传输到第一电极214并且通过有机层流至第二电极时，电子和空穴在有机层进行复合以发射光。
下文中，将参照根据各种实施方案沿线A-A′的所取的部分对有机发光器件200的结构进行描述。
有机发光器件包括有机层，该有机层在许多情况下被弯曲成凹状。通常，这是由于生成有机发光器件的过程而引起。该弯曲所引起的后果是，有机发光器件的亮度由于由弯曲而引起的有机层的变化的厚度而发生变化。更具体地，变化的厚度影响有机层任一侧上的第一电极和第二电极之间的电场，导致有机层较厚的地方器件较亮而有机层较薄的地方器件较暗。
有机发光器件被构造成抵消电场中的这种差。这可以根据实现方案通过很多不同方式实现。通常，这通过使第一电极第一截面区附近的电场相对较大，和/或通过使第一电极第二截面区附近的电场相对较小来实现。就除电场之外的其他量而言，也可如此。例如，可以使流过与堤坝相邻的第一截面区的电流量大于流过第二截面区的电流量，和/或使第一截面区域处的电压量大于第二截面区处的电压量。
不同实现方案可以使用有机发光器件的不同构造来实现这一目的。在一个实施方案中，第一电极沿垂直于基板竖直方向与堤坝相邻的第一截面区的厚度高于第一电极与堤坝不相邻的第二截面区的厚度，使得上述第一截面区的电场大于上述第二截面区的电场。在此，第一电极中的与堤坝相邻的区包括单层或多层。
在另一实施方案中，使用具有不同比电阻的不同材料来制造第一电极的第一截面区和第二截面区。在另一实施方案中，第一电极的第一截面区和第二截面区物理上隔开并且通过具有不同电流驱动能力的不同驱动晶体管供电。
为了使有机层整个表面上的电场均匀，绝缘层可以策略性地布置在第一电极的第一截面区与第二截面区之间的边界上或者只是第一截面区与第二截面区之间的边界上。
图3是示出根据一个实施方案的有机发光器件的一个实施例沿着图2中的线A-A′所取的截面图。
参照图2和图3，第一电极314形成在其上具有驱动晶体管212的基板302上，并且基板302上形成有限定像素区域的堤坝318。第一电极314的边缘与堤坝318部分交叠。第一电极314通过堤坝318的开口区露出并且在第一电极314上形成有有机层320。第二电极322形成为覆盖堤坝318和有机层320。
第一基板302可以是玻璃基板以及包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料基板。此外，第一基板302还可以包括缓冲层。该缓冲层用于隔绝形成在基板302上的杂元素(impure element)渗透。缓冲层可以由例如硅氮化物或硅氧化物的单层或多层形成。尽管图3中未示出，但是基板302可以包括包含栅电极、源/漏电极、栅绝缘层和有源层等的晶体管209和晶体管212。驱动晶体管212电连接到第一电极314。
第一电极314可以是阳极或阴极。第一电极314可以通过沉积工艺或液相工艺由透明导电材料和导电聚合物形成：该透明导电材料具有相对大的功函数并起阳电极(正电极)的作用，例如金属氧化物如ITO(铟锡氧化物)、FTO(氟掺杂氧化锡)、ATO(锑锡氧化物)、AZO(铝掺杂氧化锌)和IZO(铟锌氧化物)：Al或SnO2：Sb；该导电聚合物为例如聚(3-甲基-噻吩)、聚[3，4-(乙烯-1，2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯、聚苯胺等，但不限于此。此外，第一电极314可以通过溶液工艺由碳纳米管、石墨烯、银纳米线等形成。第一电极314通过使用在网型溶剂相(solvent phase of a mesh-type)中分散有纳米线的溶液工艺或使用电介质/金属/电介质结构的透明多层电极来形成为金属氧化物以制造透明电极。在顶部发射的情况下，由具有优良反射率的金属材料如铝(Al)或银(Ag)制成的反射板还可以形成为第一电极314上部和下部上的辅助电极以便于提高反射效率。
在根据一个实施方案的有机发光器件200的第一电极314中，与堤坝318相邻的第一截面区314a的厚度ha大于与堤坝318不相邻的第二截面区的厚度hb(ha＞hb)。换句话说，由于电阻值与电流所流过的第一电极314的截面面积成反比，所以第一截面区314a的电阻值小于第二截面区314b的电阻值。因此，当开关晶体管209导通时，流到第一截面区314a的电流量可以大于流到第二截面区314b的电流量。
第一电极314与有机层320之间可以存在台阶部分。在这种情况下，在第一电极和有机层之间的至少台阶部分处可以形成有第一绝缘层，但不限于此。
下面将参照图7与图8描述制造具有不同厚度的第一电极314的方法。
可以存在对像素区域进行限定并且形状为椭圆形(ellipse，oval)的堤坝318。堤坝318中包括开口以使得第一电极314露出并且堤坝318的边缘部分与第一电极314的边缘部分交叠。
通常，堤坝318具有不光滑表面，在不光滑表面上布置有各种导线和晶体管，并且堤坝318用于当在不均匀地形成有台阶的堤坝318的表面上形成有机层的情况下防止有机材料劣化。
堤坝318可以由无机绝缘材料(如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx))、有机绝缘材料(如苯并环丁烯或基于丙烯酰基的树脂)或其组合形成，但不限于此。
堤坝318可以形成为向前减缩形状(forward tapered shape)，使得有机层320和第二电极322能够由于堤坝318的向前减缩形状而在没有台阶的情况下形成。当有机层320和第二电极322在没有台阶的情况下形成时，可以提高台阶覆盖能力。
在第一电极314上的堤坝318边界内部形成有机层320。有机层320可以非限制性地包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光辅助层、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等，上述层依次层叠使得空穴和电子顺利地传输以形成激子。
根据一个实施方案的有机层320可以通过溶液工艺(如喷墨打印、卷对卷印刷、丝网印刷、喷涂、浸渍旋涂、刮刀涂布、辊轧狭缝涂布等，但不限于此)、化学气相沉积、物理气相沉积等形成。
更详细地，有机层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光辅助层、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的至少之一，并且空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、电子传输层和电子注入层中的之一通过溶液工艺形成。具体地，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和发光层(EML)通过溶液工艺形成。
然而，当包括器件的层通过溶液工艺形成的情况下，有机层320的上表面也可能形成为如图3所示的弯曲表面。也就是说，有机层320在第一截面区314a中的厚度大于有机层320在第二截面区314b即有机层320的中心区域中的厚度。当第一电极314形成为平坦表面的情况下，空穴从第一电极314到有机层320的较厚区的注入不好而使发光均匀性可以下降并且使发光效率降低。在根据一个实施方案的有机发光器件200的第一电极314中，第一截面区314a的厚度ha大于第二截面区域314b的厚度hb。因此，第一截面区314a的电阻值大于第二截面区314b的电阻值。因此，在有机发光器件导通的情况下，流到第一截面区314a的电流的量可以大于流到第二截面区314b的电流的量，从而保持发光均匀性。
在基板302的有机层320上的整个表面上形成第二电极322。第二电极322可以是阳极或阴极。在底部发射的情况下，例如第二电极337可以由单层的金属或以期望比例混合有第一金属(如银(Ag))和第二金属(如镁(Mg))的合金的多层形成。第二电极322可以使用包含有机金属墨或纳米墨如银、铝、金、镍等的溶液通过溶液工艺形成。
图4是示出根据一个实施方案的有机发光器件的又一实施例的沿图2中的线A-A′所取的截面图。
参照图4，有机层可以包括空穴注入层320a、空穴传输层320b、发光辅助层320c、发光层320d、电子传输层320e、电子注入层320f。
有机层可以由用于溶液工艺的材料形成。例如，空穴注入层320a、空穴传输层320b和发光层320d可以由用于溶液工艺的材料形成。在本说明书中，用于溶液工艺的材料可以意指用于通过溶液工艺形成有机发光器件200中的一层的材料。
详细地，空穴注入层320a由用于溶液工艺的如下材料形成：例如PEDOT：PSS(聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)))、S-P3MEET(磺化聚(噻吩-3-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2，5-二基)(sulfonated Poly(thiophene-3-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]-2，5-diyl)))、PVPTA2：TBPAHEt-PTPDEK等，但不限于此。
空穴传输层320b由用于溶液工艺的如下材料形成：例如TFP(聚(2，7-(9，9-二正辛基芴)-alt-(1，4-亚苯基-4-仲丁基苯基)亚氨基)-1，4-亚苯基)(Poly(2，7-(9，9-di-n-octylfluorene)-alt-(1，4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1，4-phenylene)))、PFO-TPATCTA(4，4′，4″-三(N-咔唑基)-三苯胺)、TAPC(1，1-二(4-(N，N′-二(对甲苯基)氨基)苯基)环己烷)、d-PBABx-TAPCX-TAPCa-NPD(N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-1，1′联苯基-4，4′-二胺)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双苯基(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺)等，但不限于此。
此外，发光层320d可以由用于溶液工艺的如下材料形成：例如作为掺杂剂的铱系配位化合物和作为基质的双极性芳香族化合物/聚合物的组合；或PPV(聚(对亚苯基亚乙烯基))、PTh(聚(噻吩)类)、氰基-PPV、PPP(聚(对亚苯基))、聚(芴)类、PFO(聚芴)、PF(聚芴)、PVK(聚(9-乙烯基咔唑))等中的之一，但不限于此。
电子传输层320e可以由用于溶液工艺的如下材料形成：例如TPBI(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TBCPFBASPPO13mCPPO1m-PhOTPBIPFN-OH等，但不限于此。
图5是示出根据一个实施方案的有机发光器件的另一实施例的沿着图2中的线A-A′所取的截面图。
参照图5，形成有对像素区域进行限定的堤坝518。第一电极514在基板502上形成。第一电极514的边缘与堤坝518部分交叠。第一电极514与驱动晶体管电连接。流到与堤坝518相邻的第一截面区514a的电流量可以变得大于流到第二截面区514b的电流量。
第一电极502可以是包括ITO(铟锡氧化物)、FTO(氟掺杂氧化锡)、ATO(锑锡氧化物)、AZO(铝掺杂氧化锌)和IZO(铟锌氧化物)：Al或SnO2：Sb中的两者或更多者的多层和导电聚合物如聚(3-甲基-噻吩)、聚[3，4-(乙烯-1，2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯、聚苯胺等。在这种情况下，可以在第一电极514与有机层520之间的台阶部分处形成第一绝缘层516。
第一电极514被分成与堤坝518相邻的第一截面区514a以及第二截面区514b即第一电极514的中心区。第一截面区514a可以包括两层。第一截面区514a被分成下层514a′和上层514a″，下层514a′和上层514a″中的各层包括ITO、FTO、ATO、AZO、IZO等中的至少之一。下层514a′和上层514a″可以是具有相同材料的单层或具有不同材料的双层。第二截面区514b也可以具有两层或更多层。
同时，第一绝缘层516可以由无机绝缘材料(如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT)、有机绝缘材料(如苯并环丁烯、基于丙烯酰基的树脂)或其组合形成，但不限于此。可以在第一电极514的第一截面区514a的台阶部分处形成第一绝缘层516，由此防止由于电荷集中而引起的劣化和当有机发光器件200导通时的漏电流。
有机层520可以形成在第一电极514上以覆盖第一绝缘层516。第二电极522可以形成在有机层520上以覆盖堤坝518和有机层520。
图6是示出根据一个实施方案的有机发光器件的又另一实施例的沿图2中的线A-A′所取的截面图。
参照图6，形成有对像素区域进行限定的堤坝618。第一电极614形成在基板602上。第一电极614的边缘与堤坝618部分交叠。第一电极614与驱动晶体管电连接。流到与堤坝618相邻的第一截面区614a的电流的量可以大于流到第二截面区614b的电流的量。
第一电极614可以是多层。在这种情况下，可以在第一电极614的最上层与有机层620之间的台阶部分处形成第一绝缘层616。与堤坝618不相邻的第二截面区614b可以是单层。
有机层620的空穴注入层620a、空穴传输层620b、发光辅助层620c、发光层620d形成在第一电极614上的堤坝618的开口部分内部。并且电子传输层620e和电子注入层620f可以形成为覆盖堤坝618和发光层620d。
有机层620可以由用于溶液工艺的材料形成，由此有利地减少大面积的显示面板的工艺数量和设备的成本。
下面将描述用于制造有机发光器件200的第一电极314、514和614的方法。
图7A至图7G是示出根据另一实施方案的用于制造图3中的有机发光器件的方法的截面图。
参照图7A至图7G，可以通过图案化工艺、灰化工艺和蚀刻工艺来形成第一电极314，图案化工艺用于使用半色调掩模或狭缝掩模732来对用于光致抗蚀剂层的材料730进行图案化。
参照图7A，在基板302上形成用于第一电极314的材料。通过在第一电极314上涂覆用于光致抗蚀剂的材料来形成光致抗蚀剂层730。用于第一电极314的材料可以由ITO、ATO、AZO、ZTO、IZO等中的之一形成。
以上工艺通过溶液工艺(如旋涂法、卷对卷工艺、丝网印刷等)、化学气相沉积、物理气相沉积等执行，但不限于此。
参照图7B，半色调掩模732包括遮光区、半透光区和透明区。用于光致抗蚀剂层730的材料不仅通过正光致抗蚀剂材料也通过负光致抗蚀剂材料进行图案化，在正光致抗蚀剂材料中去除光致抗蚀剂层的透光的区。
将半色调掩模与精确对准的位置对准，然后执行使光从光源出射到半色调掩模732并且将半色调掩模732的图案转移到基板上的曝光工艺。通过执行显影工艺或蚀刻工艺将用于光致抗蚀剂层730的被曝光的材料分解并图案化。
参照图7C和图7D，由于图案化，用于光致抗蚀剂层730的材料的与半色调掩模732的透明区732c相对应的区被完全去除，用于光致抗蚀剂层730的材料的与半色调掩模732的半透光区732b相对应的区具有高度h2，并且光致抗蚀剂层730的与半色调掩模732的遮光区732a相对应的区具有高度h1(h1＞h2)。
接着，通过湿法蚀刻或干法蚀刻工艺去除没有被用于光致抗蚀剂层730的材料覆盖的第一电极314。
参照图7E和图7F，通过利用灰化气体的灰化工艺将光致抗蚀剂层730去除到预定高度，然后露出用于第一电极的材料，并且通过控制湿法蚀刻或干法蚀刻的蚀刻比率并且去除光致抗蚀剂层730中的一些来完成图3的具有不同的厚度(ha＞hb)的第一电极314。
参照图7G，在完成堤坝318之后，依次形成有机层320和第二电极322以使得图3的有机发光器件完成。有机层可以由用于溶液工艺的材料来形成，但不限于此。
图8A至图8G是示出根据另一实施方案的用于制造图3中的有机发光器件的方法的截面图。
参照图8A至图8G，可以通过不同于图7A至图7G的制造方法的制造方法来形成第一电极314。
参照图8A，依次涂覆与图3中第一电极314具有相同高度hb的用于第一电极的材料314′和用于光致抗蚀剂层830的材料，然后通过掩模832对其表面进行曝光。与掩模832的遮光层832a相对应的光致抗蚀剂层830保持预定高度，而与透明区832b相对应的光致抗蚀剂层830被完全去除。然后通过执行湿法/干法蚀刻工艺和剥离工艺形成用于第一电极的材料314′。
参照图8A至图8F，在依次层叠有预定高度(ha-hb)的用于第一电极的材料314′和光致抗蚀剂层830′并且使用掩模832对光致抗蚀剂层830′进行图案化之后，通过湿法蚀刻或干法蚀刻去除用于第一电极的材料314″使得形成图案化的第一电极314。参照图8G，形成堤坝318，然后依次形成有机层320和第二电极322。
尽管图8A到图8G示出了使用由相同材料组成的厚度非恒定的第一电极314的情况，但各种实施方案不限于此并且第一电极314通过由不同材料组成的多层形成。
图9A至图9G是示出根据又另一实施方案的用于制造图5中的有机发光器件的方法的截面图。
参照图9A至图9G，可以通过在基板502上依次涂敷用于第一电极的大量材料514′和514″来形成第一电极514，然后通过在第一电极514上涂覆用于光致抗蚀剂层的材料来形成光致抗蚀剂层930。
参照图9B，将包括遮光区932a、半透光区932b和透明区932c的半色调掩模932与精确对准位置对准，然后执行使光从光源出射到半色调掩模932并且将半色调掩模932的图案转移到基板上的曝光工艺。通过执行对用于被曝光的光致抗蚀剂层的材料进行显影的工艺来使曝光后的光致抗蚀剂层930图案化。由于图案化，光致抗蚀剂层930的与半色调掩模932的透明区932c相对应的区被完全去除，用于光致抗蚀剂层930的材料的与半色调掩模932的遮光区932a相对应的区具有初始高度，并且用于光致抗蚀剂层930的材料的与半色调掩模932的半透射区932b相对应的区的高度被部分消除。
参照图9A至图9E，通过湿法蚀刻或干法蚀刻工艺去除没有覆盖有光致抗蚀剂层930的用于第一电极514的材料。通过灰化工艺将光致抗蚀剂层930去除到预定高度，然后露出第一电极并且通过控制湿法蚀刻或干法蚀刻的蚀刻比率并且去除光致抗蚀剂层930中的一些来形成其第一截面区514a包括多层的图5的第一电极514。参照图9F，可以在第一电极514的台阶部分处形成第一绝缘层516。
此后，形成堤坝518并且然后依次层叠有机层520和第二电极522。
尽管图9A至图9G示出了使用其第一截面区514a分别包括包含不同材料514′和514″的两层514a′和514a″的第一电极514情况，但各种实施方案不限于此并且第一电极514通过包括更加多的层或者由相同材料组成来形成。
图10A至图10G是示出根据另一实施方案的用于制造图5中的有机发光器件的方法的截面图。
参照图10A，依次涂覆第一电极的一种材料514′和光致抗蚀剂层1030的材料，并且然后通过掩模1032对其表面进行曝光。与掩模1032的遮光层1032a相对应的用于光致抗蚀剂层1030的材料保持预定高度，并且与透明区1032b相对应的用于光致抗蚀剂层1030的材料被完全去除。然后通过执行湿法/干法蚀刻工艺和剥离工艺形成第一电极514′。
参照图10B至图10E，在依次层叠第一电极的其他材料514″和用于光致抗蚀剂层1030′的材料并且使用掩模对光致抗蚀剂层1030′进行图案化之后，通过湿法蚀刻或干法蚀刻去除第一电极的其他材料514″使得形成图案化的第一电极514。参照图10F，可以在第一电极514的台阶部分处形成第一绝缘层516。参照图10G，形成堤坝518然后依次形成有机层520和第二电极522。
在下文中，下面将描述包括具有预定高度和多个层的第一电极的另一实施方案。
图11是示意性示出根据又一实施方案的有机发光器件的平面图。图12是图11的电路图。
参照图11和图12，有机发光器件1100可以包括：基板1102；在基板1102上形成的两个驱动晶体管1112a和1112b；在基板1102上形成并且对像素区域边界进行限定的堤坝或像素限定层1118；在基板1102上形成并且与两个驱动晶体管1112a和1112b电连接的第一电极1114，其中流过与堤坝1118相邻的第一截面区1114a的电流量大于流过第二截面区1114b的电流量；与像素区域对应的基板1102上形成的有机层(未示出)；以及有机层上形成的第二电极(未示出)。第一电极1114的边缘与堤坝1118部分交叠。
第一电极1114可以包括第一截面区电极1114a和与第一截面区电极1114a隔开的第二截面区电极1114b。第二绝缘层1116还可以被包括在第一截面区电极1114a与第二截面区电极1114b之间。
如所示，沿平行于基板的方向(例如，沿垂直于第一电极的第一截面区和第二截面区的方向)，第一截面区电极1114a可以是“U”形(例如，)并且第二截面区电极1114b可以是矩形形状。因此，第一截面区电极1114a可以是包围第二截面区电极1114b的形状。
同时，驱动晶体管1112可以包括与第一截面区电极1114a电连接的第一驱动晶体管1112a和与第二截面区电极1114b电连接的第二驱动晶体管1112b，并且第一驱动晶体管1112a的电流驱动能力大于第二驱动晶体管1112b的电流驱动能力。
第一驱动晶体管的沟道宽度/沟道长度值可以大于第二驱动晶体管的沟道宽度/沟道长度值，或者第一驱动晶体管的有源层的电子迁移率可以高于第二晶体管的有源层的电子迁移率。
通常，驱动晶体管的电流驱动能力与沟道宽度即有源层或半导体层的宽度成正比，而且与沟道长度成反比。如所示，根据又一实施方案的有机发光器件是其中第一驱动晶体管1112a的沟道长度短于第二驱动晶体管1112b的沟道长度(L1＜L2)，或是其中第一驱动晶体管1112a的沟道宽度长于第二驱动晶体管1112b的沟道宽度(W1＞W2)，使得第一驱动晶体管1112a的电流驱动能力可以大于第二驱动晶体管1112b的电流驱动能力。因此，当有机发光器件1110导通时，流到通过第一驱动晶体管1112a驱动的第一截面区电极1114a的电流量可以变得大于流到通过第二驱动晶体管1112b驱动的第二截面区电极1114b的电流量，由此保持发光均匀性。
同时，第二绝缘层1116可以由无机绝缘材料(如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT)、有机绝缘材料(如苯并环丁烯、基于丙烯酰基的树脂)或其组合形成，但不限于此。
有机发光器件1100可包括多条电线。多条电线包括：沿一个方向即图11的竖直方向延伸并且分别传输扫描信号或栅极信号的扫描线；沿另一个方向即图11的水平方向延伸并且分别传输数据信号的数据线；以及供给高压电力的电源线(在下文称为“VDD线”)。VDD线与扫描线平行地隔开。扫描线1104沿竖直方向延伸到栅极焊盘(未示出)并且数据线1106沿图11中水平方向延伸到数据焊盘(未示出)。
数据线1106与VDD线1108可以利用Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu、ALND、MoTi等中的至少一种金属或合金的单层或多层形成。
有机发光器件1100可以包括电极1114和在像素区处的有机层，该像素区被限定在扫描线1104和数据线1106之间的各个相交区处，并且有机层根据从形成在基板1102上的晶体管1109、晶体管1112a和晶体管1112b供给的电流而发射光。
第一截面区电极1114a通过第一接触孔1142连接到驱动晶体管1112a的一端，驱动晶体管1112a的另一端连接到VDD线1108，并且VDD线1108连接到存储电容器1110。第二截面区电极1114b通过第四接触孔1148连接到驱动晶体管1112b的一端。存储电容器1110通过第三接触孔1146连接到开关晶体管1109的一端，并且开关晶体管1109的另一端通过第二接触孔1144连接到数据线1106。扫描线1104连接到开关晶体管1109的栅极。
从有机发光器件1100的电功能来看，开关晶体管1109通过经由扫描线1104供给的扫描信号而导通，使得通过数据线1106供给的数据信号被发送到两个驱动晶体管1112a和1112b的栅电极。存储电容器1110可以存储通过开关晶体管1109供给的数据信号并且在预定时间期间保持上述导通状态。两个驱动晶体管1112a和1112b响应于存储在存储电容器1110的数据信号而被驱动。两个驱动晶体管1112a和1112b可以响应于数据信号来控制供给到第一截面区电极1114a和第二截面区电极1114b的驱动电流或驱动电压。
如果两个驱动晶体管1112a和1112b被驱动，则有机层的发光层可以通过经由VDD线1108供给的电流而发射光。当通过两个驱动晶体管1112a和1112b供给的驱动电流分别被传输到第一截面区电极1114a和第二截面区电极1114b并且通过有机层流到第二电极时，电子和空穴在有机层进行复合以发射光。
图13是示出根据又一实施方案的有机发光器件的一个实施例的沿着图11中的线B-B′所取的截面图。
参照图13，基板1302上形成有第一电极1314，并且形成有对像素区域进行限定的堤坝1318。第一电极1314的边缘与堤坝1318部分交叠。第一电极1314通过堤坝1318的开口部分露出并且第一电极1314上形成有有机层1320。第二电极1322形成为覆盖堤坝1318和有机层1320。
第一电极1314可以被分成与堤坝1318相邻的第一截面区电极1314a和与堤坝1318不相邻的第二截面区电极1314b。在第一截面区电极1314a和第二截面区电极1314b之间还可以包括第二绝缘层1316以防止由于电荷集中而引起的劣化。第一截面区电极1314a和第二截面区电极1314b包括ITO、FTO、ATO、AZO、IZO等中的至少之一。第一截面区电极1314a和第二截面区电极1314b可以是相同材料或不同材料。
第一截面区电极1314a与第一驱动晶体管1112a电连接，并且第二截面区电极1314b与第二驱动晶体管1112b电连接。
因为第一驱动晶体管1112a的电流驱动能力大于第二驱动晶体管1112b的电流驱动能力，所以当有机发光器件1110导通时，流到通过第一驱动晶体管1112a驱动的第一截面区电极1114a的电流量可以变得大于流到通过第二驱动晶体管1112b驱动的第二截面区电极1114b的电流量，由此保持发光均匀性。
堤坝1318是椭圆形状。堤坝1318可以由无机绝缘材料、有机绝缘材料或其组合形成，但不限于此。
在第一电极1314上堤坝1318的边界内部形成有有机层1320。有机层1320可以非限制性地包括依次层叠的空穴注入层1320a、空穴传输层1320b、发光辅助层1320c、发光层1320d、电子传输层1320e、电子注入层1320f等，但不限于此。
空穴注入层1320a、空穴传输层1320b、发光辅助层1320c和发光层1320d可以通过溶液工艺例如喷墨打印、卷对卷印刷、丝网印刷、喷涂、浸涂、刮刀涂布、轧辊涂布等形成，但不限于此。并且电子传输层1320e和电子注入层1320f可以在基板的所有表面上形成，但不限于此。有机层1320通过溶液工艺形成，有机层1320的上表面可以形成为弯曲表面。也就是说，有机层1320在与堤坝1318相邻的第一截面区域中的厚度大于有机层1320在与堤坝1318不相邻的第二截面区中的厚度。
图14是示出根据又一实施方案的有机发光器件的截面图。
参照图14，基板1402上形成有第一电极1414和堤坝1418。第一电极1414上形成有有机层1420。第二电极1422形成为覆盖堤坝1418和有机层1420。第一电极1414可以包括彼此不同的两者或更多者区，其中一个区被其他区包围。第一电极中包围区的比电阻与被包围区的比电阻不同。包围区例如第一截面区1414a的比电阻可以低于被包围区中的之一例如第二截面区1414b的比电阻。尽管在图14的有机发光器件中第一电极被分成第一截面区1414a和第二截面区1414b，但其可以被分成两者或更多者区。
与上述实施方案中的具有不同厚度或彼此隔开的第一电极不同，第一电极1414整体形成为相同厚度。第一电极1414可以包括ITO、FTO、ATO、AZO、IZO等中的至少之一，但其不限于此。
第一电极1414可以被分成与堤坝1418相邻的第一截面区1414a和与堤坝1418不相邻的第二截面区1414b。第一电极1414的第一截面区1414a通过氢等离子体处理而具有低的比电阻。换句话说，在第一电极1414中，第一截面区1414a的比电阻低于第二截面区1414b的比电阻。因此，流过与堤坝1418相邻的第一截面区1414a的电流的量大于流过第二截面区1414b的电流的量。
为了执行氢等离子体工艺，形成第一电极，然后在第二截面区1414b处涂覆光致抗蚀剂，然后对没有涂覆光致抗蚀剂的第一截面区执行氢等离子体处理并且然后最终剥离光致抗蚀剂，由此产生与具有不同厚度或彼此隔开的第一电极相同的效果。
根据各种实施方案的有机发光器件200和1100可以解决由于如下原因而引起的问题：由于通过溶液工艺而形成的有机层的厚度不平，空穴不能顺利地转移到有机层的较厚区中，由此降低发光均匀性并且改变形成激子的复合区域。
根据各种实施方案，形成使与堤坝相邻的区的厚度大于与堤坝不相邻的区的厚度的第一电极；将第一电极分成分别与具有不同电流驱动能力的多个晶体管电连接的两个区电极；以及通过对第一电极中与堤坝相邻的区中的之一执行等离子处理能够使得与堤坝相邻的第一截面区流过更多的电流，由此防止发光均匀性的下降。因此，可以提高发光效率并且延长有机发光器件的寿命。
另外，在第一电极的第一截面区由ITO-IZO多层形成的情况下，提高了可见光区域的透射率并且进一步降低了表面电阻，使得还可以得到提高空穴注入的效果。
尽管目前为止已经参照附图描述了各种实施方案，但本发明不限于此。
另外，由于术语例如“包括”、“包含”和“具有”意指如果未特别地相反描述则可以存在一个或更多个相应部件，其应该解释为可以包括一个或更多个其他部件。如果没有相反限定，则技术、科学或其他方面的所有术语与本领域技术人员所理解的含义相同。如果在本说明书中没有明确限定，则与字典中定义那样通常使用的术语应解释为其具有等同于相关描述的上下文中的含义，而不应以理想或过于正式的含义来解释。
尽管已经描述了本发明的实施方案以用于说明的目的，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以有各种修改方案、增加方案和替换方案。因此，本发明中公开的实施方案旨在说明本发明的技术构思的范围，并且本发明的范围不由实施方案所限制。应该以如下方式基于所附权利要求书来解释本发明的范围：该方式为包括在与权利要求等同的范围内的所有技术构思均属于本发明。

Claims (24)

1.一种有机发光器件，包括：
基板，所述基板上形成有驱动晶体管；
堤坝，所述堤坝形成在所述基板上并为像素区域提供边界；
第一电极，所述第一电极形成在所述基板上并与所述驱动晶体管电连接，所述第一电极包括第一截面区和第二截面区，所述第一截面区和所述第二截面区均沿垂直于所述基板的竖直方向的方向取向，所述第一截面区与所述堤坝相邻，所述第二截面区被所述第一截面区包围，并且所述第一截面区的面积大于所述第二截面区的面积；
有机层，所述有机层形成在所述第一电极上并在由所述堤坝所提供的边界内；以及
形成在所述有机层上的第二电极，
在所述第一电极的至少一部分和所述有机层之间的第一绝缘层，
其中所述第一电极在所述第一截面区中的一部分接触所述有机层，
其中所述第一绝缘层形成在所述第一电极和所述有机层之间的至少台阶部分处。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，所述驱动晶体管控制流过所述第一电极的所述第一截面区和所述第二截面区两者的电流。
3.根据权利要求2所述的有机发光器件，
其中，沿所述竖直方向相对于所述堤坝而言，所述第一电极在所述第一截面区中的高度比在所述第二截面区中的高度高。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，在所述第一电极中，所述第一截面区包括：
选自ITO(铟锡氧化物)、FTO(氟掺杂氧化锡)、ATO(锑锡氧化物)、AZO(铝掺杂氧化锌)和IZO(铟锌氧化物)中的之一的单层；或
包括选自ITO、FTO、ATO、AZO和IZO中的两者或更多者的多层。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，所述第一绝缘层连接到所述第一电极的所述第一截面区和所述第二截面区两者。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，所述第一绝缘层包括选自SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT、苯并环丁烯和基于丙烯酰基的树脂中的至少之一。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，所述第一电极的所述第一截面区通过间隙与所述第一电极的所述第二截面区物理地隔开。
8.根据权利要求7所述的有机发光器件，
其中，所述间隙填充有所述有机层。
9.根据权利要求7所述的有机发光器件，还包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一电极的所述第一截面区与所述第一电极的所述第二截面区之间的所述间隙中，所述第二绝缘层连接到所述第一电极的所述第一截面区和所述第二截面区两者。
10.根据权利要求9所述的有机发光器件，
其中，所述第二绝缘层包括选自SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT、苯并环丁烯和基于丙烯酰基的树脂中的至少之一。
11.根据权利要求7所述的有机发光器件，
其中，所述第一电极的所述第一截面区沿平行于所述基板的方向为“u”形状，并且所述第一电极的所述第二截面区沿平行于所述基板的方向为矩形形状。
12.根据权利要求7所述的有机发光器件，
其中，所述驱动晶体管包括与所述第一电极的所述第一截面区电连接的第一驱动晶体管和与所述第一电极的所述第二截面区电连接的第二驱动晶体管。
13.根据权利要求12所述的有机发光器件，其中，所述第一驱动晶体管的电流驱动能力大于所述第二驱动晶体管的电流驱动能力。
14.根据权利要求12所述的有机发光器件，
其中，与所述第二驱动晶体管相比，所述第一驱动晶体管的沟道宽度和沟道长度中的至少之一更大。
15.根据权利要求12所述的有机发光器件，
其中，所述第一驱动晶体管的有源层的电子迁移率高于所述第二晶体管的有源层的电子迁移率。
16.根据权利要求1所述的有机发光器件，
其中，所述第一电极的所述第一截面区包括比所述第一电极的所述第二截面区的比电阻低的比电阻。
17.一种有机发光器件，包括：
基板，所述基板上形成有驱动晶体管；
堤坝，所述堤坝形成在所述基板上并为像素区域提供边界；
第一电极，所述第一电极形成在所述基板上并与所述驱动晶体管电连接，所述第一电极包括第一截面区和第二截面区，所述第一截面区和所述第二截面区均沿垂直于所述基板的竖直方向的方向取向，所述第一截面区与所述堤坝相邻，所述第二截面区被所述第一截面区包围；
有机层，所述有机层形成在所述第一电极上并在由所述堤坝所提供的边界内；以及
形成在所述有机层上的第二电极，
其中，在所述有机发光器件操作期间，所述第一电极的所述第一截面区与所述第二电极之间的第一电场大于所述第一电极的所述第二截面区与所述第二电极之间的第二电场，
在至少所述第一电极与所述有机层之间的第一绝缘层，
其中所述第一电极在所述第一截面区中的一部分接触所述有机层，
其中所述第一绝缘层形成在所述第一电极和所述有机层之间的至少台阶部分处。
18.根据权利要求17所述的有机发光器件，
其中，所述有机层包括沿着与所述第二电极相接的表面的凹形，在与形成有所述第一电极的所述第二截面区相邻的地方所述有机层较薄。
19.根据权利要求17所述的有机发光器件，
其中，沿垂直于所述基板的所述竖直方向的方向,所述第一截面区的面积大于所述第二截面区的面积。
20.根据权利要求17所述的有机发光器件，
其中所述第一绝缘层连接到所述第一电极的所述第一截面区和所述第二截面区两者。
21.根据权利要求17所述的有机发光器件，
其中，所述第一电极的所述第一截面区包括比所述第一电极的所述第二截面区的比电阻低的比电阻。
22.根据权利要求17所述的有机发光器件，
其中，所述第一电极的所述第一截面区通过间隙与所述第一电极的所述第二截面区物理地隔开。
23.根据权利要求22所述的有机发光器件，还包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一电极的所述第一截面区与所述第一电极的所述第二截面区之间的所述间隙中，所述第二绝缘层连接到所述第一电极的所述第一截面区和所述第二截面区两者。
24.根据权利要求22所述的有机发光器件，还包括：
与所述第一电极的所述第一截面区电连接的第一驱动晶体管；以及
与所述第一电极的所述第二截面区电连接的第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管具有大于所述第二驱动晶体管的电流驱动能力的电流驱动能力。
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